JP2000230856A - Semiconductor optical sensor device - Google Patents

Semiconductor optical sensor device

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JP2000230856A
JP2000230856A JP11346113A JP34611399A JP2000230856A JP 2000230856 A JP2000230856 A JP 2000230856A JP 11346113 A JP11346113 A JP 11346113A JP 34611399 A JP34611399 A JP 34611399A JP 2000230856 A JP2000230856 A JP 2000230856A
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semiconductor optical
housing
sensor chip
transparent
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晶雄 泉
Nobuo Hirata
伸生 平田
Hajime Mimura
肇 深村
Osamu Sugiyama
治 杉山
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体光センサデバイスの温度変化に対する安
定性を安価な構成で向上させるとともに光学特性の劣化
及び変動を防止して、長寿命化と信頼性の向上をともに
可能とする半導体光センサデバイスを提供する。 【解決手段】底部に開放部を有するように半導体光セン
サチップ1が固定される筐体2と、筐体2の内部に充填
されて半導体光センサチップ1の上面を覆うとともに筐
体1の開放部で膨張または収縮による体積変化を逃げる
透明シリコンゲル7などの透明充填剤と、透明充填剤を
介して半導体光センサチップ1の上方に設けられ、か
つ、筐体2に接着または溶着される透明板5と、半導体
光センサチップ1上で結像する位置で透明板5に接着ま
たは溶着されるレンズ部6とを備え、レンズ部、透明板
および筐体は同一の材料や熱膨張率が略等しい材料によ
り成形される。
[PROBLEMS] To improve the stability of a semiconductor optical sensor device against temperature changes with an inexpensive configuration, prevent deterioration and fluctuation of optical characteristics, and achieve both long life and improved reliability. To provide a semiconductor optical sensor device. A semiconductor optical sensor chip is fixed to have an opening at the bottom, and a housing is filled with the semiconductor optical sensor chip to cover the upper surface of the semiconductor optical sensor chip and open the housing. A transparent filler such as a transparent silicon gel 7 which escapes a volume change due to expansion or contraction at the portion, and a transparent filler which is provided above the semiconductor optical sensor chip 1 via the transparent filler and is adhered or welded to the housing 2. A plate 5 and a lens portion 6 adhered or welded to the transparent plate 5 at a position where an image is formed on the semiconductor optical sensor chip 1. The lens portion, the transparent plate, and the housing have substantially the same material and substantially the same thermal expansion coefficient. Molded with equal material.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体光センサチ
ップが実装される半導体光センサデバイスに関する。
The present invention relates to a semiconductor optical sensor device on which a semiconductor optical sensor chip is mounted.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、CCD(Charge Coupled Devic
e)、あるいは、MOS(Metal OxideSemiconductor)
のような半導体光センサデバイスは、セラミック外囲器
に封止された実装形態で用いられている。そして半導体
光センサチップはガラス非球面レンズにより結ばれた像
を検知する。図20(a)、図21(a)、図22
(a)は、セラミック外囲器にパッケージングされ、非
球面レンズが組み合わされた従来のCCD画像センサを
示す平面図であり、図20(b)、図21(b)、図2
2(b)は、各々のS−S断面図、T−T断面図、U−
U断面図である。この場合、光センサはCCD画像セン
サやMOS画像センサの他フォトダイオード、赤外線セ
ンサなど他の光センサでも良い。
2. Description of the Related Art Conventionally, a CCD (Charge Coupled Device) has been used.
e) or MOS (Metal Oxide Semiconductor)
Semiconductor optical sensor devices such as described above are used in a mounting form sealed in a ceramic envelope. The semiconductor optical sensor chip detects an image formed by the glass aspherical lens. 20 (a), 21 (a), 22
(A) is a plan view showing a conventional CCD image sensor packaged in a ceramic envelope and combined with an aspheric lens, and is shown in FIGS. 20 (b), 21 (b) and 2
2 (b) is a cross-sectional view of each of SS, TT, and U-
It is U sectional drawing. In this case, the optical sensor may be a CCD image sensor, a MOS image sensor, or another optical sensor such as a photodiode or an infrared sensor.

【0003】図20(a),(b)に示された半導体光
センサデバイスは、検出部と光学部とを備えている。検
出部としては、半導体光センサチップ111がダイボン
ディングされるセラミック製の外囲器112、収容され
る半導体光センサチップ111の内部端子に対応してパ
ターニングされ、リードピン機能も兼ね備えるリードフ
レーム113、半導体光センサチップ111の各内部端
子とリードフレーム113とを接続するボンディングワ
イヤ114、外囲器112の開口部端面に図示しない低
融点ガラスまたは接着剤115によって固着される透明
板116から構成される。
[0005] The semiconductor optical sensor device shown in FIGS. 20A and 20B includes a detection unit and an optical unit. The detection unit includes a ceramic envelope 112 to which the semiconductor optical sensor chip 111 is die-bonded, a lead frame 113 that is patterned corresponding to the internal terminals of the semiconductor optical sensor chip 111 to be accommodated, and also has a lead pin function, It is composed of a bonding wire 114 connecting each internal terminal of the optical sensor chip 111 and the lead frame 113, and a transparent plate 116 fixed to an end face of the opening of the envelope 112 with low melting point glass or an adhesive 115 (not shown).

【0004】この外囲器112の底面部に収容されてい
る半導体光センサチップ111は、透明板116により
封止されている。この外囲器112と透明板116とに
より封止された内部には図示しない透明充填剤が充填さ
れているか、ガスが充填されて中空であるか何れかであ
る。そしてこの検出部はリードフレーム113をはんだ
付けすることでプリント基板117に固定される。
The semiconductor optical sensor chip 111 housed in the bottom of the envelope 112 is sealed by a transparent plate 116. The interior sealed by the envelope 112 and the transparent plate 116 is either filled with a transparent filler (not shown) or filled with gas and hollow. The detection unit is fixed to the printed circuit board 117 by soldering the lead frame 113.

【0005】また、光学部としては、ガラス非球面レン
ズ118、このガラス非球面レンズ118の結ぶ像が半
導体光センサチップ111上となる位置に決定し、か
つ、接着剤119によりプリント基板117に固定され
るレンズ固定フレーム120、このレンズ固定フレーム
120にガラス非球面レンズ118を固定するレンズ押
さえ金具121から構成される。
The optical part is a glass aspherical lens 118, a position where an image formed by the glass aspherical lens 118 is on the semiconductor optical sensor chip 111, and is fixed to the printed circuit board 117 by an adhesive 119. The lens fixing frame 120 includes a lens holding metal fitting 121 for fixing the glass aspherical lens 118 to the lens fixing frame 120.

【0006】上記の構成からなる半導体光センサデバイ
スは、ガラス非球面レンズ118が結ぶ像を、透明板1
16を介して、半導体光センサチップ111上で検知
し、それによる信号をリードフレーム113を介して出
力することにより画像センサとして機能するものであ
る。
[0006] In the semiconductor optical sensor device having the above configuration, the image formed by the glass aspherical lens 118 is formed by the transparent plate 1.
By detecting the signal on the semiconductor optical sensor chip 111 via the semiconductor light sensor chip 16 and outputting the signal via the lead frame 113 via the lead frame 113, the device functions as an image sensor.

【0007】また、図21(a),(b)に示される半
導体光センサデバイスは、図20(a),(b)を用い
て説明した半導体光センサデバイスのうち光学部のみが
異なっている。光学部としては、ガラス非球面レンズ1
18、このガラス非球面レンズ118の結ぶ像が半導体
光センサチップ111上となる位置に決定し、かつ、フ
レーム固定支柱122とネジ123によりプリント基板
117に固定されるレンズ固定フレーム124、このレ
ンズ固定フレーム124にガラス非球面レンズ118を
固定するレンズ押さえ金具125から構成される。
The semiconductor optical sensor devices shown in FIGS. 21A and 21B are different from the semiconductor optical sensor devices described with reference to FIGS. 20A and 20B only in the optical part. . The optical part includes a glass aspherical lens 1
18. A lens fixing frame 124 which determines an image formed by the glass aspheric lens 118 on the semiconductor optical sensor chip 111 and is fixed to the printed circuit board 117 by frame fixing columns 122 and screws 123. The frame 124 includes a lens holder 125 for fixing the glass aspherical lens 118 to the frame 124.

【0008】また、図22(a),(b)に示される半
導体光センサデバイスは、図20(a),(b)を用い
て説明した半導体光センサデバイスのうち光学部が異な
るとともに検出部と光学部が一体に構成されている。光
学部としては、ガラス非球面レンズ118、このガラス
非球面レンズ118を載置するレンズ固定フレーム12
6、このレンズ固定フレーム126を検出部の透明板1
16に固定する接着剤127、ガラス非球面レンズ11
8を固定するレンズ押さえ金具128により構成され
る。このときガラス非球面レンズ118の結ぶ像は半導
体光センサチップ111上となるように、焦点位置を考
慮してガラス非球面レンズ118の位置が決定される。
The semiconductor optical sensor device shown in FIGS. 22A and 22B differs from the semiconductor optical sensor device described with reference to FIGS. And the optical unit are integrally formed. The optical part includes a glass aspherical lens 118 and a lens fixing frame 12 on which the glass aspherical lens 118 is mounted.
6. This lens fixing frame 126 is attached to the transparent plate 1 of the detecting section.
Adhesive 127 fixed to 16, glass aspherical lens 11
The lens holding member 128 fixes the lens 8. At this time, the position of the glass aspherical lens 118 is determined in consideration of the focal position so that the image formed by the glass aspherical lens 118 is on the semiconductor optical sensor chip 111.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】これら従来技術の半導
体光センサデバイスでは、半導体光センサチップ111
を収容した外囲器112の中空状態の内部にガスを封止
する場合、封止したガスの状態によっては半導体光セン
サチップ111の表面またはボンディングワイヤ114
に劣化を生じるため、外囲器112の内部に不活性ガス
を充填しなければならず、製造に手間がかかる。また不
活性ガスを用いたとしても温度、湿度条件を厳密に制御
しなければ特性の低下を回避できない。更に、不活性ガ
スの充填後はガスのリーク検査を行わなければならない
ので、コストが高くなるという問題があった。
In these conventional semiconductor optical sensor devices, the semiconductor optical sensor chip 111
When the gas is sealed in the hollow state of the envelope 112 containing the gas, the surface of the semiconductor optical sensor chip 111 or the bonding wire 114 is depending on the state of the sealed gas.
Therefore, it is necessary to fill the inside of the envelope 112 with an inert gas, which requires much time and effort for manufacturing. Even if an inert gas is used, deterioration of the characteristics cannot be avoided unless temperature and humidity conditions are strictly controlled. Furthermore, after filling with an inert gas, a gas leak inspection has to be performed, so that there is a problem that the cost increases.

