JP2000215227A - 図形編集装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子の３次元形状を作成するのに適し
た図形編集装置を提供する。 【解決手段】 ３次元データは、レイヤ毎に多角形のリ
ストを有する構成とされる（図４Ａ）。例えばレイヤ１
が２次元的に画面表示され、その上層にレイヤを追加し
たい場合には、レイヤ追加のコマンドによりレイヤ１の
データが当該位置に複写される（図４Ｂ）。データの複
写により追加がなされるため、レイヤ間の接続等に基づ
く後の操作が容易になる。複写されるため、画面表示は
処理前と変わらない。レイヤが削除されると（図４
Ｃ）、画面表示は、下層のレイヤの表示に切り替わる。
一方、各々のレイヤの属性も、同一の画面表示から、イ
ンタラクティブに設定することができる。このように、
この発明では、半導体のレイヤ構造の編集や、部分的に
異なるシミュレーションのパラメータを有する複数の３
次元データの作成が容易に行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、層構造を有する
３次元形状、特に、層毎に２次元のマスクパターンに基
づき３次元構造を形成する、半導体素子の構造を作成な
らびに編集する際に用いて好適な図形編集装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来から、例えばＭＯＳ(Metal Oxide S
emiconductor) 構造の半導体素子の特性をシミュレート
するために、様々な手法が用いられている。特性のシミ
ュレートには、代表的にはＳＰＩＣＥ（商品名）と称さ
れるソフトウェアが用いられる。以下、このような半導
体特性のシミュレートを行うソフトウェアを半導体シミ
ュレータと称する。ゲート、ソースおよびドレインそれ
ぞれの面積と周囲長や配線容量などをパラメータとし
て、半導体シミュレータに対して導入することで、その
半導体素子の電気的な特性などをシミュレートすること
ができる。

【０００３】一般的に半導体素子は、周知のように、そ
れぞれ所定のパターンを有する複数のレイヤからなる。
例えばシリコンウェハを基板として用い、基板上に薄膜
を形成してマスクパターンに基づく加工を施す処理を繰
り返して薄膜を積層していくことで、３次元的な構造を
有する半導体素子が形成される。

【０００４】上述の半導体シミュレータによって所望の
半導体素子の特性のシミュレートを行おうとした場合、
このような、半導体素子の３次元的な構造をコンピュー
タなどを用いて作成し、作成された３次元データを半導
体シミュレータに対して入力する必要がある。各層の材
料のパラメータなども、このときに半導体シミュレータ
に対して入力される。

【０００５】半導体素子の３次元データを作成する方法
としては、従来では、以下に記す２つの方法が用いられ
ていた。すなわち、第１の方法は、２次元データである
マスクデータと、各層の３次元方向の厚さが記述された
テクノロジーファイルとを組み合わせる方法である。こ
の方法は、例えばSilvaco 社のTEMPEST （商品名）やOE
A International 社のCELL-AN （商品名）といった市販
のソフトウェアで多く採用されている。また、第２の方
法は、汎用の３次元ＣＡＤ(Computer-Aided Design) ソ
フトウェアを用いて、直接的に３次元構造を記述してい
く方法である。３次元ＣＡＤは、SDRC社のI-DEAS（商品
名）を始めとして、非常に多くのツールが存在する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述した第１の方法で
は、簡単な図形の入力を行う場合でも、マスクデータと
テクノロジーファイルとを用意する必要があり、煩わし
いという問題点があった。また、レイヤを増減するため
には、テクノロジーファイルを書き直して当該ソフトウ
ェアに取り込み直す必要があり、この点でも煩わしいと
いう問題点があった。

【０００７】また、半導体は、基本的にレイヤ毎に製造
されるため、その３次元形状も比較的単純な構造のもの
となっている。しかしながら、上述の第２の方法で用い
られる３次元ＣＡＤは、多様且つ複雑な３次元形状の作
成に対応すべく、高いスペックを有しているため、半導
体素子の３次元形状を作成するに当たっては、オーバー
スペックであるという問題点があった。

【０００８】さらに、ここで用いられる３次元ＣＡＤ
は、例えば単純に３次元形状を作成して座標データを出
力するといったような、一般的な用途に適応して設計さ
れている。そのため、半導体シミュレータに入力するた
めの、配線や層間物質などの特性の設定ができるように
カスタマイズするには、非常に苦労するという問題点が
あった。

