JP2000223413A - フォトリソグラフィ―プロセスを制御するための方法およびシステム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】一定の加工結果を提供するために仕掛品（Ｗ）
の作業領域に適用される加工ツール３の少なくとも１つ
の作業パラメータの自動光学制御のための方法を提供す
る。 【解決手段】加工ツールの少なくとも１つの作業パラメ
ータが、加工中の仕掛品の少なくとも１つのパラメータ
に影響を及ぼす。加工ツールが、仕掛品の加工の前に少
なくとも１つの作業パラメータの事前設定値を有してい
る。仕掛品の少なくとも１つのパラメータを測定し、そ
れを表す測定済みデータを生じさせるために、加工ツー
ルによる仕掛品の処理の前に前記仕掛品に適用される測
定ツール１４を提供する。作業パラメータの事前設定値
に関して、及び加工結果に関して測定済みデータを分析
し、加工ツールを仕掛品に適用するときに一定のプロセ
ス結果を提供するために事前設定値を補正しなければな
らないかどうかを判断し、補正しなければならないこと
を検出したときに、補正値を計算する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、測定／検査技法の
分野にあり、仕掛品を加工するための加工ツールの動作
を制御するための方法およびシステムに関する。本発明
は、とくに、フォトリソグラフィーツールの動作を制御
し、フォトリソグラフィープロセス全体を最適化するた
めに、半導体装置の製造において有効である。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造は、アクティブエレメ
ントおよびパッシブエレメントを定めるために半導体ウ
ェハに適用されている複数の手順から成り立っている。
ウェハが作成され、１つまたは複数の層がその上に堆積
される。それ以降、フォトリソグラフィーのプロセスが
実行され、回路エレメントに一致するパターンのあるウ
ェハの表面が形成される。一番上の層に適用されるエッ
チングプロセスが、フォトリソグラフィーの後に続く。
好ましくはこれらのプロセスを繰り返すことにより、マ
ルチレベル半導体ウェハが作成される。このようにし
て、フォトリソグラフィーは、半導体装置の製造におけ
る主要なステップの１つである。それは、実際には、マ
スクから半導体ウェハへのパターンの光学的なイメージ
転写から成り立っている。

【０００３】ウェハ上の特徴を最小限に抑えること、す
なわちパターンをさらに細かくすることが半導体業界の
共通した目標である。イメージ転写に使用されている光
学システムがその限度に到達するという事実のために、
リソグラフィープロセスは、その操作上の性能より高い
要件を満たさなければならない。これは、新しいリソグ
ラフィー装置および化学品の開発だけではなくより細か
いプロセス制御を意味する。フォトリソグラフィープロ
セスの主要なステップは、以下の通りである。 （ａ）ウェハをフォトレジスト材（ＰＲ）で被覆するこ
と。 （ｂ）ＰＲ上のマスクの潜像を作り出すために、マスク
を通して、ＰＲをＵＶ放射線にさらすこと。 （ｃ）画像を作り出すために露光されたＰＲを現像する
こと、および、 （ｄ）ウェハを測定し、検査すること。ＰＲのＵＶ光へ
の露光中、ＰＲは、露光されていないＰＲに比較して、
多かれ少なかれ現像溶剤中で溶けやすくなり、それによ
りそれぞれポジ調画像またはネガ調画像を作成する。

【０００４】図１は、全体を示す符号１で示された、フ
ォトリソグラフィープロセスを実行するための、一般的
なフォトリソグラフィーツール装置、つまり、いわゆる
「リンク装置」を示す。このようなリンク装置の実現の
根底にある主要な考えとは、プロセス／ツール変動を最
小限に抑えるために、各ツールが列内の次のものに役立
つために専用となっているということである。リンク装
置１は、２つの主要な部分から構成されている。つまり
フォトトラック２および露光ツール３である。フォトト
ラック２は、それぞれ４ａおよび５ａと示されるカセッ
ト装填／抜取りステーションと結び付けられているコー
タートラック４および現像液トラック５から形成されて
いる。ロボット（図示されていない）は、ウェハをカセ
ットステーション４ａからコータートラック４に装填
し、被覆手順が完了すると、それを露光ツール３に移送
する。ここでは、マスク上のパターンが露光ツール３の
内側に取り付けられている光学手段によりウェハ上にす
でにある構造物と整列（登録）され、ウェハはマスクを
通って電磁放射線にさらされる。露光後、ロボットが、
ウェハを現像液トラック５に、それからカセットステー
ション５ａに運ぶ。さらに、複数の異なる焼成手順が、
ステップ（ａ）から（ｃ）のあいだで実施されている。
コータートラック２、露光ツール３、および現像液トラ
ック５は、プロセス変化性、および非常に敏感なプロセ
スであるフォトリソグラフィー中の汚染の潜在的なリス
クを最小限に抑えるためにともに緊密に接合される。

【０００５】測定／検査ステップは、典型的には、直列
臨界寸法（ＣＤ）測定に役立つ、大きなスタンドアロン
機械である計測学ツールを用いて実施される。ＣＤ測定
ツール７は、ウェハ上の代表的な線、スペース、および
線／スペースの組の幅を測定する。従来のＣＤ計測学ツ
ールの動作は、２つの主要な方法に基づいている。つま
り走査電子顕微鏡（ＣＤ ＳＥＭ）および原子間力顕微
鏡（ＣＤ ＡＦＭ）である。ＣＤ測定は、典型的には、
現像ステップの後に行なわれる。この目的のため、「現
像された」ウェハは、リンク装置１から取り出され、ツ
ール７により占有されている別個のＣＤステーションに
移される。ＣＤ測定中に得られたデータは、（典型的に
はＣＤ計測学ツールと一体化している）プロセッサ８を
用いて分析されてから、ある種のフィードバックが提供
され（たとえば、許容範囲外の幅の場合には警報）、生
産ラインの関連する装置に伝送される。

【０００６】フォトリソグラフィープロセス全体の品質
は、最終的な画像転写に影響を及ぼすことがあるすべて
の関連したパラメータの公差の組み合わせにより定めら
れる。制御されなければならない（そして、調整および
補正がさらに容易でなければならない）主要なパラメー
タとは、曝射線量、つまりＰＲに達するエネルギーの量
である。

【０００７】いわゆる「ウェハを先に送る（send ahead
wafer）」という１つの既知の技法に従って、パイロッ
トウェハが、装置１を通して、つまり被覆−露光−現像
ステップを通して送られ、一定の推奨曝射線量（および
時間）を適用してから、ＣＤ測定を受ける。測定の結果
は、ロット全体のセットアップ条件、あるいはロット内
での別のウェハの露光の前にツール３に適用されなけれ
ばならない補正信号の基礎、つまりフィードバックルー
プとなるだろう。このような「ウェハを先に送る」手順
のシーケンス全体には多くの時間を要することがあり、
生産ツールの貴重な時間が完全に活用されず、ウェハの
流れが遅延する。別の技法によれば、各ロットは、いわ
ゆる「ロット間（lot-to-lot）制御」を表すこのプロセ
スで次のロットが動作するための基礎となる。過去のロ
ットの結果を考慮することにより、小さい補正を行うこ
とができる。しかしながら、ロット全体が失われてしま
う可能性があるため、リスクの一定の増分が存在する。
これらの技法は両方とも、時間、労力、および材料を消
費し、通常、問題を含んだ原因を明らかにしない。

【０００８】フォトリソグラフィーは、ＰＲ脱色の一定
レベルで充分な結果を提供することが知られている。残
念なことに、走査速度および光輝度の変動のため、毎
回、最適な曝射線量を再生することは非常に困難であ
る。

【０００９】直接的にフォトレジストリソグラフィー画
像と相関づけられている測定を提供するために生産で使
用されている最も一般的な方法は、いわゆる「光学暴露
試験」である。この方法によれば、フォトレジスト材で
被覆されているウェハは、マスクを通して一連の異なる
露光量で露光される。露光ステップおよび現像ステップ
に続いて、線量は、電子顕微鏡技法を活用して、線幅の
関数として概算される。この方法は、フォトリソグラフ
ィープロセス（つまり、被覆、露光、現像、焼成、抵抗
など）のすべての関連する処理および材料を考慮するこ
とができるが、露光装置の高価で有効な時間を消費す
る。

【００１０】米国特許第５，６２０，８１８号明細書
は、校正曲線を構築するための潜像格子の屈折を活用す
るフォトリソグラフィー線量決定技法を開示している。
この技法は、以下の特徴のためにオンライン生産制御と
は両立しない。それは、特殊マスクが設計され、すべて
の関連したスタック層を有している特殊な試験ウェハを
作成することを必要とする。充分な信号対雑音比を提供
するために、大面積の試験用構造（格子パターン）が必
要である。さらに、校正曲線構築時に各層および各レジ
ストを考慮するためには、ウェハ上でのマスクの漸進的
な露光のシーケンスが実施されなければならない。

【００１１】米国特許第５，６３５，２８５号明細書
は、露光のために補正を決定する複数の方法を開示して
いる。それらの内の１つは、追加の位置合わせ手順の必
要性を欠点として持つ移相マスクを使った露光に基づい
ている。別の方法は、焦点深度（ＤＯＦ）の限度を克服
するために複数の焦点条件で露光のための既知のＦＬＥ
Ｘ技法を使用している。この方法は、位置合わせおよび
拡大の誤差に関係する問題を抱えている。さらに別の方
法は、追加の「焦点を外れた照明」の使用に基づいてい
る。さらに特定すると、追加放射線が焦点深度の外側に
加えられ、マスクがグレースケール様式（regime）とし
て動作する。その結果、方法は、「マスク様式依存型」
となり、そのため、マスク領域ごと、層ごと、および製
品ごとに別個に適用されなければならない。