【0010】また、半導体光センサチップ111を収容
した外囲器112の内部に図示しない透明充填剤を充填
して半導体光センサチップ111の保護及び外囲器11
2の封止を行っている場合は、外囲器112の周囲温度
及び外囲器内部の温度の変化によりこの透明充填剤が膨
張または収縮し、これが原因で外囲器112と透明充填
剤との界面で剥離が発生したり、透明充填剤の内部に気
泡が発生し、場合によってはボンディングワイヤ114
が切断されるという問題があった。更に、温度変化によ
る透明充填剤の膨張または収縮により、透明板116の
上面から半導体光センサチップ111の表面までの距離
が変化し、光学特性が変動する問題もあった。
Further, a transparent filler (not shown) is filled in the envelope 112 accommodating the semiconductor optical sensor chip 111 to protect the semiconductor optical sensor chip 111 and to protect the envelope 11.
2, the transparent filler expands or contracts due to changes in the ambient temperature of the envelope 112 and the temperature inside the envelope, and as a result, the envelope 112 and the transparent filler May occur at the interface of the transparent wire, bubbles may be generated inside the transparent filler, and in some cases, the bonding wire 114
There was a problem that was disconnected. Furthermore, the distance from the upper surface of the transparent plate 116 to the surface of the semiconductor optical sensor chip 111 changes due to expansion or contraction of the transparent filler due to a temperature change, and there is a problem that optical characteristics fluctuate.

【0011】さらに、従来のCCDおよびMOS撮像素
子では、温度変化による焦点位置の変動を抑えるために
セラミック製の筐体とガラス非球面レンズを組み合わせ
て製造している。図20、図21および図22に示すよ
うに、レンズ固定フレーム120,124,126に1
枚または複数枚のガラス非球面レンズ118を載置し、
金属製のレンズ押さえ金具121,125,128を用
いて固定していた。このため、光学系の製造コストおよ
び製作の手間がかかるものとなっていた。
Further, conventional CCD and MOS imaging devices are manufactured by combining a ceramic housing and a glass aspherical lens in order to suppress a change in a focal position due to a temperature change. As shown in FIGS. 20, 21, and 22, one is attached to the lens fixing frames 120, 124, and 126.
Place one or more glass aspheric lenses 118,
The lens was fixed using metal lens holders 121, 125, and 128. For this reason, the manufacturing cost of the optical system and the time and effort for manufacturing it have been increased.

【0012】また、光学系のコストを下げるために、撮
像素子の筐体として絶縁体であるプラスチックパッケー
ジを、また、レンズとしてプラスチックの非球面レンズ
を用いて製造したものは、透明充填剤の膨張または収縮
に応じて外囲器112も膨張または収縮し、温度変化に
よる焦点位置の変動がさらに大きくなり、鮮明な画像を
得ることが難しいという問題があった。
Further, in order to reduce the cost of the optical system, a plastic package which is an insulator as a housing of an image pickup device and a plastic aspherical lens is used as a lens, the expansion of a transparent filler. Alternatively, the envelope 112 expands or contracts in accordance with the contraction, and the fluctuation of the focal position due to the temperature change becomes further large, so that it is difficult to obtain a clear image.

【0013】上記課題を解決するために、本発明は、半
導体光センサデバイスの温度変化に対する安定性を安価
な構成で向上させるとともに光学特性の劣化及び変動を
防止して、長寿命化と信頼性の向上をともに可能とする
半導体光センサデバイスを提供するものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention improves the stability of a semiconductor optical sensor device against a temperature change with an inexpensive structure, prevents deterioration and fluctuation of optical characteristics, and increases the service life and reliability. It is intended to provide a semiconductor optical sensor device capable of improving both.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1記載の発明は、絶縁材料を用いて底部に開
放部を有するように構成される筐体と、前記筐体の内部
から外部へ引き出される配線部材と、前記筐体に固定さ
れる半導体光センサチップと、前記半導体光センサチッ
プ表面に設けられた端子と前記配線部材とを電気的に接
続する接続手段と、前記筐体の内部に充填されて半導体
光センサチップの上面を覆うとともに前記筐体の開放部
で膨張または収縮による体積変化を逃げる透明充填剤
と、前記透明充填剤を介して前記半導体光センサチップ
の上方に設けられ、かつ、前記筐体に接着または溶着さ
れる透明板と、前記半導体光センサチップ上で結像する
位置で前記透明板に接着または溶着されるレンズ部と、
を備えた半導体光センサデバイスであって、前記レンズ
部、前記透明板および前記筐体は同一の材料または熱膨
張率が略等しい材料により成形されることを特徴とす
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a housing configured to have an opening at a bottom using an insulating material, and a housing having an opening at a bottom. A wiring member drawn out, a semiconductor optical sensor chip fixed to the housing, connection means for electrically connecting a terminal provided on the surface of the semiconductor optical sensor chip to the wiring member, and the housing And a transparent filler that covers the upper surface of the semiconductor optical sensor chip and that escapes a volume change due to expansion or contraction at the open portion of the housing, and that over the semiconductor optical sensor chip via the transparent filler. Provided, and a transparent plate that is bonded or welded to the housing, and a lens unit that is bonded or welded to the transparent plate at a position where an image is formed on the semiconductor optical sensor chip,
Wherein the lens portion, the transparent plate, and the housing are formed of the same material or a material having substantially equal coefficients of thermal expansion.

【0015】また、請求項2記載の発明は、絶縁材料を
用いて底部に開放部を有するように構成される筐体と、
前記筐体の内部から外部へ引き出される配線部材と、前
記筐体に固定される半導体光センサチップと、前記半導
体光センサチップ表面に設けられた端子と前記配線部材
とを電気的に接続する接続手段と、前記筐体の内部に充
填されて半導体光センサチップの上面を覆うとともに前
記筐体の開放部で膨張または収縮による体積変化を逃げ
る透明充填剤と、前記透明充填剤を介して前記半導体光
センサチップの上方に設けられ、かつ、前記半導体光セ
ンサチップ上で結像する位置で前記筐体に接着または溶
着されるレンズ部と、を備えた半導体光センサデバイス
であって、前記レンズ部および前記筐体は同一の材料ま
たは熱膨張率が略等しい材料により成形されることを特
徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a housing configured to have an opening at the bottom using an insulating material;
A wiring member extending from the inside of the housing to the outside, a semiconductor optical sensor chip fixed to the housing, and a connection for electrically connecting a terminal provided on the surface of the semiconductor optical sensor chip to the wiring member Means, a transparent filler filled in the housing to cover the upper surface of the semiconductor optical sensor chip and escape a volume change due to expansion or contraction at an open portion of the housing, and the semiconductor via the transparent filler. A lens portion provided above the optical sensor chip and bonded or welded to the housing at a position where an image is formed on the semiconductor optical sensor chip, wherein the lens portion And the casing is formed of the same material or a material having substantially the same coefficient of thermal expansion.

【0016】また、請求項3記載の発明は、絶縁材料を
用いて底部に開放部を有するように構成される筐体と、
前記筐体の内部から外部へ引き出される配線部材と、前
記筐体に固定される半導体光センサチップと、前記半導
体光センサチップ表面に設けられた端子と前記配線部材
とを電気的に接続する接続手段と、前記筐体の内部に充
填されて半導体光センサチップの上面を覆うとともに前
記筐体の開放部で膨張または収縮による体積変化を逃げ
る透明充填剤と、前記透明充填剤の膨張または収縮によ
る体積変化を逃げるための開放部を形成しつつ前記半導
体光センサチップの上方に前記透明充填剤を介して配置
され、前記筐体に設けられた支柱に接着または溶着され
る透明板と、前記半導体光センサチップ上で結像する位
置で前記透明板に接着または溶着されるレンズ部と、を
備えた半導体光センサデバイスであって、前記レンズ
部、前記透明板および前記筐体は同一の材料または熱膨
張率が略等しい材料により成形されることを特徴とす
る。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a housing configured to have an opening at the bottom using an insulating material;
A wiring member extending from the inside of the housing to the outside, a semiconductor optical sensor chip fixed to the housing, and a connection for electrically connecting a terminal provided on the surface of the semiconductor optical sensor chip to the wiring member A transparent filler that fills the inside of the housing to cover the upper surface of the semiconductor optical sensor chip and that escapes a volume change due to expansion or contraction at an open portion of the housing; and a transparent filler that expands or contracts. A transparent plate which is disposed above the semiconductor optical sensor chip via the transparent filler while forming an open portion for escaping a volume change, and which is adhered or welded to a support provided on the housing; and A lens unit adhered or welded to the transparent plate at a position where an image is formed on the optical sensor chip, wherein the lens unit, the transparent plate and The housing is characterized in that the same material or thermal expansion coefficient is formed by a substantially equal material.

【0017】また、請求項4記載の発明は、絶縁材料を
用いて底部に開放部を有するように構成される筐体と、
前記筐体の内部から外部へ引き出される配線部材と、前
記筐体に固定される半導体光センサチップと、前記半導
体光センサチップ表面に設けられた端子と前記配線部材
とを電気的に接続する接続手段と、前記筐体の内部に充
填されて半導体光センサチップの上面を覆うとともに前
記筐体の開放部で膨張または収縮による体積変化を逃げ
る透明充填剤と、前記透明充填剤の膨張または収縮によ
る体積変化を逃げるための開放部を形成しつつ前記半導
体光センサチップ上で結像する位置に前記透明充填剤を
介して配置され、前記筐体に設けられた支柱に接着また
は溶着されるレンズ部と、を備えた半導体光センサデバ
イスであって、前記レンズ部および前記筐体は同一の材
料または熱膨張率が略等しい材料により成形されること
を特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a housing configured to have an opening at the bottom using an insulating material;
A wiring member extending from the inside of the housing to the outside, a semiconductor optical sensor chip fixed to the housing, and a connection for electrically connecting a terminal provided on the surface of the semiconductor optical sensor chip to the wiring member A transparent filler that fills the inside of the housing to cover the upper surface of the semiconductor optical sensor chip and that escapes a volume change due to expansion or contraction at an open portion of the housing; and a transparent filler that expands or contracts. A lens portion which is disposed via the transparent filler at a position where an image is formed on the semiconductor optical sensor chip while forming an open portion for escaping a volume change, and which is adhered or welded to a support provided on the housing; Wherein the lens portion and the housing are formed of the same material or a material having a substantially equal coefficient of thermal expansion.

【0018】また、請求項5記載の発明は、絶縁材料を
用いて底部に開放部を有するように構成される筐体と、
前記筐体の内部から外部へ引き出される配線部材と、前
記筐体に固定される半導体光センサチップと、前記半導
体光センサチップ表面に設けられた端子と前記配線部材
とを電気的に接続する接続手段と、前記筐体の内部に充
填されて半導体光センサチップの上面を覆うとともに前
記筐体の開放部で膨張または収縮による体積変化を逃げ
る透明充填剤と、前記透明充填剤を介して前記半導体光
センサチップの上方に設けられ、前記半導体光センサチ
ップに入射する光線を制限し、前記筐体に接着または溶
着される絞り板と、前記半導体光センサチップ上で結像
する位置で前記筐体もしくは前記絞り板に接着または溶
着されるレンズ部と、を備えた半導体光センサデバイス
であって、前記レンズ部、前記透明板および前記筐体は
同一の材料または熱膨張率が略等しい材料により成形さ
れることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a housing configured to have an opening at the bottom using an insulating material;
A wiring member extending from the inside of the housing to the outside, a semiconductor optical sensor chip fixed to the housing, and a connection for electrically connecting a terminal provided on the surface of the semiconductor optical sensor chip to the wiring member Means, a transparent filler filled in the housing to cover the upper surface of the semiconductor optical sensor chip and escape a volume change due to expansion or contraction at an open portion of the housing, and the semiconductor via the transparent filler. An aperture plate that is provided above the optical sensor chip, restricts a light beam incident on the semiconductor optical sensor chip, and is adhered or welded to the housing, and the housing at a position where an image is formed on the semiconductor optical sensor chip. Or a lens unit adhered or welded to the diaphragm plate, wherein the lens unit, the transparent plate and the housing are made of the same material or Wherein the expansion ratio is formed by substantially the same material.

