JP2000208817A - 光源装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光源に順方向の過電流が流れることを防止す
ることができる光源装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体発光素子と該半導体発光素子を支
持する基台と該基台の温度を一定に保持するための温度
制御装置と半導体発光素子に電源を供給するための電源
回路とを有する光源装置において、電源回路は一定の電
流を出力する定電流回路と半導体発光素子に逆方向の過
電圧が印加されることを防止するための保護回路とを有
し、該保護回路は半導体発光素子に順方向の過電流が流
れることを防止するための定電圧ダイオードを有する。
ることができる光源装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体発光素子と該半導体発光素子を支
持する基台と該基台の温度を一定に保持するための温度
制御装置と半導体発光素子に電源を供給するための電源
回路とを有する光源装置において、電源回路は一定の電
流を出力する定電流回路と半導体発光素子に逆方向の過
電圧が印加されることを防止するための保護回路とを有
し、該保護回路は半導体発光素子に順方向の過電流が流
れることを防止するための定電圧ダイオードを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光素子を使
用した光源装置に関し、より詳細には半導体発光素子に
定電流を供給するための光源用電源回路に関する。
用した光源装置に関し、より詳細には半導体発光素子に
定電流を供給するための光源用電源回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５を参照して従来の光源装置の例を説
明する。この光源装置は、密閉容器であるケーシング１
０とケーシング１０内に配置された発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）又は半導体発光素子１１と光ファイバ１２とを有
し、半導体発光素子１１及び光ファイバ１２は基台１３
上に配置されている。
明する。この光源装置は、密閉容器であるケーシング１
０とケーシング１０内に配置された発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）又は半導体発光素子１１と光ファイバ１２とを有
し、半導体発光素子１１及び光ファイバ１２は基台１３
上に配置されている。
【０００３】光源装置には、半導体発光素子１１を一定
の温度に保持するための温度制御装置が設けられてい
る。図示の例では、温度制御装置は、基台１３の下に配
置されたペルチエ素子の如き適当な電子冷却素子１５と
温度センサ１６と温度制御回路１７とを含む。基台１３
は、温度の不均一が生じないように、熱伝導性が高い材
料より形成される。電子冷却素子１５は基台１３に熱的
に接続するよう配置される。
の温度に保持するための温度制御装置が設けられてい
る。図示の例では、温度制御装置は、基台１３の下に配
置されたペルチエ素子の如き適当な電子冷却素子１５と
温度センサ１６と温度制御回路１７とを含む。基台１３
は、温度の不均一が生じないように、熱伝導性が高い材
料より形成される。電子冷却素子１５は基台１３に熱的
に接続するよう配置される。
【０００４】温度センサ１６の出力は温度制御回路１７
に供給され、温度制御回路１７は電子冷却素子１５に命
令信号を供給する。こうして基台１３は常に一定の温度
に保持され、従って、半導体発光素子１１は常に一定の
温度に保持される。こうして、半導体発光素子１１の温
度を一定に保持することによって、出力光の波長及び強
度が一定に保持される。光源装置は、更に、定電流回路
３０と保護回路２０とを含む電源回路を有するが、これ
については以下に図６を参照して説明する。
に供給され、温度制御回路１７は電子冷却素子１５に命
令信号を供給する。こうして基台１３は常に一定の温度
に保持され、従って、半導体発光素子１１は常に一定の
温度に保持される。こうして、半導体発光素子１１の温
度を一定に保持することによって、出力光の波長及び強
度が一定に保持される。光源装置は、更に、定電流回路
３０と保護回路２０とを含む電源回路を有するが、これ
については以下に図６を参照して説明する。
【０００５】図６を参照して光源装置に使用される光源
電源回路の例を説明する。電源回路は定電流回路３０と
保護回路２０とを有する。定電流回路３０によっては半
導体発光素子１１に一定の直流電流が供給され、出力光
の波長及び強度が一定に保持される。定電流回路３０の
構成は当業者に周知であるのでここでは説明を省略す
る。
電源回路の例を説明する。電源回路は定電流回路３０と
保護回路２０とを有する。定電流回路３０によっては半