【００１２】米国特許第４，４７４，８６４号明細書
は、第１露光セットアップ用校正曲線の構築に関係して
いる初期の計算手順を提示する線量計算のための方法を
開示している。この校正は、一定の単一な波長での脱色
の結果生じる吸収を測定するためのいくつかの透明なウ
ェハの被覆および漸進的な露光により実現される。ただ
し、この方法は時間がかかり、長い準備手順を必要とす
るため、実験室の測定手順に適しているが、リアルタイ
ムプロセス制御には適していない。この方法は、厚さお
よび露光中に変化し、それにより吸収に影響を及ぼす可
能性がある屈折率（吸収だけ）の同時測定は考慮してい
ない。さらに、この方法は、実際には誤差を生じさせる
可能性がある反射がごくわずかであるという前提に基づ
いている。この特許明細書の開示によれば、校正曲線の
演繹（deduction）は、単一波長に基づく。これは、測
定値が、測定自体の誤差を減少する可能性がある統計的
な平均化（averaging）をもたないことを示している。

【００１３】前記を考慮すると、線量決定／補正のため
の既存の技法が、オンライン製造ステップとして使用で
きず、高い精度および自動分析、ならびにフィードバッ
クよりむしろフィードフォワード線量制御を提供できな
いことは明白である。既存の方法は、フォトリソグラフ
ィツールの高価で／有効な時間の浪費だけではなく、ウ
ェハおよびフォトレジストおよび溶剤などの他の物質の
無駄につながる。したがって、それらはリソグラフィツ
ールの生産率（つまり、スループット）を削減する。さ
らに、現在の方法は、吸収係数ｋおよび屈折係数ｎなど
のＰＲ層の光学パラメータの正確かつ高速な決定を考慮
していないため、直接的な放射線量の補正を可能としな
い。

【００１４】発明の要約 したがって、この分野の技術には、新規測定方法および
システムを提供することにより半導体装置の製造におい
て使用されているフォトリソグラフィープロセスの質を
改善するニーズがある。

【００１５】生産においてフォトリソグラフィーのパラ
メータを制御するために使用することができるこのよう
な方法およびシステムを提供することが、本発明の主要
な目的である。

【００１６】本発明の１つの態様に従って、一定のプロ
セス結果を提供するために仕掛品の作業領域に適用され
る加工ツールの少なくとも１つの作業パラメータの自動
光学制御用方法が具備され、加工ツールの前記少なくと
も１つの作業パラメータは、加工中の仕掛品の少なくと
も１つのパラメータに影響を及ぼし、加工ツールは、仕
掛品の加工の前に前記少なくとも１つの作業パラメータ
の事前設定値を有しており、前記方法は、（ａ）加工ツ
ールによるその加工の前に仕掛品に適用される測定ツー
ルを提供するステップと、（ｂ）以下の目的のために仕
掛品に測定ツールを適用するステップと、（ｃ）仕掛品
の前記少なくとも１つのパラメータを測定し、それを表
す測定済みデータを作成するステップと、（ｄ）作業パ
ラメータの前記事前設定値に関して、および前記加工結
果に関して前記測定済みデータを分析し、加工ツールを
前記仕掛品に適用するときに、前記一定のプロセス結果
を提供するために前記事前設定値が補正されるべきかど
うかを判断するステップと、（ｅ）前記事前設定値が補
正されなければならないことを検出すると、補正値を計
算し、それを表すデータを作成するステップとを含んで
いる。

【００１７】本発明の主要な考えは、以下から成り立っ
ている。生産ラインに沿って進行している仕掛品は、加
工ツールにより加工されなければならない。加工ツール
の作業パラメータは、典型的には、事前設定値に調整さ
れる。加工ツールを用いた仕掛品の加工中、この作業パ
ラメータの値は、仕掛品のいくつかのパラメータに影響
を及ぼす。加工は、(加工結果を構成している）仕掛品
のパラメータの一定の希望値を提供すると予想される。
しかしながら、仕掛品が（生産ライン上で進行している
半導体ウェハのような仕掛品を考慮するケースである）
加工ツールに到達する前に、多様な手順が仕掛品に適用
されていたという事実のため、これらの手順は仕掛品の
パラメータに予測できない影響を及ぼす可能性がある。
その結果、作業パラメータの事前設定値は、特定の仕掛
品の実際の加工前条件の要件を満たし、加工プロセスが
目的とする結果を満たすことができるように補正される
必要がある。その目的のため、新規制御方法が提案され
る。方法は、加工前に仕掛品のパラメータを測定するこ
と、および測定済み仕掛品に加工ツールを適用するとき
に、加工結果を達成するための事前設定値に適用されな
ければならない補正値を求めるために、作業パラメータ
の事前設定値および加工結果とともに、前記の測定値を
分析することから成り立っている。その加工の前に仕掛
品を測定し、加工ツールパラメータをそれに応じて調整
する技法は、フィードフォワードクローズドループを表
す。

【００１８】測定および測定済みデータの分析を実行す
るためには、一定の基準データが提供され、使用され
る。基準データは、加工ツールの少なくとも１つの作業
パラメータの関数として、仕掛品の少なくとも１つのパ
ラメータの形で少なくとも１つの校正曲線を表す。基準
データは、仕掛品の少なくとも１つのパラメータを表す
理論的なデータを入手するために、加工品のある特徴の
名目値に基づいた光学モデルも備える。光学モデルは、
波長の関数としての放射線強度の形で理論的なデータ
（数学等式）を提示し、放射線は、仕掛品の照明領域か
ら戻される（反射される）ものである。反射放射線は、
特定の既知の種類の仕掛品に関連した既知の物理的な作
用に従って仕掛品の必要とされているパラメータに依存
する。

【００１９】加工される仕掛品が、同じグループ（たと
えば、ウェハのケースでは１つまたは複数のロットまた
はバッチなど）の先行している（すでに加工されてい
る）仕掛品に続く場合、校正曲線は既知である（すでに
入手されている）。知られている種類の仕掛品の「新
規」グループを取り扱うとき、構成曲線は、グループ内
で第１に来る仕掛品に関して作成される。その少なくと
も１つの校正曲線を作成するために、いわゆる「セット
アップ処理ステージ」が実行されなければならない。こ
の段階は、希望されている数の「試験サイクル」を、処
理中の仕掛品の「試験領域」内に適用することから成り
立っている。ウェハのような仕掛品は、典型的には、作
業（パターン化済み）領域の外に位置していて作業領域
の特徴に類似する特徴を有している試験領域をもって形
成される。

【００２０】好ましくは、試験サイクルは、連続して試
験領域に適用され、前述されるように位置している測定
ツールにより実行されている、加工前測定、試験プロセ
ス、および加工後測定のステップから成り立っている。
この目的のため、測定ツールは、加工ツールによる処理
に類似した仕掛品の処理をするために適応され、測定ツ
ールと加工ツールの作業パラメータ間の割合は、所定値
である。希望される数のこのような試験サイクルは、サ
イクルごとに測定ツールの作業パラメータの異なる値を
使用して、試験領域内の対応する数の試験サイト（部
分）への小さな移動により実行され、毎回、仕掛品の必
要とされているパラメータの値を求める。

【００２１】校正曲線から作業パラメータの推奨値を求
めることができる。推奨値が、製造メーカにより与えら
れることもあることを注意する必要がある。この場合、
校正曲線は、この指定値がプロセス結果を満足させるか
どうかを判断し、それが加工結果を満たさないことを検
出すると、推奨値に適用される補正値を計算するために
役立つ。さらに、校正曲線の作成中、仕掛品のいくつか
の特徴の名目値が更新され、そのように最適化された光
学モデルが測定のためにさらに使用されるだろう。

【００２２】各測定は、所定の入射放射線スペクトルに
より試験領域内の少なくとも一部（試験サイト）を照明
し、照明された領域から戻されている（反射されてい
る）放射線を検出することにより実行される。このよう
にして入手された測定データは、波長の関数として放射
線強度という形を取っている。測定済みデータと理論上
のデータの間の適合手順を使用し、補正値を表すデータ
を作成するために、必要とされているパラメータを求
め、分析することができる。このデータは、この特定の
測定済み仕掛品に関し加工結果を入手するためのその作
業パラメータの値を調整するために、加工ツールに「フ
ィードフォワード」されてよい。

【００２３】好ましくは、仕掛品はウェハであり、生産
ラインは従来のフォトリソグラフィー装置である。ウェ
ハの作業領域とは、希望されているパターンをもって形
成されているまたは形成されることになる領域である。
制御されなければならない加工ツールは、好ましくは、
露光ツールであり、補正される作業パラメータとは曝射
線量である。しかしながら、一般的には、加工ツール
は、フォトリソグラフィー装置（つまり、コーター、現
像液など）で使用されている装置の内の任意の１つであ
ってよい。仕掛品のその少なくとも１つの測定済みパラ
メータは、ウェハの反射率（つまり、基板または基板上
のフォトレジスト層のどちらかの反射率）、ＰＲ屈折
率、吸収係数または厚さである。