【0019】また、請求項6記載の発明は、請求項5に
記載の半導体光センサデバイスにおいて、前記レンズ部
は2個のレンズで1組をなすペアレンズが1組以上設け
られ、前記絞り板は前記1組以上のペアレンズの全ての
レンズの個数分の絞り穴が設けられていることを特徴と
する。
According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor optical sensor device according to the fifth aspect, the lens portion is provided with at least one pair of pairs of lenses, each pair comprising two lenses, and Are characterized in that aperture holes are provided for all the lenses of the one or more paired lenses.

【0020】また、請求項7記載の発明は、請求項1〜
請求項6の何れか1項に記載の半導体光センサデバイス
において、前記開放部の前記透明充填剤を覆う薄膜を設
けることを特徴とする。
[0020] Further, the invention according to claim 7 provides the invention according to claims 1 to
7. The semiconductor optical sensor device according to claim 6, wherein a thin film covering the transparent filler in the opening is provided.

【0021】また、請求項8記載の発明は、請求項1〜
請求項6の何れか1項に記載の半導体光センサデバイス
において、前記開放部の前記透明充填剤の表面にコーテ
ィングを施すことを特徴とする。
The invention described in claim 8 is the first invention.
The semiconductor optical sensor device according to claim 6, wherein a coating is applied to a surface of the transparent filler in the opening.

【0022】また、請求項9記載の発明は、請求項1〜
請求項6の何れか1項に記載の半導体光センサデバイス
において、前記開放部の前記透明充填剤を覆う保護板を
設けることを特徴とする。
The ninth aspect of the present invention is the first aspect of the present invention.
7. The semiconductor optical sensor device according to claim 6, further comprising a protection plate that covers the transparent filler in the opening.

【0023】また、請求項10記載の発明は、請求項1
〜請求項9の何れか1項に記載の半導体光センサデバイ
スにおいて、前記透明充填剤は透明シリコーンゲルであ
ることを特徴とする。
The invention according to claim 10 is the first invention.
The semiconductor optical sensor device according to any one of claims 1 to 9, wherein the transparent filler is a transparent silicone gel.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、図に沿って本発明の実施形
態を説明する。図1(a)は本発明の第1実施形態の平
面図、図1(b)は図1(a)のA−A断面図、図19
は各実施形態に共通する半導体光センサデバイスの外観
を説明する外観図である。本実施形態は請求項1に記載
した発明の実施形態に相当し、外観は図19(a)に示
すような外観を有している。図1(b)において、プラ
スチック筐体1の底部には、半導体光センサチップ2が
ボンディングされている。半導体光センサチップ2は、
CCD画像センサ、MOS画像センサ、フォトダイオー
ド、または赤外線センサ等であり、プラスチック筐体1
は、半導体光センサチップ2のボンディング部分とこの
ボンディング部分を支える部分とを除いて開放された構
造、つまり、開放部1a,1bを有する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1A is a plan view of the first embodiment of the present invention, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
FIG. 2 is an external view illustrating the external appearance of a semiconductor optical sensor device common to each embodiment. This embodiment corresponds to the embodiment of the invention described in claim 1, and has an appearance as shown in FIG. In FIG. 1B, a semiconductor optical sensor chip 2 is bonded to the bottom of a plastic housing 1. The semiconductor optical sensor chip 2
A plastic housing 1 such as a CCD image sensor, a MOS image sensor, a photodiode, or an infrared sensor;
Has an open structure except for a bonding portion of the semiconductor optical sensor chip 2 and a portion supporting the bonding portion, that is, has open portions 1a and 1b.

【0025】このプラスチック筐体1は、配線部材とし
てのリードフレーム3が内部から外部へ貫通している。
ボンディングされている半導体光センサチップ2の表面
の内部端子とリードフレーム3とは、接続手段であるボ
ンディングワイヤ4を介して接続されている。更に、プ
ラスチック筐体1の上面外縁部には、透明板5が接着ま
たは溶着により固着されている。透明板5は、板状であ
って、プラスチック筐体1の上側開口を完全に覆う広さ
を有するように形成される。
In the plastic housing 1, a lead frame 3 as a wiring member penetrates from inside to outside.
The internal terminals on the surface of the semiconductor optical sensor chip 2 to be bonded and the lead frame 3 are connected via bonding wires 4 as connecting means. Further, a transparent plate 5 is fixed to the outer edge of the upper surface of the plastic housing 1 by bonding or welding. The transparent plate 5 is formed in a plate shape and has an area that completely covers the upper opening of the plastic housing 1.

【0026】この透明板5の上面外縁部には、レンズ部
6が、接着または溶着により固着される。このレンズ部
6は、半導体光センサチップ2上で像を結ぶレンズ6a
が一体成形されている。これらプラスチック筐体1、透
明板5およびレンズ部6は、同一の材料か、または、略
同一の熱膨張率を有する材料を用いて構成されている。
なお、理由については後述する。
A lens portion 6 is fixed to the outer edge of the upper surface of the transparent plate 5 by bonding or welding. The lens unit 6 includes a lens 6 a for forming an image on the semiconductor optical sensor chip 2.
Are integrally formed. The plastic casing 1, the transparent plate 5, and the lens portion 6 are made of the same material or a material having substantially the same coefficient of thermal expansion.
The reason will be described later.

【0027】このプラスチック筐体1の内部には透明充
填剤としての透明シリコーンゲル7が充填され、この透
明シリコーンゲル7はプラスチック筐体1の底部の開放
部1a,1bにおいて外気に対し露出している。第1実
施形態では、プラスチック筐体1の内部が透明シリコー
ンゲル7で完全に満たされ、半導体光センサチップ2及
びボンディングワイヤ4は透明シリコーンゲル7で完全
に封止され、保護されている。従って、従来のように封
止に用いられるガス状態が半導体光センサチップに影響
することはなく、安定した特性を維持することができ
る。
The inside of the plastic casing 1 is filled with a transparent silicone gel 7 as a transparent filler, and the transparent silicone gel 7 is exposed to the outside air at the open portions 1a and 1b at the bottom of the plastic casing 1. I have. In the first embodiment, the inside of the plastic casing 1 is completely filled with the transparent silicone gel 7, and the semiconductor optical sensor chip 2 and the bonding wires 4 are completely sealed and protected by the transparent silicone gel 7. Therefore, the gas state used for sealing does not affect the semiconductor optical sensor chip as in the related art, and stable characteristics can be maintained.

【0028】また、第1実施形態では、プラスチック筐
体1の底面が開放部1a,1bによって開放されてお
り、透明シリコーンゲル7がこれらの開放部1a,1b
から露出した形態となっている。このため、温度変化に
より透明シリコーンゲル7が膨張または収縮してもプラ
スチック筐体1の開放部1a,1bで露出する透明シリ
コーンゲル7が上下し、透明シリコーンゲル7の温度変
化による体積変動を吸収する。従って、透明充填剤によ
り筐体内部が完全に密封されている従来の構造のよう
に、充填剤の膨張、収縮に起因する、充填剤内部におけ
る気泡の発生や外気の吸引、充填剤と筐体との界面剥離
は発生せず、安定した特性を維持することができる。
In the first embodiment, the bottom surface of the plastic casing 1 is opened by the open portions 1a and 1b, and the transparent silicone gel 7 is formed by these open portions 1a and 1b.
It is in the form exposed from. Therefore, even if the transparent silicone gel 7 expands or contracts due to a temperature change, the transparent silicone gel 7 exposed at the open portions 1a and 1b of the plastic casing 1 moves up and down, and absorbs a volume change due to the temperature change of the transparent silicone gel 7. I do. Therefore, as in the conventional structure in which the inside of the housing is completely sealed by the transparent filler, generation of bubbles and suction of outside air inside the filler due to expansion and contraction of the filler, suction of the filler and the housing Interfacial peeling does not occur, and stable characteristics can be maintained.

【0029】更に、第1実施形態では、透明板5がプラ
スチック筐体1の上面に強固に固着されているので、筐
体内部の透明シリコーンゲル7が膨張または収縮して
も、透明板5の表面から半導体光センサチップ2の表面
までの距離を変えることはない。従って、透明シリコー
ンゲル7の体積変化が光学特性に影響することはない。
Furthermore, in the first embodiment, since the transparent plate 5 is firmly fixed to the upper surface of the plastic casing 1, even if the transparent silicone gel 7 inside the casing expands or contracts, the transparent plate 5 is The distance from the surface to the surface of the semiconductor optical sensor chip 2 is not changed. Therefore, the change in volume of the transparent silicone gel 7 does not affect the optical characteristics.

【0030】また、プラスチック筐体1、透明板5およ
びレンズ部6は同じ材料とするか、または、熱膨張率が
略等しい材料としたので、安価に構成することができ
る。また、例えば、温度が上昇するとこれらプラスチッ
ク筐体1、透明板5およびレンズ部6は一体となって膨
張するため、膨張前後の形状を比較すると、相似形状と
なっている。レンズ6aのレンズ径とレンズの厚さが大
きくなって曲率が変化するため焦点距離が長くなるが、
その分半導体光センサチップ2が載置されたプラスチッ
ク筐体1,透明板5も膨張するため、結果としてレンズ
6aの焦点距離を半導体光センサチップ2上に位置する
ように維持することができ、安定した特性を保つことが
できる。
Further, since the plastic casing 1, the transparent plate 5, and the lens portion 6 are made of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients, they can be formed at a low cost. Further, for example, when the temperature rises, the plastic housing 1, the transparent plate 5, and the lens portion 6 expand integrally, so that the shapes before and after expansion are similar to each other. Although the lens diameter of the lens 6a and the thickness of the lens become large and the curvature changes, the focal length becomes long.
The plastic housing 1 on which the semiconductor optical sensor chip 2 is mounted and the transparent plate 5 expand accordingly, so that the focal length of the lens 6a can be maintained at a position above the semiconductor optical sensor chip 2, Stable characteristics can be maintained.

