JP2000225480A - レーザを用いた基板の分断方法及びその装置 - Google Patents
レーザを用いた基板の分断方法及びその装置Info
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜フィルム基板を高寸法精度で分断できる
レーザを用いた基板の分断方法及びその装置を提供す
る。 【解決手段】 ワークテーブル１９上に固定された薄膜
フィルム基板１０表面に、レーザビーム２−３を透過す
る平板１７を配置することにより、薄膜フィルム基板１
０がワークテーブル１９上に抑えられ、レーザビーム照
射時の熱応力により薄膜フィルム基板１０が反ることが
なくなり、薄膜フィルム基板１０を高寸法精度で分断で
きる。
レーザを用いた基板の分断方法及びその装置を提供す
る。 【解決手段】 ワークテーブル１９上に固定された薄膜
フィルム基板１０表面に、レーザビーム２−３を透過す
る平板１７を配置することにより、薄膜フィルム基板１
０がワークテーブル１９上に抑えられ、レーザビーム照
射時の熱応力により薄膜フィルム基板１０が反ることが
なくなり、薄膜フィルム基板１０を高寸法精度で分断で
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザを用いた基
板の分断方法及びその装置に関する。
板の分断方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、プラスチック、ガラス、磁性体、
半導体等の極薄フィルム基板、フィルムシート等をチッ
プ状に分断するニーズが高まってきた。この種の分断方
法として、ダイシングによる切断方法やダイヤモンドカ
ッターによるけがき線を形成した後に応力を加えて分断
する方法が検討され始めている。
半導体等の極薄フィルム基板、フィルムシート等をチッ
プ状に分断するニーズが高まってきた。この種の分断方
法として、ダイシングによる切断方法やダイヤモンドカ
ッターによるけがき線を形成した後に応力を加えて分断
する方法が検討され始めている。
【０００３】しかし、切断エッジ面にチッピングが生じ
たり、切断寸法精度が悪かったりする等の問題が生じる
ことが分かった。
たり、切断寸法精度が悪かったりする等の問題が生じる
ことが分かった。
【０００４】そこで、本発明者は、レーザを用いて薄膜
フィルム基板やシートを分断する方法及び装置を提案し
た。本発明者が提案した方法及び装置を図４から図６に
示す。
フィルム基板やシートを分断する方法及び装置を提案し
た。本発明者が提案した方法及び装置を図４から図６に
示す。
【０００５】図４は本発明者が提案したレーザを用いた
基板の分断方法を示す概念図である。
基板の分断方法を示す概念図である。
【０００６】この分断方法は、ＣＯ2 レーザを用いて薄
膜フィルム基板（以下「基板」という）１０を切断し、
複数個の薄膜フィルムチップ１５−１、１５−２、…を
形成する方法である。これは、矢印１４−２方向あるい
は矢印１４−１方向に所望速度で移動する基板１０の表
面上に、平行なＣＯ2 レーザビーム（以下「レーザビー
ム」という）２−２を集光レンズ４で集光したレーザビ
ーム２−３を照射し、基板１０に熱応力による亀裂１６
−１〜１６−１０を発生させ、亀裂１６−１〜１６−１
０を進展させて基板１０を割断することにより複数個の
薄膜フィルムチップ１５に分断する方法である。
膜フィルム基板（以下「基板」という）１０を切断し、
複数個の薄膜フィルムチップ１５−１、１５−２、…を
形成する方法である。これは、矢印１４−２方向あるい
は矢印１４−１方向に所望速度で移動する基板１０の表
面上に、平行なＣＯ2 レーザビーム（以下「レーザビー
ム」という）２−２を集光レンズ４で集光したレーザビ
ーム２−３を照射し、基板１０に熱応力による亀裂１６
−１〜１６−１０を発生させ、亀裂１６−１〜１６−１
０を進展させて基板１０を割断することにより複数個の
薄膜フィルムチップ１５に分断する方法である。
【０００７】なお、レーザビーム２−３を基板１０上に
照射する際はレーザビーム２−３に沿ってアシストガス
５−１、５−２を吹き付ける。
照射する際はレーザビーム２−３に沿ってアシストガス
５−１、５−２を吹き付ける。
【０００８】図５は本発明者が提案したレーザを用いた
基板の分断装置の概念図である。
基板の分断装置の概念図である。
【０００９】同図において、ＣＯ2 レーザ発振機１から
出力されたレーザビーム２−１は、フード６内を全反射
ミラー３を通して矢印２−２方向に直角に曲げられ、集
光レンズ４に導かれて集光されたレーザビーム２−３が
ノズル７の出口から基板１０上に照射される。
出力されたレーザビーム２−１は、フード６内を全反射
ミラー３を通して矢印２−２方向に直角に曲げられ、集
光レンズ４に導かれて集光されたレーザビーム２−３が
ノズル７の出口から基板１０上に照射される。
【００１０】レーザビーム２−３の外周にはアシストガ
スが矢印５−１、５−２方向にノズル７を通して吹き付
けられる。基板１０はワークテーブル９上に真空吸着さ
れる。この真空吸着は、後述するように真空吸引穴１
１、真空吸引管１２を通して真空ポンプ１３で排気する
ことにより行われる。
スが矢印５−１、５−２方向にノズル７を通して吹き付
けられる。基板１０はワークテーブル９上に真空吸着さ
れる。この真空吸着は、後述するように真空吸引穴１
１、真空吸引管１２を通して真空ポンプ１３で排気する
ことにより行われる。
【００１１】ワークテーブル９はＸＹＺθ移動ステージ
（以下「移動ステージ」という）８に取付けられてお
り、移動ステージ８の駆動系でＸ、Ｙ、Ｚ、θ方向（θ
は水平面における旋回角度である）に移動され、基板１
０を図４に示したように薄膜フィルムチップ１５に分断
加工される。
（以下「移動ステージ」という）８に取付けられてお
り、移動ステージ８の駆動系でＸ、Ｙ、Ｚ、θ方向（θ
は水平面における旋回角度である）に移動され、基板１
０を図４に示したように薄膜フィルムチップ１５に分断
加工される。
【００１２】図６（ａ）は薄膜フィルム基板をワークテ
ーブル上に固定する固定機構の概念図であり、図６
（ｂ）は図６（ａ）の平面図である。
ーブル上に固定する固定機構の概念図であり、図６
（ｂ）は図６（ａ）の平面図である。
【００１３】基板１０はワークテーブル９に形成された
