JP2000219676A

JP2000219676A - カルバゾール誘導体、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体

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Publication number: JP2000219676A
Application number: JP11023262A
Authority: JP
Inventors: Masatada Watanabe; 征正渡辺; Hirobumi Kawaguchi; 博文川口
Original assignee: Kyocera Mita Corp
Current assignee: Kyocera Document Solutions Inc
Priority date: 1999-01-29
Filing date: 1999-01-29
Publication date: 2000-08-08

Abstract

(57)【要約】【課題】電荷輸送剤として好適な新規な化合物、その
製造方法および従来に比べて感度が向上した電子写真感
光体を提供する。【解決手段】本発明のカルバゾール誘導体（電荷輸送
剤）は下記一般式(1) で表されるものであって、カルバ
ゾールをフィルスマイヤー法によってホルミル化し、こ
れにトリフェニルアミン誘導体のホスホン酸エステルを
反応させることによって得られる。本発明の電子写真感
光体は、カルバゾール誘導体(1) を含有する感光層を導
電性基体上に設けたものである。【化１】（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁷は同一または異なってアルキル基等
を示す。ｍ、ｎ、ｑおよびｒは０〜５、ｐおよびｓは０
〜４の整数を示す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、優れた電荷輸送能
を有するカルバゾール誘導体、その製造方法および前記
カルバゾール誘導体を含有した、静電式複写機、ファク
シミリ、レーザービームプリンタ等の画像形成装置に用
いられる電子写真感光体に関する。

【０００２】

【従来の技術】上記画像形成装置においては、当該装置
に用いられる光源の波長領域に感度を有する種々の有機
感光体が使用されている。この有機感光体は、従来の無
機感光体に比べて製造が容易であり、電荷輸送剤、電荷
発生剤、結着樹脂等の感光体材料の選択肢が多様で、機
能設計の自由度が高いという利点を有することから、近
年、広く用いられている。

【０００３】有機感光体には、電荷輸送剤を電荷発生剤
とともに同一の感光層中に分散させた単層型感光体と、
電荷発生剤を含有する電荷発生層と電荷輸送剤を含有す
る電荷輸送層とを積層した積層型感光体とがある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記有機感光体に使用
される電荷輸送剤として、特開平７−２４４３８９号公
報および特開昭５０−３１７７３号公報には、一般式
(6) ：

【０００５】

【化５】

【０００６】（式中、Ｒ^A、Ｒ^B、Ｒ^C、Ｒ^DおよびＲ
^Eは水素原子、アルキル基等を示す。）で表されるスチ
ルベン誘導体が開示されている。しかし、上記公報に開
示のスチルベン誘導体(6) のうち、上記公報に具体的に
開示されている化合物はバインダー樹脂との相溶性が乏
しいため、感光層中に均一に分散されにくく、電荷移動
が生じにくくなるという問題がある。

【０００７】従って、上記スチルベン誘導体(6) 自体は
高い電荷移動度を有するにもかかわらず、これを電荷輸
送剤として感光体に使用したときにはその特性が十分に
発揮できず、残留電位が高く、光感度が不十分な感光体
しか得られない。そこで本発明の目的は、上記の技術的
な問題を解決し、電子写真感光体の電荷輸送剤として好
適に用いることのできる新規な化合物と、その製造方法
とを提供することである。

【０００８】本発明の他の目的は、従来に比べて感度が
向上した電子写真感光体を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために検討を重ねた結果、カルバゾールの３
位および６位の２ヶ所に、それぞれビニレン基を介して
トリフェニルアミンが結合した構造からなる化合物は、
前記公報に開示のスチルベン誘導体(6) に比べてバイン
ダー樹脂との相溶性が優れており、電荷移動度が大き
く、かつ電荷発生剤からの電荷の注入性に優れていると
いう全く新たな事実を見出し、本発明を完成するに至っ
た。

【００１０】すなわち、本発明のカルバゾール誘導体
は、一般式(1) ：

【００１１】

【化６】

【００１２】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶およびＲ⁷は同一または異なって、置換基を有して
もよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、
置換基を有してもよいアラルキル基または置換基を有し
てもよいアルコキシ基を示す。ｍ、ｎ、ｑおよびｒは同
一または異なって０〜５の整数を示し、ｐおよびｓは同
一または異なって０〜４の整数を示す。）で表されるこ
とを特徴とする。

【００１３】上記一般式(1) で表される本発明のカルバ
ゾール誘導体は、バインダー樹脂との相溶性が高く、電
荷移動度が大きく、かつ電荷発生剤からの電荷の注入性
に優れている。従って、かかる本発明のカルバゾール誘
導体(1) を電子写真感光体における電荷（正孔）輸送剤
として使用することにより、従来のものより高感度の電
子写真感光体を提供することができる。

【００１４】また、本発明者らは、前記カルバゾール誘
導体(1) の出発原料である下記カルバゾールのホルミル
体(2) についての製造方法を検討した。その結果、下記
Ｎ−置換カルバゾール(4) をフィルスマイヤー(Vilsmei
er) 法によってホルミル化すれば、カルバゾール環の３
位と６位のみがホルミル化されて、前記ホルミル体(2)
を効率よく製造することができ、ひいてはカルバゾール
誘導体(1) の生産性の向上につながるという新たな事実
を見出した。

【００１５】すなわち、本発明のカルバゾール誘導体
(1) の製造方法は、一般式(2) ：

【００１６】

【化７】

【００１７】（式中、Ｒ⁷は置換基を有してもよいアル
キル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有
してもよいアラルキル基または置換基を有してもよいア
ルコキシ基を示す。）で表されるカルバゾールのホルミ
ル体に、一般式(3) ：

【００１８】

【化８】

【００１９】（式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は同一また
は異なって、置換基を有してもよいアルキル基、置換基
を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラ
ルキル基または置換基を有してもよいアルコキシ基を示
す。ｍおよびｎは同一または異なって０〜５の整数を示
し、ｐは０〜４の整数を示す。）で表されるトリフェニ
ルアミン誘導体のホスホン酸エステルを反応させること
を特徴とする。

【００２０】かかる本発明の製造方法に使用するカルバ
ゾールのホルミル体(2) は、一般式(4) ：

【００２１】

【化９】

【００２２】（式中、Ｒ⁷は置換基を有してもよいアル
キル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有
してもよいアラルキル基または置換基を有してもよいア
ルコキシ基を示す。）で表されるＮ−置換カルバゾール
をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化す
ることによって得られる。

【００２３】前記Ｎ−置換カルバゾール(4) をフィルス
マイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化させると、カ
ルバゾール誘導体(1) の原料である、３位と６位のみが
ホルミル化されたカルバゾール(2) を高収率で製造する
ことができる。その理由は明らかではないが、前記化合
物(4) の１、３、６および８位は２、４、５および７位
に比べて求核性が高く、さらに３位および６位は１位お
よび８位に比べて立体障害が少ないことから、３位およ
び６位の反応性が高くなり、その結果、３位および６位
が優先的にホルミル化されるものと推測される。

【００２４】また、本発明の電子写真感光体は、導電性
基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、前記
感光層が、上記一般式(1) で表されるカルバゾール誘導
体を含有することを特徴とする。本発明の電子写真感光
体は、上記一般式(1) で表されるカルバゾール誘導体を
感光層中に含有することから、電荷発生剤で発生した電
荷（正孔）を輸送する速度が速く（すなわち電荷移動度
が大きく）、帯電および露光時の光感度が優れている。
従って、本発明の電子写真感光体によれば、従来のスチ
ルベン誘導体を正孔輸送剤として使用した電子写真感光
体よりも高い感度が得られる。

【００２５】前記感光層は、上記一般式(1) で表される
カルバゾール誘導体とともに、電荷発生剤と電子輸送剤
とを含有する単層型の感光層であるのが好ましい。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。《カルバゾール誘導体》前記一般式(1) で表されるカル
バゾール誘導体において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ
⁵、Ｒ⁶およびＲ⁷に相当するアルキル基としては、例
えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブ
チル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル等の基が挙げられ
る。中でも、炭素数が１〜４の基であるのが好ましい。

【００２７】また、前記アルキル基は置換基を有してい
てもよい。置換基を有するアルキル基としては、例えば
ヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アミノ
アルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキ
ルアミノアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコ
キシカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、ア
ルカノイルオキシアルキル基等が挙げられる。

【００２８】とりわけ、本発明のカルバゾール誘導体
(1) においては、電荷移動度を高めるという観点から、
前記アルキル基がアルコキシ基、アミノ基、モノアルキ
ルアミノ基、ジアルキルアミノ基等の電子供与性基を有
するのが好ましい。上記ヒドロキシアルキル基として
は、例えばヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、
１，１−ジメチル−２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロ
キシプロピル、４−ヒドロキシブチル、２−ヒドロキシ
ブチル、１−ヒドロキシペンチル、６−ヒドロキシへキ
シル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６のヒドロキシ
アルキル基が挙げられる。

【００２９】上記アルコキシアルキル基としては、例え
ばメトキシメチル、メトキシエチル、メトキシブチル、
エトキシメチル、エトキシへキシル、ブトキシエチル、
ｔ−ブトキシへキシル、ヘキシルオキシメチル等の、ア
ルキル部分およびアルコキシ部分の炭素数がいずれも１
〜６であるアルコキシアルキル基が挙げられる。上記ア
ミノアルキル基としては、例えばアミノメチル、アミノ
エチル、アミノプロピル、アミノブチル、アミノヘキシ
ル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるアミノア
ルキル基が挙げられる。

【００３０】上記モノアルキルアミノアルキル基として
は、例えばメチルアミノメチル、エチルアミノメチル、
ヘキシルアミノメチル、エチルアミノエチル、ヘキシル
アミノエチル、メチルアミノプロピル、ブチルアミノプ
ロピル、メチルアミノブチル、エチルアミノブチル、ヘ
キシルアミノブチル、メチルアミノヘキシル、エチルア
ミノヘキシル、ブチルアミノヘキシル、ヘキシルアミノ
ヘキシル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるア
ルキルアミノアルキル基が挙げられる。

【００３１】上記ジアルキルアミノアルキル基として
は、例えばジメチルアミノメチル、ジエチルアミノエチ
ル、ジヘキシルアミノメチル、ジエチルアミノエチル、
ジヘキシルアミノエチル、ジメチルアミノプロピル、ジ
ブチルアミノプロピル、ジメチルアミノブチル、ジエチ
ルアミノブチル、ジヘキシルアミノブチル、ジメチルア
ミノヘキシル、ジエチルアミノヘキシル、ジブチルアミ
ノヘキシル、ジヘキシルアミノへキシル等の、アルキル
部分の炭素数が１〜６であるジアルキルアミノアルキル
基が挙げられる。

