JP2000219991A

JP2000219991A - 電解還元装置

Info

Publication number: JP2000219991A
Application number: JP11020892A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Onoe; 毅尾上; Yasushi Hoshino; 康史星野
Original assignee: Metal Mining Agency of Japan
Current assignee: Japan Oil Gas and Metals National Corp
Priority date: 1999-01-29
Filing date: 1999-01-29
Publication date: 2000-08-08
Anticipated expiration: 2019-01-29
Also published as: JP3022871B1

Abstract

(57)【要約】【課題】溶融金属に接触する電解槽底部の腐食を抑制
して炭素濃度の少ない溶融金属を回収する。【解決手段】電解還元装置１０は、溶融塩１８を貯え
底部に陰極１３を有する電解槽１１と、電解槽１１の溶
融塩１８中に保持される陽極１９とを備え、陰極１３及
び陽極１９に通電して溶融塩１８を電解することにより
還元された溶融金属２１が電解槽１１の底部に貯留可能
に構成される。溶融金属２１が貯留する電解槽１１の底
部内面にセラミックタイル２３が設けられる。溶融金属
２１が接触する電解槽１１内面に互いに交差する複数の
凸条が形成され、複数の凸条により区画されて形成され
た複数の凹部にセラミックタイル２３が埋設される。黒
鉛又は炭素材から成る薄板をセラミックタイル２３を覆
うように電解槽の底部に敷設することが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、溶融塩電解により
ウラン等の活性な金属を溶融状態で生成する電解還元装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】溶融塩電解では金属酸化物や金属塩が還
元されて陰極に溶融金属として生成され、アルミニウム
等の金属を生産する方法としてフッ化物溶融塩を電解液
とした溶融塩電解法が知られている。この溶融塩電解法
では、電解槽の上方に陽極を設け、電解槽の底部を陰極
とした構造の電解還元装置が一般的に用いられている。
従来、このような装置として図５に示すようなものが知
られている。図５に示す電解還元装置は、溶融塩２を貯
え陰極に接続された電解槽１と、電解槽１の溶融塩２中
に保持される陽極３とを備える。この電解槽１は溶融塩
を貯留するものであるため、溶融塩２に対して耐食性を
有しかつ陰極を形成するための条件として導電性である
ことが必要であるため、黒鉛又は炭素材を加工すること
により作られる。この電解槽１では電解電流が溶融塩２
の中を流れる際に発生する熱を利用して加熱され、電解
槽の厳密な温度管理により電解槽１の側面部１ａのフッ
化物塩部分２ａを非溶融状態にして電解槽の側面部１ａ
を絶縁状態にすることにより、陰極面積を実質的に電解
槽１の底部のみに限定して電解を行うようになってい
る。この装置では、この陰極及び陽極に通電して溶融塩
を電解することにより還元された溶融金属は電解槽の底
部に貯留するように構成される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、黒鉛又は炭素
材は溶融塩に対する耐食性に優れるけれども、活性な溶
融金属に対する耐食性に劣る欠点がある。即ち、上述し
た電解還元装置では、電解により還元された活性な溶融
金属が電解槽の底部に貯留すると、その溶融金属に接触
する電解槽の底部がその溶融金属により腐食する不具合
がある。また、黒鉛又は炭素材から成る電解槽が溶融金
属により腐食すると、還元して生成した溶融金属の炭素
濃度が上昇し、溶融金属が炭素により汚染される不具合
もある。この点を解消するために、溶融金属に対する耐
食性が良好な酸化物等のセラミックにより電解槽を形成
することも考えられるが、セラミックは電解槽に当初貯
えられる溶融塩により著しく腐食する問題点がある。本
発明の目的は、溶融金属に接触する電解槽底部の腐食を
抑制して炭素濃度の少ない溶融金属を回収しうる電解還
元装置を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、溶融塩１８を貯え底部に陰極１３を
有する電解槽１１と、電解槽１１の溶融塩１８中に保持
される陽極１９とを備え、陰極１３及び陽極１９に通電
して溶融塩１８を電解することにより還元された溶融金
属２１が電解槽１１の底部に貯留可能に構成された電解
還元装置の改良である。その特徴ある構成は、溶融金属
２１が貯留する電解槽１１の底部内面にセラミックタイ
ル２３が設けられたところにある。この請求項１に係る
発明では、溶融金属に対する耐食性が良好なセラミック
から成るタイルを溶融金属２１が貯留する電解槽１１の
底部内面に設けることにより、その貯留した溶融金属２
１により電解槽１１が腐食することを防止する。

