JP2000215509A

JP2000215509A - 光記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000215509A
Application number: JP11014520A
Authority: JP
Inventors: Toru Abiko; 透安孫子; Yoshihiro Saitou; 喜浩斎藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-01-22
Filing date: 1999-01-22
Publication date: 2000-08-04

Abstract

(57)【要約】【課題】高線速度における記録・再生特性、及び高密
度での信号特性においても十分な特性を有し、さらに耐
久性に優れる。【解決手段】結晶状態と非結晶状態との間の相変化が
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層を備え、光線
を照射して上記記録層に相変化を生じさせることにより
情報信号の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体で
あって、上記記録層は、窒素を含有する相変化材料から
なる第１の記録膜と、第１の記録膜上に形成され、酸素
を含有する相変化材料からなる第２の記録膜と、第２の
記録膜上に形成され、窒素を含有する相変化材料からな
る第３の記録膜とを少なくとも有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、結晶状態と非結晶
状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料からな
る記録層を備え、光線を照射して上記記録層に相変化を
生じさせることにより情報信号の記録及び／又は再生が
行われる光記録媒体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、データ記録の分野において、安価
な大容量ファイルの実現を可能とする記録方式として、
光学記録方式に関する研究が進められており、産業用か
ら民生用まで幅広い用途が考えられている。

【０００３】光学記録方式のうち、書換可能型のメモリ
ー形態に対応したものとして相変化型光ディスク等が挙
げられる。この相変化型光ディスクでは、結晶状態と非
結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料か
らなる記録層を備え、レーザ光等の照射により記録層を
昇温させ、記録層に相変化を生じさせて情報が記録又は
消去される。また、この相変化型光ディスクでは、光学
的に情報信号の読み出しが行われる。

【０００４】このような相変化型光ディスク等に用いら
れる相変化材料としては、Ｇｅ−Ｔｅ系合金材料、Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｂ系合金材料、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材
料、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金材料等のいわゆるカルコゲ
ン系合金材料が知られている。

【０００５】また、特開昭62-53886号公報、特開昭63-2
25934号公報、特開平3-80635号公報、特公平8-32482号
公報等では、相変化材料の高速結晶化特性等の向上を目
的としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材料の組成比が特定さ
れている。また、特開平6-166268号公報、特開平4-2327
79号公報等では、耐久性の向上を目的として、Ａｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材料の組成比を特定している。

【０００６】さらに、特開平10-134414号公報、特開平1
0-16393号公報等では、繰り返し特性の向上を目的とし
て、窒素又は酸素等を界面部分に存在せしめることで、
記録層と誘電体膜との界面部分の熱伝導率を下げてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような相変化型光ディスクにおいては、高線速度、高
密度における信号特性などは、まだ十分なレベルにある
とは言えず、更なる特性向上が望まれている。

【０００８】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
提案されたものであり、高線速度における記録・再生特
性、及び高密度での信号特性においても十分な特性を有
し、さらに耐久性に優れた光記録媒体及びその製造方法
を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる
相変化材料からなる記録層を備え、光線を照射して上記
記録層に相変化を生じさせることにより情報信号の記録
及び／又は消去が行われる光記録媒体であって、上記記
録層は、窒素を含有する相変化材料からなる第１の記録
膜と、上記第１の記録膜上に形成され、酸素を含有する
相変化材料からなる第２の記録膜と、上記第２の記録膜
上に形成され、窒素を含有する相変化材料からなる第３
の記録膜とを少なくとも有することを特徴とする。

【００１０】上述したような本発明に係る光記録媒体で
は、酸素を含有する第２の記録膜が、窒素を含有する第
１の記録膜と第３の記録膜とで挟まれているので、結晶
化速度が熱的、光学的にコントロールされ、広い線速度
でも良好な信号特性が得られる。

【００１１】また、本発明の光記録媒体の製造方法は、
結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる
相変化材料からなる記録層を備え、光線を照射して上記
記録層に相変化を生じさせることにより情報信号の記録
及び／又は消去が行われる光記録媒体の製造方法であっ
て、上記記録層を形成するに際し、窒素を含有するスパ
ッタガスを用いたスパッタリングにより相変化材料を被
着させて第１の記録膜を形成する第１の工程と、上記第
１の工程で形成された上記第１の記録膜上に、酸素を含
有するスパッタガスを用いたスパッタリングにより、相
変化材料を被着させて第２の記録膜を形成する第２の工
程と、上記第２の工程で形成された上記第２の記録膜上
に、窒素を含有するスパッタガスを用いたスパッタリン
グにより相変化材料を被着させて第３の記録膜を形成す
る第３の工程とを少なくとも有することを特徴とする。

