JP2000226655A - スパッタリング装置 - Google Patents

スパッタリング装置

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JP2000226655A JP11025157A JP2515799A JP2000226655A JP 2000226655 A JP2000226655 A JP 2000226655A JP 11025157 A JP11025157 A JP 11025157A JP 2515799 A JP2515799 A JP 2515799A JP 2000226655 A JP2000226655 A JP 2000226655A
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智洋 奥村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 １ｍＴｏｒｒ以下の真空度で放電を維持で
き、低ガス圧下で安定して薄膜を形成できるスパッタリ
ング装置を提供する。 【解決手段】 スパッタリング装置において、その真空
容器１内にアンテナ１５で発生した電磁波を誘電体から
成る電磁波導入窓１７を介して導入するとともに、放電
用電源１１からターゲット９に電力を供給することによ
り、低ガス圧下での放電維持を可能にして安定的にプラ
ズマを発生させ、低ガス圧下でも基板１４上に高品質の
膜をスパッタリング法で作成できるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜形成装置の一
種のスパッタリング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング装置は、一般に低真空雰
囲気で気体放電を起こすことによりプラズマを発生さ
せ、プラズマの陽イオンをスパッタリング電極と呼ばれ
る負極に設置されたターゲットに衝突させ、衝突により
スパッタされた粒子が基板に付着して薄膜を生成する方
法である。このスパッタリング装置では薄膜組成の制御
や装置の操作が比較的簡単であることから、広く成膜過
程に使用されている。
【０００３】図７に従来のマグネトロンスパッタリング
装置の構成を示す。図７において、１０１は真空容器、
１０２は真空ポンプ（図示せず）によって排気される真
空排気口、１０３は可動バルブで、排気コンダクタンス
を調整することができる。１０４はメインバルブであ
る。
【０００４】１０５は真空容器１０１内へのガス導入
管、１０６はガス導入管１０５に取付けられたガス流量
制御器である。１０７はガス導入管１０５から真空容器
１０１内に導入される放電ガスで、通常アルゴンガスが
用いられる。１０８はガス導入バルブである。
【０００５】１０９はターゲット、１１０はスパッタリ
ング電極、１１１は放電用電源、１１２は磁石でターゲ
ット１０９の裏面に配置されている。１１３は真空容器
１０１内にターゲット１０９の表面に対向して配設され
た基板ホルダで、その上に薄膜を形成する基板１１４が
設置される。１１８は絶縁体である。
【０００６】以上のように構成されたスパッタリング装
置について、以下その動作について説明する。まず、真
空容器１０１内を真空排気口１０２から真空ポンプで１
０-7Ｔｏｒｒ程度にまで排気する。次に、真空容器１０
１の一端に接続されたガス導入管１０５を介して真空容
器１０１内に放電ガス１０７を導入し、真空容器１０１
内の圧力を１０-3〜１０-2Ｔｏｒｒ程度に保つ。その状
態でターゲット１０９を取付けたスパッタリング電極１
１０に直流あるいは高周波の放電用電源１１１から電力
を供給して電場を形成することで、ターゲット１０９の
裏面に配置された磁石１１２による磁場との作用でター
ゲット１０９の表面近傍に放電によるリング状プラズマ
が発生し、スパッタリング現象が起こり、ターゲット１
０９から放出されたスパッタ粒子により基板ホルダ１１
３上に設置された基板１１４上に薄膜が形成される。