【００３２】上記ハロゲン置換アルキル基としては、例
えばモノクロロメチル、モノブロモメチル、モノヨード
メチル、モノフルオロメチル、ジクロロメチル、ジブロ
モメチル、ジヨードメチル、ジフルオロメチル、トリク
ロロメチル、トリブロモメチル、トリヨードメチル、ト
リフルオロメチル、モノクロロエチル、モノブロモエチ
ル、モノヨードエチル、モノフルオロエチル、ジブロモ
ブチル、ジヨードブチル、ジフルオロブチル、クロロへ
キシル、ブロモへキシル、ヨードへキシル、フルオロへ
キシル等の、１〜３個のハロゲン原子が置換した炭素数
１〜６のアルキル基が挙げられる。

【００３３】上記アルコキシカルボニルアルキル基とし
ては、例えばメトキシカルボニルメチル、メトキシカル
ボニルエチル、メトキシカルボニルへキシル、エトキシ
カルボニルメチル、エトキシカルボニルエチル、プロポ
キシカルボニルメチル、イソプロポキシカルボニルメチ
ル、ブトキシカルボニルメチル、ペンチルオキシカルボ
ニルメチル、ヘキシルカルボニルメチル、ヘキシルカル
ボニルブチル、ヘキシルカルボニルへキシル等の、アル
キル部分およびアルコキシ部分のいずれも炭素数が１〜
６であるアルコキシカルボニルアルキル基が挙げられ
る。

【００３４】上記カルボキシアルキル基としては、例え
ばカルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブ
チル、カルボキシへキシル、１−メチル−２−カルボキ
シエチル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるカ
ルボキシアルキル基が挙げられる。上記アルカノイルオ
キシアルキル基としては、例えばアセトキシメチル、２
−アセトキシエチル、プロピオニルオキシメチル、１−
ヘキサノイルオキシ−２−メチルペンチル等の、炭素数
２〜６のアルカノイル部分と、炭素数１〜６のアルキル
部分とを有するアルカノイルオキシ基が挙げられる。

【００３５】Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶およ
びＲ⁷に相当するアリール基としては、例えばフェニ
ル、ナフチル、アントリル、フェナントリル等の基が挙
げられる。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶および
Ｒ⁷に相当するアラルキル基としては、例えばベンジ
ル、１−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−
フェニルブチル、５−フェニルペンチル、６−フェニル
ヘキシル等の基が挙げられる。中でも、アルキル部分の
炭素数が１〜６の基であるのが好ましい。

【００３６】上記アリール基およびアラルキル基は置換
基を有していてもよく、かかる置換基としては、例えば
ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、エステル化
されていてもよいカルボキシル基、シアノ基等のほか、
前述と同様の置換基を有してもよい炭素数１〜６のアル
キル基、置換基を有してもよい炭素数１〜６のアルコキ
シ基等が挙げられる。なお、これらの置換基の置換位置
については特に限定されない。

【００３７】Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶およ
びＲ⁷に相当するアルコキシ基としては、例えばメトキ
シ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオ
キシなどの基が挙げられる。中でも、アルキル部分の炭
素数が１〜６の基であるのが好ましい。また、上記アル
コキシ基は置換基を有していてもよく、かかる置換基と
しては、例えばハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル
基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基等の、前述
のアルキル基と同様の置換基が挙げられる。

【００３８】前記一般式(1) で表されるカルバゾール誘
導体において、置換基Ｒ¹の数を示すｍ、置換基Ｒ²の
数を示すｎ、置換基Ｒ⁴の数を示すｑおよび置換基Ｒ⁵
の数を示すｒは、それぞれ同一または異なって０〜５、
好ましくは０〜２を示す。また、置換基Ｒ³の数を示す
ｐおよび置換基Ｒ⁶の数を示すｓは、それぞれ同一また
は異なって０〜４、好ましくは０〜２を示す。ｍ，ｎ，
ｐ，ｑ，ｒまたはｓが２以上のとき、対応する置換基は
同一の基であるほか、異なる基であってもよい。すなわ
ち、例えばｍが２のとき、トリフェニルアミン部分の１
つのベンゼン間に２つのメチル基のように同一の基が置
換していてもよく、メチル基とエチル基のように異なる
基が置換していてもよい。

【００３９】本発明のカルバゾール誘導体は、上記一般
式(1) で表される化合物の中でもとりわけ、一般式
(1')：

【００４０】

【化１０】

【００４１】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、ｍ、ｎおよび
ｐは前記と同じである。）で表されるように、カルバゾ
ール環の両側にあるトリフェニルアミンにおける置換基
が同一であるのが、合成の容易さ、あるいはバインダー
樹脂との相溶性等の観点から好ましい。本発明のカルバ
ゾール誘導体(1) の具体例(1-1) 〜(1-11)における
Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶およびＲ⁷に相当
する置換基を下記の表１に示す。表１中、Ｍｅはメチル
基、Ｅｔはエチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｓ−
Ｂｕはｓｅｃ−ブチル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル
基、Ｐｈはフェニル基、Ｂｚｌはベンジル基、ＭｅＯは
メトキシ基をそれぞれ示す。また、置換基の前に示した
数字は、当該基の置換位置を示す。従って、例えば「２
−Ｍｅ」はトリフェニルアミン部分におけるフェニル基
の２位（オルト位）にメチル基が置換していることを示
し、「４−Ｍｅ」はフェニル基の４位（パラ位）にメチ
ル基が置換していることを示す。「２，３−Ｍｅ」はフ
ェニル基の２位および３位にそれぞれメチル基が置換し
ていることを示し、「２−Ｍｅ、６−Ｅｔ」はフェニル
基の２位にメチル基が、６位にエチル基がそれぞれ置換
していることを示し、「２、４、６−Ｍｅ」はフェニル
基の２、４および６位にそれぞれメチル基が置換してい
ることを示す。

【００４２】

【表１】

【００４３】また、本発明のカルバゾール誘導体(1) に
は、ビニレン基（−ＣＨ＝ＣＨ−）の両側にあるカルバ
ゾール環とトリフェニルアミン部分の配置の違いによっ
て、いわゆるシス（ｃｉｓ）体と、トランス（ｔｒａｎ
ｓ）体との２種の異性体が存在する。本発明において、
カルバゾール誘導体(1) のシス体、トランス体について
は特に限定されないが、通常トランス異性体を使用する
のが好ましい。

【００４４】《カルバゾール誘導体の製造方法》本発明
のカルバゾール誘導体(1) の合成方法を、前記一般式
(1')に示すように、Ｒ¹とＲ⁴、Ｒ²とＲ⁵およびＲ³
とＲ⁶の置換基がそれぞれ同一で、かつベンゼン環上の
置換位置も同一である場合を例にとって説明する。反応式(I) ：

【００４５】

【化１１】

【００４６】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁷、ｍ、ｎ
およびｐは前記と同じである。）一般式(1')で表される本発明のカルバゾール誘導体は、
上記反応式(I) に示すように、一般式(2) で表されるカ
ルバゾールのホルミル体と一般式(3) で表されるトリフ
ェニルアミン誘導体のホスホン酸エステルとを適当な無
水溶媒中、塩基の存在下で反応させることによって合成
される。

【００４７】上記合成反応に使用する溶媒としては、反
応に影響を及ぼさないものであればよく、例えばジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエー
テル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン
等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香
族炭化水素が挙げられる。塩基としては、ナトリウムメ
トキシド等のナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウ
ム等の金属水素化物が挙げられる。

【００４８】カルバゾールのホルミル体(2) に対する塩
基の使用量は２〜４倍モル量、好ましくは２〜２．５倍
モル量である。トリフェニルアミン誘導体のホスホン酸
エステル(3) の使用量は、カルバゾールのホルミル体
(2) に対して２〜３倍モル量、好ましくは２〜２．５倍
モル量である。反応は、通常−１０〜２５℃で行われ、
３〜１２時間程度で終了する。

【００４９】なお、Ｒ¹、Ｒ³およびＲ⁵、あるいはＲ
²、Ｒ⁴およびＲ⁶が異なる基である場合には、カルバ
ゾールのホルミル体(2) におけるホルミル基の部分に適
宜保護基をつけて反応を行えばよい。カルバゾールのホ
ルミル体(2) は、下記反応式(II)に示すようにして合成
される。

【００５０】反応式(II)：

【００５１】

【化１２】

【００５２】（式中、Ｒ¹およびＲ²は前記と同じであ
る。）この反応は、カルバゾール(90)とハロゲン化物Ｒ⁷Ｘと
をテトラヒドロフラン中に加え、水素化ナトリウム等の
触媒とともに反応させることによってカルバゾール誘導
体(4) を得、次いでこのトリフェニルアミン誘導体(4)
をフィルスマイヤー法によりホルミル化することによ
り、上記反応式(I) の出発原料であるトリフェニルアミ
ンのホルミル体(2) を得るものである。

【００５３】カルバゾール(90)とハロゲン化物Ｒ⁷Ｘと
の使用割合は、モル比で１：０．８〜１：１．２であ
る。反応は、通常−１０〜６０℃で行われ、３〜１２時
間程度で終了する。前記フィルスマイヤー法に使用する
試薬（Vilsmeier 試薬）は、(i) オキシ塩化リン、ホス
ゲン、塩化オキサリル、塩化チオニル、トリフェニルホ
スフィン−臭素、ヘキサクロロトリホスファザトリエン
等のハロゲン化剤と、(ii)Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアニリド（ＭＦＡ）、
Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホル
ムアミド等との組合せにより調製される。特に本発明で
は、オキシ塩化リンと、溶媒としても使用できるＤＭＦ
との組み合わせが好適に用いられる。

【００５４】前記Vilsmeier 試薬の調製において、前記
(i) と(ii)との使用割合は、通常モル比で１：１〜１：
２、好ましくは１：１〜１：１．２である。上記 Vilsm
eier試薬の使用量は、Ｎ−置換カルバゾール(4) に対し
て２〜４倍モル量、好ましくは２〜２．５倍モル量であ
る。前記化合物(4) のホルミル化は、通常４０〜８０℃
で行われ、２〜５時間程度で終了する。

【００５５】トリフェニル誘導体のホスホン酸エステル
(3) は、下記反応式(III) に示すようにして合成され
る。反応式(III) ：

【００５６】

【化１３】

【００５７】この反応は、トリフェニルアミンのクロロ
メチル体(91)に亜リン酸トリエステルを無溶媒または適
当な溶媒中にて反応させることにより、上記反応式(I)
の出発原料であるトリフェニルアミン誘導体のホスホン
酸エステル(3) を得るものである。その際、第三級アミ
ンを添加すると、反応系からハロゲン化アルキルが除去
され、反応が促進する。

