JP2000223379A - 電子的複数素子ユニット - Google Patents
電子的複数素子ユニットInfo
- Publication number
- JP2000223379A JP2000223379A JP2000016722A JP2000016722A JP2000223379A JP 2000223379 A JP2000223379 A JP 2000223379A JP 2000016722 A JP2000016722 A JP 2000016722A JP 2000016722 A JP2000016722 A JP 2000016722A JP 2000223379 A JP2000223379 A JP 2000223379A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- element unit
- dielectric
- current supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で安価な受動素子を実現すること並びに
ＩＣに集積化することができる。受動素子を実現する。 【解決手段】 本発明による複数素子ユニットは、第１
及び第２の電流供給コンタクト（８）と、基板層（１）
と、前記基板層（１）の上側に形成され前記第１の電流
供給コンタクト（８）に接続した抵抗層（３）と、前記
抵抗層（３）の上側に形成した少なくとも１個の誘電体
層（４，６、１０，１６）と、前記誘電体層上に形成さ
れ前記第２の電流供給コンタクト（８）に接続した少な
くとも１個の第１の電極（５）とを少なくとも具える。
ＩＣに集積化することができる。受動素子を実現する。 【解決手段】 本発明による複数素子ユニットは、第１
及び第２の電流供給コンタクト（８）と、基板層（１）
と、前記基板層（１）の上側に形成され前記第１の電流
供給コンタクト（８）に接続した抵抗層（３）と、前記
抵抗層（３）の上側に形成した少なくとも１個の誘電体
層（４，６、１０，１６）と、前記誘電体層上に形成さ
れ前記第２の電流供給コンタクト（８）に接続した少な
くとも１個の第１の電極（５）とを少なくとも具える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、第１及び第２の電流供
給コンタクトと、基板層と、前記基板層上に形成され前
記第１の電流供給コンタクトに接続した抵抗層と、前記
抵抗層の上側に形成した少なくとも１個の誘電体層と、
前記誘電体層上に形成され前記第２の電流供給コンタク
トに接続した少なくとも１個の第１の電極とを少なくと
も具える電子的複数素子ユニットに関するものである。
給コンタクトと、基板層と、前記基板層上に形成され前
記第１の電流供給コンタクトに接続した抵抗層と、前記
抵抗層の上側に形成した少なくとも１個の誘電体層と、
前記誘電体層上に形成され前記第２の電流供給コンタク
トに接続した少なくとも１個の第１の電極とを少なくと
も具える電子的複数素子ユニットに関するものである。
【０００２】また、本発明は、少なくとも、第１及び第
２の電流供給コンタクトと、基板層と、基板層の上側に
形成され前記第１の電流供給コンタクトに接続した第１
の電極と、この第１の電極の上側に形成され、少なくと
も第２及び第３の電極と交互に形成した第１及び第２の
誘電体層とを有し、前記第２の電極が前記第２の電流供
給コンタクトに接続され、前記第３の電極が前記第１の
電流供給コンタクトに接続されている電子的複数素子ユ
ニットに関するものである。
２の電流供給コンタクトと、基板層と、基板層の上側に
形成され前記第１の電流供給コンタクトに接続した第１
の電極と、この第１の電極の上側に形成され、少なくと
も第２及び第３の電極と交互に形成した第１及び第２の
誘電体層とを有し、前記第２の電極が前記第２の電流供
給コンタクトに接続され、前記第３の電極が前記第１の
電流供給コンタクトに接続されている電子的複数素子ユ
ニットに関するものである。
【０００３】
【従来の技術】多くの電子回路において、ＡＣ信号に結
合されない電源ユニットが多くの用途に用いられてい
る。現在、移動体電話用の増幅回路においては、Ｘ７Ｒ
キャパシタ、ＮＰＯキャパシタ及び抵抗器の形態の受動
型素子がＧａＡｓＩＣ付近において高周波クロックを有
するマイクロプロセッサの干渉パルスのフィルタリング
のために用いられている。個別のＸ７Ｒキャパシタ及び
個別のＮＰＯキャパシタは多くの回路において並列に接
続されている。ある回路において、抵抗はＸ７Ｒキャパ
シタに並列に接続されている。
合されない電源ユニットが多くの用途に用いられてい
る。現在、移動体電話用の増幅回路においては、Ｘ７Ｒ
キャパシタ、ＮＰＯキャパシタ及び抵抗器の形態の受動
型素子がＧａＡｓＩＣ付近において高周波クロックを有
するマイクロプロセッサの干渉パルスのフィルタリング
のために用いられている。個別のＸ７Ｒキャパシタ及び
個別のＮＰＯキャパシタは多くの回路において並列に接
続されている。ある回路において、抵抗はＸ７Ｒキャパ
シタに並列に接続されている。
【０００４】これら増幅回路の受動形素子は電源ライン
からの干渉周波数を有効にフィルタリングして一定の電
源電圧を安全に保護する機能を有している。この数ＭＨ
ｚから数１００ＭＨｚにわたる範囲のフィルタリングは
通常Ｘ７Ｒキャパシタにより行われている。その回路に
おいて直列に接続されている抵抗は並列共振を防止し不
所望な発振を回避する作用を有する。Ｘ７Ｒキャパシタ
に並列に接続されているＮＰＯキャパシタは、数１００
ＭＨｚの周波数の信号をフィルタリングし、好ましくは
当該回路をＤＣ電源ラインから適切に構成するための動
作周波数をフィルタリングするために用いられる。携帯
型の電子装置の小型化を促進しこれらの装置の機能を増
大するためには、回路中に存在する受動素子をできるだ
け小型化する必要がある。
からの干渉周波数を有効にフィルタリングして一定の電
源電圧を安全に保護する機能を有している。この数ＭＨ
ｚから数１００ＭＨｚにわたる範囲のフィルタリングは
通常Ｘ７Ｒキャパシタにより行われている。その回路に
おいて直列に接続されている抵抗は並列共振を防止し不
所望な発振を回避する作用を有する。Ｘ７Ｒキャパシタ
に並列に接続されているＮＰＯキャパシタは、数１００
ＭＨｚの周波数の信号をフィルタリングし、好ましくは
当該回路をＤＣ電源ラインから適切に構成するための動
作周波数をフィルタリングするために用いられる。携帯
型の電子装置の小型化を促進しこれらの装置の機能を増
大するためには、回路中に存在する受動素子をできるだ
け小型化する必要がある。
【０００５】回路素子の実装密度を増大する方法は、日
本の特許公開公報第０３２０３２１２号の要約から既知
である。この既知の方法では、キャパシタが受動素子又
は能動素子の上側表面上に装着されている。
本の特許公開公報第０３２０３２１２号の要約から既知
である。この既知の方法では、キャパシタが受動素子又
は能動素子の上側表面上に装着されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】当該技術分野におい
て、小さな個別の受動素子がディメンション０４０２
（dimention 0402）として広く用いられている。これら
の受動素子の横方向寸法が０．５×１ｍｍ2 の場合、そ
れらの寸法が小さいにもかかわらず、回路基板上にハン
ダ付けするため相当量の空間が必要である。同時に、こ
れらの小型な素子の実装は技術的に複雑であり且つ高価
である。
て、小さな個別の受動素子がディメンション０４０２
（dimention 0402）として広く用いられている。これら
の受動素子の横方向寸法が０．５×１ｍｍ2 の場合、そ
れらの寸法が小さいにもかかわらず、回路基板上にハン
ダ付けするため相当量の空間が必要である。同時に、こ
れらの小型な素子の実装は技術的に複雑であり且つ高価
である。
【０００７】さらに、素子の小型化及びコストの低減は
ＩＣ回路における受動素子の集積化にも影響を与えるお
それがある。
ＩＣ回路における受動素子の集積化にも影響を与えるお
それがある。
【０００８】従って、本発明の目的は、素子の大きさ及
び得られる回路の大きさを一層小さくすること及び素子
の実装を一層容易にすることにある。
び得られる回路の大きさを一層小さくすること及び素子
の実装を一層容易にすることにある。
【０００９】
【課題を解決する手段】上記目的は、第１及び第２の電
流供給コンタクトと、基板層と、前記基板層の上側に形
成され前記第１の電流供給コンタクトに接続した抵抗層
と、前記抵抗層の上側に形成した少なくとも１個の誘電
体層と、前記誘電体層上に形成され前記第２の電流供給
コンタクトに接続した少なくとも１個の第１の電極とを
少なくとも具える電子的複数素子ユニットにより達成さ
れる。
流供給コンタクトと、基板層と、前記基板層の上側に形
成され前記第１の電流供給コンタクトに接続した抵抗層
と、前記抵抗層の上側に形成した少なくとも１個の誘電
体層と、前記誘電体層上に形成され前記第２の電流供給
コンタクトに接続した少なくとも１個の第１の電極とを
少なくとも具える電子的複数素子ユニットにより達成さ
れる。
【００１０】この電子的複数素子ユニットは、直列に接
続された抵抗及びキャパシタを有し、これら２個の受動
素子を単一ユニットとして形成できる利点を有する。
続された抵抗及びキャパシタを有し、これら２個の受動
素子を単一ユニットとして形成できる利点を有する。
【００１１】この複数素子ユニットの好適実施例とし
て、別の誘電体層と第１の電流供給コンタクトに接続さ
れている第２の電極とを第１の電極の上側に形成する。
この場合、抵抗及びキャパシタに加えて、別のキャパシ
タも複数素子ユニットに一体化される
て、別の誘電体層と第１の電流供給コンタクトに接続さ
れている第２の電極とを第１の電極の上側に形成する。
この場合、抵抗及びキャパシタに加えて、別のキャパシ
タも複数素子ユニットに一体化される
【００１２】この複数素子ユニットの好適実施例におい
て、第２の電極を抵抗層に接続する。この複数素子ユニ
ットの実施例における別のキャパシタは、別の２個の素
子に対して並列に接続される。
て、第２の電極を抵抗層に接続する。この複数素子ユニ
ットの実施例における別のキャパシタは、別の２個の素
子に対して並列に接続される。
【００１３】複数素子ユニットの別の好適実施例におい
て、第１の電極の上側に、第２及び第３の誘電体層と第
２及び第３の電極とが交互に形成され、前記第２の電極
を第１の電流供給コンタクトに接続し、第３の電極を第
２電流供給コンタクトに接続する。この複数素子ユニッ
トにおいては、別のキャパシタが一体化されるので、合
計４個の受動素子が結合される。
て、第１の電極の上側に、第２及び第３の誘電体層と第
２及び第３の電極とが交互に形成され、前記第２の電極
を第１の電流供給コンタクトに接続し、第３の電極を第
