JP2000221248A - 半導体試験装置 - Google Patents
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Abstract
定信号を一定周期で繰返し発生制御可能な点に着目し
て、1つのAD変換器を用い、一定周期毎にAD変換す
るサンプリングの位相を変えてAD変換することで、等
価的に高いサンプリング周波数でAD変換された測定が
可能なデジタイザを備える半導体試験装置を提供する。 【解決手段】被測定信号は一定周期Tで繰返し発生可能
な出力信号であり、所定時間間隔Ts毎に被測定信号を
サンプリングクロックによりサンプリングしてコードデ
ータに変換するAD変換器を用いる波形デジタイザを備
える半導体試験装置において、一定周期T毎に所定時間
間隔Tsのサンプリングクロックの位相を所定の位相シ
フト量ΔP=360/Mづつ変えたサンプリングクロッ
クを発生する位相シフト手段を備えて周期回数Mの期間
測定することにより、被測定信号を等価的にTs/Mの
等間隔でサンプリングする波形デジタイザを実現した半
導体試験装置。
Description
から出力されるアナログ信号を連続的にAD変換して測
定するデジタイザを備える半導体試験装置に関する。特
に、AD変換するサンプリング周波数を等価的に向上可
能とする装置に関する。
シグナル・テスト・システムの概念構成例と、図5の本
願に係るデジタイザの概念構成例と、図6の2つのAD
Cを用いるデジタイザの要部構成例と、図7の2つのA
DCによる動作を説明するタイミングチャート例と、を
参照して以下に説明する。先ず、ミックスド・シグナル
・テスト・システムについて説明する。ミックスド・シ
グナル・テスト・システムはデジタル・アナログ混在型
のICを試験可能とするものであり、図4に示すよう
に、デジタルテスタ部(FTU)の資源(リソース)と
アナログテスタ部のリソースと、両者を同期する同期制
御部とを備えている。FTU側は、一般的な半導体試験
装置の構成要素であるタイミング発生器TGと、ALP
GやSQPGを含むパターン発生器と、所定タイミング
に波形整形するFCを備えている。テスタチャンネル
は、例えば256チャンネルあり、テスト・ステーショ
ンにあるDUTのICピンのデジタル入力・出力ピンへ
ピン・エレクトロニクス(PE)を介して接続される。
デジタル・アナログ同期制御部と、その他を備えてい
る。そして、SQPG側の発生信号を受けて、FTU側
の発生パターンのタイミングと、アナログテスタ側が信
号発生するタイミング、あるいは測定するタイミングの
同期をとる為に、同期用のスタート信号やトリガ信号を
生成して所定のアナログユニットに供給する。
クロック・マスタとを備えて、FTU側のTGからレー
トクロック等のクロック信号や、SSGからのクロック
等を受け、自身に備えるクロック発生器からのクロック
信号を受けて、各アナログユニット毎に所望のクロック
や所定に分周したクロックを供給する。
は、図4に示すように、デジタル波形データを発生する
DAWと、デジタル出力コードを取り込む記憶装置であ
る取得メモリAQM(Acquisition Memory)と、任意周
波数信号を発生するシンセサイザ(SSG)と、任意波
形発生器(AWG)と、アナログ波形をデジタルデータ
列に変換するデジタイザ(DGT)と、周波数や周期等
を測定する時間測定器(TMU)と、直流電圧を発生す
る高精度電圧発生器(PVS)と、直流電圧を測定する
高精度電圧測定器(PVM)と、データの演算処理を行
うDSP、CPUと、その他がある。これら各種リソー
スの多くは複数系統備えられ、上記の同期制御部40か
らの所望の同期信号を受けて信号発生したり測定開始し
たりできる。また各アナログユニットとDUTのICピ
ンとは、信号の授受を行うピン・エレクトロニクス(P
E)を介して接続されている。
構成例を参照して従来技術を説明する。デジタイザの本
願に係る要部構成は、フィルタ(FLT)60と、AD
