JP2000224780A - 無停電電源装置 - Google Patents
無停電電源装置Info
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Abstract
を提供する。 【解決手段】 無停電電源装置10は、FETブリッジ
回路12,コイル14、MOSFET16、フライホイ
ールダイオード18、昇降圧トランス20、MOSFE
T22、平滑化回路24、バッテリ26及び整流ダイオ
ード28を備えて構成される。充電時にFETブリッジ
回路12によって整流された入力電圧は、コイル14に
よって一旦昇圧され、MOSFET16のスイッチング
動作により昇降圧トランス20に入力される。一方、放
電時は、MOSFET16に含まれる寄生ダイオード分
がフライホイールダイオードとして作用する。上記構成
により、トランスを昇圧用、降圧用に分けることなく、
一つの昇降圧トランス20を用いるのみで無停電電源装
置10を実現することが可能となる。
Description
関するものである。
(例えば100V商用交流電圧)を降圧してバッテリを
充電しておき、停電時に当該バッテリに充電された充電
電圧を上記入力電圧に昇圧して出力する電源装置であ
り、電源の供給を停止することができない機器に接続し
て用いられる。
て説明すると、以下の通りである。図5は無停電電源装
置のブロック図、図6は従来の一般的な無停電電源装置
の回路図である。無停電電源装置100は、図5に示す
ように、FETブリッジ回路102、スイッチング素子
104、降圧トランス106、整流ダイオード108、
平滑化回路110、バッテリ112、スイッチング素子
116、昇圧トランス118、整流ダイオード120、
フライホイールダイオード122及び平滑化コイル12
4を備えて構成される。また、図6に示すように、FE
Tブリッジ回路102は4つのMOSFET128,1
30,132,134をブリッジ型に接続して構成さ
れ、充電時にはMOSFET128,130,132,
134の寄生ダイオード分を利用した整流回路として作
用する。また、FETブリッジ回路102は、放電時に
はインバータとして作用し、低周波インバータ制御回路
136を用いてMOSFET128,130,132,
134それぞれのゲート電圧を制御することで、直流交
流変換を可能とする。スイッチング素子104は、MO
SFET140を備えて構成され、充電制御回路142
を用いてMOSFET140のゲート電圧を制御するこ
とでスイッチング動作を可能とする。平滑化回路110
はコイル144及びコンデンサ146とからなる。ま
た、スイッチング素子116は、MOSFET148を
備えて構成され、昇圧制御回路150を用いてMOSF
ET148のゲート電圧を制御することでスイッチング
動作を可能とする。
の通りである。すなわち、通電時に入力された入力電源
(例えば100V商用交流電圧)はFETブリッジ回路
102によって整流され、コンデンサ126によって平
滑化される。FETブリッジ回路102から出力され、
平滑化された電源は、スイッチング素子104によりピ
ーク電流値を制御され、降圧トランス106の2次側に
入力される。入力電圧は、降圧トランス106の作用に
よってその巻数比に応じて降圧され、降圧トランス10
6の2次側から出力される。降圧トランス106の1次
側から出力された電圧は、整流ダイオード108、平滑
化回路110によって、整流、平滑化され、バッテリ1
12を所定の充電電圧(例えば直流12V)に充電す
る。
された電圧が平滑化回路110によって平滑化されると
ともに、スイッチング素子116によってピーク値を制
御された電流が昇圧トランス118に入力される。バッ
テリ112の電圧は、昇圧トランス118の作用によっ
てその巻数比に応じて昇圧され、昇圧トランス118の
2次側から出力される。昇圧トランス118の2次側か
ら出力された電圧は整流ダイオード120によって整流
され、平滑化コイル124、平滑化コンデンサ126、
フライホイールダイオード122によって平滑される。
平滑された電圧はEFTブリッジ回路102により直流
交流変換され、周波数及び実効値が入力電圧とほぼ等し
い疑似交流として出力される。
にかかる無停電電源装置100は、入力電圧と充電電圧
間相互の電圧変換を行うべく、降圧トランス106と昇
圧トランス118との2つのトランスを備えているた
め、装置が複雑化、大型化し、製造コストも大きくなる
という問題点を有する。
ることなく、降圧トランス106と昇圧トランス118
との2つのトランスを備えている理由は以下の通りであ
る。すなわち、トランスの巻線比は昇圧を基準に決めら
れているため、例えば、バッテリ112の充電電圧を1
2V、入力電圧、すなわち停電時に出力する電圧を14
1V(100V商用交流電圧のピーク値)とすると、昇
圧トランス118の巻線比を1:12とすることが必要
とされる。これに対して、バッテリ112をその充電電
圧(12V)に充電するためには、充電電圧以上の電圧
(17V以上)が必要とされる。従って、巻線比が1:
12の昇圧トランス118を降圧用として用いても、バ
ッテリ112の充電に必要な電圧を得ることができず、
バッテリ112を十分充電することができない。ここ
で、昇圧時と降圧時とで巻線比を切り替えるトランスを
用いることも考えられるが、装置が複雑化、大型化し、
製造コストも大きくなるという問題点を有することは、