【００５８】上記反応に使用する溶媒としては、反応に
影響を及ぼさないものであればよく、例えばジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル
類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等の
ハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭
化水素、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。上記第
三級アミンとしては、例えばトリエチルアミン、トリブ
チルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジ
ン等が挙げられる。

【００５９】トリフェニルアミンのクロロメチル体(91)
に対する亜リン酸トリエステルの使用量は、少なくとも
等モル量、好ましくは１〜１．２倍モル量である。反応
は、通常８０〜１５０℃で行われ、１〜４時間程度で終
了する。上記一般式(1) で表されるカルバゾール誘導体
は、前述のように電荷移動度が大きく、すなわち高い正
孔輸送能を有することから、電子写真感光体における正
孔輸送剤として好適に使用されるほか、太陽電池、エレ
クトロルミネッセンス素子等での種々の分野での利用が
可能である。

【００６０】《電子写真感光体》本発明の電子写真感光
体は、前記一般式(1) で表されるカルバゾール誘導体を
含有した感光層を、導電性基体上に設けたものである。
感光体には、前述のように単層型と積層型とがあるが、
本発明はこのいずれにも適用可能である。単層型感光体
は、導電性基体上に単一の感光層を設けたものである。
この感光層は、一般式(1) で表されるカルバゾール誘導
体（正孔輸送剤）、電荷発生剤、結着樹脂、さらに必要
に応じて電子輸送剤を適当な溶媒に溶解または分散さ
せ、得られた塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させ
ることで形成される。かかる単層型感光体は、単独の構
成で正負いずれの帯電型にも適用可能であるとともに、
層構成が簡単で生産性に優れている。

【００６１】本発明の単層型電子写真感光体は、前述の
特開平７−２４４３８９号公報および特開昭５０−３１
７７３号公報に開示されているスチルベン誘導体を正孔
輸送剤として使用して得られる単層型電子写真感光体に
比べて、感光体の残留電位が大きく低下しており、感度
が向上している。また、本発明の単層型電子写真感光体
の感光層に、さらに電子輸送剤を含有させたときは、電
荷発生剤と正孔輸送剤との電子の授受が効率よく行われ
るようになり、感光体の感度がより一層向上する。

【００６２】一方、積層型感光体は、まず導電性基体上
に、蒸着または塗布等の手段によって、電荷発生剤を含
有する電荷発生層を形成し、次いでこの電荷発生層上
に、一般式(1) で表されるカルバゾール誘導体（正孔輸
送剤）の少なくとも１種と結着樹脂とを含む塗布液を塗
布し、乾燥させて電荷輸送層を形成することによって作
製される。また、上記とは逆に、導電性基体上に電荷輸
送層を形成し、その上に電荷発生層を形成してもよい。
但し、電荷発生層は電荷輸送層に比べて膜厚がごく薄い
ため、その保護のためには、導電性基体上に電荷発生層
を形成し、その上に電荷輸送層を形成するのが好まし
い。

【００６３】積層型感光体は、上記電荷発生層および電
荷輸送層の形成順序と、電荷輸送層に使用する電荷輸送
剤の種類によって、正負いずれの帯電型となるかが選択
される。例えば、上記のように、導電性基体上に電荷発
生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成した場合にお
いて、電荷輸送層における電荷輸送剤として、本発明の
カルバゾール誘導体(1) のような正孔輸送剤を使用した
場合には、感光体は負帯電型となる。この場合、電荷発
生層には電子輸送剤を含有させてもよい。

【００６４】本発明の積層型電子写真感光体は、前述の
特開平７−２４４３８９号公報および特開昭５０−３１
７７３号公報に開示されているスチルベン誘導体を正孔
輸送剤として使用して得られる積層型電子写真感光体に
比べて、感光体の残留電位が大きく低下しており、感度
が向上している。前述のように、本発明の電子写真感光
体は、単層型および積層型のいずれにも適用できるが、
特に正負いずれの帯電型にも使用できること、構造が簡
単で製造が容易であること、層を形成する際の被膜欠陥
を抑制できること、層間の界面が少なく、光学的特性を
向上できること等の観点から、単層型が好ましい。

【００６５】次に、本発明の電子写真感光体に用いられ
る種々の材料について説明する。《電荷発生剤》本発明に用いられる電荷発生剤として
は、例えば下記の一般式(CG1) 〜(CG12)で表される化合
物があげられる。 (CG1) 無金属フタロシアニン

【００６６】

【化１４】

【００６７】(CG2) オキソチタニルフタロシアニン

【００６８】

【化１５】

【００６９】(CG3) ペリレン顔料

【００７０】

【化１６】

【００７１】（式中、Ｒ^g1およびＲ^g2は同一または異な
って、炭素数が１８以下の置換または未置換のアルキル
基、シクロアルキル基、アリール基、アルカノイル基ま
たはアラルキル基を示す。） (CG4) ビスアゾ顔料

【００７２】

【化１７】

【００７３】〔式中、Ｃｐ¹およびＣｐ²は同一または
異なってカップラー残基を示し、Ｑは次式：

【００７４】

【化１８】

【００７５】（式中、Ｒ^g3は水素原子、アルキル基、ア
リール基または複素環式基を示し、アルキル基、アリー
ル基または複素環式基は置換基を有していてもよい。ω
は０または１を示す。）

【００７６】

【化１９】

【００７７】（式中、Ｒ^g4およびＲ^g5は同一または異な
って、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ハロゲン
原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキル基を
示す。）

【００７８】

【化２０】

【００７９】（式中、Ｒ^g6は水素原子、エチル基、クロ
ロエチル基またはヒドロキシエチル基を示す。）

【００８０】

【化２１】

【００８１】または

【００８２】

【化２２】

【００８３】（式中、Ｒ^g7、Ｒ^g8およびＲ^g9は同一また
は異なって、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ハ
ロゲン原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキ
ル基を示す。）で表される基を示す。〕 (CG5) ジチオケトピロロピロール顔料

【００８４】

【化２３】

【００８５】（式中、Ｒ^g10およびＲ^g11は同一または
異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基または
ハロゲン原子を示し、Ｒ^g12およびＲ^g13は同一または
異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示
す。） (CG6) 無金属ナフタロシアニン顔料

【００８６】

【化２４】

【００８７】（式中、Ｒ^g14、Ｒ^g15、Ｒ^g16およびＲ
^g17は同一または異なって、水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基またはハロゲン原子を示す。） (CG7) 金属ナフタロシアニン顔料

【００８８】

【化２５】

【００８９】（式中、Ｒ^g18、Ｒ^g19、Ｒ^g20およびＲ
^g21は同一または異なって、水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基またはハロゲン原子を示し、ＭはＴｉまたは
Ｖを示す。） (CG8) スクアライン顔料

【００９０】

【化２６】

【００９１】（式中、Ｒ^g22およびＲ^g23は同一または
異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基または
ハロゲン原子を示す。） (CG9) トリスアゾ顔料

【００９２】

【化２７】

【００９３】（式中、Ｃｐ³、Ｃｐ⁴およびＣｐ⁵は同
一または異なって、カップラー残基を示す。） (CG10)インジゴ顔料

【００９４】

【化２８】

【００９５】（式中、Ｒ^g24およびＲ^g25は同一または
異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示
し、Ｚは酸素原子または硫黄原子を示す。） (CG11)アズレニウム顔料

【００９６】

【化２９】

【００９７】（式中、Ｒ^g26およびＲ^g27は同一または
異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示
す。） (CG12)シアニン顔料

【００９８】

【化３０】

【００９９】（式中、Ｒ^g28およびＲ^g29は同一または
異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基または
ハロゲン原子を示し、Ｒ^g30およびＲ^g31は同一または
異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示
す。）上記例示の電荷発生剤において、アルキル基としては、
前述と同様な基のほか、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル等
の炭素数５〜６の基が含まれる。炭素数１８以下の置換
または未置換のアルキル基は、炭素数１〜６のアルキル
基に加えて、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ド
デシル、トリデシル、ペンタデシル、オクタデシル等を
含む基である。

【０１００】シクロアルキル基としては、例えばシクロ
プロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキ
シル、シクロヘプチル、シクロオクチル等の炭素数３〜
８の基があげられる。アルコキシ基としては、例えばメ
トキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、
ｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキ
シ等の炭素数が１〜６の基があげられる。

【０１０１】アリール基としては、例えばフェニル、ナ
フチル、アントリル、フェナントリル等の基があげられ
る。アルカノイル基としては、例えばホルミル、アセチ
ル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル、ヘキサノ
イル等があげられる。ハロゲン原子としては、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素があげられる。複素環式基として
は、例えばチエニル、フリル、ピロリル、ピロリジニ
ル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イ
ソチアゾリル、イミダゾリル、２Ｈ−イミダゾリル、ピ
ラゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラニル、ピ
リジル、ピペリジル、ピペリジノ、３−モルホリニル、
モルホリノ、チアゾリル等があげられる。また、芳香族
環と縮合した複素環式基であってもよい。

【０１０２】上記基に置換してもよい置換基としては、
例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化さ
れてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６の
アルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基
を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があ
げられる。Ｃｐ¹、Ｃｐ²、Ｃｐ³、Ｃｐ⁴およびＣｐ
⁵で表されるカップラー残基としては、例えば下記一般
式(Cp-1)〜(Cp-11) に示す基があげられる。

【０１０３】

【化３１】

【０１０４】

【化３２】

【０１０５】各式中、Ｒ^g32は、カルバモイル基、スル
ファモイル基、アロファノイル基、オキサモイル基、ア
ントラニロイル基、カルバゾイル基、グリシル基、ヒダ
ントイル基、フタルアモイル基またはスクシンアモイル
基を示す。これらの基は、ハロゲン原子、置換基を有し
てもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル
基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アルケニル基、
カルボニル基、カルボキシル基等の置換基を有していて
もよい。

【０１０６】Ｒ^g33は、ベンゼン環と縮合して芳香族
環、多環式炭化水素または複素環を形成するのに必要な
原子団を示し、これらの環は前記と同様な置換基を有し
てもよい。Ｒ^g34は、酸素原子、硫黄原子またはイミノ
基を示す。Ｒ^g35は、２価の鎖式炭化水素基または芳香
族炭化水素基を示し、これらの基は前記と同様な置換基
を有してもよい。

【０１０７】Ｒ^g36は、アルキル基、アラルキル基、ア
リール基または複素環式基を表し、これらの基は前記と
同様な置換基を有してもよい。Ｒ^g37は、２価の鎖式炭
化水素基もしくは芳香族炭化水素基とともに、または上
記基(Cp-1)〜(Cp-11) 中の２つの窒素原子とともに複素
環を形成するのに必要な原子団を表し、これらの環は前
記と同様な置換基を有してもよい。

