JP2000214233A - 能動微細構造素子の機能試験方法及び装置、当該方法を用いて能動微細素子を製造する能動微細素子製造方法 - Google Patents
能動微細構造素子の機能試験方法及び装置、当該方法を用いて能動微細素子を製造する能動微細素子製造方法Info
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- JP2000214233A JP2000214233A JP9304A JP2000009304A JP2000214233A JP 2000214233 A JP2000214233 A JP 2000214233A JP 9304 A JP9304 A JP 9304A JP 2000009304 A JP2000009304 A JP 2000009304A JP 2000214233 A JP2000214233 A JP 2000214233A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 粒子放射線を放射することによって複数の微
細構造素子の機能を高速に試験するための方法及び装置
を提供すること。 【解決手段】 第1の試験手順において、第1のエラーリ
ストにリストされた機能不良として検出された全ての微
細構造素子は、少なくとも１回は更に別の試験手順で試
験され、最後に実行された試験手順の結果が評価され、
全試験結果が与えられる。前記第１の試験手順は、可能
な限り、実際に機能不良である全ての微細構造素子が検
出されるように設計されている。この試験方法は、特に
基板上に搭載あるいは基板上で試験される微細構造素子
の製造方法にも適している。
細構造素子の機能を高速に試験するための方法及び装置
を提供すること。 【解決手段】 第1の試験手順において、第1のエラーリ
ストにリストされた機能不良として検出された全ての微
細構造素子は、少なくとも１回は更に別の試験手順で試
験され、最後に実行された試験手順の結果が評価され、
全試験結果が与えられる。前記第１の試験手順は、可能
な限り、実際に機能不良である全ての微細構造素子が検
出されるように設計されている。この試験方法は、特に
基板上に搭載あるいは基板上で試験される微細構造素子
の製造方法にも適している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数能動微細素子
の機能を試験する方法及び装置に関する。
の機能を試験する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】能動微細構造素子は、例えばトランジス
タ、ダイオード、金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）素子等
のマイクロエレクトロニクスの分野における素子、画像
素子及びディスプレイ、電気機器の超小形機械センサ
（マイクロメカニカルセンサ）やアクチュエータ、ある
いは、それらの粒子放射線（例えば光線）を放射する素
子、例えばレーザダイオードあるいは電解放出チップを
指す。
タ、ダイオード、金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）素子等
のマイクロエレクトロニクスの分野における素子、画像
素子及びディスプレイ、電気機器の超小形機械センサ
（マイクロメカニカルセンサ）やアクチュエータ、ある
いは、それらの粒子放射線（例えば光線）を放射する素
子、例えばレーザダイオードあるいは電解放出チップを
指す。
【０００３】上記した種類の微細構造素子は、例えばウ
エハ、ガラス基板等の基板上に複数搭載されている。微
細構造技術の分野では、機械、光学、電気その他に属す
る素子は、マイクロエレクトロニクスの分野で知られた
方法、工程を用いて製造されている。従って、製造中に
既知のエラーが発生し、例えば、汚染物質、アライメン
トの不整を引き起こしていた。微細構造素子に関する故
障是正機能を保証するため、全ての素子の機能を試験
（以下、第１の従来技術と呼ぶ。）する必要がある。
エハ、ガラス基板等の基板上に複数搭載されている。微
細構造技術の分野では、機械、光学、電気その他に属す
