JP2000212737A - スパッタ装置及び成膜方法 - Google Patents
スパッタ装置及び成膜方法Info
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- JP2000212737A JP2000212737A JP11013727A JP1372799A JP2000212737A JP 2000212737 A JP2000212737 A JP 2000212737A JP 11013727 A JP11013727 A JP 11013727A JP 1372799 A JP1372799 A JP 1372799A JP 2000212737 A JP2000212737 A JP 2000212737A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、基板表面上の高アスペクト比を有す
る凹部を金属又は絶縁体で充分に埋め込むことが可能な
スパッタ装置と、前記スパッタ装置を用いた成膜方法を
提供することを目的とする。 【構成】成膜室１とスパッタ室２の間に開口部４を有す
る隔壁３を設け、両室を差動排気することにより、スパ
ッタ室２をプラズマが安定して発生しうる圧力に保持す
ると同時に、成膜室１を高アスペクト比を有する凹部を
埋め込むのに充分な低い圧力に保持する。スパッタ室２
で生成されたスパッタ粒子は開口部４を通って成膜室１
へと導かれ、基板５上に堆積するが、このとき成膜室１
内は従来の技術よりも高真空に保たれているため、成膜
時のスパッタ粒子の平均自由工程を従来の技術よりも長
くすることができる。
る凹部を金属又は絶縁体で充分に埋め込むことが可能な
スパッタ装置と、前記スパッタ装置を用いた成膜方法を
提供することを目的とする。 【構成】成膜室１とスパッタ室２の間に開口部４を有す
る隔壁３を設け、両室を差動排気することにより、スパ
ッタ室２をプラズマが安定して発生しうる圧力に保持す
ると同時に、成膜室１を高アスペクト比を有する凹部を
埋め込むのに充分な低い圧力に保持する。スパッタ室２
で生成されたスパッタ粒子は開口部４を通って成膜室１
へと導かれ、基板５上に堆積するが、このとき成膜室１
内は従来の技術よりも高真空に保たれているため、成膜
時のスパッタ粒子の平均自由工程を従来の技術よりも長
くすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタ装置と、
スパッタ装置を用いた成膜方法に関する。
スパッタ装置を用いた成膜方法に関する。
【０００２】近年のＬＳＩの更なる高集積化に伴い、半
導体基板上の高アスペクト比を有する凹部に対して金属
もしくは絶縁体を埋め込む技術に関し、良好なステップ
カバレッジが要求されている。特にスパッタ法を用いて
このような埋め込みを行う場合、スパッタ粒子を基板表
面に対してより垂直に入射させることが要求される。
導体基板上の高アスペクト比を有する凹部に対して金属
もしくは絶縁体を埋め込む技術に関し、良好なステップ
カバレッジが要求されている。特にスパッタ法を用いて
このような埋め込みを行う場合、スパッタ粒子を基板表
面に対してより垂直に入射させることが要求される。
【０００３】このため、スパッタ装置には、ターゲット
と基板の間の距離を充分大きくして基板に到達するスパ
ッタ粒子の指向性を高めるとともに、スパッタ粒子の平
均自由工程をより長くしてスパッタ粒子の散乱を抑え直
進性を向上させるような構造が求められる。スパッタ粒
子の平均自由工程を長くするためには、より低い圧力下
で成膜を行うことが必要である。
と基板の間の距離を充分大きくして基板に到達するスパ
ッタ粒子の指向性を高めるとともに、スパッタ粒子の平
均自由工程をより長くしてスパッタ粒子の散乱を抑え直
進性を向上させるような構造が求められる。スパッタ粒
子の平均自由工程を長くするためには、より低い圧力下
で成膜を行うことが必要である。
【０００４】
【従来の技術】図４は、従来のスパッタ装置の一例とし
てマグネトロンスパッタ装置の構成を表す概略図であ
る。図中、９はスパッタ室と成膜室を兼ねる真空槽、１
０は半導体基板、１１は半導体基板１０と対向する位置