【０１０８】Ｒ^g38は、水素原子、アルキル基、アミノ
基、カルバモイル基、スルファモイル基、アロファノイ
ル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリ
ール基またはシアノ基を示し、水素原子以外の基は前記
と同様な置換基を有していてもよい。Ｒ^g39は、アルキ
ル基またはアリール基を示し、これらの基は前記と同様
な置換基を有してもよい。

【０１０９】アルケニル基としては、例えばビニル、ア
リル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−メチルアリ
ル、２−ペンテニル、２−ヘキセニル等の炭素数が２〜
６のアルケニル基があげられる。前記Ｒ^g33において、
ベンゼン環と縮合して芳香族環を形成するのに必要な原
子団としては、例えばメチレン、エチレン、トリメチレ
ン、テトラメチレン等の炭素数１〜４のアルキレン基が
あげられる。

【０１１０】上記Ｒ^g33とベンゼン環との縮合により形
成される芳香族環としては、例えばナフタリン環、アン
トラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン
環、ナフタセン環等があげられる。またＲ^g33におい
て、ベンゼン環と縮合して多環式炭化水素を形成するの
に必要な原子団としては、例えば上記炭素数１〜４のア
ルキレン基や、あるいはカルバゾール環、ベンゾカルバ
ゾール環、ジベンゾフラン環等があげられる。

【０１１１】またＲ^g33において、ベンゼン環と縮合し
て複素環を形成するのに必要な原子団としては、例えば
ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、インドリル、１
Ｈ−インドリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリ
ル、１Ｈ−インダドリル、ベンゾイミダゾリル、クロメ
ニル、クロマニル、イソクロマニル、キノリニル、イソ
キノリニル、シンノリニル、フタラジニル、キナゾニリ
ル、キノキサリニル、ジベンゾフラニル、カルバゾリ
ル、キサンテニル、アクリジニル、フェナントリジニ
ル、フェナジニル、フェノキサジニル、チアントレニル
等があげられる。

【０１１２】上記Ｒ^g33とベンゼン環との縮合により形
成される芳香族性複素環式基としては、例えばチエニ
ル、フリル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリ
ル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ピラ
ゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、チア
ゾリルがあげられる。また、さらに他の芳香族環と縮合
した複素環式基（例えばベンゾフラニル、ベンゾイミダ
ゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、キノ
リル等）であってもよい。

【０１１３】前記Ｒ^g35、Ｒ^g37において、２価の鎖式
炭化水素基としては、エチレン、トリメチレン、テトラ
メチレン等があげられ、２価の芳香族炭化水素基として
は、フェニレン、ナフチレン、フェナントリレン等があ
げられる。前記Ｒ^g36において、複素環式基としては、
ピリジル、ピラジル、チエニル、ピラニル、インドリル
等があげられる。

【０１１４】前記Ｒ^g37において、２つの窒素原子とと
もに複素環を形成するのに必要な原子団としては、例え
ばフェニレン、ナフチレン、フェナントリレン、エチレ
ン、トリメチレン、テトラメチレン等があげられる。上
記Ｒ^g37と、２つの窒素原子とにより形成される芳香族
性複素環式基としては、例えばベンゾイミダゾール、ベ
ンゾ［ｆ］ベンゾイミダゾール、ジベンゾ［ｅ，ｇ］ベ
ンゾイミダゾール、ベンゾピリミジン等があげられる。
これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。

【０１１５】前記Ｒ^g38において、アルコキシカルボニ
ル基としては、例えばメトキシカルボニル、エトキシカ
ルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル
等の基があげられる。本発明においては、上記例示の電
荷発生剤のほかに、例えばセレン、セレン−テルル、セ
レン−ヒ素、硫化カドミウム、アモルファスシリコン等
の無機光導電材料の粉末や、ピリリウム塩、アンサンス
ロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔
料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、キナクリド
ン系顔料等の従来公知の電荷発生剤を用いることができ
る。

【０１１６】また、上記例示の電荷発生剤は、所望の領
域に吸収波長を有するように、単独でまたは２種以上を
混合して用いられる。上記例示の電荷発生剤のうち、特
に半導体レーザー等の光源を使用したレーザービームプ
リンタやファクシミリ等のデジタル光学系の画像形成装
置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光
体が必要となるため、例えば前記一般式(CG1) で表され
る無金属フタロシアニンや一般式(CG2) で表されるオキ
ソチタニルフタロシアニン等のフタロシアニン系顔料が
好適に用いられる。なお、上記フタロシアニン系顔料の
結晶形については特に限定されず、種々のものを使用で
きる。

【０１１７】一方、ハロゲンランプ等の白色の光源を使
用した静電式複写機等のアナログ光学系の画像形成装置
には、可視領域に感度を有する感光体が必要となるた
め、例えば前記一般式(CG3) で表されるペリレン顔料や
一般式(CG4) で表されるビスアゾ顔料等が好適に用いら
れる。《正孔輸送剤》本発明の電子写真感光体においては、正
孔輸送剤である本発明のカルバゾール誘導体(1) ととも
に、従来公知の他の正孔輸送剤を感光層に含有させても
よい。

【０１１８】かかる正孔輸送剤としては、高い正孔輸送
能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(HT1) 〜
(HT13)で表される化合物等があげられる。

【０１１９】

【化３３】

【０１２０】（式中、Ｒ^h1、Ｒ^h2、Ｒ^h3、Ｒ^h4、Ｒ^h5お
よびＲ^h6は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基
を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアル
コキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示
す。ａおよびｂは同一または異なって０〜４の整数を示
し、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは同一または異なって０〜５の
整数を示す。但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆが２以
上のとき、各Ｒ^h1、Ｒ^h2、Ｒ^h3、Ｒ^h4、Ｒ^h5およびＲ^h6
は異なっていてもよい。）

【０１２１】

【化３４】

【０１２２】（式中、Ｒ^h7、Ｒ^h8、Ｒ^h9、Ｒ^h10および
Ｒ^h11は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を
有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコ
キシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。
ｇ、ｈ、ｉおよびｊは同一または異なって０〜５の整数
を示し、ｋは０〜４の整数を示す。但し、ｇ、ｈ、ｉ、
ｊまたはｋが２以上のとき、各Ｒ^h7、Ｒ^h8、Ｒ^h9、Ｒ
^h10およびＲ^h11は異なっていてもよい。）

【０１２３】

【化３５】

【０１２４】（式中、Ｒ^h12、Ｒ^h13、Ｒ^h14およびＲ
^h15は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキ
シ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。Ｒ
^h16はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキ
シ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。
ｍ、ｎ、ｏおよびｐは同一または異なって、０〜５の整
数を示す。ｑは０〜６の整数を示す。但し、ｍ、ｎ、
ｏ、ｐまたはｑが２以上のとき、各Ｒ^h12、Ｒ^h13、Ｒ
^h14、Ｒ^h15およびＲ ^h16は異なっていてもよい。）

【０１２５】

【化３６】

【０１２６】（式中、Ｒ^h17、Ｒ^h18、Ｒ^h19およびＲ
^h20は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキ
シ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。
ｒ、ｓ、ｔおよびｕは同一または異なって、０〜５の整
数を示す。但し、ｒ、ｓ、ｔまたはｕが２以上のとき、
各Ｒ^h17、Ｒ^h18、Ｒ^h19およびＲ^h20は異なっていて
もよい。）

【０１２７】

【化３７】

【０１２８】（式中、Ｒ^h21およびＲ^h22は同一または
異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基または
アルコキシ基を示す。Ｒ^h23、Ｒ^h24、Ｒ^h25およびＲ
^h26は同一または異なって、水素原子、アルキル基また
はアリール基を示す。）

【０１２９】

【化３８】

【０１３０】（式中、Ｒ^h27、Ｒ^h28およびＲ^h29は同
一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基またはアルコキシ基を示す。）

【０１３１】

【化３９】

【０１３２】（式中、Ｒ^h30、Ｒ^h31、Ｒ^h32およびＲ
^h33は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、
アルキル基またはアルコキシ基を示す。）

【０１３３】

【化４０】

【０１３４】（式中、Ｒ^h34、Ｒ^h35、Ｒ^h36、Ｒ^h37
およびＲ^h38は同一または異なって、水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）

【０１３５】

【化４１】

【０１３６】（式中、Ｒ^h39は水素原子またはアルキル
基を示し、Ｒ^h40、Ｒ^h41およびＲ^h4 ²は同一または異
なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはア
ルコキシ基を示す。）

【０１３７】

【化４２】

【０１３８】（式中、Ｒ^h43、Ｒ^h44およびＲ^h45は同
一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基またはアルコキシ基を示す。）

【０１３９】

【化４３】

【０１４０】（式中、Ｒ^h46およびＲ^h47は同一または
異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有しても
よいアルキル基または置換基を有してもよいアルコキシ
基を示す。Ｒ^h48およびＲ^h49は同一または異なって、
水素原子、置換基を有してもよいアルキル基または置換
基を有してもよいアリール基を示す。）

【０１４１】

【化４４】

【０１４２】（式中、Ｒ^h50、Ｒ^h51、Ｒ^h52、
Ｒ^h53、Ｒ^h54およびＲ^h55は同一または異なって、置
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を
示す。αは１〜１０の整数を示し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚ
およびβは同一または異なって０〜２の整数を示す。但
し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚまたはβが２のとき、各
Ｒ^h50、Ｒ^h51、Ｒ^h52、Ｒ^h53、Ｒ ^h54およびＲ^h55
は異なっていてもよい。）

【０１４３】

【化４５】

【０１４４】（式中、Ｒ^h56、Ｒ^h57、Ｒ^h58およびＲ
^h59は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、
アルキル基またはアルコキシ基を示し、Φは次式：

【０１４５】

【化４６】

【０１４６】で表される基（Φ−１）、（Φ−２）また
は（Φ−３）を示す。）上記例示の正孔輸送剤において、アルキル基、アルコキ
シ基、アリール基、アラルキル基およびハロゲン原子と
しては、前述と同様な基があげられる。上記基に置換し
てもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ
基、水酸基、エステル化されていてもよいカルボキシル
基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜
６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素
数２〜６のアルケニル基等があげられる。置換基の置換
位置については特に限定されない。