変換器(ADC)30とで成る。ここで、DUTから出
力される被測定信号は多様であり、高速な波形であった
り、高精度な波形であったりする。これら多様なDUT
に対応する為に複数種類のデジタイザが備えられてい
て、DUTに応じて適宜切替えて使用に供される。例え
ば高速デジタイザにおけるADCでは12ビット100
MHzサンプリングレートのものや、高精度デジタイザ
におけるADCでは26ビット100KHzサンプリン
グレートのもの等である。
・フィルタであり、所望の通過帯域特性とする複数系統
のローパス・フィルタが周波数帯毎に備えられていて、
これらの何れかを選択して使用に供する。通常はアンチ
エリアシング・フィルタとして機能させる為に、DUT
からのアナログ入力信号をPEを介して受けて、1/2
サンプリング周波数fc以上の周波数成分を除去するフ
ィルタを用い、これによりフィルタした信号をADC3
0の入力端へ供給する。
リングクロック入力端を有し、サンプリングクロック4
0clk毎のエッジにおける入力信号を標本化する。即
ち、上記FLT60からのアナログ信号を受けてサンプ
リングクロック40clkであるサンプリング周波数fcで
連続的にコードデータ30sに変換してAQM50へ供
給する。
であり、上記コードデータ30sを受け、同期制御部4
0から格納用タイミング信号47sを受けて所定のアド
レスから連続するコードデータ30sを順次格納する。
ほどDUTの評価解析が的確にできる。この為、デジタ
イザとしてはDUTより出力されたアナログ信号を十分
細かい間隔で標本化する為に、可能な限り高速のサンプ
リング周波数fcで測定実施される。
ング周波数fcを超えるサンプリング周波数、例えば2
倍のサンプリング周波数で測定可能とした構成例につい
て、図6と図7を参照して説明する。ここで、2つのA
DCを用いて標本化させ、等価的に2倍のサンプリング
レートでサンプリングすることを等価サンプリングレー
トと称し、その周波数を等価サンプリング周波数fceと
する。
に、FLT60と、第1ADC31と、第2ADC32
と、マルチプレクサ35とで成る。尚、FLT60の設
定条件は、等価サンプリング周波数fceに対応するアン
チエリアシング・フィルタ条件に設定しておく。
グのように、同期制御部40からのサンプリングクロッ
ク41clkでAD変換して出力する。サンプリングクロ
ック41clkはADCの最高サンプリングレートであ
る。第2ADC32は、図7Bに示すタイミングのよう
に、同期制御部40からのサンプリングクロック42cl
kでAD変換して出力する。サンプリングクロック42c
lkはADCの最高サンプリングレートであり、かつ上記
サンプリングクロック41clkとは180度位相がシフ
トしたクロックである。
波のクロック45sのように、第1ADC31からのコ
ードデータ、第2ADC32からのコードデータを受け
て、同期制御部40からの最高サンプリングレートの方
形波のクロック45sのハイレベル/ローレベルによ
り、交互に選択したシリアルデータを順次AQM50へ
出力する。
DC31、第2ADC32、マルチプレクサ35、及び
AQM50へ対応する制御信号を供給する。
トの2倍速の等価サンプリング周波数fceで入力アナロ
グ信号を取り込むことができる。同様にして、M=5系
統、10系統のADCを並列接続させてサンプリングす
ることにより、5倍速、10倍速の等価サンプリング周
波数fceで入力アナログ信号を取り込むことができる。
ここで、サンプリングクロック41clkのエッジ点の入
力アナログ信号を実用的な精度で標本化できるADCで
あるものとする。この結果、単一のADCの場合よりM
倍も高い周波数まで実用的にサンプリングできる結果、
DUTの評価解析の周波数の上限がM倍に向上する利点
が得られる。しかしながら、この回路構成においてはデ
ジタイザの回路規模が2倍、5倍、10倍に増加してし
まう大きな難点がある。
来技術においては、デジタイザに備えるADCの最高サ
ンプリングレートを超えるサンプリング周波数でサンプ
