JP2000220829A - セラミックヒ―タ型グロ―プラグおよびその製造方法 - Google Patents
セラミックヒ―タ型グロ―プラグおよびその製造方法Info
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Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 窒化ケイ素質セラミックスが熱で変質したり
しない1300℃程度の飽和温度を保ち、W線材が断線
することもなく急速昇温が可能で、しかも理想的な自己
温度制御機能をもつセラミックヒータ型グロープラグを
得る。 【解決手段】 セラミックヒータ11は、高融点金属線材
(W線材)からなる発熱体22を窒化ケイ素質セラミック
スからなるセラミックス絶縁体21内に埋設している。こ
のセラミックヒータの金属製円筒体12の先端からの突き出し長さ
は8〜15mmである。発熱体のコイル状となる部分の
長さを3〜10mm、セラミックス絶縁体の先端部の径寸法D
を2.8〜5mmとし、この径寸法Dに対しての発熱体
のコイル状部分の最長径d2 を0.75D≦d2 <Dと
する。コイル状部分を金属製円筒体の先端よりもセラミックス
絶縁体の先端側に埋設する。発熱体のコイル状部分の線
径を0.05〜0.3mmの範囲とし、発熱体のコイル
状部分の螺旋ピッチを、少なくとも各螺旋部間の線間距
離が0.01mm以上となる状態で0.06〜1.30
mmの範囲内に設定する。
しない1300℃程度の飽和温度を保ち、W線材が断線
することもなく急速昇温が可能で、しかも理想的な自己
温度制御機能をもつセラミックヒータ型グロープラグを
得る。 【解決手段】 セラミックヒータ11は、高融点金属線材
(W線材)からなる発熱体22を窒化ケイ素質セラミック
スからなるセラミックス絶縁体21内に埋設している。こ
のセラミックヒータの金属製円筒体12の先端からの突き出し長さ
は8〜15mmである。発熱体のコイル状となる部分の
長さを3〜10mm、セラミックス絶縁体の先端部の径寸法D
を2.8〜5mmとし、この径寸法Dに対しての発熱体
のコイル状部分の最長径d2 を0.75D≦d2 <Dと
する。コイル状部分を金属製円筒体の先端よりもセラミックス
絶縁体の先端側に埋設する。発熱体のコイル状部分の線
径を0.05〜0.3mmの範囲とし、発熱体のコイル
状部分の螺旋ピッチを、少なくとも各螺旋部間の線間距
離が0.01mm以上となる状態で0.06〜1.30
mmの範囲内に設定する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はディーゼルエンジン
の始動補助用として使用されるセラミックヒータ型グロ
ープラグに関し、特に高温使用可能であって、しかも自
己温度制御機能を備えているセラミックヒータ型グロー
プラグおよびその製造方法に関する。
の始動補助用として使用されるセラミックヒータ型グロ
ープラグに関し、特に高温使用可能であって、しかも自
己温度制御機能を備えているセラミックヒータ型グロー
プラグおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ディーゼルエンジン用グロープラグにお
いては、排ガス規制に対応するために、昇温時における
例えば800℃への到達時間を速くし、しかも飽和温度
を例えば1300℃程度と高くし、アフターグロー時間
を長くする必要がある。このような要請に応えるため
に、最近のグロープラグでは、ヒータ部分(発熱体部
分)を高融点金属や無機導電材で形成している。また、
このヒータ部分を保護する外殻部分(グロープラグ先端
の細径部分)を従来一般的であった金属製シースに代え
て高温使用可能な絶縁性セラミックスからなるセラミッ
クス絶縁体を用いたセラミックヒータ型のものが一般的
になってきている。
いては、排ガス規制に対応するために、昇温時における
例えば800℃への到達時間を速くし、しかも飽和温度
を例えば1300℃程度と高くし、アフターグロー時間
を長くする必要がある。このような要請に応えるため
に、最近のグロープラグでは、ヒータ部分(発熱体部
分)を高融点金属や無機導電材で形成している。また、
このヒータ部分を保護する外殻部分(グロープラグ先端
の細径部分)を従来一般的であった金属製シースに代え
て高温使用可能な絶縁性セラミックスからなるセラミッ
クス絶縁体を用いたセラミックヒータ型のものが一般的
になってきている。
【0003】この種のセラミックヒータ型グロープラグ
としては、例えば特公昭62−19034号公報に示す
ように、W(タングステン)等からなる高融点金属線材
を耐酸化性、耐熱衝撃性に優れている窒化ケイ素系のセ
ラミックス中に埋設することにより形成したセラミック
ヒータを用いたものがある。また、特公平1−3373
4号公報に示すように、窒化ケイ素系のセラミックスか
らなるセラミックス絶縁体中に、正の抵抗温度係数の異
なる材料からなる第1、第2の発熱体を直列に接続した
状態で埋設することにより、グロープラグの昇温特性を
所定の飽和温度で制御するという、いわゆる自己温度制
御機能をもたせたセラミックヒータが知られている。こ
こで、第1の発熱体はセラミックヒータの先端を赤熱化
させるための発熱体であり、また第2の発熱体はこの第
1の発熱体に対しての通電制御を行う通電制御用の抵抗
体である。
としては、例えば特公昭62−19034号公報に示す
ように、W(タングステン)等からなる高融点金属線材
を耐酸化性、耐熱衝撃性に優れている窒化ケイ素系のセ
ラミックス中に埋設することにより形成したセラミック
ヒータを用いたものがある。また、特公平1−3373
4号公報に示すように、窒化ケイ素系のセラミックスか
らなるセラミックス絶縁体中に、正の抵抗温度係数の異
なる材料からなる第1、第2の発熱体を直列に接続した
状態で埋設することにより、グロープラグの昇温特性を
所定の飽和温度で制御するという、いわゆる自己温度制
御機能をもたせたセラミックヒータが知られている。こ
こで、第1の発熱体はセラミックヒータの先端を赤熱化
させるための発熱体であり、また第2の発熱体はこの第
1の発熱体に対しての通電制御を行う通電制御用の抵抗
体である。
【0004】これらの従来のセラミックヒータ型グロー
プラグでは、一種類または二種類の発熱体を半割り状態
で形成したセラミックス絶縁体間に介在させることによ
り平面的に配置して埋設した構造である。したがって、
このようなセラミックヒータでは、ヒータの周方向にお
ける温度分布に50℃以上の温度差が生じ、熱ひずみが
起きる等の問題がある。
プラグでは、一種類または二種類の発熱体を半割り状態
で形成したセラミックス絶縁体間に介在させることによ
り平面的に配置して埋設した構造である。したがって、
このようなセラミックヒータでは、ヒータの周方向にお
ける温度分布に50℃以上の温度差が生じ、熱ひずみが
起きる等の問題がある。
【0005】また、上述したセラミックヒータでは、ヒ
ータとして必要な抵抗値を確保するために、発熱体をヒ
ータ後端寄りであって金属製ハウジングに保持させる部
分にまで延設させる必要がある。例えば従来例における
後者のタイプでは、通電制御用となる第2の発熱体を埋
設した部分が、金属製ハウジングによる保持部分に延設
されている。このような構造では、セラミックヒータの
発熱により、金属製ハウジングとセラミックヒータとの
ろう付け部分が溶融し接合不良を生じるおそれがある。
また、ハウジングを介してシリンダヘッドに熱が放散さ
れることからヒータとしての熱効率が悪く、消費電力も
大きくなってしまう。
ータとして必要な抵抗値を確保するために、発熱体をヒ
ータ後端寄りであって金属製ハウジングに保持させる部
分にまで延設させる必要がある。例えば従来例における
後者のタイプでは、通電制御用となる第2の発熱体を埋
設した部分が、金属製ハウジングによる保持部分に延設
されている。このような構造では、セラミックヒータの
発熱により、金属製ハウジングとセラミックヒータとの
ろう付け部分が溶融し接合不良を生じるおそれがある。
また、ハウジングを介してシリンダヘッドに熱が放散さ
れることからヒータとしての熱効率が悪く、消費電力も
大きくなってしまう。
【0006】また、前者の従来例では、セラミックヒー
タの発熱温度や昇温特性を所定の飽和温度に制御するた
めの通電制御回路を車載バッテリからグロープラグへの
通電回路上に設ける必要があり、回路構造が複雑とな
り、ディーゼルエンジン用予熱装置がコスト高となる。
これに対して後者の従来例では、近年この種のグロープ
ラグにおいて要望されている自己温度制御機能をもたせ
ることができるが、セラミックヒータ内に二種類の材料
からなる発熱体を直列に接続した状態で埋設する必要が
あり、ヒータとしての構成部品点数が多く構造も複雑
で、しかも製造も煩雑で、製造コストが高くなる。
タの発熱温度や昇温特性を所定の飽和温度に制御するた
めの通電制御回路を車載バッテリからグロープラグへの
通電回路上に設ける必要があり、回路構造が複雑とな
り、ディーゼルエンジン用予熱装置がコスト高となる。
これに対して後者の従来例では、近年この種のグロープ
ラグにおいて要望されている自己温度制御機能をもたせ
ることができるが、セラミックヒータ内に二種類の材料
からなる発熱体を直列に接続した状態で埋設する必要が
あり、ヒータとしての構成部品点数が多く構造も複雑
で、しかも製造も煩雑で、製造コストが高くなる。
【0007】後者の従来例に類似する自己温度制御型グ
ロープラグとして最近は、例えば特開平7−14215
3号公報に示すように、ほぼU字形状を呈する薄膜無機
導電体をセラミックヒータの先端部に二層に配設すると
ともに、それぞれの端部に一部を重ねて薄膜無機導電体
を設けることにより、この薄膜無機導電体を自己温度制
御機能を得るための通電制御用抵抗体として用いたもの
も提案されている。
ロープラグとして最近は、例えば特開平7−14215
3号公報に示すように、ほぼU字形状を呈する薄膜無機
導電体をセラミックヒータの先端部に二層に配設すると
ともに、それぞれの端部に一部を重ねて薄膜無機導電体
を設けることにより、この薄膜無機導電体を自己温度制
御機能を得るための通電制御用抵抗体として用いたもの
も提案されている。
【0008】また、自己温度制御機能を備えているグロ
ープラグとして、正の抵抗温度係数を有する材料で発熱
体を構成し、発熱による温度上昇により発熱体の抵抗値
が大きくなって発熱量が制限されて所定の温度で自己飽
和するグロープラグも知られている。このような自己飽
和機能を有するグロープラグでは、発熱体の形状等によ
り温度上昇による抵抗値の変化が安定して充分に行われ
ず、自己飽和機能が発揮されない。例えば発熱体の一部
がハウジング内に位置している場合、そのハウジング内
の発熱体の部分はハウジングを介して放熱されるので、
温度上昇が遅れる。したがって、発熱体は均一には温度
上昇せず、抵抗値の変化が安定しない。
ープラグとして、正の抵抗温度係数を有する材料で発熱
体を構成し、発熱による温度上昇により発熱体の抵抗値
が大きくなって発熱量が制限されて所定の温度で自己飽
和するグロープラグも知られている。このような自己飽
和機能を有するグロープラグでは、発熱体の形状等によ
り温度上昇による抵抗値の変化が安定して充分に行われ
ず、自己飽和機能が発揮されない。例えば発熱体の一部
がハウジング内に位置している場合、そのハウジング内
の発熱体の部分はハウジングを介して放熱されるので、
温度上昇が遅れる。したがって、発熱体は均一には温度
上昇せず、抵抗値の変化が安定しない。
【0009】また、上述した従来のセラミックヒータで
は、製造面から次のような問題があった。すなわち、発
熱体となるW線材等を窒化ケイ素質セラミックスによる
セラミックス成形体内に埋め込み、1700℃を越える
高温でホットプレスを行うと、W線材の表面から亀裂が
生じやすく抵抗増加を招く。しかも、その後の通電発熱
の反復によって、上述した亀裂の成長に起因した抵抗増
加や断線が発生し、セラミックヒータとしての製品寿命
が短くなるという問題があった。
は、製造面から次のような問題があった。すなわち、発
熱体となるW線材等を窒化ケイ素質セラミックスによる
セラミックス成形体内に埋め込み、1700℃を越える
高温でホットプレスを行うと、W線材の表面から亀裂が
生じやすく抵抗増加を招く。しかも、その後の通電発熱
の反復によって、上述した亀裂の成長に起因した抵抗増
加や断線が発生し、セラミックヒータとしての製品寿命
が短くなるという問題があった。
【0010】従来、このようなW線材に生じている亀裂
の発生を抑制するには、W線材を発熱体に使用したセラ
ミックヒータにおいて、焼結助剤を最適化し、ホットプ
レス温度を1700℃よりも低い温度とするか、Re−
W(レニウムタングステン合金)線材等の延性の優れた
合金を使用することが必要であった。
の発生を抑制するには、W線材を発熱体に使用したセラ
ミックヒータにおいて、焼結助剤を最適化し、ホットプ
レス温度を1700℃よりも低い温度とするか、Re−
W(レニウムタングステン合金)線材等の延性の優れた
合金を使用することが必要であった。
【0011】この問題に対する対策としては、W線材の
表面に無機化合物をコーティングする方法が知られてい