２電流供給コンタクトに接続する。この複数素子ユニッ
トにおいては、別のキャパシタが一体化されるので、合
計４個の受動素子が結合される。
【００１４】複数素子ユニットの有益な実施例におい
て、第２の電極を抵抗層に接続し、第３の電極を第１の
電極に接続する。この場合、第２及び第３のキャパシタ
は直列接続された抵抗及び第１のキャパシタに対して並
列に接続される。
て、第２の電極を抵抗層に接続し、第３の電極を第１の
電極に接続する。この場合、第２及び第３のキャパシタ
は直列接続された抵抗及び第１のキャパシタに対して並
列に接続される。
【００１５】抵抗層は、金属、合金、導電性酸化物、金
属と合金、金属と導電性酸化物、又は導電性の金属窒化
物を含む材料で構成することが好ましい。これらの材料
は、堆積された後、例えばウェット又はドライのエッチ
ング工程と組み合わされたフォトリソグラフィ処理によ
り抵抗層として構成される。
属と合金、金属と導電性酸化物、又は導電性の金属窒化
物を含む材料で構成することが好ましい。これらの材料
は、堆積された後、例えばウェット又はドライのエッチ
ング工程と組み合わされたフォトリソグラフィ処理によ
り抵抗層として構成される。
【００１６】電極が抵抗値を有し、金属、合金、導電性
酸化物、金属と合金、金属と導電性酸化物、又は金属と
合金と導電性酸化物、又は導電性の金属窒化物を含む材
料で構成することが好ましい。これらの材料は、誘電体
層上に堆積された後、例えばウェット又はドライのエッ
チング工程と組み合わされたフォトリソグラフィ処理に
より抵抗体のような層として構成される。この実施例に
おいて、複数素子ユニットは同時にキャパシタの電極を
形成する数個の抵抗素子を含むことになる。
酸化物、金属と合金、金属と導電性酸化物、又は金属と
合金と導電性酸化物、又は導電性の金属窒化物を含む材
料で構成することが好ましい。これらの材料は、誘電体
層上に堆積された後、例えばウェット又はドライのエッ
チング工程と組み合わされたフォトリソグラフィ処理に
より抵抗体のような層として構成される。この実施例に
おいて、複数素子ユニットは同時にキャパシタの電極を
形成する数個の抵抗素子を含むことになる。
【００１７】抵抗層の上側に形成された第１の誘電体層
がＫ＞７の誘電定数値を有することが好ましい。誘電体
層が高い誘電定数を有することにより、このキャパシタ
は小さな寸法で大きな容量値を得ることができる。
がＫ＞７の誘電定数値を有することが好ましい。誘電体
層が高い誘電定数を有することにより、このキャパシタ
は小さな寸法で大きな容量値を得ることができる。
【００１８】複数素子ユニットの好適実施例として、第
２及び第３の誘電体層がＫ＞３の誘電定数値を有する。
これら第２及び第３のキャパシタは小さな容量値を有す
ることになる。
２及び第３の誘電体層がＫ＞３の誘電定数値を有する。
これら第２及び第３のキャパシタは小さな容量値を有す
ることになる。
【００１９】さらに、本発明は、少なくとも、第１及び
第２の電流供給コンタクトと、基板層と、基板層の上側
に形成され前記第１の電流供給コンタクトに接続した第
１の電極と、この第１の電極の上側に形成され、少なく
とも第２及び第３の電極と交互に形成した第１及び第２
の誘電体層とを有し、前記第２の電極が前記第２の電流
供給コンタクトに接続され、前記第３の電極が前記第１
の電流供給コンタクトに接続されている電子的複数素子
ユニットに関するものである。
第２の電流供給コンタクトと、基板層と、基板層の上側
に形成され前記第１の電流供給コンタクトに接続した第
１の電極と、この第１の電極の上側に形成され、少なく
とも第２及び第３の電極と交互に形成した第１及び第２
の誘電体層とを有し、前記第２の電極が前記第２の電流
供給コンタクトに接続され、前記第３の電極が前記第１
の電流供給コンタクトに接続されている電子的複数素子
ユニットに関するものである。
【００２０】この複数素子ユニットは、２個の受動素子
本例の場合２個のキャパシタが単一ユニットにおいて上
下に形成される利点を有する。
本例の場合２個のキャパシタが単一ユニットにおいて上
下に形成される利点を有する。
【００２１】この複数素子ユニットの好適実施例におい
て、第１及び第２の誘電体層が共に同一の誘電特性を有
する誘電性材料で構成する。
て、第１及び第２の誘電体層が共に同一の誘電特性を有
する誘電性材料で構成する。
【００２２】変形例として、第１及び第２の誘電体層が
異なる誘電特性を有する誘電性材料から構成され、第１
の誘電体層の誘電定数を第２の誘電体層の誘電定数より
も大きくする。
異なる誘電特性を有する誘電性材料から構成され、第１
の誘電体層の誘電定数を第２の誘電体層の誘電定数より
も大きくする。
【００２３】このように構成することにより、所望の容
量値及び特性を有するキャパシタを回路の形式及び用途
に応じて製造し使用することができる。
量値及び特性を有するキャパシタを回路の形式及び用途
に応じて製造し使用することができる。
【００２４】全ての複数素子ユニットにおいて、基板層
は、セラミック材料、ガラス平坦化部材を有するセラミ
ック材料、ガラス−セラミック材料、ガラス材料又はシ
リコンで構成することが有益である。セラミック材料、
ガラス平坦化部材を有するセラミック材料、ガラス−セ
ラミック材料の基板層又はガラス基板は安価に製造する
ことができるので、素子の製造コストを安価にすること
ができる。複数素子ユニットがＩＣに集積化される場
合、基板層はシリコン特にＳｉＯ2 のパッシベーション
層が形成されているシリコンとすることができる。
は、セラミック材料、ガラス平坦化部材を有するセラミ
ック材料、ガラス−セラミック材料、ガラス材料又はシ
リコンで構成することが有益である。セラミック材料、
ガラス平坦化部材を有するセラミック材料、ガラス−セ
ラミック材料の基板層又はガラス基板は安価に製造する
ことができるので、素子の製造コストを安価にすること
ができる。複数素子ユニットがＩＣに集積化される場
合、基板層はシリコン特にＳｉＯ2 のパッシベーション
層が形成されているシリコンとすることができる。
【００２５】電極は、金属、合金、導電性酸化物、金属
と合金、金属と導電性酸化物、又は金属と合金と導電性
酸化物、又は導電性の金属窒化物を含む材料で構成する
ことが好ましい。これらの材料は、誘電体層上に堆積さ
れた後、例えばウェット又はドライのエッチング処理と
組み合わされたフォトリソグラフィ処理により電極を形
成するように構成される。
と合金、金属と導電性酸化物、又は金属と合金と導電性
酸化物、又は導電性の金属窒化物を含む材料で構成する
ことが好ましい。これらの材料は、誘電体層上に堆積さ
れた後、例えばウェット又はドライのエッチング処理と
組み合わされたフォトリソグラフィ処理により電極を形
成するように構成される。
【００２６】各複数素子ユニットは、通常ユニットの対
向する側にそれぞれ位置する電流供給コンタクトにおい
て回路の別の素子に電気的に結合することができる。用
途に形式又は素子実装の形式に応じて、電気メッキされ
たＳＭＤ端部コンタクト又はバンプ端部コンタクト或い
はコンタクト面を用いることができる。例えばＣｒ／Ｃ
ｕ，Ｎｉ／Ｓｎ又はＣｒ／Ｃｕ，Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ又は
Ｃｒ／Ｎｉ，Ｐｂ／Ｓｎから成るＳＭＤ端部コンタクト
又はバンプ端部コンタクトを用いることにより個別の複
数素子ユニットの製造が可能になり、コンタクト面を用
いることにより複数素子ユニットをＩＣに集積化するこ
とができる。
向する側にそれぞれ位置する電流供給コンタクトにおい
て回路の別の素子に電気的に結合することができる。用
途に形式又は素子実装の形式に応じて、電気メッキされ
たＳＭＤ端部コンタクト又はバンプ端部コンタクト或い
はコンタクト面を用いることができる。例えばＣｒ／Ｃ
ｕ，Ｎｉ／Ｓｎ又はＣｒ／Ｃｕ，Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ又は
Ｃｒ／Ｎｉ，Ｐｂ／Ｓｎから成るＳＭＤ端部コンタクト
又はバンプ端部コンタクトを用いることにより個別の複
数素子ユニットの製造が可能になり、コンタクト面を用
いることにより複数素子ユニットをＩＣに集積化するこ
とができる。
【００２７】誘電体層との反応を回避し又は基板層の表
面が粗い面の場合回路の短絡を回避するため、基板層上
に障壁層が存在することが好ましい。
面が粗い面の場合回路の短絡を回避するため、基板層上
に障壁層が存在することが好ましい。
【００２８】さらに、無機材料及び／又は有機材料の保
護層が複数素子ユニット上に形成されていることが好ま
しい。この保護層は、下側の層を機械的な負荷から保護
する。
護層が複数素子ユニット上に形成されていることが好ま
しい。この保護層は、下側の層を機械的な負荷から保護
する。
【００２９】保護層上にガラス層又はガラスプレートを
設けることが好ましい。この付加的な層は、複数素子ユ
ニットを水分及び腐食から保護する。
設けることが好ましい。この付加的な層は、複数素子ユ
ニットを水分及び腐食から保護する。
【００３０】
【発明の実施の形態】図１において、本発明の複数素子
ユニットは、例えばセラミック材料、ガラス平坦化部材
（glass planarization ）を有するセラミック材料、ガ
ラス−セラミック材料、ガラス材料又はシリコンにより
構成される基板層１を具える。例えばＴｉＯ2 、Ａｌ2
Ｏ3 又はＺｒＯ2 から成る障壁層２及び電極としても作
用する抵抗層３を基板層１上に設ける。抵抗層３は、例
えば Ti (10 〜20 nm)/Pt(20〜600 nm), Ti(10〜20 nm)
/Pt(20〜600 nm)/Ti(5〜20 nm), TiAg1-x Ptx (0≦ｘ≦
1), Ti/Ag1-xPdx (0≦ｘ≦1), Ti/Pt1-xAlx (0≦ｘ≦
1), Pt1-x Alx (0≦ｘ≦1), Ti/RuOx (0≦ｘ≦2),RuOx
(0≦ｘ≦2),Ti/Ir/IrOx (0≦ｘ≦2),IrOx (0≦ｘ≦2),R
hOx (0≦ｘ≦2), Nix Cry (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1), Nix
Cry Alz (0≦ｘ≦1,0≦ｙ≦1, 0≦Ｚ≦1), Tix Ｗy Ｎz
(0≦ｘ≦1,0 ≦ｙ≦1, 0≦Ｚ≦1), ＴａxＮy (0≦ｘ≦
1, 0≦ｙ≦1), Six Cry Ｏz (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦
Ｚ≦1), Si x Cry Ｎz (0≦ｘ≦1,0 ≦ｙ≦1, 0≦Ｚ≦
1), ポリシリコン, Tix Ｗy (0≦ｘ≦1,0 ≦ｙ≦1), Cr
x Niy (0≦ｘ≦1,0 ≦ｙ≦1), Pt(50 nm〜１μｍ),数％