【００２４】したがって、本発明の別の態様によれば、
一定の加工結果を提供するために仕掛品の作業領域に適
用される加工ツールの少なくとも１つの作業パラメータ
の自動光学制御の方法が提供されており、前記加工ツー
ルがフォトリソグラフィーツール装置の一部であり、加
工ツールの前記少なくとも１つの作業パラメータが加工
中の仕掛品の少なくとも１つのパラメータに影響を及ぼ
し、加工ツールが、加工前に前記少なくとも１つの作業
パラメータの事前設定値を有しており、前記方法が、 − 加工ツールによりその加工の前に前記加工品に適用
される測定ツールを提供するステップと、 − 以下のために測定ツールを前記ウェハに適用するス
テップと、 − ウェハの前記少なくとも１つのパラメータを測定
し、それを表す測定済みデ ータを作成するステップと、 − 作業パラメータの前記事前設定値に関して、および
加工ツールを前記ウェハに適用するときに、前記事前設
定値が前記加工結果を提供するために補正されるべきか
どうかを判断するために、前記加工結果に関して前記測
定済みデータを分析するステップと、 − 前記事前設定値が補正されなければならないことを
検出すると、補正値を計算し、それを表すデータを作成
するステップとを含んでいる。

【００２５】本発明のさらに別の態様によれば、一定の
加工結果を提供するためにその作業領域を加工するため
に仕掛品に適用されることになる加工ツールの少なくと
も１つの作業パラメータの自動光学制御に測定ツールが
提供され、前記作業パラメータは、加工中の仕掛品の少
なくとも１つのパラメータに影響を及ぼし、加工ツール
が、加工前に前記少なくとも１つの作業パラメータの事
前設定値を有し、前記測定ツールは、（１）加工ツール
の加工に類似して仕掛品を加工するために適応されてい
る加工チャネルであって、加工チャネルの作業パラメー
タと加工ツールの作業パラメータとの間の割合が所定の
値である加工チャネルと、（２）仕掛品の前記少なくと
も１つのパラメータを測定し、それを表す測定済みデー
タを作成するために適応されている測定チャネルと、
（３）前記加工チャネルと前記測定チャネルとに付随
し、それらのうちの１つを選択して作動するためのアク
チュエータと、（４）前記測定チャネルに結合されてい
るプロセッサであって、仕掛品の前記少なくとも１つの
パラメータを求め、分析するために前記測定済みデータ
に反応し、加工ツールを前記仕掛品に適用するときに、
前記加工結果を達成するために、仕掛品の加工の前に、
加工ツールの作業パラメータに適用される補正値を計算
するプロセッサとを備えている。

【００２６】本発明のさらに別の態様によれば、一定の
加工結果を提供するために、生産ラインに沿って進行し
ている加工連続仕掛品のために適応されている少なくと
も１つの加工ツールを有している生産ラインが具備さ
れ、前記加工ツールが、加工中の仕掛品の少なくとも１
つのパラメータに影響を及ぼす少なくとも１つのその作
業パラメータを有しており、加工ツールが前記仕掛品の
加工前に前記少なくとも１つの作業パラメータの事前設
定値を有しており、生産ラインが加工ツールによるその
加工の前に加工すべき仕掛品に適用されるために設置さ
れている測定ツールを備え、測定ツールは、仕掛品の前
記少なくとも１つのパラメータを測定するために適応さ
れており、前記運転中の仕掛品に加工ツールを適用する
ときに、前記事前設定値が、加工結果を適用するために
補正されなければならないかどうか判断するために適応
されている。

【００２７】さらに具体的には、本発明は、露光ツール
パラメータを制御するためのフォトリソグラフィツール
装置とともに使用されるため、本出願に関して以下に説
明される。

【００２８】図面の簡単な説明 本発明を理解し、それが実際問題としてどのように実行
されてよいのかを確かめるために、好まれている実施態
様が、添付図面に関して、非制限的な例だけにより以下
に説明されるだろう。

【００２９】従来の技術および好ましい実施態様の詳細
な説明 従来の技術 図１は、ウェハのフローチャートとともに、全体を符号
１で示され、それぞれ被覆ツール、露光ツール、および
現像ツールの４，３，および５を含む従来のフォトリソ
グラフィーツール装置、および図１にはとくに図示され
ていないロボットを図解している。装置１は、典型的に
は、加工およびツールパラメータを制御するための手動
フィードバックループを提供するために適切なプロセッ
サ８を具備しているＣＤ測定ツール７により占有されて
いる別個の測定／検査ステーションに結び付けられてい
る。ＣＤ測定ツール７は、典型的には手動で装填／抜取
りされる高価な「スタンドアロン」装置である。

【００３０】本発明の作業環境 リンク装置 図２ａを参照すると、本発明に従って構築され、動作さ
れる、全体を１０と示されるシステムが図解されてい
る。システム１０は、従来の装置１に類似したフォトリ
ソグラフィーリンク装置をウェハフローチャートととも
に提示するが、「フィードフォワード」ループの提供に
含まれるいくつかの独特な機能を有している。本発明の
主要な概念の理解を容易にするために、装置１およびシ
ステム１０において同一である構成部品を識別するため
同じ参照番号が使用されている。このようにして、被覆
ツール、露光ツールおよび現像ツールに加えて、システ
ム１０のフォトトラック１２は、制御装置１６およびオ
ペレータのステーション１８に結び付けられている測定
ツール１４を備える。制御装置１６は、適切な画像処理
ユーティリティを備えているプロセッサである。ステー
ション１８の構築および動作は、本発明の一部を形成し
ていないため、ステーション１８が、典型的には、デー
タベースおよびユーザインタフェースを備えているパー
ソナルコンピュータを含むことを注記する以外、とくに
説明される必要はない。

【００３１】クラスタ装置 図２ｂは、リンク１０の構造に比較していくぶん異なる
構造を有している、いわゆる「クラスタツール」という
フォトリソグラフィー装置を提示するシステム１００を
図解している。同様に、システム１０および１００で同
一である構成部品を示すためには、同じ参照番号が使用
される。ここでは、クラスタツール１０内で各仕掛品を
伝達するロボット６が図解されている。このようにし
て、システム１００は、従来のクラスタツールに加え
て、測定ツール１４を備えている。

【００３２】測定ツールの概念 測定ツール１４は、仕掛品が、たとえば露光ツール３な
どの、制御される加工ツールへ到着する前に適用される
ように設置される。図２ａの例に従って、測定ツール１
４は、露光ツール３の上流に設置される。言い替える
と、ウェハ（図示されていない）は、ＰＲ被覆手順およ
び焼成手順後に（ロボットにより）測定ツール１４にも
たらされる。測定ツール１４に到達すると、ウェハは、
その露光準備完了位置にあり、一定のＰＲ層により被覆
されている。ウェハは、その露光ツール３への途中にあ
り、そこで一定のＵＶ放射線波長λ₀の一定の線量ｄ₀に
さらされなければならない。線量値および波長値ｄ₀お
よびλ₀は、露光ツール３の名目の、調整されている
（「知られている」）パラメータである。追加の「知ら
れている」パラメータは、基板反射率Ｒ_sub、およびツ
ール３を用いた露光手順後に入手されるＰＲ層の、つま
り露光ツール３から続いて起こり、現像液ツール５の中
に進行している加工済みウェハ上のＰＲ層の知られてい
るパラメータである。知られているように、反射率信号
は、正反射（鏡面反射）成分および拡散成分（Ｒ_specお
よびＲ_diff）から構成されている。ＰＲ層のパラメータ
は、吸収係数ｋと屈折率ｎ（光学パラメータ）、および
厚さｈである。したがって、露光ツール３は、以下のパ
ラメータの希望されている露光後の値を提供するため
に、予想されている基板物質およびＰＲ層（つまり、一
定の予想光学パラメータと厚さを有している）に適用さ
れる露光手順（つまり、曝射線量ｄ₀）のために準備
（調整）されている。それらのパラメータは、入射光の
波長の関数としての基板反射率（つまり、ＰＲ層の下
の）Ｒ_sub（λ）（Ｒ_specとＲ_diff）、ｋ（λ）、ｎ
（λ）、およびｈである。これらのパラメータの希望さ
れる値は、予想される加工結果を構成する。

【００３３】ただし、加工中のウェハＷは、入ってくる
基板、ＰＲ材、および被覆ツールの変動のために予想さ
れている値に一致しない前記のパラメータの実際の値を
もっている可能性がある。測定ツール１４は、プロセッ
サ１６とともに、加工中の実際のウェハに適用されると
きに、希望されるＰＲ層パラメータを得るために、露光
ツール３の曝射線量ｄ₀に対してなされるリアルタイム
の線量補正Δｄを行なうのに役立つ。このリアルタイム
補正は、ツール３内での露光手順の前にツール１４によ
り実行され、それにより露光プロセスのフォワード制御
を実現している。

【００３４】機器 図３を見ると、測定ツール１４の主要な構成部品が、さ
らに明確に図解されている。ツール１４は、露光ツール
により加工されるシステム１０に沿って進行するウェハ
Ｗに結び付けられている。ウェハＷは、測定中にウェハ
を段階的にサポートするために、ここにはとくに示され
ていない載置台の上に位置している。ツール１４は、通
常露光、測定、および画像取得に役立つ、それぞれ２０
ａ、２０ｂ、および２０ｃの３つの操作チャネルを備え
る。測定用チャネル２０ｂは、ウェハＷのＰＲ層の光学
パラメータおよび厚さを求める分光光度計である。一般
的には、分光光度計チャネルおよびイメージングチャネ
ル２０ｂおよび２０ｃは、本出願の譲受人に譲渡されて
いる米国特許第５，５１７，３１２号の明細書に開示さ
れているもののような任意の既知の種類であってよい。