る(特開昭61−179084号公報、特開平7−13
5068号公報)。しかし、W線材の表面に形成したコ
ーティング層は、きわめて脆く損傷しやすいことから、
後工程でのハンドリング作業時やセラミックス粉体への
埋設時、さらにプレス成形時において剥がれやすい。そ
して、このようなコーティング層の亀裂の抑制は、一箇
所でも剥離を生じるとその部分に亀裂が発生することか
ら、製品機能上致命的な障害となる。したがって、工程
管理が困難であり、製造コストも高くなるという問題が
あった。
表面に無機化合物をコーティングする方法が知られてい
る(特開昭61−179084号公報、特開平7−13
5068号公報)。しかし、W線材の表面に形成したコ
ーティング層は、きわめて脆く損傷しやすいことから、
後工程でのハンドリング作業時やセラミックス粉体への
埋設時、さらにプレス成形時において剥がれやすい。そ
して、このようなコーティング層の亀裂の抑制は、一箇
所でも剥離を生じるとその部分に亀裂が発生することか
ら、製品機能上致命的な障害となる。したがって、工程
管理が困難であり、製造コストも高くなるという問題が
あった。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上述した特開平7−1
42153号公報のセラミックヒータにおいて、U字形
状の薄膜無機導電体を製作するには、射出成形、印刷に
よる薄膜製造技術等の特殊な技術を要し、それだけ製造
コストがかかってしまう。また、無機導電体は、複合体
であるために組成を管理し発熱体としての抵抗を一定に
することが難しい。また、このような薄膜無機導電体に
よる発熱体では、その内部でマイグレーション(イオン
の移動等による組織変化)が起こり、耐熱強度が低下
し、かなり早い時期で発熱温度が低下する等の問題があ
る。
42153号公報のセラミックヒータにおいて、U字形
状の薄膜無機導電体を製作するには、射出成形、印刷に
よる薄膜製造技術等の特殊な技術を要し、それだけ製造
コストがかかってしまう。また、無機導電体は、複合体
であるために組成を管理し発熱体としての抵抗を一定に
することが難しい。また、このような薄膜無機導電体に
よる発熱体では、その内部でマイグレーション(イオン
の移動等による組織変化)が起こり、耐熱強度が低下
し、かなり早い時期で発熱温度が低下する等の問題があ
る。
【0013】最近の自動車においては、バッテリに負荷
がかかる電装品類が多くなってきており、いずれの電装
品でも消費電力を低減することが望まれている。しか
し、前述した自己温度制御機能を有するグロープラグで
は、発熱用と通電制御用との2つの抵抗体を必要とする
ことから消費電力も大きくなるという問題があり、この
問題点に対して何らかの対策を講じることが望まれてい
る。
がかかる電装品類が多くなってきており、いずれの電装
品でも消費電力を低減することが望まれている。しか
し、前述した自己温度制御機能を有するグロープラグで
は、発熱用と通電制御用との2つの抵抗体を必要とする
ことから消費電力も大きくなるという問題があり、この
問題点に対して何らかの対策を講じることが望まれてい
る。
【0014】本発明は上述したような事情に鑑み、種々
の研究、開発と試行錯誤の結果として生み出されたもの
であり、速熱型として機能するとともに、飽和温度も1
300℃程度と高くなり高温使用が可能となり、しかも
アフターグロー温度が上がり過ぎず長時間にわたるアフ
ターグローを行える理想的な自己温度制御機能をもち、
消費電力が小さいセラミックヒータを実現できるように
したセラミックヒータ型グロープラグおよびその製造方
法を得ることを目的としている。
の研究、開発と試行錯誤の結果として生み出されたもの
であり、速熱型として機能するとともに、飽和温度も1
300℃程度と高くなり高温使用が可能となり、しかも
アフターグロー温度が上がり過ぎず長時間にわたるアフ
ターグローを行える理想的な自己温度制御機能をもち、
消費電力が小さいセラミックヒータを実現できるように
したセラミックヒータ型グロープラグおよびその製造方
法を得ることを目的としている。
【0015】また、本発明は、高温強度やコスト面で優
れたW線材等の高融点金属線材を発熱体として、熱伝導
特性や高温強度等に優れた窒化ケイ素質セラミックスを
セラミックス絶縁体とからなるセラミックヒータを、比
較的簡単に製造できるとともに製造コストを削減できる
セラミックヒータ型グロープラグおよびその製造方法を
得ることを目的としている。また、本発明は、製造時に
おける発熱体の断線や損傷、セラミックス絶縁体の損傷
を招くことがなく品質や耐久性の面で優れ、しかも前述
したグロープラグとして優れた性能を発揮することがで
きるセラミックヒータ型グロープラグおよびその製造方
法を得ることを目的としている。
れたW線材等の高融点金属線材を発熱体として、熱伝導
特性や高温強度等に優れた窒化ケイ素質セラミックスを
セラミックス絶縁体とからなるセラミックヒータを、比
較的簡単に製造できるとともに製造コストを削減できる
セラミックヒータ型グロープラグおよびその製造方法を
得ることを目的としている。また、本発明は、製造時に
おける発熱体の断線や損傷、セラミックス絶縁体の損傷
を招くことがなく品質や耐久性の面で優れ、しかも前述
したグロープラグとして優れた性能を発揮することがで
きるセラミックヒータ型グロープラグおよびその製造方
法を得ることを目的としている。
【0016】また、本発明は、セラミックヒータの先端
側発熱部において、周方向での温度分布のばらつきを小
さくすることができるセラミックヒータ型グロープラグ
およびその製造方法を得ることを目的としている。
側発熱部において、周方向での温度分布のばらつきを小
さくすることができるセラミックヒータ型グロープラグ
およびその製造方法を得ることを目的としている。
【0017】また、本発明は、セラミックヒータを構成
する発熱体を、印刷による薄膜製造技術等の特殊な技術
を用いずに簡単に形成でき、しかも発熱体内部でマイグ
レーション(移行、変態)が起こることもないセラミッ
クヒータ型グロープラグおよびその製造方法を得ること
を目的としている。
する発熱体を、印刷による薄膜製造技術等の特殊な技術
を用いずに簡単に形成でき、しかも発熱体内部でマイグ
レーション(移行、変態)が起こることもないセラミッ
クヒータ型グロープラグおよびその製造方法を得ること
を目的としている。
【0018】
【課題を解決するための手段】このような目的に応える
ために本発明(請求項1に記載の発明)に係るセラミッ
クヒータ型グロープラグは、高融点金属線材からなる発
熱体を窒化ケイ素質セラミックスからなるセラミックス
絶縁体に埋設することにより形成するセラミックヒータ
と、このセラミックヒータの外周を保持する金属製円筒
体を備え、前記セラミックヒータの金属製円筒体の先端
部からの突き出し長さを8〜15mmとし、前記発熱体
のコイル状となる部分の長さを3〜10mmとし、前記
セラミックスヒータの先端部の径寸法Dを2.8〜5m
mとするとともに、この径寸法Dに対しての発熱体のコ
イル状部分の最長径d2 を0.75D≦d2 <Dとし、
発熱体のコイル状部分を前記金属製円筒体の先端部より
もセラミックス絶縁体の先端側に埋設し、発熱体におけ
る少なくともコイル状部分の線径を0.05〜0.3m
mの範囲とするとともに、発熱体のコイル状部分の螺旋
ピッチを、少なくとも線間距離が0.01mm以上の状
態で0.06〜1.30mmの範囲内で設定したことを
特徴とする。
ために本発明(請求項1に記載の発明)に係るセラミッ
クヒータ型グロープラグは、高融点金属線材からなる発
熱体を窒化ケイ素質セラミックスからなるセラミックス
絶縁体に埋設することにより形成するセラミックヒータ
と、このセラミックヒータの外周を保持する金属製円筒
体を備え、前記セラミックヒータの金属製円筒体の先端
部からの突き出し長さを8〜15mmとし、前記発熱体
のコイル状となる部分の長さを3〜10mmとし、前記
セラミックスヒータの先端部の径寸法Dを2.8〜5m
mとするとともに、この径寸法Dに対しての発熱体のコ
イル状部分の最長径d2 を0.75D≦d2 <Dとし、
発熱体のコイル状部分を前記金属製円筒体の先端部より
もセラミックス絶縁体の先端側に埋設し、発熱体におけ
る少なくともコイル状部分の線径を0.05〜0.3m
mの範囲とするとともに、発熱体のコイル状部分の螺旋
ピッチを、少なくとも線間距離が0.01mm以上の状
態で0.06〜1.30mmの範囲内で設定したことを
特徴とする。
【0019】ここで、上述した発熱体を形成する高融点
金属線材として、タングステン線を用いる。また、上述
した窒化ケイ素質セラミックスには、モリブデンケイ化
物、モリブデン炭ケイ化物のうちの少なくとも一種以上
が存在しているものを含むものとする。
金属線材として、タングステン線を用いる。また、上述
した窒化ケイ素質セラミックスには、モリブデンケイ化
物、モリブデン炭ケイ化物のうちの少なくとも一種以上
が存在しているものを含むものとする。
【0020】また、本発明(請求項4に記載の発明)に
係るセラミックヒータ型グロープラグの製造方法は、前
述した請求項1に記載のセラミックヒータ型グロープラ
グにおけるセラミックヒータを製造する方法にあたっ
て、2つの穴を開けた円柱状セラミックス成形体または
焼結体に高融点金属からなる発熱体をコイル状に巻付
け、この発熱体の一端部を一方の穴に入れるとともに、
同じ穴にリード線用の金属抵抗体の一端部を入れて、前
記発熱体の一端部と穴の中で接触させ、これらを前記セ
ラミックス成形体または焼結体とほぼ同じ組成のセラミ
ックス粉体中に埋設し、この状態でホットプレス焼成を
行うことを特徴とする。
係るセラミックヒータ型グロープラグの製造方法は、前
述した請求項1に記載のセラミックヒータ型グロープラ
グにおけるセラミックヒータを製造する方法にあたっ
て、2つの穴を開けた円柱状セラミックス成形体または
焼結体に高融点金属からなる発熱体をコイル状に巻付
け、この発熱体の一端部を一方の穴に入れるとともに、
同じ穴にリード線用の金属抵抗体の一端部を入れて、前
記発熱体の一端部と穴の中で接触させ、これらを前記セ
ラミックス成形体または焼結体とほぼ同じ組成のセラミ
ックス粉体中に埋設し、この状態でホットプレス焼成を
行うことを特徴とする。
【0021】ここで、上述した発熱体を形成する高融点
金属線材として、タングステン線を用いる。また、上述
した窒化ケイ素質セラミックスには、モリブデンケイ化
物、モリブデン炭ケイ化物のうちの少なくとも一種以上
が存在しているものを含むものとする。
金属線材として、タングステン線を用いる。また、上述
した窒化ケイ素質セラミックスには、モリブデンケイ化
物、モリブデン炭ケイ化物のうちの少なくとも一種以上
が存在しているものを含むものとする。
【0022】本発明によれば、上述した各部の数値条件
等をすべて満足するセラミックヒータを得ることによ
り、W線材等の高融点金属線材を発熱体として急速昇温
を可能とすることができ、セラミックス絶縁体を形成す
る窒化ケイ素質セラミックスが熱によって変質したりす
ることがない1300℃程度の飽和温度をもつことがで
きる。
等をすべて満足するセラミックヒータを得ることによ
り、W線材等の高融点金属線材を発熱体として急速昇温
を可能とすることができ、セラミックス絶縁体を形成す
る窒化ケイ素質セラミックスが熱によって変質したりす
ることがない1300℃程度の飽和温度をもつことがで
きる。
【0023】本発明によれば、セラミックヒータ内の発
熱体の温度上昇が均一に行われるから、発熱体の温度上
昇による抵抗値の変化が充分に安定して行われる。した
がって、昇温特性が向上するとともに、自己飽和機能に
優れ、簡単な構造で自己温度制御機能を達成することが
できる。
熱体の温度上昇が均一に行われるから、発熱体の温度上
昇による抵抗値の変化が充分に安定して行われる。した
がって、昇温特性が向上するとともに、自己飽和機能に
優れ、簡単な構造で自己温度制御機能を達成することが
できる。
【0024】また、本発明によれば、セラミックス絶縁
体内での熱伝導性を、窒化ケイ素質セラミックスにモリ
ブデンケイ化物、モリブデン炭ケイ化物の少なくとも一
種以上を存在させることによって向上させ、昇温特性
(800℃到達時間)を向上させることができる。さら
に、上述した窒化ケイ素質セラミックスを用いることに
より、線膨張係数が大きくなり、発熱体として用いるW
線材に近くなること、およびW線材の表面にMo−W−
Si系の保護膜を形成できることから、セラミックス焼
成時に起きる初期欠陥(W線材の割れ、セラミックス部
分の割れ)を防ぐことができる。
体内での熱伝導性を、窒化ケイ素質セラミックスにモリ
ブデンケイ化物、モリブデン炭ケイ化物の少なくとも一
種以上を存在させることによって向上させ、昇温特性
(800℃到達時間)を向上させることができる。さら
に、上述した窒化ケイ素質セラミックスを用いることに
より、線膨張係数が大きくなり、発熱体として用いるW
線材に近くなること、およびW線材の表面にMo−W−
Si系の保護膜を形成できることから、セラミックス焼
成時に起きる初期欠陥(W線材の割れ、セラミックス部
分の割れ)を防ぐことができる。
【0025】また、本発明によれば、始めに、二つの穴
