JP2000216295A - 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用される放熱体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放熱体の樹脂封止体との接触面の樹脂バリの
発生を防止する。 【解決手段】 半導体ペレット２６、インナリード１７
群および放熱体２１の一部を樹脂封止した樹脂封止体４
０を備えたパワーＩＣ１において、放熱体２１のヘッダ
部２２の露出面の樹脂封止体４０の近傍に塑性変形許容
溝３７が没設されている。放熱体２１に被着されたメッ
キ被膜３８の厚さにばらつきが発生していると、樹脂封
止体４０の成形に際して、放熱体２１の塑性変形許容溝
３７の部分が成形型の押さえ面で押さえられた状態にな
りメッキ被膜３８の厚い部分や放熱体２１の下地部分は
押さえ面で押されて塑性変形許容溝３７の内部に塑性変
形されるため、レジンの漏洩による樹脂バリの発生が防
止される。 【効果】 放熱体へのメッキ処理を樹脂封止体成形以前
に実施できるため、樹脂封止体成形後に実施する場合に
比べ耐湿性や製造コスト等の点で有利になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造技
術、特に、半導体素子を含む集積回路が作り込まれた半
導体ペレットが放熱体にボンディングされて樹脂封止さ
れる構造のものに関し、例えば、フィン付きシングル・
インライン・プラスチック・パッケージを備えているパ
ワーＩＣ（以下、パワーＩＣという。）に利用して有効
な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】パワーＩＣとして、良好な放熱性を確保
するために半導体ペレットが放熱体にボンディングされ
ており、この半導体ペレットに電気的に接続されたイン
ナリード群が放熱体に若干の間隙をもって対向するよう
に配置されて、半導体ペレットおよびインナリード群が
樹脂封止体によって樹脂封止されたものがある。

【０００３】なお、パワーＩＣを述べてある例として
は、特開平６−４５４７５号公報、がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たパワーＩＣにおいては、樹脂封止体成形前に放熱体に
被着されたメッキ被膜の厚さにばらつきがあると、樹脂
封止体成形時に成形型の押さえ面圧が均一であるにもか
かわらずメッキ被膜が薄くなった部位において成形材料
であるレジンの漏洩が発生するため、放熱体の樹脂封止
体との接触面において薄い樹脂バリが形成されてしまう
という問題点があることが本発明者によって明らかにさ
れた。

【０００５】本発明の目的は、放熱体の樹脂封止体との
接触面における樹脂バリの発生を防止することができる
半導体装置およびその製造技術を提供することにある。

【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【０００８】すなわち、電子回路が作り込まれた半導体
ペレットと、半導体ペレットがボンディングされた放熱
体と、半導体ペレットに電気的に接続された複数本のイ
ンナリードと、各インナリードにそれぞれ連結されたア
ウタリード群と、前記半導体ペレット、前記インナリー
ド群および前記放熱体の一部を樹脂封止した樹脂封止体
とを備えている半導体装置において、前記放熱体の露出
面における前記樹脂封止体の近傍に塑性変形許容溝が没
設されていることを特徴とする。

【０００９】例えば、放熱体に被着されたメッキ被膜の
厚さにばらつきが発生していると、厚い部分に成形型の
押さえ面が乗った状態になり薄い部分に隙間が形成され
た状態になるため、隙間からレジンが漏洩して放熱体の
樹脂封止体との接触面に樹脂バリが形成されることがあ
る。しかし、前記した半導体装置の樹脂封止体の成形に
際しては、放熱体の塑性変形許容溝の部分が成形型の押
さえ面によって押さえられた状態になることにより、メ
ッキ被膜の厚い部分や放熱体の下地部分は押さえ面によ
って押されて塑性変形許容溝の内部に塑性変形すること
ができるため、押さえ面と放熱体との間に隙間が形成さ
れる現象が防止されることになり、その結果、レジンの
漏洩による樹脂バリの発生が防止される。

【００１０】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
パワーＩＣを示しており、（ａ）は一部切断正面図、
（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う側面断面図である。図
２以降はその製造方法を説明するための各説明図であ
る。