【０００９】したがって、この発明の目的は、半導体素
子の３次元形状を作成するのに適した図形編集装置を提
供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明は、上述した課
題を解決するために、半導体の特性シミュレーションを
目的とした３次元形状を作成するための図形編集装置に
おいて、レイヤの、少なくとも２次元形状と厚みの情報
からなるレイヤ情報を、レイヤ毎に記述するレイヤ情報
記述手段と、レイヤ情報記述手段によって記述されたレ
イヤ情報に基づき、選択されたレイヤの２次元形状を表
示する表示手段と、表示手段による表示に基づき選択さ
れたレイヤの２次元形状を編集する編集手段とを有し、
レイヤの追加ならびに削除を、表示手段による表示に基
づき編集手段による表示画面上で行うようにしたことを
特徴とする図形編集装置である。

【００１１】また、この発明は、半導体の特性シミュレ
ーションを目的とした３次元形状を作成するための図形
編集装置において、レイヤ毎に、レイヤの２次元形状と
レイヤの属性とからなるレイヤ情報を記述するレイヤ情
報記述手段と、レイヤ情報記述手段に記述されたレイヤ
情報に基づき、選択されたレイヤの２次元形状を表示す
る表示手段と、表示手段による表示に基づき選択された
レイヤの２次元形状の編集を行う編集手段と、表示手段
による表示に基づき、レイヤで用いるマスクならびにレ
イヤの属性のうち少なくとも一方の設定をインタラクテ
ィブに行う設定手段とを有することを特徴とする図形編
集装置である。

【００１２】上述したように、請求項１に記載のこの発
明は、半導体の特性シミュレーションを目的とした３次
元形状を作成するための図形編集装置において、レイヤ
情報記述手段によってレイヤ毎に記述された、少なくと
もレイヤの２次元形状と厚みの情報からなるレイヤ情報
に基づき、表示手段によって選択されたレイヤの２次元
形状が表示され、その表示に基づき編集手段によってレ
イヤの２次元形状の編集がなされる。この編集手段によ
る表示画面上でレイヤの追加ならびに削除を行うように
されているため、半導体の特性シミュレートに用いる３
次元データを容易に編集することができる。

【００１３】また、請求項４に記載のこの発明は、半導
体の特性シミュレーションを目的とした３次元形状を作
成するための図形編集装置において、レイヤ毎にレイヤ
情報記述手段によって記述された、レイヤの２次元形状
と属性からなるレイヤ情報に基づき、選択されたレイヤ
の２次元形状が表示手段によって表示され、その表示に
基づき編集手段によってレイヤの２次元形状の編集がな
される。そして、表示手段の表示に基づき、レイヤで用
いるマスクならびにレイヤの属性の設定を、設定手段に
よってインタラクティブに行うようにされているため、
設定の異なるデータを容易に作成することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態
を、図面を参照しながら説明する。図１は、この発明の
実施の一形態による図形編集装置の構成を概略的に示
す。図形編集装置１は、例えば１台または互いにネット
ワークなどで接続された複数のコンピュータによって構
成される。図形編集装置１は、データの入出力の管理を
行う入出力管理モジュール１０Ａと、形状データの編集
を行う形状編集モジュール１０Ｂとからなる。

【００１５】また、図示しないが、同一のシステム内に
半導体シミュレータを組み込むことが可能である。この
とき、半導体シミュレータと図形編集装置１（形状編集
モジュール１０Ｂ）とを連動させることが可能とされ
る。すなわち、一方のソフトウェアから他方のソフトウ
ェアを呼び出すようにできる。

【００１６】入出力管理モジュール１０Ａに対して、例
えば記憶装置１３、１４および１５が接続される。記憶
装置１３には、図形編集装置１で作成された３次元形状
データが格納される。記憶装置１４およびには、３次元
形状を作成するために用いられるマスクデータおよびテ
クノロジーファイルがそれぞれ格納される。

【００１７】マスクデータは、２次元データであり、例
えば（ｘ，ｙ）座標ならびにベクトルデータからなる。
テクノロジーファイルは、レイヤの厚みや材料、使用さ
れるマスク名などの、レイヤ毎の属性が記述されたファ
イルである。例えば、テクノロジーファイルでは、所定
のデリミタで各レイヤが区切られ、各レイヤ毎にレイヤ
名が記述され、改行されて、属性名および属性情報が１
行にされ行単位で記述される。属性名および属性は、必
要な項目を複数行にわたって記述することができる。