る素子は、マイクロエレクトロニクスの分野で知られた
方法、工程を用いて製造されている。従って、製造中に
既知のエラーが発生し、例えば、汚染物質、アライメン
トの不整を引き起こしていた。微細構造素子に関する故
障是正機能を保証するため、全ての素子の機能を試験
（以下、第１の従来技術と呼ぶ。）する必要がある。
【０００４】マイクロエレクトロニクスの分野における
微細構造素子は、通常個々の素子（チップ）に測定チッ
プを非接触させてウエハ上で行われていた。その個々の
素子は電気的試験手順によって機能試験される。粒子放
射線を用いた非接触試験方法が知られており、例えばＵ
Ｓ−Ａ−３，５３１，７１６には、コンデンサ、抵抗ば
かりでなく、トランジスタ、配線の電気的機能の高速測
定方法（以下、第２の従来技術と呼ぶ。）が開示されて
いる。この公知の方法では、構成部分の特定箇所におけ
る電荷が電子ビームを用いて放出された二次電子を検出
することにより測定されている。
微細構造素子は、通常個々の素子（チップ）に測定チッ
プを非接触させてウエハ上で行われていた。その個々の
素子は電気的試験手順によって機能試験される。粒子放
射線を用いた非接触試験方法が知られており、例えばＵ
Ｓ−Ａ−３，５３１，７１６には、コンデンサ、抵抗ば
かりでなく、トランジスタ、配線の電気的機能の高速測
定方法（以下、第２の従来技術と呼ぶ。）が開示されて
いる。この公知の方法では、構成部分の特定箇所におけ
る電荷が電子ビームを用いて放出された二次電子を検出
することにより測定されている。
【０００５】ＥＰ−Ｂ−０ ５２３５９４には、液晶デ
ィスプレイの素子の機能試験の方法（以下、第３の従来
技術と呼ぶ。）が開示されている。この方法は、電荷測
定のため及びディスプレイ素子に対する電流供給のため
に粒子放射線、好ましくは電子ビームを使用している。
ィスプレイの素子の機能試験の方法（以下、第３の従来
技術と呼ぶ。）が開示されている。この方法は、電荷測
定のため及びディスプレイ素子に対する電流供給のため
に粒子放射線、好ましくは電子ビームを使用している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た第１の従来技術による試験方法では、その全てに試験
を行わなければならず時間がかかり、しかも試験対象で
ある素子の寸法が非常に小さいため、使用方法及び適用
装置において特別な要件が課される。
た第１の従来技術による試験方法では、その全てに試験
を行わなければならず時間がかかり、しかも試験対象で
ある素子の寸法が非常に小さいため、使用方法及び適用
装置において特別な要件が課される。
【０００７】又、上記した第２及び第３の従来技術を含
む全ての公知の非接触による試験方法は、評価するため
のエラー閾値が測定信号の所望の値に対してあまりにも
近接して設定されると、機能不良のない素子も機能不良
素子として検出することになる。それゆえ、所望の値と
閾値が適当に設定されていない場合には機能不良は検出
できない。さらに、限定された範囲内の結果データのみ
しか機能不良か否かを区別するために利用できない。
む全ての公知の非接触による試験方法は、評価するため
のエラー閾値が測定信号の所望の値に対してあまりにも
近接して設定されると、機能不良のない素子も機能不良
素子として検出することになる。それゆえ、所望の値と
閾値が適当に設定されていない場合には機能不良は検出
できない。さらに、限定された範囲内の結果データのみ
しか機能不良か否かを区別するために利用できない。
【０００８】本発明の目的は、上記した従来技術の問題
点を解消し、粒子放射線を放射することによって微細構
造素子の機能を試験するための方法及び装置、当該方法
を用いて能動微細素子を製造する方法を提供し、より正
確な機能不良の定義を提供することである。
点を解消し、粒子放射線を放射することによって微細構
造素子の機能を試験するための方法及び装置、当該方法
を用いて能動微細素子を製造する方法を提供し、より正
確な機能不良の定義を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記した問題点は、本願
