JP2000228415A - 半導体装置の製造方法およびそれに用いられる基板フレーム - Google Patents

半導体装置の製造方法およびそれに用いられる基板フレーム

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 プッシュバック基板を用いて半導体装置を製
造する際、組立工程において脱落の不具合を抑制するこ
と。 【構成】 プッシュバックにより形成される配線基板２
の端部に対応する領域に切欠き部１１を備えた基板フレ
ームを用いて、樹脂１０にて半導体素子８を封止する際
に切欠き部１１にも樹脂を充填する。配線基板２は基板
フレーム１との摩擦力に加え、切欠き部１１に充填され
た樹脂によっても基板フレーム１に保持される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造方法およびそれに用いられる基板フレームに関し、特
にプッシュバック基板を用いた半導体装置の製造方法お
よびその基板フレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の小型化に伴い、プッシュバ
ックと呼ばれる技術を用いて半導体装置を製造する技術
がある。
【０００３】このプッシュバックとは、基板フレームか
ら配線基板をあらかじめ打ち抜き、この打ち抜かれた配
線基板を、元の位置に押し戻すことである。
【０００４】このような基板を用いて半導体装置を製造
する際に従来は、プッシュバックされた基板に半導体素
子を搭載、電気的な接続を行い、樹脂にて封止し、その
後、基板フレームから配線基板を取り外すという工程を
行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のプ
ッシュバック基板を用いた半導体装置の製造方法では、
配線基板は基板フレームに摩擦力のみで保持されている
ために、半導体装置の組立工程において脱落しやすいと
いう課題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、配線パターンの形成された複数の配線基
板領域を備えた基板フレームの、配線基板領域に沿って
この配線基板を打ち抜いて複数の配線基板を形成し、配
線基板の打ち抜かれた基板フレームの、配線基板の打ち
抜かれた側面に接する切欠き部を形成し、配線基板を基
板フレームにプッシュバックし、配線基板上に半導体素
子を搭載し、配線パターンと電気的に接続し、半導体素
子を樹脂封止するとともに、切欠き部に樹脂を注入し、
配線基板を基板フレームから外す工程とを施すことによ
り半導体装置を製造する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図２を用いて本発明
の第１の実施形態について説明する。
【０００８】図１（ａ）において、基板フレーム１に
は、配線パターンの形成された配線基板２が形成されて
いる。この配線基板２と基板フレーム１との境界にはプ
ッシュバックライン３が設けられている。配線基板２の
コーナー部にはそれぞれ樹脂１０を充填するための切欠
き部１１が設けられている。
【０００９】図１（ｂ）は図１（ａ）のＡで示す箇所す
なわち、切欠き部の部分を拡大した図である。この図１
（ｂ）に示すように、配線基板２と切欠き部１１との間
には切欠き部１１へ樹脂を導入するための樹脂導入経路
１２が設けられている。
【００１０】図１（ｃ）は樹脂封止された配線基板２を
基板フレーム１から外し、個片の半導体装置となった状
態を示す図であり、図１（ｄ）はその断面図を示してい
る。
【００１１】図１（ｄ）において、配線基板上には、半
導体素子８が搭載され、その電極と配線基板上に形成さ
れた図示しない配線とは導電ワイヤ９で接続され、これ
らは樹脂１０により封止されている。
【００１２】このような配線基板２のプッシュバック
は、まず図２に示すように、配線基板領域のコーナー部
に対応する領域に切欠き部１１を形成した後、図３に示
す金型により行われる。図３において、金型は、ダイ
４、プッシュバックパンチ５、パンチ６、パンチガイド
７により構成される。
【００１３】図３（ａ）に示すように、このダイ４とパ
ンチガイド７により基板フレーム１を固定し、その後、
図３（ｂ）に示すようにプッシュバックパンチ５とパン
チ６とにより切断箇所を保持したまま配線基板領域を切
断する。切断された配線基板領域は図３（ｃ）に示され
るように、プッシュバックパンチ５とパンチ６とに保持
されたまま基板フレーム１の元の位置に押し戻される。
【００１４】このようにして形成された配線基板２上
に、図１（ｄ）の断面図に示されるように半導体素子８
を搭載し、その半導体素子８の電極と、配線基板２上の
図示しない配線とを導電ワイヤ９により接続する。配線
基板２上に搭載された半導体素子８は、樹脂１０にて封
止される。樹脂１０にて封止する際に、この樹脂１０の
端部は、配線基板２の端部とほぼ一致して形成される。
【００１５】樹脂１０は、半導体素子８を封止する際
に、図１（ａ）に示すように、基板フレーム１の配線基
板２と接する領域に形成された切欠き部１１にも注入さ
れる。
【００１６】図１（ｂ）に示すように、配線基板２を封
止する樹脂と切欠き部との間には切欠き部１１へ樹脂を
導入するための樹脂導入経路１２が設けられている。こ
の切欠き部１１への樹脂の注入は、図示しない金型のキ
ャビティ内に導入された樹脂が、金型に設けられた樹脂
導入経路１２に対応する溝を介して切欠き部１１に導入
されることにより行われる。
【００１７】樹脂封止の終了後、配線基板２は切欠き部
に充填された樹脂とともに基板フレーム１から外され、
図１（ｃ）に示される半導体装置を得る。
【００１８】このように、配線基板２は、基板間の摩擦
力に加えて切欠き部１１に注入された樹脂１１による接
着力によっても基板フレーム１に支持されている。この
ため、組立工程において十分な保持力を得ることができ
るので、組立工程において基板フレームから配線基板が
抜け落ちることを防止できる。
【００１９】次に、本発明の第２の実施形態について図
４および図５を参照しながら説明する。
【００２０】図４において、基板フレーム２１には点線
で示した領域２２にプッシュバックが施されている。こ
のプッシュバックは第１の実施形態の図２で説明した配
線基板部分をプッシュバックする時と同様の方法で行
う。
【００２１】この第２の実施形態では、プッシュバック
領域２２は配線基板２３の周囲に設けられる。図４で
は、プッシュバック領域２２を形成した後に、配線基板
２３上に図示しない半導体素子を搭載し、これを配線基
板の配線に電気的に接続し、樹脂２４で封止した状態を
示している。この樹脂２４は配線基板２３の端部と略同
一に形成される。
【００２２】次に、図４（ｂ）に示すように、プッシュ
バック領域２２を取り外し、配線基板２３が支持部２５
により基板フレーム２１に支持されている構成を得る。
【００２３】次に、図５（ａ）に示すように、支持部２
５を切断し、配線基板２３を基板フレーム２１から分離
させる。
【００２４】図５（ｂ）、図５（ｃ）は図５（ａ）にお
けるＡ部における切断工程を説明する拡大図であり、支
持部２５における、点線２６で囲まれた領域をパンチダ
イにより打ち抜くことにより配線基板２３を基板フレー
ム２１から分離させる。
【００２５】このように第２の実施形態では、あらかじ
め配線基板２３の周囲にプッシュバック領域を設け、樹
脂封止した後にプッシュバック領域２２を取り外し、支
持部２５を切断している。このため、組立工程において
配線基板２３が基板フレーム２１から脱落することを防
止することができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば基板フレームにおける配
線基板の保持力が大幅に向上し、組立工程において、配
線基板が基板フレームから脱落することを防止すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
１ 基板フレーム ２ 配線基板 ３ プッシュバックライン ４ ダイ ５ プッシュバックパンチ ６ パンチ ７ パンチガイド ８ 半導体素子 ９ 導電ワイヤ １０ 樹脂 １１ 切欠き部 １２ 樹脂導入経路