に置かれたスパッタターゲット、１２はターゲット１１
を支持するバッキングプレート、１３はターゲット用RF
電源、１４はマグネトロン放電を引き起こすための電磁
石、１５は真空槽９を排気するための真空ポンプ、１６
はスパッタ用不活性ガスの導入口である。図中、真空槽
９の外壁及び基板１０は接地されている。また、半導体
基板１０とスパッタターゲット１１は半導体基板１０の
外形寸法と同程度に離されている。
てマグネトロンスパッタ装置の構成を表す概略図であ
る。図中、９はスパッタ室と成膜室を兼ねる真空槽、１
０は半導体基板、１１は半導体基板１０と対向する位置
に置かれたスパッタターゲット、１２はターゲット１１
を支持するバッキングプレート、１３はターゲット用RF
電源、１４はマグネトロン放電を引き起こすための電磁
石、１５は真空槽９を排気するための真空ポンプ、１６
はスパッタ用不活性ガスの導入口である。図中、真空槽
９の外壁及び基板１０は接地されている。また、半導体
基板１０とスパッタターゲット１１は半導体基板１０の
外形寸法と同程度に離されている。
【０００５】次に図４の装置の動作について説明する。
最初に真空槽９を真空ポンプ１５により10-8 Torr程度
の真空度まで排気する。次に真空槽９内にガス導入口１
６からArガスなどの不活性ガスを適量導入することによ
り、真空槽９内をArガスなどのプラズマが安定して発生
しうる所定の真空度に保持する。この真空度は、圧力を
低くするとプラズマの安定した発生が困難となるため通
常10-3 Torr台であるが、真空槽９内の構造として、電
磁石１４として強力な磁界を発生できるものを使用し、
かつターゲット１１により大きな高周波電圧を印加でき
る構造や、ターゲット１１に直接電圧を印加する代わり
に誘導結合型プラズマを利用する構造を採用すれば、10
-4 Torr台後半程度まで低く抑えることができる。
最初に真空槽９を真空ポンプ１５により10-8 Torr程度
の真空度まで排気する。次に真空槽９内にガス導入口１
６からArガスなどの不活性ガスを適量導入することによ
り、真空槽９内をArガスなどのプラズマが安定して発生
しうる所定の真空度に保持する。この真空度は、圧力を
低くするとプラズマの安定した発生が困難となるため通
常10-3 Torr台であるが、真空槽９内の構造として、電
磁石１４として強力な磁界を発生できるものを使用し、
かつターゲット１１により大きな高周波電圧を印加でき
る構造や、ターゲット１１に直接電圧を印加する代わり
に誘導結合型プラズマを利用する構造を採用すれば、10
-4 Torr台後半程度まで低く抑えることができる。
【０００６】続いて、電磁石１４に通電して磁界を発生
させ、 RF電源１３によりターゲット１１に高周波電圧
を印加することにより、真空槽９内、特にターゲット１
１表面近傍にプラズマを発生させる。このときArなどの
不活性ガスのイオンによってターゲット１１表面からた
たき出された中性のスパッタ粒子がターゲット１１に対
向する基板１０表面上に堆積し、薄膜が形成される。
させ、 RF電源１３によりターゲット１１に高周波電圧
を印加することにより、真空槽９内、特にターゲット１
１表面近傍にプラズマを発生させる。このときArなどの
不活性ガスのイオンによってターゲット１１表面からた
たき出された中性のスパッタ粒子がターゲット１１に対
向する基板１０表面上に堆積し、薄膜が形成される。
【０００７】このとき、成膜圧力は成膜室とスパッタ室
が同一であるためプラズマが安定して発生できる圧力領
域に制限され、上述の通り、通常10-3 Torr台であり、
最低でも10-4 Torr台後半程度である。
が同一であるためプラズマが安定して発生できる圧力領
域に制限され、上述の通り、通常10-3 Torr台であり、
最低でも10-4 Torr台後半程度である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の技術で実現可能な最低の成膜圧力である10-4台後
半という真空度は、近年の高アスペクト比を有する凹部
を埋め込むには充分とはいえない。
従来の技術で実現可能な最低の成膜圧力である10-4台後
半という真空度は、近年の高アスペクト比を有する凹部