【０００７】ところで、近年は薄膜材料の高機能化が進
むにしたがって、低ガス圧下での成膜の必要性が増して
きている。１０-3Ｔｏｒｒ程度以下の圧力下で成膜を行
う場合、上記マグネトロンスパッタリング装置では、放
電の安定性に問題があり、実質的に成膜を行うことが極
めて困難になる。
【０００８】そこで、特開平６−０４１７３９号公報に
述べられているように、マグネトロンスパッタ装置の基
板とターゲットとの間に高周波電源に接続されたヘリカ
ルコイルを配設し、低ガス圧下での放電を安定化させる
試みがなされている。図８にこのヘリカルコイルを付加
したマグネトロンスパッタ装置の概略構成を示す。図８
において、１２１はヘリカルコイルである。１２２はヘ
リカルコイル１２１に接続されたコイル用高周波電源で
ある。大略の動作は、上記マグネトロンスパッタ装置と
同様で、異なる点はスパッタリング電極１１０へ電力を
供給するとともに、コイル用高周波電源１２２にてヘリ
カルコイル１２１に高周波電力を供給する点である。
【０００９】一方、ドライエッチング装置では、他の方
法で低ガス圧での放電に適した放電形態が考案されてい
る。その一例として、図９に示すように、平板型アンテ
ナ１３１を真空容器１０１外に配設し、この平板型アン
テナ１３１に高周波電源１３５にて５０ＭＨｚ〜３ＧＨ
ｚ程度の高周波電力を印加し、平板型アンテナ１３１に
て発生した電磁波を電磁波導入窓１３４から真空容器１
０１内に導入し、また高周波電源１３２から基板１１４
に高周波電力を供給し、ガス導入管１０５からエッチン
グ用ガス１３３を真空容器１０１内に導入することによ
り、低ガス圧下で真空容器１０１内にプラズマを形成す
るようにしたものを、本出願人が先に提案している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示すような構成では、真空容器１０１内にヘリカルコイ
ル１２１を配置しているため、コイル材がスパッタリン
グされて膜中不純物になり、またコイル材がスパッタさ
れないようにすると、コイルに膜が付着してプラズマが
不安定になり、ダストの発生源になったり、プラズマが
不安定になるという問題がある。
【００１１】また、図９に示すような構成では、スパッ
タリング装置に応用しようとしたとき、特に導体膜を形
成する場合、電磁波導入窓１３４に導体膜が付着し、電
磁波を真空容器１０１内に放射できなくなるという、ス
パッタリング装置のような膜形成装置特有の問題が発生
する。
【００１２】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、低ガ
ス圧下においても、安定に放電を維持し、高品質な膜を
形成することができるスパッタリング装置を提供するこ
とを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願の第１発明のスパッ
タリング装置は、真空容器内にスパッタリング電極に支
持したターゲットと基板を対向させて配設し、スパッタ
リング電極に高周波又は直流電力を供給してターゲット
上にプラズマを発生させるようにしたスパッタリング装
置において、真空容器の外部に電磁波を発生するアンテ
ナを配設し、アンテナから発生した電磁波を真空容器内
に導入する電磁波導入窓を真空容器壁に設けたものであ
り、アンテナがスパッタされて不純物を生じたり、膜付
着によってプラズマが不安定になったりすることなく、
アンテナからの電磁波を真空容器内に導入することによ
り低ガス圧下においても安定に放電を維持し、高品質な
膜を形成することができる。
【００１４】好適には、電磁波導入窓をターゲットの基
板側とは反対側の後方に配設することにより、電磁波導
入窓の内面への膜付着量を少なくでき、連続使用時にも
安定して膜形成することができる。
【００１５】また、電磁波導入窓からターゲット表面近
傍間に、放電を維持しない空間から成る電磁波伝達経路
を設けると、電磁波導入窓を後方に配設しても、電磁波
をターゲット近傍に確実に伝達できるとともに、電磁波
伝達経路でプラズマが発生せず誘電体への膜付着を大略