複数の真空吸引穴１１、真空吸引管１２（１２−１、１
２−２、１２−３、１２−４）、真空ポンプ１３によっ
て真空吸着される。これは、ＣＯ2 レーザビーム２−３
の照射による割断加工中、アシストガス吹き付け中等に
分断された薄膜フィルムチップ１５が飛散しないように
行う真空吸着である。基板１０としては厚さ５０μｍ、
１００μｍ、１５０μｍの酸化膜付きＳｉ基板や厚さが
１５０μｍの磁性体薄膜フィルム基板を用いた。
複数の真空吸引穴１１、真空吸引管１２（１２−１、１
２−２、１２−３、１２−４）、真空ポンプ１３によっ
て真空吸着される。これは、ＣＯ2 レーザビーム２−３
の照射による割断加工中、アシストガス吹き付け中等に
分断された薄膜フィルムチップ１５が飛散しないように
行う真空吸着である。基板１０としては厚さ５０μｍ、
１００μｍ、１５０μｍの酸化膜付きＳｉ基板や厚さが
１５０μｍの磁性体薄膜フィルム基板を用いた。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
を用いて薄膜フィルム基板を分断する場合でも次のよう
な問題が発生することが分かった。
を用いて薄膜フィルム基板を分断する場合でも次のよう
な問題が発生することが分かった。
【００１５】(1) 図６において、基板１０に亀裂１６−
１を形成して分断すると、分断された両エッジ部２０−
１、２０−２が真空吸着されているにもかかわらず、反
りかえってめくれあがり、両エッジ部２０−１、２０−
２にギャップが生じることが分かった。このような状態
で亀裂１６−４、１６−５、１６−６を形成しようとす
ると、亀裂１６−４、１６−５、１６−６の交差部２１
−１、２１−２、２１−３に亀裂を形成することが困難
となったり、正確な寸法精度で亀裂を形成することがで
きなかった。
１を形成して分断すると、分断された両エッジ部２０−
１、２０−２が真空吸着されているにもかかわらず、反
りかえってめくれあがり、両エッジ部２０−１、２０−
２にギャップが生じることが分かった。このような状態
で亀裂１６−４、１６−５、１６−６を形成しようとす
ると、亀裂１６−４、１６−５、１６−６の交差部２１
−１、２１−２、２１−３に亀裂を形成することが困難
となったり、正確な寸法精度で亀裂を形成することがで
きなかった。
【００１６】この現象は基板１０の厚さが薄いほど、顕
著に生じ、厚さが５０μｍ以下になると、亀裂を形成す
ることだけでも困難になることが分かった。第１の原因
は、基板１０の厚さが薄いため、ＣＯ2 レーザビーム２
−３を照射することによって生じた熱応力によって基板
自体に反りが発生することに起因していることが分かっ
た。第２の原因はアシストガス５−１、５−２を基板１
０上に吹き付けているが、このアシストガス５−１、５
−２が亀裂１６−１の僅かな隙間から基板１０とワーク
テーブル９の上面との間に入り込むことによって基板１
０のエッジ部２０−１、２０−２が反りかえるものと考
えられる。
著に生じ、厚さが５０μｍ以下になると、亀裂を形成す
ることだけでも困難になることが分かった。第１の原因
は、基板１０の厚さが薄いため、ＣＯ2 レーザビーム２
−３を照射することによって生じた熱応力によって基板
自体に反りが発生することに起因していることが分かっ
た。第２の原因はアシストガス５−１、５−２を基板１
０上に吹き付けているが、このアシストガス５−１、５
−２が亀裂１６−１の僅かな隙間から基板１０とワーク
テーブル９の上面との間に入り込むことによって基板１
０のエッジ部２０−１、２０−２が反りかえるものと考
えられる。
【００１７】(2) (1) により基板１０を複数の薄膜フィ
ルムチップ１５−１、１５−２、…のように分断するこ
とが困難であった。
ルムチップ１５−１、１５−２、…のように分断するこ
とが困難であった。
【００１８】(3) エッジ部２０−１、２０−２の反りか
えりによるめくれあがりを低減する対策として、真空吸
引穴１１の径を大きくするか、数を増やすことが考えら
れる。しかし、薄膜フィルムチップ１５−１、１５−
２、…のチップサイズが小さくなると、上記対策を施す
ことが困難になることが分かった。
えりによるめくれあがりを低減する対策として、真空吸
引穴１１の径を大きくするか、数を増やすことが考えら
れる。しかし、薄膜フィルムチップ１５−１、１５−
２、…のチップサイズが小さくなると、上記対策を施す
ことが困難になることが分かった。
【００１９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、薄膜フィルム基板を高寸法精度で分断できるレーザ
を用いた基板の分断方法及びその装置を提供することに
ある。
し、薄膜フィルム基板を高寸法精度で分断できるレーザ
を用いた基板の分断方法及びその装置を提供することに
ある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のレーザを用いた基板の分断方法は、所望速度
で移動するワークテーブル上に固定された薄膜フィルム
基板表面に、レーザビームを照射することにより基板を
分断する分断方法であって、薄膜フィルム基板表面にレ
ーザビームを透過する平板を配置し、平板を通してレー
ザビームを照射することにより薄膜フィルム基板を分断
するものである。
に本発明のレーザを用いた基板の分断方法は、所望速度
で移動するワークテーブル上に固定された薄膜フィルム
基板表面に、レーザビームを照射することにより基板を
分断する分断方法であって、薄膜フィルム基板表面にレ
ーザビームを透過する平板を配置し、平板を通してレー
ザビームを照射することにより薄膜フィルム基板を分断
するものである。
【００２１】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断方法は、薄膜フィルム基板は、ワークテーブル
表面あるいはワークテーブルの表面に形成された凹部内
に真空吸着によって固定されるのが好ましい。
板の分断方法は、薄膜フィルム基板は、ワークテーブル
表面あるいはワークテーブルの表面に形成された凹部内
に真空吸着によって固定されるのが好ましい。
【００２２】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断方法は、平板は、ワークテーブル上に固定され
た薄膜フィルム基板上に配置されると共にワークテーブ