請求項１，１１，１２に記載された発明により解決でき
る。
請求項１，１１，１２に記載された発明により解決でき
る。
【００１０】本発明に係る方法によれば、機能不良とし
て検出された全ての能動微細構造素子が第１の試験手順
で第１のエラーリストにリストされているという事実に
基づいており、前記第１のエラーリストにリストされて
いる微細構造素子が少なくともさらに一回前記試験手順
にて再試験がなされ、少なくとも前記試験手順で最後に
実行されて得られた結果を評価し、全ての試験結果が出
力される。
て検出された全ての能動微細構造素子が第１の試験手順
で第１のエラーリストにリストされているという事実に
基づいており、前記第１のエラーリストにリストされて
いる微細構造素子が少なくともさらに一回前記試験手順
にて再試験がなされ、少なくとも前記試験手順で最後に
実行されて得られた結果を評価し、全ての試験結果が出
力される。
【００１１】試験パラメータは、もし可能であれば誤動
作する全ての微細構造素子が検出されるように前記第１
の試験手順でセットされる。前記第１のエラーリストに
含まれる微細構造素子のみがさらにもう１回前記試験手
順で検証される。
作する全ての微細構造素子が検出されるように前記第１
の試験手順でセットされる。前記第１のエラーリストに
含まれる微細構造素子のみがさらにもう１回前記試験手
順で検証される。
【００１２】もちろん、前記試験手順のいくつかの結果
あるいは全部の結果が評価され、全試験結果が与えられ
る。
あるいは全部の結果が評価され、全試験結果が与えられ
る。
【００１３】より好ましい実施例によれば、さらに少な
くとも１回は、前記試験手順において、エラー確証だけ
でなく、微細構造素子のエラータイプの特徴点も検証す
るように実行される。前記微細構造素子のエラータイプ
は、さらなる前記試験手順によって試験パラメータを変
えることによって有効に与えられる。基板上の微細構造
素子の数は通常数百万にも上るが、機能不良素子の数
は、実質的に千以下であるので、さらにもう１回前記試
験手順で検証するという本発明により、短い試験時間
で、少なくとも千個の結果の要因を検証することができ
る。したがって、実質的に試験時間を増加することな
く、さらなる試験手順で試験の信頼性及びエラー特性を
容易に高めることができる。
くとも１回は、前記試験手順において、エラー確証だけ
でなく、微細構造素子のエラータイプの特徴点も検証す
るように実行される。前記微細構造素子のエラータイプ
は、さらなる前記試験手順によって試験パラメータを変
えることによって有効に与えられる。基板上の微細構造
素子の数は通常数百万にも上るが、機能不良素子の数
は、実質的に千以下であるので、さらにもう１回前記試
験手順で検証するという本発明により、短い試験時間
で、少なくとも千個の結果の要因を検証することができ
る。したがって、実質的に試験時間を増加することな
く、さらなる試験手順で試験の信頼性及びエラー特性を
容易に高めることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１及び図２において、基板１は
複数の微細構造素子２を有しており、微細構造素子２は
配線３，４によって統制されている。微細構造の可能な
素子は、例えばトランジスタ、ダイオード、金属−絶縁
体−金属（ＭＩＭ）素子等のマイクロエレクトロニクス
の分野における素子、画像素子及びディスプレイ、電気
機器の超小形機械センサ（マイクロメカニカルセンサ）
やアクチュエータ、あるいは、光、電子のような粒子を
放射する、例えばレーザダイオード又は電解放出チップ
を指す。電気的性質及び機械的性質は、例えば微細構造
素子に対して試験することができる。加えて、電子放出
特性は、いくつかの微細構造素子、例えばレーザダイオ
ードや電解放出チップに関しては重要である。電気的特
性とは、電気的素子の機能を決定する電気的素子の全て
の特性を意味するものである。これらの特性は、特に電
圧レベル、スイッチングエッジにおける増加、集積回路
における種々の信号の時間関係、電荷蓄積、電荷減衰、
並びに、薄膜トランジスタ及び液晶アレーに関するスイ
ッチング電圧が挙げられる。
複数の微細構造素子２を有しており、微細構造素子２は