【０１４７】また本発明においては、上記例示の正孔輸
送剤(HT1) 〜(HT13)とともに、またはこれに代えて、従
来公知の正孔輸送物質、すなわち２，５−ジ（４−メチ
ルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等
のオキサジアゾール系化合物、９−（４−ジエチルアミ
ノスチリル）アントラセン等のスチリル系化合物、ポリ
ビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、有機ポ
リシラン化合物、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルア
ミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、ヒ
ドラゾン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、イン
ドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾ
ール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系
化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、
トリアゾール系化合物等の含窒素環式化合物、縮合多環
式化合物等を用いることもできる。

【０１４８】本発明において、正孔輸送剤は１種のみを
用いるほか、２種以上を混合して用いてもよい。また、
ポリビニルカルバゾール等の成膜性を有する正孔輸送剤
を用いる場合には、結着樹脂は必ずしも必要でない。《電子輸送剤》本発明に用いられる電子輸送剤として
は、高い電子輸送能を有する種々の化合物、例えば下記
の一般式(ET1) 〜(ET17)で表される化合物等があげられ
る。

【０１４９】

【化４７】

【０１５０】（式中、Ｒ^e1、Ｒ^e2、Ｒ^e3、Ｒ^e4およびＲ
^e5は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても
よいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、
置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよ
いアラルキル基、置換基を有してもよいフェノキシ基ま
たはハロゲン原子を示す。）

【０１５１】

【化４８】

【０１５２】（式中、Ｒ^e6はアルキル基、Ｒ^e7は置換基
を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアル
コキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を
有してもよいアラルキル基、ハロゲン原子またはハロゲ
ン化アルキル基を示す。γは０〜５の整数を示す。但
し、γが２以上のとき、各Ｒ^e7は互いに異なっていても
よい。）

【０１５３】

【化４９】

【０１５４】（式中、Ｒ^e8およびＲ^e9は同一または異な
って、アルキル基を示す。δは１〜４の整数を示し、ε
は０〜４の整数を示す。但し、δおよびεが２以上のと
き、各Ｒ^e8およびＲ^e9は異なっていてもよい。）

【０１５５】

【化５０】

【０１５６】（式中、Ｒ^e10はアルキル基、アリール
基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル
基またはハロゲン原子を示す。ζは０〜４、ηは０〜５
の整数を示す。但し、ηが２以上のとき、各Ｒ^e10は異
なっていてもよい。）

【０１５７】

【化５１】

【０１５８】（式中、Ｒ^e11はアルキル基を示し、σは
１〜４の整数を示す。但し、σが２以上のとき、各Ｒ
^e11は異なっていてもよい。）

【０１５９】

【化５２】

【０１６０】（式中、Ｒ^e12およびＲ^e13は同一または
異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリ
ール基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシ
基、水酸基、ニトロ基またはシアノ基を示す。Ｘは酸素
原子、＝Ｎ−ＣＮ基または＝Ｃ（ＣＮ）₂基を示す。）

【０１６１】

【化５３】

【０１６２】（式中、Ｒ^e14は水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基または置換基を有してもよいフェニル基
を示し、Ｒ^e15はハロゲン原子、置換基を有してもよい
アルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、アルコ
キシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シア
ノ基またはニトロ基を示す。λは０〜３の整数を示す。
但し、λが２以上のとき、各Ｒ^e15は互いに異なってい
てもよい。）

【０１６３】

【化５４】

【０１６４】（式中、θは１〜２の整数を示す。）

【０１６５】

【化５５】

【０１６６】（式中、Ｒ^e16およびＲ^e17は同一または
異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキ
ル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基を
示す。νおよびξは０〜３の整数を示す。但し、νまた
はξが２以上のとき、各Ｒ^e16およびＲ^e17は互いに異
なっていてもよい。）

【０１６７】

【化５６】

【０１６８】（式中、Ｒ^e18およびＲ^e19は同一または
異なって、フェニル基、縮合多環式基または複素環式基
を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。）

【０１６９】

【化５７】

【０１７０】（式中、Ｒ^e20はアミノ基、ジアルキルア
ミノ基、アルコキシ基、アルキル基またはフェニル基を
示し、πは１〜２の整数を示す。但し、πが２のとき、
各Ｒ^e2 ⁰は互いに異なっていてもよい。）

【０１７１】

【化５８】

【０１７２】（式中、Ｒ^e21は水素原子、アルキル基、
アリール基、アルコキシ基またはアラルキル基を示
す。）

【０１７３】

【化５９】

【０１７４】（式中、Ｒ^e22はハロゲン原子、置換基を
有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニ
ル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモ
イル基、シアノ基またはニトロ基を示す。μは０〜３の
整数を示す。但し、μが２以上のとき、各Ｒ^e22は互い
に異なっていてもよい。）

【０１７５】

【化６０】

【０１７６】（式中、Ｒ^e23は置換基を有してもよいア
ルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示
し、Ｒ^e24は置換基を有してもよいアルキル基、置換基
を有してもよいアリール基または基： −Ｏ−Ｒ^e24a を示す。上記基中のＲ^e24aは、置換基を有してもよいア
ルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示
す。）

【０１７７】

【化６１】

【０１７８】（式中、Ｒ^e25、Ｒ^e26、Ｒ^e27、
Ｒ^e28、Ｒ^e29、Ｒ^e30およびＲ^e31は同一または異な
ってアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキ
シ基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示
す。χおよびφは同一または異なって０〜４の整数を示
す。）

【０１７９】

【化６２】

【０１８０】（式中、Ｒ^e32およびＲ^e33は同一または
異なってアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロ
ゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。τおよび
ψは同一または異なって０〜４の整数を示す。）

【０１８１】

【化６３】

【０１８２】（式中、Ｒ^e34、Ｒ^e35、Ｒ^e36およびＲ
^e37は同一または異なって水素原子、アルキル基、アル
コキシ基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル
基またはアミノ基を示す。但し、Ｒ^e34、Ｒ^e35、Ｒ
^e36およびＲ^e37のうち少なくとも２つは、水素原子で
ない同一の基である。）上記例示の電子輸送剤において、アルキル基、アルコキ
シ基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基、
アルコキシカルボニル基、複素環式基およびハロゲン原
子としては、前述と同様な基があげられる。

【０１８３】ハロゲン化アルキル基におけるアルキル基
およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげら
れる。縮合多環式基としては、例えばナフチル、フェナ
ントリル、アントリル等があげられる。アラルキルオキ
シカルボニル基としては、アラルキル部分が前述した各
種のアラルキル基であるものがあげられる。Ｎ−アルキ
ルカルバモイル基としては、アルキル部分が前述した各
種のアルキル基であるものがあげられる。

【０１８４】ジアルキルアミノ基としては、アルキル部
分が前述した各種のアルキル基であるものがあげられ
る。なおアミノに置換する２つのアルキルは同一でも、
互いに異なっていてもよい。上記各基に置換してもよい
置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸
基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シア
ノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアル
コキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６
のアルケニル基等があげられる。置換基の置換位置につ
いては特に限定されない。

【０１８５】また本発明においては、上記例示のほかに
従来公知の電子輸送物質、すなわち例えばベンゾキノン
系化合物、マロノニトリル、チオピラン系化合物、テト
ラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサン
トン、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジニ
トロアクリジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアン
トラキノン、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ
無水マレイン酸等を用いることができる。

【０１８６】本発明において、電子輸送剤は１種のみを
用いるほか、２種以上を混合して用いてもよい。《結着樹脂》上記各成分を分散させるための結着樹脂
は、従来より感光層に使用されている種々の樹脂を使用
することができる。例えばスチレン−ブタジエン共重合
体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−
マレイン酸共重合体、アクリル共重合体、スチレン−ア
クリル酸共重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニ
ル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リプロピレン、アイオノマー、塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体、ポリエステル、アルキド樹脂、ポリアミド、
ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポ
リスルホン、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポ
リビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエス
テル樹脂等の熱可塑性樹脂；シリコーン樹脂、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、その
他架橋性の熱硬化性樹脂；エポキシアクリレート、ウレ
タン−アクリレート等の光硬化型樹脂等の樹脂が使用可
能である。

【０１８７】感光層には、上記各成分のほかに、電子写
真特性に悪影響を与えない範囲で、従来公知の種々の添
加剤、例えば酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエ
ンチャー、紫外線吸収剤等の劣化防止剤、軟化剤、可塑
剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワック
ス、アクセプター、ドナー等を配合することができる。
また、感光層の感度を向上させるために、例えばテルフ
ェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン等の公知
の増感剤を電荷発生剤と併用してもよい。

【０１８８】次に、本発明の電子写真感光体における各
種材料の配合割合等について説明する。本発明の電子写
真感光体が単層型の感光体である場合、電荷発生剤は、
結着樹脂１００重量部に対して０．１〜５０重量部、好
ましくは０．５〜３０重量部の割合で配合すればよい。
本発明のカルバゾール誘導体(1) （正孔輸送剤）は、結
着樹脂１００重量部に対して２０〜５００重量部、好ま
しくは３０〜２００重量部の割合で配合すればよい。電
子輸送剤を含有させる場合、電子輸送剤の割合を結着樹
脂１００重量部に対して５〜１００重量部、好ましくは
１０〜８０重量部とするのが適当である。また、単層型
感光体における感光層の厚さは５〜１００μｍ、好まし
くは１０〜５０μｍである。

【０１８９】本発明の電子写真感光体が積層型の感光体
である場合、電荷発生層を構成する電荷発生剤と結着樹
脂とは、種々の割合で使用することができるが、結着樹
脂１００重量部に対して電荷発生剤を５〜１０００重量
部、好ましくは３０〜５００重量部の割合で配合するの
が適当である。電荷発生層に正孔輸送剤を含有させる場
合は、正孔輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対し
て１０〜５００重量部、好ましくは５０〜２００重量部
とするのが適当である。

【０１９０】電荷輸送層を構成する正孔輸送剤と結着樹
脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶化しな
い範囲で種々の割合で使用することができるが、光照射
により電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送できるよう
に、結着樹脂１００重量部に対して、本発明のカルバゾ
ール誘導体(1) （正孔輸送剤）を１０〜５００重量部、
好ましくは２５〜２００樹脂の割合で配合するのが適当
である。電荷輸送層に電子輸送剤を含有させる場合は、
電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜
２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部とするの
が適当である。

【０１９１】積層型感光体における感光層の厚さは、電
荷発生層が０．０１〜５μｍ程度、好ましくは０．１〜
３μｍ程度であり、電荷輸送層が２〜１００μｍ、好ま
しくは５〜５０μｍ程度である。単層型感光体において
は、導電性基体と感光層との間に、また積層型感光体に
おいては、導電性基体と電荷発生層との間、導電性基体
と電荷輸送層との間または電荷発生層と電荷輸送層との
間に、感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層が形成
されていてもよい。また、感光体の表面には、保護層が
形成されていてもよい。

