JP2000230046A - ポリカーボネート樹脂及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 色相及び耐久性に優れ、更に、食品用途、光
学用途、シリコンウエハー及び電気・電子機器容器等広
範囲の用途に好ましく適用できるポリカーボネート樹脂
及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 硫黄化合物含有量１０ｐｐｍ以下の一酸
化炭素を用いて、硫黄化合物５ｐｐｍ以下、塩素分子含
有量が１００ｐｐｂ以下のホスゲンを製造し、このホス
ゲンを用いることを特徴とするポリカーボネート樹脂の
製造方法、およびホスゲンを原料に用いて製造したポリ
カーボネート樹脂において、硫黄化合物中の硫黄元素が
１００ｐｐｂ以下及び揮発性塩素含有量が２ｐｐｍ以下
含有することを特徴とする金属腐蝕性の少ないポリカー
ボネート樹脂。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、硫黄化合物及び揮
発性ガスの少ないポリカーボネート樹脂の製造方法と幅
広い用途に適要できるポリカーボネート樹脂に関する。
更に詳しくは、硫黄化合物含有量１０ｐｐｍ以下の一酸
化炭素を用いて塩素分子１０００ｐｐｂ以下のホスゲン
を製造し、そのホスゲンを用いてポリカーボネート樹脂
を製造する方法、及び硫黄化合物の硫黄原子が１００ｐ
ｐｂ以下及び揮発性塩素１００ｐｐｂ以下の含有量であ
る色相が良く且つ腐蝕性ガス発生の少ないポリカーボネ
ート樹脂に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、ポリカーボネート樹脂は光学
特性、機会特性、電気的特性等各種特性に優れているた
めに、食品分野、マルチメディア記録媒体等の光学分
野、電気及び自動車分野等各分野に幅広く使用されてい
る。

【０００３】このポリカーボネート樹脂はホスゲンを原
料として製造されるが、このホスゲンを製造する際に原
料として用いる常用の一酸化炭素中には硫黄化合物が５
０〜１００ｐｐｍ含有している。

【０００４】この様に硫黄化合物の含有量が多い一酸化
炭素を用いてホスゲンを製造するとホスゲン中には、硫
黄化合物を２０〜４０ｐｐｍ含有すると共に塩素分子２
０００〜１００００ｐｐｂ含有している。

【０００５】この様に硫黄化合物、塩素分子含有量の多
いホスゲンを用いて製造されたポリカーボネート樹脂は
硫黄化合物及び揮発性塩素を多量に含有することになる
のでポリマーの色相の悪化や金属蒸着膜の耐腐蝕性等が
低下し、使用中に問題を起こすことになる故、これらの
問題点を解決する方法について多数提案されている。

【０００６】特開平１−２７５６３０号公報には、硫黄
化合物を少なくした一酸化炭素を用いてホスゲンを製造
し、このホスゲンを用いて色相の良いポリカーボネート
樹脂の製造方法が開示されている。また、特願平１０−
２２６７２号公報には活性炭処理によりホスゲン中の塩
素分子を少なくし、このホスゲンを用いて色相の良いポ
リカーボネート樹脂が開示されている。

【０００７】しかしながら、何れの提案においてもホス
ゲン中の不純物一成分についての効果のみを有すること
は認められるが、何れも複数の特性を満足できるまでの
水準には至っていない。光ディスク、特に、デジタルバ
ーサタイルディスク（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ｖｉｄ
ｅｏ、ＤＶＤ−Ｒ，ＤＶＤ−ＲＡＭ等）の如く用途で
は、ポリカーボネート樹脂の更なる品質の向上が要求さ
れている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、ホスゲ
ンの製造に用いる一酸化炭素中の硫黄化合物を少なくし
たり、ホスゲンを活性炭処理し揮発性塩素を少なくして
も上記課題を解決できないことに着目し、更に鋭意検討
した結果、驚くべき事に、ホスゲンの製造に用いる一酸
化炭素中の硫黄化合物とホスゲン中の揮発性塩素の二つ
の不純物を少なくすることによって、即ちを一酸化炭素
中の硫黄化合物を１０ｐｐｍ以下、ホスゲン中の塩素分
子を１０００ｐｐｂ以下にしてポリカーボネート樹脂を
製造することによって、硫黄化合物硫黄原子１００ｐｐ
ｂ以下、揮発塩素１００ｐｐｂ以下のポリカーボネート
樹脂が得られ、驚くべき事に、このポリカーボネート樹
脂は色相が優れ、且つ、腐蝕性ガスの発生が極めて少な
く出来ること、更に、このポリカーボネート樹脂は食品
用途、光学用途、シリコンウエハー及び電気・電子機器
収納容器等広範囲の用途に適用できることを究明し、本
発明を完成した。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、硫黄化
合物１０ｐｐｍ以下の一酸化炭素を用いて、硫黄化合物
５ｐｐｍ以下、塩素分子１０００ｐｐｂ以下のホスゲン
を製造し、そのホスゲンを用いて硫黄化合物の硫黄原子
が１００ｐｐｂ以下、揮発性塩素１００ｐｐｂ以下の色
相が良く且つ腐蝕性ガスの少ないポリカーボネート樹脂
を提供するものである。