を埋め込むには充分とはいえない。
【０００９】すなわち、真空度が低いため、スパッタ粒
子の平均自由工程は短く、スパッタ粒子がターゲットか
ら基板表面に到達するまでの間に真空槽中の気体粒子と
の衝突により散乱を受ける確率が高くなる。従って、ス
パッタ粒子が基板表面の凹部に対して垂直に入射するこ
とが困難になる。その結果凹部に斜めに入射したスパッ
タ粒子は凹部の底部に到達することができず、高アスペ
クト比を有する凹部をスパッタ粒子で充分埋め込むこと
ができない。
子の平均自由工程は短く、スパッタ粒子がターゲットか
ら基板表面に到達するまでの間に真空槽中の気体粒子と
の衝突により散乱を受ける確率が高くなる。従って、ス
パッタ粒子が基板表面の凹部に対して垂直に入射するこ
とが困難になる。その結果凹部に斜めに入射したスパッ
タ粒子は凹部の底部に到達することができず、高アスペ
クト比を有する凹部をスパッタ粒子で充分埋め込むこと
ができない。
【００１０】本発明は前記の問題点を鑑みてなされたも
ので、高アスペクト比を有する凹部を金属又は絶縁体で
充分に埋め込むことが可能なスパッタ装置、及び前記ス
パッタ装置を用いた成膜方法を提供することを目的とす
る。
ので、高アスペクト比を有する凹部を金属又は絶縁体で
充分に埋め込むことが可能なスパッタ装置、及び前記ス
パッタ装置を用いた成膜方法を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１は、本発明の原理説
明図を示すスパッタ装置の概略図である。図中、１は成
膜室、２はスパッタ室、３は成膜室１とスパッタ室２を
分離する隔壁、４は隔壁３に設けられたスパッタ粒子を
スパッタ室２から成膜室１へ導く開口部、５は半導体基
板、６はスパッタターゲット、７はターゲット６を支持
する、例えば銅からなるバッキングプレート、８はスパ
ッタ用不活性ガスの導入口である。
明図を示すスパッタ装置の概略図である。図中、１は成
膜室、２はスパッタ室、３は成膜室１とスパッタ室２を
分離する隔壁、４は隔壁３に設けられたスパッタ粒子を
スパッタ室２から成膜室１へ導く開口部、５は半導体基
板、６はスパッタターゲット、７はターゲット６を支持
する、例えば銅からなるバッキングプレート、８はスパ
ッタ用不活性ガスの導入口である。
【００１２】本発明に係るスパッタ装置は、成膜室１と
スパッタ室２を開口部４を有する隔壁３によって分離
し、両室の排気を差動排気とすることによって、両室の
間に差圧を生じさせるものである。従って、成膜室1の
圧力とスパッタ室2の圧力を独立して設定することがで
き、スパッタ室２をスパッタ粒子の生成に不可欠なスパ
ッタガスのプラズマが安定して発生しうる圧力に保持す
ると同時に、成膜室１を高アスペクト比を有する凹部を
埋め込むのに充分な低い圧力に保持できる。
スパッタ室２を開口部４を有する隔壁３によって分離
し、両室の排気を差動排気とすることによって、両室の
間に差圧を生じさせるものである。従って、成膜室1の
圧力とスパッタ室2の圧力を独立して設定することがで
き、スパッタ室２をスパッタ粒子の生成に不可欠なスパ
ッタガスのプラズマが安定して発生しうる圧力に保持す
ると同時に、成膜室１を高アスペクト比を有する凹部を
埋め込むのに充分な低い圧力に保持できる。
【００１３】スパッタ室２で生成されたスパッタ粒子は
開口部４を通って成膜室１へと導かれ、基板５表面上に
堆積するが、このとき成膜室１内はスパッタ室２より高
真空で、かつ従来の技術よりも高真空に保たれているた
め、成膜時のスパッタ粒子の平均自由工程を従来の技術
よりも長くすることができる。
開口部４を通って成膜室１へと導かれ、基板５表面上に
堆積するが、このとき成膜室１内はスパッタ室２より高
真空で、かつ従来の技術よりも高真空に保たれているた
め、成膜時のスパッタ粒子の平均自由工程を従来の技術
よりも長くすることができる。
【００１４】従って、スパッタ粒子の直進性は向上し、
基板５に対する垂直方向の指向性も向上するので、高ア
スペクト比を有する凹部においても良好なカバレッジを
得ることができ、凹部を充分埋め込むことが可能にな
る。
基板５に対する垂直方向の指向性も向上するので、高ア
スペクト比を有する凹部においても良好なカバレッジを