ルに真空吸着されるのが好ましい。
板の分断方法は、平板は、ワークテーブル上に固定され
た薄膜フィルム基板上に配置されると共にワークテーブ
ルに真空吸着されるのが好ましい。
【００２３】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断方法は、レーザビームとしてＣＯ2 レーザビー
ムを用いるのが好ましい。
板の分断方法は、レーザビームとしてＣＯ2 レーザビー
ムを用いるのが好ましい。
【００２４】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断方法は、薄膜フィルム基板として少なくとも一
部が非金属材料からなるのが好ましい。
板の分断方法は、薄膜フィルム基板として少なくとも一
部が非金属材料からなるのが好ましい。
【００２５】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断方法は、レーザビームの照射方向に沿ってアシ
ストガスを吹き付けるのが好ましい。
板の分断方法は、レーザビームの照射方向に沿ってアシ
ストガスを吹き付けるのが好ましい。
【００２６】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断方法は、レーザビームは、薄膜フィルム基板上
にデフォーカス状態で照射されるのが好ましい。
板の分断方法は、レーザビームは、薄膜フィルム基板上
にデフォーカス状態で照射されるのが好ましい。
【００２７】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断方法は、レーザビームのスポット形状は略円形
か略楕円形かあるいは幅Ｗ、長さＬの線状であるのが好
ましい。
板の分断方法は、レーザビームのスポット形状は略円形
か略楕円形かあるいは幅Ｗ、長さＬの線状であるのが好
ましい。
【００２８】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断方法は、平板としてＺｎＳｅかＧｅからなる平
板を用いるのが好ましい。
板の分断方法は、平板としてＺｎＳｅかＧｅからなる平
板を用いるのが好ましい。
【００２９】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断方法は、薄膜フィルム基板は室温以下の温度に
冷却されるのが好ましい。
板の分断方法は、薄膜フィルム基板は室温以下の温度に
冷却されるのが好ましい。
【００３０】また本発明のレーザを用いた基板の分断装
置は、薄膜フィルム基板が固定されるワークテーブル
と、ワークテーブルを所望速度で少なくともＸ方向及び
Ｙ方向に移動させる移動ステージと、薄膜フィルム基板
表面にレーザビームを照射するレーザ発振機と、薄膜フ
ィルム基板上に配置されレーザビームを透過する平板と
を備えたものである。
置は、薄膜フィルム基板が固定されるワークテーブル
と、ワークテーブルを所望速度で少なくともＸ方向及び
Ｙ方向に移動させる移動ステージと、薄膜フィルム基板
表面にレーザビームを照射するレーザ発振機と、薄膜フ
ィルム基板上に配置されレーザビームを透過する平板と
を備えたものである。
【００３１】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断装置は、ワークテーブル表面に形成された平坦
部上あるいは凹部内に薄膜フィルム基板が真空吸着され
て固定される固定機構を設けるのが好ましい。
板の分断装置は、ワークテーブル表面に形成された平坦
部上あるいは凹部内に薄膜フィルム基板が真空吸着され
て固定される固定機構を設けるのが好ましい。
【００３２】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断装置は、ワークテーブル上に薄膜フィルム基板
及び平板を真空吸着によって固定する真空吸着機構を有
するのが好ましい。
板の分断装置は、ワークテーブル上に薄膜フィルム基板
及び平板を真空吸着によって固定する真空吸着機構を有
するのが好ましい。
【００３３】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断装置は、レーザビームとして、ＣＯ2 レーザビ
ームを用いるのが好ましい。
板の分断装置は、レーザビームとして、ＣＯ2 レーザビ
ームを用いるのが好ましい。
【００３４】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断装置は、薄膜フィルム基板は少なくとも一部が
非金属材料からなる基板であるのが好ましい。
板の分断装置は、薄膜フィルム基板は少なくとも一部が
非金属材料からなる基板であるのが好ましい。
【００３５】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断装置は、レーザビームの照射方向に沿ってアシ
ストガスを吹き付けるアシストガス吹き付け手段を有す
るのが好ましい。
板の分断装置は、レーザビームの照射方向に沿ってアシ
ストガスを吹き付けるアシストガス吹き付け手段を有す
るのが好ましい。
【００３６】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断装置は、薄膜フィルム基板表面に照射されるレ
ーザビーム径を制御するレーザビーム径制御手段を有す
るのが好ましい。
板の分断装置は、薄膜フィルム基板表面に照射されるレ
ーザビーム径を制御するレーザビーム径制御手段を有す
るのが好ましい。
【００３７】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断装置は、薄膜フィルム基板表面に照射されるレ
ーザビームのスポット形状を略円形か略楕円形かあるい
は幅Ｗ、長さＬの線状に制御するレーザビーム形状制御
手段を有するのが好ましい。
板の分断装置は、薄膜フィルム基板表面に照射されるレ
ーザビームのスポット形状を略円形か略楕円形かあるい
は幅Ｗ、長さＬの線状に制御するレーザビーム形状制御
手段を有するのが好ましい。
【００３８】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断装置は、平板としてＺｎＳｅかＧｅからなる平
板を用いるのが好ましい。
板の分断装置は、平板としてＺｎＳｅかＧｅからなる平