【００１２】上述したような本発明に係る光記録媒体の
製造方法では、酸素を含有する第２の記録膜を、窒素を
含有する第１の記録膜と第３の記録膜とで挟むことで、
結晶化速度が熱的、光学的にコントロールされ、広い線
速度でも良好な信号特性を有する光記録媒体が得られ
る。

【００１３】また、本発明の光記録媒体の製造方法は、
結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる
相変化材料からなる記録層を備え、光線を照射して上記
記録層に相変化を生じさせることにより情報信号の記録
及び／又は消去が行われる光記録媒体の製造方法であっ
て、上記記録層を形成するに際し、窒素を含有するスパ
ッタガスを用いたスパッタリングにより相変化材料を被
着させて第１の記録膜を形成する第１の工程と、上記第
１の工程で形成された上記第１の記録膜上に、ＣＯ又は
ＣＯ₂を含有するスパッタガスを用いたスパッタリング
により、相変化材料を被着させて第２の記録膜を形成す
る第２の工程と、上記第２の工程で形成された上記第２
の記録膜上に、窒素を含有するスパッタガスを用いたス
パッタリングにより相変化材料を被着させて第３の記録
膜を形成する第３の工程とを少なくとも有することを特
徴とする。

【００１４】上述したような本発明に係る光記録媒体の
製造方法では、酸素を含有する第２の記録膜を、窒素を
含有する第１の記録膜と第３の記録膜とで挟むことで、
結晶化速度が熱的、光学的にコントロールされ、広い線
速度でも良好な信号特性を有する光記録媒体が得られ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。

【００１６】図１は、本発明に係る光記録媒体の一構成
例を模式的に示す断面図である。この光記録媒体は、相
変化型のディスク状光記録媒体（以下、光ディスクと称
する。）である。この光ディスク１は、基板２の一主面
２ａ上に、第１の誘電体層３と、記録層４と、第２の誘
電体層５と、熱拡散層６と、保護層７とが順次積層形成
されてなる。

【００１７】基板２は、ポリカーボネートやガラス等、
レーザ光を透過し得る材料からなる。

【００１８】第１の誘電体層３及び第２の誘電体層５は
少なくともＺｎＳを含有する材料よりなることが好まし
く、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂等が挙げられる。この第１
の誘電体層３の厚さとしては６０ｎｍ〜２２０ｎｍが好
ましく、具体的には、例えば８５ｎｍである。また、第
２の誘電体層５の厚さとしては１０ｎｍ〜３５ｎｍが好
ましく、具体的には、例えば１５ｎｍである。

【００１９】記録層４は、第１の記録膜４ａと、第２の
記録膜４ｂと、第３の記録膜４ｃとが積層されてなる３
層構成とされている。

【００２０】第１の記録膜４ａ及び第３の記録膜４ｃ
は、窒素を含むＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料、又は窒
素を含むＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料等、窒素を含有する相
変化材料からなる。また、第２の記録膜４ｂは、例えば
酸素を含むＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料、あるいは酸
素を含むＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料等、酸素を含有する相
変化材料からなる。

【００２１】すなわち、この記録層４は、酸素を含有す
る第２の記録膜４ｂが、窒素を含有する第１の記録膜４
ａと第３の記録膜４ｃとで挟まれた構造とされている。
酸素を含有する第２の記録膜４ｂを、窒素を含有する第
１の記録膜４ａと第３の記録膜４ｃとで挟むことで、広
い線速度範囲、高密度でも大きな信号振幅が得られ、繰
り返し記録耐久性も向上させることができる。

【００２２】第２の記録膜４ｂを、第１の記録膜４ａと
第３の記録膜４ｃとで挟んだ構造とすることで、信号特
性が向上する理由としては、以下のようなことが考えら
れる。

【００２３】相変化材料の相変化速度を広い線速度に対
応させるには、記録層を構成する相変化材料に窒素や酸
素等を添加することにより結晶化速度をコントロールす
る必要がある。また、繰り返し特性などを向上させるに
は、記録層の界面窒化が有効である。