【０００５】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、図２に示すように、溶融金属２１が接触す
る電解槽１１内面に互いに交差する複数の凸条２４が形
成され、複数の凸条２４により区画されて形成された複
数の凹部２６にセラミックタイル２３が埋設された電解
還元装置である。この請求項２に係る発明では、電解槽
１１の底部に絶縁性のセラミックタイル２３が設けられ
ても、電解槽１１に貯留する溶融金属２１が凸条２４の
先端に接触して陰極を形成する。溶融金属２１が接触す
る凸条２４は腐食するが、凸条２４が腐食減少してセラ
ミックタイル２３の間に窪みが生じた後には、その窪み
の溶融金属２１はその窪みの内部で滞留する。このた
め、その窪みで滞留する溶融金属２１の炭素濃度は上昇
して所定量以上の凸条２４の腐食は抑制され、窪み以外
の溶融金属２１の炭素濃度が上昇することを防止する。

【０００６】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
係る発明であって、黒鉛又は炭素材から成る薄板２７が
セラミックタイル２３を覆うように電解槽１１の底部に
敷設された電解還元装置である。この請求項３に係る発
明では、溶融金属２１が貯留する以前に溶融塩１８は黒
鉛から成る薄板２７の表面と接触し、薄板２７はセラミ
ックタイル２３が溶融塩１８と接触することを防止して
そのセラミックタイル２３が溶融塩１８により腐食する
ことを防止する。溶融金属２１が貯留した後に薄板２７
は腐食消滅し、その後に出現するセラミックタイル２３
が黒鉛等から成る電解槽１１の腐食を抑制する。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の電解還元装置の実施の形
態を図面に基づいて説明する。この電解還元装置１０は
活性な金属であるウランの酸化物（ＵＯ₂，Ｕ₃Ｏ₈等）
を電解還元するのに適する。図１に示すように、この装
置１０の電解槽１１は、黒鉛製の槽本体１２と黒鉛製の
導電部材１３とにより構成される。槽本体１２は有底円
筒体であって、その底部の中央に円形の開口部１２ａが
形成される。導電部材１３は、開口部１２ａと所定の隙
間を有するようにこの開口部１２ａに設けられる。具体
的に、導電部材１３は絶縁材１４を介して開口部１２ａ
の底部に設置され、槽本体１２と導電部材１３は適切な
距離で離間して絶縁され、この導電部材１３には陰極が
接続される。

【０００８】導電部材１３の槽本体１２の内部に臨む部
分は有底筒部１３ａに形成され、筒部１３ａの上縁は槽
本体１２の内底面より低く形成される。槽本体１２の開
口部１２ａ周縁と有底筒部１３ａの先端周縁との間には
絶縁性部材である窒化ホウ素製の被覆部材１６が設けら
れる。被覆部材１６の上面は槽本体１２の底部表面と同
一平面をなすように形成され、被覆部材１６には下端が
有底筒部１３ａに所定の隙間を持って挿入可能な外形を
有する挿入筒部１６ａが形成される。槽本体１２には導
電部材１３との隙間に連通する不活性ガスの導入流路１
２ｂが形成され、槽本体１２の外部には図示しないがこ
の導入流路１２ｂに不活性ガスを圧送するガス供給手段
であるガスボンベが設けられる。なお、槽本体１２の溶
融塩１８中には陽極１９が保持して設けられる。

【０００９】また、槽本体１２には下端が底部と所定の
間隔をあけて仕切壁１２ｃが設けられ、この仕切壁１２
ｃと槽本体１２の側壁とにより、原料となるウラン酸化
物を溶融塩１８中に供給するための供給口１２ｄが形成
される。槽本体１２の外部には加熱することにより塩を
溶融状態にして電解槽１１の電解液とするヒータ１７が
設けられる。一方、導電部材１３には有底筒部１３ａに
連通して電解により生成された溶融金属２１を排出可能
に構成されたクランク状の排出口１３ｂが形成され、排
出口１３ｂの中間に連通する縦孔１２ｅが槽本体１２の
側壁に形成される。この縦孔１２ｅには先端にセラミッ
ク製の封止栓２２ａを有する遮断用ロッド２２が挿入さ
れ、遮断用ロッド２２は図の実線矢印で示すように上昇
すると、この排出口１３ｂを開放し、破線矢印で示すよ
うに下降すると、この排出口１３ｂを遮断するように構
成される。