導体発光素子１１に一定の直流電流が供給され、出力光
の波長及び強度が一定に保持される。定電流回路３０の
構成は当業者に周知であるのでここでは説明を省略す
る。
【０００６】保護回路２０は、半導体発光素子１１に逆
方向の過電圧が印加されるのを防止するために設けられ
る。半導体発光素子１１には定電流回路３０から一定の
直流電流が供給されるが、外乱３２によって許容電圧を
超える逆方向の過電圧が印加されることがある。逆方向
の過電圧が印加されると、半導体発光素子１１は損傷又
は破壊する。従って、半導体発光素子１１の損傷又は破
壊を防止するために、保護回路２０が定電流回路３０と
半導体発光素子１１の間に挿入される。
方向の過電圧が印加されるのを防止するために設けられ
る。半導体発光素子１１には定電流回路３０から一定の
直流電流が供給されるが、外乱３２によって許容電圧を
超える逆方向の過電圧が印加されることがある。逆方向
の過電圧が印加されると、半導体発光素子１１は損傷又
は破壊する。従って、半導体発光素子１１の損傷又は破
壊を防止するために、保護回路２０が定電流回路３０と
半導体発光素子１１の間に挿入される。
【０００７】保護回路２０は当業者に周知であり、様々
な構成が可能であるが、図示のように抵抗器２１とダイ
オード２２より構成してよい。
な構成が可能であるが、図示のように抵抗器２１とダイ
オード２２より構成してよい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図５及び図６を参照し
て説明した従来の光源装置の電源回路に使用される保護
回路は、半導体発光素子に逆方向の過電圧が印加される
ことを防止するように構成されており、順方向の過電流
が流れることを防止するようには構成されていなかっ
た。
て説明した従来の光源装置の電源回路に使用される保護
回路は、半導体発光素子に逆方向の過電圧が印加される
ことを防止するように構成されており、順方向の過電流
が流れることを防止するようには構成されていなかっ
た。
【０００９】本発明は、このような点に鑑み、半導体発
光素子に順方向の過電流が流れることを防止することが
できる光源装置を提供することを目的とする。
光素子に順方向の過電流が流れることを防止することが
できる光源装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によると、半導体
発光素子と該半導体発光素子を支持する基台と該基台の
温度を一定に保持するための温度制御装置と半導体発光
素子に電源を供給するための電源回路とを有する光源装
置において、電源回路は一定の電流を出力する定電流回
路と半導体発光素子に逆方向の過電圧が印加されること
を防止するための保護回路とを有し、更に該保護回路は
半導体発光素子に順方向の過電流が流れることを防止す
るための定電圧ダイオードを有する。
発光素子と該半導体発光素子を支持する基台と該基台の
温度を一定に保持するための温度制御装置と半導体発光
素子に電源を供給するための電源回路とを有する光源装
置において、電源回路は一定の電流を出力する定電流回
路と半導体発光素子に逆方向の過電圧が印加されること
を防止するための保護回路とを有し、更に該保護回路は
半導体発光素子に順方向の過電流が流れることを防止す
るための定電圧ダイオードを有する。
【００１１】本発明によると、光源である半導体発光素
子を、逆方向の過電圧ばかりでなく順方向の過電流から
も保護することができる。従って、外乱によって逆方向
の過電圧及び順方向の過電流が生じても、光源は保護さ
れる。
子を、逆方向の過電圧ばかりでなく順方向の過電流から
も保護することができる。従って、外乱によって逆方向
の過電圧及び順方向の過電流が生じても、光源は保護さ
れる。
【００１２】本発明によると、光源装置において、定電
圧ダイオードは温度制御装置によって一定の温度に保持
されている。従って、定電圧ダイオードの逆方向の電流
が常に一定となり、定電圧ダイオードに並列に接続され
た半導体発光素子の順方向の電流は常に一定となり、半
導体発光素子からの出力光の強度及び波長は常に一定と
なる。
圧ダイオードは温度制御装置によって一定の温度に保持
されている。従って、定電圧ダイオードの逆方向の電流
が常に一定となり、定電圧ダイオードに並列に接続され
た半導体発光素子の順方向の電流は常に一定となり、半
導体発光素子からの出力光の強度及び波長は常に一定と
なる。
【００１３】本発明によると、光源装置において、定電
圧ダイオードは基台上に配置されている。即ち、定電圧
ダイオードは半導体発光素子用の温度制御装置を使用す
るから、定電圧ダイオード用に別個の温度制御装置を設
ける必要がない。
圧ダイオードは基台上に配置されている。即ち、定電圧
ダイオードは半導体発光素子用の温度制御装置を使用す
るから、定電圧ダイオード用に別個の温度制御装置を設
ける必要がない。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１を参照して本発明による光源