のCuが添加されたAl, Ti/Pt/Al, Ti/Ag, Ti/Ag/Ti, Ni,
Cu, Ti/Ag/Ir, Ti/Ir, Ti/Pd,Ti/Ag/Pt1-x Alx (0≦ｘ
≦1), Ti/Ag/Ru, Ti/Ag/Ir/IrOx (0≦ｘ≦2), Ti/Ag/I
r,Ti/Ag/RuOx (0≦ｘ≦2),Ti/Ag/Ru/Rux Pt1-x (0≦ｘ
≦1), Ti/Ag/Rux Pt1-x /RuOy (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦2),T
i/Ag/Ru/RuＯx / Ruy Pt1-y (0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦1), Ti
/Ag/Rux Pt1-x (0≦ｘ≦1), Ti/Ag/Ptx Al1-x / (0≦ｘ
≦1), Ptx Al1-x /Ag/Pty Al1-y (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦
1), Ti/Ag/Pty (RhOx )1-y(0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦1), Ti/A
g/Rh/RhOx (0≦ｘ≦2), Ti/Ag/Ptx Rh1-x (0≦ｘ≦1),
Ti/Ag/Pty (RhO x )1-y/ Ptz Rh1-z (0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦
1, 0≦ｚ≦1),Ti/Agx Pt1-x /Ir (0≦ｘ≦1),Ti/Agx Pt
1-x /Ir/IrＯy (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦2),Ti/Agx Pt1-x /
Pty Al1- y (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1), Ti/Ag x Pt1-x /Ru
(0≦ｘ≦1), Ti/Agx Pt1-x /Ru/RuＯy (0≦ｘ≦1, 0≦
ｙ≦2), Ti/Ag/Cr, Ti/Ag/Ti/ITO, Ti/Ag/Cr/ITO, Ti/A
g/ITO, Ti/ Ni/ITO, Ti/Ni/Al/ITO, Ti/Ni,Ti/Cu,ITO又
は Ti/ITO の層とすることができる。
ユニットは、例えばセラミック材料、ガラス平坦化部材
（glass planarization ）を有するセラミック材料、ガ
ラス−セラミック材料、ガラス材料又はシリコンにより
構成される基板層１を具える。例えばＴｉＯ2 、Ａｌ2
Ｏ3 又はＺｒＯ2 から成る障壁層２及び電極としても作
用する抵抗層３を基板層１上に設ける。抵抗層３は、例
えば Ti (10 〜20 nm)/Pt(20〜600 nm), Ti(10〜20 nm)
/Pt(20〜600 nm)/Ti(5〜20 nm), TiAg1-x Ptx (0≦ｘ≦
1), Ti/Ag1-xPdx (0≦ｘ≦1), Ti/Pt1-xAlx (0≦ｘ≦
1), Pt1-x Alx (0≦ｘ≦1), Ti/RuOx (0≦ｘ≦2),RuOx
(0≦ｘ≦2),Ti/Ir/IrOx (0≦ｘ≦2),IrOx (0≦ｘ≦2),R
hOx (0≦ｘ≦2), Nix Cry (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1), Nix
Cry Alz (0≦ｘ≦1,0≦ｙ≦1, 0≦Ｚ≦1), Tix Ｗy Ｎz
(0≦ｘ≦1,0 ≦ｙ≦1, 0≦Ｚ≦1), ＴａxＮy (0≦ｘ≦
1, 0≦ｙ≦1), Six Cry Ｏz (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦
Ｚ≦1), Si x Cry Ｎz (0≦ｘ≦1,0 ≦ｙ≦1, 0≦Ｚ≦
1), ポリシリコン, Tix Ｗy (0≦ｘ≦1,0 ≦ｙ≦1), Cr
x Niy (0≦ｘ≦1,0 ≦ｙ≦1), Pt(50 nm〜１μｍ),数％
のCuが添加されたAl, Ti/Pt/Al, Ti/Ag, Ti/Ag/Ti, Ni,
Cu, Ti/Ag/Ir, Ti/Ir, Ti/Pd,Ti/Ag/Pt1-x Alx (0≦ｘ
≦1), Ti/Ag/Ru, Ti/Ag/Ir/IrOx (0≦ｘ≦2), Ti/Ag/I
r,Ti/Ag/RuOx (0≦ｘ≦2),Ti/Ag/Ru/Rux Pt1-x (0≦ｘ
≦1), Ti/Ag/Rux Pt1-x /RuOy (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦2),T
i/Ag/Ru/RuＯx / Ruy Pt1-y (0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦1), Ti
/Ag/Rux Pt1-x (0≦ｘ≦1), Ti/Ag/Ptx Al1-x / (0≦ｘ
≦1), Ptx Al1-x /Ag/Pty Al1-y (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦
1), Ti/Ag/Pty (RhOx )1-y(0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦1), Ti/A
g/Rh/RhOx (0≦ｘ≦2), Ti/Ag/Ptx Rh1-x (0≦ｘ≦1),
Ti/Ag/Pty (RhO x )1-y/ Ptz Rh1-z (0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦
1, 0≦ｚ≦1),Ti/Agx Pt1-x /Ir (0≦ｘ≦1),Ti/Agx Pt
1-x /Ir/IrＯy (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦2),Ti/Agx Pt1-x /
Pty Al1- y (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1), Ti/Ag x Pt1-x /Ru
(0≦ｘ≦1), Ti/Agx Pt1-x /Ru/RuＯy (0≦ｘ≦1, 0≦
ｙ≦2), Ti/Ag/Cr, Ti/Ag/Ti/ITO, Ti/Ag/Cr/ITO, Ti/A
g/ITO, Ti/ Ni/ITO, Ti/Ni/Al/ITO, Ti/Ni,Ti/Cu,ITO又
は Ti/ITO の層とすることができる。
【００３１】この抵抗層３上に、誘電定数Ｋ（Ｋ＞７）
を有し、例えば過剰な鉛の存在下又は存在しない場合の
PbZx Ti1-x O3 (ｘ＝０〜１）Pb1-ayLay Zrx Ti1-x Ｏ
3 (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦0.2, 1.3≦ａ≦1.5),Pb1-ax Lax
TiO3(0≦ｘ≦0.3, 1.3≦ａ≦1.5), (Pb,Ca)TiO3, BaTiO
3, Ce が添加されたBaTiO3, Nb及び／又はCoが添加され
たBaTiO3, BaZrx Ti1-x O3(0≦ｘ≦1), Ba1-x Pbx TiO3
(0≦ｘ≦1), Ba1-y Sr y Zrx Ti1-x O3(0≦ｘ≦1, 0≦ｙ
≦1), Mnドーパントを含む場合及び含まない場合のBa
1-x Srx TiO3(0≦ｘ≦1)、例えば La, Nb, Fe 又はMnの
ドーパントを含むSrTiO3, SrZrx Ti1-x O3（≦ｘ≦1),C
aOx ZnＯy (Nb2Ｏ5)z (ｘ＝0.01〜0.05,ｙ＝0.43〜0.5
5, ｚ＝0.44〜0.52), (BaTiO3)0.18-0.27＋(Nd2O3)
0.136-0.355＋(TiO2)0.276-0.355＋(Ba2O3)
00.025-0.081 ＋ｘZnO, CaTiO3 ＋CaTiSiO5, (Sr,Ca)(T
i,Zr)O3, (Sr,Ca,M)(Ti,Zr)O3 (Ｍ＝Mg又はZn),(Sr,Ca,
Mg,Zn) (Ti,Zr,Si)O3, (Sr,Ca,Cu,Mn,Pb)TiO3＋Bi2O3,B
aO-TiO2-Nd2O3-Nb2O5,(Bi203)x (Nb205)1-xNb2O5,ドー
パントとしてのCoO, CeO2, ZnO及びマンガン酸化物を有
するBaTiO3,BaTiO3＋CaZrO3, BaTiO3＋CaZrO3にMnO2,Mg
O又は希土類酸化物が付加されたもの、(Ba,Ca)TiO3 ＋N
b205,Co2O3 又はMnO2, Ba2Ti9O20,Mnドーパントを含む
場合及び含まない場合のBa2Ti9-X ZrO20 (ｘ＝０〜１)
BaTi5 O11, BaTi4O9, Cax SmyTiz Ｏn (O≦ｘ≦1,≦ｙ
≦1, 0≦ｚ≦1, 0≦ｎ≦1), Zr(Ti,Sn )O4,TiO2,Ta2O5,
(Ta205)x -(Al2O3)1-x (O≦ｘ≦1),(Ta2O5)x -(TiO2)
1-x(0≦ｘ≦1),(Ta2O5)x-(SiO2)1-x(0≦ｘ≦1), BaO-Pb
O-Nd203-TiO2, Ba(Zn,Ta)O3, BaZrO3, CaZrO3,Nd2Ti
207,(Ba,Ca,Sr) (Ti,Zr)O3 ＋Li2O, SiO2, B203, ［Bi3
(Ni2Nb)09］1-x -(Bi2(ZnNb2(1+d)y O3+6y+5yd)x(0≦ｘ
≦1, 0.5≦ｙ≦1.5, -0.05≦ｄ≦0.05),PbNb4/5x ((Zr
0.6Sn0.4)1-y Tiy ))1-x O3(0≦ｘ≦0.9, 0≦ｙ≦1),
［Pb(Mg1/3Nb2/3)O3］x -(PbTiO3)1-x (ｘ＝１〜0), (P
b,Ba,Sr) (Mg1/3 Nb2/3)x Tiy (Zn1 /3Nb2/3)1-x-y O3(0
≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1,x+y ≦1)をむ誘電体層、並びに i) Pb(Mg0.5Ｗ0.5)Ｏ3 ii) Pb(Fe0.5Nb0.5)Ｏ3 iii) Pb(Fe2/3Ｗ1/3)Ｏ3 iv) Pb(Ni1/3Nb2/3)Ｏ3 v) Pb(Zn1/3Nb2/3)Ｏ3 vi) Pb(Sc0.5Ta0.5)Ｏ3 過剰な鉛の存在下又は不存在下でのPbTiO3及び／又はPb
(Mg1/3Nb3)O3で構成される誘電体層４を形成する。この
誘電多体層４上に第１の電極５、この上に誘電体層６及
び第２の電極７を形成する。電極５及び７の材料は、例
えば (後で続ける) Pt,Ti(10〜20 nm)/Pt(20〜600nm),T
i(10〜20nm)/ Pt(20〜600 nm)/ Ti(５〜20m), Al, 数％
のCuを含むAl, 数％のMgを含むAl, 数％のSiを含むTi/P