なくすことができ、誘電体を交換または清掃することな
く、連続した膜形成を行うことができる。
【００１６】また、真空容器の外部に電磁波導入窓から
ターゲットに向かって磁場勾配を形成する磁石を配置す
ると、電磁波を効率的にターゲット近傍へ導くことがで
き、電磁波がターゲット上で発生するプラズマに効率的
に作用して放電ガス圧をさらに低くすることができる。
【００１７】また、プラズマをターゲット上にトラップ
させるような磁場を発生するスパッタ用磁気回路をター
ゲット近傍に設けると、プラズマ密度が向上するととも
に、導入された電磁波も効率的にターゲット上に導かれ
るため、放電ガス圧をさらに低くすることができる。
【００１８】第２発明のスパッタリング装置は、真空容
器外に設置したアンテナに周波数５０ＭＨｚ〜３ＧＨｚ
の高周波電力を供給することにより、ターゲットの基板
側とは反対側の後方に配設された電磁波導入窓を介して
真空容器内に電磁波を放射しつつ、ターゲットに高周波
又は直流電力を供給するようにしたものであり、低ガス
圧下においても安定に放電を維持し、高品質な膜を形成
することができ、また誘電体がターゲットの後方に配設
されているため、誘電体の内面への膜付着量を少なくで
き、連続使用時にも安定して膜形成することができる。
【００１９】また、第３発明のスパッタリング装置は、
真空容器外に設置したアンテナに周波数５０ＭＨｚ〜３
ＧＨｚの高周波電力を供給することにより真空容器内に
電磁波を放射する電磁波導入窓を真空容器に設け、電磁
波導入窓からターゲット表面近傍までの電磁波伝達経路
を放電を維持しない空間で構成したものであり、上記と
同様に低ガス圧下においても高品質な膜形成ができると
ともに、電磁波伝達経路でプラズマが発生せず誘電体へ
の膜付着を大略なくすことができ、電磁波導入窓を交換
または清掃することなく、連続した膜形成を行うことが
できる。
【００２０】上記電磁波導入窓からターゲット表面近傍
までの電磁波伝達経路を１ｍｍ〜５ｍｍの間隙で構成す
るのが好ましい。
【００２１】また、第４発明のスパッタリング装置は、
真空容器外に設置したアンテナに周波数５０ＭＨｚ〜３
ＧＨｚの高周波電力を供給することにより真空容器内に
電磁波を放射する電磁波導入窓を真空容器に設け、電磁
波導入窓からターゲット表面近傍までの電磁波伝達経路
をターゲットとアースシールドの間の、好適には１ｍｍ
〜５ｍｍの間隙で構成したものであり、上記と同様の作
用を奏する。
【００２２】また、第５発明のスパッタリング装置は、
真空容器外に設置したアンテナに周波数５０ＭＨｚ〜３
ＧＨｚの高周波電力を供給することにより真空容器内に
電磁波を放射する電磁波導入窓を真空容器に設け、電磁
波導入窓からターゲットに向かって磁場勾配を形成した
ものであり、上記と同様に低ガス圧下においても高品質
な膜形成ができるとともに、電磁波を効率的にターゲッ
ト近傍へ導くことができ、電磁波がターゲット上で発生
するプラズマに効率的に作用して放電ガス圧をさらに低
くすることができる。上記磁場勾配は、真空容器の外側
に電磁石又は電磁石を配置して形成できる。
【００２３】また、第６発明のスパッタリング装置は、
真空容器外に設置したアンテナに周波数５０ＭＨｚ〜３
ＧＨｚの高周波電力を供給することにより、ターゲット
の基板とは反対側の後方に配設された電磁波導入窓を介
して真空容器内に電磁波を放射しつつ、ターゲットに高
周波又は直流電力を供給するようにしたスパッタリング
装置において、プラズマをターゲット上にトラップさせ
るような磁場を発生するスパッタ用磁気回路をターゲッ
ト近傍に設けたものであり、上記と同様に低ガス圧下に
おいても高品質な膜形成ができるとともに、プラズマが
ターゲット上にトラップされてプラズマ密度が向上する
とともに、導入された電磁波が効率的にターゲット上に
導かれるため、放電ガス圧をさらに低くすることができ
る。
【００２４】スパッタ用磁気回路は、ターゲットの表面
側、または裏面側に設けることができ、アンテナは渦巻
き状アンテナ、または平板状アンテナにて構成でき、ま
