JP2000214023A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 30
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低コストで高感度な半導体圧力センサを提供す
る。 【解決手段】単結晶シリコン（１１０）基板１の主表面
側に、４つのピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４が形成された半導体
センサチップ１を備えている。ピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４は
ブリッジ接続される。各ピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４がそれぞ
れダイアフラム部２の変形を検出する感圧素子を構成す
る。ダイアフラム部２の平面形状が矩形状に形成されて
いる。ダイアフラム部２の平面形状において単結晶シリ
コン（１１０）基板１の＜００１＞方向に平行な辺の長
さをＨ１、＜００１＞方向に直交する方向に平行な辺の
長さをＨ２とすると、上記比率Ｈ１／Ｈ２がダイアフラ
ム部２の厚さに応じて所望の感度が得られるような値に
設定されている。ダイアフラム部２の厚さが１５０μ
ｍ、上記比率Ｈ１／Ｈ２が１．４であって、ダイアフラ
ム部２の主表面の面積を一定としたときに略最大の感度
を得ることができる。
る。 【解決手段】単結晶シリコン（１１０）基板１の主表面
側に、４つのピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４が形成された半導体
センサチップ１を備えている。ピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４は
ブリッジ接続される。各ピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４がそれぞ
れダイアフラム部２の変形を検出する感圧素子を構成す
る。ダイアフラム部２の平面形状が矩形状に形成されて
いる。ダイアフラム部２の平面形状において単結晶シリ
コン（１１０）基板１の＜００１＞方向に平行な辺の長
さをＨ１、＜００１＞方向に直交する方向に平行な辺の
長さをＨ２とすると、上記比率Ｈ１／Ｈ２がダイアフラ
ム部２の厚さに応じて所望の感度が得られるような値に
設定されている。ダイアフラム部２の厚さが１５０μ
ｍ、上記比率Ｈ１／Ｈ２が１．４であって、ダイアフラ
ム部２の主表面の面積を一定としたときに略最大の感度
を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体圧力センサとして、図
４に示すように、単結晶シリコン（１１０）基板１のダ
イアフラム部２の主表面側に、４つのピエゾ抵抗Ｒ１，
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４が形成された半導体センサチップ１０
を備えた半導体圧力センサが提案されている。ここにお
いて、４つのピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４は、図示しない配線
によりブリッジ接続されており、ピエゾ抵抗Ｒ１，Ｒ３
がブリッジの対角に位置し、ピエゾ抵抗Ｒ２，Ｒ４がブ
リッジの対角に位置する。なお、各ピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ
４がそれぞれダイアフラム部２の変形を検出する感圧素
子を構成している。
４に示すように、単結晶シリコン（１１０）基板１のダ
イアフラム部２の主表面側に、４つのピエゾ抵抗Ｒ１，
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４が形成された半導体センサチップ１０
を備えた半導体圧力センサが提案されている。ここにお
いて、４つのピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４は、図示しない配線
によりブリッジ接続されており、ピエゾ抵抗Ｒ１，Ｒ３
がブリッジの対角に位置し、ピエゾ抵抗Ｒ２，Ｒ４がブ
リッジの対角に位置する。なお、各ピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ
４がそれぞれダイアフラム部２の変形を検出する感圧素
子を構成している。
【０００３】ダイアフラム部２は、異方性エッチング技
術などを利用して単結晶シリコン（１１０）基板１の裏
面側に凹所３を設けることにより形成されている。ここ
において、凹所３は、単結晶シリコン（１１０）基板１