トランスを2つ備える場合と同様である。
可能な無停電電源装置を提供することを課題とする。
に、本発明の無停電電源装置は、入力電圧を降圧してバ
ッテリを充電するとともに、該バッテリに充電された充
電電圧を入力電圧に昇圧して出力する無停電電源装置で
あって、入力電圧を所定電圧に昇圧する昇圧回路と、昇
圧回路により昇圧された所定電圧をバッテリの充電に必
要な電圧に降圧するとともに、バッテリに充電された充
電電圧を入力電圧の形成に必要な電圧に昇圧する昇降圧
トランスとを備えたことを特徴としている。
してトランスに入力することで、昇圧を基準に巻線比を
決定したトランスを用いてバッテリの充電に必要な電圧
を得ることができる。従って、トランスを昇圧用、降圧
用に分けることなく、一つの昇降圧トランスを用いるの
みで無停電電源装置を実現することが可能となる。
は、昇圧回路は、入力電圧を昇圧する昇圧コイルと、昇
圧コイルから昇降圧トランスに流入する電流を制御する
電流制御回路とを備えたことを特徴としてもよい。
で、昇圧回路を簡易に構成することができる。
は、電流制御回路は、MOSFETを備えて構成され、
MOSFETを用いて電流のスイッチング動作を行うこ
とを特徴としてもよい。
スイッチング動作が可能になる。また、充電時の降圧、
放電時の昇圧の際に、MOSFETに含まれる寄生ダイ
オード分をフライホイールダイオードとして利用するこ
とが可能となり、部品点数を削減できる。
源装置について、図面を参照して説明する。まず、本実
施形態に係る無停電電源装置の構成について説明する。
図1は本実施形態に係る無停電電源装置のブロック図で
あり、図2は本実施形態にかかる無停電電源装置の回路
図である。
は、入力電圧を降圧してバッテリを充電するとともに、
当該バッテリに充電された充電電圧を上記入力電圧に昇
圧して出力する無停電電源装置であって、図1に示すよ
うに、FETブリッジ回路12,コイル14、MOSF
ET16、フライホイールダイオード18、昇降圧トラ
ンス20、MOSFET22、平滑化回路24、バッテ
リ26及び整流ダイオード28を備えて構成される。以
下、図2に示す回路図をもちいて詳細に説明する。
FET30,32,34,36をブリッジ型に接続して
構成される。より詳細には、MOSFET30のドレイ
ンとMOSFET34のドレイン、MOSFET30の
ソースとMOSFET32のドレイン、MOSFET3
4のソースとMOSFET36のドレイン、MOSFE
T32のソースとMOSFET36のソースがそれぞれ
接続されており、MOSFET32のソースとMOSF
ET36のソースは接地されている。また、MOSFE
T30のソースとMOSFET34のソースとの間に
は、スイッチ38を介して外部からの電圧入力(100
V商用交流電圧)が可能となっており、また、外部への
電圧出力が可能となっている。
0,32,34,36は、それぞれ寄生ダイオード分を
有しているため、FETブリッジ回路12は、入力され
た交流電圧を整流する整流回路として作用する。また、
MOSFET30,32,34,36のゲート電圧は、
低周波インバータ制御回路40により制御可能となって
おり、FETブリッジ回路12は直流交流変換を行うイ
ンバータとしても作用する。
FETブリッジ回路12と並列に接続されたコンデンサ
42が設けられている。FETブリッジ回路12によっ
て整流された電圧は、コンデンサ42によって平滑化さ
れる。
ス20が設けられており、コンデンサ42の+側と昇降
圧トランス20の2次側(FETブリッジ回路12側。
以下同じ)の一端とは、コイル14を介して接続されて
おり、MOSFET30のドレインと昇降圧トランス2
0の2次側の他端はフライホイールダイオード18を介
して接続されている。コイル14は、充電時にはFET
ブリッジ回路12に入力された入力電圧を昇圧して昇降
圧トランス20の2次側に入力するための昇圧コイルと
して作用し、放電時には昇降圧トランス20から出力さ
れる電圧を平滑化する平滑化コイルとして作用する。ま
た、昇降圧トランス20の巻線比は、入力電圧を141
V(100V商用交流電圧のピーク値)、バッテリの充
電電圧を12Vとして、1:12としてある。
は、スイッチング素子であるMOSFET16が接続さ
れている。MOSFET16のゲート電圧は、充電制御
回路44によって制御可能となっている。すなわち、M
OSFET16と充電制御回路44とはコイル14と合
わせて電流制御回路を構成し、MOSFET16のスイ
ッチング動作により、コイル14から昇降圧トランス2
0の2次側に供給される電流のピーク値が制御される。
より詳細には、充電制御回路44は、充電電流検出用に
設けられた抵抗46の両端にかかる電圧値に基づいて、
上記電流を制御する。また、MOSFET16は寄生ダ
イオード分を有しており、かかる寄生ダイオード分は、
放電時にフライホイールダイオードとして作用する。
接地電位との間には、整流ダイオード28が接続されて
いる。整流ダイオード28は、放電時に昇降圧トランス
20によって昇圧された電圧を整流する。
6側。以下同じ。)の一端は、コンデンサ48とコイル
50とからなる平滑化回路24を介してバッテリ26
(のプラス端子)に接続されている。また、昇降圧トラ
ンス20の1次側の他端には、MOSFET22(のド
レイン)が接続されている。MOSFET22が有する
寄生ダイオード分は整流ダイオードとして作用し、昇降
圧トランス20の1次側から出力される電圧は、当該寄