を有する円柱形状であって線材を巻き付けやすい形状の
窒化ケイ素質セラミックスからなる円柱状セラミックス
成形体または焼結体を作製する。そして、このようなセ
ラミックス成形体または焼成体に高融点金属線材として
W線材を冷間で巻き付ける。前記セラミックス成形体ま
たは焼結体の2つの穴の中に、巻き付けたW線材の一端
部とリードの接続端とをそれぞれ通し、窒化ケイ素質セ
ラミックス粉体内に埋設し、セラミックヒータを構成す
る成形体を形成する。次に、この窒化ケイ素質セラミッ
クス粉体中に埋設し、これら全体を焼結することによ
り、高融点金属線材としてW線材を用いたセラミックヒ
ータを簡単に作製することができる。
を有する円柱形状であって線材を巻き付けやすい形状の
窒化ケイ素質セラミックスからなる円柱状セラミックス
成形体または焼結体を作製する。そして、このようなセ
ラミックス成形体または焼成体に高融点金属線材として
W線材を冷間で巻き付ける。前記セラミックス成形体ま
たは焼結体の2つの穴の中に、巻き付けたW線材の一端
部とリードの接続端とをそれぞれ通し、窒化ケイ素質セ
ラミックス粉体内に埋設し、セラミックヒータを構成す
る成形体を形成する。次に、この窒化ケイ素質セラミッ
クス粉体中に埋設し、これら全体を焼結することによ
り、高融点金属線材としてW線材を用いたセラミックヒ
ータを簡単に作製することができる。
【0026】
【発明の実施の形態】図1ないし図7は本発明に係るセ
ラミックヒータ型グロープラグおよびその製造方法の一
つの実施の形態を示す。これらの図において、図1およ
び図7を用いて全体を符号10で示すセラミックヒータ
型グロープラグの概要を以下に説明する。
ラミックヒータ型グロープラグおよびその製造方法の一
つの実施の形態を示す。これらの図において、図1およ
び図7を用いて全体を符号10で示すセラミックヒータ
型グロープラグの概要を以下に説明する。
【0027】図中符号11は後述する窒化ケイ素質セラ
ミックスからなるセラミックス絶縁体によるセラミック
ヒータ、12はこのセラミックヒータ11の外周部に嵌
装されろう付け等で接合されている管状体からなる金属
製円筒体、13はこの金属製円筒体12を先端部に保持
するとともにこのグロープラグ10のエンジンのシリン
ダヘッドへの取付け金具となる管状ハウジングである。
この管状ハウジング13の後端側外周部には、シリンダ
ヘッドの取付け穴へねじ込むためのねじ部13aが形成
されている。
ミックスからなるセラミックス絶縁体によるセラミック
ヒータ、12はこのセラミックヒータ11の外周部に嵌
装されろう付け等で接合されている管状体からなる金属
製円筒体、13はこの金属製円筒体12を先端部に保持
するとともにこのグロープラグ10のエンジンのシリン
ダヘッドへの取付け金具となる管状ハウジングである。
この管状ハウジング13の後端側外周部には、シリンダ
ヘッドの取付け穴へねじ込むためのねじ部13aが形成
されている。
【0028】14は管状ハウジング13の後端部に絶縁
ブッシュ15を介して保持した外部接続端子である。1
6はこの外部接続端子14の内方端部分と前記セラミッ
クヒータ11とを電気的に接続する接続導体で、この接
続導体16の外周には絶縁スリーブ16aが嵌装されて
いる。
ブッシュ15を介して保持した外部接続端子である。1
6はこの外部接続端子14の内方端部分と前記セラミッ
クヒータ11とを電気的に接続する接続導体で、この接
続導体16の外周には絶縁スリーブ16aが嵌装されて
いる。
【0029】17は前記セラミックヒータ11の後端部
に嵌装されたターミナル端子としての電極取出し金具
で、この電極取出し金具17に前記接続導体16の一端
部が接続されることにより、セラミックヒータ11への
外部接続端子14からの通電が行われる。
に嵌装されたターミナル端子としての電極取出し金具
で、この電極取出し金具17に前記接続導体16の一端
部が接続されることにより、セラミックヒータ11への
外部接続端子14からの通電が行われる。
【0030】図7ではアース側ターミナル端子の電極取
出し金具として金属製円筒体12を用いている。しか
し、これに限らず、アース側ターミナル端子の電極取り
出し金具をセラミックヒータ11の後端部寄りに嵌装
し、この金具の一部を前記金属製円筒体12に接続する
ことにより管状ハウジング13を介してアース接続が行
えるようにしてもよい。なお、このようなグロープラグ
10の構造や機能は、セラミックヒータ11の構造を除
いて従来から広く知られている事項であるから、ここで
の詳細な説明は省略する。
出し金具として金属製円筒体12を用いている。しか
し、これに限らず、アース側ターミナル端子の電極取り
出し金具をセラミックヒータ11の後端部寄りに嵌装
し、この金具の一部を前記金属製円筒体12に接続する
ことにより管状ハウジング13を介してアース接続が行
えるようにしてもよい。なお、このようなグロープラグ
10の構造や機能は、セラミックヒータ11の構造を除
いて従来から広く知られている事項であるから、ここで
の詳細な説明は省略する。
【0031】前記セラミックヒータ11を構成するセラ
ミックス絶縁体21中には、図1、図5、図7に示すよ
うに例えばW線材からなる高融点金属材(以下、W線材
という)からなる発熱体22と、この発熱体22の両端
部22a,22bに一端部23a,24aが接続されヒ
ータ外部との電極取出しを行うリード23,24とをセ
ラミックス絶縁体21中に埋設している。
ミックス絶縁体21中には、図1、図5、図7に示すよ
うに例えばW線材からなる高融点金属材(以下、W線材
という)からなる発熱体22と、この発熱体22の両端
部22a,22bに一端部23a,24aが接続されヒ
ータ外部との電極取出しを行うリード23,24とをセ
ラミックス絶縁体21中に埋設している。
【0032】前記一方のリード23の接続端23bは、
セラミックス絶縁体21の後端部に嵌装した電極取出し
金具17と電気的に接続されている。この電気的接続部
は一般には正極となる。すなわち、この電極取出し金具
17が接続導体16を介して外部接続端子14に接続さ
れ、管状ハウジング13の後端部から後方に延設されて
いる。
セラミックス絶縁体21の後端部に嵌装した電極取出し
金具17と電気的に接続されている。この電気的接続部
は一般には正極となる。すなわち、この電極取出し金具
17が接続導体16を介して外部接続端子14に接続さ
れ、管状ハウジング13の後端部から後方に延設されて
いる。
【0033】また、他方のリード24の接続端24b
は、図1に示すように、セラミックス絶縁体21の後端
部寄りの外周部に露出され、金属製円筒体12とろう付
けなどにより電気的に接続されている。この電気的接続
部は一般には負極となる。
は、図1に示すように、セラミックス絶縁体21の後端
部寄りの外周部に露出され、金属製円筒体12とろう付
けなどにより電気的に接続されている。この電気的接続
部は一般には負極となる。
【0034】これらのリード23,24の接続端23
b,24bのセラミックス絶縁体12の周囲への露出部
には、金属製円筒体12や電気的接続を行うための金属
製電極取出し金具17を接合させるために、導電層とし
てメタライズ層(図示せず)を形成するとよい。
b,24bのセラミックス絶縁体12の周囲への露出部
には、金属製円筒体12や電気的接続を行うための金属
製電極取出し金具17を接合させるために、導電層とし
てメタライズ層(図示せず)を形成するとよい。
【0035】前記発熱体22は、図1、図3、図5、図
7に示すように、セラミック絶縁体21内に埋設した円
柱状セラミックス成形体または焼結体26(以下、セラ
ミックス成形体26として略称する)の外周部にコイル
状に巻付けられている。前記成形体26は、窒化ケイ素
質セラミックスにより全体がほぼ円柱状を呈する形状で
形成され、その中央部分には互いに軸線が平行な二つの
穴27a,27bが形成されている。
7に示すように、セラミック絶縁体21内に埋設した円
柱状セラミックス成形体または焼結体26(以下、セラ
ミックス成形体26として略称する)の外周部にコイル
状に巻付けられている。前記成形体26は、窒化ケイ素
質セラミックスにより全体がほぼ円柱状を呈する形状で
形成され、その中央部分には互いに軸線が平行な二つの
穴27a,27bが形成されている。
【0036】ここで、上述したセラミックス成形体26
の一方の穴27a内には、一方のリードとなる金属線材
23が後端から嵌挿され、その先端23aがこの穴27
aに同方向から差し込まれるW線材からなる発熱体22
の一端部22aと接合されている。また、セラミックス
成形体26の他方の穴27b内には、他方のリードとな
る金属線材24が後端から嵌挿され、その先端24aが
この穴27bに先端から差し込まれる発熱体22の他端
22bと接合されている。
の一方の穴27a内には、一方のリードとなる金属線材
23が後端から嵌挿され、その先端23aがこの穴27
aに同方向から差し込まれるW線材からなる発熱体22
の一端部22aと接合されている。また、セラミックス
成形体26の他方の穴27b内には、他方のリードとな
る金属線材24が後端から嵌挿され、その先端24aが
この穴27bに先端から差し込まれる発熱体22の他端
22bと接合されている。
【0037】このような構造によれば、穴27a,27
bを開けたセラミック成形体26を用い、これに発熱体
22となるW線材を螺旋状に巻き付けるとともに、それ
ぞれの穴27a,27bにリードとなる金属線材23,
24を差し込んでそれぞれをW線材の各端に接続する。
そして、セラミック粉体内に埋設した後、例えば真空
中、窒素中、不活性雰囲気中、還元雰囲気中のいずれか
で焼成することにより、焼成工程によるセラミックの収
縮で必要部分の接合端が圧接され、しかも強度的にも電
気的にも満足できる接合体が得られる。
bを開けたセラミック成形体26を用い、これに発熱体
22となるW線材を螺旋状に巻き付けるとともに、それ
ぞれの穴27a,27bにリードとなる金属線材23,
24を差し込んでそれぞれをW線材の各端に接続する。
そして、セラミック粉体内に埋設した後、例えば真空
中、窒素中、不活性雰囲気中、還元雰囲気中のいずれか
で焼成することにより、焼成工程によるセラミックの収
縮で必要部分の接合端が圧接され、しかも強度的にも電
気的にも満足できる接合体が得られる。
【0038】本発明によれば、上述したようにグロープ
ラグ10におけるセラミックヒータ11を、高融点金属
線材による発熱体となるW線材(以下の説明ではW線材
に符号22を付して説明する)を、セラミックス絶縁体
21を形成する窒化ケイ素質セラミックス中に埋設した
状態で作製するにあたって、以下の条件を満足するよう
に構成している。
ラグ10におけるセラミックヒータ11を、高融点金属
線材による発熱体となるW線材(以下の説明ではW線材
に符号22を付して説明する)を、セラミックス絶縁体
21を形成する窒化ケイ素質セラミックス中に埋設した
状態で作製するにあたって、以下の条件を満足するよう
に構成している。
【0039】すなわち、上述したセラミックヒータ型グ
ロープラグ10において、セラミックヒータ11の金属
製円筒体12の先端からの突き出し長さを15mm以下
(8〜15mm)とし、ヒータ11の先端部の径寸法D
を5mm以下(2.8〜5mm)とする。また、このよ
うなグロープラグ10への通電用バッテリの仕様電圧は
12Vまたは24Vである。なお、セラミックヒータ1
1の突き出し長さは、後述するW線材22のコイル状部
分の軸線方向の長さaやヒータ11の金属製円筒体12
への保持部との位置関係によって定められる。また、上
述した径寸法Dが小さいと、セラミックヒータ11の強
度が低下するから自ずと限界がある。
ロープラグ10において、セラミックヒータ11の金属
製円筒体12の先端からの突き出し長さを15mm以下
(8〜15mm)とし、ヒータ11の先端部の径寸法D
を5mm以下(2.8〜5mm)とする。また、このよ
うなグロープラグ10への通電用バッテリの仕様電圧は
12Vまたは24Vである。なお、セラミックヒータ1
1の突き出し長さは、後述するW線材22のコイル状部
分の軸線方向の長さaやヒータ11の金属製円筒体12
への保持部との位置関係によって定められる。また、上
述した径寸法Dが小さいと、セラミックヒータ11の強
度が低下するから自ずと限界がある。
【0040】上述した条件下のグロープラグ10におい
て、図1〜図6に示すように、セラミックヒータ11内
のW線材22のコイル状となる部分(円柱状セラミック
ス成形体26への巻き付け部分)の長さaを3〜10m
mとする。また、前記窒化ケイ素質セラミックスからな
るセラミックス絶縁体21の径寸法Dに対しての前記W
線材22のコイル状部分の最長径(長径側の径寸法)d
2(図2参照)を0.75D≦d2 <Dの範囲内で設定
する。なお、図2中d1 はW線材22のコイル状部分の
短径側の径寸法を表す。
て、図1〜図6に示すように、セラミックヒータ11内
のW線材22のコイル状となる部分(円柱状セラミック
ス成形体26への巻き付け部分)の長さaを3〜10m
mとする。また、前記窒化ケイ素質セラミックスからな
るセラミックス絶縁体21の径寸法Dに対しての前記W
線材22のコイル状部分の最長径(長径側の径寸法)d