【００１１】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置は、フィン付きシングル・インライン・プラスチッ
ク・パッケージを備えているパワーＩＣ（以下、パワー
ＩＣという。）１として構成されている。このパワーＩ
Ｃ１は、高出力の集積回路が作り込まれた半導体ペレッ
ト（以下、ペレットという。）２６と、ペレット２６が
ボンディングされた放熱体２１と、ペレット２６に電気
的に接続されたインナリード１７群と、ペレットおよび
インナリード１７群を樹脂封止体した樹脂封止体４０と
を備えており、放熱体２１の一部であるヘッダ部２２が
樹脂封止体４０の側面から露出されている。ヘッダ部２
２の一主面における樹脂封止体４０の外縁の近傍位置に
は５〜２０μｍの深さで矩形の塑性変形許容溝３７が複
数、等間隔で直列に並べられて没設されており、放熱体
２１の表面にはニッケル（Ｎｉ）メッキ被膜３８が被着
されている。後述するように、樹脂封止体４０の成形時
に塑性変形許容溝３７が塑性変形されることによりメッ
キ被膜３８の厚さのばらつきが吸収されるため、ヘッダ
部２２の樹脂封止体４０との接触面には樹脂バリが発生
していない。

【００１２】パワーＩＣは次のような製造方法によって
製造されている。以下、本発明の一実施形態であるパワ
ーＩＣの製造方法を説明する。この説明により、前記パ
ワーＩＣの構成の詳細が明らかにされる。

【００１３】本実施形態において、パワーＩＣの製造方
法には図２に示されている多連リードフレーム１１が使
用される。多連リードフレーム１１は銅系材料や鉄系材
料等の導電性を有する板材が使用されて、プレス加工や
エッチング加工によって略長方形の板形状に一体成形さ
れている。多連リードフレーム１１は略同一パターンに
形成された単位リードフレーム１２が複数個、一方向に
繰り返すように隣り合わせに並べられて連設されてい
る。但し、以下の説明並びに図面においては、繰り返し
が理解される一単位のみが示されている。これは他の構
成についても同様である。

【００１４】単位リードフレーム１２は細長い板形状に
形成された外枠１３を備えており、外枠１３の両端部に
は一対のセクション枠１４、１４が直角に突設されてい
る。両セクション枠１４、１４間にはダム部材１６が外
枠１３と平行に架設されている。ダム部材１６の外枠１
３と反対側の端辺にはインナリード１７が複数本、長手
方向に等間隔に配置されて直角にそれぞれ突設されてお
り、各インナリード１７の先端部はペレット配置空所１
５を取り囲むようにそれぞれ配線されている。ダム部材
１６の外枠１３側の端辺にはアウタリード１８がインナ
リード１７と同数本、各インナリード１７とそれぞれ連
続するように配置されて直角に突設されており、各アウ
タリード１８の先端部は外枠１３にそれぞれ連結されて
いる。ダム部材１６における隣合うアウタリード１８、
１８間の部分によってダム１６ａがそれぞれ構成されて
いる。両セクション枠１４、１４には放熱体を連結する
ための放熱体連結部１９がそれぞれ突設されており、各
放熱体連結部１９、１９には連結孔２０が先端部に配さ
れて肉厚方向に貫通するようにそれぞれ開設されてい
る。

【００１５】放熱体２１は放熱体成形工程において、銅
等の熱伝導性の良好な導電材料が用いられてプレス加工
により一体成形される。放熱体２１は図３に示されてい
るようにヘッダ部２２と搭載部２４とから構成されてい
る。ヘッダ部２２は略長方形の板形状に形成されてお
り、ヘッダ部２２の両端部には取付孔２３が、パワーＩ
Ｃ１を電気機器等に実装する際にねじ部材等を挿通し得
るようにそれぞれ開設されている。

【００１６】搭載部２４は略長方形の板形状に形成され
ている。搭載部２４の一主面（以下、上面とする。）に
はペレット２６が略中央部に配されて、半田材料による
接着等の手段で形成されたボンディング層２５によって
ボンディングされている。搭載部２４のヘッダ部２２と
反対側の長辺の側面には、樹脂封止体を固定するための
係止部（以下、外側係止部という。）２７が略全長にわ
たって突設されている。ヘッダ部２２と搭載部２４との
間には半長円形状の切欠部２８が一対、左右対称形に配
置されてそれぞれ切設されており、各切欠部２８の搭載
部２４側の側面には樹脂封止体を固定するための係止部
（以下、内側係止部という。）２９がそれぞれ突設され
ている。外側係止部２７および内側係止部２９は搭載部
２４の側面を塑性加工により膨出させることによって突
設されている。