生ダイオード分によって整流され、平滑化回路24によ
って平滑化された後、バッテリ26に充電される。ま
た、放電電流検出用の抵抗52の両端にかかる電圧に基
づき、昇圧制御回路54によってMOSFET22のデ
ューティ比を変化させることにより、放電時に昇降圧ト
ランス20の1次側に供給される電流のピーク値を制御
することができる。
置の動作について説明する。まず、充電時の動作につい
て説明する。図3は、各点における充電時の電圧、電流
波形を示す図である。
ソースとMOSFET34のソースとの間(図2中A)
に図3(1)に示すような100V商用交流電圧が印加
される。かかる入力電圧は、FETブリッジ回路12に
よって整流され、コンデンサ42によって平滑化され
る。従って、図2中のBの電位は図3(2)に示すよう
になり、また、図2中のCを流れる電流は、図3(3)
に示すようになる。
は、コイル14によって昇圧され、昇降圧トランス20
の2次側に入力される。その際、図3(4)に示すよう
な電圧がMOSFET16のゲートを制御し、図3
(5)に示すような電流波形(図2中E)がMOSFE
T16とコイル14に流れる。昇降圧トランス20の2
次側に入力される電圧(図2中F)、電流(図2中G)
は、それぞれ図3(6)、図3(7)に示すようにな
る。ここで、無停電電源装置10においては、入力電圧
をコイル14によって210V(所定電圧)まで昇圧
し、その後昇降圧トランス20の2次側に入力してい
る。従って、昇降圧トランス20の2次側に入力される
電圧(図3(6))は、ピーク値で約210Vとなって
いる。
され1次側から出力された電圧は、MOSFET22の
寄生ダイオード分によって整流され、平滑化回路24に
よって平滑化された後、バッテリ26に充電される。図
3(8)は、平滑化回路24から出力された後(図2中
H)の電圧波形であるが、かかる電圧は、充電電圧12
Vのバッテリを充電するために十分な17V以上の電圧
となっている。
説明する。図4は、各点における放電時の電圧、電流波
形を示す図である。まず、図2中Hの電圧は、図4
(1)に示すように、バッテリ26の充電電圧である直
流12Vである。バッテリ26から出力される電流は、
MOSFET22により制御され、平滑化回路24によ
り平滑化されて昇降圧トランス20の1次側に入力され
る。この際、MOSFET22のドレインの電位は図4
(2)に示すようになる。ここで、当該ドレインの電位
のピーク値は、充電電圧のほぼ2倍の24Vとなる。
ス20によって昇圧され、昇降圧トランス20の2次側
から出力される。昇降圧トランス20の2次側から出力
される電圧、電流はそれぞれ、図4(3)、(4)に示
すような波形となる。ここで、昇降圧トランス20の巻
線比が1:12であることから、昇降圧トランス20の
2次側から出力される電圧のピーク値は、入力電圧であ
る100V商用交流電圧の形成に必要な141Vとな
る。
た電圧は、整流ダイオード28によって整流され、コイ
ル14、コンデンサ42によって平滑化される。その
際、MOSFET16の寄生ダイオード分は、フライホ
イールダイオードとして作用する。その結果、図2中B
の電位及びCの電流は、それぞれ図4(5)、図4
(6)に示すようになる。その後、低周波インバータ制
御回路40を用いて、MOSFET30,32,34,
36のゲート電圧を制御することにより、図4(7)の
電圧波形、図4(8)の電流波形に示すような、100
V商用交流電圧、電流波形に類似する疑似交流電圧、電
流を出力することが可能となる。
置の効果について説明する。本実施形態にかかる無停電
電源装置10は、昇圧コイル14により141V(ピー
ク値)の入力電圧を210Vまで一旦昇圧して昇降圧ト
ランス20に入力する。従って、昇圧を基準に巻線比を
1:12に決定した昇降圧トランス20を用いてバッテ
リ26の充電に必要な電圧である17Vを得ることがで
きる。すなわち、トランスを昇圧用、降圧用に分けるこ
となく、一つの昇降圧トランス20を用いるのみで無停
電電源装置を実現することが可能となる。その結果、無
停電電源装置10を簡易な構成で製造することができる
とともに、無停電電源装置10を小型化することが可能
となる。
10においては、コイル14とMOSFET16という
シンプルな素子を用いて入力電圧の昇圧を実現すること
で、無停電電源装置10の一層の小型化に寄与してい
る。さらに、放電時に平滑化コイルとして用いられるコ
イル14を昇圧用にも用いることで、部品点数が増加す
ることもない。
10においては、バッテリ26の充電のために入力電圧
を一旦昇圧して昇降圧トランス20に入力するために、
コイル14とMOSFET16を用いているが、MOS
FET16の寄生ダイオード分を(バッテリ26からの
放電時による)昇圧時のフライホイールダイオードとし
ても利用している。従って、上記コイル14を放電時の
平滑用と充電時の昇圧用とに共用することとも相まっ
て、部品点数の増加が生じない。その結果、極めて簡易
な構成の無停電電源装置10が実現する。また、昇圧時
の電流制御にMOSFET16を用いることで、極めて
高精度な制御が実現する。
より入力電圧を所定電圧に昇圧してトランスに入力する
ことで、昇圧を基準に巻線比を決定したトランスを用い
てバッテリの充電に必要な電圧を得ることができる。従
って、トランスを昇圧用、降圧用に分けることなく、一
つの昇降圧トランスを用いるのみで無停電電源装置を実
現することが可能となる。その結果、無停電電源装置を