の厚み方向の主表面側ほど（図４（ｂ）の上側ほど）開
口面積が小さくなっている。要するに、凹所３は、断面
台形状に形成されている。
術などを利用して単結晶シリコン（１１０）基板１の裏
面側に凹所３を設けることにより形成されている。ここ
において、凹所３は、単結晶シリコン（１１０）基板１
の厚み方向の主表面側ほど（図４（ｂ）の上側ほど）開
口面積が小さくなっている。要するに、凹所３は、断面
台形状に形成されている。
【０００４】なお、半導体センサチップ１０は、裏面側
にガラス台座６が接合された形でパッケージ（図示せ
ず）に納装される。ここにおいて、ガラス台座６には、
上記凹所３に連通し圧力を導入するための孔６ａが穿孔
されている。
にガラス台座６が接合された形でパッケージ（図示せ
ず）に納装される。ここにおいて、ガラス台座６には、
上記凹所３に連通し圧力を導入するための孔６ａが穿孔
されている。
【０００５】ところで、上述の４つのピエゾ抵抗Ｒ１〜
Ｒ４のうちの２つのピエゾ抵抗Ｒ１，Ｒ３はダイアフラ
ム部２の中央部に形成され、残りの２つのピエゾ抵抗Ｒ
２，Ｒ４はダイアフラム部２の端部近傍に形成されてい
る。なお、図４（ａ）の右上の２つの矢印は図４（ａ）
における単結晶シリコン（１１０）基板１の結晶の軸方
向を示す。すなわち、ピエゾ抵抗Ｒ１，Ｒ３は＜００１
＞方向に沿って同一直線上に形成され、ピエゾ抵抗Ｒ
２，Ｒ４は＜−１１０＞方向（図４（ａ）の右方向）に
沿って同一直線上に形成されている。
Ｒ４のうちの２つのピエゾ抵抗Ｒ１，Ｒ３はダイアフラ
ム部２の中央部に形成され、残りの２つのピエゾ抵抗Ｒ
２，Ｒ４はダイアフラム部２の端部近傍に形成されてい
る。なお、図４（ａ）の右上の２つの矢印は図４（ａ）
における単結晶シリコン（１１０）基板１の結晶の軸方
向を示す。すなわち、ピエゾ抵抗Ｒ１，Ｒ３は＜００１
＞方向に沿って同一直線上に形成され、ピエゾ抵抗Ｒ
２，Ｒ４は＜−１１０＞方向（図４（ａ）の右方向）に
沿って同一直線上に形成されている。
【０００６】また、ダイアフラム部２の平面形状は正方
形状に形成されており、＜００１＞方向に平行な辺の長
さＨ１と、＜−１１０＞方向に平行な辺の長さＨ２とは
略等しくなっている（Ｈ１≒Ｈ２）。
形状に形成されており、＜００１＞方向に平行な辺の長
さＨ１と、＜−１１０＞方向に平行な辺の長さＨ２とは
略等しくなっている（Ｈ１≒Ｈ２）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来構
成の半導体圧力センサは、ダイアフラム部２の厚さを薄
くすることにより感度を高めることが望まれる一方で、
使用用途によってはダイアフラム部２の機械的な強度の
観点からダイアフラム部２の厚さを厚くすることが望ま
れている。要するに、ダイアフラム部２の厚さは、使用
用途などに応じて適宜設定される。
成の半導体圧力センサは、ダイアフラム部２の厚さを薄
くすることにより感度を高めることが望まれる一方で、
使用用途によってはダイアフラム部２の機械的な強度の
観点からダイアフラム部２の厚さを厚くすることが望ま
れている。要するに、ダイアフラム部２の厚さは、使用
用途などに応じて適宜設定される。
【０００８】しかしながら、上記従来構成の半導体圧力
センサでは、ダイアフラム部２の厚さによっては所望の
感度を得ることができず、ダイアフラム部２の面積を増
大させて感度を向上させる必要があった。このため、半
導体センサチップ１０のチップ面積が大きくなり、１枚
のウェハからの半導体センサチップ１０の収量が少なく
なり、コストが高くなってしまうという不具合があっ
た。
センサでは、ダイアフラム部２の厚さによっては所望の
感度を得ることができず、ダイアフラム部２の面積を増
大させて感度を向上させる必要があった。このため、半
導体センサチップ１０のチップ面積が大きくなり、１枚
のウェハからの半導体センサチップ１０の収量が少なく
なり、コストが高くなってしまうという不具合があっ
た。
【０００９】本発明は上記事由に鑑みて為されたもので
あり、その目的は、低コストで高感度な半導体圧力セン
サを提供することにある。
あり、その目的は、低コストで高感度な半導体圧力セン
サを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するために、厚み方向の主表面側ほど開口面
積が小さくなる凹所が裏面側に設けられることによって
上記主表面側の中央部に薄肉のダイアフラム部が形成さ
れた半導体（１１０）基板と、該半導体基板の主表面側
に配設されダイアフラム部の変形を検出する感圧素子と
を備え、ダイアフラム部の平面形状は、矩形状であって
互いに直交する辺の長さの比率が当該ダイアフラム部の
厚みに応じて所望の感度が得られるような比率に設定さ