板を用いるのが好ましい。
【００３９】上記構成に加え本発明のレーザを用いた基
板の分断装置は、薄膜フィルム基板を冷却するための冷
却手段を有するのが好ましい。
板の分断装置は、薄膜フィルム基板を冷却するための冷
却手段を有するのが好ましい。
【００４０】本発明によれば、薄膜フィルム基板はレー
ザビームを透過する平板で圧着された状態でレーザビー
ムを照射して加工されるので、薄膜フィルム基板に亀裂
を発生させて分断しても基板分断部から基板が反りかえ
ってめくれあがることがない。
ザビームを透過する平板で圧着された状態でレーザビー
ムを照射して加工されるので、薄膜フィルム基板に亀裂
を発生させて分断しても基板分断部から基板が反りかえ
ってめくれあがることがない。
【００４１】すなわち、薄膜フィルム基板は常に平坦な
状態を保った状態でレーザビーム照射による分断が行わ
れるので、極めて寸法精度よく分断することができる。
また、亀裂の交差部での不均一性も生じないので、この
交差部でも直交性よく分断することができ、チッピング
も生じにくい。
状態を保った状態でレーザビーム照射による分断が行わ
れるので、極めて寸法精度よく分断することができる。
また、亀裂の交差部での不均一性も生じないので、この
交差部でも直交性よく分断することができ、チッピング
も生じにくい。
【００４２】ワークテーブル表面に凹部が形成されてい
る場合には、凹部内に薄膜フィルム基板が確実に真空吸
着され、さらに薄膜フィルム基板の上にレーザビームを
透過する平板を配置することにより、亀裂発生時の薄膜
フィルム基板の位置ずれが生じない。
る場合には、凹部内に薄膜フィルム基板が確実に真空吸
着され、さらに薄膜フィルム基板の上にレーザビームを
透過する平板を配置することにより、亀裂発生時の薄膜
フィルム基板の位置ずれが生じない。
【００４３】レーザビームを透過する平板が薄膜フィル
ム基板ごとワークテーブル上に真空吸着されている場合
には、より高寸法精度の分断加工を行うことができる。
ム基板ごとワークテーブル上に真空吸着されている場合
には、より高寸法精度の分断加工を行うことができる。
【００４４】レーザビームとして、ＣＯ2 レーザビーム
を用いることにより、ガラス、セラミックス、サファイ
ア、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ5 、水晶、絶縁膜付き半
導体（例えば、酸化膜付きＳｉ、酸化膜付きＧａＡｓ、
Ｓｉ3 Ｎ4 付きＳｉ等）等の広い非金属材料からなる薄
膜フィルム基板を分断加工することができる。また、薄
膜フィルム基板以外に厚膜基板にも適用することができ
る。
を用いることにより、ガラス、セラミックス、サファイ
ア、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ5 、水晶、絶縁膜付き半
導体（例えば、酸化膜付きＳｉ、酸化膜付きＧａＡｓ、
Ｓｉ3 Ｎ4 付きＳｉ等）等の広い非金属材料からなる薄
膜フィルム基板を分断加工することができる。また、薄
膜フィルム基板以外に厚膜基板にも適用することができ
る。
【００４５】レーザビームの照射方向に沿ってアシスト
ガスを吹き付ける場合、レーザビームを透過する平板で
アシストガスが遮断されるため、従来のようなアシスト
ガスによる分断された薄膜フィルム基板のめくれや位置
ずれが生じない。また薄膜フィルム基板が平板で覆われ
ているのでレーザビーム照射時のゴミ付着等の問題が生
じない。
ガスを吹き付ける場合、レーザビームを透過する平板で
アシストガスが遮断されるため、従来のようなアシスト
ガスによる分断された薄膜フィルム基板のめくれや位置
ずれが生じない。また薄膜フィルム基板が平板で覆われ
ているのでレーザビーム照射時のゴミ付着等の問題が生
じない。
【００４６】レーザビームを薄膜フィルム基板上にデフ
ォーカス状態で照射してもレーザビームを透過する平板
によってレーザビームの不均一性が生じることがなく、
かえって従来のようにアシストガス吹き付けによるビー
ムの不均一性を解消することができる。
ォーカス状態で照射してもレーザビームを透過する平板
によってレーザビームの不均一性が生じることがなく、
かえって従来のようにアシストガス吹き付けによるビー
ムの不均一性を解消することができる。
【００４７】レーザビームスポットの形状を略円形、略
楕円形あるいは線状にすることによって高寸法精度で分
断加工、曲線パターン分断加工等自由に選択することが
できる。
楕円形あるいは線状にすることによって高寸法精度で分
断加工、曲線パターン分断加工等自由に選択することが
できる。
【００４８】レーザビームを透過する平板として、ＣＯ
2 レーザビームを透過するＺｎＳｅかＧｅからなる平板
は透過率が良いので、少ないパワー損失で分断加工を行
うことができる。
2 レーザビームを透過するＺｎＳｅかＧｅからなる平板
は透過率が良いので、少ないパワー損失で分断加工を行
うことができる。
【００４９】薄膜フィルム基板を分断加工する時に室温
以下に冷却することにより、割断速度の向上、割断寸法
精度の向上、熱影響層の低減、より低レーザエネルギー
密度での加工が可能となる。
以下に冷却することにより、割断速度の向上、割断寸法
精度の向上、熱影響層の低減、より低レーザエネルギー
密度での加工が可能となる。
【００５０】以上において、本発明によれば、ワークテ
ーブル上に固定された薄膜フィルム基板表面に、レーザ
ビームを透過する平板を配置することにより、薄膜フィ
ルム基板がワークテーブル上に抑えられ、レーザビーム
照射時の熱応力により薄膜フィルム基板が反ることがな
くなり、薄膜フィルム基板を高寸法精度で分断できる。
ーブル上に固定された薄膜フィルム基板表面に、レーザ
ビームを透過する平板を配置することにより、薄膜フィ
ルム基板がワークテーブル上に抑えられ、レーザビーム
照射時の熱応力により薄膜フィルム基板が反ることがな
くなり、薄膜フィルム基板を高寸法精度で分断できる。
【００５１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００５２】図１は本発明のレーザを用いた基板の分断
方法を適用した分断装置の一実施の形態を示す概念図で
ある。なお、従来例と同様の部材には共通の符号を用い
た。
方法を適用した分断装置の一実施の形態を示す概念図で