配線３，４によって統制されている。微細構造の可能な
素子は、例えばトランジスタ、ダイオード、金属−絶縁
体−金属（ＭＩＭ）素子等のマイクロエレクトロニクス
の分野における素子、画像素子及びディスプレイ、電気
機器の超小形機械センサ（マイクロメカニカルセンサ）
やアクチュエータ、あるいは、光、電子のような粒子を
放射する、例えばレーザダイオード又は電解放出チップ
を指す。電気的性質及び機械的性質は、例えば微細構造
素子に対して試験することができる。加えて、電子放出
特性は、いくつかの微細構造素子、例えばレーザダイオ
ードや電解放出チップに関しては重要である。電気的特
性とは、電気的素子の機能を決定する電気的素子の全て
の特性を意味するものである。これらの特性は、特に電
圧レベル、スイッチングエッジにおける増加、集積回路
における種々の信号の時間関係、電荷蓄積、電荷減衰、
並びに、薄膜トランジスタ及び液晶アレーに関するスイ
ッチング電圧が挙げられる。
【００１５】機械的特性の検証は、例えば、プロジェク
ション表示装置のような精密機械構造の反射板アレイ上
で行われる。
ション表示装置のような精密機械構造の反射板アレイ上
で行われる。
【００１６】放射特性は、微細構造素子の通常動作中に
放射される放射線あるいは小体の特性及び放射全てに関
するものを意味する。これらの特性は、発光ダイオー
ド、レーザダイオードの光束、輝度、光広がり等であ
る。基板上に複数配置されている電子エミッタの場合に
は、電子放射電流、電流密度、電子エネルギー分布が重
要である。
放射される放射線あるいは小体の特性及び放射全てに関
するものを意味する。これらの特性は、発光ダイオー
ド、レーザダイオードの光束、輝度、光広がり等であ
る。基板上に複数配置されている電子エミッタの場合に
は、電子放射電流、電流密度、電子エネルギー分布が重
要である。
【００１７】複数の微細構造素子２の機能を試験する方
法の場合、微細構造素子２には粒子放射線５が照射され
る。原則として、機能試験に関しては以下の２つの実現
可能事項がある。
法の場合、微細構造素子２には粒子放射線５が照射され
る。原則として、機能試験に関しては以下の２つの実現
可能事項がある。
【００１８】１．粒子放射線５が照射された微細構造素
子２は、微細構造素子２の特性及び機能が微細構造素子
２への粒子放射によって放出されあるいは反射された二
次粒子６を介して検証できるように配線３，４を用いて
外部から制御される。
子２は、微細構造素子２の特性及び機能が微細構造素子
２への粒子放射によって放出されあるいは反射された二
次粒子６を介して検証できるように配線３，４を用いて
外部から制御される。
【００１９】２．粒子放射線５によって微細構造素子２
に印加された電荷は、配線３，４を用いて確認される。
に印加された電荷は、配線３，４を用いて確認される。
【００２０】二次粒子６、又は配線３，４を介して流れ
る電流を用いて、所望の基準値と比較することにより微
細構造素子２の機能を確認することができる。粒子放射
線を放射することにより、複数の微細構造素子の機能を
試験する本発明による方法によれば、最初に第１の試験
手順で機能不良として検出された微細構造素子は第１の
エラーリストにリストアップされる。ここで、前記第１
の手順は、可能であれば実際に誤動作している全ての微
細構造素子が検出されるように設計される。前記第１の
エラーリストにリストアップされた誤動作する全ての微
細構造素子は、その後少なくとも１回さらに別の試験手
順（前記第１の手順とは異なる第２の試験手順）で再度
試験される。少なくとも試験手順が最後に実行されて得
られた結果によって評価がなされ、全体の結果が与えら
れる。
る電流を用いて、所望の基準値と比較することにより微
細構造素子２の機能を確認することができる。粒子放射
線を放射することにより、複数の微細構造素子の機能を
試験する本発明による方法によれば、最初に第１の試験
手順で機能不良として検出された微細構造素子は第１の
エラーリストにリストアップされる。ここで、前記第１
の手順は、可能であれば実際に誤動作している全ての微
細構造素子が検出されるように設計される。前記第１の
エラーリストにリストアップされた誤動作する全ての微