【０１９２】上記感光層が形成される導電性基体として
は、導電性を有する種々の材料を使用することができ、
例えば鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジ
ウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッ
ケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等
の金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネートされた
プラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸
化インジウム等で被覆されたガラス等があげられる。

【０１９３】導電性基体の形状は、使用する画像形成装
置の構造に合わせて、シート状、ドラム状等のいずれで
あってもよく、基体自体が導電性を有するか、あるいは
基体の表面が導電性を有していればよい。また、導電性
基体は、使用に際して十分な機械的強度を有するものが
好ましい。前記感光層を塗布の方法により形成する場合
には、前記例示の電荷発生剤、電荷輸送剤、結着樹脂等
を適当な溶剤とともに、公知の方法、例えばロールミ
ル、ボールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超
音波分散機等を用いて分散混合して分散液を調整し、こ
れを公知の手段により塗布して乾燥させればよい。

【０１９４】上記分散液を作るための溶剤としては、種
々の有機溶剤が使用可能であり、例えばメタノール、エ
タノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコー
ル類；ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂
肪族系炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳
香族系炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ク
ロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン
化炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテ
ル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル
類；ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド等があげられる。これらの溶
剤は単独でまたは２種以上を混合して用いられる。

【０１９５】さらに、電荷輸送剤や電荷発生剤の分散
性、感光層表面の平滑性を良くするために界面活性剤、
レベリング剤等を使用してもよい。

【０１９６】

【実施例】以下、合成例、実施例および比較例を挙げて
本発明を説明する。《カルバゾール誘導体の合成》参考例１（３，６−ジホルミル−９−ｎ−ブチル−カル
バゾールの合成）還流管を備えたフラスコの内部をアルゴン雰囲気下とし
た後、カルバゾール１０ｇ（５９．８ｍｍｏｌ）と、カ
ルバゾールに対して１．５当量の水素化ナトリウムとを
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ、溶媒）を加え、ｎ−ブチ
ルブロマイド（カルバゾールに対して１．５当量）のＴ
ＨＦ溶液を滴下して室温で１日撹拌した。反応終了後、
メタノールで再結晶を行って、９−ｎ−ブチル−カルバ
ゾール１０．７ｇを得た（収率８０％）。

【０１９７】次いで、９−ｎ−ブチル−カルバゾール２
２．８ｇ（１０２ｍｍｏｌ）をホルムアミド（ＤＭＦ）
３００ミリリットルに溶解し、オキシ塩化リン酸１６ｇ
（１０４ｍｍｏｌ）を加えて１１０℃で２日間反応させ
た。反応後、反応生成物を水３００ミリリットル中に加
え、酢酸エチルで抽出した。次いで、有機層を水洗し、
乾燥して溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラ
フィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）
で精製して、標記化合物１４．２ｇを得た（収率５０
％）。

【０１９８】参考例２〔４−ヒドロキシメチルトリフェ
ニルアミン（トリフェニルアミンのヒドロキシメチル
体）の合成〕トリフェニルアミンをＤＭＦに溶解し、トリフェニルア
ミンに対して１当量のオキシ塩化リン酸を加えて４０℃
で１時間反応させた。反応後、反応生成物を水に加え、
酢酸エチルで抽出した。次いで、有機層を水洗し、乾燥
して溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィ
ー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精
製して、４−ホルミルトリフェニルアミンを得た。

【０１９９】次いで、４−ホルミルトリフェニルアミン
と、当該アミンに対して１．５当量の水素化ホウ素ナト
リウム（ＮａＢＨ₄）とをイソプロピルアルコール（溶
媒）に加えて室温で１日間撹拌し、さらに塩化チオニル
とピリジン（触媒）を加えて８時間還流した。反応終了
後、溶媒を留去し、メタノールから再結晶して、標記化
合物（ヒドロキシメチル体）を得た。

【０２００】合成例１（カルバゾール(1-1) 誘導体の合
成）上記参考例２で得られた４−ヒドロキシメチルトリフェ
ニルアミン８ｇ（２９．１ｍｍｏｌ）を塩化チオニルと
ピリジン（触媒）に加えて、室温で８時間撹拌した。反
応終了後、溶媒を留去して、メタノールから再結晶し、
塩化チオニルを加えて０℃で１２時間撹拌した。

【０２０１】こうして得られた４−クロロメチルトリフ
ェニルアミン（クロロメチル体）と、当該クロロメチル
体に対して１当量の亜リン酸トリエチルと、トリエチル
アミンとをＴＨＦ（溶媒）に加え、８時間還流した。さ
らに、こうして得られたトリフェニルアミン−４−ホス
ホン酸ジエチル（トリフェニルアミンのホスホン酸エス
テル体）と、脱気乾燥した水素化ナトリウム１．４ｇ
（５８．２ｍｍｏｌ）とをＴＨＦ２００ｍｌ中に加え、
氷冷した。

【０２０２】次いで、参考例１で得られた３，６−ジホ
ルミル−９−ｎ−ブチルカルバゾール３．２４ｇ（１
１．６ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５０ｍｌに溶解させた上で、
上記ホスホン酸エステル体のＴＨＦ溶液中に滴下し、室
温で約３時間反応させた。反応後、約２％の希塩酸水溶
液４００ｍｌに加え、析出した結晶をろ過して水洗し
た。結晶を乾燥後、シリカゲルクロマトグラフィ（展開
溶媒：クロロホルム／ヘキサン）で精製して、前記表１
において化合物番号１−１で示したカルバゾール誘導体
６．６３を得た（収率７５％）。

【０２０３】合成例２（カルバゾール(1-2) 誘導体の合
成）トリフェニルアミンに代えて２−メチルトリフェニルア
ミンを同モル量用いたほかは、参考例２と同様にして反
応を行い、４−ヒドロキシメチル−２’−メチルトリフ
ェニルアミン（ヒドロキシメチル体）を得た。次いで、
４−ヒドロキシメチルトリフェニルアミンに代えて上記
４−ヒドロキシメチル−２’−メチルトリフェニルアミ
ンを用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、
前記表１において化合物番号１−２で示したカルバゾー
ル誘導体７．１ｇを得た（収率７７％）。

【０２０４】合成例３（カルバゾール(1-3) 誘導体の合
成）トリフェニルアミンに代えて２，６−ジメチルトリフェ
ニルアミンを同モル量用いたほかは、参考例２と同様に
して反応を行い、４−ヒドロキシメチル−２’，６’−
ジメチルトリフェニルアミン（ヒドロキシメチル体）を
得た。次いで、４−ヒドロキシメチルトリフェニルアミ
ンに代えて上記４−ヒドロキシメチル−２’，６’−ジ
メチルトリフェニルアミンを用いたほかは、合成例１と
同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１
−３で示したカルバゾール誘導体７．０ｇを得た（収率
７４％）。

【０２０５】合成例４（カルバゾール(1-4) 誘導体の合
成）トリフェニルアミンに代えて２−エチル−６−メチルト
リフェニルアミンを同モル量用いたほかは、参考例２と
同様にして反応を行い、４−ヒドロキシメチル−２’−
エチル−６’−メチルトリフェニルアミン（ヒドロキシ
メチル体）を得た。

【０２０６】次いで、４−ヒドロキシメチルトリフェニ
ルアミンに代えて上記４−ヒドロキシメチル−２’−エ
チル−６’−メチルトリフェニルアミンを用いたほか
は、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１におい
て化合物番号１−４で示したカルバゾール誘導体７．８
ｇを得た（融点１１７〜１１９℃、収率７９％）。上記
カルバゾール誘導体(1-4) の赤外吸収スペクトルを図１
に示す。

【０２０７】合成例５（カルバゾール(1-5) 誘導体の合
成）トリフェニルアミンに代えて４，４’−ジメチルトリフ
ェニルアミンを同モル量用いたほかは、参考例２と同様
にして反応を行い、４−ヒドロキシメチル−４’，４”
−ジメチルトリフェニルアミン（ヒドロキシメチル体）
を得た。次いで、４−ヒドロキシメチルトリフェニルア
ミンに代えて上記４−ヒドロキシメチル−４’，４”−
ジメチルトリフェニルアミンを用いたほかは、合成例１
と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号
１−５で示したカルバゾール誘導体６．７ｇを得た（収
率７１％）。

【０２０８】合成例６（カルバゾール(1-6) 誘導体の合
成）トリフェニルアミンに代えて３，３’−ジメチルトリフ
ェニルアミンを同モル量用いたほかは、参考例２と同様
にして反応を行い、４−ヒドロキシメチル−３’，３”
−ジメチルトリフェニルアミン（ヒドロキシメチル体）
を得た。次いで、４−ヒドロキシメチルトリフェニルア
ミンに代えて上記４−ヒドロキシメチル−３’，３”−
ジメチルトリフェニルアミンを用いたほかは、合成例１
と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号
１−６で示したカルバゾール誘導体６．４ｇを得た（収
率７０％）。

【０２０９】合成例７（カルバゾール(1-7) 誘導体の合
成）トリフェニルアミンに代えて２，２’−ジメチルトリフ
ェニルアミンを同モル量用いたほかは、参考例２と同様
にして反応を行い、４−ヒドロキシメチル−２’，２”
−ジメチルトリフェニルアミン（ヒドロキシメチル体）
を得た。次いで、４−ヒドロキシメチルトリフェニルア
ミンに代えて上記４−ヒドロキシメチル−２’，２”−
ジメチルトリフェニルアミンを用いたほかは、合成例１
と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号
１−７で示したカルバゾール誘導体６．３ｇを得た（収
率６９％）。

【０２１０】合成例８（カルバゾール(1-8) 誘導体の合
成）トリフェニルアミンに代えて３，４’，４''−トリメチ
ルトリフェニルアミンを用いたほかは、参考例２と同様
にして反応を行い、４−ヒドロキシメチル−３，４’，
４''−トリメチルトリフェニルアミン（ヒドロキシメチ
ル体）を得た。次いで、４−ヒドロキシメチルトリフェ
ニルアミンに代えて上記４−ヒドロキシメチル−３，
４’，４''−トリメチルトリフェニルアミンを用いたほ
かは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１にお
いて化合物番号１−８で示したカルバゾール誘導体７．
２ｇを得た（収率７３％）。

【０２１１】合成例９（カルバゾール(1-9) 誘導体の合
成）トリフェニルアミンに代えて２，２’，３，３’−テト
ラメチルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、
参考例２と同様にして反応を行い、４−ヒドロキシメチ
ル−２’，２”，３’，３”−テトラメチルトリフェニ
ルアミン（ヒドロキシメチル体）を得た。

