JP2000216220A - 真空処理装置の基板搬送方法 - Google Patents
真空処理装置の基板搬送方法Info
- Publication number
- JP2000216220A JP2000216220A JP2000054450A JP2000054450A JP2000216220A JP 2000216220 A JP2000216220 A JP 2000216220A JP 2000054450 A JP2000054450 A JP 2000054450A JP 2000054450 A JP2000054450 A JP 2000054450A JP 2000216220 A JP2000216220 A JP 2000216220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cassette
- chamber
- vacuum processing
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高い生産効率を実現する真空処理装置の基板搬
送方法を提供する。 【解決手段】載置されるカセット1内の基板を水平に維
持するカセット台2と、カセット台2上の複数のカセッ
ト1と基板受入室5または基板取出室6とにそれぞれア
クセス可能に配置された第1搬送装置13と、基板受入
室5及び基板取出室6とともに周囲に複数の真空処理室
11を接続可能に構成した搬送室16と、搬送室16内
に設けられ基板受入室5及び基板取出室6と前記複数の
真空処理室11との全てにアクセス可能に配置された第
2搬送装置とを具備した真空処理装置。
送方法を提供する。 【解決手段】載置されるカセット1内の基板を水平に維
持するカセット台2と、カセット台2上の複数のカセッ
ト1と基板受入室5または基板取出室6とにそれぞれア
クセス可能に配置された第1搬送装置13と、基板受入
室5及び基板取出室6とともに周囲に複数の真空処理室
11を接続可能に構成した搬送室16と、搬送室16内
に設けられ基板受入室5及び基板取出室6と前記複数の
真空処理室11との全てにアクセス可能に配置された第
2搬送装置とを具備した真空処理装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理装置及び
基板の真空処理方法に係り、特に複数の真空処理室を有
する真空処理装置における基板の搬送方法に関するもの
である。
基板の真空処理方法に係り、特に複数の真空処理室を有
する真空処理装置における基板の搬送方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】ドライエッチング装置、CVD装置ある
いはスパッタリング装置などの真空処理装置において
は、定められた複数枚の被処理基板を一つの単位(一般
にロットとよばれる)として基板カセットに収納して装
置に投入し、処理済みの基板も同一の単位毎に基板カセ
ットに収容して回収することにより、生産の効率化を図
るのが一般的な真空処理装置用搬送システム及びそ運転
方法である。
いはスパッタリング装置などの真空処理装置において
は、定められた複数枚の被処理基板を一つの単位(一般
にロットとよばれる)として基板カセットに収納して装
置に投入し、処理済みの基板も同一の単位毎に基板カセ
ットに収容して回収することにより、生産の効率化を図
るのが一般的な真空処理装置用搬送システム及びそ運転
方法である。
【0003】しかしながら、上記のような真空処理装
置、特にドライエッチング装置、CVD装置など活性ガ
スによる反応を利用する装置においては、処理を行うに
従って反応生成物が処理容器内に付着、堆積するため
に、真空性能の劣化、ゴミの増加、光学モニタ信号のレ
ベル低下などの問題が生じることがしばしばあり、これ
を避けるために定期的に処理容器内をクリーニングする
作業が行われている。クリーニング作業には、有機溶剤
等によって付着物を拭き取る、所謂ウェットクリーニン
グと、付着物を分解する活性ガスやプラズマを利用する
ドライクリーニングとがあるが、作業性や効率面からは
ドライクリーニングが優れており、こうした機能は生産
ラインの自動化が進むにつれて不可欠なものとなりつつ
ある。
置、特にドライエッチング装置、CVD装置など活性ガ
スによる反応を利用する装置においては、処理を行うに
従って反応生成物が処理容器内に付着、堆積するため
に、真空性能の劣化、ゴミの増加、光学モニタ信号のレ
ベル低下などの問題が生じることがしばしばあり、これ
を避けるために定期的に処理容器内をクリーニングする
作業が行われている。クリーニング作業には、有機溶剤
等によって付着物を拭き取る、所謂ウェットクリーニン
グと、付着物を分解する活性ガスやプラズマを利用する
ドライクリーニングとがあるが、作業性や効率面からは
ドライクリーニングが優れており、こうした機能は生産
ラインの自動化が進むにつれて不可欠なものとなりつつ
ある。
【0004】このような機能を備えた真空処理装置用搬
送システムの一例として、実開昭63−127125号