細構造素子は、その後少なくとも１回さらに別の試験手
順（前記第１の手順とは異なる第２の試験手順）で再度
試験される。少なくとも試験手順が最後に実行されて得
られた結果によって評価がなされ、全体の結果が与えら
れる。
【００２１】基板上に搭載される微細構造素子の数は、
通常数百万の範囲内にあり、機能不良素子の数は実質的
には千以下である。従って、本発明による方法では、全
ての素子を繰り返し試験するのに比較して、さらに別の
試験手順により少なくとも千個の機能不良要因を検証す
ることにより迅速に試験結果を得ることができる。それ
ゆえ、実質的に試験時間を増加することなく、試験の信
頼性及びエラー特性のさらなる改善のためのいくつかの
試験手順を容易に実行することができる。
通常数百万の範囲内にあり、機能不良素子の数は実質的
には千以下である。従って、本発明による方法では、全
ての素子を繰り返し試験するのに比較して、さらに別の
試験手順により少なくとも千個の機能不良要因を検証す
ることにより迅速に試験結果を得ることができる。それ
ゆえ、実質的に試験時間を増加することなく、試験の信
頼性及びエラー特性のさらなる改善のためのいくつかの
試験手順を容易に実行することができる。
【００２２】前記第１の試験手順は、機能不良である微
細構造素子の全てが、あらゆる状況においても検出され
るように設計されている。もちろん、２，３の微細構造
素子については誤って機能不良とされるかもしれない。
しかし、そのような誤りはさらに別の試験手順で訂正さ
れる。
細構造素子の全てが、あらゆる状況においても検出され
るように設計されている。もちろん、２，３の微細構造
素子については誤って機能不良とされるかもしれない。
しかし、そのような誤りはさらに別の試験手順で訂正さ
れる。
【００２３】微細構造素子の電気的特性が試験される場
合には、例えば、試験操作中に、外部結線（配線３，
４）を介して生じるか、あるいは誤動作する回路が分離
されるように粒子放射を伴うシミュレーションによって
生じる基板上の微細構造素子内の内部電流を確認するこ
とができる。再度の測定によって最初の測定における基
準値からずれた数値を得た場合には、信頼性の高いエラ
ー報告を得るため最初の測定の結果を確認しなければな
らない。エラー特性は、他の試験パラメータを第２の試
験手順及びさらに別の試験手順に対して使用することで
改善することができる。例えば、個々の試験手順におい
て電気的に微細構造素子を制御したり、個々の試験手順
において粒子放射に他のパラメータを使用することがで
きる。
合には、例えば、試験操作中に、外部結線（配線３，
４）を介して生じるか、あるいは誤動作する回路が分離
されるように粒子放射を伴うシミュレーションによって
生じる基板上の微細構造素子内の内部電流を確認するこ
とができる。再度の測定によって最初の測定における基
準値からずれた数値を得た場合には、信頼性の高いエラ
ー報告を得るため最初の測定の結果を確認しなければな
らない。エラー特性は、他の試験パラメータを第２の試
験手順及びさらに別の試験手順に対して使用することで
改善することができる。例えば、個々の試験手順におい
て電気的に微細構造素子を制御したり、個々の試験手順
において粒子放射に他のパラメータを使用することがで
きる。
【００２４】例えば、前記第２の試験手順及び前記別の
試験手順に対して、異なる供給電圧、周波数、積分時間
間隔をしようすることができ、可能であれば、誤動作す
る微細構造素子に対して異なる数値を測定することがで
きる。
試験手順に対して、異なる供給電圧、周波数、積分時間
間隔をしようすることができ、可能であれば、誤動作す
る微細構造素子に対して異なる数値を測定することがで
きる。
【００２５】本発明による試験方法によれば、例えば、
液晶画面の能動ＴＦＴマトリックスの画像素子の機能を
正確に試験することができ、修復可能にするために機能
不良が特徴付けられる。最初の試験手順で機能不良とし
て検出された画像素子は再び確認され、最初の試験手順
の単純な繰り返しを伴うもっとも単純なケースでは、統
計学的に、発生したエラー報告は皆無に帰する。すなわ
ちそのような報告は無いに等しい。さらに、別の試験手