【００１７】搭載部２４の上面には室を有する保持部で
ある保持凹部としての溝（以下、内側溝という。）３０
がペレット２６を取り囲むように三方に延在されてＶ溝
形状に没設されており、搭載部２４とヘッダ部２２との
境界部における内側溝３０の外側位置には、同じく保持
凹部としての溝（以下、外側溝という。）３１が搭載部
２４を横断して左右の切欠部２８、２８を連絡するよう
に略直線状に敷設されてＶ溝形状に没設されている。内
側溝３０および外側溝３１はプレス加工またはエッチン
グ加工によって形成される。外側溝３１の搭載部２４側
の側面には係止部（以下、溝内係止部という。）３２が
長手方向に間欠的に形成されている。溝内係止部３２は
図３（ｂ）および（ｃ）に示されているように、外側溝
３１に沿って搭載部２４の上面の一部がプレス加工によ
って塑性変形されて溝内に膨出されることにより成形さ
れている。

【００１８】搭載部２４の上面における内側溝３０の左
右両脇には室を有する保持部である保持凹部としての穴
（以下、保持穴という。）３３、３３が、左右対称形に
配置されて円柱穴形状にそれぞれ没設されており、各保
持穴３３の開口縁部には係止部（以下、穴内係止部とい
う。）３４が径方向内向きに突設されている。穴内係止
部３４は図３（ｄ）および（ｅ）に示されているよう
に、保持穴３３の開口縁部がプレス加工によって塑性変
形されて保持穴３３内に膨出されることにより成形され
ている。

【００１９】ヘッダ部２２の両端部にはリードフレーム
と連結するためのリードフレーム連結部３５、３５が、
その上面から若干隆起するようにそれぞれ突設されてお
り、両リードフレーム連結部３５、３５には各突起３６
が上向きにそれぞれ突設されている。

【００２０】放熱体２１のヘッダ部２２の上面における
外側溝３１の取付孔２３寄りの位置には矩形の塑性変形
許容溝である塑性変形許容溝３７が複数条、等間隔に直
列に並べられて没設されており、塑性変形許容溝３７の
列は樹脂封止体を成形するトランスファ成形装置におけ
る上型の面圧部に対応するように設定されている。塑性
変形許容溝３７は放熱体２１のプレス加工に際してハー
フプレス加工（押印加工）によって成形され、厚さは図
４（ａ）に示されているように５〜２０μｍに設定され
ている。放熱体２１のヘッダ部２２の表面にはニッケル
（Ｎｉ）等のメッキ被膜３８が被着されており、メッキ
被膜３８の膜厚にはばらつきが発生した状態になってい
る。

【００２１】以上のように構成されている放熱体２１
は、前記構成に係る単位リードフレーム１２に図５に示
されているように組み付けられる。すなわち、放熱体２
１の上に単位リードフレーム１２が放熱体２１のペレッ
ト２６に単位リードフレーム１２のペレット配置空所１
５が一致された状態で重ねられるとともに、放熱体２１
の両リードフレーム連結部３５、３５の突起３６、３６
が単位リードフレーム１２の両放熱体連結部１９、１９
の連結孔２０、２０にそれぞれ嵌入される。この状態に
おいて、放熱体２１と単位リードフレーム１２とはリー
ドフレーム連結部３５が規定する間隙を置いて対向する
ように重ね合わされた状態になる。また、インナリード
１７群の先端部はペレット２６の三辺を取り囲んだ状態
になる。次いで、突起３６は適宜かしめ加工される。

【００２２】以上のように放熱体２１が単位リードフレ
ーム１２に組み付けられた後に、図５に示されているよ
うに、各インナリード１７の先端部とペレット２６の各
電極パッド２６ａとの間にはワイヤ３９が、両端部をワ
イヤボンディングされてそれぞれ橋絡される。これによ
り、ペレット２６に作り込まれた集積回路は各電極パッ
ド２６ａ、ワイヤ３９およびインナリード１７を通じて
アウタリード１８に電気的に引き出されることになる。

【００２３】以上のようにしてワイヤボンディングされ
た多連リードフレーム１１および放熱体２１の組立体に
は樹脂封止体が、図６〜図８に示されているトランスフ
ァ成形装置５０によって成形される。

【００２４】図６〜図８に示されているトランスファ成
形装置５０は型締め装置（図示せず）等により互いに型
合わせされる上型５１と下型５２とを備えている。上型
５１と下型５２との合わせ面には互いに協働してキャビ
ティー５３を形成する上型キャビティー凹部５３ａおよ
び下型キャビティー凹部５３ｂが複数組、一方向に整列
されてそれぞれ没設されている。図７に示されているよ
うに、下型５２の合わせ面にはポット５４が開設されて
おり、ポット５４にはシリンダ装置（図示せず）によっ
て上下駆動されるプランジャ５５が進退自在に嵌入され
ている。図６に示されているように、上型５１の合わせ
面にはカル５６がポット５４に対向されて没設されてお
り、ランナ５７がカル５６に一端を接続されて没設され
ている。ランナ５７の他端は上型キャビティー凹部５３
ａにおける一方の短辺の側面に開設されたゲート５８に
接続されている。