公報に開示された装置などがあげられる。
送システムの一例として、実開昭63−127125号
公報に開示された装置などがあげられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】例えば、実開昭63−
127125号公報に開示された装置においては、処理
室をプラズマクリーニングするにあたってあらかじめ真
空予備室に収容されたダミーウェーハを処理室内に搬入
し、プラズマクリーニングが終了したら搬送手段によっ
てダミーウェーハを真空予備室に戻すようになされてい
る。このため、ダミーウェーハを収容する真空予備室
は、大きな容積を必要とするとともにダミーウェーハ専
用の搬送機構を必要とし、装置が複雑化するという問題
があった。
127125号公報に開示された装置においては、処理
室をプラズマクリーニングするにあたってあらかじめ真
空予備室に収容されたダミーウェーハを処理室内に搬入
し、プラズマクリーニングが終了したら搬送手段によっ
てダミーウェーハを真空予備室に戻すようになされてい
る。このため、ダミーウェーハを収容する真空予備室
は、大きな容積を必要とするとともにダミーウェーハ専
用の搬送機構を必要とし、装置が複雑化するという問題
があった。
【0006】また、一旦、プラズマクリーニングに使用
されたダミーウェーハが、再び真空予備室に戻された後
に正規の処理を続行するため、真空予備室内では使用済
みのダミーウェーハとこれから正規の処理を受けようと
する未処理のウェーハとが混在することとなり、製品汚
染の観点から好ましくない。
されたダミーウェーハが、再び真空予備室に戻された後
に正規の処理を続行するため、真空予備室内では使用済
みのダミーウェーハとこれから正規の処理を受けようと
する未処理のウェーハとが混在することとなり、製品汚
染の観点から好ましくない。
【0007】本発明の目的は、上記の問題点を解決し、
ゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染をなくし、
高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理及
びそれを用いた基板の真空処理方法を提供することにあ
る。
ゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染をなくし、
高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理及
びそれを用いた基板の真空処理方法を提供することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、被処理基板を
一枚毎真空処理する複数の真空処理室に連結された搬送
室と、被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納でき
るカセットを大気中で載置するカセット台と、前記大気
中のカセットから前記被処理基板を搬入するとともに前
記搬送室を介していずれかの真空処理室へ前記被処理基
板を搬出するためのロック室と、いずれかの真空処理室
から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとと
もに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出する
ための他のロック室と、前記大気中のカセットと前記い
ずれかのロック室との間で前記被処理基板もしくは前記
処理済基板を一枚毎搬送する大気搬送装置と、制御装置
とを備えた真空処理装置における基板搬送方法であっ
て、前記真空処理装置は、前記カセットに付与された生
産情報を自ら認識するか、上位の制御装置から送られる
情報に基づくか、あるいはオペレータの入力する命令に
よるか、いずれかの方法により前記基板の処理を行うこ
とを特徴とする。
一枚毎真空処理する複数の真空処理室に連結された搬送
室と、被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納でき
るカセットを大気中で載置するカセット台と、前記大気
中のカセットから前記被処理基板を搬入するとともに前
記搬送室を介していずれかの真空処理室へ前記被処理基
板を搬出するためのロック室と、いずれかの真空処理室
から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとと
もに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出する
ための他のロック室と、前記大気中のカセットと前記い
ずれかのロック室との間で前記被処理基板もしくは前記
処理済基板を一枚毎搬送する大気搬送装置と、制御装置
とを備えた真空処理装置における基板搬送方法であっ
て、前記真空処理装置は、前記カセットに付与された生
産情報を自ら認識するか、上位の制御装置から送られる
情報に基づくか、あるいはオペレータの入力する命令に
よるか、いずれかの方法により前記基板の処理を行うこ