れてなることを特徴とするものであり、ダイアフラム部
の矩形状に形成された平面形状において直交する辺の長
さの比率を当該ダイアフラム部の厚みに応じて所望の感
度が得られるように設定することにより、ダイアフラム
部の平面形状が正方形状に形成されている場合に比べ
て、ダイアフラム部の面積を小さくしても感度を向上さ
せることができ、結果として低コスト化および高感度化
を図ることができる。
目的を達成するために、厚み方向の主表面側ほど開口面
積が小さくなる凹所が裏面側に設けられることによって
上記主表面側の中央部に薄肉のダイアフラム部が形成さ
れた半導体（１１０）基板と、該半導体基板の主表面側
に配設されダイアフラム部の変形を検出する感圧素子と
を備え、ダイアフラム部の平面形状は、矩形状であって
互いに直交する辺の長さの比率が当該ダイアフラム部の
厚みに応じて所望の感度が得られるような比率に設定さ
れてなることを特徴とするものであり、ダイアフラム部
の矩形状に形成された平面形状において直交する辺の長
さの比率を当該ダイアフラム部の厚みに応じて所望の感
度が得られるように設定することにより、ダイアフラム
部の平面形状が正方形状に形成されている場合に比べ
て、ダイアフラム部の面積を小さくしても感度を向上さ
せることができ、結果として低コスト化および高感度化
を図ることができる。
【００１１】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、ダイアフラム部は、当該ダイアフラム部の平面形状
において半導体（１１０）基板の＜００１＞方向に平行
な辺の長さをＨ１、＜００１＞方向に直交する方向に平
行な辺の長さをＨ２とすると、当該ダイアフラム部の厚
さが１０μｍないし３０μｍのときにはＨ１／Ｈ２＝
１．２であるので、ダイアフラム部の厚さが１０μｍな
いし３０μｍの場合においてダイアフラム部の面積を一
定としたときに略最大の感度を得ることができる。
て、ダイアフラム部は、当該ダイアフラム部の平面形状
において半導体（１１０）基板の＜００１＞方向に平行
な辺の長さをＨ１、＜００１＞方向に直交する方向に平
行な辺の長さをＨ２とすると、当該ダイアフラム部の厚
さが１０μｍないし３０μｍのときにはＨ１／Ｈ２＝
１．２であるので、ダイアフラム部の厚さが１０μｍな
いし３０μｍの場合においてダイアフラム部の面積を一
定としたときに略最大の感度を得ることができる。
【００１２】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、ダイアフラム部は、当該ダイアフラム部の平面形状
において半導体（１１０）基板の＜００１＞方向に平行
な辺の長さをＨ１、＜００１＞方向に直交する方向に平
行な辺の長さをＨ２とすると、当該ダイアフラム部の厚
さが１２０μｍないし１５０μｍのときにはＨ１／Ｈ２
＝１．４であるので、ダイアフラム部の厚さが１２０μ
ｍないし１５０μｍの場合においてダイアフラム部の面
積を一定としたときに略最大の感度を得ることができ
る。
て、ダイアフラム部は、当該ダイアフラム部の平面形状
において半導体（１１０）基板の＜００１＞方向に平行
な辺の長さをＨ１、＜００１＞方向に直交する方向に平
行な辺の長さをＨ２とすると、当該ダイアフラム部の厚
さが１２０μｍないし１５０μｍのときにはＨ１／Ｈ２
＝１．４であるので、ダイアフラム部の厚さが１２０μ
ｍないし１５０μｍの場合においてダイアフラム部の面
積を一定としたときに略最大の感度を得ることができ
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】ところで、本願発明者らは、図４
に示した従来構成の半導体圧力センサのダイアフラム部
２の平面形状における面積を基準面積とし、ダイアフラ
ム部３の平面形状における面積を一定としてダイアフラ
ム部の平面形状において互いに直交する辺の長さの比率
を種々変化させてピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４よりなるブリッ
ジの出力電圧を測定した（一定の圧力を印加して測定を
行った）。その結果の一例を図２に示す。図２は、横軸
がダイアフラム部２の平面形状において半導体（１１
０）基板の＜００１＞方向に平行な辺の長さをＨ１、＜
−１１０＞方向に平行な辺（つまり＜００１＞方向に直
交する方向に平行な辺）の長さをＨ２としたときの比率
Ｈ１／Ｈ２、縦軸が出力電圧を示す。また、図２は、半
導体センサチップ１０のチップサイズを２．６ｍｍ□、
単結晶シリコン（１１０）基板１の厚さを０．３ｍｍと
し、ダイアフラム部２の厚さを１５０μｍ、ダイアフラ
ム部２の主表面側の面積を０．３６５ｍｍ2一定とした