リングしようとすると、図6に示すように、デジタイザ
の回路規模が等価サンプリング周波数fceに比例して増
大してしまう大きな難点があり、半導体試験装置におい
ては、好ましくなく実用上の難点である。ところで、半
導体試験装置ではDUTへクロック信号、その他の信号
を任意条件で供給可能である。この為、DUTから出力
されるアナログ信号は、一定周期で繰返し発生させるこ
とが可能な場合が多い。そこで、本発明が解決しようと
する課題は、半導体試験装置によりDUTから出力する
被測定信号を一定周期で繰返し発生制御可能な点に着目
して、1つのAD変換器を用い、一定周期毎にAD変換
するサンプリングの位相を変えてAD変換することで、
等価的に高いサンプリング周波数でAD変換された測定
が可能なデジタイザを備える半導体試験装置を提供する
ことである。
するために、本発明の構成では、被試験デバイスから出
力されるアナログの被測定信号は半導体試験装置の資源
を用いてDUTを所定に制御することにより既知の一定
周期Tで繰返し発生可能な出力信号であり、所定時間間
隔Ts毎に被測定信号をサンプリングクロックによりサ
ンプリングしてコードデータに変換するAD変換器(A
DC)を用いて取得メモリ(AQM)へ連続的に格納す
る波形デジタイザを備える半導体試験装置において、一
定周期T毎に所定時間間隔Tsのサンプリングクロック
の位相を所定の位相シフト量ΔP=360/M(ここで
Mは周期回数)づつ変えたサンプリングクロック20cl
kを発生する位相シフト手段20を備えて周期回数Mの
期間測定することにより、被測定信号を等価的にTs/
Mの等間隔でサンプリングする波形デジタイザを実現し
たことを特徴とする半導体試験装置である。上記発明に
よれば、半導体試験装置によりDUTから出力する被測
定信号を一定周期で繰返し発生制御可能な点に着目し
て、1つのAD変換器を用い、一定周期毎にAD変換す
るサンプリングの位相を変えてAD変換することで、等
価的に高いサンプリング周波数でAD変換された測定が
可能なデジタイザを備える半導体試験装置が実現でき
る。
0sを記憶装置(例えばAQM50)へ格納するアドレ
ス発生手段としては、一定周期TをM回の周期回数で測
定終了するものとし、一定周期Tの発生位置をQ(ここ
でQは0からM−1の値)とし、一定周期T毎における
サンプリングクロック20clkの発生位置をNとしたと
き、Q+(M×N)とするアドレス値を発生して記憶装
置へ供給するアドレス発生手段を備えることを特徴とす
る上述半導体試験装置がある。
は、当初はリセットされて”0”値であり、以後一定周
期信号40sを受けた都度+1カウントした周期計数信
号72sを生成する、周期カウンタを備え、周期回数M
値を一方の入力端に受け、レジスタ79からのアドレス
信号79sを他方の入力端に受けて、両者を加算する、
第1加算手段を備え、一定周期信号40sを受けたとき
のみ出力をゼロにし、その他のときは当該第1加算手段
からの累算データを通過させるゲート手段を備え、当該
周期カウンタからの周期計数信号72sを一方の入力端
に受け、当該ゲート手段からの累算データ76sを受け
て、両者を加算する、第2加算手段を備え、当該第2加
算手段からのデータを受けてサンプリングクロック20
clkによりラッチする、レジスタ79を備えて構成し、
当該レジスタ出力からのアドレス信号79sを上記記憶
装置のアドレス入力端へ供給して半導体試験装置を構成
してもよい。
しては、周期回数Mの値が2の指数である場合に、一定
周期信号40sを受けた都度+1カウントして、下位ビ
ットへのアドレス値を生成する、第1計数手段を備え、
一定サンプリングクロック20clkを受けた都度+1カ
ウントして、残りの上位アドレスビット79Hを生成す
る、第2計数手段を備え、当該第1計数手段からのデー
タを受けてサンプリングクロック20clkによりラッチ
して、アドレス信号の下位アドレスビット79Lを生成
する、フリップフロップを備えて構成し、当該フリップ