とを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図1に
より説明する。図1は、本発明による真空処理装置の、
半導体ウェーハに対するドライエッチング処理を行う装
置への応用を示す図である。
より説明する。図1は、本発明による真空処理装置の、
半導体ウェーハに対するドライエッチング処理を行う装
置への応用を示す図である。
【0010】装置は、未処理のウェーハを収納した状態
で、装置に処理対象を供給し、かつ処理済みのウェーハ
を再度元の位置に収納して回収するための、複数(通常
25枚)のウェーハを収納できる複数のカセット1a、
1bおよび1c、該カセット1a、1b、1cを載置
し、装置への導入/払出しの位置を決定するための、位
置及び姿勢を変えることがなく、水平又は水平に近い平
面の上に常に一定位置に固定されたカセット台2a、2
b、2c、図示しない真空排気装置及びガス導入装置を
装備し、ウェーハを真空雰囲気に導入するためのロード
ロック室(基板受入室)5、同じくウェーハを大気中に
取りだすためのアンロードロック室(基板取出室)6、
ウェーハにエッチング処理を施すためのエッチング11
(11a,11b,11c)、それらをそれぞれ気密に
分離可能な隔離弁12、及びロードロック室(基板受入
室)5/アンロードロック室(基板取出室)6とカセッ
ト1a、1b、1cとの間に配置され、X、Y、Z及び
θ軸を有するロボットを備えた、ロードロック室(基板
受入室)5/アンロードロック室(基板取出室)6とカ
セット1a、1b、1cとの間でウェーハを授受するた
めの第1搬送装置13から構成されている。
で、装置に処理対象を供給し、かつ処理済みのウェーハ
を再度元の位置に収納して回収するための、複数(通常
25枚)のウェーハを収納できる複数のカセット1a、
1bおよび1c、該カセット1a、1b、1cを載置
し、装置への導入/払出しの位置を決定するための、位
置及び姿勢を変えることがなく、水平又は水平に近い平
面の上に常に一定位置に固定されたカセット台2a、2
b、2c、図示しない真空排気装置及びガス導入装置を
装備し、ウェーハを真空雰囲気に導入するためのロード
ロック室(基板受入室)5、同じくウェーハを大気中に
取りだすためのアンロードロック室(基板取出室)6、
ウェーハにエッチング処理を施すためのエッチング11
(11a,11b,11c)、それらをそれぞれ気密に
分離可能な隔離弁12、及びロードロック室(基板受入
室)5/アンロードロック室(基板取出室)6とカセッ
ト1a、1b、1cとの間に配置され、X、Y、Z及び
θ軸を有するロボットを備えた、ロードロック室(基板
受入室)5/アンロードロック室(基板取出室)6とカ
セット1a、1b、1cとの間でウェーハを授受するた
めの第1搬送装置13から構成されている。
【0011】装置の動作としては、まず、未処理のウェ
ーハを収納したカセット1a、1bがストッカ(図示省
略)から装置へとロボット又はオペレータにより供給さ
れ、カセット台2a、2bに載置される。この時カセッ
ト台2a、2bは水平な同一平面上にあるため、カセッ
トの供給動作を単純化することが可能であり、生産ライ
ンの自動化への対応が容易である。一方、カセット台2
cには、ダミーウェーハを収納したカセット1cが載置
される。
ーハを収納したカセット1a、1bがストッカ(図示省
略)から装置へとロボット又はオペレータにより供給さ
れ、カセット台2a、2bに載置される。この時カセッ
ト台2a、2bは水平な同一平面上にあるため、カセッ
トの供給動作を単純化することが可能であり、生産ライ
ンの自動化への対応が容易である。一方、カセット台2
cには、ダミーウェーハを収納したカセット1cが載置
される。
【0012】装置は、カセットに付与された生産情報を
自ら認識するか、上位の制御装置から送られる情報に基
づくか、あるいはオペレータの入力する命令によるか、
いずれかの方法によりウェーハに処理を行うことができ
る。
自ら認識するか、上位の制御装置から送られる情報に基
づくか、あるいはオペレータの入力する命令によるか、
いずれかの方法によりウェーハに処理を行うことができ
る。
【0013】カセット1aに収納された未処理のウェー
ハ(基板)20を第1搬送装置13により抜き取り、第
1搬送装置13に対してカセット1aとは反対側に配置
されたロードロック室(基板受入室)5へ隔離弁12a
を通して搬入する。このときウェーハ(基板)20は、
カセット1a内のいずれの場所に収納されたものでも良
い。ウェーハ(基板)20は、隔離弁12aからロード
ロック室(基板受入室)5に入った後、隔離弁12bか
らアンロードロック室(基板取出室)6を出るまで、装
置外部の雰囲気とは完全に遮断された状態にあるので、
隔離弁12a、12bを境にして仕切りを設け、カセッ
ト台2a、2bとそこに載置されたカセット1a、1b
及び第1搬送装置13のみを清浄度の高いクリーンルー
ム側に置き、残りの部分は清浄度の低いメインテナンス
ルーム側に置くことができる。ロードロック室(基板受