場合の例であり、横軸の１．０が従来構成（ダイアフラ
ム部２の平面形状が正方形）に相当する。
に示した従来構成の半導体圧力センサのダイアフラム部
２の平面形状における面積を基準面積とし、ダイアフラ
ム部３の平面形状における面積を一定としてダイアフラ
ム部の平面形状において互いに直交する辺の長さの比率
を種々変化させてピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４よりなるブリッ
ジの出力電圧を測定した（一定の圧力を印加して測定を
行った）。その結果の一例を図２に示す。図２は、横軸
がダイアフラム部２の平面形状において半導体（１１
０）基板の＜００１＞方向に平行な辺の長さをＨ１、＜
−１１０＞方向に平行な辺（つまり＜００１＞方向に直
交する方向に平行な辺）の長さをＨ２としたときの比率
Ｈ１／Ｈ２、縦軸が出力電圧を示す。また、図２は、半
導体センサチップ１０のチップサイズを２．６ｍｍ□、
単結晶シリコン（１１０）基板１の厚さを０．３ｍｍと
し、ダイアフラム部２の厚さを１５０μｍ、ダイアフラ
ム部２の主表面側の面積を０．３６５ｍｍ2一定とした
場合の例であり、横軸の１．０が従来構成（ダイアフラ
ム部２の平面形状が正方形）に相当する。
【００１４】図２から、本願発明者らは、上記比率Ｈ１
／Ｈ２を変化させることによりダイアフラム部２の面積
を一定としたまま出力電圧を変化させることができる、
つまり、上記比率Ｈ１／Ｈ２を変化させることによりダ
イアフラム部２の面積を一定としたまま感度を変化させ
ることができるという知見を得た。
／Ｈ２を変化させることによりダイアフラム部２の面積
を一定としたまま出力電圧を変化させることができる、
つまり、上記比率Ｈ１／Ｈ２を変化させることによりダ
イアフラム部２の面積を一定としたまま感度を変化させ
ることができるという知見を得た。
【００１５】本願発明者らは、この知見に基づいて本発
明を行った。
明を行った。
【００１６】本実施形態の半導体圧力センサの基本構成
は図４に示し従来構成と略同じであって、図１に示すよ
うに、ダイアフラム部２の平面形状が矩形状に形成さ
れ、上記比率Ｈ１／Ｈ２がダイアフラム部２の厚さに応
じて所望の感度が得られるような値に設定されている点
に特徴がある。なお、図４に示した従来構成と同様の構
成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
は図４に示し従来構成と略同じであって、図１に示すよ
うに、ダイアフラム部２の平面形状が矩形状に形成さ
れ、上記比率Ｈ１／Ｈ２がダイアフラム部２の厚さに応
じて所望の感度が得られるような値に設定されている点
に特徴がある。なお、図４に示した従来構成と同様の構
成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００１７】図１の半導体圧力センサは、ダイアフラム
部２の厚さが１５０μｍ、上記比率Ｈ１／Ｈ２が１．４
であって、図２から、ダイアフラム部２の主表面の面積
を一定としたときに略最大の感度を得ることができるこ
とが分かる。
部２の厚さが１５０μｍ、上記比率Ｈ１／Ｈ２が１．４
であって、図２から、ダイアフラム部２の主表面の面積
を一定としたときに略最大の感度を得ることができるこ
とが分かる。
【００１８】また、ダイアフラム部２の厚さが１２０μ
ｍないし１５０μｍの場合には、上記比率Ｈ１／Ｈ２を
１．４に設定することによって、ダイアフラム部２の主
表面の面積を一定としたときに略最大の感度を得ること
ができる。
ｍないし１５０μｍの場合には、上記比率Ｈ１／Ｈ２を
１．４に設定することによって、ダイアフラム部２の主
表面の面積を一定としたときに略最大の感度を得ること
ができる。
【００１９】また、ダイアフラム部２の厚さを１５μｍ
とした場合には、図３に示すように、上記比率Ｈ１／Ｈ
２を１．２に設定することによって、ダイアフラム部２
の主表面の面積を一定としたときに略最大の感度を得る
ことができる。同様に、ダイアフラム部２の厚さが１０
μｍないし３０μｍの場合には上記比率Ｈ１／Ｈ２を
１．２に設定することによって、ダイアフラム部２の主
表面の面積を一定としたときに略最大の感度を得ること
ができる。
とした場合には、図３に示すように、上記比率Ｈ１／Ｈ
２を１．２に設定することによって、ダイアフラム部２
の主表面の面積を一定としたときに略最大の感度を得る
ことができる。同様に、ダイアフラム部２の厚さが１０
μｍないし３０μｍの場合には上記比率Ｈ１／Ｈ２を
１．２に設定することによって、ダイアフラム部２の主
表面の面積を一定としたときに略最大の感度を得ること
ができる。
【００２０】しかして、本実施形態では、ダイアフラム
部２の矩形状に形成された平面形状において直交する辺