【００１０】即ち、本発明は硫黄化合物含有量１０ｐｐ
ｍ以下の一酸化炭素を用いて製造されたホスゲンを原料
に用いてポリカーボネート樹脂を製造する方法におい
て、硫黄化合物が５ｐｐｍ以下及び塩素分子１０００ｐ
ｐｂ以下のホスゲンを用いることを特徴とするポリカー
ボネート樹脂の製造方法、およびホスゲンを原料に用い
て製造したポリカーボネート樹脂において、硫黄化合物
の硫黄原子が１００ｐｐｂ以下及び揮発性塩素１００ｐ
ｐｂ以下含有することを特徴とするポリカーボネート樹
脂、によって達成される。

【００１１】以下、本発明について更に詳細に説明す
る。本発明のホスゲン製造に用いる一酸化炭素は、硫黄
化合物の含有量はガスクロマトグラフによる測定値が１
０ｐｐｍ以下、好ましくは５ｐｐｍ以下、更に１ｐｐｍ
以下が好ましい。

【００１２】一酸化炭素中の硫黄化合物が１０ｐｐｍを
越えるとホスゲン中の硫黄化合物含有量が５ｐｐｍを越
え、このホスゲンを用いて得られたポリカーボネート樹
脂は硫黄化合物含有量が１００ｐｐｂを越えるために色
相が悪くなると共に白点発生数やＢＬＥＲが多くなるの
で、特に光学用途には好ましくない。

【００１３】硫黄化合物が１０ｐｐｍ以下の一酸化炭素
は、コークスと酸素と反応させて得られた一酸化炭素を
金属添加触媒例えば銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、バナ
ジュウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属酸化物及
びまたは金属塩を添着した活性炭または活性アルミナ等
に接触せしめ、次いでか性ソーダ水溶液に接触せしめる
方法やか性ソーダ水溶液に接触せしめた後に活性アルミ
ナに接触せしめる方法によって得られる。コークスと酸
素と反応させて得られた一酸化炭素を金属添加触媒に接
触せしめ、次いでか性ソーダ水溶液に接触せしめること
によって得られる。

【００１４】ホスゲン中の硫黄化合物は５ｐｐｍ以下、
好ましくは１ｐｐｍ以下、０．５ｐｐｍ以下が更に好ま
しい。及び、塩素分子の含有量は１００ｐｐｂ以下、５
０ｐｐｂ以下が更に好ましく、５ｐｐｂ以下が特に好ま
しい。

【００１５】ホスゲン中の硫黄化合物は５ｐｐｍを越
え、塩素分子の含有量は１００ｐｐｂを越える場合は色
相の良い、且つ、揮発性塩素の少ないポリカーボネート
樹脂が得られないので、本発明の目的とする広範囲の用
途に適用できるポリカーボネート樹脂が得られない。