【0031】この第1実施形態の半導体光センサデバイ
スの製造方法を以下に示す。金型に金属板(リードフレ
ーム3)を挿入し熱可塑性樹脂で射出成形したプラスチ
ック筐体1に半導体光センサチップ2をボンディング
し、そしてボンディングワイヤ4のボンディングを行な
い、透明板5をプラスチック筐体1に接着剤により接着
または溶剤、超音波等により溶着する。
A method for manufacturing the semiconductor optical sensor device according to the first embodiment will be described below. A metal plate (lead frame 3) is inserted into a mold, a semiconductor optical sensor chip 2 is bonded to a plastic housing 1 injection-molded with a thermoplastic resin, and bonding wires 4 are bonded. 1 is bonded by an adhesive or welded by a solvent, ultrasonic waves or the like.

【0032】更に、透明板5にレンズ部6を接着または
溶着する。このとき、プラスチック筐体1、透明板5お
よびレンズ部6は同じ材料とするか、または、熱膨張率
が略等しい材料としているので、接着または溶着が容易
である。その後、プラスチック筐体1を逆さにし底部の
開放部1a,1bより未硬化の透明シリコーンゲル7を
充填し、恒温槽に入れ透明シリコーンゲル7を熱硬化す
る。
Further, the lens portion 6 is bonded or welded to the transparent plate 5. At this time, since the plastic housing 1, the transparent plate 5, and the lens portion 6 are made of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients, adhesion or welding is easy. After that, the plastic housing 1 is turned upside down and the uncured transparent silicone gel 7 is filled from the bottom open portions 1a and 1b, and then put in a thermostat to thermally cure the transparent silicone gel 7.

【0033】プラスチック筐体1、透明板5およびレン
ズ部6が熱膨張または熱収縮したとしても、レンズ6a
の焦点位置が常に半導体光センサチップ2上に位置する
ようにでき、また、透明シリコーンゲル7は、底部の開
放部1a,1bにより膨張または収縮による体積の変動
を逃げ、安定した封止状態を維持する。温度変化の激し
い環境下にあっても、高い検出能力を持つ半導体光セン
サデバイスとすることができる。
Even if the plastic housing 1, the transparent plate 5, and the lens portion 6 thermally expand or contract, the lens 6a
Can be always positioned on the semiconductor optical sensor chip 2, and the transparent silicone gel 7 escapes the fluctuation of the volume due to expansion or contraction by the open portions 1a and 1b at the bottom, and achieves a stable sealed state. maintain. A semiconductor optical sensor device having a high detection capability can be obtained even in an environment where temperature changes are drastic.

【0034】なお、本実施形態のレンズ部6は円柱状に
形成されているものとして図1(a),(b)および図
19(a)で図示しているが、レンズ6の形状は円柱状
に限るものではなく、例えば、図19(b)で示すよう
に、板状・直方体の部材にレンズ6aを設けた構成とし
ても良い。このようにこれらレンズ部6の形状は適宜選
択される。後述する実施形態においても、円柱状のレン
ズ部または板状のレンズ部かを選択できる。
The lens portion 6 of the present embodiment is shown in FIGS. 1A, 1B and 19A as having a cylindrical shape, but the lens 6 has a circular shape. The configuration is not limited to a columnar shape, and for example, as shown in FIG. 19B, a configuration in which a lens 6a is provided on a plate-shaped or rectangular parallelepiped member may be used. Thus, the shapes of the lens portions 6 are appropriately selected. In an embodiment described later, a columnar lens unit or a plate-like lens unit can be selected.

【0035】図2(a)は第2実施形態の平面図、図2
(b)は図2(a)のB−B断面図である。本実施形態
も請求項1に記載した発明の実施形態に相当し、外観は
図19(a)に示すような外観を有している。本実施形
態は、第1実施形態に加えて、プラスチック筐体1の半
導体光センサチップ2のボンディング位置に金属ダイパ
ッド8を備えたものである。金属ダイパッド8は、半導
体光センサチップ2のパッケージの電位をグラウンドに
落としたり、または、半導体光センサチップ2とプラス
チック筐体1との接着性を良くするために挿入されるも
のである。
FIG. 2A is a plan view of the second embodiment, and FIG.
FIG. 2B is a sectional view taken along line BB of FIG. This embodiment also corresponds to the embodiment of the invention described in claim 1, and has an appearance as shown in FIG. In the present embodiment, in addition to the first embodiment, a metal die pad 8 is provided at a bonding position of the semiconductor optical sensor chip 2 of the plastic housing 1. The metal die pad 8 is inserted to lower the potential of the package of the semiconductor optical sensor chip 2 to the ground or to improve the adhesiveness between the semiconductor optical sensor chip 2 and the plastic housing 1.

【0036】なお、この金属ダイパッド8が配置される
プラスチック筐体1の部分には、開放部1cが形成され
ている。この開放部1cは、プラスチック筐体1の射出
成形時に射出される樹脂によって金属ダイパッド8が動
く事態を防止するためのピンが挿入される開放部であ
る。その他の構成は第1の実施形態と同一である。ま
た、板状・直方体状のレンズ部6を選択したならば図1
9(b)に示すような外観となる。このように構成して
も所定効果を得ることができる。
An opening 1c is formed in the portion of the plastic housing 1 where the metal die pad 8 is arranged. The opening 1c is an opening into which a pin for preventing the metal die pad 8 from being moved by the resin injected during the injection molding of the plastic housing 1 is inserted. Other configurations are the same as those of the first embodiment. If the plate-shaped or rectangular parallelepiped lens portion 6 is selected, FIG.
The appearance is as shown in FIG. 9 (b). Even with such a configuration, a predetermined effect can be obtained.

【0037】図3(a)は第3実施形態の平面図、図3
(b)は図3(a)のC−C断面図である。本実施形態
は請求項2に記載した発明の実施形態に相当し、外観は
図19(c)に示すような外観を有している。本実施形
態は、基本的には第1実施形態の半導体光センサデバイ
スから透明板5を除き、プラスチック筐体1にレンズ部
6を直接的に接着または溶着した半導体光センサデバイ
スとする。レンズ部6は、図19(c)に示すように、
板状・直方体状であって、プラスチック筐体1の開口を
完全に覆う大きさに形成される。そして、プラスチック
筐体1にレンズ部6を接着・溶着したとき、レンズ部6
のレンズ6aは、半導体光センサチップ2上で像を結ぶ
位置となるようにように構成される。さらに、プラスチ
ック筐体1およびレンズ部6は同じ材料とするか、また
は、熱膨張率が略等しい材料とする。
FIG. 3A is a plan view of the third embodiment, and FIG.
FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. This embodiment corresponds to the embodiment of the invention described in claim 2, and has an appearance as shown in FIG. The present embodiment is basically a semiconductor optical sensor device in which the transparent plate 5 is removed from the semiconductor optical sensor device of the first embodiment, and the lens unit 6 is directly bonded or welded to the plastic housing 1. As shown in FIG. 19C, the lens unit 6
It has a plate shape and a rectangular parallelepiped shape, and is formed in a size to completely cover the opening of the plastic housing 1. When the lens unit 6 is bonded and welded to the plastic housing 1, the lens unit 6
The lens 6a is configured to be at a position where an image is formed on the semiconductor optical sensor chip 2. Further, the plastic casing 1 and the lens portion 6 are made of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients.

【0038】プラスチック筐体1およびレンズ部6が熱
膨張または熱収縮したとしても、レンズ6aの焦点位置
は常に半導体光センサチップ2上に位置するようにする
ことができ、また、透明シリコーンゲル7は、底部の開
放部1a、開放部1bにより熱膨張または熱収縮による
体積の変動を逃げ、安定した封止状態を維持する。温度
変化の激しい環境下にあっても、高い検出能力を持つ半
導体光センサデバイスとすることができる。
Even if the plastic housing 1 and the lens portion 6 thermally expand or contract, the focal position of the lens 6a can always be located on the semiconductor optical sensor chip 2, and the transparent silicone gel 7 The opening portion 1a and the opening portion 1b at the bottom escape volume fluctuation due to thermal expansion or thermal contraction, and maintain a stable sealed state. A semiconductor optical sensor device having a high detection capability can be obtained even in an environment where temperature changes are drastic.

【0039】図4(a)は第4実施形態の平面図、図4
(b)は図4(a)のD−D断面図である。本実施形態
も請求項2に記載した発明の実施形態に相当し、外観は
図19(c)に示すような外観を有している。本実施形
態は、基本的には第3実施形態に加えて、プラスチック
筐体1の半導体光センサチップ2のボンディング位置に
金属ダイパッド8を備えた半導体光センサデバイスであ
る。そして、プラスチック筐体1およびレンズ部6は同
じ材料とするか、または、熱膨張率が略等しい材料とす
る。このような半導体光センサデバイスとしても本発明
の所定の効果を発揮する。
FIG. 4A is a plan view of the fourth embodiment, and FIG.
FIG. 4B is a sectional view taken along line DD of FIG. This embodiment also corresponds to the embodiment of the invention described in claim 2, and has an appearance as shown in FIG. This embodiment is basically a semiconductor optical sensor device including a metal die pad 8 at a bonding position of a semiconductor optical sensor chip 2 of a plastic housing 1 in addition to the third embodiment. Then, the plastic housing 1 and the lens portion 6 are made of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients. Such a semiconductor optical sensor device also exhibits the predetermined effects of the present invention.

【0040】図5(a)は第5実施形態の平面図、図5
(b)は図5(a)のE−E断面図である。本実施形態
も請求項2に記載した発明の実施形態に相当し、外観は
図19(d)に示すような外観を有している。本実施形
態は、基本的には第3実施形態の半導体光センサデバイ
スの板状・直方体状のレンズ部6に代えて円柱状のレン
ズ部6をプラスチック筐体1に直接に接着・溶着した半
導体光センサデバイスとする。図5(a)のハーフトー
ン部で示すように、透明シリコーンゲル7は、下側の開
放部1a,1bに加えて上側の開放部1dでも外気に曝
されている。
FIG. 5A is a plan view of the fifth embodiment, and FIG.
FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line EE of FIG. This embodiment also corresponds to the embodiment of the invention described in claim 2, and has an appearance as shown in FIG. The present embodiment is basically a semiconductor in which a columnar lens portion 6 is directly adhered and welded to the plastic housing 1 instead of the plate-shaped or rectangular parallelepiped lens portion 6 of the semiconductor optical sensor device of the third embodiment. An optical sensor device. As shown by the halftone portion in FIG. 5A, the transparent silicone gel 7 is exposed to the outside air not only at the lower open portions 1a and 1b but also at the upper open portion 1d.