【００１８】マスクデータおよびテクノロジーファイル
は、例えばユーザによって予め用意され、図形編集装置
１に対して提供される。そのため、この図１では、記憶
装置１４および１５を、図形編集装置１の外部に記して
ある。

【００１９】記憶装置１３、１４および１５は、例えば
コンピュータに接続あるいは内蔵されたハードディスク
装置である。勿論、これに限らず、光磁気ディスクドラ
イブなどの記憶媒体を着脱可能な装置を、記憶装置１
３、１４および１５として用いることもできる。また、
所定のネットワークによって図形編集装置１を他のコン
ピュータと接続し、他のコンピュータからのマスクデー
タおよびテクノロジーファイルの転送や、他のコンピュ
ータに対する作成された３次元形状データの転送を行う
ことができる。

【００２０】形状編集モジュール１０Ｂに対して、例え
ばマウスやキーボードからなる入力手段１２が接続され
る。ユーザは、入力手段１２を用いて、所望の３次元形
状の作成や編集を図形編集装置１に対して指示する。入
力手段１２には、この他にも、例えばタブレットなどを
用いることができる。形状編集モジュール１０Ｂに対し
てディスプレイ１１が接続され、各種表示が行われる。
例えば、３次元データの編集状況がディスプレイ１１に
対してグラフィック表示される。

【００２１】この図形編集装置１では、記憶装置１４お
よび１５からマスクデータおよびテクノロジーファイル
をそれぞれ読み込み、３次元データを生成する。例え
ば、２次元データであるマスクデータに対して、テクノ
ロジーファイルに記述された厚み情報を加味すること
で、３次元データが生成される。また、生成された３次
元データは、材質やレイヤに使用されたマスク名などが
属性情報として付加される。この３次元データが記憶装
置１３に記憶される。

【００２２】この図形編集装置１では、３次元データの
生成を、上述のようにマスクデータおよびテクノロジー
ファイルに基づいて行う方法の他に、内部的に生成した
３次元データを入力として取り込むことができる。図２
は、この内部的な３次元データの一例を示す。「ｍａｓ
ｋ」によってレイヤが定義され、一組の括弧｛｝によっ
て、パラメータが括られる。「ＭＡＳＫ１」、「ＭＡＳ
Ｋ２」および「ＭＡＳＫ３」には、レイヤ毎のマスク形
状ならびに材料が記述される。この例では、ファイルの
先頭から、最下層のレイヤからの順で記述されている。

【００２３】マスク形状において、「ｒｅｃｒｔａｎｇ
ｌｅ」は、長方形の形状を表し、ラベルと材料名に続け
て、長方形の対角の２頂点の座標が記される。このよう
に、複数の長方形を組み合わせて２次元的な形状を記述
することができる。異なる長方形が重複あるいは隣接す
る場合、重複あるいは隣接部分は、例えばデータの上書
きがなされ、連続した形状データとされる。勿論、長方
形に限らず、３角形などの他の多角形を用いることもで
きる。

【００２４】また、この例では、「ＭＡＳＫ２」で示さ
れる、真ん中の層にアルミ配線が存在することがわか
る。全てのレイヤのマスク形状の記述がなされると、最
後尾に、「ｌａｙｅｒｓｔｒｕｃｔｕｒｅ」として、各
レイヤの高さ（厚み）情報が記述される。

【００２５】各マスクならびに材料に対して、属性を設
定することができる。図３は、上述した図２に対して属
性が設定された例である。「ｌａｙｅｒｓｔｒｕｃｔｕ
ｒｅ」の次に、「ｍａｔｅｒｉａｌ」として材料に関す
る属性が記述されている。この例では、材料「ＡＬＸ」
が伝導率が３．１２５×１０⁷ 〔１／（ｏｈｍ・ｍ）〕
のアルミであることが記されている。また、材料「ＳＩ
ＯＸ」が誘電率が３．９のＳｉＯ₂ であることが記され
ている。