【００１６】本発明で用いる硫黄化合物含有量５ｐｐｍ
以下及び塩素分子含有量１００ｐｐｂ以下のホスゲン
は、反応温度除去するための５℃の冷水を通水した内部
冷却管を有した反応槽の後に、内部冷却管を有した金属
アンチモンを充填した槽を、且つ、金属アンチモン充填
槽の後に−２０℃のブラインを通液したコンデンサーと
重量測定装置を付設した液化ホスゲン貯槽を設け、これ
らの装置を直列に接続し、反応槽の下部から、一酸化炭
素（以下、ＣＯと略称する）／塩素（以下、Ｃｌ２と略
称する）のモル比１．０１５以上になるように硫黄化合
物が１０ｐｐｍ以下のＣＯとＣｌ２ガスを通気すること
によって得られる。また、塩素分子はＣＯとＣｌ２のモ
ル比（ＣＯ／Ｃｌ２のモル比）が高い方が金属アンチモ
ンを少なくして塩素分子量を少なく出来るがＣＯ／Ｃｌ
２のモル比が高過ぎると収率が低下するので、ＣＯ／Ｃ
ｌ２のモル比は１．０１５〜１．０６０の範囲が好まし
く、１．０２０〜１．０４５の範囲がより好ましい。

【００１７】ＣＯ／Ｃｌ２のモル比が１．０１５未満の
場合はホスゲン中の塩素分子が多くなり、ポリカーボネ
ート樹脂の色相が悪くなると共に揮発性ガスの発生が多
くなる。

【００１８】また、反応槽の後、または、金属アンチモ
ンを充填した槽の後に銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、バ
ナジュウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属酸化物
及びまたは金属塩を添着した活性炭または活性アルミナ
等の充填槽を設けてホスゲンを通気させる方法によって
も硫黄化合物を少なくすることも出来る。

【００１９】上記記載のホスゲンの製造方法は一例とし
て列記したものであり、本発明の条件を満たすホスゲン
であれば、いかなる方法で製造されたホスゲンであって
も好ましく使用出来る。

【００２０】本発明で対象とするポリカーボネート樹脂
は通常二価フェノールとカーボネート前駆体とを溶液法
で反応させて得られるものである。ここで使用される二
価フェノールの代表的な例としては、ハイドロキノン、
レゾルシノール、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス｛（４−
ヒドロキシ−３，５−ジメチル）フェニル｝メタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエ
タン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン（通称ビスフェノールＡ）、２，２−ビス｛（４−ヒ
ドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパン、２，２−
ビス｛（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）フェニ
ル｝プロパン、２，２−ビス｛（３，５−ジブロモ−４
−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２，２−ビス
｛（３−イソプロピル−４−ヒドロキシ）フェニル｝プ
ロパン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−フェニ
ル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−３，３−ジメチルブタン、２，４−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチル
ペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチル
シクロヘキサン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）フルオレン、９，９−ビス｛（４−ヒドロキシ−３
−メチル）フェニル｝フルオレン、α，α’−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−ｏ−ジイソプロピルベンゼ
ン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−
ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、１，３
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５，７−ジメチル
アダマンタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスル
ホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシ
ド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルケトン、４，４’−
ジヒドロキシジフェニルエーテルおよび４，４’−ジヒ
ドロキシジフェニルエステル等があげられ、これらは単
独または２種以上を混合して使用できる。

【００２１】なかでもビスフェノールＡ、２，２−ビス
｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチル
ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３−ジメチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−４−メチルペンタン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサンおよびα，α’−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンからなる群より選
ばれた少なくとも１種のビスフェノールより得られる単
独重合体または共重合体が好ましく、特に、ビスフェノ
ールＡの単独重合体および１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン
とビスフェノールＡ、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ
−３−メチル）フェニル｝プロパンまたはα，α’−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベ
ンゼンとの共重合体が好ましく使用される。

【００２２】カーボネート前駆体としてはカルボニルハ
ライド、カーボネートエステルまたはハロホルメート等
が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネ
ートまたは二価フェノールのジハロホルメート等が挙げ
られる。

【００２３】上記二価フェノールとカーボネート前駆体
を溶液法によって反応させてポリカーボネート樹脂を製
造するに当っては、必要に応じて触媒、末端停止剤、二
価フェノールの酸化防止剤等を使用してもよい。またポ
リカーボネート樹脂は三官能以上の多官能性芳香族化合
物を共重合した分岐ポリカーボネート樹脂であっても、
芳香族または脂肪族の二官能性カルボン酸を共重合した
ポリエステルカーボネート樹脂であってもよく、また、
得られたポリカーボネート樹脂の２種以上の混合物であ
ってもよい。