得ることができ、凹部を充分埋め込むことが可能にな
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】図２は本発明の一実施形態の構成
図であり、スパッタ装置を示している。図中、図１で示
したものと同一のものは同一の記号で示してあり、その
他、１７はターゲット６に電圧を印加するための電源、
１８はスパッタ粒子励起（イオン化）用の電極、１９は
基板５に電圧を印加するための電源、２０は成膜室１を
排気するため真空ポンプ、２１はスパッタ室２を排気す
るための真空ポンプ、２２はマグネトロン放電を引き起
こすための電磁石である。基板５と開口部４の間の距離
は、スパッタ粒子の基板５に対する指向性を確保するた
めに、基板５の外形寸法よりも充分大きくとっている。
図であり、スパッタ装置を示している。図中、図１で示
したものと同一のものは同一の記号で示してあり、その
他、１７はターゲット６に電圧を印加するための電源、
１８はスパッタ粒子励起（イオン化）用の電極、１９は
基板５に電圧を印加するための電源、２０は成膜室１を
排気するため真空ポンプ、２１はスパッタ室２を排気す
るための真空ポンプ、２２はマグネトロン放電を引き起
こすための電磁石である。基板５と開口部４の間の距離
は、スパッタ粒子の基板５に対する指向性を確保するた
めに、基板５の外形寸法よりも充分大きくとっている。
【００１６】開口部４の断面構造は図２に示す如く楔形
となっている。すなわち、スパッタ室2から成膜室１に
行くにしたがって開口面積が小さくなるテーパー形状を
有している。この形状により、スパッタ室２で生成され
たスパッタ粒子を効率的に成膜室１へと導くことができ
る。
となっている。すなわち、スパッタ室2から成膜室１に
行くにしたがって開口面積が小さくなるテーパー形状を
有している。この形状により、スパッタ室２で生成され
たスパッタ粒子を効率的に成膜室１へと導くことができ
る。
【００１７】また、ターゲット６の形状は図２に示す如
く曲面状もしくは球面状であることが望ましい。ターゲ
ット形状の効果によりスパッタ粒子が集中する位置（タ
ーゲット形状が球面の場合、球の中心部分）に開口部４
を設けることにより、スパッタ粒子を更に効率的に成膜
室１へと導くことができる。
く曲面状もしくは球面状であることが望ましい。ターゲ
ット形状の効果によりスパッタ粒子が集中する位置（タ
ーゲット形状が球面の場合、球の中心部分）に開口部４
を設けることにより、スパッタ粒子を更に効率的に成膜
室１へと導くことができる。
【００１８】電磁石２２は図２に示す如くターゲット６
及びバッキングプレート７裏面の曲面に沿ってリング状
に何重にも配置した構造を有している。これにより、電
磁石２２のＮ極−Ｓ極間に対応するターゲット６表面近
傍においてプラズマ化したスパッタガスを閉じ込めるこ
とができ、ターゲット６表面から効果的にターゲット粒
子をたたき出すことができる。また、電磁石２２は何重
にも配置しているので、ターゲット６表面のほぼ全域を
エロージョン領域としている。
及びバッキングプレート７裏面の曲面に沿ってリング状
に何重にも配置した構造を有している。これにより、電
磁石２２のＮ極−Ｓ極間に対応するターゲット６表面近
傍においてプラズマ化したスパッタガスを閉じ込めるこ
とができ、ターゲット６表面から効果的にターゲット粒
子をたたき出すことができる。また、電磁石２２は何重
にも配置しているので、ターゲット６表面のほぼ全域を
エロージョン領域としている。
【００１９】更に、スパッタ粒子が開口部４に集中する
割合を高めるために、図３に示す如く上述の電磁石２２
のリング構造に対応した窪み２３をターゲット６表面に
設けることも可能である。すなわち、電磁石２２のＮ極
−Ｓ極間に対応したターゲット６表面に窪み２３を設け
ることにより、磁界により閉じ込められたプラズマ化さ
れたスパッタガスが、ターゲット６表面に接する面積を
増加させることができる。
割合を高めるために、図３に示す如く上述の電磁石２２
のリング構造に対応した窪み２３をターゲット６表面に
設けることも可能である。すなわち、電磁石２２のＮ極
−Ｓ極間に対応したターゲット６表面に窪み２３を設け