2(図2参照)を0.75D≦d2 <Dの範囲内で設定
する。なお、図2中d1 はW線材22のコイル状部分の
短径側の径寸法を表す。
【0041】上述したセラミックヒータ11において、
セラミックス絶縁体21中に埋設したW線材22のコイ
ル状部分が図2に示すように断面ほぼ楕円形状を呈して
いるのは、セラミックス絶縁体21を焼成したときに加
圧圧縮されるためである。勿論、この焼成前は、図6に
示すようにほぼ円形状で円柱状セラミックス成形体26
に巻き付けられている。
セラミックス絶縁体21中に埋設したW線材22のコイ
ル状部分が図2に示すように断面ほぼ楕円形状を呈して
いるのは、セラミックス絶縁体21を焼成したときに加
圧圧縮されるためである。勿論、この焼成前は、図6に
示すようにほぼ円形状で円柱状セラミックス成形体26
に巻き付けられている。
【0042】さらに、前記W線材22のコイル状部分を
前記窒化ケイ素質セラミックスからなるセラミックス絶
縁体21を保持した金属製円筒体12の先端よりもヒー
タ11の先端側に埋設する。また、前記W線材22にお
ける少なくともコイル状部分の線径を0.05〜0.3
mmの範囲内で設定するとともに、前記W線材22のコ
イル状部分の螺旋ピッチPを、少なくとも線間距離tが
0.01mm以上の状態で0.06〜1.30mmの範
囲内で設定する。なお、上述したW線材22のコイル状
部分の抵抗値は0.3〜3Ωの範囲内で設定するとよ
い。
前記窒化ケイ素質セラミックスからなるセラミックス絶
縁体21を保持した金属製円筒体12の先端よりもヒー
タ11の先端側に埋設する。また、前記W線材22にお
ける少なくともコイル状部分の線径を0.05〜0.3
mmの範囲内で設定するとともに、前記W線材22のコ
イル状部分の螺旋ピッチPを、少なくとも線間距離tが
0.01mm以上の状態で0.06〜1.30mmの範
囲内で設定する。なお、上述したW線材22のコイル状
部分の抵抗値は0.3〜3Ωの範囲内で設定するとよ
い。
【0043】また、上述したセラミックス絶縁体21や
円柱状セラミックス成形体26を形成する窒化ケイ素質
セラミックス中には、モリブデンケイ化物、モリブデン
炭ケイ化物のうちの少なくとも一種以上を存在させる。
円柱状セラミックス成形体26を形成する窒化ケイ素質
セラミックス中には、モリブデンケイ化物、モリブデン
炭ケイ化物のうちの少なくとも一種以上を存在させる。
【0044】本発明は、上述したセラミックヒータ型グ
ロープラグ10において、セラミックヒータ11に自己
温度制御機能をもたせ、速熱型とするための800℃到
達時間の短縮を含めて昇温特性等の性能を向上させるこ
とができるとともに、抵抗温度係数の大きい高融点金属
線材としてのW線材22のもつ特性を最大限に生かすた
め、W線材22のコイル状部分の配置等の詳細な検討と
種々の試行錯誤を行った結果、上述した各部の寸法や位
置関係に基づいた構成を採用するとよいことを見いだし
たものである。
ロープラグ10において、セラミックヒータ11に自己
温度制御機能をもたせ、速熱型とするための800℃到
達時間の短縮を含めて昇温特性等の性能を向上させるこ
とができるとともに、抵抗温度係数の大きい高融点金属
線材としてのW線材22のもつ特性を最大限に生かすた
め、W線材22のコイル状部分の配置等の詳細な検討と
種々の試行錯誤を行った結果、上述した各部の寸法や位
置関係に基づいた構成を採用するとよいことを見いだし
たものである。
【0045】また、本発明によれば、窒化ケイ素質セラ
ミックスからなるセラミックス絶縁体21を用いること
により、熱伝導性および高温強度、破壊靭性を向上させ
るとともに、高融点金属材であるW線材22にMo−W
−Si系(モリブデン−タングステン−ケイ素系)の保
護膜を形成できるようにし、W線材22の高温強度を向
上させている。
ミックスからなるセラミックス絶縁体21を用いること
により、熱伝導性および高温強度、破壊靭性を向上させ
るとともに、高融点金属材であるW線材22にMo−W
−Si系(モリブデン−タングステン−ケイ素系)の保
護膜を形成できるようにし、W線材22の高温強度を向
上させている。
【0046】ここで、セラミックス絶縁体21を形成す
る窒化ケイ素質セラミックスとは、焼結助剤を含んだ窒
化ケイ素のことを示す。焼結助剤は焼成後に粒界に残
り、ガラス相や結晶相を形成する。そのガラス相および
結晶相の種類によって、耐酸化性や強度、高温強度等の
特性がほぼ決まってくる。焼結助剤としては、高温特性
に優れる系であるイットリア−アルミナ系等の複合系、
イットリア系、イッテルビア系等の希土類の含まれる焼
結助剤が好ましい。
る窒化ケイ素質セラミックスとは、焼結助剤を含んだ窒
化ケイ素のことを示す。焼結助剤は焼成後に粒界に残
り、ガラス相や結晶相を形成する。そのガラス相および
結晶相の種類によって、耐酸化性や強度、高温強度等の
特性がほぼ決まってくる。焼結助剤としては、高温特性
に優れる系であるイットリア−アルミナ系等の複合系、
イットリア系、イッテルビア系等の希土類の含まれる焼
結助剤が好ましい。
【0047】また、W線材22を形成するWは、純度が
99.99%より大きく、K、Al、Siの微量元素が
意図的に添加されていない、いわゆるノンドープ材であ
るWであることが好ましい。このようにすると、セラミ
ックス絶縁体21の焼成時のホットプレス温度が高くで
き、焼結助剤に希土類を容易に使用することができる。
なお、線材にあらかじめ1900℃〜3000℃での熱
処理をほどこし、繊維状の組織を再結晶させたWでも同
様の効果が得られる。
99.99%より大きく、K、Al、Siの微量元素が
意図的に添加されていない、いわゆるノンドープ材であ
るWであることが好ましい。このようにすると、セラミ
ックス絶縁体21の焼成時のホットプレス温度が高くで
き、焼結助剤に希土類を容易に使用することができる。
なお、線材にあらかじめ1900℃〜3000℃での熱
処理をほどこし、繊維状の組織を再結晶させたWでも同
様の効果が得られる。
【0048】前記W線材22のコイル状となる部分の長
さaを3mm〜10mmとした理由は、グロープラグ1
0へのバッテリからの通電電圧と発熱体として必要なW
線材22による抵抗値とを前提としたときに、抵抗値
は、セラミックス絶縁体21の径(W線材22のセラミ
ックス成形体26への巻き付けによるコイル径)および
W線材22の線径、W線材22のセラミックス絶縁体2
1内に入っている長さ等に依存して変化するからであ
る。
さaを3mm〜10mmとした理由は、グロープラグ1
0へのバッテリからの通電電圧と発熱体として必要なW
線材22による抵抗値とを前提としたときに、抵抗値
は、セラミックス絶縁体21の径(W線材22のセラミ
ックス成形体26への巻き付けによるコイル径)および
W線材22の線径、W線材22のセラミックス絶縁体2
1内に入っている長さ等に依存して変化するからであ
る。
【0049】ここで、セラミックス絶縁体21の径寸法
Dが5mm以下である場合において、W線材22のコイ
ル状部分の長さaが3mmより短いと自動車のバッテリ
電圧ではW線材22全体の抵抗値が小さ過ぎることにな
る。このようなW線材22が発熱すると1600℃以上
の高温となってしまい、窒化ケイ素質セラミックスが熱
影響により劣化してセラミックス絶縁体21の耐久性が
なくなる。一方、W線材22のコイル状部分の長さaが
10mmよりも長いと、ヒータ11の先端部での発熱、
すなわちヒータ11の先端より2.5mmの部位が最高
温度となるようにならないばかりでなく、無駄な放熱が
多くなるため、消費電力が大きくなる。
Dが5mm以下である場合において、W線材22のコイ
ル状部分の長さaが3mmより短いと自動車のバッテリ
電圧ではW線材22全体の抵抗値が小さ過ぎることにな
る。このようなW線材22が発熱すると1600℃以上
の高温となってしまい、窒化ケイ素質セラミックスが熱
影響により劣化してセラミックス絶縁体21の耐久性が
なくなる。一方、W線材22のコイル状部分の長さaが
10mmよりも長いと、ヒータ11の先端部での発熱、
すなわちヒータ11の先端より2.5mmの部位が最高
温度となるようにならないばかりでなく、無駄な放熱が
多くなるため、消費電力が大きくなる。
【0050】また、金属製円筒体12の先端からのセラ
ミックヒータ11部分の突き出し長さが15mm以下で
ある場合であってW線材22のコイル状部分の長さaが
10mmよりも長いと、セラミックスヒータ11の部分
と金属製円筒体12とのロウ付け部分の温度が800〜
900℃と上がり過ぎ、ロウ材が流れ出してしまい、気
密性が低下したり、電極部分での断線が起きたりする。
したがって、このW線材22のコイル状部分の長さaは
3mm〜10mmとしなければならない。
ミックヒータ11部分の突き出し長さが15mm以下で
ある場合であってW線材22のコイル状部分の長さaが
10mmよりも長いと、セラミックスヒータ11の部分
と金属製円筒体12とのロウ付け部分の温度が800〜
900℃と上がり過ぎ、ロウ材が流れ出してしまい、気
密性が低下したり、電極部分での断線が起きたりする。
したがって、このW線材22のコイル状部分の長さaは
3mm〜10mmとしなければならない。
【0051】また、コイル状部分はセラミックス絶縁体
21の支持部材である金属製円筒体12の先端部分より
前に埋設されなければならない。好ましくはコイル状部
分の軸線方向の中央位置を金属製円筒体12の先端より
も5mm〜8mm程度前側に位置させるとよい。
21の支持部材である金属製円筒体12の先端部分より
前に埋設されなければならない。好ましくはコイル状部
分の軸線方向の中央位置を金属製円筒体12の先端より
も5mm〜8mm程度前側に位置させるとよい。
【0052】前記窒化ケイ素質セラミックスからなるセ
ラミックス絶縁体21の径寸法Dに対して、W線材22
のコイル状部分の最長径d2 を0.75D≦d2 <Dと
する理由は、グロープラグ10の周方向での温度分布に
おける温度差を小さく(30℃未満)とするため、およ
びヒータ11における昇温速度を速くするためである。
ラミックス絶縁体21の径寸法Dに対して、W線材22
のコイル状部分の最長径d2 を0.75D≦d2 <Dと
する理由は、グロープラグ10の周方向での温度分布に
おける温度差を小さく(30℃未満)とするため、およ
びヒータ11における昇温速度を速くするためである。
【0053】これを詳述すると、このW線材22のコイ
ル状部分の最長径d2 が0.75Dよりも小さいと、セ
ラミックス絶縁体21の外表面まで熱が伝わるのに時間
がかかるため、定格電圧(11V)で800℃到達時間
4秒以下というような急速昇温が不可能となる。また、
コイル状の部分の最長径d2 がD以上であるということ
は、このW線材22が絶縁体21の外表面に露出してい
るということである。すなわち、特に高温状態でW線材
22が大気等の雰囲気中にあると、腐食したり酸化した
りするため、W線材22は外表面に露出させてはならな
いということである。
ル状部分の最長径d2 が0.75Dよりも小さいと、セ
ラミックス絶縁体21の外表面まで熱が伝わるのに時間
がかかるため、定格電圧(11V)で800℃到達時間
4秒以下というような急速昇温が不可能となる。また、
コイル状の部分の最長径d2 がD以上であるということ
は、このW線材22が絶縁体21の外表面に露出してい
るということである。すなわち、特に高温状態でW線材
22が大気等の雰囲気中にあると、腐食したり酸化した
りするため、W線材22は外表面に露出させてはならな
いということである。
【0054】また、前記W線材22のコイル状部分の線
径が0.05mm〜0.3mmの範囲であり、W線材2
2のコイル状部分の線間距離tは0.01mm〜1mm
であって、その螺旋ピッチPは0.06〜1.30mm
の範囲内で設定するとよい。前記W線材22は窒化ケイ
素質セラミックス内に埋設してあるためにW線材22の
表面にW(タングステン)のケイ化物が生成する。この
層の生成によって、W線材22の径が0.05mm未満
であると、その反応層の面積がW線材22の断面積に対
して大きくなり、通電加熱中にそこからクラックが入
り、それがW線材22の内部にもクラックを引き起こし
て断線するおそれがあり、セラミックヒータ型グロープ
ラグ10の耐久性が劣ることになる。
径が0.05mm〜0.3mmの範囲であり、W線材2
2のコイル状部分の線間距離tは0.01mm〜1mm
であって、その螺旋ピッチPは0.06〜1.30mm
の範囲内で設定するとよい。前記W線材22は窒化ケイ
素質セラミックス内に埋設してあるためにW線材22の
表面にW(タングステン)のケイ化物が生成する。この
層の生成によって、W線材22の径が0.05mm未満
であると、その反応層の面積がW線材22の断面積に対
して大きくなり、通電加熱中にそこからクラックが入
り、それがW線材22の内部にもクラックを引き起こし
て断線するおそれがあり、セラミックヒータ型グロープ
ラグ10の耐久性が劣ることになる。
【0055】また、セラミックス絶縁体21の径寸法D
が5mm以下であるときに、その内部にW線材22のコ
イル状部分を納めようとすると、線径が0.3mmより
大きいとW線材22の加工性(特に巻線加工時の加工
性)が悪くなるために不可能となる。好ましくは、0.