t/Al,Ti/Ag,Ti/Ag/Ti,Ni,Cu,Ti/Ag/Ir,Ti/Ir,Ti/Pd,Ti/
Ag1-x Ptx (0≦ｘ≦1),Ti/Ag1-x Pd x (0≦ｘ≦1),Ti/Pt
1-x Alx (0≦ｘ≦1), Pt1-x Alx (0≦ｘ≦1), Ti/Ag/Pt
1-xAlx (0≦ｘ≦1),Ti/Ag/Ru,Ti/Ag/lr/IrOx (0≦ｘ≦
2), Ti/Ag/Ru/RuOx (0≦ｘ≦2),Ti/Ag/Ru/Rux Pt1-x (0
≦ｘ≦1),Ti/Ag/Ru/Rux Pt1-x /RuOy (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ
≦ 2), Ti/Ag/RuOx / Ruy Pt1-y (0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦
1), Ti/Ag/ Rux /P-x(0≦ｘ≦1),Ti/Ag/ Rtx Al1-x (0
≦ｘ≦1), Ptx Al1-x /Ag / Pty Al1-y , (0≦ｘ≦1, 0
≦ｙ≦1),Ti/Ag/ Pty (RhOx )1-y (0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦
1), Ti/Ag/Rh/RhＯx (0≦ｘ≦2), Ti/Ag/Ptx Rh1-x (0
≦ｘ≦1),Ti/Ag /Pty (PhOx )1-y Ptz Rh 1-z (0≦ｘ≦
2, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ≦1),Ti/Agx Pt1-x /Ir (0≦ｘ≦
1), Ti/ AgxPt1-x /Ir/ IrOy (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ2),Ti/A
gx Pt1-x / Pty All-y (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1),Ti/Agx P
t1-x /Ru (0≦ｘ≦1),Ti/Agx Pt1-x /Ru/RuＯy (0≦ｘ
≦1, 0≦ｙ≦2)Ti/Ag/Cr,Ti/Ag/Ti//ITO, Ti/Ag/Cr/IT
O,Ti/Ag/ITO,Ti/Ni/Al/ITO, Ti/Ni,Al/ITO,TiNi,Ti/Cu,
Nix Cry (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1), Nix Cry Alz (0≦ｘ
≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ≦1), Tix Ｗy Ｎz (0≦ｘ≦1, 0
≦ｙ≦1, 0≦ｚ1), Tax Ｎ y (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1), Si
x Cry Ｏz (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ≦1), SixCry
Ｎz (0≦ｘ≦1, 0ｙ≦1, 0≦ｚ≦1), Tix Ｗy (0≦ｘ≦
1, 0≦ｙ≦1)及びCu x Niy (0≦ｘ≦ 1,0≦ｙ≦1), とす
ることができる。誘電体層６はＫ＞３の誘電定数を有
し、例えばSi3 Ｎ4,SiO2, Six Ｎy Ｏz (0≦ｘ≦1, 0≦
ｙ≦1, 0≦Ｚ≦1), Al2O3, Ta2O5,(Ta2O5)x -(Al2O3)
1-x (0≦ｘ≦1),(Ta2O5)x -(TiO2)1-x(0≦ｘ≦1),(Ti
O2)1-x(0≦ｘ≦1), (TiO2O5)x -(Nb2 Ｏ5)1-x (0≦ｘ≦
1), Ta2 Ｏ5) x -(SiO2)1-x(0≦ｘ≦1), Mnドーパントを
有する場合及び有しない場合のTiO2,SrZrx Ti1-x O3(0
≦ｘ≦1),CaOx SnＯy Nb2O5) Z (ｘ＝0.01〜0.05, ｙ＝
0.43〜0.55, ｚ＝0.44〜0.52),(BaTiO3)0.18-0.27 ＋(N
d2O3)0.316-0.355＋(TiO2)0.27 6-0.355 ＋(Bi2O3)
0.025-0.081＋ｘZnO,CaTiO3＋CaTiSiO5,(Sr,Ca)(Ti,Zr)
O3, (Sr,Ca,M)(Ti,Zr)O3(Ｍ＝Mg又はZn), (Sr,Ca,Mg,Z
n)(Ti,Zr,Si)O3,(Sr,Ca,Cu,Mn,Pb) TiO3＋Bi2O3, BaO-T
iO2-Nd203-Nb2O5, Zr(Ti,Sn)O4, BaO-PbO-Nd2O3- TiO2,
Ba(Zn,Ta)O3, BaZrO3, Ba2Ti9O20, Ba2Ti9-x ZrO20 (0
≦ｘ≦1), BaTi5O11, BaTi4O9,Cax Smy Tiz Ｏn (0≦ｘ
≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ≦ 1,0≦ｎ≦1), ［Bi3(Ni 2Nb)
09］1-x -(Bi2(Znb2(1+d)y O3+6y+5ydx (0≦ｘ≦1, 0.5
≦ｙ≦1.5, -0.05≦ｄ≦0.05), CaZrO3 又はNd2Ti2O7に
より構成する。さらに、電流供給コンタクト８を複数素
子ユニットの互いに対向する側に設ける。例えば、Ｃｒ
／Ｃｕ，Ｎｉ／Ｓｎ又はＣｒ／Ｃｕ，Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ
又はＣｒ／Ｎｉ，Ｐｂ／Ｓｎの電気メッキされたＳＭ
Ｄ、又はバンプ端部コンタクト、又はコンタクト面を電
流供給コンタクトとして用いることができる。第２の電
極７は、例えばアルミニウム、銅が添加されたアルミニ
ウム、銅、プラチニウム又はニッケルにより誘電体層４
及び６に形成した孔９を介して抵抗層３に接続する。
を有し、例えば過剰な鉛の存在下又は存在しない場合の
PbZx Ti1-x O3 (ｘ＝０〜１）Pb1-ayLay Zrx Ti1-x Ｏ
3 (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦0.2, 1.3≦ａ≦1.5),Pb1-ax Lax
TiO3(0≦ｘ≦0.3, 1.3≦ａ≦1.5), (Pb,Ca)TiO3, BaTiO
3, Ce が添加されたBaTiO3, Nb及び／又はCoが添加され
たBaTiO3, BaZrx Ti1-x O3(0≦ｘ≦1), Ba1-x Pbx TiO3
(0≦ｘ≦1), Ba1-y Sr y Zrx Ti1-x O3(0≦ｘ≦1, 0≦ｙ
≦1), Mnドーパントを含む場合及び含まない場合のBa
1-x Srx TiO3(0≦ｘ≦1)、例えば La, Nb, Fe 又はMnの
ドーパントを含むSrTiO3, SrZrx Ti1-x O3（≦ｘ≦1),C
aOx ZnＯy (Nb2Ｏ5)z (ｘ＝0.01〜0.05,ｙ＝0.43〜0.5
5, ｚ＝0.44〜0.52), (BaTiO3)0.18-0.27＋(Nd2O3)
0.136-0.355＋(TiO2)0.276-0.355＋(Ba2O3)
00.025-0.081 ＋ｘZnO, CaTiO3 ＋CaTiSiO5, (Sr,Ca)(T
i,Zr)O3, (Sr,Ca,M)(Ti,Zr)O3 (Ｍ＝Mg又はZn),(Sr,Ca,
Mg,Zn) (Ti,Zr,Si)O3, (Sr,Ca,Cu,Mn,Pb)TiO3＋Bi2O3,B
aO-TiO2-Nd2O3-Nb2O5,(Bi203)x (Nb205)1-xNb2O5,ドー
パントとしてのCoO, CeO2, ZnO及びマンガン酸化物を有
するBaTiO3,BaTiO3＋CaZrO3, BaTiO3＋CaZrO3にMnO2,Mg
O又は希土類酸化物が付加されたもの、(Ba,Ca)TiO3 ＋N
b205,Co2O3 又はMnO2, Ba2Ti9O20,Mnドーパントを含む
場合及び含まない場合のBa2Ti9-X ZrO20 (ｘ＝０〜１)
BaTi5 O11, BaTi4O9, Cax SmyTiz Ｏn (O≦ｘ≦1,≦ｙ
≦1, 0≦ｚ≦1, 0≦ｎ≦1), Zr(Ti,Sn )O4,TiO2,Ta2O5,
(Ta205)x -(Al2O3)1-x (O≦ｘ≦1),(Ta2O5)x -(TiO2)
1-x(0≦ｘ≦1),(Ta2O5)x-(SiO2)1-x(0≦ｘ≦1), BaO-Pb
O-Nd203-TiO2, Ba(Zn,Ta)O3, BaZrO3, CaZrO3,Nd2Ti
207,(Ba,Ca,Sr) (Ti,Zr)O3 ＋Li2O, SiO2, B203, ［Bi3
(Ni2Nb)09］1-x -(Bi2(ZnNb2(1+d)y O3+6y+5yd)x(0≦ｘ
≦1, 0.5≦ｙ≦1.5, -0.05≦ｄ≦0.05),PbNb4/5x ((Zr
0.6Sn0.4)1-y Tiy ))1-x O3(0≦ｘ≦0.9, 0≦ｙ≦1),
［Pb(Mg1/3Nb2/3)O3］x -(PbTiO3)1-x (ｘ＝１〜0), (P
b,Ba,Sr) (Mg1/3 Nb2/3)x Tiy (Zn1 /3Nb2/3)1-x-y O3(0
≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1,x+y ≦1)をむ誘電体層、並びに i) Pb(Mg0.5Ｗ0.5)Ｏ3 ii) Pb(Fe0.5Nb0.5)Ｏ3 iii) Pb(Fe2/3Ｗ1/3)Ｏ3 iv) Pb(Ni1/3Nb2/3)Ｏ3 v) Pb(Zn1/3Nb2/3)Ｏ3 vi) Pb(Sc0.5Ta0.5)Ｏ3 過剰な鉛の存在下又は不存在下でのPbTiO3及び／又はPb
(Mg1/3Nb3)O3で構成される誘電体層４を形成する。この
誘電多体層４上に第１の電極５、この上に誘電体層６及
び第２の電極７を形成する。電極５及び７の材料は、例
えば (後で続ける) Pt,Ti(10〜20 nm)/Pt(20〜600nm),T
i(10〜20nm)/ Pt(20〜600 nm)/ Ti(５〜20m), Al, 数％
のCuを含むAl, 数％のMgを含むAl, 数％のSiを含むTi/P
t/Al,Ti/Ag,Ti/Ag/Ti,Ni,Cu,Ti/Ag/Ir,Ti/Ir,Ti/Pd,Ti/
Ag1-x Ptx (0≦ｘ≦1),Ti/Ag1-x Pd x (0≦ｘ≦1),Ti/Pt
1-x Alx (0≦ｘ≦1), Pt1-x Alx (0≦ｘ≦1), Ti/Ag/Pt
1-xAlx (0≦ｘ≦1),Ti/Ag/Ru,Ti/Ag/lr/IrOx (0≦ｘ≦
2), Ti/Ag/Ru/RuOx (0≦ｘ≦2),Ti/Ag/Ru/Rux Pt1-x (0
≦ｘ≦1),Ti/Ag/Ru/Rux Pt1-x /RuOy (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ
≦ 2), Ti/Ag/RuOx / Ruy Pt1-y (0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦
1), Ti/Ag/ Rux /P-x(0≦ｘ≦1),Ti/Ag/ Rtx Al1-x (0
≦ｘ≦1), Ptx Al1-x /Ag / Pty Al1-y , (0≦ｘ≦1, 0
≦ｙ≦1),Ti/Ag/ Pty (RhOx )1-y (0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦
1), Ti/Ag/Rh/RhＯx (0≦ｘ≦2), Ti/Ag/Ptx Rh1-x (0
≦ｘ≦1),Ti/Ag /Pty (PhOx )1-y Ptz Rh 1-z (0≦ｘ≦
2, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ≦1),Ti/Agx Pt1-x /Ir (0≦ｘ≦
1), Ti/ AgxPt1-x /Ir/ IrOy (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ2),Ti/A
gx Pt1-x / Pty All-y (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1),Ti/Agx P
t1-x /Ru (0≦ｘ≦1),Ti/Agx Pt1-x /Ru/RuＯy (0≦ｘ
≦1, 0≦ｙ≦2)Ti/Ag/Cr,Ti/Ag/Ti//ITO, Ti/Ag/Cr/IT
O,Ti/Ag/ITO,Ti/Ni/Al/ITO, Ti/Ni,Al/ITO,TiNi,Ti/Cu,
Nix Cry (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1), Nix Cry Alz (0≦ｘ
≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ≦1), Tix Ｗy Ｎz (0≦ｘ≦1, 0
≦ｙ≦1, 0≦ｚ1), Tax Ｎ y (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1), Si
x Cry Ｏz (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ≦1), SixCry
Ｎz (0≦ｘ≦1, 0ｙ≦1, 0≦ｚ≦1), Tix Ｗy (0≦ｘ≦
1, 0≦ｙ≦1)及びCu x Niy (0≦ｘ≦ 1,0≦ｙ≦1), とす
ることができる。誘電体層６はＫ＞３の誘電定数を有
し、例えばSi3 Ｎ4,SiO2, Six Ｎy Ｏz (0≦ｘ≦1, 0≦
ｙ≦1, 0≦Ｚ≦1), Al2O3, Ta2O5,(Ta2O5)x -(Al2O3)
1-x (0≦ｘ≦1),(Ta2O5)x -(TiO2)1-x(0≦ｘ≦1),(Ti
O2)1-x(0≦ｘ≦1), (TiO2O5)x -(Nb2 Ｏ5)1-x (0≦ｘ≦
1), Ta2 Ｏ5) x -(SiO2)1-x(0≦ｘ≦1), Mnドーパントを
有する場合及び有しない場合のTiO2,SrZrx Ti1-x O3(0
≦ｘ≦1),CaOx SnＯy Nb2O5) Z (ｘ＝0.01〜0.05, ｙ＝
0.43〜0.55, ｚ＝0.44〜0.52),(BaTiO3)0.18-0.27 ＋(N
d2O3)0.316-0.355＋(TiO2)0.27 6-0.355 ＋(Bi2O3)
0.025-0.081＋ｘZnO,CaTiO3＋CaTiSiO5,(Sr,Ca)(Ti,Zr)
O3, (Sr,Ca,M)(Ti,Zr)O3(Ｍ＝Mg又はZn), (Sr,Ca,Mg,Z
n)(Ti,Zr,Si)O3,(Sr,Ca,Cu,Mn,Pb) TiO3＋Bi2O3, BaO-T
iO2-Nd203-Nb2O5, Zr(Ti,Sn)O4, BaO-PbO-Nd2O3- TiO2,
Ba(Zn,Ta)O3, BaZrO3, Ba2Ti9O20, Ba2Ti9-x ZrO20 (0
≦ｘ≦1), BaTi5O11, BaTi4O9,Cax Smy Tiz Ｏn (0≦ｘ
≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ≦ 1,0≦ｎ≦1), ［Bi3(Ni 2Nb)
09］1-x -(Bi2(Znb2(1+d)y O3+6y+5ydx (0≦ｘ≦1, 0.5
≦ｙ≦1.5, -0.05≦ｄ≦0.05), CaZrO3 又はNd2Ti2O7に
より構成する。さらに、電流供給コンタクト８を複数素
子ユニットの互いに対向する側に設ける。例えば、Ｃｒ
／Ｃｕ，Ｎｉ／Ｓｎ又はＣｒ／Ｃｕ，Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ
又はＣｒ／Ｎｉ，Ｐｂ／Ｓｎの電気メッキされたＳＭ
Ｄ、又はバンプ端部コンタクト、又はコンタクト面を電
流供給コンタクトとして用いることができる。第２の電
極７は、例えばアルミニウム、銅が添加されたアルミニ
ウム、銅、プラチニウム又はニッケルにより誘電体層４
及び６に形成した孔９を介して抵抗層３に接続する。
【００３２】変形例として、例えばＳｉ3 Ｎ4 又はＳｉ
Ｏ2 のような無機材料及び／又は例えばポリイミド又は
ポリベンゾシクロブタンのような有機材料を含む保護層
を複数素子ユニット全体に形成することができる。
Ｏ2 のような無機材料及び／又は例えばポリイミド又は
ポリベンゾシクロブタンのような有機材料を含む保護層
を複数素子ユニット全体に形成することができる。
【００３３】さらに、ガラス層又はガラスプレートを保
護層上に形成することができる。第２の電極７と抵抗層
３との間の接触は、誘電体層４及び６の一部分を第２の
電極７の材料を形成する前に例えばエッチングにより複
数素子ユニットの一方の側において除去することにより
確立することができる。第２の電極の材料を被着する
際、この材料は露出した抵抗層３と接触することにな
る。
護層上に形成することができる。第２の電極７と抵抗層
３との間の接触は、誘電体層４及び６の一部分を第２の
電極７の材料を形成する前に例えばエッチングにより複
数素子ユニットの一方の側において除去することにより
確立することができる。第２の電極の材料を被着する
際、この材料は露出した抵抗層３と接触することにな
る。
【００３４】図２は、付加的な第３の誘電体層１０及び
第３の電極１１を有する図１と同様な基本構造を示す。
誘電体層１０は、本例ではＫ＞３の誘電定数を有し、誘
電体層６と同一の材料で構成することができる。第３の
電極１１は第２の電極と同一の材料で構成する。第３の
電極１１は、例えばアルミニウム、銅が添加されたアル
ミニウム、銅、プラチニウム又はニッケルにより誘電体
層６及び１０の孔１２を介して第１の電極５に接続す
る。
第３の電極１１を有する図１と同様な基本構造を示す。
誘電体層１０は、本例ではＫ＞３の誘電定数を有し、誘
電体層６と同一の材料で構成することができる。第３の
電極１１は第２の電極と同一の材料で構成する。第３の
電極１１は、例えばアルミニウム、銅が添加されたアル
ミニウム、銅、プラチニウム又はニッケルにより誘電体
層６及び１０の孔１２を介して第１の電極５に接続す
る。
【００３５】変形例として、電極５、７及び１１はある
抵抗値が与えられて抵抗体のように構成することができ
る。これらの電極は、上述した材料に加えて、例えばポ
リシリコンとすることもできる。
抵抗値が与えられて抵抗体のように構成することができ
る。これらの電極は、上述した材料に加えて、例えばポ
リシリコンとすることもできる。
【００３６】図３において、複数素子ユニットは、セラ
ミック材料、ガラス平坦化部材を有するセラミック材
料、ガラス−セラミック材料、ガラス材料又はシリコン
から成る基板層１を具える。この基板層１上に、例えば
ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 又はＺｒＯ2 から成る障壁層２、
第１の電極１３、誘電体層１４、第２の電極１５、誘電
体層１６及び第３の電極１７をこの順序で形成する。電
極１３、１５及び１７の電極材料は、例えば Pt, Ti(10
〜20 nm)/Pt(20〜600 nm), Ti(10〜20 nm)/Pt(20〜600
nm)/Ti(5〜20 nm), Al, 銅の添加されたAl、Mgが添加さ
れたAl、Siが添加されたAl、Ti/Pt/Al, Ti/Ag, Ti/Ai/T
i, Ni, Cu, Ti/Ag/Ir, Ti/Ir, Ti/Pd, Ti/Ag1-x Pt x
(0 ≦ｘ≦1), Ti/Ag1-xPdx (0≦ｘ≦1), Ti/Pt1-xAl(0
≦ｘ≦1), Pt 1-x Alx (0≦ｘ≦1), Ti/Ag/Pt1-x Alx (0
≦ｘ≦1), Ti/Ag/Ru, Ti/Ag/Ir/IrOx(0≦ｘ≦2), Ti/Ag
/Ru/RuOx (0≦ｘ≦2), Ti/Ag/Ru/RuOx Pt1-x (0≦ｘ≦
1),Ti/Ag/Ru/Rux Pt1-x /RuOy (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦2),
Ti/Ag/Ru/RuOx /RuOy Pt1-y (0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦1), Ti
/Ag/Rux Pt1-x (0≦ｘ≦1), Ti/Ag/Ptx Al1-x (0≦ｘ≦
1), Ptx Al1-x /Ag/Pty Al1-y (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1),
Ti/Ag/Pty (RhOx )1-y(0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦1), Ti/Ag/Rh
/RhOx (0≦ｘ≦2), Ti/Ag/Ptx Rtx Rh1-x (0≦ｘ≦1),
Ti/Ag/Pty (RhOx )1-y Rtz Rh1-z (0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦
1, 0≦ｚ≦1),Ti/Agx Pt1-x /Ir (0≦ｘ≦1),Ti/Agx Pt
1-x /Ir/ IrOy (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦2), Ti/ Agx Pt1-x
/ Rty Al1-y (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1),Ti/Agx Pt1-x /Ru
(0≦ｘ≦1), Ti/ Agx Pt1-x /Ru/ RuOy (0≦ｘ≦1, 0≦