フロップからの下位アドレスビット79Lと、当該第2
計数手段からの残りの上位アドレスビット79Hとを、
上記記憶装置のアドレス入力端へ供給して半導体試験装
置を構成してもよい。
定の位相シフト量ΔP単位にサンプリングされたデータ
順のようにAQM50内へ整列格納される利点が得られ
る。
例と共に図面を参照して詳細に説明する。
構成と、図2の動作を説明するタイミングチャートと、
図3の位相シフト手段の原理構成と、を参照して以下に
説明する。尚、従来構成に対応する要素は同一符号を付
す。
UTから出力される被測定信号は、一定周期Tで繰返し
発生するものとし、かつ半導体試験装置側のタイミング
と前記一定周期Tとが同期した関係で測定可能なデバイ
ス、あるいは上記一定周期Tが既知の周期時間の場合と
する。例えば、同期関係の制御は、FTUが供給する試
験パターンによりDUTの波形発生の同期制御をする場
合がある。また、非同期関係であっても、一定周期時間
が既知であれば適用できる。また、非同期関係であって
も、一定周期時間が半導体試験装置のリソースを用いて
その都度測定可能であれば、測定した周期時間を基にサ
ンプリングクロックの周波数は容易に設定できるので適
用可能である。
に、FLT60と、ADC30と、位相シフト手段20
と、コントローラ15と、同期制御部40とで成る。こ
の構成で、FLT60とADC30とは従来と同一要素
である。
る一定周期時間に対して、サンプリングクロック40cl
kと、一定周期信号40sを位相シフト手段20へ供給
する。コントローラ15は、位相シフト手段20へ位相
シフト量ΔPに相当する情報を供給する。例えば図3で
は設定値”M”を供給する。尚図3の説明については後
述する。
らのサンプリングクロック40clkを受けて、一定周期
T毎に所望の位相シフト量ΔPを加算した結果のサンプ
リングクロック20clkを発生して供給する。ここで、
一定周期TがM回の期間を一巡測定期間としたとき、サ
ンプリングクロックの位相シフト量ΔPは360度/M
の位相量である。例えばM=8の場合、360度/8=
45度単位となり、最初一定周期Tでは0度とし、以後
の一定周期Tでは順次45度、90度、135度、18
0度,,315度と位相をシフトさせたサンプリングク
ロック20clkをADCへ供給する。
ンプリングレートのM倍の等価サンプリングレートで測
定できることとなる。但し、少なくとも測定期間である
一巡期間に対して一定周期Tが維持されている必要があ
る。尚、位相シフト量ΔPを小さくすれば見かけ上のサ
ンプリングレート、即ち等価サンプリングレートは細か
くできるが、ADC30の内部でサンプリングを行う為
のサンプル&ホールド時間の特性により標本化時点の電
圧測定精度は影響する。この為、サンプル&ホールド時
間特性の良いADCを使用することが望まれる。
リングクロック20clkを発生するブロック構成の一例
を図3に示す。構成はM逓倍器22と、1/M分周器2
4とで成る。M逓倍器22は同期制御部40からのサン
プリングクロック40clkを受けてM逓倍したクロック
を発生する。1/M分周器24は前記M逓倍クロックを
受けて1/Mの分周したサンプリングクロック20clk
を発生出力する。但し、同期制御部40からの一定周期
信号40sを受けた都度、分周動作を1回休止する。こ
の結果、一定周期T毎に1/Mの位相シフト量ΔPが付
与されたサンプリングクロック20clkとなる。ところ
で、同期制御部40からM倍のサンプリングクロック4
0clkを供給するようにすれば、M逓倍器22は削除で
きる。尚、位相シフト手段20と同等の機能を備える位
相器として、市販のIC(PLL発振方式等)を用いて
構成しても良い。
のタイムチャートを参照して説明する。図2では周期回
数M=2、即ち180度位相シフトする具体例である。
従って一定周期Tが2回の期間の測定実施が必要とな
る。図において、最初の一定周期をT1、次の一定周期
をT2とする。最初の一定周期T1におけるサンプリン