装置の例について説明する。図１は本例の光源装置の電
源回路の例を示す。本例の光源用電源回路は定電流回路
３０と保護回路２０とを有し、保護回路２０は抵抗器２
１と逆方向過電圧防止用ダイオード２２と順方向過電流
防止用の定電圧ダイオード２５又はツェナーダイオード
を有する。
装置の例について説明する。図１は本例の光源装置の電
源回路の例を示す。本例の光源用電源回路は定電流回路
３０と保護回路２０とを有し、保護回路２０は抵抗器２
１と逆方向過電圧防止用ダイオード２２と順方向過電流
防止用の定電圧ダイオード２５又はツェナーダイオード
を有する。
【００１５】定電圧ダイオード２５は、図示のように、
半導体発光素子１１、即ち、発光ダイオードと並列に且
つ正極及び負極が発光ダイオードと逆になるように接続
される。
半導体発光素子１１、即ち、発光ダイオードと並列に且
つ正極及び負極が発光ダイオードと逆になるように接続
される。
【００１６】本例の電源回路は図６を参照して説明した
従来の光源用電源回路と比較して、順方向過電流防止用
の定電圧ダイオード２５が付加的に設けられている点が
異なり、それ以外の構成は同様であっててよい。本例に
よると、保護回路２０は逆方向過電圧防止用ダイオード
２２ばかりでなく順方向過電流防止用の定電圧ダイオー
ド２５を有するから、半導体発光素子１１に逆方向の過
電圧が印加されることばかりでなく順方向の過電流が流
れることを防止することができる。
従来の光源用電源回路と比較して、順方向過電流防止用
の定電圧ダイオード２５が付加的に設けられている点が
異なり、それ以外の構成は同様であっててよい。本例に
よると、保護回路２０は逆方向過電圧防止用ダイオード
２２ばかりでなく順方向過電流防止用の定電圧ダイオー
ド２５を有するから、半導体発光素子１１に逆方向の過
電圧が印加されることばかりでなく順方向の過電流が流
れることを防止することができる。
【００１７】図２及び図３を参照して本発明の光源装置
の他の例を説明する。本例によると、保護回路２０に含
まれる順方向過電流防止用の定電圧ダイオード２５は温
度制御装置によって一定の温度に保持される。図示のよ
うに、定電圧ダイオード２５は、基台１３上に配置され
てよい。即ち、定電圧ダイオード２５の温度制御装置と
して、半導体発光素子１１用の温度制御装置１３、１
５、１６、１７が使用されてよい。温度制御装置１３、
１５、１６、１７の詳細は図５及び図６を参照して説明
したので、その説明はここでは省略する。
の他の例を説明する。本例によると、保護回路２０に含
まれる順方向過電流防止用の定電圧ダイオード２５は温
度制御装置によって一定の温度に保持される。図示のよ
うに、定電圧ダイオード２５は、基台１３上に配置され
てよい。即ち、定電圧ダイオード２５の温度制御装置と
して、半導体発光素子１１用の温度制御装置１３、１
５、１６、１７が使用されてよい。温度制御装置１３、
１５、１６、１７の詳細は図５及び図６を参照して説明
したので、その説明はここでは省略する。
【００１８】こうして、本例によると、半導体発光素子
１１用の温度制御装置１３、１５、１６、１７を定電圧
ダイオード２５の温度制御装置として共用するから、定
電圧ダイオード２５用の温度制御装置を別個に設ける必
要がない。
１１用の温度制御装置１３、１５、１６、１７を定電圧
ダイオード２５の温度制御装置として共用するから、定
電圧ダイオード２５用の温度制御装置を別個に設ける必
要がない。
【００１９】図４を参照して本例の保護回路２０の定電
圧ダイオード即ち、ツェナーダイオード２５の機能を説
明する。図４はツェナーダイオード２５の特性を示す曲
線であり、縦軸は逆方向の電流ＩZ 、横軸は逆方向の電
圧ＶZ である。尚、添え字Ｚは逆方向を表し、添え字Ｆ
は順方向を表す。図示のように、ツェナーダイオード２
５は、逆方向の電圧ＶZ が所定の値より大きくなると、
逆方向に大きな電流Ｉ Z が流れることを許す。この逆方
向の電流ＩZ が増加する領域はツェナー領域と称され
る。
圧ダイオード即ち、ツェナーダイオード２５の機能を説
明する。図４はツェナーダイオード２５の特性を示す曲
線であり、縦軸は逆方向の電流ＩZ 、横軸は逆方向の電
圧ＶZ である。尚、添え字Ｚは逆方向を表し、添え字Ｆ
は順方向を表す。図示のように、ツェナーダイオード２
５は、逆方向の電圧ＶZ が所定の値より大きくなると、
逆方向に大きな電流Ｉ Z が流れることを許す。この逆方
向の電流ＩZ が増加する領域はツェナー領域と称され
る。
【００２０】上述のように、ツェナーダイオード２５は
発光ダイオード１１と正極及び負極が逆になるように並
列に接続される。従って、発光ダイオード１１に順方向
の電流ＩF が流れるとき、ツェナーダイオード２５には
逆方向の電圧ＶZ が印加される。そこで、発光ダイオー
ド１１の順方向の電流ＩF が所定の許容値を超えたと