【００１０】この電解槽１１では、開口部１２ａと導電
部材１３との間に隙間を設けたことにより導電部材１３
と槽本体１２との間が電気的に絶縁され、陰極に電気的
に接続されることにより導電部材１３は電解槽１１の底
部で陰極として作用する。この電解槽１１の槽本体１２
内に支持塩を入れて溶融状態にし、これと同時に開口部
１２ａと導電部材１３との間の隙間にガス供給手段であ
るガスボンベにより不活性ガスを導入流路１２ｂを介し
て図の実線矢印で示すように圧送することにより溶融塩
１８が隙間に侵入することを防止するようになってい
る。

【００１１】この電解還元装置１０ではヒータ１７によ
り加熱して電解槽１１に入れられた支持塩を溶融させた
後、陽極１９及び陰極となる導電部材１３に通電し、こ
の状態で原料のＵＯ₂，Ｕ₃Ｏ₈等の金属酸化物を槽本体
１２に供給すると、この金属酸化物の電解還元が行わ
れ、電解液である溶融塩１８中の金属陽イオンは陰極で
ある導電部材１３の有底筒部１３ａの内面に溶融金属２
１となって析出する。なお、この生成した溶融金属２１
はその比重差により有底筒部１３ａ内に貯留し、有底筒
部１３ａ内に貯留した金属２１は、遮断用ロッド２２を
上昇させることにより、導電部材１３に設けられた排出
口１３ｂを介して回収可能に構成される。

【００１２】本発明の特徴ある構成は、溶融金属２１が
貯留する導電部材１３の底部内面にセラミックタイル２
３が設けられたところにある。図２に示すように、この
実施形態では、溶融金属が接触する導電部材１３の内面
に互いに交差する複数の凸条２４が形成され、この複数
の凸条２４により区画されて形成された複数の凹部２６
にセラミックタイル２３は埋設される。図２及び図３に
示すように、この実施の形態では凸条２４により形成さ
れる凹部２６の内部に更に穴２６ａが形成され、セラミ
ックタイル２３は凹部２６の深さに相当する厚さを有し
かつその凹部２６にはめ込まれて電解槽の内面を形成す
る平板部２３ａと、凹部２６の内に形成された穴２６ａ
に挿入する凸部２３ｂとが一体的に形成され、セラミッ
クタイル２３は接着剤によりその凹部２６に埋設され
る。

【００１３】具体的に説明すると、凸部２３ｂの両側部
には穴２６ａの内側面に対向する一対の溝２３ｃがそれ
ぞれ形成され、溝２３ｃの断面と同一の断面を有する角
棒２５がこの溝２３ｃを埋めるように挿入される。角棒
２５は導電部材１３と同一材料である黒鉛により作ら
れ、接着剤は炭素を含有し黒鉛等を強固に接着するもの
が使用される。接着剤は溝２３ｃに挿入された角棒２５
に塗布され、この状態で凸部２３ｂをその角棒２５とと
もに穴２６ａに挿入する。なお、接着剤は角棒２５が対
面する穴２６ａの側壁（図２のハッチングで示す部分）
に塗布しても良い。これにより、図３の拡大図に示すよ
うに角棒２５は穴２６ａの側壁に接着して凸部２３ｂが
その穴２６ａから離脱することを禁止し、凸部２３ｂが
一体的に形成された平板部２３ａは凹部２６に埋没す
る。このようにして凹部２６に埋設されたセラミックタ
イル２３の表面は凸条２４の先端面と面一になり電解槽
の内面を形成する。