ることにより、磁界により閉じ込められたプラズマ化さ
れたスパッタガスが、ターゲット６表面に接する面積を
増加させることができる。
【００２０】次に図３の装置の動作を示す。最初に、成
膜室１及びスパッタ室２を真空ポンプ２０、２１により
それぞれ10-8Torr程度の真空度まで排気する。次に、図
示しない搬送装置により表面にビアホール等の凹部を有
するシリコンウェーハをステージ上にセットする。
膜室１及びスパッタ室２を真空ポンプ２０、２１により
それぞれ10-8Torr程度の真空度まで排気する。次に、図
示しない搬送装置により表面にビアホール等の凹部を有
するシリコンウェーハをステージ上にセットする。
【００２１】次に、スパッタ室２内にガス導入口８から
Arガスなどの不活性ガスを適量導入することにより、ス
パッタ室２内をArガスなどのプラズマが安定して発生し
うる所定の真空度、例えば10-3Torr台前半程度に保持す
る。このとき、スパッタ室２から成膜室１にも開口部４
を通してガスが流入するが、開口部４の大きさを適当な
大きさにすることにより、成膜室１を10-5Torr台の高真
空度に保持できる。例えば、スパッタ室２の容積が3000
0cm3、成膜室１の容積が80000cm3のとき、開口部の直径
はおよそ2cmである。
Arガスなどの不活性ガスを適量導入することにより、ス
パッタ室２内をArガスなどのプラズマが安定して発生し
うる所定の真空度、例えば10-3Torr台前半程度に保持す
る。このとき、スパッタ室２から成膜室１にも開口部４
を通してガスが流入するが、開口部４の大きさを適当な
大きさにすることにより、成膜室１を10-5Torr台の高真
空度に保持できる。例えば、スパッタ室２の容積が3000
0cm3、成膜室１の容積が80000cm3のとき、開口部の直径
はおよそ2cmである。
【００２２】続いて、電磁石２２に通電して磁界を発生
させ、電源１７によりターゲット６に直流又は交流電圧
を印加することにより、スパッタ室２内、特にターゲッ
ト６表面近傍にプラズマを発生させる。尚、ターゲット
６の構成物質は、基板５表面の凹部へ埋め込む物質が金
属の場合、例えばW、Al、Tiを用い、絶縁体の場合、例
えばSiO2を用いる。
させ、電源１７によりターゲット６に直流又は交流電圧
を印加することにより、スパッタ室２内、特にターゲッ
ト６表面近傍にプラズマを発生させる。尚、ターゲット
６の構成物質は、基板５表面の凹部へ埋め込む物質が金
属の場合、例えばW、Al、Tiを用い、絶縁体の場合、例
えばSiO2を用いる。
【００２３】このときArガスなどの不活性ガスのイオン
によってターゲット６表面からたたき出された中性のス
パッタ粒子は開口部４を通して成膜室１に導かれる。成
膜室１内はスパッタ室２より高真空で、かつ従来の技術
よりも高真空に保たれているため、スパッタ粒子の平均
自由工程は従来の技術の場合よりも長くなっている。
によってターゲット６表面からたたき出された中性のス
パッタ粒子は開口部４を通して成膜室１に導かれる。成
膜室１内はスパッタ室２より高真空で、かつ従来の技術
よりも高真空に保たれているため、スパッタ粒子の平均
自由工程は従来の技術の場合よりも長くなっている。
【００２４】従って、スパッタ粒子は基板５に対して垂
直方向の指向性を保持したまま基板５表面に堆積し薄膜
が形成されるので、高アスペクト比を有する凹部におい
ても良好なカバレッジが得られ、凹部にスパッタ物質
（金属、絶縁体）を充分にうめこむことが可能となる。
直方向の指向性を保持したまま基板５表面に堆積し薄膜
が形成されるので、高アスペクト比を有する凹部におい
ても良好なカバレッジが得られ、凹部にスパッタ物質
（金属、絶縁体）を充分にうめこむことが可能となる。
【００２５】なお、上述の実施の形態において、スパッ
タ粒子励起用電極１８（例えば、対向電極を有する電子
銃）を使用することも可能である。この場合、中性のス
パッタ粒子はその一部が開口部４出口付近でイオン化さ
れる。従って、この状態で基板５に電源１９により直流
又は交流電圧を印加しておくことにより、スパッタ粒子
の基板５に対する指向性を更に向上させることができ
る。
タ粒子励起用電極１８（例えば、対向電極を有する電子