き、ツェナーダイオード２５の逆方向の電圧ＶZ がツェ
ナー領域に入るように、ツェナーダイオード２５の特性
を選択すればよい。
発光ダイオード１１と正極及び負極が逆になるように並
列に接続される。従って、発光ダイオード１１に順方向
の電流ＩF が流れるとき、ツェナーダイオード２５には
逆方向の電圧ＶZ が印加される。そこで、発光ダイオー
ド１１の順方向の電流ＩF が所定の許容値を超えたと
き、ツェナーダイオード２５の逆方向の電圧ＶZ がツェ
ナー領域に入るように、ツェナーダイオード２５の特性
を選択すればよい。
【００２１】次にツェナーダイオード２５の温度特性に
ついて説明する。ツェナーダイオード２５には、逆方向
の電圧ＶZ がツェナー領域より小さくても、実際には逆
方向の僅かな電流ＩZ が流れる。従って、定電流回路３
０より出力される電流Ｉ0 は、発光ダイオード１１の順
方向の電流ＩF とツェナーダイオード２５の逆方向の電
流ＩZ の和である。
ついて説明する。ツェナーダイオード２５には、逆方向
の電圧ＶZ がツェナー領域より小さくても、実際には逆
方向の僅かな電流ＩZ が流れる。従って、定電流回路３
０より出力される電流Ｉ0 は、発光ダイオード１１の順
方向の電流ＩF とツェナーダイオード２５の逆方向の電
流ＩZ の和である。
【００２２】
【数１】Ｉ0 ＝ＩF ＋ＩZ
【００２３】従って、定電流回路３０より出力される電
流Ｉ0 の変動ΔＩ0 がゼロのとき、ツェナーダイオード
２５の逆方向の電流の変動ΔＩZ は、発光ダイオード１
１の順方向の電流の変動ΔＩF となって表れる。
流Ｉ0 の変動ΔＩ0 がゼロのとき、ツェナーダイオード
２５の逆方向の電流の変動ΔＩZ は、発光ダイオード１
１の順方向の電流の変動ΔＩF となって表れる。
【００２４】
【数２】ΔＩZ ＝−ΔＩF
【００２５】一方、ツェナーダイオード２５の逆方向の
電流ＩZ は温度依存性があり、例えば、温度がΔＴだけ
増加した場合、図４の特性曲線は、破線にて示すよう
に、全体に右側に移動する。従って、ツェナーダイオー
ド２５の逆方向の電流ＩZ が一定でも、温度が増加する
と、逆方向の電圧ＶZ がΔＶZ だけ増加したのと等価に
なる。ツェナーダイオード２５の逆方向の電圧の増加Δ
ＶZ に相当するツェナーダイオード２５の逆方向の電流
の変動ΔＩZ は次の式によって表される。
電流ＩZ は温度依存性があり、例えば、温度がΔＴだけ
増加した場合、図４の特性曲線は、破線にて示すよう
に、全体に右側に移動する。従って、ツェナーダイオー
ド２５の逆方向の電流ＩZ が一定でも、温度が増加する
と、逆方向の電圧ＶZ がΔＶZ だけ増加したのと等価に
なる。ツェナーダイオード２５の逆方向の電圧の増加Δ
ＶZ に相当するツェナーダイオード２５の逆方向の電流
の変動ΔＩZ は次の式によって表される。
【００２６】
【数３】 ΔＩZ ＝（∂ＩZ ／∂Ｖ）（∂ＶZ ／∂Ｔ）ΔＴ
【００２７】例えば、（∂ＩZ ／∂Ｖ）＝１０ｍＡ／
Ｖ、（∂ＶZ ／∂Ｔ）＝１０ｍＶ／℃、温度増加をΔＴ
＝１００℃、とすると、ツェナーダイオード２５の逆方
向の電流の変動ΔＩZ は１０ｍＡとなる。数２の式よ
り、発光ダイオード１１の順方向の電流の変動ΔＩF も
１０ｍＡとなる。
Ｖ、（∂ＶZ ／∂Ｔ）＝１０ｍＶ／℃、温度増加をΔＴ
＝１００℃、とすると、ツェナーダイオード２５の逆方
向の電流の変動ΔＩZ は１０ｍＡとなる。数２の式よ
り、発光ダイオード１１の順方向の電流の変動ΔＩF も
１０ｍＡとなる。
【００２８】例えば、発光ダイオード１１の波長の電流
感度を−２５ｐｐｍ／ｍＡとすると、波長は−２５０ｐ
ｐｍ変化することとなる。
感度を−２５ｐｐｍ／ｍＡとすると、波長は−２５０ｐ
ｐｍ変化することとなる。
【００２９】従って、光ファイバジャイロのように、高
い波長安定性が求められる場合には、図２及び図３に示
した例のように、定電圧ダイオード、即ち、ツェナーダ
イオード２５を温度制御装置によって一定の温度に保持
する必要がある。勿論、高い波長安定性及び光強度安定
性が必要でない場合には、図１に示した例のように、ツ
ェナーダイオード２５を温度制御装置によって一定の温
度に保持する必要はない。
い波長安定性が求められる場合には、図２及び図３に示
した例のように、定電圧ダイオード、即ち、ツェナーダ
イオード２５を温度制御装置によって一定の温度に保持
する必要がある。勿論、高い波長安定性及び光強度安定
性が必要でない場合には、図１に示した例のように、ツ
ェナーダイオード２５を温度制御装置によって一定の温
度に保持する必要はない。
【００３０】以上本発明の実施例について詳細に説明し
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
【００３１】
【発明の効果】本発明によると、光源装置の保護回路に
は、従来のように逆方向の過電圧防止用ダイオードばか
りでなく順方向の過電流防止用の定電圧ダイオードが設