入室)5は、隔離弁12aを閉じた後、排気装置(図示
省略)によって所定の圧力まで真空排気され、次いで隔
離弁12bが開放されてウェーハ(基板)20は、搬送
室16に設けられた真空搬送装置(図示略)により各エ
ッチング室11(11a,11b,11c)へ搬送さ
れ、各試料台8(8a,8b,8c)上に載置される。
ハ(基板)20を第1搬送装置13により抜き取り、第
1搬送装置13に対してカセット1aとは反対側に配置
されたロードロック室(基板受入室)5へ隔離弁12a
を通して搬入する。このときウェーハ(基板)20は、
カセット1a内のいずれの場所に収納されたものでも良
い。ウェーハ(基板)20は、隔離弁12aからロード
ロック室(基板受入室)5に入った後、隔離弁12bか
らアンロードロック室(基板取出室)6を出るまで、装
置外部の雰囲気とは完全に遮断された状態にあるので、
隔離弁12a、12bを境にして仕切りを設け、カセッ
ト台2a、2bとそこに載置されたカセット1a、1b
及び第1搬送装置13のみを清浄度の高いクリーンルー
ム側に置き、残りの部分は清浄度の低いメインテナンス
ルーム側に置くことができる。ロードロック室(基板受
入室)5は、隔離弁12aを閉じた後、排気装置(図示
省略)によって所定の圧力まで真空排気され、次いで隔
離弁12bが開放されてウェーハ(基板)20は、搬送
室16に設けられた真空搬送装置(図示略)により各エ
ッチング室11(11a,11b,11c)へ搬送さ
れ、各試料台8(8a,8b,8c)上に載置される。
【0014】尚、各エッチング室11a,11b,11
cには、搬送室16との間にそれらをそれぞれ気密に分
離する隔離弁12a’12b’12c’(図示省略)が
設置されている。
cには、搬送室16との間にそれらをそれぞれ気密に分
離する隔離弁12a’12b’12c’(図示省略)が
設置されている。
【0015】各エッチング室11(11a,11b,1
1cに搬入されたウェーハ(基板)20は、所定の条件
によりエッチング処理を施される。この間に、ロードロ
ック室(基板受入室)5は隔離弁12a、12bを閉じ
た状態で、ガス導入装置4により大気圧に復帰され、開
放された隔離弁12aから1枚目のウェーハと同様に2
枚目のウェーハが第1搬送装置13によって搬入され、
再び排気装置によって所定の圧力まで真空排気される。
1枚目のウェーハ(基板)20のエッチング処理が終了
すると、隔離弁12cが開かれて処理済みのウェーハ
(基板)20がアンロードロック室(基板取出室)6に
搬出され、続いて隔離弁12cが閉じられ、隔離弁12
bが開かれて2枚目のウェーハがロードロック室(基板
受入室)5から搬入され、隔離弁12bを閉じた後エッ
チング処理が開始される。
1cに搬入されたウェーハ(基板)20は、所定の条件
によりエッチング処理を施される。この間に、ロードロ
ック室(基板受入室)5は隔離弁12a、12bを閉じ
た状態で、ガス導入装置4により大気圧に復帰され、開
放された隔離弁12aから1枚目のウェーハと同様に2
枚目のウェーハが第1搬送装置13によって搬入され、
再び排気装置によって所定の圧力まで真空排気される。
1枚目のウェーハ(基板)20のエッチング処理が終了
すると、隔離弁12cが開かれて処理済みのウェーハ
(基板)20がアンロードロック室(基板取出室)6に
搬出され、続いて隔離弁12cが閉じられ、隔離弁12
bが開かれて2枚目のウェーハがロードロック室(基板
受入室)5から搬入され、隔離弁12bを閉じた後エッ
チング処理が開始される。
【0016】アンロードロック室(基板取出室)6に搬
出された処理済みウェーハ(基板)20は、アンロード
ロック室(基板取出室)6を大気圧に復帰した後、隔離
弁12dを通して第1搬送装置13によって大気中に取
りだされ、当初収納されていたカセット1a内の元の位
置へ戻される。
出された処理済みウェーハ(基板)20は、アンロード
ロック室(基板取出室)6を大気圧に復帰した後、隔離
弁12dを通して第1搬送装置13によって大気中に取
りだされ、当初収納されていたカセット1a内の元の位
置へ戻される。
【0017】以上の動作を繰り返して、カセット1aに
収納されていた未処理ウェーハの処理が完了し、元の位
置に再収納し終わるとカセット1aは回収可能となり、
別の未処理のウェーハを収納したカセットと交換される
が、装置はその間カセット1b内の未処理ウェーハの処
理を続けており、カセット1bの全てのウェーハの処理
が完了する前に別の未処理のウェーハを収納したカセッ
トが供給されれば、装置は常に連続的に稼働可能であ
る。この時カセット1a、カセット1bは水平な同一平
面上にあるため、カセット1aの回収作業及び別の未処
理のウェーハを収納したカセットの供給作業を、搬送装
置13によるカセット1bへのアクセスに影響を与える
ことなく行うことができる。
収納されていた未処理ウェーハの処理が完了し、元の位
置に再収納し終わるとカセット1aは回収可能となり、
別の未処理のウェーハを収納したカセットと交換される
が、装置はその間カセット1b内の未処理ウェーハの処
理を続けており、カセット1bの全てのウェーハの処理