【００２４】しかし、単層構成の記録層の界面窒化だけ
では、窒化による光学定数の変化により信号振幅は小さ
くなる。一方、相変化材料へ酸素を添加することで、窒
化と同様に結晶化速度をコントロールでき、その上、光
学定数の変化に、信号振幅をエンハンスできるような値
を持たせることができる。そのため、記録層４を、酸素
を添加した相変化材料を、窒素を添加した相変化材料で
挟んだ３層構成とすることにより、結晶化速度の熱的、
光学的なコントロールが行われ、広い線速度でも、良好
な信号特性が得られるものと考えられる。

【００２５】熱拡散層６は、例えばアルミニウム等から
なる。この熱拡散層６の厚さとしては６０ｎｍ〜１５０
ｎｍが好ましく、具体的には、例えば１２０ｎｍであ
る。

【００２６】保護層７は、例えば紫外線硬化型樹脂等か
らなる。

【００２７】このような光ディスク１に対して情報の記
録を行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主
面２ｂからレーザ光等の記録光を部分的に照射して記録
層４の一部を所定の結晶相或いは非結晶相に相変化させ
ることにより記録を行う。上述したような相変化材料で
は、加熱温度によって異なるが、例えば急速加熱又は急
冷することにより非晶質状態となり、徐冷することによ
り結晶状態となる。このように、情報信号に応じて、記
録層４に結晶部分と非結晶部分とを形成することで情報
の記録が行われる。

【００２８】また、この光ディスク１から情報の再生を
行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主面２
ｂ側から記録層４にレーザ光等の再生光を照射して、記
録層４中の異なる結晶相或いは非結晶相間の反射率の差
異により、結晶相及び非結晶相に対応した情報の再生を
行う。なお、この再生光は、記録層４に相変化を起こさ
ないようなものであることが必要である。

【００２９】以下、このような光ディスク１の製造方法
について説明する。なお、以下の説明では光ディスク１
を構成する各層の具体的な厚さ等を挙げて説明するが、
これらの各層の厚さは、使用される線速度や記録条件等
に応じて適宜変化させることが好ましく、これらの値に
限定されるものではない。

【００３０】まず、ポリカーボネートやガラス等、レー
ザ光を透過し得る材料からなり、トラッキング用のグル
ーブがスパイラル状に形成された基板２を用意する。

【００３１】次に、基板２のグルーブが形成された面上
に、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂等をスパッタリングにより被着さ
せて、第１の誘電体層３を形成する。スパッタリング時
の真空度は、例えば０．４Ｐａとする。この第１の誘電
体層３の厚さとしては６０ｎｍ〜２２０ｎｍが好まし
く、具体的には、例えば８５ｎｍとする。

【００３２】そして、第１の誘電体層３上に、Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系材料又はＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料等の
相変化材料をスパッタリングにより被着させて第１の記
録膜４ａを形成する。スパッタリング時の真空度は、例
えば０．４Ｐａとする。スパッタリングにより第１の記
録膜４ａを形成するとき、スパッタガスとして、Ｎ₂を
含有するＡｒガスを用いる。スパッタガス中にＮ₂を含
有させることで、相変化材料中に窒素が取り込まれる。
この第１の記録膜４ａの厚さとしては、相変化材料とし
てＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料を用いる場合には１０ｎｍ以
上が好ましく、具体的には例えば１０ｎｍである。ま
た、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料を用いる場合には５
ｎｍ以下が好ましく、具体的には例えば３ｎｍである。

【００３３】次に、第１の記録膜４ａ上に、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ系材料又はＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料等の相
変化材料をスパッタリングにより被着させて第２の記録
膜４ｂを形成する。スパッタリング時の真空度は、例え
ば０．４Ｐａとする。スパッタリングにより第２の記録
膜４ｂを形成するとき、スパッタガスとして、Ｏ₂を含
有するＡｒガスを用いる。スパッタガス中にＯ₂を含有
させることで、相変化材料中に酸素が取り込まれる。こ
の第２の記録膜４ｂの厚さとしては、相変化材料として
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料を用いる場合には６ｎｍ以上が
好ましく、具体的には例えば６ｎｍである。また、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料を用いる場合には１９ｎｍ以
下が好ましく、具体的には例えば１９ｎｍである。

【００３４】次に、第２の記録膜４ｂ上に、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ系材料又はＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料等の相
変化材料をスパッタリングにより被着させて第３の記録
膜４ｃを形成する。スパッタリング時の真空度は、例え
ば０．４Ｐａとする。スパッタリングにより第３の記録
膜４ｃを形成するとき、スパッタガスとして、Ｎ₂を含
有するＡｒガスを用いる。スパッタガス中にＮ₂を含有
させることで、相変化材料中に窒素が取り込まれる。こ
の第３の記録膜４ｃの厚さとしては、相変化材料として
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料を用いる場合には１０ｎｍ以上
が好ましく、具体的には例えば１０ｎｍである。また、
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料を用いる場合には５ｎｍ
以下が好ましく、具体的には例えば３ｎｍである。