1〜0.15mmの範囲内で設定するとよい。
が5mm以下であるときに、その内部にW線材22のコ
イル状部分を納めようとすると、線径が0.3mmより
大きいとW線材22の加工性(特に巻線加工時の加工
性)が悪くなるために不可能となる。好ましくは、0.
1〜0.15mmの範囲内で設定するとよい。
【0056】W線材22のコイル状部分の線間距離は図
3において0.01〜1mmである。このコイル状とな
る部分の長さaは3〜10mmである理由は、前述した
通りであるが、W線材22の抵抗温度係数を利用して、
自己温度制御機能をもたせるためには、この範囲が最適
であることが確認されている。例えば線間距離が0.0
1mmよりも小さい場合は、セラミックス成形時やホッ
トプレス焼成を行う際にW線材22の巻線どうしが接触
してしまい、所望の抵抗が得られなかったり、通電した
場合に、そこで短絡、スパークを起こしてしまい断線す
る。また、1mmよりも大きいとW線材22の発熱部が
集中せず、自己温度制御機能が十分に発揮できず、15
00℃以上の温度になってしまう場合がある。好ましく
は0.1〜0.5mmの範囲内で設定するとよい。
3において0.01〜1mmである。このコイル状とな
る部分の長さaは3〜10mmである理由は、前述した
通りであるが、W線材22の抵抗温度係数を利用して、
自己温度制御機能をもたせるためには、この範囲が最適
であることが確認されている。例えば線間距離が0.0
1mmよりも小さい場合は、セラミックス成形時やホッ
トプレス焼成を行う際にW線材22の巻線どうしが接触
してしまい、所望の抵抗が得られなかったり、通電した
場合に、そこで短絡、スパークを起こしてしまい断線す
る。また、1mmよりも大きいとW線材22の発熱部が
集中せず、自己温度制御機能が十分に発揮できず、15
00℃以上の温度になってしまう場合がある。好ましく
は0.1〜0.5mmの範囲内で設定するとよい。
【0057】そして、上述した条件のすべてを満足する
ことでW線材22を発熱体とする急速昇温が可能で、窒
化ケイ素質セラミックスが熱によって損傷を受けない1
300℃程度の飽和温度をもち、W線材22が断線した
りせず、耐久性に優れ、しかも理想的な自己温度制御機
能をもつセラミックヒータ型グロープラグ10を製造す
ることができるのである。
ことでW線材22を発熱体とする急速昇温が可能で、窒
化ケイ素質セラミックスが熱によって損傷を受けない1
300℃程度の飽和温度をもち、W線材22が断線した
りせず、耐久性に優れ、しかも理想的な自己温度制御機
能をもつセラミックヒータ型グロープラグ10を製造す
ることができるのである。
【0058】ここで、本発明によれば、2つの穴27
a,27bが開いた円柱状セラミックス成形体26に高
融点金属線材であるW線材22をコイル状に巻き付け、
その一端部22aを穴27aに入れ、同じ穴にリード2
3を入れ、他端22bを穴27bに入れ、この穴にリー
ド24を入れている。そして、W線材22の各端とリー
ド23,24の接続端とを同じ穴内で接触させている。
そして、これらを前記セラミックス成形体26とほぼ同
じ組成の窒化ケイ素質セラミックスの粉体中に埋設し、
ホットプレス焼成を行うことにより、図1、図5に示し
た形状のセラミックヒータ11を製造することができ
る。
a,27bが開いた円柱状セラミックス成形体26に高
融点金属線材であるW線材22をコイル状に巻き付け、
その一端部22aを穴27aに入れ、同じ穴にリード2
3を入れ、他端22bを穴27bに入れ、この穴にリー
ド24を入れている。そして、W線材22の各端とリー
ド23,24の接続端とを同じ穴内で接触させている。
そして、これらを前記セラミックス成形体26とほぼ同
じ組成の窒化ケイ素質セラミックスの粉体中に埋設し、
ホットプレス焼成を行うことにより、図1、図5に示し
た形状のセラミックヒータ11を製造することができ
る。
【0059】ここで、窒化ケイ素質セラミックスには、
モリブデンケイ化物、モリブデン炭ケイ化物の内少なく
とも一種以上を存在させることによって、セラミックス
絶縁体21内での熱伝導性をよくし、昇温特性(800
℃到達時間)をさらによくすることができる。また、そ
れらが存在することにより、線膨張係数が大きくなりW
線材22と近くなること、およびW線材22の表面にM
o−W−Si系の保護膜を形成することができるから、
焼成時に起きる初期欠陥(Wの割れ、セラミックス部の
割れ)を防ぐことができるため、故障の頻度が非常に少
なくなり、耐久性をさらに向上させることができる。な
お、上述した添加量は導電性をもたない範囲、40vol
% 以下が望ましい。
モリブデンケイ化物、モリブデン炭ケイ化物の内少なく
とも一種以上を存在させることによって、セラミックス
絶縁体21内での熱伝導性をよくし、昇温特性(800
℃到達時間)をさらによくすることができる。また、そ
れらが存在することにより、線膨張係数が大きくなりW
線材22と近くなること、およびW線材22の表面にM
o−W−Si系の保護膜を形成することができるから、
焼成時に起きる初期欠陥(Wの割れ、セラミックス部の
割れ)を防ぐことができるため、故障の頻度が非常に少
なくなり、耐久性をさらに向上させることができる。な
お、上述した添加量は導電性をもたない範囲、40vol
% 以下が望ましい。
【0060】なお、モリブデンケイ化物とはMoSi2
またはMo3Si、Mo5Si3であり、モリブデン炭ケ
イ化物は一般的にMo5-xSi3Cy で表される。そのう
ちの少なくとも一種以上が存在していればよく、Mo
5-xSi3Cy 単独で存在した窒化ケイ素質セラミック
ス、またはMo5Si3とMo5-xSi3Cy が両方とも存
在している窒化ケイ素質セラミックスが特に望ましい。
またはMo3Si、Mo5Si3であり、モリブデン炭ケ
イ化物は一般的にMo5-xSi3Cy で表される。そのう
ちの少なくとも一種以上が存在していればよく、Mo
5-xSi3Cy 単独で存在した窒化ケイ素質セラミック
ス、またはMo5Si3とMo5-xSi3Cy が両方とも存
在している窒化ケイ素質セラミックスが特に望ましい。
【0061】以下に、上述したセラミックヒータ型グロ
ープラグ10の製造方法について簡単に述べる。始め
に、二つの穴27a,27bを有する円柱形状であって
W線材22を巻き付けやすい形状の窒化ケイ素質セラミ
ックスからなる円柱状セラミックス成形体26を作製す
る(図3参照)。ここでは、このセラミックス成形体2
6をセラミックス絶縁体21中に埋設することから、こ
のセラミックス絶縁体21を形成する窒化ケイ素質セラ
ミックスと熱膨張係数がほぼ等しくなるような組成のセ
ラミックスを選択する。勿論、外側部材であるセラミッ
クス絶縁体21の窒化ケイ素質セラミックスと同一の組
成であることが好ましい。
ープラグ10の製造方法について簡単に述べる。始め
に、二つの穴27a,27bを有する円柱形状であって
W線材22を巻き付けやすい形状の窒化ケイ素質セラミ
ックスからなる円柱状セラミックス成形体26を作製す
る(図3参照)。ここでは、このセラミックス成形体2
6をセラミックス絶縁体21中に埋設することから、こ
のセラミックス絶縁体21を形成する窒化ケイ素質セラ
ミックスと熱膨張係数がほぼ等しくなるような組成のセ
ラミックスを選択する。勿論、外側部材であるセラミッ
クス絶縁体21の窒化ケイ素質セラミックスと同一の組
成であることが好ましい。
【0062】また、上述したような二つの穴27a,2
7bを有するセラミックス成形体26の窒化ケイ素質セ
ラミックスによる作製は、一軸プレス、CIP(等方圧
プレス)、押出成型、射出成形等のような一般的な方法
を採用することができる。このようなセラミックス成形
体(成形体または焼結体)26にW線材22を巻き付け
る。ここで、セラミックス焼成体とは、500℃前後で
脱脂した脱脂体、焼結温度よりもやや低めの温度で焼成
をした仮焼体も含まれる。セラミックヒータの製造工程
におけるハンドリングのし易さによって、セラミックス
成形体または焼成体のいずれを用いるかを選択するとよ
い。
7bを有するセラミックス成形体26の窒化ケイ素質セ
ラミックスによる作製は、一軸プレス、CIP(等方圧
プレス)、押出成型、射出成形等のような一般的な方法
を採用することができる。このようなセラミックス成形
体(成形体または焼結体)26にW線材22を巻き付け
る。ここで、セラミックス焼成体とは、500℃前後で
脱脂した脱脂体、焼結温度よりもやや低めの温度で焼成
をした仮焼体も含まれる。セラミックヒータの製造工程
におけるハンドリングのし易さによって、セラミックス
成形体または焼成体のいずれを用いるかを選択するとよ
い。
【0063】また、従来高融点金属線材であるW線材2
2をコイル状に作製する場合、予めMo(モリブデン)
等の金属部材に巻き付けてその後、Mo等の金属部材を
溶かすという方法や温間で巻き取る方法を採用していた
が、この実施の形態によれば、W線材22の成形体26
への巻き付け工程を冷間で行うことが可能であり、セラ
ミックス成形体26に直接巻き付けることができ自動化
を達成できる。そして、Mo等の金属部材を使用する必
要がなく、製造コストのかからない製造方法となる。
2をコイル状に作製する場合、予めMo(モリブデン)
等の金属部材に巻き付けてその後、Mo等の金属部材を
溶かすという方法や温間で巻き取る方法を採用していた
が、この実施の形態によれば、W線材22の成形体26
への巻き付け工程を冷間で行うことが可能であり、セラ
ミックス成形体26に直接巻き付けることができ自動化
を達成できる。そして、Mo等の金属部材を使用する必
要がなく、製造コストのかからない製造方法となる。
【0064】セラミックス成形体26の2つの穴の中
に、巻き付けたW線材22の一端部とリードの接続端と
をそれぞれ通し(図4参照)、窒化ケイ素質セラミック
スの粉体内に埋設し、セラミックヒータ11を構成する
成形体(焼成により焼結体となる)を形成する(図5、
図6参照)。しかる後、焼結金型の中に約半分の窒化ケ
イ素質セラミックスの粉体を入れ、W線材22を巻いた
前記円柱状セラミックス成形体26を置き、残りの半分
の窒化ケイ素質セラミックスの粉体を入れて一軸プレス
をする。また、W線材を巻いたものを中心に据えてドラ
イCIPをする方法等、様々な方法を選択することがで
きる。
に、巻き付けたW線材22の一端部とリードの接続端と
をそれぞれ通し(図4参照)、窒化ケイ素質セラミック
スの粉体内に埋設し、セラミックヒータ11を構成する
成形体(焼成により焼結体となる)を形成する(図5、
図6参照)。しかる後、焼結金型の中に約半分の窒化ケ
イ素質セラミックスの粉体を入れ、W線材22を巻いた
前記円柱状セラミックス成形体26を置き、残りの半分
の窒化ケイ素質セラミックスの粉体を入れて一軸プレス
をする。また、W線材を巻いたものを中心に据えてドラ
イCIPをする方法等、様々な方法を選択することがで
きる。
【0065】次に、この窒化ケイ素質セラミックスの粉
体中に埋設したものを焼結させる。ここでは、常圧焼結
およびガス圧焼結および20MPaより低い圧力のホッ
トプレス焼結では十分に緻密化せず、埋設物(W線材2
2を巻き付けたセラミックス成形体26)の移動が起こ
り、コイル状のW線材22と窒化ケイ素質セラミックス
との間に隙間ができたが、20MPa以上の圧力をかけ
たホットプレス法を用いることにより、所要の状態での
焼結を行うことができることが確認されている。
体中に埋設したものを焼結させる。ここでは、常圧焼結
およびガス圧焼結および20MPaより低い圧力のホッ
トプレス焼結では十分に緻密化せず、埋設物(W線材2
2を巻き付けたセラミックス成形体26)の移動が起こ
り、コイル状のW線材22と窒化ケイ素質セラミックス
との間に隙間ができたが、20MPa以上の圧力をかけ
たホットプレス法を用いることにより、所要の状態での
焼結を行うことができることが確認されている。
【0066】また、温度条件が1650℃より低い温度
でホットプレスを行うと、外側の窒化ケイ素質セラミッ
クスが十分に緻密化しないだけではなく、W線材22を
巻いた円柱状セラミックス成形体26と一体化させるこ