ｙ≦2), Ti/Ag/Cr, Ti/Ag/Ti/TiO,Ti/Ag/Cr/ITO, Ti/Ag
/ITO, Ti/Ni/ITO, Ti/Ni/A1/ITO, Ti/Ni, Ti/Cu, Nix C
ry(0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1), Nix Cry Alz (0≦ｘ≦1, 0≦
ｙ≦1, ≦ｚ≦1), Tix Ｗ y Ｎz (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1,
0ｚ≦1), Tax Ｎy (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1), Six Cr y Ｏ
z (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ≦1), Six Cry Ｎz (O≦
ｘ≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ ≦1), Tix Ｗy (0≦ｘ≦1, 0
≦ｙ≦1)又はCux Niy ( (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ1)とすること
ができる。
ミック材料、ガラス平坦化部材を有するセラミック材
料、ガラス−セラミック材料、ガラス材料又はシリコン
から成る基板層１を具える。この基板層１上に、例えば
ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 又はＺｒＯ2 から成る障壁層２、
第１の電極１３、誘電体層１４、第２の電極１５、誘電
体層１６及び第３の電極１７をこの順序で形成する。電
極１３、１５及び１７の電極材料は、例えば Pt, Ti(10
〜20 nm)/Pt(20〜600 nm), Ti(10〜20 nm)/Pt(20〜600
nm)/Ti(5〜20 nm), Al, 銅の添加されたAl、Mgが添加さ
れたAl、Siが添加されたAl、Ti/Pt/Al, Ti/Ag, Ti/Ai/T
i, Ni, Cu, Ti/Ag/Ir, Ti/Ir, Ti/Pd, Ti/Ag1-x Pt x
(0 ≦ｘ≦1), Ti/Ag1-xPdx (0≦ｘ≦1), Ti/Pt1-xAl(0
≦ｘ≦1), Pt 1-x Alx (0≦ｘ≦1), Ti/Ag/Pt1-x Alx (0
≦ｘ≦1), Ti/Ag/Ru, Ti/Ag/Ir/IrOx(0≦ｘ≦2), Ti/Ag
/Ru/RuOx (0≦ｘ≦2), Ti/Ag/Ru/RuOx Pt1-x (0≦ｘ≦
1),Ti/Ag/Ru/Rux Pt1-x /RuOy (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦2),
Ti/Ag/Ru/RuOx /RuOy Pt1-y (0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦1), Ti
/Ag/Rux Pt1-x (0≦ｘ≦1), Ti/Ag/Ptx Al1-x (0≦ｘ≦
1), Ptx Al1-x /Ag/Pty Al1-y (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1),
Ti/Ag/Pty (RhOx )1-y(0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦1), Ti/Ag/Rh
/RhOx (0≦ｘ≦2), Ti/Ag/Ptx Rtx Rh1-x (0≦ｘ≦1),
Ti/Ag/Pty (RhOx )1-y Rtz Rh1-z (0≦ｘ≦2, 0≦ｙ≦
1, 0≦ｚ≦1),Ti/Agx Pt1-x /Ir (0≦ｘ≦1),Ti/Agx Pt
1-x /Ir/ IrOy (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦2), Ti/ Agx Pt1-x
/ Rty Al1-y (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1),Ti/Agx Pt1-x /Ru
(0≦ｘ≦1), Ti/ Agx Pt1-x /Ru/ RuOy (0≦ｘ≦1, 0≦
ｙ≦2), Ti/Ag/Cr, Ti/Ag/Ti/TiO,Ti/Ag/Cr/ITO, Ti/Ag
/ITO, Ti/Ni/ITO, Ti/Ni/A1/ITO, Ti/Ni, Ti/Cu, Nix C
ry(0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1), Nix Cry Alz (0≦ｘ≦1, 0≦
ｙ≦1, ≦ｚ≦1), Tix Ｗ y Ｎz (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1,
0ｚ≦1), Tax Ｎy (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1), Six Cr y Ｏ
z (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ≦1), Six Cry Ｎz (O≦
ｘ≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ ≦1), Tix Ｗy (0≦ｘ≦1, 0
≦ｙ≦1)又はCux Niy ( (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ1)とすること
ができる。
【００３７】誘電体層１４及び１６は、誘電定数Ｋ＞７
又はＫ＞３を有する材料と同一の誘電特性を有する誘電
性材料でそれぞれ構成することができる。或いは、誘電
体層１４及び１６は異なる誘電性特性を有する誘電性材
料とすることができ、誘電体層１４の誘電定数を誘電体
層１６の誘電定数よりも大きくする。Ｋ＞７の誘電定数
を有する誘電体層は、例えば過剰な鉛を含み及び含まな
いPbZrx Ti1-x Ｏ3 （ｘ＝０〜１), Pb1-ay Lay Zrx Ti
1-x O3(0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦0.2, 1.3≦ａ≦1.5), Pb1-ax
Lax TiＯ3 (0≦ｘ≦0.3, 1.3≦ａ≦1.5),(Pb, Ca)TiO3,
Ce ドーパントを有するBaTiO3、Nb及び／又はCoドーパ
ントを有するBaTiO3、BaZrx Ti1-x O3(0≦ｘ≦1),Pb
1-aXLaX TiO3(0≦ｘ≦0.3, 1.3≦ａ≦1.5),(Pb,Ca)Ti
O3,Ce が添加されたBaTiO3,Nb 及び／又はCoが添加され
たBaTiO3, BaZrx Ti1-x O3(0≦ｘ≦1), Ba1-xPbx TiO
3(0≦ｘ≦1), Ba1-y Sry Zrx Ti1-x O3(0≦ｘ≦1, 0≦
ｙ≦1), Mnドーパントを含む場合及び含まない場合のBa
1-x Srx TiO3 (ｘ＝０〜１),例えばLa,Nb,Fe又はMnを有
するSrTiO3, Mnドーパントを含む場合及び含まない場合
のSrZrx O3(ｘ＝０〜１), CaOx ZnＯy (Nb2Ｏ5)z (ｘ
＝0.01〜0.05, ｙ＝0.43〜0.55, ｚ＝0.44〜0.52), (Ba
TiO3)0.18~0.27＋(Nd2O3)0.316~0.355＋(TiO2)
0.276~0.355＋(Bi2O3)0.025~0.081＋ｘZnO, CaTiO3 ＋C
aTiO5, (Sr,Ca)(Ti,Zr)O3, (Sr,Ca,M)(Ti,Zr)O3(M＝Mg
又はZn),(Sr,Ca,Mg,Zn)(Ti,Zr,Si)O3,(Sr,Ca,Cu,Mn,Pb)
TiO3＋Bi2O3,BaO-TiO2-Nd2O3-Nb2O5,(Bi2O3)x (Nb2O5)
1-x及び添加物としてのSiO2,MnO 2 及びPbO,Nb2O5 を有
するBaTiO3,CoO,CeO2,ZnO ドーパントとしての酸化マン
ガン, BaTiO3＋CaZrO3及び添加物であるMnO2,MgO及び希
土類酸化物, (Ba,Ca)TiO3＋Nb2O5,Co2O3 又はMnO2, Mn
ドーパントを含む場合及び含まない場合の Ba2Ti19O20,
Ba2Ti9-x Zrx O20 (0≦ｘ≦1),Ba2Ti5O11,BaTi4O9, Ca
x Smy Tiz Ｏn (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ≦1, 0≦ｎ
≦1), Zr(Ti,Sn)O4,TiO2, TaO5,(Ta2O5)x -(Al2O3)1-x
0 ≦ｘ≦1),(Ta2O5)x -(TiO2)1-x(0≦ｘ≦1),(Ta2O5)
x -(Nb2O5)1- x (0≦ｘ≦1),(Ta2O5)x -(SiO2)1-x(0≦ｘ
≦1),BaO-PbO-Nd2O3-TiO2, Ba(Zn,Ta)O3,BaZrO3, CaZrO
3, Nd2Ti2O7,(Ba,Ca,Sr)(Ti,Zr)O3 ＋Li2O,SiO2 及びB2
O3, ［Bi3 (Ni2Nb)O9 ］1-x -(Bi2(ZnNb2(1+d)y O
3+6y+5yd ) x (0≦ｘ≦1, 0.5≦ｙ≦1.5, -0.05≦ｄ≦0
05),PbNb4/5x ((Zr0.6Sn0.4)1-yTiy ) O3(0≦ｘ≦9, 0
≦ｙ≦1), ［Pb(Mg1/3Nb2/3)O3］x -(PbTi3)1-x (0≦ｘ
≦1),(Pb,Ba,Sr) (Mg1/3Nb2/3) x Tiy (Zn1/3Nb2/3)
1-x-y O3(0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1,ｘ＋ｙ≦1), で構成する
ことができ、並びに i) Pb(Mg0.5 Ｗ0.5)Ｏ3 ii) Pb(Fe0.5 Nb0.5)Ｏ3 iii) Pb(Fe2/3 Ｗ1/3)Ｏ3 iv) Pb(Ni1/3 Nb2/3)Ｏ3 v) Pb(Zn1/3 Nb2/3)Ｏ3 vi) Pb(Sc0.5 Ta0.5)Ｏ3 過剰な鉛の存在下又は非存在下におけるPbTiO3及び／又
はPb(Mg1/3Nb2/3)O3を有するｉ）〜vi) の化合物の組み
合せで構成することができる。Ｋ＞３の誘電定数を有す
る誘電体層は、例えば Si3N4, SiO2, Six Ｎy Ｏy (0≦
ｘ≦1, 0≦ｙ≦1,0≦ｚ≦1), Al203, Ta2O5,(Ta2O5)x -
(Al2O3)1-x (0≦ｘ≦1),(Ta2O5)x -(TiO2)1-x(0≦ｘ≦
1),(Ta2O5)x -(Nb2O5)1-x (0≦ｘ≦1),(Ta2O5)x -(Si
O2)1-x(0≦ｘ≦1), TiO2, Mnドーパントを含む場合及び