【００２６】上述のように、図形編集装置１の内部的な
３次元データは、マスクデータおよびテクノロジーファ
イルの２つを単純な形式でまとめた構成となっている。
そのため、ユーザは、簡単な図形であれば、マスクデー
タおよびテクノロジーファイルを用意する必要がない。
例えば、内部的な３次元データは、テキストエディタの
ような簡単な手段を用いて編集することができる。ま
た、この図形編集装置１において予め内部的な３次元デ
ータのひな型を用意しておき、ユーザがこのひな型を必
要に応じて変更するようにしてもよい。テキストエディ
タに限らず、内部的な３次元データ編集専用のエディタ
を用意してもよい。

【００２７】図４は、図形編集装置１内部での３次元デ
ータの表現の例を示す。各図において、積層される順
に、上から下へと記されている。すなわち、例えば図４
Ａでは、レイヤ０が最下層のレイヤであって、レイヤＮ
が最上層のレイヤである。図４Ａに一例が示されるよう
に、レイヤ毎に多角形のリストを有する構造となってい
る。

【００２８】図４Ｂおよび図４Ｃは、レイヤ構造を編集
する例である。レイヤの追加は、図４Ｂに一例が示され
るように、追加されるレイヤに隣接するレイヤのデータ
がコピーされることでなされる。図４Ｂの例では、レイ
ヤ１およびレイヤ２の間に新たなレイヤを追加する場合
に、レイヤ１のデータがコピーされている。半導体素子
などでは、例えば配線を行うレイヤの場合、その上下の
レイヤの配線と接続していることが多い。そのため、こ
の実施の一形態のように、新規のレイヤを追加する際に
レイヤのデータをコピーすることで、後の処理が容易に
なる。図４Ｃは、レイヤを削除する例である。図４の例
から多角形Ｃで構成されるレイヤ１が削除され、その上
のレイヤが新たにレイヤ１とされている。

【００２９】図５は、この実施の一形態による図形編集
装置１の処理の流れを概略的に示す。先ず、ステップＳ
１０で、形状編集モジュール１０Ｂに対して３次元デー
タが読み込まれる。例えば、予め作成され記憶装置１３
に記憶された３次元データが読み込まれる。また例え
ば、記憶装置１４および１５に記憶されたマスクデータ
およびテクノロジーファイルが読み込まれる。読み込ま
れたマスクデータおよびテクノロジーファイルから、上
述した内部的な３次元データを生成するようにしてもよ
い。記憶装置１３、１４および１５からのデータの読み
込み、記憶装置１３に対するデータの書き込みは、入出
力管理モジュール１０Ａによって制御される。

【００３０】次のステップＳ２０で、ディスプレイ１１
に対して、ステップＳ１０で読み込まれたデータに基づ
く３次元形状が表示される。例えば、これを３次元表示
モードとする。３次元表示モードでは、３次元形状が例
えば俯瞰で表示される。そして、処理はステップＳ２１
に移行し、ユーザからのコマンド待機の状態になる。

【００３１】この例では、３次元表示モードにおいて
は、後述する２次元表示モードへの切り替え（ステップ
Ｓ２３）、図形の移動など（ステップＳ２２）および３
次元データの出力（ステップＳ２４）の各コマンド、な
らびに、全ての処理を終了する（ステップＳ２４）旨の
コマンドが受け付けられる。コマンドは、例えばディス
プレイ１１に対する表示に基づくユーザの入力手段１２
の操作により、形状編集モジュール１０Ｂに対して与え
られる。

【００３２】ステップＳ２２およびＳ２４によるコマン
ドを受けたときには、ステップＳ２５において対応する
処理がなされ、処理がステップＳ２０に戻される。そし
て、ステップＳ２５での処理を反映した３次元形状の表
示がなされ、次のステップＳ２１でユーザからのコマン
ド待機の状態にされる。ステップＳ２２では、例えば３
次元表示上での図形の移動や、拡大／縮小がなされる。
ステップＳ２４の出力は、例えば生成された３次元デー
タの記憶装置１３への保存である。あるいは、ステップ
Ｓ２４では、この図形編集装置１で生成された３次元デ
ータを半導体シミュレータに対して出力するようにして
もよい。