とができなかった。また、1850℃よりも高い温度で
ホットプレスを行うと、窒化ケイ素質セラミックスが分
解することにより十分に緻密化しない。また、W線材2
2と窒化ケイ素質セラミックスとの反応が激しくなる現
象が起きることが確認されている。
でホットプレスを行うと、外側の窒化ケイ素質セラミッ
クスが十分に緻密化しないだけではなく、W線材22を
巻いた円柱状セラミックス成形体26と一体化させるこ
とができなかった。また、1850℃よりも高い温度で
ホットプレスを行うと、窒化ケイ素質セラミックスが分
解することにより十分に緻密化しない。また、W線材2
2と窒化ケイ素質セラミックスとの反応が激しくなる現
象が起きることが確認されている。
【0067】すなわち、1650℃以上であって185
0℃以下の温度条件で、しかも20MPa以上の圧力で
ホットプレス焼成を行うことが好ましいことが確認され
ている。しかも、このようなホットプレス焼成を行うこ
とにより、リード23,24とW線材22のコイル状部
分の各端22a,22bとを確実に接合することがで
き、電気導電性をもたせることができる。
0℃以下の温度条件で、しかも20MPa以上の圧力で
ホットプレス焼成を行うことが好ましいことが確認され
ている。しかも、このようなホットプレス焼成を行うこ
とにより、リード23,24とW線材22のコイル状部
分の各端22a,22bとを確実に接合することがで
き、電気導電性をもたせることができる。
【0068】なお、本発明は上述した実施の形態で説明
した構造には限定されず、各部の形状、構造等を適宜変
形、変更し得ることはいうまでもない。例えば発熱体2
2を形成する高融点金属線材とは例えばW線材がある
が、これに限らず、Mo(モリブデン)線材やW合金線
材、Mo合金線材でもよい。また、上述したセラミック
ス成形体または焼結体26の穴27a,27b内に入れ
て接合する金属線材(リード)23,24とは、例えば
融点が2000℃以上である高融点金属材を用いるとよ
いが、これには限らない。
した構造には限定されず、各部の形状、構造等を適宜変
形、変更し得ることはいうまでもない。例えば発熱体2
2を形成する高融点金属線材とは例えばW線材がある
が、これに限らず、Mo(モリブデン)線材やW合金線
材、Mo合金線材でもよい。また、上述したセラミック
ス成形体または焼結体26の穴27a,27b内に入れ
て接合する金属線材(リード)23,24とは、例えば
融点が2000℃以上である高融点金属材を用いるとよ
いが、これには限らない。
【0069】また、セラミックス成形体26とはセラミ
ック粉体を固めたものをいう。押出し成形、鋳込み成
形、プレス成形、CIP成形法など、セラミックの一般
的な成型方法を採用し、穴の開いた形状で成形するとよ
い。さらに、セラミックス焼結体とは上述したセラミッ
クス成形体26を焼成したものであり、半焼成体も含
む。その穴の開いた形状のセラミック成形体または焼結
体がハンドリングしやすい強度を有するか否かで成形
体、焼結体のいずれかを選択する。
ック粉体を固めたものをいう。押出し成形、鋳込み成
形、プレス成形、CIP成形法など、セラミックの一般
的な成型方法を採用し、穴の開いた形状で成形するとよ
い。さらに、セラミックス焼結体とは上述したセラミッ
クス成形体26を焼成したものであり、半焼成体も含
む。その穴の開いた形状のセラミック成形体または焼結
体がハンドリングしやすい強度を有するか否かで成形
体、焼結体のいずれかを選択する。
【0070】
【実施例】〔確認試験1〕セラミックス粉体を円柱状に
成形した後に脱脂し、1750℃で常圧焼結を行い、直
径2.8mm、長さ7mmであって穴径が0.6mmの
2つ穴の開いた円柱状セラミックス焼結体26(ここで
はSi3N4、助剤としてAl2O3、Y2O3を用い、10
vol%のMo5Si3Cおよび10vol%のMo5Si3を添
加した窒化ケイ素質セラミックスからなる)を作製す
る。ここでの相対密度は98.8%である。これに、線
径が0.125mmのW線材(純度99.99%より
上)を巻き付ける。
成形した後に脱脂し、1750℃で常圧焼結を行い、直
径2.8mm、長さ7mmであって穴径が0.6mmの
2つ穴の開いた円柱状セラミックス焼結体26(ここで
はSi3N4、助剤としてAl2O3、Y2O3を用い、10
vol%のMo5Si3Cおよび10vol%のMo5Si3を添
加した窒化ケイ素質セラミックスからなる)を作製す
る。ここでの相対密度は98.8%である。これに、線
径が0.125mmのW線材(純度99.99%より
上)を巻き付ける。
【0071】このときのW線材のコイル状部分の線間距
離は0.2mmであって、コイル状部分の長さは6mm
とする。そのW線材の両端をそれぞれ穴27a,27b
に入れ、同じ穴27a,27bに0.3mmのリード2
3,24の一端部23a,24aをW線材の各端22
a,22bと重なるように挿入する。この状態が図3、
図4に示す状態である。
離は0.2mmであって、コイル状部分の長さは6mm
とする。そのW線材の両端をそれぞれ穴27a,27b
に入れ、同じ穴27a,27bに0.3mmのリード2
3,24の一端部23a,24aをW線材の各端22
a,22bと重なるように挿入する。この状態が図3、
図4に示す状態である。
【0072】その後、金型に円柱状の窒化ケイ素質成形
品(セラミックス焼結体26)と同一の組成のセラミッ
クス粉体を入れ、一軸プレスにより長方体を成形した
後、その上にW線材22を巻いた円柱状の窒化ケイ素質
成形品(セラミックス焼結体26)を置き、さらにその
上からのセラミックス粉体を入れてプレスし、W線材2
2を巻いた円柱状窒化ケイ素質成形品(セラミックス焼
結体26)を埋設した状態で直方体の成形体を作製す
る。
品(セラミックス焼結体26)と同一の組成のセラミッ
クス粉体を入れ、一軸プレスにより長方体を成形した
後、その上にW線材22を巻いた円柱状の窒化ケイ素質
成形品(セラミックス焼結体26)を置き、さらにその
上からのセラミックス粉体を入れてプレスし、W線材2
2を巻いた円柱状窒化ケイ素質成形品(セラミックス焼
結体26)を埋設した状態で直方体の成形体を作製す
る。
【0073】その後、図示しない黒鉛型に入れ、40M
Pa、1750℃で1h(1時間)のホットプレス焼成
を行い、窒化ケイ素質セラミックスからなるセラミック
ス絶縁体21を焼結体として作製する。そして、これ
を、直径3.5mm、長さ40mmの円筒体であって、
W線材22の2つの端(リード23,24の他端23
b,24b)がセラミックス絶縁体21の外周部に露出
するように研削加工し、最先端を球面状に加工し、図5
に示すようなセラミックヒータ11を得る。その後、セ
ラミックヒータ11の外周部にメタライズ層(図示せ
ず)を形成した後、金属製円筒体12をロウ付けし(図
1参照)、これを管状ハウジング13の先端部に取付け
てセラミックヒータ型グロープラグ10を製造する。
Pa、1750℃で1h(1時間)のホットプレス焼成
を行い、窒化ケイ素質セラミックスからなるセラミック
ス絶縁体21を焼結体として作製する。そして、これ
を、直径3.5mm、長さ40mmの円筒体であって、
W線材22の2つの端(リード23,24の他端23
b,24b)がセラミックス絶縁体21の外周部に露出
するように研削加工し、最先端を球面状に加工し、図5
に示すようなセラミックヒータ11を得る。その後、セ
ラミックヒータ11の外周部にメタライズ層(図示せ
ず)を形成した後、金属製円筒体12をロウ付けし(図
1参照)、これを管状ハウジング13の先端部に取付け
てセラミックヒータ型グロープラグ10を製造する。
【0074】この確認試験1でのセラミックヒータ11
の諸元を、下記の表1に示す。
の諸元を、下記の表1に示す。
【0075】
【表1】
【0076】上述した製造方法により製造した5本の昇
温特性試験と耐久試験の結果を下記の表2に示す。ここ
で、昇温特性試験は、定格電圧(バッテリの仕様電圧が
12Vであるときは11V)を印加し、800℃までの
到達時間を測定する。この到達時間が4.5秒以下であ
ることを規格とする。また、耐久試験は、アフターグロ
ー電圧(バッテリの仕様電圧が12Vであるときは14
V)を印加し、60秒後に1300℃で飽和するように
設定し、30秒ON、30秒OFFを1サイクルとして
耐久作動を行う。この耐久作動回数が50000回以上
であることを規格とする。
温特性試験と耐久試験の結果を下記の表2に示す。ここ
で、昇温特性試験は、定格電圧(バッテリの仕様電圧が
12Vであるときは11V)を印加し、800℃までの
到達時間を測定する。この到達時間が4.5秒以下であ
ることを規格とする。また、耐久試験は、アフターグロ
ー電圧(バッテリの仕様電圧が12Vであるときは14
V)を印加し、60秒後に1300℃で飽和するように
設定し、30秒ON、30秒OFFを1サイクルとして
耐久作動を行う。この耐久作動回数が50000回以上
であることを規格とする。
【0077】
【表2】
【0078】ここで、温度測定はグロープラグ10にお
けるセラミックヒータ11の最先端から3mmの位置で
行う。この位置での発熱温度は実際に自動車に搭載した
場合の状態に近い値を示す。また、エンジン始動時には
オルタネータ等との電圧の取り合いとなり、バッテリの
仕様電圧が12Vの場合、グロープラグへの供給電圧
は、最初の数秒間は定格電圧(11V)の状態となり、
5秒程度経過した後にはアフターグロー電圧(14V)
の状態となる。すなわち、上述した表2においての到達
時間や電流の測定数値は、バッテリの仕様電圧が12V
のときに実際に自動車に搭載した場合の数値に相当す
る。
けるセラミックヒータ11の最先端から3mmの位置で
行う。この位置での発熱温度は実際に自動車に搭載した
場合の状態に近い値を示す。また、エンジン始動時には
オルタネータ等との電圧の取り合いとなり、バッテリの
仕様電圧が12Vの場合、グロープラグへの供給電圧
は、最初の数秒間は定格電圧(11V)の状態となり、
5秒程度経過した後にはアフターグロー電圧(14V)
の状態となる。すなわち、上述した表2においての到達
時間や電流の測定数値は、バッテリの仕様電圧が12V
のときに実際に自動車に搭載した場合の数値に相当す
る。
【0079】800℃の到達時間が4秒以下であって、
その時の電流が4A程度と低く、ピーク温度が1300
℃となる自己温度制御機能をもつセラミックヒータ型グ
ロープラグ10が得られることが確認できた。また、1
4Vで30秒間のON状態−30秒間のOFF状態(強
制空冷を含む)を1サイクルとする耐久試験を行ったと
ころ、全ての試料が5万回を超えてもW線材の断線、セ
ラミックス絶縁体21の割れ等は起こらなかった。
その時の電流が4A程度と低く、ピーク温度が1300
℃となる自己温度制御機能をもつセラミックヒータ型グ
ロープラグ10が得られることが確認できた。また、1
4Vで30秒間のON状態−30秒間のOFF状態(強
制空冷を含む)を1サイクルとする耐久試験を行ったと
ころ、全ての試料が5万回を超えてもW線材の断線、セ
ラミックス絶縁体21の割れ等は起こらなかった。
【0080】なお、比較例として、セラミックス絶縁体
21部分の組成は同一であって、ほぼU字形状の発熱体
(W線材)を用いた場合の昇温特性を試料6として示
す。電流量および周温度差がこの確認試験1での製品
(試料1〜5)に比べて大きいことが明白である。ま
た、耐久回数も劣っていることが確認できる。
21部分の組成は同一であって、ほぼU字形状の発熱体
(W線材)を用いた場合の昇温特性を試料6として示
す。電流量および周温度差がこの確認試験1での製品
(試料1〜5)に比べて大きいことが明白である。ま
た、耐久回数も劣っていることが確認できる。
【0081】〔確認試験2〕この確認試験2では、上述
した確認試験1と同様に、外径φ3.5mmのセラミッ
クヒータ型グロープラグ10を作製した。この確認試験
2におけるセラミックヒータ11の諸元は前述した表1
の通りである。この表1において「数値変化」とした項
目はこの確認試験2を行うにあたって変動データであ
り、発熱体22となるW線材の線径を0.125mmと
0.15mmに、線間距離t(線径との関係で螺旋ピッ