たターゲットを導体膜材料として基板上に導体膜を形成
する場合に本発明は特に効果的である。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明のスパッタリング装
置の実施形態について、図１〜図６を参照して説明す
る。
【００２６】（第１の実施形態）本発明のスパッタリン
グ装置の第１の実施形態について、図１を参照して説明
する。図１において、１は真空容器、２は真空容器１に
設けられ、真空ポンプ（図示せず）に通じた真空排気
口、３は可動バルブで、排気コンダクタンスを調整する
ことができる。４は真空排気口２を開閉するメインバル
ブである。
【００２７】５は真空容器１内へのガス導入管、６はガ
ス導入管５に取付けられたガス流量制御器である。７は
ガス導入管５から真空容器１内に導入される放電ガス
で、通常はアルゴンガスが用いられる。８はガス導入バ
ルブである。
【００２８】９は真空容器１内に配置されたターゲッ
ト、１０は真空容器１の天井壁などの一側壁に絶縁体１
８を介して取付けられたスパッタリング電極で、ターゲ
ット９を支持する。１１はスパッタリング電極１０に負
の電圧又は高周波電圧を印加する放電用電源、１２は真
空容器１内のターゲット９の裏面に配置された永久磁石
または電磁石から成る磁石である。１３は真空容器１内
のターゲット９の表面に対向する位置に配設された基板
ホルダである。１４は基板ホルダ１３に保持される基板
で、その上に薄膜を形成する。また、１５はアンテナ
で、渦巻き状のアンテナにて構成され、真空容器１の外
側に配置されている。１６はアンテナ用高周波電源で、
アンテナ１５に接続されている。１７はアンテナ１５か
らの電磁波を真空容器１内に導入するように配設された
誘電体から成る電磁波導入窓で、ターゲット９に対して
基板１４側とは反対側の後方に配設されている。
【００２９】以上のように構成されたスパッタリング装
置について、以下その動作について説明する。まず、真
空容器１内にアルゴンガスなどの放電ガス７を導入し、
真空容器１内の圧力を可動バルブ３及びガス流量制御器
６によって０．５ｍＴｏｒｒ程度に調圧した状態で、ア
ンテナ用高周波電源１６によってアンテナ１５に１００
ＭＨｚの高周波電力を印加して電磁波導入窓１７を介し
て真空容器１内に電磁波を放射することによって、真空
容器１内にプラズマが発生する。次に、放電用電源１１
によって、スパッタリング電極１０に１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力を印加すると、ターゲット９表面上にプラ
ズマが発生し、ターゲット９がスパッタされることによ
り、基板１４上に薄膜が形成される。
【００３０】以上の構成により、真空容器１内が１ｍＴ
ｏｒｒ以下の低ガス圧下においても、安定的にプラズマ
を形成することができる。かくして、本実施形態では１
ｍＴｏｒｒ程度以下の低ガス圧下でのスパッタリングに
よる薄膜形成が可能となり、指向性の高い高品質の薄膜
を作成することができる。
【００３１】また、誘電体からなる電磁波導入窓１７が
ターゲット９に対して基板１４側とは反対側の後方に配
設されているため、ターゲット９表面上のプラズマより
後方に位置し、電磁波導入窓１７の内面への膜付着量を
少なくでき、連続使用時にも安定して放電を発生させる
ことができる。
【００３２】なお、本実施形態において、アンテナ１５
に印加する高周波電力の周波数は１００ＭＨｚとした
が、５０ＭＨｚから３ＭＨｚの周波数であればよい。
【００３３】また、放電用電源１１にてスパッタリング
電極１０に印加する電力は、１３．５６ＭＨｚの高周波
電力としたが、直流電力や他の周波数の高周波電力であ
っても構わない。
【００３４】（第２の実施形態）次に、本発明のスパッ
タリング装置の第２の実施形態を図２、図３を参照して
説明する。なお、上記第１の実施形態で説明したものと
同一の構成要素については同一参照番号を付して説明を
省略し、相違点のみを説明する。以下の実施形態につい
ても同様である。