【００３３】ステップＳ２３の２次元表示のコマンドが
出されると、２次元表示を行いたいレイヤの指定が求め
られる。レイヤの指定は、例えばレイヤ番号を指定する
ことでなされる。これに限らず、３次元形状において、
指定された部分に対応するレイヤを指定するようにもで
きる。レイヤが指定されると、処理はステップＳ３０に
移行し、指定されたレイヤがディスプレイ１１に対して
２次元的に表示される。これを２次元表示モードとす
る。２次元的な表示は、例えばマスクデータに基づく表
示である。ステップＳ３０で２次元表示がなされると、
処理はステップＳ３１に移行し、ユーザからのコマンド
待機の状態になる。

【００３４】２次元表示モードにおいては、移動など
（ステップＳ３２）、レイヤ処理（ステップＳ３３）、
形状編集（ステップＳ３４）、属性編集（ステップＳ３
５）、出力（ステップＳ３６）および３次元表示モード
への切り替え（ステップＳ３９）、ならびに、全ての処
理を終了（ステップＳ３８）する旨のコマンドが受け付
けられる。上述の３次元表示モードの場合と同様に、コ
マンドは、例えばディスプレイ１１に対する表示に基づ
くユーザの入力手段１２の操作により、形状編集モジュ
ール１０Ｂに対して与えられる。

【００３５】ステップＳ３２、Ｓ３３、Ｓ３４、Ｓ３５
およびＳ３６で各処理の指定がなされると、ステップＳ
３７で、対応する処理が行われる。ステップＳ３７の処
理後、処理はステップＳ３０に戻され、行われた処理を
反映した２次元形状の表示がなされる。そして、次のス
テップＳ３１で、ユーザからのコマンド待機の状態にさ
れる。

【００３６】ステップＳ３２では、２次元表示上での図
形の移動や拡大／縮小がなされる。ステップＳ３３で
は、レイヤの追加や削除を行う（図４Ｂおよび図４Ｃ参
照）。例えば、レイヤを追加する場合、ディスプレイ１
１に対して現在表示されているレイヤの上にそのレイヤ
がコピーされ、新たなレイヤとして追加される。ディス
プレイ１１の表示は、追加されたレイヤに変更される。
この場合には、前に表示されていたレイヤがコピーされ
ることになるので、レイヤの追加後も、追加前と同一の
画像が表示されることになる。レイヤの削除は、現在表
示されているレイヤを削除する。ディスプレイ１１の表
示は、下層のレイヤの表示に切り替えられる。

【００３７】ステップＳ３４では、マスク形状の変更が
行われる。また、ここでは、マスクの増減を行うことも
できる。マスク形状の変更は、一般的な２次元図形のエ
ディタと同様の処理によってなされる。勿論、ステップ
Ｓ１０で読み込まれた、内部的な３次元データを直接的
に編集するようにしてもよい。マスクの増減も同様であ
る。

【００３８】ステップＳ３５では、図３を用いて既に説
明した、ステップＳ１０で読み込まれた内部的な３次元
データの、属性部分が編集される。属性は、ディスプレ
イ１１に表示される編集画面上のメニューから選択され
る設定画面を用いて設定することができる。設定内容
は、例えば最終的に生成された３次元データによってシ
ミュレートしようとしている内容によって異なったもの
とされる。

【００３９】一例として、配線容量の計算を行うとした
場合には、誘電率、配線の０Ｖ／１Ｖが属性として設定
できるようにされる。他の例として電流密度の計算を行
うとした場合には、導電率、配線の電圧／電流が属性と
して設定できるようにされる。さらに他の例として温度
計算を行うとした場合には、導電率、熱伝導率、熱係数
および配線の電圧／電流が属性として設定できるように
される。

【００４０】図６は、属性を編集するためのディスプレ
イ１１における画面表示の一例を示す。この例では、材
料「ＳＩＯＸ」の誘電率を設定するようにされている。
例えばプルダウンメニュー２０から、「Ｅｄｉｔ Ｍａ
ｔｅｒｉａｌ」を選択することで（図６中の「Ａ」）、
パラメータ設定画面２１を表示させることができる。

【００４１】この画面では、例えば入力手段１２として
のマウスによって、入力したいパラメータ部分を選択
し、キーボードを用いて所望の値を入力する。設定画面
２１に対して、内部的な３次元データファイルの該当部
分、この例では、上述の図３の「ｍａｔｅｒｉａｌ」の
項の「ＳＩＯＸ」に対応する各パラメータが表示され
る。各パラメータに対して所望の値を入力し、「ＯＫ」
ボタンを操作することで、内部的な３次元データファイ
ルの該当箇所が書き替わる。また、「Ｌａｂｅｌ」の項
目に、予め定められた所定のラベルを入力することで、
対応する材料のパラメータ設定画面２１を表示させるこ
とができる。