【００３５】露光チャネル２０ａは、照明装置２２、光
案内装置２４、および検出器装置２６から成り立ってい
る。照明装置２２は、典型的には、ＵＶ入射放射線を生
じさせるための光源２８、単色フィルター３０、および
ピンホール３２を備える。チャネル２０ａを用いた露光
手順は、露光ツール３と同じ波長λ₀を活用する。その
ため、単色フィルター３０が適切に具備される。光案内
装置２４は、ビームスプリッタ３４と３６、管レンズ３
８、ビームスプリッタ４０、および対物レンズ４２を備
える。後者は、従来の方法で自動焦点調節の目的のため
の、明確に図示されていない適切なモータにより駆動さ
れる。ビームスプリッタ４０は、入射放射線の一部を検
出器２６に向けて、ウェハＷの上（つまり、その一番上
のＰＲ層）に焦点が合わせられる対物レンズ４２に他の
部分を偏向する。これらのすべての光学素子の動作原理
は、それ自体既知である。

【００３６】測定用チャネル２０ｂは、入射光を生じさ
せる光源４４、光学装置４６、および検出器装置４７を
備える。光源４４は、光源４４がツール１４の中に光を
案内するための適切な光案内光学部品に結び付いている
のならば、ツール１４全体に関して外部の放射線源であ
ってよいことを注記しなければならない。光学装置４６
は、パターン認識モードおよび測定モードの両方で動作
する。光学装置４６は、フィルター４８、グリッドアレ
イ５０、光案内装置２４、および追加ビームスプリタ５
２を備える。フィルター４８は、ＵＶ放射線を遮断する
ように設計されており、それぞれチャネル２０ｂを通り
抜ける光の光学経路の内および外にあるその動作位置と
非動作位置のあいだで変位可能であるアクチュエータ
（図示されていない）により適切に駆動されている。フ
ィルター４８の動作位置および非動作位置は、それぞれ
光学装置４６のパターン認識モードおよび測定モードに
対応する。検出器装置４７は、分光光度計センサ５４お
よびピンホール５６を備える。グリッドアレイ５０は、
典型的には、画像焦点合わせを容易にする。ピンホール
５６は、典型的には、露光領域縁部影響を排除するため
に利用される。ビームスプリッタ４０および検出器装置
２６とともに、対物レンズ４２が、Ｘ軸、Ｙ軸、および
Ｚ軸に沿った移動のために可動光学ヘッド（図示されて
いない）上に取り付けられるのが好ましい。この場合、
光ビームは追加の鏡によって光学ヘッドに向かって、お
よび光学ヘッドから向けられる。この技法は、前述した
米国特許第５，５１７，３１２号明細書に開示されてい
る。

【００３７】イメージングチャネル２０ｃは、ウェハＷ
と分割鏡５２のあいだの分光光度計チャネルの経路、お
よび光学鏡５８とＣＣＤカメラ６０により形成される。
ＣＣＤカメラ６０は、自動焦点合わせのために投影され
るグリッドを含む全画像を受け取る。

【００３８】それぞれ露光チャネル２０ａおよび測定チ
ャネル２０ｂの中に設置されている（アクチュエータを
備えている）シャッター６２と６４もさらに具備されて
いる。このようにして具備されているシャッターによ
り、露光チャネルまたは測定チャネルのどちらかを選択
式で作動できるようになる。その結果、測定チャネル２
０ｂがいったん作動されると、イメージングチャネル２
０ｃが関与する。測定ツール動作ツール動作の主要なモ
ードは、ＰＲ層の所定サイトの第１の分光光度計測定、
露光ツール線量と波長に同等な線量と波長を備えたその
サイトのプローブ露光、同サイトの第２の分光光度計測
定、それから曝射線量補正の計算を含む。

【００３９】プローブ露光 露光チャネル２０ａは、一般的には、同じ波長λ₀を使
用する露光ツール３のプローブ露光手順に類似するプロ
ーブ露光手順を実行する。ただし、プローブ露光は、た
とえば画線内のウェハＷのパターン化された領域（ダイ
ス領域）の外側に典型的に位置している試験サイト（図
示されていない）で実施され、露光ツール３の名目（既
知）線量ｄ₀に同等な一定の所定の曝射線量ｄ_iを使用す
る。

【００４０】プローブ曝射線量ｄ_iは、一定のマスクま
たは製品の正確に名目の露光ツール線量ｄ₀である必要
はないが、それらのあいだの割合は設定されなければな
らない。これは、最初にＣＤ結果に対する相互関連を実
行することによるか、または名目露光に関する知られて
いるデータを使用するかのどちらかにより実現される。
このようにして、測定ツール１４は、プローブ曝射線量
ｄ_iと露光ツール線量ｄ₀の間の比例割合を使用し、加工
中の実際のウェハの適切な露光のために、露光ツール線
量ｄ₀に適用される正確な補正Δｄを求める。

【００４１】試験サイトは、レジストとその下にある層
の同じスタックを有しているダイス領域内の領域に類似
した明確な領域でなければならない。サイト領域は、露
光ツール３で使用されるマスクの明確なマスク領域の内
側になければならない。実際には、約５０×５０ミクロ
ンのウェハ面積が、マスクに関連した信号対雑音の要件
を満たす。

【００４２】スペクトル反射率測定 チャネル２０ｂの動作中、入射光は光案内光学部品４６
を通り抜け、ウェハＷに衝突し、ビームスプリッタ３４
まで光案内光学部品２４を通って後方方向に伝搬する反
射光を作り出す。ここでは、光伝搬は、測定装置１４の
主要な構成要素および動作原理の説明を容易にするため
に概略的に図示されている。後者は、反射された光を検
出器装置４７に向ける。ビームスプリッタ５２は、反射
された光の一部を分光光度計線さ５４に伝達し、反射さ
れた光の他の部分をイメージングチャネル２０ｃの中に
反射させる。分光光度計チャネル２０ｂの動作は、光学
パラメータ（吸収係数ｋおよび屈折率ｎ）、基板反射率
Ｒ_sub、およびウェハ上のＰＲ層の厚さｈを決定するこ
とを目的としている。分光光度計センサ５４は、ＰＲ層
から反射される光を受け取り、それを表すデータを生成
する。測定データは、光波長λの関数として基板または
／およびＰＲ反射率Ｉ_mつまりＩ_m（λ）の形をとる。

【００４３】測定データ分析 プロセッサ１６は、測定データＩ_m（λ）に対応して前
記パラメータＲ_sub、ｋ、ｎ、およびｈを計算する。こ
の目的のため、プロセッサ１６は、一定の光学モデル係
数の名目値に基づいて（基準データを構成している）所
定の光学モデルを実行するために事前にプログラミング
されている。これらの係数は、加工中のスタックに類似
した種類のマルチレイヤスタックからの光反射を記述す
る既知の物理法則、およびオプションでＵＶ放射線にさ
らされるときに感光性の構成要素（ＰＡＣ）の挙動によ
り定められている。スペクトル分析手順は、以下にさら
に詳細に説明される。

【００４４】ＰＲをＵＶ光にさらすと、化学変化（たと
えば、異なる可溶性）およびＰＲの光学特性、つまりそ
の吸収と屈折の変動が生じる。ＰＲ材は、典型的には、
光学吸収に影響を及ぼす主要な要因である脱色効果によ
り特徴付けられている。ＰＡＣ露光の挙動は、典型的に
は、ベールの法則と結合されたランベルトの吸収の法則
により定められている。この技法は、３つのフォトレジ
ストパラメータＡＢＣ（つまりＤｉｌｌパラメータ）を
使用し、ＡとＢは、それぞれ脱色可能吸収係数と脱色不
能吸収係数であり、Ｃは標準露光率定数である。Ｄｉｌ
ｌパラメータは、リソグラフィープロセスのＣＤ評価お
よびシミュレーションで重要な役割を果たし、フォトレ
ジストおよびその裏側が無反射コーティング（ＡＲＣ）
で被覆された石英基板の伝達される強度を測定するため
の、既知のオフラインの不便な技法を活用することによ
り求めることができる。マルチレイヤスタック（つま
り、ウェハ）からの反射の光学モデルにおいては、波長
の関数として、ＰＲ反射率Ｉ _th（λ）を表す理論上のデ
ータに基づいたＤｉｌｌの数学方程式が使用できるだろ
う。Ｄｉｌｌパラメータは、ＰＲの化学特性および光学
特性の露光効果を記述するので、数学方程式は、各線量
レベルでのＰＲ層からの反射率を理解するために使用で
きるだろう。

【００４５】本発明に従って、ＰＲのＡＢＣパラメータ
の事前の知識に対する必要性はない。本発明の好ましい
実施態様の内の１つは、露光時間の値を適用し、波長の
関数としてＰＲ反射率Ｉ_m（λ）の測定データを求める
ときに、校正曲線から高速かつ正確にこれらのパラメー
タの計算を提示する。それから、ＵＶ放射線にさらされ
ているＰＡＣの挙動は、正確に説明することができる。
補正された（更新された）ＰＲパラメータを使用する光
学モデルが計算され、ＤｉｌｌパラメータＡＢＣが更新
されるだろう。この技法は、高速インラインモードでＰ
Ｒの特徴付けのために光学モデルを最適化するためにも
役立つことがある。いったん補正されたＡＢＣが求めら
れると、計算された理論上のデータＩ_th（λ）を測定済
みのデータＩ_m（λ）に整合するルーチン試験が、測定
ごとに追加特性として提示できるだろう。校正曲線から
実際検索することができるのは、Ｉ_th（λ）線量放射線
に対する正確な光学パラメータ反応を入手するための経
験に基づいた技法である。したがって、光学パラメータ
反応を介した線量制御は直接実行することができる。