順で、マトリクスである配線３，４での種々の電圧、種
々の粒子放射パルス幅、粒子放射電圧、検出パラメータ
等を測定することができる。
液晶画面の能動ＴＦＴマトリックスの画像素子の機能を
正確に試験することができ、修復可能にするために機能
不良が特徴付けられる。最初の試験手順で機能不良とし
て検出された画像素子は再び確認され、最初の試験手順
の単純な繰り返しを伴うもっとも単純なケースでは、統
計学的に、発生したエラー報告は皆無に帰する。すなわ
ちそのような報告は無いに等しい。さらに、別の試験手
順で、マトリクスである配線３，４での種々の電圧、種
々の粒子放射パルス幅、粒子放射電圧、検出パラメータ
等を測定することができる。
【００２６】機械的な特性が検証されると、例えば、マ
イクロメカニカルリフレクタの配列に関しては、個々の
反射板素子は、配線３，４によって制御され、機械的に
ある程度偏向する。個々の素子の偏向が不十分であるの
で、映像の発生においてエラーが生じてしまう。その点
を検証すると共に、欠陥のない機能を保証するために、
全素子について検証する必要がある。その検証は粒子放
射によって実行され、反射板の所望の位置を確認するた
めの機能として、前記粒子を特定の角度で反射させるこ
とが必要となる。もし、反射した粒子が検出器によって
検出されないときは、そのことが反射板の十分でない機
能及び偏向を意味するのである。
イクロメカニカルリフレクタの配列に関しては、個々の
反射板素子は、配線３，４によって制御され、機械的に
ある程度偏向する。個々の素子の偏向が不十分であるの
で、映像の発生においてエラーが生じてしまう。その点
を検証すると共に、欠陥のない機能を保証するために、
全素子について検証する必要がある。その検証は粒子放
射によって実行され、反射板の所望の位置を確認するた
めの機能として、前記粒子を特定の角度で反射させるこ
とが必要となる。もし、反射した粒子が検出器によって
検出されないときは、そのことが反射板の十分でない機
能及び偏向を意味するのである。
【００２７】光線は、好ましい粒子放射線として用いら
れる。最初の試験手順で機能不良であるとして検出され
た反射板素子は、その後、少なくとも１回は別の試験手
順で検証される。その検証は、反射板の種々の制御動
作、偏向動作に関して効果的である。同様に、種々のエ
ラーメカニズムを他と区別するために、例えば長大な積
分時間に関する測定のような精密な測定が考えられる。
れる。最初の試験手順で機能不良であるとして検出され
た反射板素子は、その後、少なくとも１回は別の試験手
順で検証される。その検証は、反射板の種々の制御動
作、偏向動作に関して効果的である。同様に、種々のエ
ラーメカニズムを他と区別するために、例えば長大な積
分時間に関する測定のような精密な測定が考えられる。
【００２８】放出特性は、例えば平面スクリーンに使用
される電界放出チップの配列において特に重要である。
エラーに関して最適な特徴付けをするために、さらに別
の試験手順を、例えばエミッタ電圧を用いて実行するこ
ともできる。機能不良のエミッタはその後修理され、必
要ならばアレー全体は、不必要な別の機能ステップを避
けるために除去される。
される電界放出チップの配列において特に重要である。
エラーに関して最適な特徴付けをするために、さらに別
の試験手順を、例えばエミッタ電圧を用いて実行するこ
ともできる。機能不良のエミッタはその後修理され、必
要ならばアレー全体は、不必要な別の機能ステップを避
けるために除去される。
【００２９】上記した方法による複数の微細構造素子の
機能試験を行うための図３に示された装置は、粒子放射
線５を生成するための粒子放射線源１０と、試験される
べき素子あるいは基板１を支持する基板支持手段１１、
粒子放射線５を受けて反射した二次粒子６を検出するた
めの検出手段１３を有している。さらに、前記装置は、
検出手段１３からの出力信号を評価する評価手段１４を
有している。評価手段１４は、基板１上の微細構造素子
の位置を制御するための制御信号１２を送出する。第１
の試験手順及びさらなる別の試験手順を実行するための
種々のデータを記憶するための記憶部と、全体の試験結
果を検証するために、前記第１の試験手順及び前記別の