の長さＨ１，Ｈ２の比率Ｈ１／Ｈ２を当該ダイアフラム
部２の厚みに応じて所望の感度が得られるように設定す
ることにより、ダイアフラム部２の平面形状が正方形状
に形成されている場合に比べて、ダイアフラム部２の面
積を小さくしても感度を向上させることができ、半導体
センサチップ１０のチップ面積の増大を抑制することが
できるから、結果として低コスト化および高感度化を図
ることができる。
部２の矩形状に形成された平面形状において直交する辺
の長さＨ１，Ｈ２の比率Ｈ１／Ｈ２を当該ダイアフラム
部２の厚みに応じて所望の感度が得られるように設定す
ることにより、ダイアフラム部２の平面形状が正方形状
に形成されている場合に比べて、ダイアフラム部２の面
積を小さくしても感度を向上させることができ、半導体
センサチップ１０のチップ面積の増大を抑制することが
できるから、結果として低コスト化および高感度化を図
ることができる。
【００２１】
【発明の効果】請求項１の発明は、厚み方向の主表面側
ほど開口面積が小さくなる凹所が裏面側に設けられるこ
とによって上記主表面側の中央部に薄肉のダイアフラム
部が形成された半導体（１１０）基板と、該半導体基板
の主表面側に配設されダイアフラム部の変形を検出する
感圧素子とを備え、ダイアフラム部の平面形状は、矩形
状であって互いに直交する辺の長さの比率が当該ダイア
フラム部の厚みに応じて所望の感度が得られるような比
率に設定されているので、ダイアフラム部の矩形状に形
成された平面形状において直交する辺の長さの比率を当
該ダイアフラム部の厚みに応じて所望の感度が得られる
ように設定することにより、ダイアフラム部の平面形状
が正方形状に形成されている場合に比べて、ダイアフラ
ム部の面積を小さくしても感度を向上させることがで
き、結果として低コスト化および高感度化を図ることが
できるという効果がある。
ほど開口面積が小さくなる凹所が裏面側に設けられるこ
とによって上記主表面側の中央部に薄肉のダイアフラム
部が形成された半導体（１１０）基板と、該半導体基板
の主表面側に配設されダイアフラム部の変形を検出する
感圧素子とを備え、ダイアフラム部の平面形状は、矩形
状であって互いに直交する辺の長さの比率が当該ダイア
フラム部の厚みに応じて所望の感度が得られるような比
率に設定されているので、ダイアフラム部の矩形状に形
成された平面形状において直交する辺の長さの比率を当
該ダイアフラム部の厚みに応じて所望の感度が得られる
ように設定することにより、ダイアフラム部の平面形状
が正方形状に形成されている場合に比べて、ダイアフラ
ム部の面積を小さくしても感度を向上させることがで
き、結果として低コスト化および高感度化を図ることが
できるという効果がある。
【００２２】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、ダイアフラム部は、当該ダイアフラム部の平面形状
において半導体（１１０）基板の＜００１＞方向に平行
な辺の長さをＨ１、＜００１＞方向に直交する方向に平
行な辺の長さをＨ２とすると、当該ダイアフラム部の厚
さが１０μｍないし３０μｍのときにはＨ１／Ｈ２＝
１．２であるので、ダイアフラム部の厚さが１０μｍな
いし３０μｍの場合においてダイアフラム部の面積を一
定としたときに略最大の感度を得ることができるという
効果がある。
て、ダイアフラム部は、当該ダイアフラム部の平面形状
において半導体（１１０）基板の＜００１＞方向に平行
な辺の長さをＨ１、＜００１＞方向に直交する方向に平
行な辺の長さをＨ２とすると、当該ダイアフラム部の厚
さが１０μｍないし３０μｍのときにはＨ１／Ｈ２＝
１．２であるので、ダイアフラム部の厚さが１０μｍな
いし３０μｍの場合においてダイアフラム部の面積を一
定としたときに略最大の感度を得ることができるという
効果がある。
【００２３】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、ダイアフラム部は、当該ダイアフラム部の平面形状
において半導体（１１０）基板の＜００１＞方向に平行
な辺の長さをＨ１、＜００１＞方向に直交する方向に平
行な辺の長さをＨ２とすると、当該ダイアフラム部の厚
さが１２０μｍないし１５０μｍのときにはＨ１／Ｈ２
＝１．４であるので、ダイアフラム部の厚さが１２０μ
ｍないし１５０μｍの場合においてダイアフラム部の面
積を一定としたときに略最大の感度を得ることができる
という効果がある。
て、ダイアフラム部は、当該ダイアフラム部の平面形状
において半導体（１１０）基板の＜００１＞方向に平行
な辺の長さをＨ１、＜００１＞方向に直交する方向に平
行な辺の長さをＨ２とすると、当該ダイアフラム部の厚
さが１２０μｍないし１５０μｍのときにはＨ１／Ｈ２