【００４６】正確な露光を達成し、反復可能な線量をレ
ジストに与えることができることを確実にするために
は、優れた自動焦点合わせ機構が、システム１０の中に
統合されなければならない。焦点精度に対する要件は、
使用されているリソグラフィックプロセスの焦点深度よ
り優れていなければならない。つまり、今日の技術水準
では、１μｍを下回る焦点精度が必要とされている。焦
点目標に関しては、この目標が露光位置に近く、視界よ
り狭い限り、任意の高いコントラストパターンを使用す
ることができる。自動焦点合わせ方法自体は、たとえ
ば、米国特許第５，６０４，３４４号明細書で開示され
ているもののような任意の適当な既知の技法を利用して
よい。

【００４７】校正手順 概要 測定装置１４は、以下に示すように動作する。装置１４
の第１動作段階は、現在、露光されることになる特定の
ＰＲ層用データベースの作成から成り立っている。さら
に特定すると、過去に提供された光学モデルが最適化さ
れ、（基準データを構成する）校正曲線が、実際のＰＲ
材、基板反射率Ｒ_sub、および名目厚さに基づいて作成
される。ｈおよびＲ_subという名目値での考えられる変
化の影響は、校正曲線での多大な変化を引き起こさない
ほど小さいと考えられていることが想定される。校正曲
線は、光学パラメータｋおよびｎに影響を及ぼすプロー
ブ曝射線量の変動を提示する。図４ａおよび図４ｂは、
それぞれ、曝射線量の関数、つまりｋ（ｄ_i）およびｎ
（ｄ_i）としてのＰＲ光学パラメータ、および線量の関
数、つまり∂ｄ／∂ｋ（ｄ）と∂ｄ／∂ｎ（ｄ）として
の光学パラメータの変化による曝射線量の変化を表す４
つのグラフＣ₁とＣ₂、およびＧ₁とＧ₂を示している。

【００４８】厚さおよび基板反射率での変化が検出され
る（つまり、測定される）と、人は、厚さおよび基板反
射率の現在値を含む反射の、厚さおよび基板反射率の名
目値からの既知の反射に対する比率を使用することによ
り、曝射線量に必要とされる補正を計算することができ
る。

【００４９】校正曲線決定 図５は、第１動作段階、つまりセットアップ動作の主要
なステップを示している。最初に、いわゆる「事前位置
合わせ」（つまり登録）手順が、処理されるウェハスタ
ックから最初に出てくるウェハ、つまりパイロットウェ
ハに適用されている従来の方法で実行される（ステップ
７０）。それから、パイロットウェハ（または、測定チ
ャネル２０ｂの対応する光学部品）が、試験サイト位
置、いわゆる「校正サイト」まで移動される（ステップ
７２）。ここでは、サイトパターン認識手順および自動
焦点合わせ補正手順が、イメージングチャネル２０ｃで
実現される（ステップ７４）。そのために、シャッター
６２および６４は、露光チャネル２０ａを遮断し、測定
チャネル２０ｂを作動するために、それぞれ、その非操
作位置および操作位置にある。フィルター４８に関して
は、それは、その運転位置、つまりチャネル２０ｂを通
って伝搬する光学経路内にある。それ以降、一定の露光
分光光度測定手順が適用される（ステップ７６）。この
手順は、以下のものから成り立っている。

【００５０】フィルター４８は、チャネル２０ｂを通り
抜ける光の光学経路から外れて、その非運転位置に移動
される。すなわち、チャネル２０ｂは測定モードに切り
替えられる。波長の関数、つまりＩ_m（λ）としてのＰ
Ｒ反射率が測定され、光学パラメータＲ_sub（λ）、ｎ
（λ）、ｋ（λ）、およびＰＲ層の厚さｈが、Ｄｉｌｌ
パラメータの名目値に基づいてオプションで光学モデル
を使用して計算される。それから、シャッター６２およ
び６４が、それぞれ、露光チャネルと測定チャネル２０
ａと２０ｂを開放し、閉鎖し、プローブ露光が、露光ツ
ール名目線量ｄ ₀に比例して所定の曝射線量ｄｉを使用
して適用される。それ以降、シャッター６２および６４
は、それぞれ、露光チャネル２０ａを遮断し、測定チャ
ネル２０ｂを作動するために動作され、「露光後」測定
は、測定されたデータＩ’_m（λ）を入手し、パラメー
タｋ’_i（λ）、ｎ’_i（λ）、厚さｈ’_i、および反射
率Ｒ’_subを計算するために実行される。「校正サイ
ト」は、実際には、ｍ個の試験サイトのアレイを含む。
このアレイ内でのサイトからサイトへの（オプションで
は小さい）移動、およびｍ回の異なる曝射線量で前記方
式を実行することにより、校正曲線ｋ（ｄ）およびｎ
（ｄ）が入手される（ステップ７８）。校正曲線から、
推奨曝射線量ｄ_recが求められる（ステップ８０）。推
奨線量ｄ_recは、計算されたパラメータｋ、ｎ、Ｒ_subお
よびｈのそれぞれが、露光ツール３を用いる露光手順に
より入手される希望されているパラメータの内の対応す
る１つに同等である線量値である。したがって、この特
殊ＰＲコーティングに関連するデータベースが提供され
る（ステップ８２）。このデータベースは、一定の基板
反射率Ｒ_subに関して、線量の関数（つまり、ｋ
（ｄ）、ｎ（ｄ）、ｈ（ｄ））としてのＰＲの光学パラ
メータおよび厚さを含む。一定の名目線量がエンドユー
ザにより指定される場合には、推奨線量の決定に関連す
る前記ステップが排除できるだろうことを注記しなけれ
ばならない。この場合、名目線量値は、必要ならば測定
を通して分析され、補正される推奨線量として役立つ。

【００５１】この段階では、すなわち露光ツール３のこ
の推奨線量値ｄ_recの場合には、光学モデルは、測定済
みデータＩ’_m（λ）と対応する理論上のデータＩ
_th（λ）の間で適合手順を実行することにより最適化で
きるだろう。前に示したように、理論上のデータは、一
定の光学モデル係数を使用して入手される。これらの係
数は、典型的には、測定済みデータと理論上データのあ
いだのいわゆる「適合度」を定めるメリット（ｍｅｒｉ
ｔ）関数の形をとる、一定の条件を満たすために調整す
ることができる。

【００５２】測定手順および露光制御 測定手順は、曝射線量に影響を及ぼす、基板反射率、Ｐ
Ｒ厚さ、およびＰＲ光学パラメータというすべてのパラ
メータの決定から成り立っている。図６は、それぞれ測
定および光学モデルを通して入手されている波長の関数
としてＰＲ反射率を表している２つのグラフＩ_mおよび
Ｉ_thを示している。ＰＲパラメータ、ｈ、ｎ、ｋおよび
Ｒ_subの値を変化させる（適合させる）ことにより、充
分な適合度を得ることができるだろう。これを実行する
ことにより、光学モデル係数は更新され、光学モデルは
最適化される。

【００５３】基板反射率の曝射線量に対する寄与は、以
下の２つの基本的な技法により計算できるだろう。 （１）分光光度計チャネルによる、ＰＲコーティング前
のサイトの追加測定 （２）測定済みデータＩ_mから基板反射率Ｒ_subおよびＰ
Ｒパラメータを同時並行で計算すること 両方のケースにおいて、基板反射率の名目反射率からの
変動の影響を演繹し、考慮に入れることができる。

【００５４】計算が、推奨線量値が加工結果、つまりＰ
Ｒパラメータの希望値を達成しないことを示す場合、動
作は追加試験サイト、いわゆる「測定サイト」に移動さ
れ、推奨曝射線量ｄ_recに適用されることになる補正を
決定するために、追加動作段階が実行される。この動作
段階の主要なステップが、図７に改めて説明するまでも
なく図解されている。

【００５５】前述したように、セットアップ動作の結
果、この特殊ＰＲコーティングに関連するデータベース
が提供される（ステップ８２）。それ以降、測定−露光
−測定手順が、推奨曝射線量ｄ_recおよび露光ツール波
長λ₀を使用して一度実行される（ステップ９２）。露
光前ＰＲパラメータｋ_i（λ）、ｎ₁（λ）、ｈ_iおよび
露光後ＰＲパラメータｋ₂（λ）、ｎ₂（λ）、およびｈ
₂が別個に入手される。対応するパラメータは、それら
のあいだの差異つまりΔｋ、Δｎ、およびΔｈを求める
ために比較される（ステップ９４）。これにより、推奨
曝射線量ｄ_recが補正される必要があるかどうかを検出
できるようになる（ステップ９６）。補正される必要が
ある場合は、補正された曝射線量ｄ_corが、以下のよう
にして計算される。

【００５６】

【数１】

【００５７】ここでは、Δｄは、Δｈ、Δｋ、Δｎ、δ
Ｒ_subの関数である。つまりΔｄ＝ｆ（Δｋ、Δｎ、Δ
ｈおよびδＲ_sub）であるか、あるいはさらに特定する
と、

【００５８】

【数２】

【００５９】この場合ｋ_eおよびｋ_mは、それぞれ校正曲
線から、および測定によって入手されている吸収係数の
値である。（∂ｄ／∂ｋ）_cは、「校正」吸収係数用の
線量に対応する傾斜値である。ε_Rsubは、露光波長で
の、スタック内のすべての層を含んだ、基板の絶対反射
率レベルによる線量変化である。比率δＲ_sub／Ｒ_subが
線量変化に関する以下の条件を満たすとき、