簡易な構成かつ小型にすることが可能となる。
は、昇圧コイルと電流制御回路を用いて昇圧回路を構成
することで、昇圧回路の構成を簡易なものとすることが
できる。
は、MOSFETを用いて電流制御回路を構成すること
で、精度の高いスイッチング動作を可能にするととも
に、MOSFETに含まれる寄生ダイオード分を整流ダ
イオード及びフライホイールダイオードとして利用する
ことが可能となり、部品点数を削減できる。
4…コイル、16,22…MOSFET、18…フライ
ホイールダイオード、20…昇降圧トランス、24…平
滑化回路、26…バッテリ、28…整流ダイオード
Claims (3)
- 【請求項1】 入力電圧を降圧してバッテリを充電する
とともに、該バッテリに充電された充電電圧を前記入力
電圧に昇圧して出力する無停電電源装置において、 前記入力電圧を所定電圧に昇圧する昇圧回路と、 前記昇圧回路により昇圧された前記所定電圧を前記バッ
テリの充電に必要な電圧に降圧するとともに、前記バッ
テリに充電された充電電圧を前記入力電圧の形成に必要
な電圧に昇圧する昇降圧トランスと、を備えたことを特
徴とする無停電電源装置。 - 【請求項2】 前記昇圧回路は、 前記入力電圧を昇圧する昇圧コイルと、 前記昇圧コイルから前記昇降圧トランスに流入する電流
を制御する電流制御回路とを備えたことを特徴とする請
求項1に記載の無停電電源装置。 - 【請求項3】 前記電流制御回路は、MOSFETを備
えて構成され、該MOSFETを用いて前記電流のスイ
ッチング動作を行うことを特徴とする請求項2に記載の
無停電電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02639899A JP3854418B2 (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 無停電電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02639899A JP3854418B2 (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 無停電電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000224780A true JP2000224780A (ja) | 2000-08-11 |
| JP3854418B2 JP3854418B2 (ja) | 2006-12-06 |
Family
ID=12192462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02639899A Expired - Fee Related JP3854418B2 (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 無停電電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3854418B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7502242B2 (en) | 2005-10-19 | 2009-03-10 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Bidirectional insulated DC/AC inverter |
| US7566232B2 (en) | 2005-10-17 | 2009-07-28 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Bidirectional DC/AC inverter |
| JP2012120414A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Ntt Facilities Inc | 直流給電システム及び双方向電力変換装置 |
-
1999
- 1999-02-03 JP JP02639899A patent/JP3854418B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7566232B2 (en) | 2005-10-17 | 2009-07-28 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Bidirectional DC/AC inverter |
| US7502242B2 (en) | 2005-10-19 | 2009-03-10 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Bidirectional insulated DC/AC inverter |
| JP2012120414A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Ntt Facilities Inc | 直流給電システム及び双方向電力変換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3854418B2 (ja) | 2006-12-06 |
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