【００１４】図３に示すように、セラミックタイル２３
が凹部２６に埋設された電解槽である導電部材１３の底
部には、黒鉛又は炭素材から成る薄板２７がセラミック
タイル２３を覆うように敷設される。薄板２７の厚さは
溶融塩１８の液深により定められ、０．１ｍｍ〜３ｍｍ
であることが好ましい。この実施の形態における薄板２
７は炭素を含有する接着剤によりセラミックタイル２３
の表面及び凸条２４の先端面に接着され、凸条２４を介
して陰極に電気的に接続するように敷設される。このよ
うに構成された電解還元装置１０では、ヒータ１７によ
り加熱して電解槽１１に入れられた支持塩を溶融させる
と、その溶融塩は黒鉛から成る電解槽１１の及び黒鉛か
ら成る薄板２７の表面と接触する。このため、薄板２７
はセラミックタイル２３が溶融塩１８と接触することを
防止してそのセラミックタイル２３が溶融塩１８により
腐食することを防止する。

【００１５】その後、陽極１９及び陰極である導電部材
１３に通電して金属酸化物を槽本体１２に供給すると、
この金属酸化物の電解還元が行われ、陰極である導電部
材１３の有底筒部１３ａに溶融金属２１が析出する。こ
の析出した溶融金属２１はその比重差により有底筒部１
３ａ内に貯留する。この溶融金属２１はセラミックタイ
ル２３を覆うように敷設された黒鉛から成る薄板２７を
腐食させるが、この薄板２７が腐食消滅した後に出現す
るセラミックタイル２３は溶融金属２１に対して耐食性
を有し腐食することはない。このため、セラミックタイ
ル２３は黒鉛から成る導電部材１３が溶融金属と接触す
ることを防止してその電解槽１１が溶融金属２１により
腐食することを抑制する。

【００１６】なお、図４に示すように、薄板２７が腐食
消滅した後には凸条２４に溶融金属２１が接触してその
溶融金属２１はこの凸条２４を腐食させるが、凸条２４
が腐食減少して窪んだ部分における溶融金属２１はセラ
ミックタイル２３の間に挟まれて滞留する。このため、
セラミックタイル２３の間の窪みで滞留する溶融金属２
１の炭素濃度は上昇し、所定量以上の凸条２４の腐食は
抑制される。また、炭素濃度の上昇した溶融金属２１が
その窪みで滞留することにより、その窪み以外の有底筒
部１３ａ内に貯留する溶融金属２１の炭素濃度の上昇は
抑制され、導電部材１３の排出口１３ｂを介して回収さ
れる溶融金属２１が炭素により汚染されることを防止す
る。

【００１７】

【実施例】次に本発明の実施例を説明する。＜実施例１＞図１に示す装置と、フッ化物溶融塩１８を
生成するフッ化物を準備した。電解槽の底部内面に設け
られるセラミックタイル２３はＹ₂Ｏ₃からなるものを使
用し、このセラミックタイル２３は厚さ０．３ｍｍの黒
鉛から成る薄板２７により覆った。フッ化物は７４重量
％のＢａＦ₂と、１１重量％のＬｉＦと、１５重量％の
ＵＦ₄とからなる混合物を準備した。このフッ化物混合
物を槽本体１２に供給し、ヒータ１７の誘導加熱コイル
に通電して電解槽１１を加熱し、徐々にウランの融点以
上の１２００℃まで昇温した。これと同時に開口部１２
ａと導電部材１３との間の隙間にガス供給手段であるガ
スボンベから不活性ガスのアルゴンを導入流路１２ｂを
介して圧送し、供給したフッ化物混合物が溶融塩１８と
なったときにも、この溶融塩１８が上記隙間に侵入する
ことを防止した。

【００１８】次に、槽本体１２の上方から陽極１９をフ
ッ化物溶融塩１８中に挿入し、導電部材１３を陰極とし
て陰極電流密度が０．７〜１．６Ａ／ｃｍ²の範囲で通
電した後、原料となるＵＯ₂を供給口１２ｄから供給し
て溶融塩電解を行った。この溶融塩電解により、電解液
である溶融塩１８中のウランイオン（Ｕ⁴⁺）が陰極であ
る導電部材１３の有底筒部１３ａの内面に溶融した金属
ウラン２１となって析出し、有底筒部１３ａ内に貯留し
た。所定量の金属ウラン２１が析出した時点で遮断用ロ
ッド２２を上昇させて排出口１３ｂを開放して溶融した
金属ウラン２１を排出口１３ｂを介して所定量排出させ
た。その後、遮断用ロッド２２を再び下降させて排出口
１３ｂを遮断し、溶融した金属ウラン２１が排出した分
だけ供給口１２ｄから原料のウラン酸化物を新たに供給
することにより連続的に電解還元を行った。