【００６０】

【数３】

【００６１】線量変化は

【００６２】

【数４】

【００６３】となり、この場合、一定のＰＲの場合、α
＝定数（Ｃｏｎｓｔ）である。

【００６４】測定（第２）段階は、複数の測定−露光−
測定サイクルを含むことができるだろうことに注記しな
ければならない。言い替えると、所定パラメータは、１
回の名目線量よりむしろ、複数回の部分線量を適用する
ことにより訂正されるだろう。

【００６５】さらに明確に前述した本発明の独特な特徴
を説明するために、露光制御の以下の例を考えてみよ
う。

【００６６】実施例 この例では、δＲ＝０、Δｈ＝０である。図４ａおよび
図４ｂに戻ると、校正曲線が入手されている。言い替え
ると、関連データベースは、前述されたようにすでに作
成されている。推奨曝射線量は以下の通りである。

【００６７】

【数５】

【００６８】校正曲線Ｃ₁およびＧ₁は、この線量値の場
合には、以下になることを示している。

【００６９】

【数６】

【００７０】線量補正が必要である典型的なケースを考
慮すると、第２の動作段階が実行される。つまり、推奨
曝射線量による露光が測定サイトに適用され、吸収係数
に対する測定された（計算された）データが、以下であ
ると求められる。

【００７１】

【数７】

【００７２】吸収係数の測定値ｋ_mに関し、校正曲線Ｃ₁
およびＧ₁に見られるように、以下となる。

【００７３】

【数８】

【００７４】補正済み線量値に対して前記等式を使用す
ると、以下となる。

【００７５】

【数９】

【００７６】したがって、ＰＲ脱色の希望される値を入
手するためには、露光ツール３の曝射線量が７．５％減
少されなければならない。この特定の例では、線量補正
の完全なシーケンスは、ｋ校正曲線に関して実現され
る。類似する手順は、ｎ−校正曲線に関して実行されて
よい。

【００７７】プロセス制御応用 プロセッサ１６は、補正値Δｄを求め、それを表すデー
タを作成する。このデータは、直接的に、または特殊ホ
スト施設（図示されていない）を介してのどちらかによ
り露光ツール３の各ユーティリティに伝送される。この
技法は、実際には、補正信号の検出、および露光ツール
３への「フィードフォワード」を表す。

【００７８】露光ツール３に対する適切な線量を求める
ことを目標とした高速で、正確、かつ自動的な測定の前
述した方式が、試験構造、パターン、およびウェハ上の
特別に設計されているマークなどの異なる種類の対象に
適用することができることに特に注記されなければなら
ない。

【００７９】さらに、高速で正確、かつ自動的な測定の
前述した方法は、プロセス制御全体に使用できるだろ
う。実際、この方法により、任意の基板上での液体およ
び固体ＡＲＣを含む任意の放射線に敏感な物質のパラメ
ータを比較、評価することが可能になる。測定は、ウェ
ハ全体で、ウェハ間で、ロット間、またはバッチ間で実
効できるだろう。測定装置１４は、「リンク」または
「クラスタ」などの任意のフォトリソグラフィーツール
装置の一部として設置できるだろう。各ウェハに適用さ
れている前述された動作により、ウェハ間の動向は、た
とえばＰＲ感光性などの「露光前起源」をもつあらゆる
変動を克服するために必要とされる露光の量に対しフィ
ードバック補正を与えるために決定できるだろう。最終
的に入手されたＣＤは、多様なパラメータにより補正さ
れてよいことが知られている。この関係で、測定中に見
つけられるだろうパラメータｋ、ｎ、およびｈの変化性
は、これらのパラメータによって補正することができ
る。複数のフィードバックオプションが、ループを閉
じ、ＰＲのｋパラメータ、ｎパラメータ、ｈパラメータ
またはＲ_subパラメータの変化性を補正するために実行
することができる。

【００８０】測定ツール１４の提供により、その処理
が、スピン速度、湿度、温度、排気などの被覆パラメー
タのインラインまたはオフラインのクローズドループの
確立を可能にするこのようなデータを入手できるように
する。さらに、測定ツールは、たとえば、開発時間、露
光後焼成（ＰＥＢ）時間、ＰＥＢ温度などの開発加工パ
ラメータのインラインまたはオフラインのクローズドル
ープ制御に利用できるだろう。

【００８１】また、このようにして得られた校正曲線
が、ＡＢＣパラメータ（つまりＤｉｌｌパラメータ）の
高速で正確、かつ自動的なインライン決定に備えること
も注記しなければならない。実際、一連の部分露光によ
り、総合ＰＲ脱色が達成できる。初期の「露光前」反射
率スペクトルへの適合と最終反射率スペクトルへの適合
とから、初期吸収および最終吸収が決定され、それらの
あいだの差異は第１ＤｉｌｌパラメータＡを表す。

【００８２】前述した技法により、ＡＢＣパラメータの
インライン決定を使用して、ウェハ上の任意の位置に対
する曝射線量をインライン予測できるようになる。この
ため、ＣＤ値の予測が可能になり、Ｒ_subパラメータ、
ＡＢＣパラメータ、ｎパラメータ、ｋパラメータ、およ
びｈパラメータの実際の値を使用してインラインシミュ
レーションが可能になる。これは、オフラインシミュレ
ーションに比べて有利である。

【００８３】ここでは、プロセス制御手順の他のいくつ
かの実施態様のフロー図を図解する図８ａおよび図８ｂ
を参照する。これらの手順は、測定が実施されるプロセ
ス段階ごとに互いに異なっている。

【００８４】被覆前測定 基板反射率Ｒ_subは、被覆手順の前に測定される（ステ
ップ１０３）。測定された反射率は、曝射線量の部分的
な制御のため、あるいは後述されるように、追加最適化
の自由度を最小限に押さえるために使用できるだろう。

【００８５】測定−露光−測定 ウェハは、ＰＲ被覆（ステップ９８）プロセスおよびそ
れに適用されるソフト焼成プロセスの後に、関連するパ
ラメータ、ｋ₀、ｎ₀、およびｈ₀の測定を受ける（ステ
ップ１０２）。それから、前記露光−測定手順が、部分
曝社線量（ステップ１０４および１０５）だけを使用し
て第１サイトに、または完全曝射線量（ステップ１０６
および１０７）を使用して第２試験サイトのどちらかに
適用される。これらのパラメータの露光後測定値が求め
られた。それは、ｋ₁、ｎ₁、ｈ₁、Ｒ₁、およびｋ₂、
ｎ₂、ｈ₂およびＲ₂（ステップ１０８および１１０）で
ある。「露光前」および「露光後」の測定（ステップ１
１４）を分析することにより、露光ツール３の曝射線量
を調整することができる。

【００８６】測定および露光ツールの校正 類似した完全露光は、関連するパラメータｋ^* ₂、ｎ^* ₂、
ｈ^* ₂、Ｒ^* ₂の露光後値を求める（ステップ１１２）のた
めに露光ツール３により試験サイトに適用されてよい
（ステップ１１１）。ステップ１０６、１０７、１１０
は、ｋ₂、ｎ₂、ｈ ₂、Ｒ₂を求めるために適用できるだろ
う。入手される結果は、ステップ１１１および１１２の
結果に比較されるだろう。ステップ１１１およびステッ
プ１１２は、関連するパラメータｋ^* ₂、ｎ^* ₂、ｈ^* ₂、Ｒ
^* ₂の露光後値を求めるために、露光ツール３により試験
サイトに適用することができる同様の完全露光を提示す
る。２つの異なる完全露光結果の比較は、露光ツールお
よび測定ツールにより実施される露光手順の整合に役立
つだろう。

【００８７】露光のための厚さの損失 ステップ１０２」および１１０の結果を比較することに
より、露光のための厚さの損失を演繹できるだろう。こ
れは、露口中の厚さの変化による線量制御に役立つだろ
う。前記制御は、校正手順から求めることができるだろ
う校正曲線ｈ（ｄ）から評価されるだろう。

【００８８】Ｄｅ−ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎにより誘発さ
れる厚さの損失（ＤＩＴＬ） ２つの異なる露光後測定の追加分析は、ＰＥＢプロセス
の後のウェハの厚さの損失の概算を補助する。図８ａお
よび図８ｂに示されている別のオプションとは、露光ツ
ール３内でさらに加工され（ステップ１１６）、測定を
受け（ステップ１１１、１１２）よびＰＥＢプロセスを
受けている（ステップ１１８）ウェハのオプションであ
る。それ以降、ＰＥＢ後測定が実行され（ステップ１１
９）、ｋ’₂、ｎ’₂、ｈ’₂、Ｒ’₂パラメータは第２試
験サイトで求められる（ステップ１２０）。求められた
値は、ステップ１１１および１１２から入手される値に
比較される。これにより、「露光後測定」のためのベー
スラインを、化学的に増幅されているレジスト内でのＤ
ｅ−ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎにより誘発される厚さ損失
（ＤＩＴＬ）の見積りのために作成できるようになる。

【００８９】露光チャネルを使用しない手順 図９ａおよび図９ｂを見ると、本発明に従った方法のさ
らに２つの例が、改めて説明するまでもなく提示されて
いる。これらの例に従って、測定ツール１４は、加工
（露光）チャネルを必要としないが、加工前に、すなわ
ち図９ａの例での被覆手順および露光手順の前に、およ
び図９ｂの例での露光手順の前だけに、ウェハの関連し
たパラメータを測定するためだけに動作する。これらの
ケースでは、測定ツールは、対象品から戻される光の強
度の高速かつ正確な測定を提供することができる、任意
の適切な種類の分光光度計であってよい。たとえば、こ
のような分光光度計の構成および動作は、本出願の譲受
人に譲渡されている米国特許第５，５１７，３１２号明
細書に開示されているものに類似したものでよい。