ある。なお、従来例と同様の部材には共通の符号を用い
た。
【００５３】本分断装置は、ＣＯ2 レーザビームを用い
て薄膜フィルム基板（ガラス、セラミックス、サファイ
ア、水晶、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ5 、酸化膜付きＳ
ｉあるいはＧａＡｓ等）１０を割断による分断加工を行
う装置であり、本装置の特徴は薄膜フィルム基板（以下
「基板」という）１０表面にレーザビーム２−３を透過
するＺｎＳｅ平板（以下「平板」という）１７を配置
し、平板１７を通してレーザビーム２−３を照射するこ
とにより基板１０を分断する点にある。
て薄膜フィルム基板（ガラス、セラミックス、サファイ
ア、水晶、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ5 、酸化膜付きＳ
ｉあるいはＧａＡｓ等）１０を割断による分断加工を行
う装置であり、本装置の特徴は薄膜フィルム基板（以下
「基板」という）１０表面にレーザビーム２−３を透過
するＺｎＳｅ平板（以下「平板」という）１７を配置
し、平板１７を通してレーザビーム２−３を照射するこ
とにより基板１０を分断する点にある。
【００５４】本分断装置は、主に基板１０が固定される
凹部付きのワークテーブル（以下「ワークテーブル」と
いう）１９と、ワークテーブル１９を所望速度でＸ方
向、Ｙ方向、Ｚ方向及びθ方向（θは水平面における旋
回角度である）に移動させるＸＹＺθ移動ステージ（以
下「移動ステージ」という）８と、基板１０表面にレー
ザビーム２−３を照射するレーザ発振機１と、レーザビ
ーム２−３を集光する集光レンズ４と、基板１０上に配
置されレーザビーム２−３を透過する平板１７とで構成
されている。
凹部付きのワークテーブル（以下「ワークテーブル」と
いう）１９と、ワークテーブル１９を所望速度でＸ方
向、Ｙ方向、Ｚ方向及びθ方向（θは水平面における旋
回角度である）に移動させるＸＹＺθ移動ステージ（以
下「移動ステージ」という）８と、基板１０表面にレー
ザビーム２−３を照射するレーザ発振機１と、レーザビ
ーム２−３を集光する集光レンズ４と、基板１０上に配
置されレーザビーム２−３を透過する平板１７とで構成
されている。
【００５５】基板１０はワークテーブル１９の凹部１８
内に収納されている。この凹部１８内には多数の真空吸
引穴１１が形成されており、基板１０の裏面は真空吸引
穴１１及び真空吸引管１２を通して真空ポンプ１３で真
空吸引され、凹部１８内の底面に真空吸着されるように
なっている。
内に収納されている。この凹部１８内には多数の真空吸
引穴１１が形成されており、基板１０の裏面は真空吸引
穴１１及び真空吸引管１２を通して真空ポンプ１３で真
空吸引され、凹部１８内の底面に真空吸着されるように
なっている。
【００５６】基板１０の上面にはレーザビーム２−３を
透過する平板１７が圧着され、平板１７も真空吸引穴１
１を通して真空ポンプ１３によりワークテーブル１９上
に確実に真空吸着される。ワークテーブル１９は移動ス
テージ８上に搭載され、駆動部（図示せず）によってＸ
方向、Ｙ方向、Ｚ方向あるいはθ方向に移動される。こ
のワークテーブル１９の移動と共に、平板１７を通して
基板１０上にＣＯ2 レーザビーム２−３が照射される。
レーザビーム２−３の外周からはノズル７に取付けられ
たガス導入管を通してアシストガス（Ｎ2 、Ｏ2 、空気
等）が矢印５−１、５−２方向に吹き付けられる。基板
１０に熱応力による亀裂を発生させて割断により分断す
る場合には、レーザビーム２−３は基板１０上にデフォ
ーカス状態で照射される。このデフォーカス条件は、移
動ステージ８のＺ軸を調節することによって定めること
ができる。
透過する平板１７が圧着され、平板１７も真空吸引穴１
１を通して真空ポンプ１３によりワークテーブル１９上
に確実に真空吸着される。ワークテーブル１９は移動ス
テージ８上に搭載され、駆動部（図示せず）によってＸ
方向、Ｙ方向、Ｚ方向あるいはθ方向に移動される。こ
のワークテーブル１９の移動と共に、平板１７を通して
基板１０上にＣＯ2 レーザビーム２−３が照射される。
レーザビーム２−３の外周からはノズル７に取付けられ
たガス導入管を通してアシストガス（Ｎ2 、Ｏ2 、空気
等）が矢印５−１、５−２方向に吹き付けられる。基板
１０に熱応力による亀裂を発生させて割断により分断す
る場合には、レーザビーム２−３は基板１０上にデフォ
ーカス状態で照射される。このデフォーカス条件は、移
動ステージ８のＺ軸を調節することによって定めること
ができる。
【００５７】ＣＯ2 レーザ発振機１から出射されるＣＯ
2 レーザビーム２−１は連続発振波でもパルス発振波で
もよい。またＣＯ2 レーザビーム２−１の発振波長は多
モード発振による発振波長でも特定波長をグレーティン
グにより選択した波長でもよく、さらに数波長で発振し
たものでもよい。平板１７は厚さは０．５ｍｍから数ｍ
ｍの範囲のものが好ましい。平板１７の表面及び裏面は
波長１０．６μｍ帯の無反射コーティング膜が形成され
ていることが好ましい。基板１０の上面と、平板１７の
裏面との間には隙間が無いことが好ましいが、数十μｍ
の隙間は許容できる。ワークテーブル１９の凹部１８の
深さは基板１０の厚さに合わせて形成したものが用いら
れる。
2 レーザビーム２−１は連続発振波でもパルス発振波で
もよい。またＣＯ2 レーザビーム２−１の発振波長は多
モード発振による発振波長でも特定波長をグレーティン
グにより選択した波長でもよく、さらに数波長で発振し
たものでもよい。平板１７は厚さは０．５ｍｍから数ｍ
ｍの範囲のものが好ましい。平板１７の表面及び裏面は
波長１０．６μｍ帯の無反射コーティング膜が形成され
ていることが好ましい。基板１０の上面と、平板１７の
裏面との間には隙間が無いことが好ましいが、数十μｍ
の隙間は許容できる。ワークテーブル１９の凹部１８の
深さは基板１０の厚さに合わせて形成したものが用いら
れる。
【００５８】ＣＯ2 レーザ発振機１から出射されたＣＯ
2 レーザビーム２−１は、フード６内を伝搬し、全反射
ミラー３で直角に曲げられ、矢印２−２方向に集光レン
ズ４に導かれる。ＣＯ2 レーザビーム２−３は集光レン
ズ４で集光され、平板１７を透過して薄膜フィル基板１
０に照射される。ＣＯ2 レーザビーム２−３の照射によ
って薄膜フィル基板１０が分断される。