【0041】レンズ部6のレンズ6aは半導体光センサ
チップ2上で像を結ぶように構成される。そして、プラ
スチック筐体1およびレンズ部6は同じ材料とするか、
または、熱膨張率が略等しい材料とする。プラスチック
筐体1およびレンズ部6が熱膨張または熱収縮したとし
ても、レンズ6aの焦点位置は常に半導体光センサチッ
プ2上に位置するようにすることができ、また、透明シ
リコーンゲル7は、底部の開放部1a,1b,1dによ
り熱膨張または熱収縮による体積の変動を逃げ、安定し
た封止状態を維持する。温度変化の激しい環境下にあっ
ても、高い検出能力を持つ半導体光センサデバイスとす
ることができる。また、本実施形態においても金属ダイ
パッド8を設けても良い。
The lens 6 a of the lens section 6 is configured to form an image on the semiconductor optical sensor chip 2. And whether the plastic housing 1 and the lens part 6 are made of the same material,
Alternatively, materials having substantially equal thermal expansion coefficients are used. Even if the plastic housing 1 and the lens unit 6 are thermally expanded or contracted, the focal position of the lens 6a can always be located on the semiconductor optical sensor chip 2, and the transparent silicone gel 7 The opening portions 1a, 1b, 1d of the first embodiment escape the volume fluctuation due to thermal expansion or thermal contraction, and maintain a stable sealed state. A semiconductor optical sensor device having a high detection capability can be obtained even in an environment where temperature changes are drastic. In this embodiment, the metal die pad 8 may be provided.

【0042】図6(a)は第6実施形態の平面図、図6
(b)は図6(a)のF−F断面図である。本実施形態
は、請求項3に記載した発明の実施形態に相当する。本
実施形態の半導体光センサデバイスのプラスチック筐体
1は、上面と半導体光センサチップ2のボンディング位
置とそれを支える部分を除いた底面との2面が開放され
た構造となっている。このプラスチック筐体1は、その
内周面の二面から内側に向けて突設された透明板固定支
柱9を備えている。
FIG. 6A is a plan view of the sixth embodiment, and FIG.
FIG. 7B is a sectional view taken along line FF of FIG. This embodiment corresponds to the embodiment of the invention described in claim 3. The plastic housing 1 of the semiconductor optical sensor device of the present embodiment has a structure in which two surfaces, an upper surface, a bonding position of the semiconductor optical sensor chip 2 and a bottom surface excluding a portion supporting the bonding position, are opened. The plastic housing 1 includes a transparent plate fixing column 9 projecting inward from two inner peripheral surfaces.

【0043】このプラスチック筐体1は、リードフレー
ム3が内部から外部へ貫通している。また、プラスチッ
ク筐体1の底部は半導体光センサチップ2がボンディン
グされている。ボンディングされている半導体光センサ
チップ2表面の内部端子とリードフレーム3とはボンデ
ィングワイヤ4を介して接続されている。このプラスチ
ック筐体1の内部は透明シリコーンゲル7で充填され、
更にこの透明シリコーンゲル7の表面には透明板5が透
明板固定支柱9によりプラスチック筐体1に支持され
る。そして透明板5の外周には、図6(a)のハーフト
ーン部で示すように、開放部1dが構成され、透明シリ
コーンゲル7が外気に曝される。
In this plastic housing 1, a lead frame 3 penetrates from inside to outside. A semiconductor optical sensor chip 2 is bonded to the bottom of the plastic housing 1. The internal terminals on the surface of the semiconductor optical sensor chip 2 to be bonded and the lead frame 3 are connected via bonding wires 4. The inside of the plastic casing 1 is filled with a transparent silicone gel 7,
Further, on the surface of the transparent silicone gel 7, a transparent plate 5 is supported by the plastic housing 1 by a transparent plate fixing support 9. 6A, an open portion 1d is formed on the outer periphery of the transparent plate 5, and the transparent silicone gel 7 is exposed to the outside air.

【0044】この場合、透明板5はプラスチック筐体1
に直接に接することなく、透明シリコーンゲル7表面に
透明板5の底面が接する状態である。更に、透明板5の
上側外縁部にもレンズ部6が、接着または溶着により固
定される。このレンズ部6は、半導体光センサチップ2
上で像を結ぶレンズ6aが一体成形されている。
In this case, the transparent plate 5 is a plastic casing 1
In this state, the bottom surface of the transparent plate 5 contacts the surface of the transparent silicone gel 7 without directly contacting the transparent silicone gel 7. Further, the lens portion 6 is fixed to the upper outer edge of the transparent plate 5 by bonding or welding. The lens unit 6 is provided with the semiconductor optical sensor chip 2
A lens 6a for forming an image above is integrally formed.

【0045】第6実施形態では、プラスチック筐体1の
内部が透明シリコーンゲル7で完全に満たされ、半導体
光センサチップ2及びボンディングワイヤ4は透明シリ
コーンゲル7で完全に封止され、保護されている。従っ
て、従来のように封止に用いられるガス状態が半導体チ
ップに影響することはなく、安定した特性を維持するこ
とができる。
In the sixth embodiment, the inside of the plastic casing 1 is completely filled with the transparent silicone gel 7, and the semiconductor optical sensor chip 2 and the bonding wires 4 are completely sealed and protected by the transparent silicone gel 7. I have. Therefore, the gas state used for sealing does not affect the semiconductor chip as in the related art, and stable characteristics can be maintained.

【0046】また、第6実施形態では、プラスチック筐
体1の底面に加えて上面でも開放されており透明シリコ
ーンゲル7が露出した形態となっている。このため温度
変化により透明シリコーンゲル7が膨張または収縮して
もプラスチック筐体1の開放部1a,1b,1dで露出
するシリコーンゲルが上下し、透明シリコーンゲル7の
温度変化による体積変動を吸収する。従って、従来の透
明充填剤による密封構造のように充填剤の膨張または収
縮に起因する、充填剤内部の気泡の発生及び外気の吸
引、充填剤と筐体との界面剥離は発生せず、安定した特
性を維持することができる。
In the sixth embodiment, the plastic housing 1 is open not only on the bottom surface but also on the upper surface, so that the transparent silicone gel 7 is exposed. Therefore, even if the transparent silicone gel 7 expands or contracts due to a temperature change, the silicone gel exposed at the open portions 1a, 1b, 1d of the plastic casing 1 moves up and down, and absorbs a volume change due to the temperature change of the transparent silicone gel 7. . Therefore, unlike the sealing structure of the conventional transparent filler, the generation or generation of air bubbles inside the filler, the suction of outside air, and the separation of the interface between the filler and the housing due to the expansion or contraction of the filler do not occur, and are stable. Characteristics can be maintained.

【0047】更に、第6実施形態では、透明板5がプラ
スチック筐体1の内周面に取り付けられた透明板固定支
柱9によって支持されているので、筐体内部の透明シリ
コーンゲル7が膨張、収縮しても、透明板5の表面から
半導体光センサチップ2の表面までの距離は変わらな
い。また、プラスチック筐体1、透明板5およびレンズ
部6は同じ材料とするか、または、熱膨張率が略等しい
材料であるので、安価に構成できる。また、温度上昇に
よりプラスチック筐体1、透明板5およびレンズ部6が
膨張して焦点位置が伸びたとしても、レンズ6aも膨張
して焦点位置を伸ばし、半導体光センサチップ2上に焦
点位置を維持することができ、安定した特性を維持する
ことができる。従って、透明シリコーンゲル7の体積変
化が光学特性に影響することなく安定した特性を維持す
ることができる。
Further, in the sixth embodiment, since the transparent plate 5 is supported by the transparent plate fixing columns 9 attached to the inner peripheral surface of the plastic housing 1, the transparent silicone gel 7 inside the housing expands. Even if contracted, the distance from the surface of the transparent plate 5 to the surface of the semiconductor optical sensor chip 2 does not change. Further, since the plastic housing 1, the transparent plate 5, and the lens portion 6 are made of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients, they can be formed at low cost. Further, even if the plastic housing 1, the transparent plate 5, and the lens portion 6 expand due to a rise in temperature to extend the focal position, the lens 6a also expands to extend the focal position, and the focal position is placed on the semiconductor optical sensor chip 2. Can be maintained, and stable characteristics can be maintained. Therefore, stable characteristics can be maintained without the volume change of the transparent silicone gel 7 affecting the optical characteristics.

【0048】なお、第6実施形態においても、必要に応
じて、プラスチック筐体1の内側底部の半導体光センサ
チップ2のボンディング位置に金属ダイパッドを備える
ことが可能である。また、図示しないものの透明板固定
支柱9による支持に代えて透明板5を、図6(a)の上
下方向のみ(あるいは左右方向のみ)延長して開放部1
dを残しつつプラスチック筐体1に直接接着・溶着する
ことも可能である。これら構成は適宜設計される。ま
た、本実施形態のレンズ部6の形状は適宜選択され、円
柱状のレンズ部または板状のレンズ部かを選択できる。
In the sixth embodiment, if necessary, a metal die pad can be provided at the bonding position of the semiconductor optical sensor chip 2 on the inner bottom of the plastic housing 1. 6A, the transparent plate 5 is extended only in the vertical direction (or only in the horizontal direction) in FIG.
It is also possible to adhere and weld directly to the plastic housing 1 while leaving d. These configurations are appropriately designed. In addition, the shape of the lens unit 6 of the present embodiment is appropriately selected, and it is possible to select a columnar lens unit or a plate-shaped lens unit.

【0049】図7(a)は第7実施形態の平面図、図7
(b)は図7(a)のG−G断面図である。本実施形態
は請求項4に記載した発明の実施形態に相当する。本実
施形態は、基本的には第6実施形態の半導体光センサデ
バイスから透明板5を除き、プラスチック筐体1の透明
板固定支柱9に板状・直方体状のレンズ部6を直接的に
接着または溶着した半導体光センサデバイスとする。図
7(a)のハーフトーン部で示すように、透明シリコー
ンゲル7は、開放部1dで外気に曝されている。レンズ
部6は、板状・直方体状に形成される。そして、プラス
チック筐体1の透明板固定支柱9にレンズ部6を接着・
溶着したとき、レンズ部6のレンズ6aは、半導体光セ
ンサチップ2上で像を結ぶ位置となるように構成され
る。そして、プラスチック筐体1およびレンズ部6は同
じ材料とするか、または、熱膨張率が略等しい材料とす
る。このような半導体光センサデバイスとしても本発明
の所定の効果を発揮する。
FIG. 7A is a plan view of the seventh embodiment, and FIG.
(B) is GG sectional drawing of FIG.7 (a). This embodiment corresponds to the embodiment of the invention described in claim 4. In the present embodiment, basically, the transparent plate 5 is removed from the semiconductor optical sensor device of the sixth embodiment, and the plate-shaped and rectangular parallelepiped lens portion 6 is directly bonded to the transparent plate fixing support 9 of the plastic housing 1. Alternatively, it is a welded semiconductor optical sensor device. As shown by the halftone portion in FIG. 7A, the transparent silicone gel 7 is exposed to the outside air at the opening 1d. The lens section 6 is formed in a plate shape or a rectangular parallelepiped shape. Then, the lens portion 6 is bonded to the transparent plate fixing support 9 of the plastic housing 1.
When welded, the lens 6 a of the lens unit 6 is configured to be at a position where an image is formed on the semiconductor optical sensor chip 2. Then, the plastic housing 1 and the lens portion 6 are made of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients. Such a semiconductor optical sensor device also exhibits the predetermined effects of the present invention.