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 配線パターンの形成された複数の配線基
    板領域を備えた基板フレームの、前記配線基板領域に沿
    ってこの配線基板を打ち抜いて複数の配線基板を形成す
    る工程と、 前記配線基板の打ち抜かれた基板フレームの、前記配線
    基板の打ち抜かれた側面に接する切欠き部を形成する工
    程と、 前記配線基板を前記基板フレームにプッシュバックする
    工程と、 前記配線基板上に半導体素子を搭載し、前記配線パター
    ンと電気的に接続する工程と、 前記半導体素子を樹脂封止するとともに、前記切欠き部
    に樹脂を注入する工程と、 前記配線基板を前記基板フレームから外す工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記切欠き部は、打ち抜かれた前記配線
    基板のコーナー部に対応する領域に形成されることを特
    徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 配線パターンの形成された複数の配線基
    板領域を備えた基板フレームの、前記配線基板領域の外
    側に位置する領域を打ち抜き、前記基板フレームにプッ
    シュバックする工程と、 前記配線基板上に半導体素子を搭載し、前記配線パター
    ンと電気的に接続する工程と、 前記半導体素子を樹脂封止する工程と、 前記打ち抜き部を前記基板フレームから外す工程と、 前記配線基板を打ち抜く工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 配線パターンが形成され、基板フレーム
    から打ち抜かれてプッシュバックされた複数の配線基板
    と、 前記配線基板領域に接する切欠き部とを備えたことを特
    徴とする基板フレーム。
  5. 【請求項５】 前記配線基板は略矩形形状であり、前記
    切欠き部は前記配線基板のコーナー部に対応する領域に
    設けられることを特徴とする請求項４記載の基板フレー
    ム。
  6. 【請求項６】 配線パターンが形成された複数の配線基
    板領域と、この配線基板領域の周囲に設けられたプッシ
    ュバック領域と、この配線基板領域を保持する支持部と
    を備えたことを特徴とする基板フレーム。
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