試験手順を評価して出力する手段を備えている。評価手
段１４はコンピュータであり、前記評価、記憶、検証は
すべてコンピュータで行われる。
機能試験を行うための図３に示された装置は、粒子放射
線５を生成するための粒子放射線源１０と、試験される
べき素子あるいは基板１を支持する基板支持手段１１、
粒子放射線５を受けて反射した二次粒子６を検出するた
めの検出手段１３を有している。さらに、前記装置は、
検出手段１３からの出力信号を評価する評価手段１４を
有している。評価手段１４は、基板１上の微細構造素子
の位置を制御するための制御信号１２を送出する。第１
の試験手順及びさらなる別の試験手順を実行するための
種々のデータを記憶するための記憶部と、全体の試験結
果を検証するために、前記第１の試験手順及び前記別の
試験手順を評価して出力する手段を備えている。評価手
段１４はコンピュータであり、前記評価、記憶、検証は
すべてコンピュータで行われる。
【００３０】粒子放射線源１０は、例えば、電子ビー
ム、レーザビーム、あるいはイオンビームを生成するよ
うに設計されている。ある状況下においては、別の試験
手順において種々の粒子放射線を微細構造素子に放射す
る必要性もあるため装置ないに複数種類の粒子放射線源
を有すればとても有効となる。
ム、レーザビーム、あるいはイオンビームを生成するよ
うに設計されている。ある状況下においては、別の試験
手順において種々の粒子放射線を微細構造素子に放射す
る必要性もあるため装置ないに複数種類の粒子放射線源
を有すればとても有効となる。
【００３１】装置には、レンズ１５、偏向装置１６、及
びその他の必要な全ての公知手段を含む。
びその他の必要な全ての公知手段を含む。
【００３２】又、本願発明は、上記した試験方法を用い
て、特に基板上に搭載あるいは基板上で試験される微細
構造素子を製造できる製造方法を提供する。微細構造素
子は例えば、ディスプレイであってもよい。
て、特に基板上に搭載あるいは基板上で試験される微細
構造素子を製造できる製造方法を提供する。微細構造素
子は例えば、ディスプレイであってもよい。
【００３３】本発明による方法は、能動微細素子の中間
品あるいは完全に構築された微細構造素子に実行するこ
とができる。
品あるいは完全に構築された微細構造素子に実行するこ
とができる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、さらにもう１回前記試
験手順で検証する手法を用いているので、短い試験時間
で、微細構造素子の機能不良の原因（要因）を検証する
ことができる。したがって、実質的に試験時間を増加す
ることなく、さらなる試験手順で試験の信頼性及びエラ
ー特性を容易に高めることができる。
験手順で検証する手法を用いているので、短い試験時間
で、微細構造素子の機能不良の原因（要因）を検証する
ことができる。したがって、実質的に試験時間を増加す
ることなく、さらなる試験手順で試験の信頼性及びエラ
ー特性を容易に高めることができる。
【００３５】又、本発明に係る試験方法を用いた微細構
造素子の製造方法によれば、良好な素子がすぐに特定で
きるので、効率よく良好な素子が製造で、しかもその良
好な素子を表示できるので試験者にとっても良否判別が
し易い。
造素子の製造方法によれば、良好な素子がすぐに特定で
きるので、効率よく良好な素子が製造で、しかもその良
好な素子を表示できるので試験者にとっても良否判別が
し易い。
【図１】複数の微細構造素子を有する基板を示した平面
図である。
図である。
【図２】図１のII−II′線部分断面図である。
【図３】本発明による複数の微細構造素子の機能を試験
するための装置の概略構成を示す図である。
するための装置の概略構成を示す図である。
１ 基板 ２ 微細構造素子 ３，４ 配線 ５ 粒子放射線 ６ 二次粒子 １０ 粒子放射線源 １１ 基板支持手段 １２ 制御信号 １３ 検出手段 １４ 評価手段 １５ レンズ １６ 偏向装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｃ (72)発明者 ラルフ シュミット ドイツ連邦共和国，85586 ポイング，ベ トゥニンヴェック ９