【００９０】したがって、本発明により、プロセス制御
のためのより詳細なセットアップの一部として、ＰＲ露
光またはＰＥＢのあいだの厚さ変化に影響を及ぼすリソ
グラフィープロセスを制御するためのベースラインを始
動するために使用することができるデータを入手するこ
とができる。前記方法から入手されるデータは、他の計
測学ツール結果の相関関係、たとえば、臨界寸法の測定
用の既知の計測学ツール（たとえば、ＳＥＭＣＤ、ＡＦ
Ｍ）の任意の１つに沿ったこの方法のあいだの校正曲線
の構築に使用してよい。

【００９１】前記を考慮して、本発明の優位点は自明で
ある。それは、各製品ウェハに対し、パターン化露光ツ
ールの中間の（mid-）、近い（near-）、または深い（d
eep-）ＵＶ正確曝射量の決定のための方法および機器を
提供する。本発明により、生産におけるフォトリソグラ
フィーツールの自動的で、高速かつ正確な線量制御が可
能になる。そのように設計されている測定装置１４が、
製品ウェハの測定に基づくクローズドループフィードフ
ォワード制御を入手するために、フォトリソグラフィー
ツール装置の内側の測定システムの統合を可能にする。
このようなツールの統合は、とりわけウェハ間の厚さの
変動、ウェハ厚さ非画一性、レジスト、ＡＲＣまたはそ
れらの下の層での反射率変動に対する高速解答および比
較を可能にするだろう。本発明は、揮発性の構成要素の
蒸発または酸の損失により引き起こされる厚さ変化の制
御を達成するための時間の関数として厚さ測定を可能に
する。測定装置１４は、露光およびＰＥＢなどの複数の
リソグラフィーステップをモニタするための複数の計測
学動作を含んでよい。

【００９２】本発明は、他のすべてのプロセスおよび／
またはツール変数に、いわゆる「情報ベースライン」を
提供し、あらゆる初期変動を補正するために使用するこ
とができる。たとえば、それは、光学パラメータと厚さ
の、初期、ソフト焼成前の状態、および最終の焼成後状
態のあいだ、初期状態、露光後および最終状態、露光後
焼成状態のあいだの差異の測定から入手されるデータを
分析することにより、フォトリソグラフィープロセスの
制御に備える。露光後状態の状況は、露光ツールの完全
名目露光、および露光に続く焼成後手順を適用すること
により、システム１０，１００で容易に達成することが
できる。本発明は、特殊マスクまたは透明ウェハ、ある
いは特殊オフライン試験に対するニーズなしに、Ｄｉｌ
ｌパラメータの決定のための直接的な方法も提供する。
本発明は、線量補正の既知の計測学ツール結果に対する
相互関係が必要とされるたびに使用することができる。
本発明は、露光ツールの元の場所での内部構成を必要と
せずに、フォトリソグラフィープロセス用露光ステップ
を制御することの困難さを克服する。

【００９３】当業者は、添付請求項の中に、および添付
請求項により定められるその範囲から逸脱することな
く、これまで例証されてきたように、多くの修正および
変更を本発明に適用してよいことを容易に理解するだろ
う。たとえば、本発明は、露光時間などの露光ツールの
他のパラメータを制御するために使用してよい。代わり
に、本発明は、加工品を処理するためのそれ以外の加工
ツールだけではなく他のフォトリソグラフィーの動作を
制御するためにも使用されてよい。発明された技法によ
り制御できるだろう加工ツールは、その変動が加工対象
の光学的に測定可能なパラメータに影響を及ぼす作業パ
ラメータにより特徴付けられなければならない。これに
より、測定ツールを加工ツールの上流に設置し、必要と
されるときに、作業パラメータを補正するためのフィー
ドフォワードループを提供できるようにする。