銃）を使用することも可能である。この場合、中性のス
パッタ粒子はその一部が開口部４出口付近でイオン化さ
れる。従って、この状態で基板５に電源１９により直流
又は交流電圧を印加しておくことにより、スパッタ粒子
の基板５に対する指向性を更に向上させることができ
る。
【００２６】また、電源１９に交流電源を用いた場合
は、その周波数及びパワーを調節することにより、荷電
スパッタ粒子の基板５への入射数、入射エネルギーを制
御できるので、高アスペクト比を有する凹部分に対する
ステップカバレッジを更に向上させることができる。
は、その周波数及びパワーを調節することにより、荷電
スパッタ粒子の基板５への入射数、入射エネルギーを制
御できるので、高アスペクト比を有する凹部分に対する
ステップカバレッジを更に向上させることができる。
【００２７】また、上述の実施の形態では、ターゲット
６に直接電圧を印加しているが、スパッタ室２内に誘導
コイルを設け、誘導結合型プラズマを発生させてもよ
い。この場合、上述の実施の形態の場合よりもスパッタ
室２の圧力を更に低くすることができる。
６に直接電圧を印加しているが、スパッタ室２内に誘導
コイルを設け、誘導結合型プラズマを発生させてもよ
い。この場合、上述の実施の形態の場合よりもスパッタ
室２の圧力を更に低くすることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればス
パッタ装置において、スパッタ室を安定してプラズマを
発生させることができる圧力（10-3 Torr前半程度）に
保持すると同時に、成膜室の圧力を従来の技術での最低
の圧力10-4 Torr台後半よりもさらに低く10-5 Torr台程
度とすることができるので、高アスペクト比を有する凹
部に対するステップカバレッジを大きく向上させる効果
を奏し、係る成膜方法の発展、及び係るスパッタ装置の
性能向上に寄与するところが大きい。
パッタ装置において、スパッタ室を安定してプラズマを
発生させることができる圧力（10-3 Torr前半程度）に
保持すると同時に、成膜室の圧力を従来の技術での最低
の圧力10-4 Torr台後半よりもさらに低く10-5 Torr台程
度とすることができるので、高アスペクト比を有する凹
部に対するステップカバレッジを大きく向上させる効果
を奏し、係る成膜方法の発展、及び係るスパッタ装置の
性能向上に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の原理説明図を示すスパッタ装置の概
略図
略図
【図２】 本発明の一実施形態を示すスパッタ装置の構
成図
成図
【図３】 本発明のターゲットの一実施例を示す構成図
【図４】 従来のスパッタ装置の構成を表す概略図
１ 成膜室 ２ スパッタ室 ３ 隔壁 ４ 開口部 ５、１０ 半導体基板 ６、１１ スパッタターゲット ７、１２ バッキングプレート ８、１６ スパッタ用ガス導入口 ９ 真空槽 １３、１７ ターゲット印加用電源 １４、２２ 電磁石 １５、２０、２１ 真空ポンプ １８ スパッタ粒子励起用電極 １９ 基板印加用電源 ２３ ターゲット表面の窪み
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 CA05 DA01 DC12 DC21 DC33 DC41 4M104 DD39 HH13 5F045 AA19 AE11 BB19 EB02 EG02 EG06 EH16 5F103 AA08 BB11 BB23 BB47 BB56 DD27 DD28 HH03 NN04 RR10
Claims (6)
- 【請求項１】第1の圧力に保持可能でターゲットからス
パッタ粒子をたたき出すためのスパッタ室と、 前記第1の圧力より低い第2の圧力に保持可能で基板を設
置するための成膜室と、 前記スパッタ室と前記成膜室の間に設けられ、前記スパ
ッタ室で生成された前記スパッタ粒子を前記成膜室へ導
くための開口部を有する隔壁を備えたことを特徴とする
スパッタ装置。 - 【請求項2】前記開口部の断面形状がテーパーを有する
ことを特徴とする請求項1記載のスパッタ装置。 - 【請求項３】前記ターゲットの表面が曲面を有すること