グクロック20clkは、同期制御部40からのサンプリ
ングクロック40clk(図2B参照)と同一である。次
の一定周期T2におけるサンプリングクロック20clk
は、当該一定周期T2の先頭で180度の位相シフト量
ΔP(図2D参照)を加算付与したサンプリングクロッ
ク20clkを発生する。
リングクロック40clkの周期時間Tclkは、1.0倍若
しくは1.5倍の何れかのクロックであり、最高サンプ
リングレート以下であることが判る。従って、ADC3
0は入力アナログ信号を受けて通常の正常なAD変換で
きることが判る。一方、一定周期T2では所定の位相シ
フト量ΔPを付与してサンプリングしている。この具体
例ではM=2であるからして、一定周期T1、T2の両
期間の測定によって全体の波形データが取得される。こ
の結果、等価サンプリングレートは2倍に高速化された
ことになる。これは本発明の大きな利点である。
に限るものではない。即ち、半導体試験装置のデジタイ
ザ以外にも、一定周期Tで繰返し発生する信号を受けて
ADCを用いてAD変換する他の装置に対しても、位相
シフト手段20を備えることで等価サンプリング周波数
を向上可能であることは明らかである。
サンプリングされたデータ順のようにAQM内へ整列格
納するアドレス発生手段70を追加して備えても良い。
この一例を図8に示す。構成は周期カウンタ72と、第
1加算手段74と、ゲート手段76と、第2加算手段7
8と、レジスタ79とで成る。周期カウンタ72は当初
はリセットされて”0”値であり、以後一定周期信号4
0sを受けた都度+1カウントした周期計数信号72s
を第2加算手段78の一方の入力端へ供給する。第1加
算手段74は周期回数M値を一方の入力端に受け、レジ
スタ79からのアドレス信号79sを他方の入力端に受
けて、両者を加算したデータをゲート76へ供給する。
ゲート76は一定周期信号40sを受けたときのみ出力
をゼロにし、その他のときは第1加算手段74からの累
算データを受けて第2加算手段78へ供給する。第2加
算手段78は周期カウンタ72からの周期計数信号72
sを一方の入力端に受け、ゲート76からの累算データ
76sを受けて、両者を加算したデータをレジスタ79
へ供給する。レジスタ79は第2加算手段78からのデ
ータを受けてサンプリングクロック20clkによりラッ
チしたアドレス信号79sを出力する。このアドレス信
号79sをAQMのアドレス入力端へ供給する。尚、ア
ドレス発生手段70の構成において、周期回数Mの値が
2、4,8,16のように2の指数で良い場合には、ア
ドレス信号79sの下位ビットへのアドレス値は一定周
期信号40s毎に+1する計数手段により供給し、残り
の上位アドレスビットのアドレス値はサンプリングクロ
ック20clk毎に+1する計数手段により供給する構成
としたアドレス発生手段でも実現できる。
発生手段の他の構成例である。すなわち、図9に示すよ
うに、上記アドレス発生手段70の構成として、周期回
数Mの値が2の指数である場合に、一定周期信号40s
を受けた都度+1カウントして、下位ビットへのアドレ
ス値82sを生成する、第1計数手段82を備え、一定
サンプリングクロック20clkを受けた都度+1カウン
トして、残りの上位アドレスビット79Hを生成する、
第2計数手段83を備え、当該第1計数手段82からの
データを受けてサンプリングクロック20clkによりラ
ッチして、アドレス信号の下位アドレスビット79Lを
生成する、フリップフロップ89を備える。そして、当
該フリップフロップ89からの下位アドレスビット79
Lと、当該第2計数手段83からの残りの上位アドレス
ビット79Hとを、上記記憶装置50のアドレス入力端
へ供給して半導体試験装置を構成する。
よって、位相シフト量ΔP単位にサンプリングされたデ
ータ順のようにAQM内へ整列格納される利点が得られ
る。
記載される効果を奏する。上述説明したように本発明に
よれば、一定周期Tで繰返し発生する信号をDUTから
受けて、所定周期回数M回の一定周期Tの周期毎に所定