【００２５】上型５１の合わせ面における上型キャビテ
ィー凹部５３ａ、カル５６およびランナ５７の部分に
は、合わせ面間を全体にわたって均一に密着させるため
の上型面圧部５９ａが相対的に突設されている。下型５
２の合わせ面における下型キャビティー凹部５３ｂ、ポ
ット５４およびランナ５７に対向する部分には、上型面
圧部５９ａと協働して合わせ面間を全体にわたって均一
に密着させるための下型面圧部５９ｂが相対的に突設さ
れている。上型面圧部５９ａおよび下型面圧部５９ｂの
幅は多連リードフレーム１１および放熱体２１を強力に
押さえ付けるために狭く設定されている。

【００２６】樹脂封止体が樹脂成形される際に、多連リ
ードフレーム１１と放熱体２１との組立体は下型５２の
上に、各ペレット２６が各下型キャビティー凹部５３ｂ
内の略中央部に位置するようにセットされる。続いて、
成形材料としての樹脂が突き固められたタブレットがポ
ット５４に投入され、上型５１と下型５２とが図８に示
されているように型締めされると、多連リードフレーム
１１および放熱体２１は上型面圧部５９ａと下型面圧部
５９ｂによって強力に押さえ付けられた状態になる。

【００２７】タブレットがヒータによって加熱されて溶
融し液状の樹脂（以下、レジンという。）６１になる
と、レジン６１がプランジャ５５によってポット５４か
ら押し出され、ランナ５７を通じてゲート５８からキャ
ビティー５３にそれぞれ充填される。キャビティー５３
に充填されたレジン６１は放熱体２１に没設された保持
凹部としての内側溝３０、外側溝３１および保持穴３３
の内部にそれぞれ充填して保持された状態になり、さら
に、溝内係止部３２および穴内係止部３４が外側溝３１
および保持穴３３に充填した樹脂に投錨して形状結合し
た状態になる。また、外側係止部２７および内側係止部
２９は放熱体２１の側面において樹脂内に投錨して形状
結合した状態になる。

【００２８】キャビティー５３に充填されたレジン６１
が熱硬化されると、図１に示されている樹脂封止体４０
が成形された状態になる。その後、上型５１と下型５２
とが型開きされるとともに、キャビティー５３によって
成形された樹脂封止体４０がキャビティー５３から離型
される。

【００２９】以上のようにして成形された樹脂封止体４
０には、ペレット２６、インナリード１７群、ワイヤ３
９および放熱体２１の搭載部２４が樹脂封止された状態
になる。アウタリード１８群は樹脂封止体４０の一側面
から一列に整列された状態で突出された状態になってお
り、ペレット２６の集積回路はワイヤ３９群およびイン
ナリード１７群を通じてアウタリード１８群に引き出さ
れた状態になっている。放熱体２１のヘッダ部２２はア
ウタリード１８群と反対側の側面において樹脂封止体４
０から突出した状態になっており、搭載部２４の裏面は
樹脂封止体４０の裏面において露出した状態になってい
る。

【００３０】その後、リード切断工程（図示せず）にお
いて、多連リードフレーム１１の外枠１３、セクション
枠１４およびダム１６ａ並びにリードフレーム連結部３
５が切り落とされる。以上のようにして図１に示されて
いるパワーＩＣ１が製造されたことになる。

【００３１】ところで、図４（ａ）に示されているよう
に、放熱体２１のヘッダ部２２の上面に被着されたメッ
キ被膜３８の膜厚にばらつきが発生していると、図４
（ｂ）に想像線で示されているように、樹脂封止体の成
形時に上型面圧部５９ａがヘッダ部２２のメッキ被膜３
８に押し付けられた状態において隙間６２が発生し、こ
の隙間６２からレジン６１が漏洩するため、ヘッダ部２
２の上面における樹脂封止体４０の外縁に薄い樹脂バリ
が発生することがある。

【００３２】しかし、本実施形態においては、塑性変形
許容溝３７群が放熱体２１のヘッダ部２２の上面におけ
る樹脂封止体４０の外縁に沿って一列に没設されている
ため、レジン６１が漏洩するのを次の原理によって防止
することができる。