を特徴とする請求項１記載のスパッタ装置。 - 【請求項4】前記開口部の前記成膜室側に前記スパッタ
粒子のイオン化手段を設けることを特徴とする請求項1
記載のスパッタ装置。 - 【請求項５】請求項1記載のスパッタ装置を用い、 前記スパッタ室を前記第1の圧力に保持するとともに、
前記成膜室を前記第2の圧力に保持し、 前記ターゲットからの前記スパッタ粒子を前記開口部を
介して前記成膜室へ導き、 前記成膜室に導入された前記スパッタ粒子を前記基板上
に入射させることにより、前記基板上に薄膜を形成する
ことを特徴とする成膜方法。 - 【請求項６】前記スパッタ粒子を前記開口部を介して前
記成膜室へ導く際、前記開口部の前記成膜室側に設けた
イオン化手段により、前記スパッタ粒子をイオン化する
ことを特徴とする請求項５記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11013727A JP2000212737A (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | スパッタ装置及び成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11013727A JP2000212737A (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | スパッタ装置及び成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000212737A true JP2000212737A (ja) | 2000-08-02 |
Family
ID=11841285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11013727A Withdrawn JP2000212737A (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | スパッタ装置及び成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000212737A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088317A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Nissin Electric Co Ltd | シリコン物体形成方法及び装置 |
| CN100587106C (zh) * | 2007-09-14 | 2010-02-03 | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 | 溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置及其工作方法 |
-
1999
- 1999-01-22 JP JP11013727A patent/JP2000212737A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088317A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Nissin Electric Co Ltd | シリコン物体形成方法及び装置 |
| US7887677B2 (en) | 2005-09-26 | 2011-02-15 | Nissin Electric Co., Ltd. | Silicon object forming method and apparatus |
| CN100587106C (zh) * | 2007-09-14 | 2010-02-03 | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 | 溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置及其工作方法 |
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