けられているから、光源である半導体発光素子又は発光
ダイオードを、逆方向の過電圧ばかりでなく順方向の過
電流に対して保護することができる利点がある。
は、従来のように逆方向の過電圧防止用ダイオードばか
りでなく順方向の過電流防止用の定電圧ダイオードが設
けられているから、光源である半導体発光素子又は発光
ダイオードを、逆方向の過電圧ばかりでなく順方向の過
電流に対して保護することができる利点がある。
【００３２】本発明によると、光源装置の保護回路に設
けられた定電圧ダイオード、即ち、ツェナーダイオード
は温度制御装置によって一定の温度に保持されているか
ら、ツェナーダイオードを流れる逆方向の電流を一定に
保持することができる。従って、半導体発光素子の順方
向の電流を一定に保持することができ、半導体発光素子
の出力光の強度及び波長を一定に保持することができる
利点がある。
けられた定電圧ダイオード、即ち、ツェナーダイオード
は温度制御装置によって一定の温度に保持されているか
ら、ツェナーダイオードを流れる逆方向の電流を一定に
保持することができる。従って、半導体発光素子の順方
向の電流を一定に保持することができ、半導体発光素子
の出力光の強度及び波長を一定に保持することができる
利点がある。
【００３３】本発明の光源装置によると、光源装置の保
護回路に設けられた定電圧ダイオードは、半導体発光素
子の温度制御装置によって一定の温度に保持されている
から、定電圧ダイオード用の温度制御装置を別個に設け
る必要がない利点がある。
護回路に設けられた定電圧ダイオードは、半導体発光素
子の温度制御装置によって一定の温度に保持されている
から、定電圧ダイオード用の温度制御装置を別個に設け
る必要がない利点がある。
【図１】本発明の光源装置の第１の例の電源回路の例を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図２】本発明の光源装置の第２の例の電源回路を示す
回路図である。
回路図である。
【図３】本発明の光源装置の第２の例の全体を示す説明
図である。
図である。
【図４】本発明の光源装置の保護回路に使用される定電
圧ダイオードの特性を示す図である。
圧ダイオードの特性を示す図である。
【図５】従来の光源装置の例を説明するための説明図で
ある。
ある。
【図６】従来の光源装置の電源回路の例を説明するため
の回路図である。
の回路図である。
１０…ケーシング、 １１…半導体発光素子又は発光ダ
イオード、 １２…光ファイバ、 １３…基台、 １５
…電子冷却素子、 １６…温度センサ、 １７…温度制
御回路、 ２０…保護回路、 ２１…抵抗器、 ２２…
ダイオード、 ２５…定電圧ダイオード又はツェナーダ
イオード、 ３０…定電流回路、 ３２…外乱
イオード、 １２…光ファイバ、 １３…基台、 １５
…電子冷却素子、 １６…温度センサ、 １７…温度制
御回路、 ２０…保護回路、 ２１…抵抗器、 ２２…
ダイオード、 ２５…定電圧ダイオード又はツェナーダ
イオード、 ３０…定電流回路、 ３２…外乱
フロントページの続き (72)発明者 笹木 隆一郎 東京都大田区南蒲田２丁目16番46号 株式 会社トキメック内 (72)発明者 渡辺 紀元 東京都大田区南蒲田２丁目16番46号 株式 会社トキメック内 (72)発明者 山本 貫志 東京都大田区南蒲田２丁目16番46号 株式 会社トキメック内 (72)発明者 今村 良明 東京都大田区南蒲田２丁目16番46号 株式 会社トキメック内 Ｆターム(参考） 5F041 AA09 AA23 AA32 BB06 BB22 BB25 BB32 EE01 FF16
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体発光素子と該半導体発光素子を支
持する基台と該基台の温度を一定に保持するための温度
制御装置と上記半導体発光素子に電源を供給するための
電源回路とを有する光源装置において、 上記電源回路は一定の電流を出力する定電流回路と上記
半導体発光素子に逆方向の過電圧が印加されることを防
止するための保護回路とを有し、更に該保護回路は上記
半導体発光素子に順方向の過電流が流れることを防止す
るための定電圧ダイオードを有することを特徴とする光
源装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光源装置において、上記
定電圧ダイオードは温度制御装置によって一定の温度に
保持されていることを特徴とする光源装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の光源装置において、上記
定電圧ダイオードは上記基台上に配置されていることを