【0050】なお、第7実施形態においても、必要に応
じて、プラスチック筐体1の内側底部の半導体光センサ
チップ2のボンディング位置に金属ダイパッドを備える
ことが可能である。さらに、図示しないものの透明板固
定支柱9による支持に代えて板状のレンズ部6を、図7
(a)の上下方向のみ(あるいは左右方向のみ)に延長
して開放部1dを残しつつプラスチック筐体1に直接接
着・溶着することも可能である。これら構成は適宜設計
される。
In the seventh embodiment, if necessary, a metal die pad can be provided at the bonding position of the semiconductor optical sensor chip 2 on the inner bottom of the plastic housing 1. Further, a plate-shaped lens portion 6 is provided instead of the transparent plate fixing support 9 (not shown), as shown in FIG.
It is also possible to extend and extend only in the vertical direction (or only in the horizontal direction) in (a) and directly adhere and weld to the plastic housing 1 while leaving the opening 1d. These configurations are appropriately designed.

【0051】図8(a)は第8実施形態の平面図、図8
(b)は図8(a)のH−H断面図である。本実施形態
は請求項5に記載した発明の実施形態に相当し、外観は
図19(b)に示すような外観を有している。本実施形
態は、基本的には第1実施形態の半導体光センサデバイ
スのプラスチック筐体1とレンズ部6との間に透明板5
に代えて絞り板13を設けた半導体光センサデバイスと
する。絞り板13は、絞り穴13aを有しており、板状
・直方体状であってプラスチック筐体1の開口を完全に
覆う大きさとなるように形成される。プラスチック筐体
1の上面外縁部に接着または溶着により固着される。ま
た、レンズ部6はこの絞り板13の上面外縁部に接着ま
たは溶着により固着される。
FIG. 8A is a plan view of the eighth embodiment, and FIG.
(B) is an HH sectional view of FIG. 8 (a). This embodiment corresponds to the embodiment of the invention described in claim 5, and has an appearance as shown in FIG. This embodiment is basically similar to the semiconductor optical sensor device of the first embodiment except that the transparent plate 5 is provided between the plastic housing 1 and the lens portion 6.
, A semiconductor optical sensor device provided with an aperture plate 13. The aperture plate 13 has an aperture 13a, and is formed in a plate shape or a rectangular parallelepiped shape, and has a size to completely cover the opening of the plastic housing 1. It is fixed to the outer edge of the upper surface of the plastic housing 1 by bonding or welding. The lens portion 6 is fixed to the outer edge of the upper surface of the aperture plate 13 by bonding or welding.

【0052】レンズ部6のレンズ6aは半導体光センサ
チップ2上で像を結ぶように構成される。そして、プラ
スチック筐体1およびレンズ部6は同じ材料とするか、
または、熱膨張率が略等しい材料とする。プラスチック
筐体1およびレンズ部6が熱膨張または熱収縮したとし
ても、レンズ6aの焦点位置は常に半導体光センサチッ
プ2上に位置するようにすることができ、また、透明シ
リコーンゲル7は、底部の開放部1a、開放部1bによ
り熱膨張または熱収縮による体積の変動を逃げ、安定し
た封止状態を維持する。温度変化の激しい環境下にあっ
ても、高い検出能力を持つ半導体光センサデバイスとす
ることができる。
The lens 6 a of the lens section 6 is configured to form an image on the semiconductor optical sensor chip 2. And whether the plastic housing 1 and the lens part 6 are made of the same material,
Alternatively, materials having substantially equal thermal expansion coefficients are used. Even if the plastic housing 1 and the lens unit 6 are thermally expanded or contracted, the focal position of the lens 6a can always be located on the semiconductor optical sensor chip 2, and the transparent silicone gel 7 The opening portion 1a and the opening portion 1b escape the fluctuation in volume due to thermal expansion or thermal contraction, and maintain a stable sealed state. A semiconductor optical sensor device having a high detection capability can be obtained even in an environment where temperature changes are drastic.

【0053】なお、図示しないものの箱型に形成された
レンズ部6が、プラスチック筐体1に接着または溶着さ
れた絞り板13を覆うように配置され、このレンズ部6
をプラスチック筐体1の上面外縁部に接着または溶着に
より固着される形態としても良い。この場合、外観上は
図19(c)のようになる。また、レンズ部6を円柱状
に形成して、図19(a)のような外観となるように構
成しても良い。
A box-shaped lens unit 6 (not shown) is disposed so as to cover the diaphragm plate 13 bonded or welded to the plastic housing 1.
May be fixed to the outer edge of the upper surface of the plastic housing 1 by bonding or welding. In this case, the appearance is as shown in FIG. Further, the lens portion 6 may be formed in a cylindrical shape so as to have an appearance as shown in FIG.

【0054】図9(a)は第9実施形態の平面図、図9
(b)は図9(a)のI−I断面図である。本実施形態
は請求項6に記載した発明の実施形態に相当する。本実
施形態は、基本的には第8実施形態の半導体光センサデ
バイスと技術思想を同じくするものの、レンズ部6が2
個のレンズを1組以上(図9ではレンズ6a,レンズ6
bの1組)有するペアレンズ6cを備える半導体光セン
サデバイスである。
FIG. 9A is a plan view of the ninth embodiment, and FIG.
(B) is a sectional view taken along the line II in FIG. 9 (a). This embodiment corresponds to the embodiment of the invention described in claim 6. The present embodiment basically has the same technical idea as the semiconductor optical sensor device of the eighth embodiment, except that the lens unit 6 has two lenses.
At least one set of lenses (lens 6a, lens 6 in FIG. 9)
b) is a semiconductor optical sensor device including a pair lens 6c.

【0055】このペアレンズ6cのレンズ6a,レンズ
6bの下方に、絞り穴13a,13bが配置されるペア
レンズ用絞り板13cを、プラスチック筐体1の上面外
縁部に接着または溶着により固着し、また、ペアレンズ
6cをこのペアレンズ用絞り板13cの上面に接着また
は溶着により固着する。ペアレンズ6cは半導体光セン
サチップ2上の2個所で像を結ぶように構成される。そ
して、プラスチック筐体1およびレンズ部6は同じ材料
とするか、または、熱膨張率が略等しい材料とする。
Below the lenses 6a and 6b of the pair lens 6c, a pair lens aperture plate 13c in which aperture holes 13a and 13b are arranged is fixed to the outer edge of the upper surface of the plastic housing 1 by bonding or welding. Further, the pair lens 6c is fixed to the upper surface of the pair lens aperture plate 13c by bonding or welding. The pair lens 6c is configured to form an image at two places on the semiconductor optical sensor chip 2. Then, the plastic housing 1 and the lens portion 6 are made of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients.

【0056】プラスチック筐体1およびレンズ部6が熱
膨張または熱収縮したとしても、レンズ6aの焦点位置
は常に半導体光センサチップ2上に位置するようにする
ことができ、また、透明シリコーンゲル7は、底部の開
放部1aにより熱膨張または熱収縮による体積の変動を
逃げ、安定した封止状態を維持する。温度変化の激しい
環境下にあっても、高い検出能力を持つ半導体光センサ
デバイスとすることができる。
Even if the plastic housing 1 and the lens portion 6 thermally expand or contract, the focal position of the lens 6a can always be located on the semiconductor optical sensor chip 2, and the transparent silicone gel 7 , Escapes volume fluctuations due to thermal expansion or thermal contraction by the open portion 1a at the bottom, and maintains a stable sealed state. A semiconductor optical sensor device having a high detection capability can be obtained even in an environment where temperature changes are drastic.

【0057】図10(a)は第10実施形態の平面図、
図10(b)は図10(a)のJ−J断面図である。本
実施形態は、請求項7に記載した発明の実施形態に相当
し、外観は図19(a)に示すような外観を有してい
る。本実施形態は、第1実施形態のプラスチック筐体1
の底部に、更に開放部1a,1bを覆う薄膜10を付加
したものである。薄膜10は、筐体1の内部に充填され
ている透明シリコーンゲル7を保護するため外気からの
水分、異物等の侵入を防ぐ。
FIG. 10A is a plan view of the tenth embodiment.
FIG. 10B is a sectional view taken along line JJ of FIG. This embodiment corresponds to the embodiment of the invention described in claim 7, and has an appearance as shown in FIG. In this embodiment, the plastic housing 1 of the first embodiment is used.
A thin film 10 that further covers the open portions 1a and 1b is added to the bottom of. The thin film 10 protects the transparent silicone gel 7 filled in the inside of the housing 1 from infiltration of moisture, foreign matter and the like from the outside air.

【0058】この薄膜10の開放部における遮断部分
は、透明シリコーンゲル7の膨張または収縮に伴い膨ら
んだり、へこんだりするものである。この薄膜10は、
ゴム、プラスチック、合成樹脂等のフィルムでできてお
り、光を通さない工夫(黒色に着色等)を施されている
ことが望ましい。そして、プラスチック筐体1、透明板
5およびレンズ部6は同じ材料とするか、または、熱膨
張率が略等しい材料とする。このような半導体光センサ
デバイスとしても本発明の所定の効果を発揮する。な
お、レンズ部6を板状・直方体状に形成して、図19
(b)のような外観となるように構成しても良い。
The cut-off portion of the open portion of the thin film 10 expands or dents as the transparent silicone gel 7 expands or contracts. This thin film 10
It is preferably made of a film of rubber, plastic, synthetic resin, or the like, and has been devised so as not to transmit light (colored in black or the like). Then, the plastic casing 1, the transparent plate 5, and the lens portion 6 are made of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients. Such a semiconductor optical sensor device also exhibits the predetermined effects of the present invention. Note that the lens portion 6 is formed in a plate shape or a rectangular parallelepiped shape, and as shown in FIG.
You may comprise so that it may have an external appearance as shown in (b).

【0059】図11(a)は第11実施形態の平面図、
図11(b)は図11(a)のK−K断面図である。本
施形態も請求項7に記載した発明の実施形態に相当し、
外観は図19(c)に示すような外観を有している。こ
の第10実施形態は、基本的には第3実施形態のプラス
チック筐体1の底部に、更に開放部1a,1bを覆う薄
膜10を付加したものである。薄膜10は、筐体1の内
部に充填されている透明シリコーンゲル7を保護するた
め外気からの水分、異物等の侵入を防ぐ。なお、レンズ
部6を円柱状に形成して、図19(d)のような外観と
なるように構成しても良い。
FIG. 11A is a plan view of the eleventh embodiment,
FIG. 11B is a sectional view taken along line KK of FIG. This embodiment also corresponds to the embodiment of the invention described in claim 7,
The external appearance is as shown in FIG. In the tenth embodiment, basically, a thin film 10 covering the open portions 1a and 1b is further added to the bottom of the plastic housing 1 of the third embodiment. The thin film 10 protects the transparent silicone gel 7 filled in the inside of the housing 1 from infiltration of moisture, foreign matter and the like from the outside air. Note that the lens portion 6 may be formed in a cylindrical shape so as to have an appearance as shown in FIG.