【００１９】＜比較例１＞Ｙ₂Ｏ₃からなるセラミックタ
イル２３と黒鉛から成る薄板２７を設けないこと以外は
実施例１と同一構造の電解還元装置を用意し、実施例１
と同一組成のフッ化物をその電解槽に供給し、電気炉に
より１２００℃まで昇温して溶融させた。その後、原料
のウラン酸化物を電解槽に入れ電解時間を除き実施例１
と同一の条件及び手順で電解を行った。

【００２０】＜比較試験及び評価＞実施例１において
は、電解開始後１０時間経過後に排出口１３ｂを介して
排出された金属ウラン、及び電解開始後５０時間経過後
に排出された金属ウランのそれぞれの炭素濃度を測定し
た。その結果、１０時間経過後に排出された金属ウラン
の炭素濃度は２００ｐｐｍであったが、５０時間経過後
に排出された金属ウランの炭素濃度は１５０ｐｐｍであ
った。１０時間経過後に排出された金属ウランの炭素濃
度が２００ｐｐｍであったのは黒鉛から成る薄板２７が
腐食したことに起因するものと考えられ、５０時間経過
後に排出された金属ウランの炭素濃度が１５０ｐｐｍと
減少したのはその薄板２７が消滅したことによるものと
考えられる。

【００２１】比較例１においては、電解開始後１０時間
経過後に排出口１３ｂを介して排出された金属ウラン、
及び電解開始後２０時間経過後に排出された金属ウラン
のそれぞれの炭素濃度を測定した。その結果、１０時間
及び２０時間経過後に排出されたそれぞれの金属ウラン
の炭素濃度はいずれも２００ｐｐｍであった。１０時間
以上経過後しても炭素濃度が２００ｐｐｍであるのは、
比較例１では常に黒鉛から成る電解槽が溶融金属である
金属ウランにより腐食していることに起因するものと考
えられる。また、実施例１では電解開始後７０時間経過
後に電解槽を解体し、比較例１では電解開始後２０時間
経過後に電解槽を解体し、実施例１及び比較例１の金属
ウランが貯留した電解槽底部を目視により観察した。そ
の結果、実施例１の電解槽底面に敷設された薄板２７は
おおむね消滅していたが、セラミックタイル２３には損
傷した形跡が見られなかった。一方、比較例１の電解槽
底面の黒鉛には腐食の形跡が認められた。

【００２２】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、溶
融金属に対する耐食性が良好なセラミックタイルを溶融
金属が貯留する電解槽の底部内面に設けたので、その貯
留した溶融金属により電解槽が腐食することを抑制する
ことができる。特に、溶融金属が接触する電解槽内面に
互いに交差する複数の凸条を形成し、この複数の凸条に
より区画されて形成された複数の凹部にセラミックタイ
ルを埋設すれば、電解槽に貯留する溶融金属が凸条の先
端に接触して陰極を形成することができる。この場合、
溶融金属が接触する凸条は腐食するが、凸条が腐食減少
してセラミックタイルの間に窪みが生じた後には、その
窪みの溶融金属はその窪みの内部で滞留するため、その
窪みで滞留する溶融金属の炭素濃度は上昇して所定量以
上の凸条の腐食は抑制され、窪み以外の溶融金属の炭素
濃度が上昇することを防止することができる。また、セ
ラミックタイルを覆うように電解槽の底部に黒鉛又は炭
素材から成る薄板を敷設すれば、溶融金属が貯留する以
前の溶融塩がセラミックタイルに接触することを防止し
てそのセラミックタイルが溶融塩により腐食することを
防止することができる。この場合、薄板は溶融金属が貯
留した後に腐食消滅し、その後に出現するセラミックタ
イルが黒鉛等から成る電解槽の腐食を抑制する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電解還元装置の中央縦断面図。