含まない場合のSrZrx Ti1-x O3(0≦ｘ≦1), CaＯx ZnＯ
y (Nb2Ｏ5)z (ｘ＝0.01〜0.05, ｙ＝0.43〜0.55, ｚ＝
0.44〜0.52),(BaTiO3 )0.18-0.27＋(Nd2O3)0.316-0.355
＋(TiO2)0.276~0.355 ＋(Bi2O3)0.025-0.081＋ｘZnO, C
aTiO3 ＋CaTiSiO5, (Sr,Ca)(TipZr)O3,(Sr,Ca,Ｍ) (Ti,
Zr)O3(Ｍ＝Mg又はZn),(Sr,Ca,Mg,Zn)(Ti,Zr,Si)O3,(Sr,
Ca,Cu,Mn,Pb)TiO3＋Bi2O 3, BaO-TiO2-Nd2O3-Nb2O5, Zr
(Ti,Sn)O4, BaO-PbO-Nd2O3-TiO2, Ba(Zn,Ta)O3, BaZr
O3, Ba2Ti9O20, Mnドーパントを有する場合及び有しな
い場合のBa2Ti9-xZrxO20 (0≦ｘ≦1) BaTi5O11, BaTi4O
9, Cax Smy Tiz Ｏn (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ≦1,
0≦ｎ≦1), ［Bi3(Ni2Nb)O9］1-x -(Bi2(ZnNb2(1+d)y O
3+6y+5yd)x (0≦ｘ≦1, 0.5≦ｙ≦1.5, -0.05≦ｄ≦0.0
5), CaZrO3 又は Nd2Ti2O7 で構成することができる。
さらに、電流供給コンタクト８を複数素子ユニットの互
いに対向する側に設ける。電流供給コンタクト８は、例
えばＣｒ／Ｃｕ，Ｎｉ／Ｓｎ又はＣｒ／Ｃｕ，Ｃｕ／Ｎ
ｉ／Ｓｎ又はＣｒ／Ｎｉ，Ｐｂ／Ｓｎの電気メッキされ
たＳＭＤ端部コンタクト、又はバンプ端部コンタクト、
又はコンタクト面とすることができる。第３の電極と第
１の電極との間の接触は、誘電体層１４及び１６の一部
分を第３の電極１７の材料を形成する前に例えばエッチ
ングにより複数素子ユニットの一方の側において除去す
ることにより得られる。第３の電極１７の材料を被着す
る際、露出した第１の電極１３との接触が形成される。
又はＫ＞３を有する材料と同一の誘電特性を有する誘電
性材料でそれぞれ構成することができる。或いは、誘電
体層１４及び１６は異なる誘電性特性を有する誘電性材
料とすることができ、誘電体層１４の誘電定数を誘電体
層１６の誘電定数よりも大きくする。Ｋ＞７の誘電定数
を有する誘電体層は、例えば過剰な鉛を含み及び含まな
いPbZrx Ti1-x Ｏ3 （ｘ＝０〜１), Pb1-ay Lay Zrx Ti
1-x O3(0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦0.2, 1.3≦ａ≦1.5), Pb1-ax
Lax TiＯ3 (0≦ｘ≦0.3, 1.3≦ａ≦1.5),(Pb, Ca)TiO3,
Ce ドーパントを有するBaTiO3、Nb及び／又はCoドーパ
ントを有するBaTiO3、BaZrx Ti1-x O3(0≦ｘ≦1),Pb
1-aXLaX TiO3(0≦ｘ≦0.3, 1.3≦ａ≦1.5),(Pb,Ca)Ti
O3,Ce が添加されたBaTiO3,Nb 及び／又はCoが添加され
たBaTiO3, BaZrx Ti1-x O3(0≦ｘ≦1), Ba1-xPbx TiO
3(0≦ｘ≦1), Ba1-y Sry Zrx Ti1-x O3(0≦ｘ≦1, 0≦
ｙ≦1), Mnドーパントを含む場合及び含まない場合のBa
1-x Srx TiO3 (ｘ＝０〜１),例えばLa,Nb,Fe又はMnを有
するSrTiO3, Mnドーパントを含む場合及び含まない場合
のSrZrx O3(ｘ＝０〜１), CaOx ZnＯy (Nb2Ｏ5)z (ｘ
＝0.01〜0.05, ｙ＝0.43〜0.55, ｚ＝0.44〜0.52), (Ba
TiO3)0.18~0.27＋(Nd2O3)0.316~0.355＋(TiO2)
0.276~0.355＋(Bi2O3)0.025~0.081＋ｘZnO, CaTiO3 ＋C
aTiO5, (Sr,Ca)(Ti,Zr)O3, (Sr,Ca,M)(Ti,Zr)O3(M＝Mg
又はZn),(Sr,Ca,Mg,Zn)(Ti,Zr,Si)O3,(Sr,Ca,Cu,Mn,Pb)
TiO3＋Bi2O3,BaO-TiO2-Nd2O3-Nb2O5,(Bi2O3)x (Nb2O5)
1-x及び添加物としてのSiO2,MnO 2 及びPbO,Nb2O5 を有
するBaTiO3,CoO,CeO2,ZnO ドーパントとしての酸化マン
ガン, BaTiO3＋CaZrO3及び添加物であるMnO2,MgO及び希
土類酸化物, (Ba,Ca)TiO3＋Nb2O5,Co2O3 又はMnO2, Mn
ドーパントを含む場合及び含まない場合の Ba2Ti19O20,
Ba2Ti9-x Zrx O20 (0≦ｘ≦1),Ba2Ti5O11,BaTi4O9, Ca
x Smy Tiz Ｏn (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ≦1, 0≦ｎ
≦1), Zr(Ti,Sn)O4,TiO2, TaO5,(Ta2O5)x -(Al2O3)1-x
0 ≦ｘ≦1),(Ta2O5)x -(TiO2)1-x(0≦ｘ≦1),(Ta2O5)
x -(Nb2O5)1- x (0≦ｘ≦1),(Ta2O5)x -(SiO2)1-x(0≦ｘ
≦1),BaO-PbO-Nd2O3-TiO2, Ba(Zn,Ta)O3,BaZrO3, CaZrO
3, Nd2Ti2O7,(Ba,Ca,Sr)(Ti,Zr)O3 ＋Li2O,SiO2 及びB2
O3, ［Bi3 (Ni2Nb)O9 ］1-x -(Bi2(ZnNb2(1+d)y O
3+6y+5yd ) x (0≦ｘ≦1, 0.5≦ｙ≦1.5, -0.05≦ｄ≦0
05),PbNb4/5x ((Zr0.6Sn0.4)1-yTiy ) O3(0≦ｘ≦9, 0
≦ｙ≦1), ［Pb(Mg1/3Nb2/3)O3］x -(PbTi3)1-x (0≦ｘ
≦1),(Pb,Ba,Sr) (Mg1/3Nb2/3) x Tiy (Zn1/3Nb2/3)
1-x-y O3(0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1,ｘ＋ｙ≦1), で構成する
ことができ、並びに i) Pb(Mg0.5 Ｗ0.5)Ｏ3 ii) Pb(Fe0.5 Nb0.5)Ｏ3 iii) Pb(Fe2/3 Ｗ1/3)Ｏ3 iv) Pb(Ni1/3 Nb2/3)Ｏ3 v) Pb(Zn1/3 Nb2/3)Ｏ3 vi) Pb(Sc0.5 Ta0.5)Ｏ3 過剰な鉛の存在下又は非存在下におけるPbTiO3及び／又
はPb(Mg1/3Nb2/3)O3を有するｉ）〜vi) の化合物の組み
合せで構成することができる。Ｋ＞３の誘電定数を有す
る誘電体層は、例えば Si3N4, SiO2, Six Ｎy Ｏy (0≦
ｘ≦1, 0≦ｙ≦1,0≦ｚ≦1), Al203, Ta2O5,(Ta2O5)x -
(Al2O3)1-x (0≦ｘ≦1),(Ta2O5)x -(TiO2)1-x(0≦ｘ≦
1),(Ta2O5)x -(Nb2O5)1-x (0≦ｘ≦1),(Ta2O5)x -(Si
O2)1-x(0≦ｘ≦1), TiO2, Mnドーパントを含む場合及び
含まない場合のSrZrx Ti1-x O3(0≦ｘ≦1), CaＯx ZnＯ
y (Nb2Ｏ5)z (ｘ＝0.01〜0.05, ｙ＝0.43〜0.55, ｚ＝
0.44〜0.52),(BaTiO3 )0.18-0.27＋(Nd2O3)0.316-0.355
＋(TiO2)0.276~0.355 ＋(Bi2O3)0.025-0.081＋ｘZnO, C
aTiO3 ＋CaTiSiO5, (Sr,Ca)(TipZr)O3,(Sr,Ca,Ｍ) (Ti,
Zr)O3(Ｍ＝Mg又はZn),(Sr,Ca,Mg,Zn)(Ti,Zr,Si)O3,(Sr,
Ca,Cu,Mn,Pb)TiO3＋Bi2O 3, BaO-TiO2-Nd2O3-Nb2O5, Zr
(Ti,Sn)O4, BaO-PbO-Nd2O3-TiO2, Ba(Zn,Ta)O3, BaZr
O3, Ba2Ti9O20, Mnドーパントを有する場合及び有しな
い場合のBa2Ti9-xZrxO20 (0≦ｘ≦1) BaTi5O11, BaTi4O
9, Cax Smy Tiz Ｏn (0≦ｘ≦1, 0≦ｙ≦1, 0≦ｚ≦1,
0≦ｎ≦1), ［Bi3(Ni2Nb)O9］1-x -(Bi2(ZnNb2(1+d)y O
3+6y+5yd)x (0≦ｘ≦1, 0.5≦ｙ≦1.5, -0.05≦ｄ≦0.0
5), CaZrO3 又は Nd2Ti2O7 で構成することができる。
さらに、電流供給コンタクト８を複数素子ユニットの互
いに対向する側に設ける。電流供給コンタクト８は、例
えばＣｒ／Ｃｕ，Ｎｉ／Ｓｎ又はＣｒ／Ｃｕ，Ｃｕ／Ｎ
ｉ／Ｓｎ又はＣｒ／Ｎｉ，Ｐｂ／Ｓｎの電気メッキされ
たＳＭＤ端部コンタクト、又はバンプ端部コンタクト、
又はコンタクト面とすることができる。第３の電極と第
１の電極との間の接触は、誘電体層１４及び１６の一部
分を第３の電極１７の材料を形成する前に例えばエッチ
ングにより複数素子ユニットの一方の側において除去す
ることにより得られる。第３の電極１７の材料を被着す
る際、露出した第１の電極１３との接触が形成される。
【００３８】変形例として、例えばＳｉ3 Ｎ4 又はＳｉ
Ｏ2 のような無機材料及び／又は例えばポリイミド又は
ポリベンゾシクロブタンのような有機材料を含む保護層
を複数素子ユニット全体に形成することができる。さら
に、ガラス層又はガラスプレートを保護層上に設けるこ
とができる。
Ｏ2 のような無機材料及び／又は例えばポリイミド又は
ポリベンゾシクロブタンのような有機材料を含む保護層
を複数素子ユニット全体に形成することができる。さら
に、ガラス層又はガラスプレートを保護層上に設けるこ
とができる。
【００３９】第３の電極１７と第１の電極１３との間の
接触は、例えばアルミニウム、銅が添加されたアルミニ
ウム、銅、プラチニウム又はニッケルにより誘電体層１
４及び１６の孔１２を介して形成することができる。
接触は、例えばアルミニウム、銅が添加されたアルミニ
ウム、銅、プラチニウム又はニッケルにより誘電体層１
４及び１６の孔１２を介して形成することができる。
【００４０】実施例１ ガラス基板層１上に、ＴｉＯ2 の障壁層２及びＴｉ（１
０〜２０ｎｍ）／Ｐｔ（２０〜６００ｎｍ）の抵抗層３
を形成する。この抵抗層３上に、５％のランタニウムが
添加されたＰｂＺｒ0.53Ｔｉ0.47Ｏ3 の誘電体層４を形
成し、この誘電体層上にＰｔの第１電極５を形成する。
第１電極５上に、Ｓｉ3 Ｎ4 の別の誘電体層６を形成
し、この誘電体層６上にＣｕが添加されたＡｌの第２の
電極７を形成する。さらに、複数素子ユニットの両側
に、Ｃｒ／Ｃｕ，Ｎｉ／Ｓｎのコンタクト８を設ける。
抵抗層３及び第２の電極７は、Ｃｕが添加されたＡｌに