2 レーザビーム２−１は、フード６内を伝搬し、全反射
ミラー３で直角に曲げられ、矢印２−２方向に集光レン
ズ４に導かれる。ＣＯ2 レーザビーム２−３は集光レン
ズ４で集光され、平板１７を透過して薄膜フィル基板１
０に照射される。ＣＯ2 レーザビーム２−３の照射によ
って薄膜フィル基板１０が分断される。
【００５９】図２（ａ）は図１に示した分断装置に用い
られるワークテーブルの構造図であり、図２（ｂ）は図
２（ａ）の平面図である。
られるワークテーブルの構造図であり、図２（ｂ）は図
２（ａ）の平面図である。
【００６０】基板１０と平板１７とを真空吸着した場合
で説明する。基板１０は、凹部１８内に収納され、その
凹部１８の底面に真空吸着されている。この真空吸着は
凹部１８の底部に形成された真空吸引穴１１及び真空吸
引管を通して真空ポンプ１３で真空吸引することによっ
て行われる。
で説明する。基板１０は、凹部１８内に収納され、その
凹部１８の底面に真空吸着されている。この真空吸着は
凹部１８の底部に形成された真空吸引穴１１及び真空吸
引管を通して真空ポンプ１３で真空吸引することによっ
て行われる。
【００６１】平板１７も真空吸引穴１１によってワーク
テーブル１９に真空吸着され、基板１０を圧着して動か
ないように保持される。また基板１０自体が反りを生じ
ないように常に平坦な状態を保つように保持される。
テーブル１９に真空吸着され、基板１０を圧着して動か
ないように保持される。また基板１０自体が反りを生じ
ないように常に平坦な状態を保つように保持される。
【００６２】ＣＯ2 レーザビーム２−３の基板１０の表
面上でのビーム径は数百μｍから数ｍｍの範囲で制御さ
れ、ビーム径は基板１０の材質、厚さ等によって調節さ
れる。
面上でのビーム径は数百μｍから数ｍｍの範囲で制御さ
れ、ビーム径は基板１０の材質、厚さ等によって調節さ
れる。
【００６３】図３は本発明のレーザを用いた基板の分断
方法を適用した分断装置の他の実施の形態を示す概念図
である。
方法を適用した分断装置の他の実施の形態を示す概念図
である。
【００６４】図１に示した実施の形態との相違点は、基
板１０を冷却するための冷却機構２２と、レーザビーム
径制御手段としての集光レンズ移動機構２３と、レーザ
ビーム形状制御手段としてのＺｎＳｅロッドレンズ２５
とを有する点である。
板１０を冷却するための冷却機構２２と、レーザビーム
径制御手段としての集光レンズ移動機構２３と、レーザ
ビーム形状制御手段としてのＺｎＳｅロッドレンズ２５
とを有する点である。
【００６５】冷却機構２２は、移動ステージ８とワーク
テーブル１９との間に設けられており、例えば水を循環
させることによって基板１０を冷却するようになってお
り、基板１０を０℃付近まで冷却することができ、高速
の割断加工と高寸法精度の割断加工を行うことができ
る。また冷却機構２２は、ＣＯ2 レーザビーム２−３の
光エネルギーを下げて加工することができ、低消費電力
化を実現することができる。さらに冷却機構２２は、基
板１０上への熱影響層を小さくすることができる。
テーブル１９との間に設けられており、例えば水を循環
させることによって基板１０を冷却するようになってお
り、基板１０を０℃付近まで冷却することができ、高速
の割断加工と高寸法精度の割断加工を行うことができ
る。また冷却機構２２は、ＣＯ2 レーザビーム２−３の
光エネルギーを下げて加工することができ、低消費電力
化を実現することができる。さらに冷却機構２２は、基
板１０上への熱影響層を小さくすることができる。
【００６６】集光レンズ移動機構２３は、フード６に設
けられており、集光レンズ４を上下方向に矢印２４方向
に移動させることにより、ＣＯ2 レーザビーム２−３の
径を調節することができ、種々の材料や異なる厚さの基
板１０への対応が可能となる。
けられており、集光レンズ４を上下方向に矢印２４方向
に移動させることにより、ＣＯ2 レーザビーム２−３の
径を調節することができ、種々の材料や異なる厚さの基
板１０への対応が可能となる。
【００６７】ＺｎＳｅロッドレンズ２５（以下「ロッド
レンズ」という）は、集光レンズ４と平板１７との間に
矢印２６方向に挿入されており、ＣＯ2 レーザビーム２
−３のスポットの形状を略円形ビーム形状から幅Ｗ、長
さＬの線状に変換することができる。この長さＬ及び幅
Ｗは、集光レンズ４とロッドレンズ２５との間隔、ロッ
ドレンズ２５と平板１７との間隔、ロッドレンズ２５の
直径等によって調節することができる。また、ＣＯ2 レ
ーザビーム２−３のスポットの形状を従来技術を用いて
楕円形状にしてもよい。
レンズ」という）は、集光レンズ４と平板１７との間に
矢印２６方向に挿入されており、ＣＯ2 レーザビーム２
−３のスポットの形状を略円形ビーム形状から幅Ｗ、長
さＬの線状に変換することができる。この長さＬ及び幅
Ｗは、集光レンズ４とロッドレンズ２５との間隔、ロッ
ドレンズ２５と平板１７との間隔、ロッドレンズ２５の
直径等によって調節することができる。また、ＣＯ2 レ
ーザビーム２−３のスポットの形状を従来技術を用いて
楕円形状にしてもよい。
【００６８】以上において、ＣＯ2 レーザビーム２−３
のビーム形状を制御することにより、割断速度及び割断
寸法精度を向上させることができるほか、熱影響層の幅
を制御することもできる。
のビーム形状を制御することにより、割断速度及び割断
寸法精度を向上させることができるほか、熱影響層の幅
を制御することもできる。
【００６９】本発明は上記実施の形態に限定されない。
まず、レーザビームにはＣＯ2 レーザビーム以外に、Ｃ
Ｏレーザビーム、ＹＡＧレーザビーム、ＹＡＧレーザの
高調波（第２高調波あるいは第３高調波）レーザビー
ム、エキシマレーザビームなどを用いることができる。
これらのレーザは基板１０の材質によって選択すること
ができる。また、基板１０には、少なくとも二つの材料
を積層させた複合材料基板、メタル層が混入した基板等
を用いてもよい。さらに基板１０と凹部１８の底面との
間にスペーサ材料（非金属材料、金属材料）を挟んでも
よい。
まず、レーザビームにはＣＯ2 レーザビーム以外に、Ｃ
Ｏレーザビーム、ＹＡＧレーザビーム、ＹＡＧレーザの
高調波（第２高調波あるいは第３高調波）レーザビー
ム、エキシマレーザビームなどを用いることができる。
これらのレーザは基板１０の材質によって選択すること