が完了する前に別の未処理のウェーハを収納したカセッ
トが供給されれば、装置は常に連続的に稼働可能であ
る。この時カセット1a、カセット1bは水平な同一平
面上にあるため、カセット1aの回収作業及び別の未処
理のウェーハを収納したカセットの供給作業を、搬送装
置13によるカセット1bへのアクセスに影響を与える
ことなく行うことができる。
【0018】エッチング室11は、処理を重ねるにつれ
て反応生成物が内壁面に付着、堆積してくるためにプラ
ズマクリーニングによって付着物を除去し、元の状態に
復旧してやる必要があるが、プラズマクリーニングの実
施に当っては、カセット1cに収納されたダミーウェー
ハ30を第1搬送装置13によって抜取り、以降は前記
被処理ウェーハ(基板)20の場合と全く同様にして処
理を行った後、ダミーウェーハ30をカセット1c内の
元の位置に戻すことができ、ダミーウェーハ30は常に
カセット1c内にストックされていることになる。
て反応生成物が内壁面に付着、堆積してくるためにプラ
ズマクリーニングによって付着物を除去し、元の状態に
復旧してやる必要があるが、プラズマクリーニングの実
施に当っては、カセット1cに収納されたダミーウェー
ハ30を第1搬送装置13によって抜取り、以降は前記
被処理ウェーハ(基板)20の場合と全く同様にして処
理を行った後、ダミーウェーハ30をカセット1c内の
元の位置に戻すことができ、ダミーウェーハ30は常に
カセット1c内にストックされていることになる。
【0019】尚、カセット1cのダミーウェーハ30が
全てプラズマクリーニングで使用された場合や、数回の
使用により使用不良となった場合、ダミーウェーハ30
はカセット1cごと全て交換される。
全てプラズマクリーニングで使用された場合や、数回の
使用により使用不良となった場合、ダミーウェーハ30
はカセット1cごと全て交換される。
【0020】従って、プラズマクリーニングを特別な処
理シーケンスとして扱う必要は無く、通常のエッチング
処理の中に組み込んで一連の作業として行うことがで
き、クリーニングを実施する周期も任意に設定すること
が可能である。装置のハードウェア上からもプラズマク
リーニングの為の専用の機構は必要が無く、複数のカセ
ット台の一つ(本例の場合2c)にダミーウェーハ30
を収納したカセット(本例の場合1c)を設置するだけ
で良く、プラズマクリーニングの必要が無い用途の場合
には、ダミーウェーハ30を収納したカセットの代わり
に、被処理ウェーハ20を収納したカセットを設置する
ことにより、より効率良く生産を行うことができること
は説明するまでもない。
理シーケンスとして扱う必要は無く、通常のエッチング
処理の中に組み込んで一連の作業として行うことがで
き、クリーニングを実施する周期も任意に設定すること
が可能である。装置のハードウェア上からもプラズマク
リーニングの為の専用の機構は必要が無く、複数のカセ
ット台の一つ(本例の場合2c)にダミーウェーハ30
を収納したカセット(本例の場合1c)を設置するだけ
で良く、プラズマクリーニングの必要が無い用途の場合
には、ダミーウェーハ30を収納したカセットの代わり
に、被処理ウェーハ20を収納したカセットを設置する
ことにより、より効率良く生産を行うことができること
は説明するまでもない。
【0021】また、一旦プラズマクリーニングに使用さ
れたダミーウェーハは、再び大気中の元のカセットに戻
るようになされているので、真空室内では使用済みのダ
ミーウェーハとこれから正規の処理を受けようとする未
処理のウェーハとが混在することがなく、製品の汚染の
心配も無い。
れたダミーウェーハは、再び大気中の元のカセットに戻
るようになされているので、真空室内では使用済みのダ
ミーウェーハとこれから正規の処理を受けようとする未
処理のウェーハとが混在することがなく、製品の汚染の
心配も無い。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、ゴミの発生や残留ガス
などによる製品の汚染をなくし、高い生産効率と高い製
品歩留まりを実現する真空処理装置用搬送システムを提
供することができる。
などによる製品の汚染をなくし、高い生産効率と高い製
品歩留まりを実現する真空処理装置用搬送システムを提
供することができる。
【図1】本発明の一実施例のドライエッチング装置の平
面図である。
面図である。
1…基板カセット、2…カセット台、5…ロードロック
室(基板受入室)、6…アンロードロック室(基板取出
室)、8…試料台、11…エッチング室、12…隔離
弁、13…第1搬送装置、16…搬送室、20…ウェー
ハ(基板)、30…ダミーウェーハ。
室(基板受入室)、6…アンロードロック室(基板取出
室)、8…試料台、11…エッチング室、12…隔離
弁、13…第1搬送装置、16…搬送室、20…ウェー
ハ(基板)、30…ダミーウェーハ。
【手続補正書】
【提出日】平成12年3月27日(2000.3.2
7)
7)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】本発明の目的は、上記の問題点を解決し、