チPとなる)を0.009〜1.5mmに、コイル状部
分の長さaを2〜15mmに、コイル状部分の最長径を
2.1〜3.1mm等に変化させた20本の試料で特性
を測定した。なお、ヒータ11の突き出し長さは11m
mとした。この確認試験2で上述した確認試験1と同様
の昇温特性試験と耐久試験を行った結果を下記の表3に
示す。
した確認試験1と同様に、外径φ3.5mmのセラミッ
クヒータ型グロープラグ10を作製した。この確認試験
2におけるセラミックヒータ11の諸元は前述した表1
の通りである。この表1において「数値変化」とした項
目はこの確認試験2を行うにあたって変動データであ
り、発熱体22となるW線材の線径を0.125mmと
0.15mmに、線間距離t(線径との関係で螺旋ピッ
チPとなる)を0.009〜1.5mmに、コイル状部
分の長さaを2〜15mmに、コイル状部分の最長径を
2.1〜3.1mm等に変化させた20本の試料で特性
を測定した。なお、ヒータ11の突き出し長さは11m
mとした。この確認試験2で上述した確認試験1と同様
の昇温特性試験と耐久試験を行った結果を下記の表3に
示す。
【0082】
【表3】
【0083】この表3でも、上述した表2の場合と同様
に、耐久回数はアフターグロー電圧(14V)で30秒
間のON状態−30秒間のOFF状態(強制空冷を含
む)を1サイクルとする耐久試験を行い、5万回を達成
すれば「○」、しなければ「×」とした。
に、耐久回数はアフターグロー電圧(14V)で30秒
間のON状態−30秒間のOFF状態(強制空冷を含
む)を1サイクルとする耐久試験を行い、5万回を達成
すれば「○」、しなければ「×」とした。
【0084】この表3の結果から明らかなように、W線
材による発熱体22におけるコイル状となる部分の長さ
が3〜10mmの範囲内では、昇温特性試験で飽和温度
が1230〜1380℃で、800℃到達時間が2.8
〜4.43秒であり、耐久試験の結果も含め、発熱体2
2におけるコイル状となる部分の長さは3〜10mmの
範囲で採用可能であることが確認できる。
材による発熱体22におけるコイル状となる部分の長さ
が3〜10mmの範囲内では、昇温特性試験で飽和温度
が1230〜1380℃で、800℃到達時間が2.8
〜4.43秒であり、耐久試験の結果も含め、発熱体2
2におけるコイル状となる部分の長さは3〜10mmの
範囲で採用可能であることが確認できる。
【0085】〔確認試験3〕この確認試験3では、上述
した確認試験1、2と同様に、前記表1におけるセラミ
ックヒータ11の諸元に基づいてセラミックヒータ型グ
ロープラグ10を作製した。この確認試験3では、ヒー
タ先端部の径寸法Dを変動データとし、2.80mm,
3.50mm,5.00mmの三種類の径寸法Dをもつ
試料で測定している。また、W線材のコイル状部分の最
長径d2 も1.40〜4.90mmに変化させている。
試料の数は28本である。
した確認試験1、2と同様に、前記表1におけるセラミ
ックヒータ11の諸元に基づいてセラミックヒータ型グ
ロープラグ10を作製した。この確認試験3では、ヒー
タ先端部の径寸法Dを変動データとし、2.80mm,
3.50mm,5.00mmの三種類の径寸法Dをもつ
試料で測定している。また、W線材のコイル状部分の最
長径d2 も1.40〜4.90mmに変化させている。
試料の数は28本である。
【0086】ヒータ11の突き出し長さは11mmと
し、コイル状部分の長さaは6mm、W線材の線径は
0.15mm、線間距離t(コイル状部分の螺旋ピッチ
Pは線径によって決まる)は0.6mmとした。このよ
うな試料による確認試験1、2と同様の試験結果を下記
の表4に示す。
し、コイル状部分の長さaは6mm、W線材の線径は
0.15mm、線間距離t(コイル状部分の螺旋ピッチ
Pは線径によって決まる)は0.6mmとした。このよ
うな試料による確認試験1、2と同様の試験結果を下記
の表4に示す。
【0087】
【表4】
【0088】この表4でも、上述した表1〜表3の場合
と同様に、耐久回数はアフターグロー電圧(14V)で
30秒間のON状態−30秒間のOFF状態(強制空冷
を含む)を1サイクルとする耐久試験を行い、5万回を
達成すれば「○」、しなければ「×」とした。
と同様に、耐久回数はアフターグロー電圧(14V)で
30秒間のON状態−30秒間のOFF状態(強制空冷
を含む)を1サイクルとする耐久試験を行い、5万回を
達成すれば「○」、しなければ「×」とした。
【0089】この表4から明らかなように、発熱体のコ
イル部最長径d2 とヒータ先端部の径寸法Dとの比(d
2 /D)が0.75以上では、昇温特性試験で飽和温度
が1280〜1297℃で、800℃到達時間が3.5
〜4.5秒である。したがって、耐久試験の結果も含
め、発熱体のコイル部最長径d2 とヒータ先端部の径寸
法Dとの比(d2 /D)が0.75以上であればよいこ
とになる。
イル部最長径d2 とヒータ先端部の径寸法Dとの比(d
2 /D)が0.75以上では、昇温特性試験で飽和温度
が1280〜1297℃で、800℃到達時間が3.5
〜4.5秒である。したがって、耐久試験の結果も含
め、発熱体のコイル部最長径d2 とヒータ先端部の径寸
法Dとの比(d2 /D)が0.75以上であればよいこ
とになる。
【0090】〔確認試験4〕この確認試験4では、上述
した確認試験1、2、3と同様に、前記表1におけるセ
ラミックヒータ11の諸元に基づいて、外法(径寸法
D)が3.5mmで、突き出し長さが11mmのセラミ
ックヒータ型グロープラグ10を作製した。この確認試
験3では、発熱体22となるW線材のコイル状部分の長
さaを6mm、コイル状部分の最長径d2 を3.15m
mとした56本の試料で測定を行った。
した確認試験1、2、3と同様に、前記表1におけるセ
ラミックヒータ11の諸元に基づいて、外法(径寸法
D)が3.5mmで、突き出し長さが11mmのセラミ
ックヒータ型グロープラグ10を作製した。この確認試
験3では、発熱体22となるW線材のコイル状部分の長
さaを6mm、コイル状部分の最長径d2 を3.15m
mとした56本の試料で測定を行った。
【0091】ここでの変動データは、0.03〜0.4
mmの間で7種類に設定されるコイル状部分の線径と、
0.005〜1.500mmの間で設定される線間距離
tによって得られる螺旋ピッチPである。このような試
料による確認試験1、2、3と同様の試験結果を下記の
表5に示す。
mmの間で7種類に設定されるコイル状部分の線径と、
0.005〜1.500mmの間で設定される線間距離
tによって得られる螺旋ピッチPである。このような試
料による確認試験1、2、3と同様の試験結果を下記の
表5に示す。
【0092】
【表5】
【0093】この表5でも、上述した表1〜表4の場合
と同様に、耐久回数はアフターグロー電圧(14V)で
30秒間のON状態−30秒間のOFF状態(強制空冷
を含む)を1サイクルとする耐久試験を行い、5万回を
達成すれば「○」、しなければ「×」としており、10
万回を達成したものには、特に「◎」を付している。
と同様に、耐久回数はアフターグロー電圧(14V)で
30秒間のON状態−30秒間のOFF状態(強制空冷
を含む)を1サイクルとする耐久試験を行い、5万回を
達成すれば「○」、しなければ「×」としており、10
万回を達成したものには、特に「◎」を付している。
【0094】この表5から明らかなように、W線材の線
径が0.05〜0.3mm、線間距離tが0.01〜
1.0mmで、螺旋ピッチPが0.06〜1.3mmで
は、800℃到達時間が3.5〜4.5秒であり、耐久
試験の結果も含め、W線材の線径が0.05〜0.3m
m、線間距離tが0.01〜1.0mmで、螺旋ピッチ
Pが0.06〜1.3mmであればよいことになる。特
に、W線材の線径が0.1〜0.15mm、線間距離t
が0.1〜0.5mmの場合は、耐久試験で規格の2倍
以上の耐久性を示しており、好ましくは線径を0.1〜
0.15mm、線間距離tを0.1〜0.5mmとする
とよいことが確認できる。
径が0.05〜0.3mm、線間距離tが0.01〜
1.0mmで、螺旋ピッチPが0.06〜1.3mmで
は、800℃到達時間が3.5〜4.5秒であり、耐久
試験の結果も含め、W線材の線径が0.05〜0.3m
m、線間距離tが0.01〜1.0mmで、螺旋ピッチ
Pが0.06〜1.3mmであればよいことになる。特
に、W線材の線径が0.1〜0.15mm、線間距離t
が0.1〜0.5mmの場合は、耐久試験で規格の2倍
以上の耐久性を示しており、好ましくは線径を0.1〜
0.15mm、線間距離tを0.1〜0.5mmとする
とよいことが確認できる。
【0095】以上の確認試験1〜4から明らかなよう
に、本発明によるセラミックヒータ型グロープラグは、
昇温特性試験や耐久試験を満足し、昇温特性に優れ、耐
久性に優れていることが確認できる。
に、本発明によるセラミックヒータ型グロープラグは、
昇温特性試験や耐久試験を満足し、昇温特性に優れ、耐
久性に優れていることが確認できる。
【0096】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るセラミ
ックヒータ型グロープラグによれば、高温強度やコスト
面で優れているW線材等の高融点金属線材を発熱体とし
て、また熱伝導特性、高温強度の面で優れた窒化ケイ素
質セラミックスをセラミックス絶縁体として用いること
により、800℃への到達時間が短く速熱型としての機
能を発揮できるとともに、飽和温度も1300℃程度と
高くなり、グロープラグとしての昇温特性の面で優れ、
しかもアフターグロー温度が上がり過ぎず長時間にわた
るアフターグローが可能となる理想的な自己温度制御機
能をもたせたセラミックヒータを実現することができ
る。
ックヒータ型グロープラグによれば、高温強度やコスト
面で優れているW線材等の高融点金属線材を発熱体とし
て、また熱伝導特性、高温強度の面で優れた窒化ケイ素
質セラミックスをセラミックス絶縁体として用いること
により、800℃への到達時間が短く速熱型としての機
能を発揮できるとともに、飽和温度も1300℃程度と
高くなり、グロープラグとしての昇温特性の面で優れ、
しかもアフターグロー温度が上がり過ぎず長時間にわた
るアフターグローが可能となる理想的な自己温度制御機
能をもたせたセラミックヒータを実現することができ
る。
【0097】また、本発明によれば、従来問題であった
セラミックヒータからハウジング側への熱伝達が最小限
となり、セラミックヒータとしての熱効率がよくなり、
ディーゼルエンジン用予熱装置としての消費電力を最小
限にすることができる。
セラミックヒータからハウジング側への熱伝達が最小限
となり、セラミックヒータとしての熱効率がよくなり、
ディーゼルエンジン用予熱装置としての消費電力を最小
限にすることができる。
【0098】また、本発明によれば、W線材等の高融点
金属材を用いることにより発熱時の断線問題がなくな
り、しかも急速昇温が可能となる。さらに、1300℃
程度の飽和温度では熱影響によって変質したりすること
がない窒化ケイ素質セラミックスを用いているから、熱
伝達効率や耐久性の面で優れている。
金属材を用いることにより発熱時の断線問題がなくな
り、しかも急速昇温が可能となる。さらに、1300℃
程度の飽和温度では熱影響によって変質したりすること
がない窒化ケイ素質セラミックスを用いているから、熱
伝達効率や耐久性の面で優れている。
【0099】また、本発明によれば、発熱体としてコイ
ル状に巻回したものを絶縁性セラミックス内に立体的に
埋設し、発熱体をヒータの外周近くに全周にわたって存
在させているから、セラミックヒータの周方向における
温度分布のばらつきが小さくなり、従来問題であった5
0℃以上の温度差は生じない。
ル状に巻回したものを絶縁性セラミックス内に立体的に
埋設し、発熱体をヒータの外周近くに全周にわたって存
在させているから、セラミックヒータの周方向における
温度分布のばらつきが小さくなり、従来問題であった5
0℃以上の温度差は生じない。
【0100】また、本発明に係るセラミックヒータ型グ
ロープラグの製造方法によれば、セラミックヒータの製