【0060】図12(a)は第12実施形態の平面図、
図12(b)は図12(a)のL−L断面図である。本
実施形態も請求項7に記載した発明の実施形態に相当
し、外観は図19(b)に示すような外観を有してい
る。この第12実施形態は、基本的には第8実施形態の
プラスチック筐体1の底部に、更に開放部1a,1bを
覆う薄膜10を付加したものである。薄膜10は、筐体
1の内部に充填されている透明シリコーンゲル7を保護
するため外気からの水分、異物等の侵入を防ぐ。なお、
レンズ部6を円柱状に形成して、図19(a)のような
外観となるように構成しても良い。
FIG. 12A is a plan view of the twelfth embodiment.
FIG. 12B is a sectional view taken along line LL of FIG. This embodiment also corresponds to the embodiment of the invention described in claim 7, and has an appearance as shown in FIG. In the twelfth embodiment, basically, a thin film 10 that further covers the open portions 1a and 1b is added to the bottom of the plastic housing 1 of the eighth embodiment. The thin film 10 protects the transparent silicone gel 7 filled in the inside of the housing 1 from infiltration of moisture, foreign matter and the like from the outside air. In addition,
The lens portion 6 may be formed in a cylindrical shape so as to have an appearance as shown in FIG.

【0061】図13(a)は第13実施形態の平面図、
図13(b)は図13(a)のM−M断面図である。本
実施形態は、請求項8に記載した発明の実施形態に相当
し、外観は図19(a)に示すような外観を有してい
る。本実施形態は、第1実施形態の半導体光センサデバ
イスに加えて、プラスチック筐体1の開放部1a,1b
における透明シリコーンゲル7の表面に、シリコーンゲ
ル7よりも吸湿性が低く、硬化後の硬さがシリコーンゲ
ル7よりも硬いシリコーンゴムまたは合成樹脂等をコー
ティングしてコーティング膜11a,11bを形成した
ものである。
FIG. 13A is a plan view of the thirteenth embodiment.
FIG. 13B is a cross-sectional view taken along line MM of FIG. This embodiment corresponds to the embodiment of the invention described in claim 8, and has an appearance as shown in FIG. In the present embodiment, in addition to the semiconductor optical sensor device of the first embodiment, the open portions 1a and 1b of the plastic housing 1 are provided.
Formed on the surface of the transparent silicone gel 7 by coating a silicone rubber or a synthetic resin having a lower hygroscopicity than the silicone gel 7 and a hardness after curing, which is harder than the silicone gel 7, to form coating films 11a and 11b. It is.

【0062】コーティング膜11a,11bは、透明シ
リコーンゲル7の膨張または収縮による開放部1a,1
bにおける上下動に伴って上下するとともに筐体1の内
部に充填されている透明シリコーンゲル7を保護するた
め外気からの水分、異物等の侵入を防ぐ。そして、プラ
スチック筐体1、透明板5およびレンズ部6は同じ材料
とするか、または、熱膨張率が略等しい材料とする。こ
のような半導体光センサデバイスとしても本発明の所定
の効果を発揮する。なお、レンズ部6を板状・直方体状
に形成して、図19(b)のような外観となるように構
成しても良い。
The coating films 11 a and 11 b are formed by opening portions 1 a and 1 due to expansion or contraction of the transparent silicone gel 7.
In order to protect the transparent silicone gel 7 filled in the inside of the housing 1 while moving up and down with the up and down movement in b, the intrusion of moisture, foreign matter and the like from the outside air is prevented. Then, the plastic casing 1, the transparent plate 5, and the lens portion 6 are made of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients. Such a semiconductor optical sensor device also exhibits the predetermined effects of the present invention. The lens portion 6 may be formed in a plate shape or a rectangular parallelepiped shape so as to have an appearance as shown in FIG.

【0063】図14(a)は第14実施形態の平面図、
図14(b)は図14(a)のN−N断面図である。本
実施形態も請求項8に記載した発明の実施形態に相当
し、外観は図19(c)に示すような外観を有してい
る。本実施形態は、基本的には第3実施形態の半導体光
センサデバイスに加えて、プラスチック筐体1の開放部
1a,1bにおける透明シリコーンゲル7の表面に、シ
リコーンゲル7よりも吸湿性が低く、硬化後の硬さがシ
リコーンゲル7よりも硬いシリコーンゴムまたは合成樹
脂等をコーティングしてコーティング膜11a,11b
を形成したものである。そして、プラスチック筐体1お
よびレンズ部6は同じ材料とするか、または、熱膨張率
が略等しい材料とする。このような半導体光センサデバ
イスとしても本発明の所定の効果を発揮する。なお、レ
ンズ部6を円柱状に形成して、図19(d)のような外
観となるように構成しても良い。
FIG. 14A is a plan view of a fourteenth embodiment.
FIG. 14B is a sectional view taken along line NN of FIG. This embodiment also corresponds to the embodiment of the invention described in claim 8, and has an appearance as shown in FIG. In this embodiment, in addition to the semiconductor optical sensor device of the third embodiment, the surface of the transparent silicone gel 7 at the open portions 1a and 1b of the plastic housing 1 has a lower hygroscopic property than the silicone gel 7. A coating film 11a, 11b coated with a silicone rubber or a synthetic resin whose hardness after curing is harder than the silicone gel 7;
Is formed. Then, the plastic housing 1 and the lens portion 6 are made of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients. Such a semiconductor optical sensor device also exhibits the predetermined effects of the present invention. Note that the lens portion 6 may be formed in a cylindrical shape so as to have an appearance as shown in FIG.

【0064】図15(a)は第15実施形態の平面図、
図15(b)は図15(a)のO−O断面図である。本
実施形態も請求項8に記載した発明の実施形態に相当
し、外観は図19(b)に示すような外観を有してい
る。本実施形態は、基本的には第8実施形態の半導体光
センサデバイスに加えて、プラスチック筐体1の開放部
1a,1bにおける透明シリコーンゲル7の表面に、シ
リコーンゲル7よりも吸湿性が低く、硬化後の硬さがシ
リコーンゲル7よりも硬いシリコーンゴムまたは合成樹
脂等をコーティングしてコーティング膜11a,11b
を形成したものである。そして、プラスチック筐体1お
よびレンズ部6は同じ材料とするか、または、熱膨張率
が略等しい材料とする。このような半導体光センサデバ
イスとしても本発明の所定の効果を発揮する。なお、レ
ンズ部6を円柱状に形成して、図19(a)のような外
観となるように構成しても良い。
FIG. 15A is a plan view of the fifteenth embodiment,
FIG. 15B is a cross-sectional view taken along the line OO of FIG. This embodiment also corresponds to the embodiment of the invention described in claim 8, and has an appearance as shown in FIG. In the present embodiment, basically, in addition to the semiconductor optical sensor device of the eighth embodiment, the surface of the transparent silicone gel 7 at the open portions 1a and 1b of the plastic casing 1 has lower hygroscopicity than the silicone gel 7. A coating film 11a, 11b coated with a silicone rubber or a synthetic resin whose hardness after curing is harder than the silicone gel 7;
Is formed. Then, the plastic housing 1 and the lens portion 6 are made of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients. Such a semiconductor optical sensor device also exhibits the predetermined effects of the present invention. Note that the lens portion 6 may be formed in a cylindrical shape so as to have an appearance as shown in FIG.

【0065】図16(a)は第16実施形態の平面図、
図16(b)は図16(a)のP−P断面図である。こ
の実施形態は、請求項9に記載した発明の実施形態に相
当し、外観は図19(a)に示すような外観を有してい
る。本実施形態は、第1実施形態におけるプラスチック
筐体1の底部に、更に孔部12a,12bを有する保護
板12を取り付けたものである。保護板12は、外気か
らの水分、異物等の侵入を防ぎ、しかも筐体内部に充填
されている透明シリコーンゲル7を保護するために開口
面積を小さくすると良い。そして、プラスチック筐体
1、透明板5およびレンズ部6は同じ材料とするか、ま
たは、熱膨張率が略等しい材料とする。このような半導
体光センサデバイスとしても本発明の所定の効果を発揮
する。なお、レンズ部6を板状・直方体状に形成して、
図19(b)のような外観となるように構成しても良
い。
FIG. 16A is a plan view of the sixteenth embodiment.
FIG. 16B is a cross-sectional view taken along line PP of FIG. This embodiment corresponds to the embodiment of the invention described in claim 9, and has an appearance as shown in FIG. In the present embodiment, a protective plate 12 having holes 12a and 12b is further attached to the bottom of the plastic housing 1 in the first embodiment. The protective plate 12 preferably has a small opening area in order to prevent intrusion of moisture, foreign matter and the like from the outside air and to protect the transparent silicone gel 7 filled in the housing. Then, the plastic casing 1, the transparent plate 5, and the lens portion 6 are made of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients. Such a semiconductor optical sensor device also exhibits the predetermined effects of the present invention. In addition, the lens part 6 is formed in a plate shape or a rectangular parallelepiped shape,
The configuration shown in FIG. 19B may be adopted.

【0066】図17(a)は第17実施形態の平面図、
図17(b)は図17(a)のQ−Q断面図である。本
実施形態も請求項9に記載した発明の実施形態に相当
し、外観は図19(c)に示すような外観を有してい
る。本実施形態は、基本的には第3実施形態の半導体光
センサデバイスのプラスチック筐体1の底部に、更に孔
部12a,12bを有する保護板12を取り付けたもの
である。そして、プラスチック筐体1およびレンズ部6
は同じ材料とするか、または、熱膨張率が略等しい材料
とする。このような半導体光センサデバイスとしても本
発明の所定の効果を発揮する。なお、レンズ部6を円柱
状に形成して、図19(d)のような外観となるように
構成しても良い。
FIG. 17A is a plan view of the seventeenth embodiment.
FIG. 17B is a QQ sectional view of FIG. 17A. This embodiment also corresponds to the embodiment of the invention described in claim 9, and has an appearance as shown in FIG. In the present embodiment, basically, a protective plate 12 having holes 12a and 12b is further attached to the bottom of the plastic housing 1 of the semiconductor optical sensor device of the third embodiment. Then, the plastic housing 1 and the lens unit 6
Are made of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients. Such a semiconductor optical sensor device also exhibits the predetermined effects of the present invention. Note that the lens portion 6 may be formed in a cylindrical shape so as to have an appearance as shown in FIG.

【0067】図18(a)は第18実施形態の平面図、
図18(b)は図18(a)のR−R断面図である。本
実施形態も請求項9に記載した発明の実施形態に相当
し、外観は図19(b)に示すような外観を有してい
る。本実施形態は、基本的には第8実施形態の半導体光
センサデバイスのプラスチック筐体1の底部に、更に孔
部12a,12bを有する保護板12を取り付けたもの
である。そして、プラスチック筐体1およびレンズ部6
は同じ材料とするか、または、熱膨張率が略等しい材料
とする。このような半導体光センサデバイスとしても本
発明の所定の効果を発揮する。なお、レンズ部6を円柱
状に形成して、図19(a)のような外観となるように
構成しても良い。
FIG. 18A is a plan view of the eighteenth embodiment.
FIG. 18B is a sectional view taken along the line RR of FIG. This embodiment also corresponds to the embodiment of the invention described in claim 9, and has an appearance as shown in FIG. In this embodiment, a protective plate 12 having holes 12a and 12b is further attached to the bottom of the plastic housing 1 of the semiconductor optical sensor device of the eighth embodiment. Then, the plastic housing 1 and the lens unit 6
Are made of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients. Such a semiconductor optical sensor device also exhibits the predetermined effects of the present invention. Note that the lens portion 6 may be formed in a cylindrical shape so as to have an appearance as shown in FIG.