【００３３】すなわち、図４（ａ）に示されているよう
に膜厚にばらつきが発生したメッキ被膜３８に上型面圧
部５９ａが押し付けられると、膜厚の厚い部分が強力に
押される状態になる。塑性変形許容溝３７が形成されて
いない場合には、膜厚の厚い部分が強力に押されても塑
性変形することができないため、図４（ｂ）に示されて
いるように、厚さの厚い部分と薄い部分との段差によっ
て隙間６２が形成されてしまう。これに対して、塑性変
形許容溝３７が形成されている場合には、図４（ｃ）お
よび図８（ｃ）に示されているように、塑性変形許容溝
３７が塑性変形することによってメッキ被膜３８および
放熱体２１の塑性変形が許容されるため、上型面圧部５
９ａはメッキ被膜３８すなわちヘッダ部２２の上面に全
体にわたって隙間なく密着した状態になる。したがっ
て、レジン６１がキャビティー５３から漏洩するのが防
止され、ヘッダ部２２の上面における樹脂封止体４０の
外縁に薄い樹脂バリが発生することが防止される。

【００３４】前記実施形態によれば、次の効果が得られ
る。

【００３５】1) 放熱体のヘッダ部の上面における樹脂
封止体の外縁に沿って塑性変形許容溝を没設することに
より、メッキ被膜および放熱体の塑性変形を許容し上型
面圧部をメッキ被膜すなわちヘッダ部の上面に全体にわ
たって隙間なく密着させることができるため、レジンが
キャビティーから漏洩するのを防止することができ、ヘ
ッダ部の上面における樹脂封止体の外縁に薄い樹脂バリ
が発生するのを防止することができる。

【００３６】2) メッキ被膜が被着されたヘッダ部に樹
脂バリが発生するのを防止することにより、放熱体に対
するメッキ処理を樹脂封止体成形以前に実施することが
できるため、樹脂封止体成形後に実施する場合に比べて
耐湿性や製造コスト等の点で有利になる。

【００３７】3) 塑性変形許容溝はプレス加工またはエ
ッチング加工によって放熱体と一体成形することができ
るため、製造コストの増加を抑制することができる。

【００３８】4) 放熱体に保持凹部としての内側溝およ
び外側溝を没設するとともに、外側溝に溝内係止部を突
設することにより、放熱体のヘッダ部および搭載部の上
に乗っかった部分における樹脂封止体の樹脂が内側溝お
よび外側溝の内部にそれぞれ充填して保持された状態に
なり、しかも、溝内係止部が外側溝に充填した樹脂に投
錨して形状結合した状態になるため、樹脂封止体が放熱
体から剥離するのを確実に防止することができ、温度サ
イクル加速試験において樹脂封止体と放熱体との間で剥
離が発生し易くなるのを回避することができる。

【００３９】5) 放熱体に保持凹部としての保持穴を没
設するとともに、保持穴に穴内係止部を突設することに
より、放熱体のヘッダ部および搭載部の上に乗っかった
部分における樹脂封止体の樹脂が保持穴の内部にそれぞ
れ充填して保持された状態になり、しかも、穴内係止部
が保持穴に充填した樹脂に投錨して形状結合した状態に
なるため、樹脂封止体が放熱体から剥離するのを確実に
防止することができ、温度サイクル加速試験において樹
脂封止体と放熱体との間で剥離が発生し易くなるのを回
避することができる。

【００４０】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４１】例えば、塑性変形許容溝は断続的に形成す
るに限らず、一連に形成してもよい。また、塑性変形許
容溝の断面形状は長方形に形成するに限らず、Ｖ字形や
Ｕ字形、Ｗ字形等に形成してもよい。

【００４２】放熱体にメッキ被膜が被着された場合に限
らず、放熱体の板厚自体にばらつきが有る場合にも有効
である。

【００４３】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるパワー
ＩＣに適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、その他のＩＣやパワートランジスタ
等の放熱体の一部が樹脂封止体によって樹脂封止されて
いる半導体装置全般に適用することができる。

【００４４】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００４５】放熱体に塑性変形許容溝を樹脂封止体の外
縁に沿って没設することにより、樹脂封止体の成形に際
してレジンがキャビティーから漏洩するのを防止するこ
とができるため、放熱体と樹脂封止体との接触面に薄い
樹脂バリが発生するのを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態であるパワーＩＣを示して
おり、（ａ）は一部切断正面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−
ｂ線に沿う側面断面図である。