高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理装
置の基板搬送方法を提供することにある。
高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理装
置の基板搬送方法を提供することにある。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、被処理基板を
一枚毎真空処理する複数の真空処理室に連結された搬送
室と、被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納でき
るカセットを大気中で載置するカセット台と、前記大気
中のカセットから前記被処理基板を搬入するとともに前
記搬送室を介していずれかの真空処理室へ前記被処理基
板を搬出するためのロック室と、いずれかの真空処理室
から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとと
もに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出する
ための他のロック室と、前記大気中のカセットと前記い
ずれかのロック室との間で前記被処理基板もしくは前記
処理済基板を一枚毎搬送する大気搬送装置と、制御装置
とを備えた真空処理装置における基板搬送方法であっ
て、前記真空処理装置は、前記カセットに付与された生
産情報を自ら認識するか、上位の制御装置から送られる
情報に基づくか、あるいはオペレータの入力する命令に
よるか、いずれかの方法により前記基板の処理を行うこ
とを特徴とする。本発明によれば、カセットに付与され
た生産情報を利用するため、高い生産効率と高い製品歩
留まりを実現する真空処理装置用搬送システムを提供す
ることができる。
一枚毎真空処理する複数の真空処理室に連結された搬送
室と、被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納でき
るカセットを大気中で載置するカセット台と、前記大気
中のカセットから前記被処理基板を搬入するとともに前
記搬送室を介していずれかの真空処理室へ前記被処理基
板を搬出するためのロック室と、いずれかの真空処理室
から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとと
もに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出する
ための他のロック室と、前記大気中のカセットと前記い
ずれかのロック室との間で前記被処理基板もしくは前記
処理済基板を一枚毎搬送する大気搬送装置と、制御装置
とを備えた真空処理装置における基板搬送方法であっ
て、前記真空処理装置は、前記カセットに付与された生
産情報を自ら認識するか、上位の制御装置から送られる
情報に基づくか、あるいはオペレータの入力する命令に
よるか、いずれかの方法により前記基板の処理を行うこ
とを特徴とする。本発明によれば、カセットに付与され
た生産情報を利用するため、高い生産効率と高い製品歩
留まりを実現する真空処理装置用搬送システムを提供す
ることができる。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0022
【補正方法】変更
【補正内容】
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、高い生産効率と高い製
品歩留まりを実現する真空処理装置用搬送システムを提
供することができる。
品歩留まりを実現する真空処理装置用搬送システムを提
供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坪根 恒彦 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 伊藤 温司 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内
Claims (1)
- 【請求項1】被処理基板を一枚毎真空処理する複数の真
空処理室に連結された搬送室と、被処理基板もしくは処
理済基板を複数枚収納できるカセットを大気中で載置す
るカセット台と、前記大気中のカセットから前記被処理
基板を搬入するとともに前記搬送室を介していずれかの
真空処理室へ前記被処理基板を搬出するためのロック室
と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記
処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ
前記処理済基板を搬出するための他のロック室と、前記
大気中のカセットと前記いずれかのロック室との間で前
記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬送する
大気搬送装置と、制御装置とを備えた真空処理装置にお