Claims (15)
- 【請求項１】 粒子放射線を照射することにより複数の
能動微細構造素子の機能を試験する方法において、実際
に誤動作する微細構造素子の全てが検出されるように設
計された第１の試験手順で、機能不良として検出された
全ての微細構造素子が第１のエラーリストにリストさ
れ、前記第１のエラーリストにリストされた微細構造素
子は少なくとも１回はさらに別の試験手順で再試験さ
れ、最後に実施された試験手順の結果が評価され、全試
験結果を与えることを特徴とする能動微細構造素子の機
能試験方法。 - 【請求項２】 前記第１の試験手順の後に実施される別
の試験手順において、微細構造素子のエラー確認及びエ
ラータイプの特徴付けが実行されることを特徴とする請
求項１記載の能動微細構造素子の機能試験方法。 - 【請求項３】 試験対象となる各微細構造素子に対し
て、前記粒子放射線によって微細構造素子で放出されあ
るいは反射された微粒子が検出され、評価されることを
特徴とする請求項１記載の能動微細構造素子の機能試験
方法。 - 【請求項４】 前記検出された微粒子を評価する特定の
試験手順が実行されている間、機能不良として検出され
た微細構造素子は、前記特定の試験手順に属しているエ
ラーリストに含まれることを特徴とする請求項３記載の
能動微細構造素子の機能試験方法。 - 【請求項５】 前記微細構造素子が、前記試験手順が行
われている間、電気的に制御されていることを特徴とす
る請求項１記載の能動微細構造素子の機能試験方法。 - 【請求項６】 微細構造素子のエラータイプを特徴付け
るため、前記別の試験手順に対して試験パラメータが変
えられることを特徴とする請求項１記載の能動微細構造
素子の機能試験方法。 - 【請求項７】 微細構造素子の電気的制御は個々の試験
手順で異なることを特徴とする請求項６記載の能動微細
構造素子の機能試験方法。 - 【請求項８】 前記粒子放射線（５）に対する前記パラ
メータは、異なる試験手順の各々において異なることを
特徴とする請求項６記載の能動微細構造素子の機能試験
方法。 - 【請求項９】 前記粒子放射線のエネルギー及び放射回
数は変えられることを特徴とする請求項８記載の能動微
細構造素子の機能試験方法。 - 【請求項１０】 全試験手順が実行されて得られた結果
は評価され、全体の試験結果を与えることを特徴とする
請求項１乃至９のいずれか一つに記載の能動微細構造素
子の機能試験方法。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０のいずれか一つに記
載の能動微細構造素子の機能試験方法に従って、複数の
能動微細構造素子の機能を試験する装置において、該装
置は、 ａ）粒子放射線（５）を生成する粒子放射線源（１０）
と、 ｂ）複数の能動微細構造素子を有する基板（１）を支持
する手段（１１）と、 ｃ）前記粒子放射線（５）を受けた前記微細構造素子で
反射し、あるいは放出された二次粒子（６）を検出する
ための検出手段（１３）と、 ｄ）前記検出手段（１３）からの出力信号を評価する評
価手段（１４）と、 ｅ）前記第１の試験手順及び少なくとも１つの別の試験
手順のデータを記憶するための記憶部と、 ｆ）全試験手順の結果を評価して全試験結果を出力する
手段を有することを特徴とする能動微細構造素子の機能
試験装置。 - 【請求項１２】 基板上に複数構築された請求項１乃至
１０のいずれか一つに記載の能動微細構造素子の機能試
験方法を使用して、試験される微細構造素子（２）を製
造することを特徴とする能動微細素子製造方法。 - 【請求項１３】 前記試験が、完全に構築された微細構
造素子に適用されることを特徴とする請求項１２記載の
能動微細素子製造方法。 - 【請求項１４】 前記試験は、能動微細素子の中間品に
も適用されることを特徴とする請求項１３記載の能動微
細素子製造方法。 - 【請求項１５】 前記微細構造素子がディスプレイであ
ることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一つ
に記載の能動微細素子製造方法。
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