【００２４】溶液法による反応は、通常二価フェノール
とホスゲンとの反応であり、酸結合剤および有機溶媒の
存在下に反応させる。酸結合剤としては、例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物
またはピリジン等のアミン化合物が用いられる。有機溶
媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等の
ハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進のた
めに例えばトリエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアン
モニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム
ブロマイド等の第三級アミン、第四級アンモニウム化合
物、第四級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることも
できる。その際、反応温度は通常０〜４０℃、反応時間
は１０分〜５時間程度、反応中のｐＨは９以上に保つの
が好ましい。

【００２５】また、かかる重合反応において、通常末端
停止剤が使用される。かかる末端停止剤として単官能フ
ェノール類を使用することができる。単官能フェノール
類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用
され、また得られたポリカーボネート樹脂は、末端が単
官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているの
で、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。か
かる単官能フェノール類としては、一般にはフェノール
又は低級アルキル置換フェノールであって、下記一般式
（１）で表される単官能フェノール類を示すことができ
る。

【００２６】

【化１】

【００２７】［式中、Ａは水素原子、炭素数１〜９の直
鎖又は分岐のアルキル基、或いはアリルアルキル基であ
り、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数である。］

【００２８】上記単官能フェノール類の具体例として
は、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル、ｐ−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノー
ル等１ケの水酸基を有するフェノール化合物がが挙げら
れる。

【００２９】このようにして縮重合反応によって得られ
るポリカーボネート溶液は電解物質が無くなるまで有機
相を洗浄し、最終的には有機相から溶媒を除去して、粒
状体、フレーク等の固形物とし、この固形物を乾燥して
ポリカーボネート樹脂が得られるが一般的には乾燥した
固形物を溶融押出しし、ペレット化した物を成形用に好
ましく供される。

【００３０】成形用に供されるポリカーボネート樹脂の
粘度平均分子量は１０，０００〜１００，０００程度で
あり、好ましくは１１，０００〜４５，０００程度であ
る。

【００３１】多用途に適用できうる該ポリカーボネート
樹脂は硫黄化合物の硫黄原子含有量が１００ｐｐｂ以下
及び揮発性塩素の含有量が１００ｐｐｂ以下であるが、
好ましくは硫黄化合物の硫黄原子含有量５０ｐｐｂ以下
及び又は揮発性塩素含有量５０ｐｐｂ以下、更に硫黄化
合物の硫黄原子含有量５０ｐｐｂ以下及びまたは揮発性
塩素含有量２０ｐｐｂ以下が好ましい。

【００３２】硫黄化合物の硫黄原子含有量１００ｐｐｂ
を越え、揮発性塩素含有量１００ｐｐｂを越えるとポリ
カーボネート樹脂の色相が悪くなると共に、使用時に硫
黄化合物及び揮発性塩素が発生するので、衛生的でなく
また、金属類を腐蝕させる。及び樹脂の加水分解を促進
させる等を引き起こすので食品用途、光学用途、シリコ
ンウエハー及び電気・電子機器容器等多用途に適用困難
である。従って、ポリカーボネート樹脂中の硫黄化合物
及び揮発性塩素はより少なくすることが好ましい。

【００３３】これらのポリカーボネート樹脂は硫黄化合
物や揮発性塩素の発生が少ないので、押出成形機、射出
成形機等によって成形した成形品は各種分野、例えば、
食品用途、光学用途、シリコンウエハー及び電気・電子
機器容器等広範囲に極めて好ましく用いられる。

【００３４】

【実施例】以下、実施例に従って、本発明を具体的に説
明するが本発明は要旨を越えない限り、これらの実施例
によって限定されるものではない。尚、実施例中「部」
とあるは「重量部」を示し、また各種の評価および評価
用成形板は次の方法で行った。

【００３５】１）一酸化炭素中の硫黄化合物の測定 ガスクロマトグラフ装置（日立製作所製２６３型）に注
入し測定した。 ２）ホスゲン中の硫黄化合物の測定 ガスクロマトグラフ装置（日立製作所製２６３型）に注
入し測定した。 ３）ホスゲン中の塩素含有量の測定 得られた液化ホスゲンを１００ｇサンプリングし、これ
を気化させて、ＮａＯＨ溶液に吸収させて、ＮａＣｌＯ
として酸化還元滴定し、その絶対量を測定して、ホスゲ
ン中の塩素含有量とした。