【００３５】２１はアースシールドで、真空容器１と同
電位である。そして、アースシールド２１と真空容器１
との間の隙間２２が、放電を維持できない間隔に設定さ
れている。ここで言う放電しない隙間２２とは、一般に
パッシェンの法則（Ｐａｓｃｈｅｎ’ｓ Ｌｏｗ）に従
い、真空容器１内の圧力によって決められる隙間のこと
を示しており、本実施形態においては約１ｍｍ〜５ｍｍ
程度の隙間となる。
【００３６】以上の構成において、電磁波導入窓１７か
ら真空容器１内に放射される電磁波は、隙間２２を伝達
経路として真空容器１内に広がる。このとき、隙間２２
は約１ｍｍ〜５ｍｍ程度で構成されているため、電磁波
は伝達することができる。
【００３７】本実施形態によれば、上記第１の実施形態
と同様の効果を奏することができるとともに、電磁波導
入窓１７への膜付着を大略なくすことができるため、電
磁波導入窓１７を交換または清掃することなく、連続し
た膜形成を行うことができる。
【００３８】また、隙間２２で放電が生じてプラズマが
発生することがないため、アンテナ１５に投入する電力
を効率よく、スパッタリング電極１０側の放電に作用さ
せることができる。
【００３９】（第３の実施形態）次に、本発明のスパッ
タリング装置の第３の実施形態を図４を参照して説明す
る。
【００４０】本実施形態では、スパッタリング電極１０
と真空容器１を電気的に絶縁する役割とともに真空容器
１内に電磁波を導入する窓の役割を奏する電磁波導入窓
兼用絶縁体１９が、真空容器１とスパッタリング電極１
０の間に配設されている。このとき、絶縁体１９の真空
容器１内側は、スパッタリング電極１０とアースシール
ド２１との間の隙間２３で構成されている。この隙間２
３は、一般に放電しない隙間、すなわち本実施形態では
約１ｍｍ〜５ｍｍ程度に設定されている。
【００４１】よって、絶縁体１９から真空容器１内に放
射される電磁波は、隙間２３を伝達経路として真空容器
１内に広がる。このとき、隙間２３が約１ｍｍ〜５ｍｍ
程度に設定されているので、電磁波は伝達することはで
きる。
【００４２】以上の構成により、本実施形態では、第１
又は第２の実施形態と同様の効果を奏することができる
とともに、電磁波導入用の別の誘電体から成る電磁波導
入窓１７を備える必要がなく、また電磁波の導入を妨げ
る絶縁体１９への膜付着を大略なくすことができる。
【００４３】（第４の実施形態）次に、本発明のスパッ
タリング装置の第４の実施形態を図５を参照して説明す
る。
【００４４】本実施形態では、真空容器１の外部で、タ
ーゲット９の周囲に磁石２４を設けている。磁石２４
は、内側にＮ極が向くように配置している。このとき発
生する磁場は、真空容器１の外壁から内側に向かうこと
になり、電磁波導入窓１７から放射される電磁波が磁場
の作用により効率的にターゲット９近傍へ導かれる。
【００４５】本実施形態では、以上の構成により第１ま
たは第２または第３の実施形態と同様の効果を奏するこ
とができるとともに、真空容器１内に導入する電磁波が
ターゲット９上で発生するプラズマに効率的に作用する
ため、放電ガス圧をさらに低くすることができる。
【００４６】本実施形態において、磁石２４は真空容器
１の外側に配置したが、真空容器１内であっても構わな
い。
【００４７】また、磁石２４の極性は内側にＮ極が向き
合うように構成したが、Ｓ極であっても同様の効果が得
られるのは言うまでもない。
【００４８】（第５の実施形態）次に、本発明のスパッ
タリング装置の第５の実施形態を図６を参照して説明す
る。
【００４９】本実施形態では、ターゲット９の周囲にス
パッタ用磁気回路２５を配置している。スパッタ用磁気
回路２５により発生する磁場により、ターゲット９上に
発生するプラズマはスパッタリング電極１０に発生する
負電位との作用によってターゲット９上にトラップさ
れ、プラズマ密度が向上する。また、絶縁体１９から導
入される電磁波はスパッタ用磁気回路２５の作用により
効率的にターゲット９上に導かれる。
【００５０】本実施形態では、以上の構成により、第３