【００４２】なお、パラメータ設定画面２１は、各ラベ
ルに対してそれぞれ設けられる。また、これに限らず、
全てのパラメータに対応する入力項目を設けておき、ユ
ーザが入力するパラメータを選択するようにしてもよ
い。

【００４３】ステップＳ３６を選択することで、現在設
定ならびに編集された３次元データが記憶装置１３に対
して出力され、記憶される。記憶装置１３に記憶された
３次元データは、半導体シミュレータに対して導入され
る。なお、このステップＳ３６で、この時点での３次元
データを、直接的に半導体シミュレータに対して出力す
るようにしてもよい。

【００４４】ステップＳ３９を選択することによって、
処理がステップＳ２０に戻され、３次元表示モードとさ
れる。

【００４５】図７は、図形編集装置１のより具体的な実
施例を示す。この例では、図形編集装置１と半導体シミ
ュレータとが連動されている。ディスプレイ１１に対し
て、メインパネル３０、形状表示画面３１がそれぞれ表
示される。画面上の所定位置を、例えば入力手段１２と
してのマウスなどで指定することで、機能などの選択を
行うことができるようにされ、必要に応じてキーボード
による数値や文字の入力項目が表示される。

【００４６】メインパネル３０では、図形編集装置１の
上位レベルの設定が行われる。メインパネル３０で、２
次元データとして既存のマスクデータを用いるか、マニ
ュアルにて作成したデータを用いるかが選択される。ま
た、どのようなシミュレーションを目的とするかが設定
される。さらに、図形編集を２次元で行うか、３次元で
行うかが設定される。さらにまた、生成された３次元デ
ータを半導体シミュレータに導入して所定のシミュレー
ションを行うか、単に３次元データの表示のみを行うか
が設定される。

【００４７】形状表示画面３１の形状表示部３２には、
現在選択されている表示モードにおける、３次元データ
が表示される。この例では、２次元表示モードが選択さ
れ、所定のレイヤが２次元的に表示されている。形状表
示画面３１の上列に配置されたボタンを操作すること
で、種々の機能を実現させることができる。「Ｓｍａｌ
ｌ」、「Ｌａｒｇｅ」は、それぞれ表示の縮小および拡
大を指示する。また、「２Ｄ」、「３Ｄ」で、２次元表
示モードおよび３次元表示モードを切り替えることがで
きる。

【００４８】上列から、「Ｆｕｎｃ」を選択すると、プ
ルダウンメニュー２０が表示される。上述もしたよう
に、「Ｅｄｉｔ Ｍａｔｅｒｉａｌ」を選択すること
で、属性を編集するためのパラメータ設定画面２１が表
示される。また、「Ａｄｄ Ｕｐｐｅｒ Ｌａｙｅｒ」
を選択することで、現在表示されているレイヤの上層に
対して、現在表示されているレイヤのデータをコピーし
て、新たなレイヤとして追加することができる。表示
は、追加されたレイヤに切り替わる。現在表示されてい
るレイヤの下層にレイヤを追加したいときには、「Ａｄ
ｄ ｌｏｗｅｒ Ｌａｙｅｒ」を選択する。

【００４９】レイヤの追加は、一例として、次のように
行われる。例えば図２あるいは図３に示される内部的な
３次元データにおいて、指定されたレイヤに対応する範
囲が自動的に検索ならびに選択され、選択部分がコピー
される。そして、例えばレイヤを上層に追加する場合に
は、選択部分の下の行から、コピーされた内容が自動的
に貼り付けられ挿入される。

【００５０】なお、このプルダウンメニュー２０では、
上述の他にも、マスクデータの変更や、レイヤの厚み情
報の設定、レイヤの削除などを行うことができる。これ
らの処理も、上述のレイヤの追加と同様に、自動的に、
内部的な３次元データから対応部分が選択され、所定の
処理がなされる。

【００５１】このように、この実施の一形態によれば、
３次元データの属性パラメータや形状データなどの部分
的な変更を、例えばこのプルダウンメニュー２０に基づ
きインタラクティブに行うことができる。例えば、作成
された３次元データにおいて属性パラメータの一部を変
更して、新たな３次元データとして記憶装置１３に記憶
させることができる。すなわち、作成された３次元デー
タを再利用することで、複数種類のデータを容易に作成
することができる。