より誘電体層４及び６の孔９を介して相互接続する。Ｓ
ｉ3 Ｎ4 及びポリイミドの保護層を複数素子ユニット上
に設ける。
０〜２０ｎｍ）／Ｐｔ（２０〜６００ｎｍ）の抵抗層３
を形成する。この抵抗層３上に、５％のランタニウムが
添加されたＰｂＺｒ0.53Ｔｉ0.47Ｏ3 の誘電体層４を形
成し、この誘電体層上にＰｔの第１電極５を形成する。
第１電極５上に、Ｓｉ3 Ｎ4 の別の誘電体層６を形成
し、この誘電体層６上にＣｕが添加されたＡｌの第２の
電極７を形成する。さらに、複数素子ユニットの両側
に、Ｃｒ／Ｃｕ，Ｎｉ／Ｓｎのコンタクト８を設ける。
抵抗層３及び第２の電極７は、Ｃｕが添加されたＡｌに
より誘電体層４及び６の孔９を介して相互接続する。Ｓ
ｉ3 Ｎ4 及びポリイミドの保護層を複数素子ユニット上
に設ける。
【００４１】実施例２ Ａｌ2 Ｏ3 のガラス基板層１上に、Ａｌ2 Ｏ3 の障壁層
２及びＴｉ（１０〜２０ｎｍ）／Ｐｔ（２０〜６００ｎ
ｍ）の抵抗層３を形成する。この抵抗層３上に、５％の
ランタニウムが添加されたＰｂＺｒ0.53Ｔｉ0.47Ｏ3 の
誘電体層４を形成する。この誘電体層上にＰｔ（５０ｎ
ｍ〜１μｍ）の第１電極５を形成する。この第１の電極
は抵抗体のように構成される。第１電極５上に、Ｓｉ3
Ｎ4 の別の誘電体層６を形成する。この誘電体層６上に
Ｃｕが添加されたＡｌの第２の電極７を形成する。第２
の電極７上にＳｉ3 Ｎ4 の別の誘電体層１０を形成す
る。この誘電体層１０上に銅が添加されたアルミニウム
の第３の電極を形成する。抵抗層３及び第２の電極７並
びに第１器出来５及び第３の電極１１は、誘電体層４及
び６並びに６及び１０に形成した孔９及び１２をそれぞ
れ介してＣｕが添加されたＡｌにより相互接続する。さ
らに、複数素子ユニットの両側に、Ｃｒ／Ｃｕ，Ｎｉ／
Ｓｎのコンタクト８を設ける。Ｓｉ3 Ｎ4 とポリイミド
の保護層を複数素子ユニット上に設ける。
２及びＴｉ（１０〜２０ｎｍ）／Ｐｔ（２０〜６００ｎ
ｍ）の抵抗層３を形成する。この抵抗層３上に、５％の
ランタニウムが添加されたＰｂＺｒ0.53Ｔｉ0.47Ｏ3 の
誘電体層４を形成する。この誘電体層上にＰｔ（５０ｎ
ｍ〜１μｍ）の第１電極５を形成する。この第１の電極
は抵抗体のように構成される。第１電極５上に、Ｓｉ3
Ｎ4 の別の誘電体層６を形成する。この誘電体層６上に
Ｃｕが添加されたＡｌの第２の電極７を形成する。第２
の電極７上にＳｉ3 Ｎ4 の別の誘電体層１０を形成す
る。この誘電体層１０上に銅が添加されたアルミニウム
の第３の電極を形成する。抵抗層３及び第２の電極７並
びに第１器出来５及び第３の電極１１は、誘電体層４及
び６並びに６及び１０に形成した孔９及び１２をそれぞ
れ介してＣｕが添加されたＡｌにより相互接続する。さ
らに、複数素子ユニットの両側に、Ｃｒ／Ｃｕ，Ｎｉ／
Ｓｎのコンタクト８を設ける。Ｓｉ3 Ｎ4 とポリイミド
の保護層を複数素子ユニット上に設ける。
【００４２】実施例３ ガラス基板層１上に、ＴｉＯ2 の障壁層２及びＴｉ（１
０〜２０ｎｍ）／Ｐｔ（２０〜６００ｎｍ）の第１電極
１３を形成する。この第１電極１３上に、５％のランタ
ニウムが添加されたＰｂＺｒ0.53Ｔｉ0.47Ｏ3 の誘電体
層１４を形成し、この誘電体層１４上にＰｔの第２電極
１５を形成する。第２電極５上に、５％のランタニウム
が添加されたＰｂＺｒ0.53Ｔｉ0.47Ｏ3 の別の誘電体層
１６を形成し、この誘電体層１６上にＰｔの第３電極１
７を形成する。さらに、複数素子ユニットの両側に、Ｃ
ｒ／Ｃｕ，Ｎｉ／Ｓｎのコンタクト８を設ける。第３の
電極１７の材料を被着する前に例えばエッチングにより
ユニットの一方の側の誘電体層１４及び１６の一部分を
除去する。第３の電極を堆積する際、この第３の電極１
７は露出した第１電極１３と接触する。Ｓｉ3 Ｎ4 とポ
リイミドの保護層を複数素子ユニット上に設ける。
０〜２０ｎｍ）／Ｐｔ（２０〜６００ｎｍ）の第１電極
１３を形成する。この第１電極１３上に、５％のランタ
ニウムが添加されたＰｂＺｒ0.53Ｔｉ0.47Ｏ3 の誘電体
層１４を形成し、この誘電体層１４上にＰｔの第２電極
１５を形成する。第２電極５上に、５％のランタニウム
が添加されたＰｂＺｒ0.53Ｔｉ0.47Ｏ3 の別の誘電体層
１６を形成し、この誘電体層１６上にＰｔの第３電極１
７を形成する。さらに、複数素子ユニットの両側に、Ｃ
ｒ／Ｃｕ，Ｎｉ／Ｓｎのコンタクト８を設ける。第３の
電極１７の材料を被着する前に例えばエッチングにより
ユニットの一方の側の誘電体層１４及び１６の一部分を
除去する。第３の電極を堆積する際、この第３の電極１
７は露出した第１電極１３と接触する。Ｓｉ3 Ｎ4 とポ
リイミドの保護層を複数素子ユニット上に設ける。
【図１】 １個の抵抗素子と２個のキャパシタを具える
複数素子ユニットの構成を示す線図的断面図である。
複数素子ユニットの構成を示す線図的断面図である。
【図２】 ２個の抵抗素子と３個のキャパシタを具える
複数素子ユニットの構成を示す線図的断面図である。
複数素子ユニットの構成を示す線図的断面図である。
【図３】 ２個のキャパシタを具える複数素子ユニット
の構成を示す線図的断面図である。
の構成を示す線図的断面図である。
１ 基板層 ２ 障壁層 ３ 抵抗層 ４，６，１０ 誘電体層 ５，７，１５，１７ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 ハンス ペーター レーブル ドイツ国 52156 モンシャウ−イムゲン ブロイヒ マッシアス−オフェルマン シ ュトラーセ 22 (72)発明者 ライネル キーウィット ドイツ国 52159 ルートゲン ルートゲ ンバッハシュトラーセ 19 (72)発明者 ポール ヘンリ マリア ファン オッペ ン オランダ国 6042 ヘーヘー ルールモン ト ブレーデウェッハ 10 (72)発明者 ロベルト ヨセフ アドリアーン デルク セン オランダ国 5656 アーアー アインドー フェン プロフ ホルストラーン ６ (72)発明者 ハンス−ヴォルフガング ブラント ドイツ国 52072 アーヘン シロスパー クシュトラーセ 43
Claims (18)
- 【請求項１】 第１及び第２の電流供給コンタクトと、
基板層と、前記基板層の上側に形成され前記第１の電流
供給コンタクトに接続した抵抗層と、前記抵抗層の上側
に形成した少なくとも１個の誘電体層と、前記誘電体層
上に形成され前記第２の電流供給コンタクトに接続した
少なくとも１個の第１の電極とを少なくとも具える電子
的複数素子ユニット。 - 【請求項２】 請求項１に記載の電子的複数素子ユニッ
トにおいて、前記第１の電極の上側に、別の誘電体層
と、前記第１の電流供給コンタクトに接続されている第
２の電極とが形成されていることを特徴とする電子的複
数素子ユニット。 - 【請求項３】 請求項２に記載の電子的複数素子ユニッ
トにおいて、前記第２の電極が前記抵抗層に接続されて
いることを特徴とする電子的複数素子ユニット。 - 【請求項４】 前記第１の電極の上側に、第２及び第３
の誘電体層と第２及び第３の電極とが交互に形成され、
前記第２の電極が第１の電流供給コンタクトに接続さ
れ、第３の電極が第２電流供給コンタクトに接続されて
いることを特徴とする請求項１に記載の電子的複数素子
ユニット。 - 【請求項５】 請求項４に記載の電子的複数素子ユニッ
トにおいて、前記第２の電極が前記抵抗層に接続され、
前記第３の電極が前記第１の電極に接続されていること
を特徴とする電子的複数素子ユニット。 - 【請求項６】 前記抵抗層が、金属、合金、導電性酸化
物、金属と合金、金属と導電性酸化物、又は導電性の金
属窒化物を含む材料で構成されていることを特徴とする
請求項１から５までのいずれか１項に記載の電子的複数
素子ユニット。 - 【請求項７】 前記電極が抵抗値を有し、金属、合金、
導電性酸化物、金属と合金、金属と導電性酸化物、又は
金属と合金と導電性酸化物、又は導電性の金属窒化物を
含む材料で構成されていることを特徴とする請求項１か
ら５までのいずれか１項に記載の電子的複数素子ユニッ
ト。 - 【請求項８】 前記抵抗層の上側に形成された第１の誘
電体層がＫ＞７の誘電定数値を有することを特徴とする
請求項１から５までのいずれか１項に記載の電子的複数
素子ユニット。 - 【請求項９】 前記第２及び第３の誘電体層がＫ＞３の
誘電定数値を有することを特徴とする請求項３から５ま
でのいずれか１項に記載の電子的複数素子ユニット。 - 【請求項１０】 少なくとも、第１及び第２の電流供給
コンタクトと、基板層と、基板層の上側に形成され前記
第１の電流供給コンタクトに接続した第１の電極と、こ
の第１の電極の上側に形成され、少なくとも第２及び第
３の電極と交互に形成した第１及び第２の誘電体層とを
有し、前記第２の電極が前記第２の電流供給コンタクト
に接続され、前記第３の電極が前記第１の電流供給コン
タクトに接続されている電子的複数素子ユニット。 - 【請求項１１】 前記第１及び第２の誘電体層が共に同
一の誘電特性を有する誘電性材料で構成されていること
を特徴とする請求項１０に記載の電子的複数素子ユニッ
ト。 - 【請求項１２】 前記第１及び第２の誘電体層が異なる
誘電特性を有する誘電性材料から構成され、第１の誘電
体層の誘電定数が第２の誘電体層の誘電定数よりも大き
いことを特徴とする請求項１０に記載の電子的複数素子
ユニット。 - 【請求項１３】 前記基板層が、セラミック材料、ガラ
ス平坦化部材を有するセラミック材料、ガラス−セラミ
ック材料、ガラス材料又はシリコンで構成されているこ
とを特徴とする請求項１から５及び１０のいずれか１項
に記載の電子的複数素子ユニット。 - 【請求項１４】 前記電極が、金属、合金、導電性酸化
物、金属と合金、金属と導電性酸化物、又は金属と合金
と導電性酸化物、又は導電性の金属窒化物を含む材料で
構成されていることを特徴とする請求項１から５及び１
０のいずれか１項に記載の電子的複数素子ユニット。 - 【請求項１５】 前記電流供給コンタクトを、電気メッ
キされたＳＭＤ端部コンタクト、バンプ端部コンタクト
又はコンタクト面としたことを特徴とする請求項１から
５及び１０のいずれか１項に記載の電子的複数素子ユニ
ット。 - 【請求項１６】 前記基板層上に障壁層が存在すること
を特徴とする請求項１から５及び１０までのいずれか１
項に記載の電子的複数素子ユニット。 - 【請求項１７】 無機材料及び／又は有機材料の保護層
が複数素子ユニット上に形成されていることを特徴とす
る請求項１から５及び１０までのいずれか１項に記載の
電子的複数素子ユニット。 - 【請求項１８】 前記保護層上にガラス層又はガラスプ
レートが設けられていることを特徴とする請求項１から
５及び１０までのいずれか１項に記載の電子的複数素子
ユニット。
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