【０２１２】次いで、４−ヒドロキシメチルトリフェニ
ルアミンに代えて上記４−ヒドロキシメチル−２’，
２”，３’，３”−テトラメチルトリフェニルアミンを
用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記
表１において化合物番号１−９で示したカルバゾール誘
導体７．３ｇを得た（収率７２％）。合成例１０（カルバゾール(1-10)誘導体の合成）トリフェニルアミンに代えて２，２’，４，４’−テト
ラメチルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、
参考例２と同様にして反応を行い、４−ヒドロキシメチ
ル−２’，２”，４’，４”−テトラメチルトリフェニ
ルアミン（ヒドロキシメチル体）を得た。

【０２１３】次いで、４−ヒドロキシメチルトリフェニ
ルアミンに代えて上記４−ヒドロキシメチル−２’，
２”，４’，４”−テトラメチルトリフェニルアミンを
用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記
表１において化合物番号１−１０で示したカルバゾール
誘導体７．２ｇを得た（収率７１％）。合成例１１（カルバゾール(1-11)誘導体の合成）トリフェニルアミンに代えて２，２’，４，４’，６，
６’−ヘキサメチルトリフェニルアミンを同モル量用い
たほかは、参考例２と同様にして反応を行い、４−ヒド
ロキシメチル−２’，２”，４’，４”，６’，６”−
ヘキサメチルトリフェニルアミン（ヒドロキシメチル
体）を得た。

【０２１４】次いで、４−ヒドロキシメチルトリフェニ
ルアミンに代えて上記４−ヒドロキシメチル−２’，
２”，４’，４”，６’，６”−ヘキサメチルトリフェ
ニルアミンを用いたほかは、合成例１と同様にして反応
を行い、前記表１において化合物番号１−１１で示した
カルバゾール誘導体７．４５ｇを得た（収率６９％）。《結着樹脂との相溶性についての評価》合成例１、３、
４および９で得られたカルバゾール誘導体について、結
着樹脂との相溶性を下記の方法にて評価した。

【０２１５】（試料の調製）結着樹脂（ポリカーボネー
ト）１００重量部と溶媒（テトラヒドロフラン）８００
重量部との混合液に、上記合成例で得られたカルバゾー
ル誘導体をそれぞれ１〜１００重量部配合し、均一な塗
布液が得られるカルバゾール誘導体の最大添加量（重量
部）を求めた。なお、塗布液の調製は、上記成分をボー
ルミルにて５０時間混合分散させることによって行っ
た。

【０２１６】次に、上記各カルバゾール誘導体の最大添
加量（重量部）を下記式に代入し、結着樹脂に対するカ
ルバゾール誘導体の配合率（重量％）を求め、結着樹脂
への溶解性を評価した。なお、この配合率が高いほど、
結着樹脂への溶解性に優れていることを示す。

【０２１７】

【数１】

【０２１８】対照化合物として、下記式(6-1) および式
(6-2) で表されるスチルベン誘導体を用い、上記と同様
にして結着樹脂への溶解性を評価した。

【０２１９】

【化６４】

【０２２０】これらの結果を表２に示す。

【０２２１】

【表２】

【０２２２】表２より明らかなように、上記合成例で得
られたカルバゾール誘導体は、従来のスチルベン誘導体
(6-1) 、(6-2) に比べて、結着樹脂に対する溶解性が優
れている。《電子写真感光体の製造》（デジタル光源用単層型感光体）実施例１電荷発生剤にはＸ型無金属フタロシアニン(CG1-1) を用
いた。正孔輸送剤には、合成例１で得られたカルバゾー
ル誘導体(1-1) を用いた。

【０２２３】上記電荷発生剤５重量部、正孔輸送剤１０
０重量部および結着樹脂（ポリカーボネート）１００重
量部を溶媒（テトラヒドロフラン）８００重量部ととも
にボールミルにて５０時間混合分散させて、単層型感光
層用の塗布液を作成した。次いで、この塗布液を導電性
基材（アルミニウム素管）上にディップコート法にて塗
布し、１００℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚２５μｍ
の単層型感光層を有するデジタル光源用の単層型感光体
を製造した。

【０２２４】実施例２正孔輸送剤として、合成例３で得られたカルバゾール誘
導体(1-3) を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジ
タル光源用の単層型感光体を製造した。実施例３正孔輸送剤として、合成例４で得られたカルバゾール誘
導体(1-4) を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジ
タル光源用の単層型感光体を製造した。

【０２２５】実施例４正孔輸送剤として、合成例９で得られたカルバゾール誘
導体(1-9) を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジ
タル光源用の単層型感光体を製造した。実施例５単層型感光層用の塗布液中に、さらに電子輸送剤とし
て、式(ET17-1)：

【０２２６】

【化６５】

【０２２７】で表されるジフェノキノン誘導体を３０重
量部配合したほかは、実施例１と同様にしてデジタル光
源用の単層型感光体を製造した。実施例６正孔輸送剤として、合成例３で得られたカルバゾール誘
導体(1-3) を用いたほかは、実施例５と同様にしてデジ
タル光源用の単層型感光体を製造した。

【０２２８】実施例７正孔輸送剤として、合成例４で得られたカルバゾール誘
導体(1-4) を用いたほかは、実施例５と同様にしてデジ
タル光源用の単層型感光体を製造した。実施例８正孔輸送剤として、合成例９で得られたカルバゾール誘
導体(1-9) を用いたほかは、実施例５と同様にしてデジ
タル光源用の単層型感光体を製造した。

【０２２９】実施例９〜１２電子輸送剤として、ジフェノキノン誘導体(ET17-1)に代
えて式(ET14-1)：

【０２３０】

【化６６】

【０２３１】で表されるナフトキノン誘導体を用いたほ
かは、実施例５〜８と同様にしてデジタル光源用の単層
型感光体を製造した。実施例１３〜１６電子輸送剤として、ジフェノキノン誘導体(ET17-1)に代
えて式(ET14-2)：

【０２３２】

【化６７】

【０２３３】で表されるナフトキノン誘導体を用いたほ
かは、実施例５〜８と同様にしてデジタル光源用の単層
型感光体を製造した。比較例１正孔輸送剤として、カルバゾール誘導体(1-1) に代えて
前記式(6-1) で表されるスチルベン誘導体を用いたほか
は、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光
体を製造した。

【０２３４】比較例２正孔輸送剤として、カルバゾール誘導体(1-1) に代えて
前記式(6-2) で表されるスチルベン誘導体を用いたほか
は、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光
体を製造した。上記実施例１〜１６および比較例１、２
で得られた感光体について下記の電気特性試験(I) を行
い、各感光体の電気特性を評価した。

【０２３５】電気特性試験(I) ジェンテック（GENTEC）社製のドラム感度試験機を用い
て各感光体の表面に印加電圧を加え、その表面を＋７０
０±２０Ｖに帯電させた後、表面電位Ｖ_O（Ｖ）を測定
した。次いで、露光光源であるハロゲンランプの白色光
からバンドパスフィルタを用いて取り出した波長７８０
ｎｍの単色光（半値幅２０ｎｍ、光強度８μＪ／ｃ
ｍ²）を感光体の表面に照射（照射時間１．５秒）し
て、上記表面電位Ｖ_Oが１／２になるのに要した時間を
測定し、半減露光量Ｅ_1/2（μＪ／ｃｍ ²）を算出し
た。また、露光開始から０．５秒経過した時点での表面
電位を残留電位Ｖ_r（Ｖ）として測定した。

【０２３６】上記各実施例および比較例で使用した電荷
発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特
性の試験結果とを表３に示す。なお、以下の表におい
て、電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類は
それぞれの式番号または化合物に付した番号で示した。

【０２３７】

【表３】

【０２３８】実施例１７〜３２および比較例３、４電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1)
に代えてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を
用いたほかは、実施例１〜１６、比較例１、２と同様に
してデジタル光源用の単層型感光体を製造した。上記実
施例１７〜３２および比較例３、４で得られた感光体に
ついて前記電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特
性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発
生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性
の試験結果とを表４に示す。

【０２３９】

【表４】

【０２４０】実施例３３〜４８および比較例５、６電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1)
に代えてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を
用いたほかは、実施例１〜１６、比較例１、２と同様に
してデジタル光源用の単層型感光体を製造した。上記実
施例３３〜４８および比較例５、６で得られた感光体に
ついて前記電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特
性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発
生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性
の試験結果とを表５に示す。

【０２４１】

【表５】

【０２４２】（デジタル光源用積層型感光体）実施例４９電荷発生剤であるＸ型無金属フタロシアニン(CG1-1)
２．５重量部および結着樹脂（ポリビニルブチラール）
１重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）１５重量部とと
もにボールミルにて混合分散させて、電荷発生層用の塗
布液を作製した。次いでこの塗布液を導電性基材（アル
ミニウム素管）上にディップコート法にて塗布し、１１
０℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚０．５μｍの電荷発
生層を形成した。

【０２４３】次に、正孔輸送剤であるカルバゾール誘導
体(1-1) １重量部および結着樹脂（ポリカーボネート）
１重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）１０重量部とと
もにボールミルにて混合分散させて、電荷輸送層用の塗
布液を作製した。次いでこの塗布液を上記電荷発生層上
にディップコート法にて塗布し、１１０℃で３０分間熱
風乾燥して、膜厚２０μｍの電荷発生層を形成し、デジ
タル光源用の積層型感光体を製造した。

【０２４４】実施例５０正孔輸送剤として、カルバゾール誘導体(1-1) に代えて
カルバゾール誘導体(1-3) を用いたほかは、実施例４９
と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造し
た。実施例５１正孔輸送剤として、カルバゾール誘導体(1-1) に代えて
カルバゾール誘導体(1-4) を用いたほかは、実施例４９
と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造し
た。

【０２４５】実施例５２正孔輸送剤として、カルバゾール誘導体(1-1) に代えて
カルバゾール誘導体(1-9)を用いたほかは、実施例４９
と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造し
た。実施例５３〜５６電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1)
に代えてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を
用いたほかは、実施例４９〜５２と同様にしてデジタル
光源用の積層型感光体を製造した。

【０２４６】実施例５７〜６０電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1)
に代えてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を
用いたほかは、実施例４９〜５２と同様にしてデジタル
光源用の積層型感光体を製造した。比較例７〜９正孔輸送剤として、カルバゾール誘導体(1-1) に代えて
スチルベン誘導体(6-1) を用いたほかは、実施例４９、
５３および５７と同様にしてデジタル光源用の積層型感
光体を製造した。