ける基板搬送方法であって、 前記真空処理装置は、前記カセットに付与された生産情
報を自ら認識するか、上位の制御装置から送られる情報
に基づくか、あるいはオペレータの入力する命令による
か、いずれかの方法により前記基板の処理を行うことを
特徴とする真空処理装置の基板搬送方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000054450A JP2000216220A (ja) | 2000-01-01 | 2000-02-25 | 真空処理装置の基板搬送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000054450A JP2000216220A (ja) | 2000-01-01 | 2000-02-25 | 真空処理装置の基板搬送方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP126399A Division JP3145359B2 (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 真空処理装置及び基板の真空処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000216220A true JP2000216220A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=18575699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000054450A Pending JP2000216220A (ja) | 2000-01-01 | 2000-02-25 | 真空処理装置の基板搬送方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000216220A (ja) |
-
2000
- 2000-02-25 JP JP2000054450A patent/JP2000216220A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2644912B2 (ja) | 真空処理装置及びその運転方法 | |
| JP2001053131A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2646905B2 (ja) | 真空処理装置およびその運転方法 | |
| JP2000216221A (ja) | 真空処理装置用の基板搬送方法 | |
| JP2000216211A (ja) | 真空処理装置用の基板搬送システム | |
| JP2816139B2 (ja) | 真空処理装置用搬送システム及び真空処理装置 | |
| JP2000216220A (ja) | 真空処理装置の基板搬送方法 | |
| JP2000216219A (ja) | 真空処理装置用基板搬送方法 | |
| JP3669998B2 (ja) | 基板処理装置及び基板の処理方法 | |
| JP3404391B2 (ja) | 基板の真空処理方法及び真空処理装置 | |
| JP3628683B2 (ja) | 真空処理装置及び基板の搬送処理方法 | |
| JP3147230B2 (ja) | 真空処理装置及びそれを用いた基板の真空処理方法 | |
| JP2942527B2 (ja) | 真空処理装置及びその搬送システム | |
| JP3561715B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 | |
| JP3443421B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 | |
| JP3404392B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 | |
| JP3183043B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP3145359B2 (ja) | 真空処理装置及び基板の真空処理方法 | |
| JP2005260274A (ja) | 真空処理装置及び基板の搬送処理方法 | |
| USRE39775E1 (en) | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors | |
| JP3424750B2 (ja) | 真空処理装置及び基板の真空処理方法 | |
| US7089680B1 (en) | Vacuum processing apparatus and operating method therefor | |
| JP2008109157A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2005101625A (ja) | 真空処理装置及び基板の搬送処理方法 |