【００３５】このようにして、酸素を含有する第２の記
録膜４ｂが、窒素を含有する第１の記録膜４ａと第３の
記録膜４ｃとで挟まれた３層構造を有する記録層４が形
成される。

【００３６】次に、記録層４上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂等
をスパッタリングにより被着させて、第２の誘電体層５
を形成する。スパッタリング時の真空度は、例えば０．
４Ｐａとする。この第２の誘電体層５の厚さとしては１
０ｎｍ〜３５ｎｍが好ましく、具体的には、例えば１５
ｎｍとする。

【００３７】次に、第２の誘電体層５上に、アルミニウ
ム等を被着させて熱拡散層６を形成する。スパッタリン
グ時の真空度は、例えば０．２Ｐａとする。この熱拡散
層６の厚さとしては６０ｎｍ〜１５０ｎｍが好ましく、
具体的には、例えば１２０ｎｍとする。

【００３８】最後に、熱拡散層６上に、紫外線硬化型樹
脂等をスピンコート法によって塗布することにより保護
層７を形成して、光ディスク１が得られる。

【００３９】なお、この光ディスク１では、記録層４の
第２の記録膜４ｂを、酸素及び炭素を含むＡｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ系材料、酸素及び炭素を含むＧｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系材料等、酸素と炭素とを含有する相変化材料から構
成することもできる。

【００４０】第２の記録膜４ｂを、酸素と炭素とを含有
する相変化材料から構成する場合、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系
材料又はＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料等の相変化材料
をスパッタリングにより被着させる際に、スパッタガス
として、ＣＯ又はＣＯ₂を含有するＡｒガスを用いる。
スパッタガス中にＣＯ又はＣＯ₂を含有させることで、
相変化材料中に酸素及び炭素が取り込まれる。この場合
にも、第２の記録膜４ｂの厚さとしては、Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系材料を用いる場合には６ｎｍ以上が好ましく、具
体的には例えば６ｎｍである。また、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系材料を用いる場合には、第２の記録膜４ｂの厚
さは１９ｎｍ以下が好ましく、具体的には例えば１９ｎ
ｍである。

【００４１】

【実施例】つぎに、上述したような光ディスクを作製
し、その特性を評価した実験例について説明する。

【００４２】本実施例では、記録層を構成する第１，第
２及び第３の記録膜を形成する際に、それぞれの材料と
膜厚、スパッタリング時のスパッタガス中に含有される
Ｎ₂、Ｏ₂又はＣＯ₂ガスの割合をそれぞれ変化させて光
ディスクを作製し、それらの光ディスクの特性を評価し
た。

【００４３】まず、一主面上にトラッキングの為のグル
ーブが０．７４μｍのピッチでスパイラル状に形成され
ている、ポリカーボネート製の基板を用意し、この基板
のグルーブが形成された面上に、スパッタリングにより
ＺｎＳ−ＳｉＯ₂を８５ｎｍの厚みに被着させて第１の
誘電体層を形成した。

【００４４】次に、この第１の誘電体層の上に、スパッ
タリングにより相変化材料を被着させて第１の記録膜
と、第２の記録膜と、第３の記録膜とをこの順に積層し
て記録層を形成した。

【００４５】このとき、第１の記録膜、第２の記録膜及
び第３の記録膜を形成する際に、材料、膜厚、スパッタ
ガス中に添加されるＮ₂、Ｏ₂又はＣＯ₂ガスの割合を、
後掲する表１に示すようにそれぞれ変えて行った。な
お、表１において、膜厚はｎｍ単位で示してあり、ま
た、添加ガス量は、スパッタガスの全流量に対する
Ｎ₂、Ｏ₂又はＣＯ₂ガスの割合（％）を示している。

【００４６】次に、この記録層の上にスパッタリングに
よりＺｎＳ−ＳｉＯ₂を１５ｎｍの厚みに被着させて第
２の誘電体層を形成した。

【００４７】さらに、この第２の誘電体層の上にスパッ
タリングによりＡｌ合金を１２０ｎｍの厚みに被着させ
て熱拡散層を形成した。

【００４８】これら各層のスパッタリングは各材料ごと
に分かれたチャンバーを有するスパッタリング装置を用
いて行うこととし、スパッタリングの際には各チャンバ
ー内の真空度を５×１０^-5Ｐａ以下とした後、スパッタ
ガスを導入して所定の真空度とした。