位相シフト量ΔPを加算付与したサンプリングクロック
20clkを発生する位相シフト手段を具備する構成とし
たことにより、等価的に高いサンプリング周波数でAD
変換可能となる大きな利点が得られる。従って、複数個
のADCを用いる必要が無くなる結果、安価な構成で高
いサンプリング周波数でのAD変換が実現できる利点が
得られる。従って本発明の技術的効果は大であり、産業
上の経済効果も大である。
る。
念構成図である。
部構成である。
る。
成例である。
の構成例である。
Claims (4)
- 【請求項1】 被試験デバイス(DUT)から出力され
るアナログの被測定信号は一定周期Tで繰返し発生可能
な出力信号であり、所定時間間隔Ts毎に該被測定信号
をサンプリングクロックによりサンプリングしてコード
データに変換するAD変換器(ADC)を用いる波形デ
ジタイザを備える半導体試験装置において、一定周期T
毎に該所定時間間隔Tsのサンプリングクロックの位相
を所定の位相シフト量ΔP=360/M(ここでMは周
期回数)づつ変えたサンプリングクロックを発生する位
相シフト手段を備えて周期回数Mの期間測定することに
より、被測定信号を等価的にTs/Mの等間隔でサンプ
リングする波形デジタイザを実現したことを特徴とする
半導体試験装置。 - 【請求項2】 一定周期TをM回の周期回数で測定終了
するものとし、該一定周期Tの発生位置をQ(ここでQ
は0からM−1の値)とし、該一定周期T毎におけるサ
ンプリングクロックの発生位置をNとしたとき、Q+
(M×N)とするアドレス値を発生する、アドレス発生
手段を更に設け、当該アドレス値に基づいて、AD変換
した連続するコードデータを記憶装置へ格納することを
特徴とする請求項1記載の半導体試験装置。 - 【請求項3】 上記アドレス発生手段は、当初はリセッ
トされて”0”値であり、以後一定周期信号40sを受
けた都度+1カウントした周期計数信号72sを生成す
る、周期カウンタと、周期回数M値を一方の入力端に受
け、レジスタ79からのアドレス信号79sを他方の入
力端に受けて、両者を加算する、第1加算手段と、一定
周期信号40sを受けたときのみ出力をゼロにし、その
他のときは当該第1加算手段からの累算データを通過さ
せるゲート手段と、当該周期カウンタからの周期計数信
号72sを一方の入力端に受け、当該ゲート手段からの
累算データ76sを受けて、両者を加算する、第2加算
手段と、当該第2加算手段からのデータを受けてサンプ
リングクロック20clkによりラッチする、レジスタ7
9と、を具備し、当該レジスタ出力からのアドレス信号
79sを上記記憶装置のアドレス入力端へ供給すること
を特徴とする請求項2記載の半導体試験装置。 - 【請求項4】 上記アドレス発生手段は、周期回数Mの
値が2の指数である場合に、一定周期信号40sを受け
た都度+1カウントして、下位ビットへのアドレス値を
生成する、第1計数手段と、一定サンプリングクロック
20clkを受けた都度+1カウントして、残りの上位ア
ドレスビット79Hを生成する、第2計数手段と、当該
第1計数手段からのデータを受けてサンプリングクロッ
ク20clkによりラッチして、アドレス信号の下位アド
レスビット79Lを生成する、フリップフロップと、を
具備し、当該フリップフロップからの下位アドレスビッ
ト79Lと、当該第2計数手段からの残りの上位アドレ
スビット79Hとを、上記記憶装置のアドレス入力端へ
供給することを特徴とする請求項2記載の半導体試験装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32940599A JP4386514B2 (ja) | 1998-11-24 | 1999-11-19 | 半導体試験装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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