【００３６】４）ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子
量 粘度平均分子量は塩化メチレン１００ｍｌにポリカーボ
ネート樹脂０．７ｇを２０℃で溶解した。この溶液から
求めた比粘度（ηsp）を次式に挿入して求めたものであ
る。 ηsp／ｃ＝［η］＋０．４５×［η］²ｃ（但し［η］
は極限粘度） ［η］＝１．２３×１０^-4Ｍ^0.83 ｃ＝０．７ ５）ポリカーボネート樹脂中の硫黄化合物の硫黄原子含
有量の測定 得られたポリカーボネート樹脂ペレットをＩＣＰ（Ｉｎ
ｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｑｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）発
光分光分析法にて硫黄原子を測定した値である。

【００３７】６）ｂ値の測定 得られたポリカーボネート樹脂ペレットを射出成形機
（日本製鋼所（株）製：日鋼アンカー Ｖ−１７−６５
型）を用い、シリンダー温度で３４０℃で可塑化後、厚
さ２ｍｍの５００ｍｍ板を成形した。その成形板を日本
電色（株）製の色差計を用いてｂ値を測定した。 ７）ＢＬＥＲの測定 得られたペレットを射出成形機［住友重機（株）製ＤＩ
ＳＫ３Ｍ III］で厚み１．２ｍｍ、１２０ｍｍφのＡ
ｌ付き基板に成形し、この基板を温度８０℃、相対湿度
８５％に制御した恒温恒湿槽に１０００時間保持し、そ
の後のＢＬＥＲをＢＬＥＲ測定器（ＳＯＮＹ製・ＣＤｐ
ｌａｙｅｒ ｃｏｎｎｔｒｏｌ ｕｎｉｔ ＣＤＳ−３
０００）により測定した。表１で示すＣ１ＡＶＥとはＣ
１エラー（Ｃ１コードで訂正出来るランダムエラー）の
１秒間あたりの平均値（個数）であり、値は小さい程よ
い。尚、処理前のＣ１ＡＶＥは全て０．０〜１．０の範
囲であった。 ８）湿熱処理後の白点数の測定 過酷な雰囲気下に長時間放置した時の白点の増加を再現
する為に、得られたペレットをディスク用成形機［住友
重機（株）製ＤＩＳＫ３Ｍ III］によりＤＶＤ−ｖｉ
ｄｅｏディスク用基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍ
ｍ）を成形し、そのディスクを温度８０℃、相対湿度８
５％に制御した恒温恒湿槽に１０００時間保持し、その
後偏光顕微鏡を用いて２０μｍ以上の白点の数を数え
た。これを２５枚の光学式ディスク基板（直径１２０ｍ
ｍ）について行い、その平均値を求め、これを白点個数
とした。白点個数は小さい程よい。 ９）耐加水分解性 ペレットを１２０℃の熱水にて１１時間処理し、処理前
後の粘度平均分子量の比（％）で表わした。 １０）接触角の測定 得られたペレットを射出成形機で半導体ウエハー用収納
搬送容器を成形し、該容器に半導体８インチウエハー５
枚を挿入し、密閉容器内で１週間常温保持した後、半導
体ウエハーを取り出し、半導体ウエハー１枚につき表面
５ヶ所の水とウエハー表面との接触角を測定し、その平
均値を示した。尚、処理前の接触角は全て３．５〜４．
０°の範囲であった。この接触角が大きくなると半導体
の不良率が高くなる。

【００３８】［一酸化炭素の製造］本発明の比較例及び
実施例で用いる一酸化炭素は次の方法で製造した。

【００３９】１）コークスと酸素を反応させて得られた
ガスをか性ソーダ水溶液に接触せしめ、次いで活性アル
ミナに接触させて硫黄化合物８ｐｐｍ、１００ｐｐｍの
２水準の一酸化炭素を得た。