【００５２】こうして、所望の３次元データが作成でき
た後、メインパネル３０において、例えば「Ｃａｌｉｃ
ｕｒａｔｅ」を選択することで、この図形編集装置１と
連動された半導体シミュレータに対して生成された３次
元データが渡され、図形編集装置１のメインパネル３０
で設定されたシミュレーションが実行される。複数種類
の３次元データが作成されていた場合は、複数種類のそ
れぞれについてシミュレーションを実行することができ
る。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、レイヤ毎の形状操作を基本としながら、簡単な操作
でレイヤ自体の増減を行うことができるようにされてい
ると共に、１つの３次元データを再利用して複数種類の
シミュレーションデータを作成することができる。その
ため、作成データが正確になると共に、シミュレーショ
ンを行うための３次元データを作成するのに要する作業
時間を短縮できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この実施の一形態による図形編集装置の構成を
概略的に示すブロック図である。

【図２】内部的な３次元データの一例を示す略線図であ
る。

【図３】内部的な３次元データに対して属性を設定した
例を示す略線図である。

【図４】この実施の一形態による図形編集装置内部での
３次元データの表現の例を示す略線図である。

【図５】実施の一形態による図形編集装置の処理の流れ
を概略的に示すフローチャートである。

【図６】属性を編集するためのディスプレイにおける画
面表示の一例を示す略線図である。

【図７】図形編集装置のより具体的な実施例を示す略線
図である。

【符号の説明】

１・・・図形編集装置、１０Ａ・・・入出力管理モジュ
ール、１０Ｂ・・・形状編集モジュール、１１・・・デ
ィスプレイ、１２・・・入力手段、１３・・・３次元デ
ータを格納する記憶装置、１４・・・マスクデータが格
納された記憶装置、１５・・・テクノロジーファイルが
格納された記憶装置、２０・・・プルダウンメニュー、
３０・・・メインパネル、３１・・・形状表示画面、３
２・・・形状表示部

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体の特性シミュレーションを目的と
   した３次元形状を作成するための図形編集装置におい
   て、 レイヤの、少なくとも２次元形状と厚みの情報からなる
   レイヤ情報を、レイヤ毎に記述するレイヤ情報記述手段
   と、 上記レイヤ情報記述手段によって記述された上記レイヤ
   情報に基づき、選択されたレイヤの上記２次元形状を表
   示する表示手段と、 上記表示手段による表示に基づき上記選択されたレイヤ
   の上記２次元形状を編集する編集手段とを有し、 上記レイヤの追加ならびに削除を、上記表示手段による
   表示に基づき上記編集手段による表示画面上で行うよう
   にしたことを特徴とする図形編集装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の図形編集装置におい
   て、 追加したいレイヤの上層あるいは下層の上記レイヤ情報
   を、上記追加したいレイヤに対して複写することで、上
   記レイヤの追加を行うようにしたことを特徴とする図形
   編集装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の図形編集装置におい
   て、 上記２次元形状は、１つの多角形または複数の多角形の
   組み合わせで上記レイヤ情報記述手段に記述されること
   を特徴とする図形編集装置。
4. 【請求項４】 半導体の特性シミュレーションを目的と
   した３次元形状を作成するための図形編集装置におい
   て、 レイヤ毎に、上記レイヤの２次元形状と上記レイヤの属
   性とからなるレイヤ情報を記述するレイヤ情報記述手段
   と、 上記レイヤ情報記述手段に記述された上記レイヤ情報に
   基づき、選択されたレイヤの２次元形状を表示する表示
   手段と、 上記表示手段による表示に基づき上記選択されたレイヤ
   の上記２次元形状の編集を行う編集手段と、 上記表示手段による表示に基づき、上記レイヤで用いる
   マスクならびに上記レイヤの属性のうち少なくとも一方
   の設定をインタラクティブに行う設定手段とを有するこ
   とを特徴とする図形編集装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の図形編集装置におい
   て、 上記レイヤの属性は、少なくとも実際に該レイヤを形成
   するとされる物質の材質の情報と該レイヤの厚みの情報
   とからなることを特徴とする図形編集装置。