ができる。また、基板１０には、少なくとも二つの材料
を積層させた複合材料基板、メタル層が混入した基板等
を用いてもよい。さらに基板１０と凹部１８の底面との
間にスペーサ材料（非金属材料、金属材料）を挟んでも
よい。
【００７０】本発明は直線割断加工以外に、円形、楕円
形等の曲線割断加工にも適用でき、三角形、台形等の割
断加工に適用してもよい。
形等の曲線割断加工にも適用でき、三角形、台形等の割
断加工に適用してもよい。
【００７１】図１から図３に示した実施の形態では、ワ
ークテーブル１９の表面には凹部１８が形成され、凹部
１８に基板１０が収納され、真空吸着されているもので
あったが、本発明はワークテーブル１９の表面が平坦
で、真空吸引穴１１が形成されているだけでもよい。な
ぜならば、基板１０の厚さが１００μｍ前後の場合に
は、この基板１０を平坦なワークテーブル１９の表面に
真空吸着させ、その基板１０の上に平板１７を配置し、
この平板１７を真空吸着させても十分にワークテーブル
１９上に吸着されて移動することがないからである。
ークテーブル１９の表面には凹部１８が形成され、凹部
１８に基板１０が収納され、真空吸着されているもので
あったが、本発明はワークテーブル１９の表面が平坦
で、真空吸引穴１１が形成されているだけでもよい。な
ぜならば、基板１０の厚さが１００μｍ前後の場合に
は、この基板１０を平坦なワークテーブル１９の表面に
真空吸着させ、その基板１０の上に平板１７を配置し、
この平板１７を真空吸着させても十分にワークテーブル
１９上に吸着されて移動することがないからである。
【００７２】また、平板１７は真空吸着以外の方法で固
定してもよい。例えば平板１７の少なくとも２カ所をス
トッパーで動かないように固定したり、平板１７上を少
なくとも２か所で押さえるようにしてもよい。
定してもよい。例えば平板１７の少なくとも２カ所をス
トッパーで動かないように固定したり、平板１７上を少
なくとも２か所で押さえるようにしてもよい。
【００７３】
【実施例】図１に示した分断装置による具体的な分断例
について具体的な数値を挙げて説明するが限定されるも
のではない。
について具体的な数値を挙げて説明するが限定されるも
のではない。
【００７４】基板１０には厚さが１００μｍの酸化膜付
き（厚さ約３μｍ）Ｓｉ基板を用い、平板１７には厚さ
が２ｍｍの両面無反射コーティング付きのものを用い
た。ＣＯ2 レーザビーム２−３として連続発振出力３０
Ｗ、基板１０表面でのビーム径（１／ｅのパワーとなる
ビーム径）約１．１ｍｍを照射した。アシストガスには
０．５ｋｇ／ｃｍ2 のガス圧のＮ2 ガスを吹き付け、ワ
ークテーブル１９の移動速度を変えて割断実験を行っ
た。
き（厚さ約３μｍ）Ｓｉ基板を用い、平板１７には厚さ
が２ｍｍの両面無反射コーティング付きのものを用い
た。ＣＯ2 レーザビーム２−３として連続発振出力３０
Ｗ、基板１０表面でのビーム径（１／ｅのパワーとなる
ビーム径）約１．１ｍｍを照射した。アシストガスには
０．５ｋｇ／ｃｍ2 のガス圧のＮ2 ガスを吹き付け、ワ
ークテーブル１９の移動速度を変えて割断実験を行っ
た。
【００７５】その結果、１０ｍｍ／ｓから１８ｍｍ／ｓ
の範囲で割断することができた。
の範囲で割断することができた。
【００７６】また最小薄膜フィルムチップとして３ｍｍ
角のものを３０ｍｍ角の基板１０から六十数個に分断す
ることができた。
角のものを３０ｍｍ角の基板１０から六十数個に分断す
ることができた。
【００７７】以上において本発明によれば、 (1) 厚さが数十μｍから数百μｍの薄膜フィルム基板を
高寸法精度でレーザ割断することができる。これによ
り、数ｍｍ角の薄膜フィルムチップを１枚の基板から複
数個に分断して得ることができる。
高寸法精度でレーザ割断することができる。これによ
り、数ｍｍ角の薄膜フィルムチップを１枚の基板から複
数個に分断して得ることができる。
【００７８】(2) 分断したチップのエッジ面にはほとん
どチッピングが生じることがなく、角型のチップを得る
ことができる。
どチッピングが生じることがなく、角型のチップを得る
ことができる。
【００７９】(3) 良好な割断寸法精度が得られる。特に
割断線の交差部の不均一性がほとんど生じない。
割断線の交差部の不均一性がほとんど生じない。
【００８０】(4) 薄膜フィルム基板の熱による反りがレ
ーザ透過性平板で抑えられるので、平坦なチップが得ら
れる。
ーザ透過性平板で抑えられるので、平坦なチップが得ら
れる。
【００８１】(5) ＣＯ2 レーザビームを用いることによ
り、種々の非金属材料を割断加工することができる。
り、種々の非金属材料を割断加工することができる。
【００８２】(6) 薄膜フィルム基板の表面及び裏面がレ
ーザ加工により全く汚染されないので、（電気的及び光
学的に）良質なチップを得ることができる。
ーザ加工により全く汚染されないので、（電気的及び光
学的に）良質なチップを得ることができる。
【００８３】(7) アシストガスの影響を全く受けないの
で、アシストガス流量を増加させることにより、集光レ
ンズや平板の光学的特性寿命を延ばすことができ、信頼
性の高い装置を得ることができる。
で、アシストガス流量を増加させることにより、集光レ
ンズや平板の光学的特性寿命を延ばすことができ、信頼
性の高い装置を得ることができる。
【００８４】(8) 厚さが１ｍｍ以上の基板の分断加工に
もそのまま適用することができる。
もそのまま適用することができる。
【００８５】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００８６】薄膜フィルム基板を高寸法精度で分断でき
るレーザを用いた基板の分断方法及びその装置の提供を
実現することができる。
るレーザを用いた基板の分断方法及びその装置の提供を
実現することができる。
【図１】本発明のレーザを用いた基板の分断方法を適用
した分断装置の一実施の形態を示す概念図である。
した分断装置の一実施の形態を示す概念図である。
【図２】（ａ）は図１に示した分断装置に用いられるワ
ークテーブルの構造図であり、（ｂ）は（ａ）の平面図
である。
ークテーブルの構造図であり、（ｂ）は（ａ）の平面図
である。
【図３】本発明のレーザを用いた基板の分断方法を適用
した分断装置の他の実施の形態を示す概念図である。
した分断装置の他の実施の形態を示す概念図である。