【００４０】２）コークスと酸素を反応させて得られた
ガスを転化触媒（Ｃｕ塩、Ｃｒ塩、Ｖ塩を添着した活性
炭）に接触せしめた後、か性ソーダ水溶液に接触せし
め、次いで活性アルミナに接触させて、硫黄化合物含有
量８ｐｐｍ、２．２ｐｐｍ、硫黄化合物検出されない
（ＮＤ）の３水準の一酸化炭素を得た。

【００４１】［比較例１］ （Ａ）反応熱を除去する機能を有した多管式反応槽のシ
ェル側に１０℃の冷水を通水し、チューブ側に活性炭１
５ｋｇと直径３ｍｍのガラス玉の混合物を充填した第１
反応槽、多管式反応槽のシェル側に１０℃の冷水を通水
し、チューブ側に活性炭２５ｋｇと直径３ｍｍのガラス
玉の混合物を充填した第２反応槽、多管式反応槽のシェ
ル側に１０℃の冷水を通水し、チューブ側に活性炭３
７．５ｋｇと直径３ｍｍのガラス玉の混合物を充填した
第３反応槽、多管式反応槽のシェル側に１０℃の冷水を
通水し、チューブ側に活性炭５０ｋｇを充填した第４反
応槽（４基同じ容積）と第４反応槽の後に金属アンチモ
ン充填槽及び−２５℃のブラインを通液したコンデンサ
ーと重量測定装置を付設した液化ホスゲン貯槽を設け、
これらの装置を直列に接続し、第１反応槽から、ＣＯ／
Ｃｌ２のモル比１．０１５になるように硫黄化合物含有
量１００ｐｐｍのＣＯ１０．１５Ｎｍ³／ＨｒとＣｌ２
ガス１０．００Ｎｍ³／Ｈｒを通気して液化ホスゲンを
得た。その結果を表-１に示す （Ｂ）温度計、撹拌機及び還流冷却器付き反応器にイオ
ン交換水２１９．４部、４８％水酸化ナトリウム水溶液
４０．２部を仕込み、これに２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン５７．５部（０．２５２モル）
およびハイドロサルファイト０．１２部を溶解した後、
塩化メチレン１８１部を加え、撹拌下１５〜２５℃で上
記ホスゲン２８．３部を４０分要して吹込んだ。ホスゲ
ン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液７．
２部およびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２．４２部
を加え、撹拌を始め、乳化後トリエチルアミン０．０６
部を加え、さらに２８〜３３℃で１時間撹拌して反応を
終了した。反応終了後生成物を塩化メチレンで希釈して
水洗した後塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオ
ン交換水と殆ど同じになったところで、軸受け部に異物
取出口を有する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレ
ンを蒸発して、粘度平均分子量１５，１００のポリカー
ボネート樹脂パウダーを得た。このパウダーを１４５
℃、６時間乾燥し、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）ホスファイトを０．００４重量％、ステ
アリン酸モノグリセリドを０．０６重量％加えた。次
に、かかるパウダーをベント式二軸押出機［神戸製鋼
（株）製ＫＴＸ−４６］によりシリンダー温度２４０
℃、ベントガス吸引度−５ｍｍＨｇで脱気しながら溶融
混練し、ペレットを得た。このペレットを用いて評価し
た。その結果を表１に示す。

【００４２】［比較例２］ホスゲンを製造するにおい
て、金属アンチモン充填槽を通気しない方法に変更し、
（Ａ）ホスゲンを得た以外は比較例１と同じ方法で行っ
た。その結果を表１に示す。

【００４３】［比較例３］ホスゲンを製造するにおい
て、硫黄化合物１５ｐｐｍのＣＯを用い、且つ、ＣＯ／
Ｃｌ２モル比を１．０１５に、及び、金属アンチモン充
填槽を通気しない方法に変更し、（Ａ）ホスゲンを得た
以外は比較例１と同じ方法で行った。その結果を表１に
示す。

【００４４】［比較例４］ホスゲンを製造するにおい
て、硫黄化合物含有量１００ｐｐｍのＣＯを用い、且つ
金属アンチモン充填槽を通気しない方法で（Ａ）ホスゲ
ンを得、及び、（Ｂ）ポリカーボネート樹脂を製造する
工程において、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを１．
５５部に変更した以外は比較例２と同じ方法で行った。
その結果を表２に示す。