【０２４７】比較例１０〜１２正孔輸送剤として、カルバゾール誘導体(1-1) に代えて
スチルベン誘導体(6-2) を用いたほかは、実施例４９、
５３および５７と同様にしてデジタル光源用の積層型感
光体を製造した。上記実施例４９〜６０および比較例７
〜１２で得られた感光体について下記の電気特性試験(I
I)を行い、各感光体の電気特性を評価した。

【０２４８】電気特性試験(II) 感光体の表面を−７００±２０Ｖに帯電させたほかは、
前記電気特性試験(I)と同様にして表面電位Ｖ
_O（Ｖ）、残留電位Ｖ_r（Ｖ）および半減露光量Ｅ_1/2
（μＪ／ｃｍ²）を求めた。上記各実施例および比較例
で使用した電荷発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気
特性の試験結果とを表６に示す。

【０２４９】

【表６】

【０２５０】（アナログ光源用単層型感光体）実施例６１〜７６および比較例１３、１４電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1)
に代えて式(CG3-1) ：

【０２５１】

【化６８】

【０２５２】で表されるペリレン顔料を用いたほかは、
実施例１〜１６、比較例１、２と同様にしてアナログ光
源用の単層型感光体を製造した。上記実施例６１〜７６
および比較例１３、１４で得られた感光体について下記
の電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評
価した。電気特性試験(III) 露光光源としてハロゲンランプの白色光（光強度８ルッ
クス）を用いたほかは、前記電気特性試験(I) と同様に
して表面電位Ｖ_O（Ｖ）、残留電位Ｖ_r（Ｖ）および半
減露光量Ｅ_1/2（μＪ／ｃｍ²）を求めた。

【０２５３】上記各実施例および比較例で使用した電荷
発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気特性の試験結果
とを表７に示す。

【０２５４】

【表７】

【０２５５】実施例７７〜９２および比較例１５、１６電荷発生剤として、ペリレン顔料(CG3-1) に代えて式(C
G4-1) ：

【０２５６】

【化６９】

【０２５７】で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、
実施例６１〜７６、比較例１３、１４と同様にしてアナ
ログ光源用の単層型感光体を製造した。上記実施例７７
〜９２および比較例１５、１６で得られた感光体につい
て前記電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性
を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生
剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の
試験結果とを表８に示す。

【０２５８】

【表８】

【０２５９】実施例９３〜１０８および比較例１７、１
８電荷発生剤として、ペリレン顔料(CG3-1) に代えて式(C
G4-2) ：

【０２６０】

【化７０】

【０２６１】で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、
実施例６１〜７６、比較例１３、１４と同様にしてアナ
ログ光源用の単層型感光体を製造した。上記実施例９３
〜１０８および比較例１５、１６で得られた感光体につ
いて前記電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特
性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発
生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性
の試験結果とを表９に示す。

【０２６２】

【表９】

【０２６３】実施例１０９〜１２４および比較例１９、
２０電荷発生剤として、ペリレン顔料(CG3-1) に代えて式(C
G4-3) ：

【０２６４】

【化７１】

【０２６５】で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、
実施例６１〜７６、比較例１３、１４と同様にしてアナ
ログ光源用の単層型感光体を製造した。上記実施例１０
９〜１０８および比較例１５、１６で得られた感光体に
ついて前記電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気
特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷
発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特
性の試験結果とを表１０に示す。

【０２６６】

【表１０】

【０２６７】（アナログ光源用積層型感光体）実施例１２５〜１２８電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1)
に代えてペリレン顔料(CG3-1) を用いたほかは、実施例
４９〜５２と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体
を製造した。

【０２６８】実施例１２９〜１３２電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1)
に代えてビスアゾ顔料(CG4-1) を用いたほかは、実施例
４９〜５２と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体
を製造した。実施例１３３〜１３６電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1)
に代えてビスアゾ顔料(CG4-2) を用いたほかは、実施例
４９〜５２と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体
を製造した。

【０２６９】実施例１３７〜１４０電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1)
に代えてビスアゾ顔料(CG4-3) を用いたほかは、実施例
４９〜５２と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体
を製造した。比較例２１〜２４正孔輸送剤として、カルバゾール誘導体(1-1) に代え
て、スチルベン誘導体(6-1) を用いたほかは、実施例１
２５、１２９、１３３および１３７と同様にしてアナロ
グ光源用の積層型感光体を製造した。

【０２７０】比較例２５〜２８正孔輸送剤として、カルバゾール誘導体(1-1) に代えて
スチルベン誘導体(6-2) を用いたほかは、実施例１２
５、９７、１００および１０３と同様にしてアナログ光
源用の積層型感光体を製造した。上記実施例９４〜１０
５および比較例２５〜２８で得られた感光体について下
記の電気特性試験(IV)を行い、各感光体の電気特性を評
価した。

【０２７１】電気特性試験(IV) 感光体の表面を−７００±２０Ｖに帯電させたほかは、
前記電気特性試験(III) と同様にして表面電位Ｖ
_O（Ｖ）、残留電位Ｖ_r（Ｖ）および半減露光量Ｅ_1/ ₂
（ｌｕｘ・秒）を求めた。上記各実施例および比較例で
使用した電荷発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気特
性の試験結果とを表１１に示す。

【０２７２】

【表１１】

【０２７３】表３〜１１から明らかなように、実施例１
〜１４０の電子写真感光体は、各実施例に対応する比較
例に比べて残留電位Ｖ_rの絶対値が小さい。また、半減
露光量Ｅ_1/2についても、対応する比較例での値と同等
またはその値を下回っている。このことから、実施例１
〜１４０の電子写真感光体は、優れた感度を有すること
がわかる。

【０２７４】《電荷の注入性についての評価》合成例１
および３で得られたカルバゾール誘導体と、前記式(6-
1) および式(6-2) で表されるスチルベン誘導体とを正
孔輸送剤として使用した積層型感光体〔実施例４９，５
０，５３，５４，５７，５８および比較例７〜１２（以
上、デジタル光源用）、実施例１２５，１２６，１２
９，１３０，１３３，１３４，１３７，１３８および比
較例２１〜２８（以上、アナログ光源用）〕を用いて、
電荷発生剤から正孔輸送剤への電荷の注入性（ホール注
入性）についての評価を行った。

【０２７５】注入性の評価方法は次のようにして行っ
た。まず、ジェンテック社製のドラム感度試験機を用い
て上記各感光体の表面に印加電圧を加え、その表面を約
−７００Ｖに帯電させた（初期表面電位Ｖ_O）。次い
で、露光光源であるキセノンフラッシュランプの白色光
からバンドパスフィルタを用いて取り出した波長７８０
ｎｍの単色光（半値幅：１０マイクロ秒、光強度：初期
表面電位Ｖ_oの１０％程度）を感光体表面に照射し、露
光させた。

【０２７６】露光開始から０．１秒開始した時点での表
面電位（Ｖ_r）を測定し、次式： ε_r・ε_o・（Ｖ_r−Ｖ_O）／ｄ・ｅ・Ｐ（式中、ε_r＝感光体の比誘電率、ε_o＝真空の誘電
率、ｅ＝電荷素量、ｄ＝感光層の膜厚、Ｐ＝吸収光子数
を示す。）に代入して求められた数値を、電解強度３．
０×１０⁵Ｖ／ｃｍ²と相対比較した。

【０２７７】表１２および１３に示す注入性の評価結果
において、デジタル光源用感光体の結果は比較例７の注
入性を１とした相対値であり、アナログ光源用感光体の
結果は比較例２１の注入性を１とした相対値である。

【０２７８】

【表１２】

【０２７９】

【表１３】

【０２８０】表１２および１３から明らかなように、一
般式(1) で表されるカルバゾール誘導体は、従来のスチ
ルベン誘導体(6) に比べて電荷発生剤からの電荷の注入
性が優れている。

【０２８１】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明のカルバゾ
ール誘導体(1) は、バインダー樹脂との相溶性が高く、
電荷輸送能（正孔輸送能）が高く、かつ優れた電荷の注
入性を有する。また、本発明の電子写真感光体は、上記
カルバゾール誘導体(1) を正孔輸送剤として用いること
から、高感度である。従って、本発明の電子写真感光体
は、静電式複写機やレーザービームプリンタ等の各種画
像形成装置の高速化、高性能化等に寄与するという特有
の作用効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】合成例で得られたカルバゾール誘導体(1-4) の
ＩＲスペクトルを示すグラフである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H068 AA19 AA20 AA21 AA31 BA12 BA13 BA14 BA38 BA64 EA04 4C204 AB01 BB05 CB25 DB01 EB01 FB03 GB13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式(1) ：【化１】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶およびＲ
⁷は同一または異なって、置換基を有してもよいアルキ
ル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有し
てもよいアラルキル基または置換基を有してもよいアル
コキシ基を示す。ｍ、ｎ、ｑおよびｒは同一または異な
って０〜５の整数を示し、ｐおよびｓは同一または異な
って０〜４の整数を示す。）で表されることを特徴とす
るカルバゾール誘導体。
【請求項２】前記一般式(1) 中のＲ¹とＲ⁴、Ｒ²とＲ
⁵およびＲ³とＲ⁶の置換基がそれぞれ同一で、かつベ
ンゼン環上の置換位置も同一である請求項１記載のカル
バゾール誘導体。
【請求項３】一般式(2) ：【化２】（式中、Ｒ⁷は置換基を有してもよいアルキル基、置換
基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいア
ラルキル基または置換基を有してもよいアルコキシ基を
示す。）で表されるカルバゾールのホルミル体に、一般
式(3) ：【化３】（式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は同一または異なって、
置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよ
いアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基また
は置換基を有してもよいアルコキシ基を示す。ｍおよび
ｎは同一または異なって０〜５の整数を示し、ｐは０〜
４の整数を示す。）で表されるトリフェニルアミン誘導
体のホスホン酸エステルを反応させることを特徴とす
る、請求項２記載のカルバゾール誘導体の製造方法。
【請求項４】前記カルバゾールのホルミル体(2) が、一
般式(4) ：【化４】（式中、Ｒ⁷は置換基を有してもよいアルキル基、置換
基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいア
ラルキル基または置換基を有してもよいアルコキシ基を
示す。）で表されるＮ−置換カルバゾールをフィルスマ
イヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化することによっ
て得られるものである、請求項３記載のカルバゾール誘
導体の製造方法。
【請求項５】導電性基体上に感光層を設けた電子写真感
光体であって、前記感光層が、請求項１または２記載の
一般式(1) で表されるカルバゾール誘導体を含有するこ
とを特徴とする電子写真感光体。
【請求項６】前記感光層が、請求項１記載の一般式(1)
で表されるカルバゾール誘導体とともに、電荷発生剤と
電子輸送剤とを含有した単層型の感光層である請求項１
または２記載の電子写真感光体。