【図２】本発明の一実施形態であるパワーＩＣの製造方
法に使用される多連リードフレームを示す平面図であ
る。

【図３】同じく放熱体を示しており、（ａ）は平面図、
（ｂ）および（ｃ）は溝内係止部の成形工程を示す各拡
大部分断面図、（ｄ）および（ｅ）は穴内係止部の成形
工程を示す各拡大部分断面図である。

【図４】放熱体の塑性変形許容溝部の各拡大図であり、
（ａ）はメッキ被膜のばらつきを示し、（ｂ）は樹脂封
止体成形の隙間の発生を示し、（ｃ）は樹脂封止体成形
時の塑性変形を示している。

【図５】リードフレームと放熱体の組立体を示す一部省
略平面図である。

【図６】トランスファ成形装置の上型を示しており、
（ａ）は一部省略底面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に
沿う断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う断面図で
ある。

【図７】同じく下型を示しており、（ａ）は一部省略平
面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図、（ｃ）
は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う断面図である。

【図８】樹脂封止体成形工程を示しており、（ａ）は一
部省略正面断面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は
（ｂ）のｃ部の拡大図である。

【符号の説明】

１…パワーＩＣ（半導体装置）、１１…多連リードフレ
ーム、１２…単位リードフレーム、１３…外枠、１４…
セクション枠、１５…ペレット配置空所、１６…ダム部
材、１６ａ…ダム、１７…インナリード、１８…アウタ
リード、１９…放熱体連結部、２０…連結孔、２１…放
熱体、２２…ヘッダ部、２３…取付孔、２４…搭載部、
２５…ボンディング層、２６…ペレット（半導体ペレッ
ト）、２７…外側係止部、２８…切欠部、２９…内側係
止部、３０…内側溝（保持凹部）、３１…外側溝（保持
凹部）、３２…溝内係止部（係止部）、３３…保持穴
（保持凹部）、３４…穴内係止部（係止部）、３５…リ
ードフレーム連結部、３６…突起、３７…塑性変形許容
溝、３８…メッキ被膜、３９…ワイヤ、４０…樹脂封止
体、５０…トランスファ成形装置、５１…上型、５２…
下型、５３…キャビティー、５３ａ…上型キャビティー
凹部、５３ｂ…下型キャビティー凹部、５４…ポット、
５５…プランジャ、５６…カル、５７…ランナ、５８…
ゲート、５９ａ上型面圧部、５９ｂ…下型面圧部、６１
…レジン、６２…隙間。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 嘉治 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業本部内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA06 DA07 DA08 DB03 EC01 FA04 FA10 GA05 5F036 AA01 BB03 BC06 BE03

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子回路が作り込まれた半導体ペレット
   と、半導体ペレットがボンディングされた放熱体と、半
   導体ペレットに電気的に接続された複数本のインナリー
   ドと、各インナリードにそれぞれ連結されたアウタリー
   ド群と、前記半導体ペレット、前記インナリード群およ
   び前記放熱体の一部を樹脂封止した樹脂封止体とを備え
   ている半導体装置において、前記放熱体の露出面におけ
   る前記樹脂封止体の近傍に塑性変形許容溝が没設されて
   いることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記塑性変形許容溝が前記樹脂封止体の
   外周縁に沿って断続的に並べられていることを特徴とす
   る請求項１に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記塑性変形許容溝が前記樹脂封止体の
   外周縁に沿って一連に形成されていることを特徴とする
   請求項１に記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記塑性変形許容溝の深さは、５〜２０
   μｍに設定されていることを特徴とする請求項１、２ま
   たは３に記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 前記放熱体にメッキ被膜が被着されてい
   ることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の
   半導体装置。
6. 【請求項６】 請求項１に記載の半導体装置の製造方法
   であって、前記放熱体の製造工程において、前記放熱体
   における前記樹脂封止体が成形される近傍に前記塑性変
   形許容溝が没設されることを特徴とする半導体装置の製
   造方法。
7. 【請求項７】 前記塑性変形許容溝がプレス加工によっ
   て形成されることを特徴とする請求項６に記載の半導体
   装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記放熱体にメッキ被膜が被着されるこ
   とを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置の
   製造方法。
9. 【請求項９】 請求項１に記載の半導体装置の製造方法
   に使用される放熱体であって、前記樹脂封止体が成形さ
   れる近傍に前記塑性変形許容溝が没設されることを特徴
   とする放熱体。