【００４５】［実施例１］ （Ａ）反応熱を除去する機能を有した多管式反応槽のシ
ェル側に１０℃の冷水を通水し、チューブ側に活性炭１
５ｋｇと直径３ｍｍのガラス玉の混合物を充填した第１
反応槽、多管式反応槽のシェル側に１０℃の冷水を通水
し、チューブ側に活性炭２５ｋｇと直径３ｍｍのガラス
玉の混合物を充填した第２反応槽、多管式反応槽のシェ
ル側に１０℃の冷水を通水し、チューブ側に活性炭３
７．５ｋｇと直径３ｍｍのガラス玉の混合物を充填した
第３反応槽、多管式反応槽のシェル側に１０℃の冷水を
通水し、チューブ側に活性炭５０ｋｇを充填した第４反
応槽（４基同じ容積）と第４反応槽の後に金属アンチモ
ン充填槽及び−２５℃のブラインを通液したコンデンサ
ーと重量測定装置を付設した液化ホスゲン貯槽を設け、
これらの装置を直列に接続し、第１反応槽から、ＣＯ／
Ｃｌ２のモル比１．０４０になるように硫黄化合物含有
量８ｐｐｍのＣＯ１０．４０Ｎｍ³／ＨｒとＣｌ２ガス
１０．００Ｎｍ³／Ｈｒを通気して液化ホスゲンを得
た。

【００４６】（Ｂ）この液化ホスゲンを用いた以外は比
較例１と同じ方法で行い、ペレットを得た。このペレッ
トを用いて評価した。その結果を表１に示す。

【００４７】［実施例２］ホスゲンを製造するにおい
て、硫黄化合物含有量８ｐｐｍのＣＯガスに、金属アン
チモン充填槽を通気しない方法に変更し、（Ａ）液化ホ
スゲンを得た以外は実施例１と同じ方法で行った。その
結果を表１に示す。

【００４８】［実施例３］ホスゲンを製造する工程にお
いて、硫黄化合物含有量２．２ｐｐｍのＣＯガスに変更
し、（Ａ）液化ホスゲンを得た以外は実施例２と同じ方
法で行った。その結果を表１に示す。

【００４９】［実施例４］ホスゲンを製造する工程にお
いて、硫黄化合物の検出されないＣＯガスに変更し、
（Ａ）液化ホスゲンを得た以外は実施例１と同じ方法で
行った。その結果を表１に示す。

【００５０】［実施例５］ （Ｂ）ポリカーボネート樹脂を製造する工程において、
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを１．５５部に変更し
た以外は実施例３と同じ方法で行った。その結果を表２
に示す。

【００５１】

【表１】

【００５２】

【表２】

【００５３】

【発明の効果】特に、レーザ光の照射により情報の記録
・再生をおこなう光ディスク、即ち光磁気ディスク、各
種追記型ディスク、デジタルオーディオディスク（いわ
ゆるコンパクトディスク）、光学式ビデオディスク（い
わゆるレーザディスク）などの光ディスク基板、その中
でもデジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ−ＲＯＭ、
ＤＶＤ−ｖｉｄｅｏ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等）
やより高密度の光ディスク用の基板の材料に好適であ
る。また、シリコンウエハー及び電気・電子機器等の精
密機器収納容器、特にシリコンウエハーの収納容器に好
適である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小原 陽一 東京都千代田区内幸町１丁目２番２号 帝 人化成株式会社内 Ｆターム(参考） 4J029 AA09 AB04 AB05 AC01 AD10 BB04A BB05A BB10A BB12A BB13A HB02 HC01 KA02 KA03

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 硫黄化合物含有量１０ｐｐｍ以下の一酸
   化炭素を用いて製造されたホスゲンを原料に用いてポリ
   カーボネート樹脂を製造する方法において、硫黄化合物
   が５ｐｐｍ以下及び塩素分子１０００ｐｐｂ以下のホス
   ゲンを用いることを特徴とするポリカーボネート樹脂の
   製造方法。
2. 【請求項２】 ホスゲンを原料に用いて製造したポリカ
   ーボネート樹脂において、硫黄化合物の硫黄原子が１０
   ０ｐｐｂ以下及び揮発性塩素１００ｐｐｂ以下含有する
   ことを特徴とするポリカーボネート樹脂。