【００４９】さらに、各層が形成された基板をスパッタ
リング装置から取り出し、上記熱拡散層上にスピンコー
ト法により紫外線硬化樹脂よりなる保護層を形成し、実
施例１〜実施例５及び比較例１〜比較例７の１２種類の
光ディスクを完成した。

【００５０】次に、これらの光ディスクを初期化した。
ここで言う初期化とは、この光ディスクの記録層を安定
な所定の結晶層にしておくことを示す。

【００５１】そして、実施例１〜実施例５及び比較例１
〜比較例７の光ディスクについて、繰り返し耐久性と信
号振幅との関係を評価した。

【００５２】評価を行うには、まず、これらの光ディス
クに対して相変化型光記録再生装置により、図２に示す
ような発光パターンを用いて、線速度３．５ｍ／秒、５
ｍ／秒、７ｍ／秒で、１．５５μｍ長の１１Ｔ信号を記
録した。Ｔはチャンネルクロックを示す。パルス幅は、
各線速度３．５ｍ／秒、５ｍ／秒、７ｍ／秒に対し、そ
れぞれ０．６Ｔである２０×１０^-9秒、１４×１０
^-9秒、１０×１０^-9秒とした。また、図２中、Ｐｈ，Ｐ
ｌ及びＰｃは、ジッター値が最良になるパワーとした。
ここで、ジッター値とは、クロックに対して各マークエ
ッジの標準偏差をウィンドウ幅で規格した値をいう。

【００５３】評価は、各線速度における繰り返し記録に
対する１１Ｔのジッター値と変調度とを評価した。高密
度記録では、狭いトラックピッチと線密度から高い信号
特性を得るために変調度を大きくする必要がある。ここ
では、変調度が５０％以上のとき、変調度特性をＯＫと
した。また、ジッター値については、ジッター値が、エ
ラー訂正可能な１５％以下であるとき、ジッター特性を
ＯＫとした。

【００５４】そして、線速度３．５ｍ／秒、５ｍ／秒、
７ｍ／秒でそれぞれ１０００回のオーバーライト後の変
調度とジッター特性とを評価し、その両方の特性が共に
ＯＫの場合に、総合判定としての特性をＯＫとした。変
調度とジッター特性とのどちらか一方でもＮＧの場合に
は、特性の総合判定をＮＧとした。

【００５５】第１，第２及び第３の記録膜を形成する際
に用いた相変化材料、スパッタガスへの添加ガスとその
添加量及び各膜の膜厚と、特性の総合判定とをまとめて
表１に示す。

【００５６】

【表１】

【００５７】表１から明らかなように、記録層を、酸
素、又は酸素及び炭素を含む相変化材料からなる第２の
記録膜を、窒素を含む相変化材料からなる第１の記録膜
と第３の記録膜とで挟んだ３層構成とした実施例１〜実
施例５の光ディスクでは、総合判定がいずれもＯＫとさ
れており、変調度、ジッター特性ともに優れていること
がわかる。

【００５８】一方、記録層成膜時に、スパッタガスに添
加ガスを添加しなかった比較例１及び比較例５、添加ガ
スとして窒素ガスのみを用いた比較例２及び比較例６で
は、総合判定がＮＧとされており、十分な特性が得られ
ていないことがわかる。

【００５９】また、比較例３及び比較例７のように、酸
素を含まない第２の記録膜を、窒素を含む第１の記録膜
と第３の記録膜とで挟んだ場合には、十分な特性が得ら
れていないことがわかる。また、比較例４のように、窒
素を含む第２の記録膜を、酸素及び炭素を含む第１の記
録膜と第３の記録膜とで挟んだ場合にも、十分な特性が
得られず、本発明の効果は得られないことがわかる。

【００６０】また、実施例１、比較例２及び比較例３の
光ディスクについて、線速度と信号振幅との関係を図３
に示す。なお、図３中、実施例１の光ディスクについて
は●で示す。また、比較例２の光ディスクについては□
で示し、比較例３の光ディスクについては△で示す。