【図面の簡単な説明】

【図１】フォトリソグラフィーツールの共通装置のブロ
ック図である。

【図２ａ】本発明の一実施態様に従ったシステムの主要
構成要素のブロック図である。

【図２ｂ】本発明の別の実施態様に従ったシステムの主
要構成要素のブロック図である。

【図３】図２ａまたは図２ｂのどちらかのシステムに適
切な測定ツールの主要な構成要素を概略的に示す図であ
る。

【図４ａ】図３の測定ツールを用いて入手できるだろう
校正曲線の例を図表を用いて示す図である。

【図４ｂ】図３の測定ツールを用いて入手できるだろう
校正曲線の例を図表を用いて示す図である。

【図５】図４ａおよび図４ｂの校正曲線を入手するため
の方法のフロー図である。

【図６】図５ａから図５ｃの方法での適合手順の主要な
原則を図表を用いて示す図である。

【図７】本発明の１つの実施態様に従って線量補正方法
のフロー図である。

【図８ａ】本発明のいくつかの実施態様に従った線量補
正方法のフロー図である。

【図８ｂ】本発明のいくつかの実施態様に従った線量補
正方法のフロー図である。

【図９ａ】本発明のさらに２つの実施態様の主要な原理
を示すフロー図である。

【図９ｂ】本発明のさらに２つの実施態様の主要な原理
を示すフロー図である。

Claims (50)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一定の加工結果を提供するために仕掛品
   の作業領域に適用される加工ツールの少なくとも１つの
   作業パラメータの自動光学制御のための方法であって、
   加工ツールの前記少なくとも１つの作業パラメータが、
   加工中の仕掛品の少なくとも１つのパラメータに影響を
   及ぼし、加工ツールが、仕掛品の加工の前に前記少なく
   とも１つの作業パラメータの事前設定値を有しており、
   （ａ）加工ツールによる仕掛品の処理の前に前記仕掛品
   に適用される測定ツールを提供するステップと、（ｂ）
   以下のために仕掛品に測定ツールを適用するステップ
   と、（ｃ）仕掛品の前記少なくとも１つのパラメータを
   測定し、それを表す測定済みデータを生じさせるステッ
   プと、（ｄ）作業パラメータの前記事前設定値に関し
   て、および前記加工結果に関して前記測定済みデータを
   分析し、加工ツールを前記仕掛品に適用するときに前記
   一定のプロセス結果を提供するために前記事前設定値を
   補正しなければならないかどうかを判断するステップ
   と、（ｅ）前記事前設定値を補正しなければならないこ
   とを検出したときに、補正値を計算し、それを表すデー
   タを生じさせるステップとを含む自動光学制御のための
   方法。
2. 【請求項２】 前記少なくとも１つの作業パラメータの
   関数として仕掛品の前記少なくとも１つのパラメータの
   形をとる少なくとも１つの校正曲線を表す基準データを
   提供するステップをさらに含む請求項１記載の方法。
3. 【請求項３】 仕掛品の前記少なくとも１つのパラメー
   タを表す理論上のデータを入手するために仕掛品の一定
   の特徴の名目値に基づき光学モデルを提供するステップ
   をさらに含む請求項１記載の方法。
4. 【請求項４】 前記基準データを提供するステップが、 − 仕掛品の前記少なくとも１つのパラメータを表す理
   論上のデータを入手するために仕掛品の一定の特徴の名
   目値に基づき光学モデルを提供するステップと、 − サイクルごとに測定ツールの作業パラメータの異な
   る値を使用し、希望される数の試験サイクルを実行する
   ために仕掛品の試験領域に測定ツールを適用するステッ
   プであって、サイクルが − 仕掛品の前記少なくとも１つのパラメータの第１測
   定を実行し、第１測定済みデータを生じさせることと、 − 加工ツールの加工に類似する試験領域の少なくとも
   一部を加工し、それにより試験領域の少なくとも一部の
   中で仕掛品の前記少なくとも１つのパラメータの変化を
   引き起こすことと、および − 加工された部分の前記少なくとも１つのパラメータ
   の第２測定を実行し、第２測定済みデータを生じさせる
   ことと、を含むステップと、 − 測定済みデータを分析し、仕掛品の前記少なくとも
   １つのパラメータを前記作業パラメータの関数として求
   めるために前記理論上のデータを使用するステップとを
   含む請求項２記載の方法。
5. 【請求項５】 測定ツールの作業パラメータの値が、加
   工ツールの作業パラメータの前記事前設定値を用いて事
   前に設定された比率のものである請求項４記載の方法。
6. 【請求項６】 前記少なくとも１つの作業パラメータの
   推奨値を求めるために前記基準データを活用するステッ
   プをさらに含む請求項４記載の方法。
7. 【請求項７】 前記理論上のデータと測定隅データを分
   析し、仕掛品の前記一定の特徴の名目値を補正すること
   により光学モデルを最適化するステップをさらに含む請
   求項３記載の方法。
8. 【請求項８】 前記測定が、 − 所定の入射放射線によりウェハの少なくとも一部を
   照明するステップと、 − 照明された領域から返される放射線を検出し、それ
   を表すデータを生じさせるステップとを含む請求項１記
   載の方法。
9. 【請求項９】 前記第１測定および第２測定のそれぞれ
   が、 − 所定入射放射線により試験領域の前記少なくとも一
   部を照明するステップと、 − 照明された領域から戻される放射線を検出し、それ
   を表すデータを生じさせるステップとを含む請求項４記
   載の方法。
10. 【請求項１０】 第１測定および第２測定の前記分析
    が、 − 前記少なくとも１つのパラメータの第１測定値と第
    ２測定値の間の差異が所定の条件を満たすかどうかを判
    断することを含む請求項４記載の方法。
11. 【請求項１１】 前記所定条件が、加工ツールを仕掛品
    の作業領域に適用することにより提供される一定の加工
    結果に関連している請求項１０記載の方法。
12. 【請求項１２】 前記希望される数のサイクルが、対応
    する数の間隔をあけて配置されている試験領域の部分に
    適用される請求項４記載の方法。
13. 【請求項１３】 （ｆ）補正値を表す前記データに応え
    て、測定済み仕掛品の作業領域に適用される加工ツール
    の作業パラメータの前記事前設定値を補正するステップ
    をさらに含む請求項１記載の方法。
14. 【請求項１４】 ステップ（ｂ）が、（ｇ）加工ツール
    の加工に類似して試験領域の少なくとも一部内で測定済
    み仕掛品を加工し、それにより試験領域の前記少なくと
    も一部内の仕掛品の前記少なくとも１つのパラメータの
    変化を引き起こすステップと、（ｈ）試験領域の加工済
    み部分の前記少なくとも１つのパラメータの追加測定を
    実行し、追加測定済みデータを生じさせるステップとを
    含む請求項１記載の方法。
15. 【請求項１５】 前記加工ツールが生産ラインの一部で
    あり、前記仕掛品が、前記測定ツールを通って加工ツー
    ルに向かって生産ラインに沿って進行している請求項１
    記載の方法。
16. 【請求項１６】 前記生産ラインがフォトリソグラフィ
    ー装置である請求項１５記載の方法。
17. 【請求項１７】 前記加工ツールが露光ツールである請
    求項１６記載の方法。
18. 【請求項１８】 前記加工ツールが被覆ツールである請
    求項１６記載の方法。
19. 【請求項１９】 加工ツールの前記作業パラメータが曝
    射線量である請求項１７記載の方法。
20. 【請求項２０】 仕掛品の前記少なくとも１つのパラメ
    ータが吸収係数である請求項１記載の方法。
21. 【請求項２１】 仕掛品の前記少なくとも１つのパラメ
    ータが屈折率である請求項１記載の方法。
22. 【請求項２２】 仕掛品の前記少なくとも１つのパラメ
    ータが反射率である請求項１記載の方法。
23. 【請求項２３】 前記少なくとも１つの作業パラメータ
    が、その少なくとも一番上の層の厚さである請求項１記
    載の方法。
24. 【請求項２４】 前記仕掛品が半導体ウェハである請求
    項１記載の方法。
25. 【請求項２５】 一定の加工結果を提供するために、仕
    掛品の作業領域に適用される加工ツールの少なくとも１
    つの作業パラメータの自動光学制御のための方法であっ
    て、前記加工ツールが、フォトリソグラフィーツール装
    置の一部であり、加工ツールの前記少なくとも１つの作
    業パラメータが加工中の仕掛品の少なくとも１つのパラ
    メータに影響を及ぼし、加工ツールが加工の前に前記少
    なくとも１つの作業パラメータの事前設定値を備え、 − 加工ツールによるその加工の前に前記仕掛品に適用
    される測定ツールを提供するステップと、 − 以下のために、測定ツールを前記仕掛品に適用する
    ステップと、 − 仕掛品の前記少なくとも１つのパラメータを測定
    し、それを表す測定済みデ ータを作成するステップと、 − 加工ツールを前記仕掛品に適用するときに、前記プ
    ロセス結果を提供するために前記事前設定値を補正しな
    ければならないかどうかを判断するために、作業パラメ
    ータの前記事前設定値に関して、および前記加工結果に
    関して前記測定済みデータを分析するステップと、 − 前記事前設定値を補正しなければならないことを検
    出したときに、補正値を計算し、それを表すデータを生
    じさせるステップとを含む自動光学制御のための方法。
26. 【請求項２６】 前記加工ツールが露光ツールである請
    求項２５記載の方法。
27. 【請求項２７】 前記少なくとも１つの作業パラメータ
    が曝射線量である、請求項２６記載の方法。
28. 【請求項２８】 仕掛品の少なくとも１つのパラメータ
    が反射率である請求項２５記載の方法。
29. 【請求項２９】 仕掛品の少なくとも１つのパラメータ
    が屈折率である請求項２５記載の方法。
30. 【請求項３０】 仕掛品の少なくとも１つのパラメータ
    が吸収係数である請求項２５記載の方法。
31. 【請求項３１】 仕掛品の前記少なくとも１つのパラメ
    ータが、少なくともその最も上の層の厚さである請求項
    ２５記載の方法。
32. 【請求項３２】 前記仕掛品が、生産ラインに沿って進
    行している半導体ウェハである請求項２５記載の方法。
33. 【請求項３３】 一定の加工結果を提供するためにその
    作業領域を加工するために仕掛品に適用される加工ツー
    ルの少なくとも１つの作業パラメータの自動光学制御用
    測定ツールであって、前記作業パラメータが、加工中の
    仕掛品の少なくとも１つのパラメータに影響を及ぼし、
    加工の前に前記少なくとも１つの作業パラメータの事前
    設定値を有し、（１）加工ツールの加工と類似した仕掛
    品の加工をするために適応された加工チャネルであっ
    て、加工チャネルの作業パラメータと所定の値である加
    工ツールの間の比率と、（２）仕掛品の前記少なくとも
    １つのパラメータを測定し、それを表す測定済みデータ
    を生じさせるために適応されている測定チャネルと、
    （３）前記加工チャネルに関連するアクチュエータであ
    って、それらの内の１つを選択式で作動するためのアク
    チュエータと、（４）前記測定チャネルに結合されてい
    るプロセッサであって、仕掛品の前記少なくとも１つの
    パラメータを求め、分析するために前記測定済みデータ
    に反応し、前記仕掛品に加工ツールを適用するときに前
    記加工結果を入手するために、仕掛品の加工の前に加工
    ツールの加工パラメータに適用される補正値を計算する
    プロセッサとを備えてなる自動光学制御用測定ツール。
34. 【請求項３４】 前記プロセッサが、仕掛品の前記少な
    くとも１つのパラメータを表す理論上のデータを入手す
    るために、仕掛品の一定の特徴の名目値に基づき、光学
    モデルを表す基準データを活用する請求項３３記載のツ
    ール。
35. 【請求項３５】 前記基準データが、前記少なくとも１
    つの作業パラメータの関数として、仕掛品の前記少なく
    とも１つのパラメータの形をとる少なくとも１つの構成
    曲線を表すデータベースを含む請求項３４記載のツー
    ル。
36. 【請求項３６】 前記測定チャネルが所定の入射放射線
    を生じさせるための照明装置、光学装置、および検出器
    装置を備え、光学装置が仕掛品の一定の領域に前記入射
    放射線を向け、照明領域から戻される放射線を検出器装
    置に向ける請求項３３記載のツール。
37. 【請求項３７】 前記測定チャネルが、所定の入射放射
    線により仕掛品の一定の領域を照明し、照明された領域
    から戻される放射線を検出し、前記所定入射放射線の波
    長の関数として戻される放射線の強度を表すデータを作
    成する分光光学計である請求項３３記載のツール。
38. 【請求項３８】 イメージング光学部品およびセンサを
    含むイメージングチャネルも備え、イメージングチャネ
    ルが測定チャネルとともに作動されている請求項３３記
    載のツール。
39. 【請求項３９】 前記プロセッサが、それに対する計算
    済み補正値を伝達するための加工ツールに結合される請
    求項３３記載のツール。
40. 【請求項４０】 前記加工ツールが露光ツールである請
    求項３３記載のツール。
41. 【請求項４１】 前記露光ツールがフォトリソグラフィ
    ーツール装置の一部である請求項４０記載のツール。
42. 【請求項４２】 加工ツールの前記少なくとも１つの作
    業パラメータが、曝射線量である請求項４０記載のツー
    ル。
43. 【請求項４３】 仕掛品の前記少なくとも１つのパラメ
    ータが、その上に形成されている材料の吸収係数である
    請求項３３記載のツール。
44. 【請求項４４】 仕掛品の前記少なくとも１つのパラメ
    ータが、その上に形成されている材料の屈折率である請
    求項３３記載のツール。
45. 【請求項４５】 前記少なくとも１つのパラメータがそ
    の反射率である請求項３３記載のツール。
46. 【請求項４６】 仕掛品の前記少なくとも１つのパラメ
    ータが、その少なくともいちばん上の層の厚さである請
    求項３３記載のツール。
47. 【請求項４７】 前記仕掛品が半導体ウェハである請求
    項３３記載のツール。
48. 【請求項４８】 一定の加工結果を提供するために、生
    産ラインに沿って連続する仕掛品を加工するための少な
    くとも１つの加工ツールを有している生産ラインであっ
    て、前記加工手段は、加工中の仕掛品の少なくとも１つ
    のパラメータに影響を及ぼすその少なくとも１つの作業
    パラメータを有しており、加工ツールが前記仕掛品の加
    工の前に前記少なくとも１つの作業パラメータの事前設
    定値を有しており、加工ツールによる加工の前に動作仕
    掛品に適用されるために設置されている測定ツールを含
    み、測定ツールが仕掛品の前記少なくとも１つのパラメ
    ータを測定し、加工ツールを前記動作仕掛品に適用する
    ときに、加工結果を提供するために前記事前設定された
    値を変更しなければならないかどうかを判断する、生産
    ライン。
49. 【請求項４９】 前記少なくとも１つの加工ツールが、
    フォトリソグラフィーツール装置の一部である請求項４
    ８記載の生産ライン。
50. 【請求項５０】 前記連続仕掛品が半導体ウェハである
    請求項４８記載の生産ライン。