【図４】本発明者が提案したレーザを用いた基板の分断
方法を示す概念図である。
方法を示す概念図である。
【図５】本発明者が提案したレーザを用いた基板の分断
装置の概念図である。
装置の概念図である。
【図６】（ａ）は薄膜フィルム基板をワークテーブル上
に固定する固定機構の概念図であり、（ｂ）は（ａ）の
平面図である。
に固定する固定機構の概念図であり、（ｂ）は（ａ）の
平面図である。
２−３ レーザビーム １０ 薄膜フィルム基板 １７ 平板 １９ ワークテーブル
Claims (20)
- 【請求項１】 所望速度で移動するワークテーブル上に
固定された薄膜フィルム基板表面に、レーザビームを照
射することにより上記基板を分断する分断方法であっ
て、上記薄膜フィルム基板表面にレーザビームを透過す
る平板を配置し、該平板を通してレーザビームを照射す
ることにより上記薄膜フィルム基板を分断することを特
徴とするレーザを用いた基板の分断方法。 - 【請求項２】 上記薄膜フィルム基板は、上記ワークテ
ーブル表面あるいは該ワークテーブルの表面に形成され
た凹部内に真空吸着によって固定されている請求項１に
記載のレーザを用いた基板の分断方法。 - 【請求項３】 上記平板は、上記ワークテーブル上に固
定された薄膜フィルム基板上に配置されると共に上記ワ
ークテーブルに真空吸着される請求項１または２に記載
のレーザを用いた基板の分断方法。 - 【請求項４】 上記レーザビームとしてＣＯ2 レーザビ
ームを用いる請求項１から３のいずれかに記載のレーザ
を用いた基板の分断方法。 - 【請求項５】 上記薄膜フィルム基板として少なくとも
一部が非金属材料からなる請求項１から４のいずれかに
記載のレーザを用いた基板の分断方法。 - 【請求項６】 上記レーザビームの照射方向に沿ってア
シストガスを吹き付けるようにした請求項１から５のい
ずれかに記載のレーザを用いた基板の分断方法。 - 【請求項７】 上記レーザビームは、上記薄膜フィルム
基板上にデフォーカス状態で照射される請求項１から６
のいずれかに記載のレーザを用いた基板の分断方法。 - 【請求項８】 上記レーザビームのスポット形状は略円
形か略楕円形かあるいは幅Ｗ、長さＬの線状である請求
項１から７のいずれかに記載のレーザを用いた基板の分
断方法。 - 【請求項９】 上記平板としてＺｎＳｅかＧｅからなる
平板を用いた請求項４に記載のレーザを用いた基板の分
断方法。 - 【請求項１０】 上記薄膜フィルム基板は室温以下の温
度に冷却される請求項１から９のレーザを用いた基板の
分断方法。 - 【請求項１１】 薄膜フィルム基板が固定されるワーク
テーブルと、該ワークテーブルを所望速度で少なくとも
Ｘ方向及びＹ方向に移動させる移動ステージと、上記薄
膜フィルム基板表面にレーザビームを照射するレーザ発
振機と、上記薄膜フィルム基板上に配置され上記レーザ
ビームを透過する平板とを備えたことを特徴とするレー
ザを用いた基板の分断装置。 - 【請求項１２】 上記ワークテーブル表面に形成された
平坦部上あるいは凹部内に上記薄膜フィルム基板が真空
吸着されて固定される固定機構を設けた請求項１１に記
載のレーザを用いた基板の分断装置。 - 【請求項１３】 上記ワークテーブル上に薄膜フィルム
基板及び平板を真空吸着によって固定する真空吸着機構
を有する請求項１１または１２に記載のレーザを用いた
基板の分断装置。 - 【請求項１４】 上記レーザビームとして、ＣＯ2 レー
ザビームを用いた請求項１１から１３のいずれかに記載
のレーザを用いた基板の分断装置。 - 【請求項１５】 上記薄膜フィルム基板は少なくとも一
部が非金属材料からなる基板である請求項１１から１４
のいずれかに記載のレーザを用いた基板の分断装置。 - 【請求項１６】 上記レーザビームの照射方向に沿って
アシストガスを吹き付けるアシストガス吹き付け手段を
有する請求項１１から１５のいずれかに記載のレーザを
用いた基板の分断装置。 - 【請求項１７】 上記薄膜フィルム基板表面に照射され
るレーザビーム径を制御するレーザビーム径制御手段を
有する請求項１１から１６のいずれかに記載のレーザを
用いた基板の分断装置。 - 【請求項１８】 上記薄膜フィルム基板表面に照射され
るレーザビームのスポット形状を略円形か略楕円形かあ
るいは幅Ｗ、長さＬの線状に制御するレーザビーム形状
制御手段を有する請求項１１から１７のいずれかに記載
のレーザを用いた基板の分断装置。 - 【請求項１９】 上記平板としてＺｎＳｅかＧｅからな
る平板を用いた請求項１４に記載のレーザを用いた基板
の分断装置。 - 【請求項２０】 上記薄膜フィルム基板を冷却するため
の冷却手段を有する請求項１１から１９のいずれかに記
載のレーザを用いた基板の分断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11026142A JP2000225480A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | レーザを用いた基板の分断方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11026142A JP2000225480A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | レーザを用いた基板の分断方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000225480A true JP2000225480A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=12185305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11026142A Pending JP2000225480A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | レーザを用いた基板の分断方法及びその装置 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP2000225480A (ja) |
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