特徴とする光源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP791499A JP2000208817A (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | 光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP791499A JP2000208817A (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | 光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208817A true JP2000208817A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11678819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP791499A Pending JP2000208817A (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | 光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000208817A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086413A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Koito Mfg Co Ltd | 車両用灯具の点灯制御回路 |
| JP2008103470A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Koa Corp | Ｌｅｄ駆動回路 |
| JP2010056491A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Kyocera Corp | 光源駆動回路、光源装置および表示装置 |
| JP2012510719A (ja) * | 2008-11-30 | 2012-05-10 | クリー インコーポレイテッド | Ｌｅｄ熱管理システム及び方法 |
| JP2013211100A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Mitsubishi Electric Corp | 照明装置 |
| JP2013225629A (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | Panasonic Corp | 点灯回路およびスイッチ |
| JP2014225400A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 東芝ライテック株式会社 | 照明装置及び照明システム |
-
1999
- 1999-01-14 JP JP791499A patent/JP2000208817A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086413A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Koito Mfg Co Ltd | 車両用灯具の点灯制御回路 |
| JP2008103470A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Koa Corp | Ｌｅｄ駆動回路 |
| JP2010056491A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Kyocera Corp | 光源駆動回路、光源装置および表示装置 |
| JP2012510719A (ja) * | 2008-11-30 | 2012-05-10 | クリー インコーポレイテッド | Ｌｅｄ熱管理システム及び方法 |
| US9781803B2 (en) | 2008-11-30 | 2017-10-03 | Cree, Inc. | LED thermal management system and method |
| JP2013211100A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Mitsubishi Electric Corp | 照明装置 |
| JP2013225629A (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | Panasonic Corp | 点灯回路およびスイッチ |
| JP2014225400A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 東芝ライテック株式会社 | 照明装置及び照明システム |
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