＝１．４であるので、ダイアフラム部の厚さが１２０μ
ｍないし１５０μｍの場合においてダイアフラム部の面
積を一定としたときに略最大の感度を得ることができる
という効果がある。
【図１】実施形態を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ｂ断面図である。
は（ａ）のＡ−Ｂ断面図である。
【図２】ダイアフラム部の形状と感度との関係の説明図
である。
である。
【図３】ダイアフラム部の形状と感度との関係の説明図
である。
である。
【図４】従来例を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ｂ断面図である。
（ａ）のＡ−Ｂ断面図である。
１ 単結晶シリコン（１１０）基板 ２ ダイアフラム部 ３ 凹所 Ｒ１〜Ｒ４ ピエゾ抵抗 １０ 半導体センサチップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西條 隆司 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 江田 和夫 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 青木 亮 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC02 DD05 EE13 FF11 GG15 4M112 AA01 BA01 CA03 CA04 CA05 EA03 FA01
Claims (3)
- 【請求項１】 厚み方向の主表面側ほど開口面積が小さ
くなる凹所が裏面側に設けられることによって上記主表
面側の中央部に薄肉のダイアフラム部が形成された半導
体（１１０）基板と、該半導体基板の主表面側に配設さ
れダイアフラム部の変形を検出する感圧素子とを備え、
ダイアフラム部の平面形状は、矩形状であって互いに直
交する辺の長さの比率が当該ダイアフラム部の厚みに応
じて所望の感度が得られるような比率に設定されてなる
ことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】 ダイアフラム部は、当該ダイアフラム部
の平面形状において半導体（１１０）基板の＜００１＞
方向に平行な辺の長さをＨ１、＜００１＞方向に直交す
る方向に平行な辺の長さをＨ２とすると、当該ダイアフ
ラム部の厚さが１０μｍないし３０μｍのときにはＨ１
／Ｈ２＝１．２であることを特徴とする請求項１記載の
半導体圧力センサ。 - 【請求項３】 ダイアフラム部は、当該ダイアフラム部
の平面形状において半導体（１１０）基板の＜００１＞
方向に平行な辺の長さをＨ１、＜００１＞方向に直交す
る方向に平行な辺の長さをＨ２とすると、当該ダイアフ
ラム部の厚さが１２０μｍないし１５０μｍのときには
Ｈ１／Ｈ２＝１．４であることを特徴とする請求項１記
載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1638299A JP2000214023A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1638299A JP2000214023A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000214023A true JP2000214023A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11914740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1638299A Pending JP2000214023A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000214023A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100972161B1 (ko) | 2007-02-28 | 2010-07-26 | 가부시키가이샤 야마다케 | 압력센서 |
-
1999
- 1999-01-26 JP JP1638299A patent/JP2000214023A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100972161B1 (ko) | 2007-02-28 | 2010-07-26 | 가부시키가이샤 야마다케 | 압력센서 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040330 |