【図２】その電解槽の凸条が形成された内底部とセラミ
ックタイルの関係を示す斜視図。

【図３】図１のＡ部拡大断面図

【図４】薄板が腐食消滅した後の図３のＢ部拡大断面図

【図５】従来の電解還元装置を示す図１に対応する断面
図。

【符号の説明】

１０電解還元装置１１電解槽１３導電部材（陰極）１８溶融塩１９陽極２１溶融金属２３セラミックタイル２４凸条２６凹部２７薄板

【手続補正書】

【提出日】平成１１年１１月１１日（１９９９．１１．
１１）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００４

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００４】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１及び図２に示すように、溶融塩１８を貯え有底筒部
１３ａが形成された陰極１３を底部に有する電解槽１１
と、電解槽１１の溶融塩１８中に保持される陽極１９と
を備え、陰極１３及び陽極１９に通電して溶融塩１８を
電解することにより還元された溶融金属２１が有底筒部
１３ａに貯留可能に構成された電解還元装置の改良であ
る。その特徴ある構成は、溶融金属２１が貯留する有底
筒部１３ａの内面に互いに交差する複数の凸条２４が形
成され、複数の凸条２４により区画されて形成された複
数の凹部２６にセラミックタイル２３が埋設されたとこ
ろにある。この請求項１に係る発明では、溶融金属に対
する耐食性が良好なセラミックから成るタイルを溶融金
属２１が貯留する有底筒部１３ａの内面に設けることに
より、その貯留した溶融金属２１により電解槽１１が腐
食することを防止する。有底筒部１３ａの内面に絶縁性
のセラミックタイル２３を設けても、電解槽１１に貯留
する溶融金属２１は凸条２４の先端に接触して陰極を形
成する。溶融金属２１が接触する凸条２４は腐食する
が、凸条２４が腐食減少してセラミックタイル２３の間
に窪みが生じた後には、その窪みの溶融金属２１はその
窪みの内部で滞留する。このため、その窪みで滞留する
溶融金属２１の炭素濃度は上昇して所定量以上の凸条２
４の腐食は抑制され、窪み以外の溶融金属２１の炭素濃
度が上昇することを防止する。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００５

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００５】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、黒鉛又は炭素材から成る薄板２７がセラミ
ックタイル２３を覆うように電解槽１１の底部に敷設さ
れた電解還元装置である。この請求項２に係る発明で
は、溶融金属２１が貯留する以前に溶融塩１８は黒鉛か
ら成る薄板２７の表面と接触し、薄板２７はセラミック
タイル２３が溶融塩１８と接触することを防止してその
セラミックタイル２３が溶融塩１８により腐食すること
を防止する。溶融金属２１が貯留した後に薄板２７は腐
食消滅し、その後に出現するセラミックタイル２３が黒
鉛等から成る電解槽１１の腐食を抑制する。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００６

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００６】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
係る発明であって、セラミックタイル(23)がＹ₂Ｏ₃から
なる電解還元装置である。この請求項３に係る発明で
は、Ｙ₂Ｏ₃は溶融金属に対する耐食性が良好であるた
め、溶融金属２１により電解槽１１が腐食することを有
効に防止できる。

フロントページの続き (72)発明者星野康史茨城県那珂郡那珂町大字向山字六人頭1002 番地の14 三菱マテリアル株式会社総合研究所環境・エネルギー研究所内Ｆターム(参考） 4K058 AA11 AA30 BA01 BB05 CB06 CB08 CB17 DD03 DD06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】溶融塩(18)を貯え底部に陰極(13)を有す
る電解槽(11)と、前記電解槽(11)の溶融塩(18)中に保持
される陽極(19)とを備え、前記陰極(13)及び前記陽極(1
9)に通電して前記溶融塩(18)を電解することにより還元
された溶融金属(21)が前記電解槽(11)の底部に貯留可能
に構成された電解還元装置において、前記溶融金属(21)が貯留する前記電解槽(11)の底部内面
にセラミックタイル(23)が設けられた電解還元装置。
【請求項２】溶融金属が接触する電解槽(11)内面に互
いに交差する複数の凸条(24)が形成され、前記複数の凸
条(24)により区画されて形成された複数の凹部(26)にセ
ラミックタイル(23)が埋設された請求項１記載の電解還
元装置。
【請求項３】黒鉛又は炭素材から成る薄板(27)がセラ
ミックタイル(23)を覆うように電解槽(11)の底部に敷設
された請求項１又は２記載の電解還元装置。