【００６１】図３から明らかなように、実施例１の光デ
ィスクでは、すべての線速度で信号振幅が大きく、広い
線速度範囲で、良好な信号振幅が得られていることがわ
かる。一方、比較例２及び比較例３の光ディスクでは、
実施例１の光ディスクに比べて信号振幅が小さく、その
上、線速度が大きくなるにつれて信号振幅が小さくなっ
てしまっている。

【００６２】また、実施例４、比較例５及び比較例７の
光ディスクについて、線速度とジッター特性との関係を
図４に示す。なお、図４中、実施例４の光ディスクにつ
いては●で示す。また、比較例５の光ディスクについて
は□で示し、比較例７の光ディスクについては△で示
す。

【００６３】図４から明らかなように、実施例４の光デ
ィスクでは、全ての線速度でジッター値が１５％以下で
あり、良好なジッター特性が得られていることがわか
る。一方、比較例５及び比較例７の光ディスクでは、実
施例４の光ディスクに比べてジッター値が大きく、１５
％以下のジッター値が得られているのは限られた線速度
範囲のみであった。

【００６４】以上の結果より、相変化型光ディスクの記
録層を、酸素、又は酸素及び炭素を含む相変化材料から
なる第２の記録膜を、窒素を含む相変化材料からなる第
１の記録膜と第３の記録膜とで挟んだ３層以上の構成と
することで、高密度でも広い線速度範囲で、良好な信号
振幅及びジッター特性が得られることがわかる。

【００６５】

【発明の効果】本発明では、記録層を、酸素を含む相変
化材料を、窒素を含む相変化材料で挟んだ少なくとも３
層以上の構成とすることで、高密度ながらも、広い線速
度範囲で良好な信号特性、繰り返し耐久性を有する光記
録媒体を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の一構成例を示す断面図で
ある。

【図２】光ディスクのジッター特性を評価するための記
録発光パターンを示した図である。

【図３】実施例で作製された光ディスクについて、線速
度と信号振幅との関係を示す図である。

【図４】実施例で作製された光ディスクについて、線速
度とジッター特性との関係を示す図である。

【符号の説明】１光ディスク、２基板、３第１の誘電体層、
４記録層、４ａ第１の記録膜、４ｂ第２の記
録膜、４ｃ第３の記録膜、５第２の誘電体層、
６熱拡散層、７保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】結晶状態と非結晶状態との間の相変化が
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層を備え、光線
を照射して上記記録層に相変化を生じさせることにより
情報信号の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体に
おいて、上記記録層は、窒素を含有する相変化材料からなる第１の記録膜と、上記第１の記録膜上に形成され、酸素を含有する相変化
材料からなる第２の記録膜と、上記第２の記録膜上に形成され、窒素を含有する相変化
材料からなる第３の記録膜とを少なくとも有することを
特徴とする光記録媒体。
【請求項２】上記第２の記録膜が、炭素を含有してい
ることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】結晶状態と非結晶状態との間の相変化が
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層を備え、光線
を照射して上記記録層に相変化を生じさせることにより
情報信号の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体の
製造方法において、上記記録層を形成するに際し、窒素を含有するスパッタガスを用いたスパッタリングに
より、相変化材料を被着させて第１の記録膜を形成する
第１の工程と、上記第１の工程で形成された上記第１の記録膜上に、酸
素を含有するスパッタガスを用いたスパッタリングによ
り、相変化材料を被着させて第２の記録膜を形成する第
２の工程と、上記第２の工程で形成された上記第２の記録膜上に、窒
素を含有するスパッタガスを用いたスパッタリングによ
り、相変化材料を被着させて第３の記録膜を形成する第
３の工程とを少なくとも有することを特徴とする光記録
媒体の製造方法。
【請求項４】結晶状態と非結晶状態との間の相変化が
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層を備え、光線
を照射して上記記録層に相変化を生じさせることにより
情報信号の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体の
製造方法において、上記記録層を形成するに際し、窒素を含有するスパッタガスを用いたスパッタリングに
より、相変化材料を被着させて第１の記録膜を形成する
第１の工程と、上記第１の工程で形成された上記第１の記録膜上に、Ｃ
Ｏ又はＣＯ₂を含有するスパッタガスを用いたスパッタ
リングにより、相変化材料を被着させて第２の記録膜を
形成する第２の工程と、上記第２の工程で形成された上記第２の記録膜上に、窒
素を含有するスパッタガスを用いたスパッタリングによ
り、相変化材料を被着させて第３の記録膜を形成する第
３の工程とを少なくとも有することを特徴とする光記録
媒体の製造方法。