または第４実施形態と同様の効果を奏することができる
とともに、ターゲット９上で発生するプラズマの密度が
向上し、かつ真空容器１内に導入する電磁波がターゲッ
ト９上で発生するプラズマに効率的に作用するため、放
電ガス圧をさらに低くすることができる。
【００５１】本実施形態においては、スパッタ用磁気回
路２５をターゲット９の表面側に配置したが、ターゲッ
ト９の裏面側であっても構わない。
【００５２】また、上記実施形態では、アンテナ１５が
渦巻き状のものを例示したが、平板状アンテナを用いて
もよい。
【００５３】
【発明の効果】本発明のスパッタリング装置によれば、
以上のように１ｍＴｏｒｒ以下の低ガス圧下においても
安定に放電を維持し、かつ高品質な膜を形成することが
できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態のスパッタリング装置
の概略構成を示す縦断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態のスパッタリング装置
の概略構成を示す縦断面図である。
【図３】同実施形態におけるスパッタリング電極近傍の
詳細断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態のスパッタリング装置
におけるスパッタリング電極近傍の詳細断面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態のスパッタリング装置
の概略構成を示す縦断面図である。
【図６】本発明の第５の実施形態のスパッタリング装置
の概略構成を示す縦断面図である。
【図７】従来例のスパッタリング装置の概略構成を示す
縦断面図である。
【図８】他の従来例のスパッタリング装置の概略構成を
示す縦断面図である。
【図９】他の従来例のドライエッチング装置の概略構成
を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１ 真空容器 ９ ターゲット １０ スパッタリング電極 １１ 放電用電源 １４ 基板 １５ アンテナ １６ アンテナ用高周波電源 １７ 電磁波導入窓 １９ 電磁波導入窓兼用絶縁体 ２１ アースシールド ２２ 隙間（電磁波の伝達経路） ２３ 隙間（電磁波の伝達経路） ２４ 磁石 ２５ スパッタ用磁気回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 直樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 DC28 DC34 DC35 DC40 DC41 DC43 5F103 AA08 BB14 BB22 BB60

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空容器内にスパッタリング電極に支持
    したターゲットと基板を対向させて配設し、スパッタリ
    ング電極に高周波又は直流電力を供給してターゲット上
    にプラズマを発生させるようにしたスパッタリング装置
    において、真空容器の外部に電磁波を発生するアンテナ
    を配設し、アンテナから発生した電磁波を真空容器内に
    導入する電磁波導入窓を真空容器壁に設けたことを特徴
    とするスパッタリング装置。
  2. 【請求項２】 電磁波導入窓は、ターゲットの基板側と
    は反対側の後方に配設したことを特徴とする請求項１記
    載のスパッタリング装置。
  3. 【請求項３】 電磁波導入窓からターゲット表面近傍間
    に、放電を維持しない空間から成る電磁波伝達経路を設
    けたことを特徴とする請求項２記載のスパッタリング装
    置。
  4. 【請求項４】 真空容器の外部に、電磁波導入窓からタ
    ーゲットに向かって磁場勾配を形成する磁石を配置した
    ことを特徴とする請求項２又は３記載のスパッタリング
    装置。
  5. 【請求項５】 プラズマをターゲット上にトラップさせ