造時、特にセラミックス焼成時に生じていた発熱体の断
線やセラミックス絶縁体の割れを防止することができ、
グロープラグとしての耐久性を向上させ、またコスト低
減を図れる。例えば窒化ケイ素質セラミックスとして、
モリブデンケイ化物、モリブデン炭ケイ化物のうちの少
なくとも一種以上が存在している材質を用い、発熱体と
して高融点金属であるW線材を用いることにより、W線
材の表面にMo−W−Si系の保護膜を形成することが
できるから、W線材の耐久性に優れるとともに、発熱時
において自己温度制御機能をもたせることができる。
ロープラグの製造方法によれば、セラミックヒータの製
造時、特にセラミックス焼成時に生じていた発熱体の断
線やセラミックス絶縁体の割れを防止することができ、
グロープラグとしての耐久性を向上させ、またコスト低
減を図れる。例えば窒化ケイ素質セラミックスとして、
モリブデンケイ化物、モリブデン炭ケイ化物のうちの少
なくとも一種以上が存在している材質を用い、発熱体と
して高融点金属であるW線材を用いることにより、W線
材の表面にMo−W−Si系の保護膜を形成することが
できるから、W線材の耐久性に優れるとともに、発熱時
において自己温度制御機能をもたせることができる。
【0101】また、本発明によれば、従来例のような薄
膜製造技術等の特殊な技術を用いずにセラミックヒータ
を形成できるから、製造が容易になり、製造コストを削
減できる。また、本発明によれば、セラミックヒータ内
の発熱体の材料の組成を管理する必要がなく、発熱体内
部でマイグレーション(移行、変態)が起こることもな
いという利点もある。
膜製造技術等の特殊な技術を用いずにセラミックヒータ
を形成できるから、製造が容易になり、製造コストを削
減できる。また、本発明によれば、セラミックヒータ内
の発熱体の材料の組成を管理する必要がなく、発熱体内
部でマイグレーション(移行、変態)が起こることもな
いという利点もある。
【図1】 本発明に係るセラミックヒータ型グロープラ
グおよびその製造方法の一つの実施の形態を示し、セラ
ミックヒータ部分を説明するための縦断面図である。
グおよびその製造方法の一つの実施の形態を示し、セラ
ミックヒータ部分を説明するための縦断面図である。
【図2】 図1のセラミックヒータのII−II線で断面し
た図であって、高融点金属線材(W線材)の巻線に沿っ
て示す横断面図である。
た図であって、高融点金属線材(W線材)の巻線に沿っ
て示す横断面図である。
【図3】 本発明に係るセラミックヒータ型グロープラ
グの要部とする円柱状セラミックス成形体または焼結体
の横断面図である。
グの要部とする円柱状セラミックス成形体または焼結体
の横断面図である。
【図4】 セラミックヒータを構成する円柱状セラミッ
クス成形体または焼結体に対して発熱体となる高融点金
属線材(W線材)とリードとなる金属線材とを組み付け
た状態を示す側面図である。
クス成形体または焼結体に対して発熱体となる高融点金
属線材(W線材)とリードとなる金属線材とを組み付け
た状態を示す側面図である。
【図5】 図4の組立体を窒化ケイ素質セラミックスか
らなるセラミックス絶縁体内に埋設したときの状態を説
明するための縦断面図である。
らなるセラミックス絶縁体内に埋設したときの状態を説
明するための縦断面図である。
【図6】 図5のセラミックヒータのVI−VI線で断面し
た図であって、高融点金属線材(W線材)の巻線に沿っ
て示す横断面図である。
た図であって、高融点金属線材(W線材)の巻線に沿っ
て示す横断面図である。
【図7】 本発明に係るセラミックヒータ型グロープラ
グの一例を説明するための全体の断面図である。
グの一例を説明するための全体の断面図である。
10…セラミックヒータ型グロープラグ、11…セラミ
ックヒータ、12…金属製円筒体、13…管状ハウジン
グ、14…外部接続端子、16…接続導体、17…電極
取出し金具、21…窒化ケイ素質セラミックスからなる
セラミック絶縁体、22…高融点金属線材(W線材)か
らなる発熱体、23,24…リード、26…円柱状セラ
ミックス成形体または焼結体。
ックヒータ、12…金属製円筒体、13…管状ハウジン
グ、14…外部接続端子、16…接続導体、17…電極
取出し金具、21…窒化ケイ素質セラミックスからなる
セラミック絶縁体、22…高融点金属線材(W線材)か
らなる発熱体、23,24…リード、26…円柱状セラ
ミックス成形体または焼結体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 趙 艱 埼玉県東松山市神明町2丁目11番6号 ボ ッシュ ブレーキ システム株式会社内 (72)発明者 三浦 俊嗣 埼玉県東松山市神明町2丁目11番6号 ボ ッシュ ブレーキ システム株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 高融点金属線材からなる発熱体を窒化ケ
イ素質セラミックスからなるセラミックス絶縁体に埋設
することにより形成するセラミックヒータと、このセラ
ミックヒータの外周を保持する金属製円筒体を備えたセ
ラミックヒータ型グロープラグにおいて、 前記セラミックヒータの前記金属製円筒体の先端部から
の突き出し長さを8〜15mmとし、 前記発熱体のコイル状となる部分の長さを3〜10mm
とし、 前記セラミックスヒータの先端部の径寸法Dを2.8〜
5mmとするとともに、この径寸法Dに対しての前記発
熱体のコイル状部分の最長径d2 を0.75D≦d2 <
Dとし、 前記発熱体のコイル状部分を前記金属製円筒体の先端部
よりもセラミックス絶縁体の先端側に埋設し、 前記発熱体における少なくともコイル状部分の線径を
0.05〜0.3mmの範囲とするとともに、前記発熱
体のコイル状部分の螺旋ピッチを、少なくとも線間距離
が0.01mm以上の状態で0.06〜1.30mmの
範囲内で設定したことを特徴とするセラミックヒータ型
グロープラグ。 - 【請求項2】 請求項1に記載のセラミックヒータ型グ
ロープラグにおいて、 前記発熱体を形成する高融点金属線材として、タングス
テン線を用いたことを特徴とするセラミックヒータ型グ
ロープラグ。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載のセラミ
ックヒータ型グロープラグにおいて、 前記セラミックス絶縁体を形成する窒化ケイ素質セラミ
ックス中に、モリブデンケイ化物、モリブデン炭ケイ化
物のうちの少なくとも一種以上が存在していることを特
徴とするセラミックヒータ型グロープラグ。 - 【請求項4】 高融点金属線材からなる発熱体を窒化ケ
イ素質セラミックスからなるセラミックス絶縁体に埋設
することにより形成するセラミックヒータと、このセラ
ミックヒータの外周を保持する金属製円筒体を備えたセ
ラミックヒータ型グロープラグにおいて、 前記セラミックヒータの金属製円筒体の先端部からの突
き出し長さを8〜15mmとし、 前記発熱体のコイル状となる部分の長さを3〜10mm
とし、 前記セラミックスヒータの先端部の径寸法Dを2.8〜
5mmとするとともに、この径寸法Dに対しての前記発
熱体のコイル状部分の最長径d2 を0.75D≦d2 <
Dとし、 前記発熱体のコイル状部分を前記金属製円筒体の先端部
よりも前記セラミックスヒータの先端側に埋設し、 前記発熱体における少なくともコイル状部分の線径を
0.05〜0.3mmの範囲とするとともに、前記発熱
体のコイル状部分の螺旋ピッチを、少なくとも線間距離
が0.01mm以上の状態で0.06〜1.30mmの
範囲内で設定したセラミックヒータを製造するにあたっ
て、 2つの穴を開けた円柱状セラミックス成形体または焼結
体に高融点金属からなる発熱体をコイル状に巻付け、 この発熱体の一端部を一方の穴に入れるとともに、同じ
穴にリード線用の金属抵抗体の一端部を入れて前記発熱
体の一端部と穴の中で接触させ、 これらを前記セラミックス成形体または焼結体とほぼ同
じ組成のセラミックス粉体中に埋設し、 この状態でホットプレス焼成を行うことを特徴とするセ
ラミックヒータ型グロープラグの製造方法。 - 【請求項5】 請求項4に記載のセラミックヒータ型グ
ロープラグの製造方法において、 前記発熱体を形成する高融点金属線材として、タングス
テン線を用いることを特徴とするセラミックヒータ型グ
ロープラグの製造方法。 - 【請求項6】 請求項4または請求項5に記載のセラミ
ックヒータ型グロープラグの製造方法において、 前記窒化ケイ素質セラミックス中に、モリブデンケイ化
物、モリブデン炭ケイ化物のうちの少なくとも一種以上
が存在していることを特徴とするセラミックヒータ型グ
ロープラグの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11323715A JP2000220829A (ja) | 1998-11-24 | 1999-11-15 | セラミックヒ―タ型グロ―プラグおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33265598 | 1998-11-24 | ||
| JP10-332655 | 1998-11-24 | ||
| JP11323715A JP2000220829A (ja) | 1998-11-24 | 1999-11-15 | セラミックヒ―タ型グロ―プラグおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000220829A true JP2000220829A (ja) | 2000-08-08 |
Family
ID=26571282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11323715A Pending JP2000220829A (ja) | 1998-11-24 | 1999-11-15 | セラミックヒ―タ型グロ―プラグおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000220829A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010108606A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Kyocera Corp | セラミックヒータ |
| KR20110065472A (ko) | 2008-09-26 | 2011-06-15 | 쿄세라 코포레이션 | 세라믹 히터 |
| JP2016122665A (ja) * | 2016-03-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | ヒータおよびこれを備えたグロープラグ |
-
1999
- 1999-11-15 JP JP11323715A patent/JP2000220829A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110065472A (ko) | 2008-09-26 | 2011-06-15 | 쿄세라 코포레이션 | 세라믹 히터 |
| US8471179B2 (en) | 2008-09-26 | 2013-06-25 | Kyocera Corporation | Ceramic heater |
| JP2010108606A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Kyocera Corp | セラミックヒータ |
| US9288845B2 (en) | 2008-10-28 | 2016-03-15 | Kyocera Corporation | Ceramic heater |
| JP2016122665A (ja) * | 2016-03-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | ヒータおよびこれを備えたグロープラグ |
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