    るような磁場を発生するスパッタ用磁気回路をターゲッ
    ト近傍に設けたことを特徴とする請求項１〜４の何れか
    に記載のスパッタリング装置。
  6. 【請求項６】 真空容器外に設置したアンテナに周波数
    ５０ＭＨｚ〜３ＧＨｚの高周波電力を供給することによ
    り、ターゲットの基板側とは反対側の後方に配設された
    電磁波導入窓を介して真空容器内に電磁波を放射しつ
    つ、ターゲットに高周波又は直流電力を供給するように
    したことを特徴とするスパッタリング装置。
  7. 【請求項７】 真空容器外に設置したアンテナに周波数
    ５０ＭＨｚ〜３ＧＨｚの高周波電力を供給することによ
    り真空容器内に電磁波を放射する電磁波導入窓を真空容
    器に設け、電磁波導入窓からターゲット表面近傍までの
    電磁波伝達経路を放電を維持しない空間で構成したこと
    を特徴とするスパッタリング装置。
  8. 【請求項８】 電磁波導入窓からターゲット表面近傍ま
    での電磁波伝達経路を１ｍｍ〜５ｍｍの間隙で構成した
    ことを特徴とする請求項７記載のスパッタリング装置。
  9. 【請求項９】 真空容器外に設置したアンテナに周波数
    ５０ＭＨｚ〜３ＧＨｚの高周波電力を供給することによ
    り真空容器内に電磁波を放射する電磁波導入窓を真空容
    器に設け、電磁波導入窓からターゲット表面近傍までの
    電磁波伝達経路をターゲットとアースシールドの間の間
    隙で構成したことを特徴とするスパッタリング装置。
  10. 【請求項１０】 ターゲットとアースシールドの間の間
    隙を１ｍｍ〜５ｍｍに設定したことを特徴とする請求項
    ９記載のスパッタリング装置。
  11. 【請求項１１】 真空容器外に設置したアンテナに周波
    数５０ＭＨｚ〜３ＧＨｚの高周波電力を供給することに
    より真空容器内に電磁波を放射する電磁波導入窓を真空
    容器に設け、電磁波導入窓からターゲットに向かって磁
    場勾配を形成したことを特徴とするスパッタリング装
    置。
  12. 【請求項１２】 真空容器の外側に電磁石を配置したこ
    とを特徴とする請求項１１記載のスパッタリング装置。
  13. 【請求項１３】 真空容器の外側に永久磁石を配置した
    ことを特徴とする請求項１１記載のスパッタリング装
    置。
  14. 【請求項１４】 真空容器外に設置したアンテナに周波
    数５０ＭＨｚ〜３ＧＨｚの高周波電力を供給することに
    より、ターゲットの基板側とは反対側の後方に配設され
    た電磁波導入窓を介して真空容器内に電磁波を放射しつ
    つ、ターゲットに高周波又は直流電力を供給するように
    したスパッタリング装置において、プラズマをターゲッ
    ト上にトラップさせるような磁場を発生するスパッタ用
    磁気回路をターゲット近傍に設けたことを特徴とするス
    パッタリング装置。
  15. 【請求項１５】 ターゲットの表面側にスパッタ用磁気
    回路を設けたことを特徴とする請求項６、７、９、１１
    または１４記載のスパッタリング装置。
  16. 【請求項１６】 ターゲットの裏面側にスパッタ用磁気
    回路を設けたことを特徴とする請求項６、７、９、１１
    または１４記載のスパッタリング装置。
  17. 【請求項１７】 アンテナが渦巻き状アンテナであるこ
    とを特徴とする請求項６、７、９、１１または１４記載
    のスパッタリング装置。
  18. 【請求項１８】 アンテナが平板状アンテナであること
    を特徴とする請求項６、７、９、１１または１４記載の
    スパッタリング装置。
  19. 【請求項１９】 ターゲットが基板上に形成する導体膜
    の材料であることを特徴とする請求項６、７、９、１１
    または１４記載のスパッタリング装置。
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