【0068】なお、上記第10〜第18実施形態におい
ても、必要に応じてプラスチック筐体1の内側底部の半
導体光センサチップ2のボンディング位置に金属ダイパ
ッド8を備えることが可能である。また、第10〜第1
8実施形態においても、筐体の底部が開放された構造だ
けでなく、第6または第7実施形態の技術的特徴である
透明固定支柱9を使用して開放部1dを付加することが
できる。また、第10〜第18実施形態で開放部1a,
1bで外気に曝される透明シリコーンゲル7に薄膜1
0、コーティング膜11、および、保護板12を設ける
ことを説明したが、第5〜第7実施形態のようにさらに
上側で開放部1dを有する場合でも、この開放部1dと
外気に曝される透明シリコーンゲル7とに薄膜10、コ
ーティング膜11、または、保護板12の何れかを設け
て水分・異物の混入を防止することが望ましい。これら
いずれの形態としても本願発明の効果を奏する。
In the tenth to eighteenth embodiments, if necessary, the metal die pad 8 can be provided at the bonding position of the semiconductor optical sensor chip 2 on the inner bottom of the plastic housing 1. In addition, the tenth to first
In the eighth embodiment as well, not only the structure in which the bottom of the housing is opened, but also the opening 1d can be added by using the transparent fixing post 9 which is a technical feature of the sixth or seventh embodiment. In the tenth to eighteenth embodiments, the opening portions 1a,
1b, the thin film 1 is applied to the transparent silicone gel 7 exposed to the outside air.
0, the coating film 11, and the protection plate 12 are provided. However, even when the opening 1d is further provided on the upper side as in the fifth to seventh embodiments, the coating is exposed to the opening 1d and the outside air. It is desirable to provide any one of the thin film 10, the coating film 11, and the protective plate 12 on the transparent silicone gel 7 to prevent moisture and foreign substances from being mixed. The effects of the present invention are exhibited in any of these modes.

【0069】なお、本発明の適用範囲は上記実施形態に
限定されるものではなく、例えば、表面実装タイプの外
囲器を用いてその内部に透明充填剤を充填した場合に
も、同様に適用することが可能である。また、上述した
全ての実施形態では、外囲器内部に充填される透明充填
剤として透明シリコーンゲルを挙げたが、これに限ら
ず、透明シリコーンゴム、透明合成樹脂等を適用するこ
とも可能である。絶縁筐体についても、上記実施形態で
はプラスチック筐体を挙げたが、筐体材料としてプラス
チックの他、セラミック、セラミック/プラスチックコ
ンポジット材、等の適用が可能である。
The scope of application of the present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the present invention is similarly applicable to a case where a transparent filler is filled inside using a surface mount type envelope. It is possible to In all of the above-described embodiments, the transparent silicone gel is used as the transparent filler to be filled in the envelope.However, the present invention is not limited to this, and it is also possible to apply a transparent silicone rubber, a transparent synthetic resin, or the like. is there. In the above embodiment, a plastic housing is also used as the insulating housing. However, in addition to plastic, ceramic, ceramic / plastic composite materials, and the like can be used as the housing material.

【0070】また、プラスチック筐体の製造方法とし
て、第1実施形態から第18実施形態では、プラスチッ
ク筐体1を熱可塑性樹脂による射出成形で作っている
が、エポキシ系樹脂のような熱硬化性樹脂による注型成
形で作ることも可能である。更に、上記実施形態におい
て、半導体光センサチップ表面の内部端子と絶縁筐体の
配線パターン間の接続にボンディングワイヤを挙げた
が、これに限らずバンプによる接続手段の適用も可能で
ある。
In the first to eighteenth embodiments, the plastic housing 1 is manufactured by injection molding using a thermoplastic resin. However, a thermosetting resin such as an epoxy resin is used. It can also be made by casting with resin. Furthermore, in the above embodiment, the bonding wire is used for the connection between the internal terminal on the surface of the semiconductor optical sensor chip and the wiring pattern of the insulating casing. However, the present invention is not limited to this, and connection means using bumps can be applied.

【0071】なお、プラスチックの材料としては、一般
にCPOと呼ばれるシクロオレフィンポリマー系のプラ
スチック等が望ましい。また、略同一の熱膨張率を持つ
材料として、例えば、透明板5やレンズ部6として透明
のシクロオレフィンポリマー系のプラスチック等を用
い、プラスチック筐体1として色素を混入したシクロオ
レフィンポリマー系のプラスチック等を用いることが考
えられる。このような材料を用いることで、本発明を実
施することができる。
As the plastic material, a cycloolefin polymer plastic generally called CPO is desirable. Further, as a material having substantially the same coefficient of thermal expansion, for example, a transparent cycloolefin polymer-based plastic or the like is used for the transparent plate 5 and the lens portion 6, and a dye-mixed cycloolefin polymer-based plastic It is conceivable to use such as. The present invention can be implemented by using such a material.

【0072】[0072]

【発明の効果】以上のように本発明の半導体光センサデ
バイスは、半導体光センサデバイスの温度変化に対する
安定性を安価な構成で向上させるとともに光学特性の劣
化及び変動を防止して、長寿命化と信頼性の向上をとも
に可能とする。
As described above, according to the semiconductor optical sensor device of the present invention, the stability of the semiconductor optical sensor device with respect to temperature changes is improved with an inexpensive structure, and the deterioration and fluctuation of the optical characteristics are prevented, thereby extending the life. And reliability improvement.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1(a)は第1実施形態の平面図、図1
(b)は図1(a)のA−A断面図である。
FIG. 1A is a plan view of a first embodiment, FIG.
FIG. 2B is a sectional view taken along line AA of FIG.

【図2】図2(a)は第2実施形態の平面図、図2
(b)は図2(a)のB−B断面図である。
FIG. 2A is a plan view of a second embodiment, and FIG.
FIG. 2B is a sectional view taken along line BB of FIG.

【図3】図3(a)は第3実施形態の平面図、図3
(b)は図3(a)のC−C断面図である。
FIG. 3A is a plan view of a third embodiment, and FIG.
FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.

【図4】図4(a)は第4実施形態の平面図、図4
(b)は図4(a)のD−D断面図である。
FIG. 4A is a plan view of a fourth embodiment, and FIG.
FIG. 4B is a sectional view taken along line DD of FIG.

【図5】図5(a)は第5実施形態の平面図、図5
(b)は図5(a)のE−E断面図である。
FIG. 5A is a plan view of a fifth embodiment, and FIG.
FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line EE of FIG.

【図6】図6(a)は第6実施形態の平面図、図6
(b)は図6(a)のF−F断面図である。
FIG. 6A is a plan view of a sixth embodiment, and FIG.
FIG. 7B is a sectional view taken along line FF of FIG.

【図7】図7(a)は第7実施形態の平面図、図7
(b)は図7(a)のG−G断面図である。
FIG. 7A is a plan view of a seventh embodiment, and FIG.
(B) is GG sectional drawing of FIG.7 (a).

【図8】図8(a)は第8実施形態の平面図、図8
(b)は図8(a)のH−H断面図である。
FIG. 8A is a plan view of an eighth embodiment, and FIG.
(B) is an HH sectional view of FIG. 8 (a).

【図9】図9(a)は第9実施形態の平面図、図9
(b)は図9(a)のI−I断面図である。
FIG. 9A is a plan view of a ninth embodiment, and FIG.
(B) is a sectional view taken along the line II in FIG. 9 (a).

【図10】図10(a)は第10実施形態の平面図、図
10(b)は図10(a)のJ−J断面図である。
10A is a plan view of a tenth embodiment, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line JJ of FIG. 10A.

【図11】図11(a)は第11実施形態の平面図、図
11(b)は図11(a)のK−K断面図である。
11A is a plan view of the eleventh embodiment, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along a line KK of FIG. 11A.

【図12】図12(a)は第12実施形態の平面図、図
12(b)は図12(a)のL−L断面図である。
12A is a plan view of a twelfth embodiment, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along line LL of FIG. 12A.

【図13】図13(a)は第13実施形態の平面図、図
13(b)は図13(a)のM−M断面図である。
13A is a plan view of the thirteenth embodiment, and FIG. 13B is a cross-sectional view taken along line MM of FIG. 13A.

【図14】図14(a)は第14実施形態の平面図、図
14(b)は図14(a)のN−N断面図である。
14A is a plan view of a fourteenth embodiment, and FIG. 14B is a cross-sectional view taken along the line NN of FIG. 14A.

【図15】図15(a)は第15実施形態の平面図、図
15(b)は図15(a)のO−O断面図である。
FIG. 15A is a plan view of the fifteenth embodiment, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along the line OO of FIG. 15A.

【図16】図16(a)は第16実施形態の平面図、図
16(b)は図16(a)のP−P断面図である。
16A is a plan view of a sixteenth embodiment, and FIG. 16B is a cross-sectional view taken along a line PP of FIG. 16A.

【図17】図17(a)は第17実施形態の平面図、図
17(b)は図17(a)のQ−Q断面図である。
17 (a) is a plan view of a seventeenth embodiment, and FIG. 17 (b) is a QQ sectional view of FIG. 17 (a).

【図18】図18(a)は第18実施形態の平面図、図
18(b)は図18(a)のR−R断面図である。
FIG. 18A is a plan view of an eighteenth embodiment, and FIG. 18B is a cross-sectional view taken along the line RR of FIG. 18A.

【図19】半導体光センサデバイスの外観を説明する外
観図である。
FIG. 19 is an external view illustrating the external appearance of the semiconductor optical sensor device.

【図20】図20(a)は従来技術の半導体光センサデ
バイスの平面図、図20(b)は図20(a)のS−S
断面図である。
FIG. 20 (a) is a plan view of a conventional semiconductor optical sensor device, and FIG. 20 (b) is an SS diagram of FIG. 20 (a).
It is sectional drawing.

【図21】図21(a)は従来技術の半導体光センサデ
バイスの平面図、図21(b)は図21(a)のT−T
断面図である。
21 (a) is a plan view of a conventional semiconductor optical sensor device, and FIG. 21 (b) is a TT of FIG. 21 (a).
It is sectional drawing.

【図22】図22(a)は従来技術の半導体光センサデ
バイスの平面図、図22(b)は図22(a)のU−U
断面図である。
FIG. 22A is a plan view of a conventional semiconductor optical sensor device, and FIG. 22B is UU of FIG. 22A.
It is sectional drawing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プラスチック筐体 1a,1b,1c,1d 開放部 2 半導体光センサチップ 3 リードフレーム 4 ボンディングワイヤ 5 透明板 6 レンズ部 6a レンズ 6b レンズ 6c ペアレンズ 7 透明シリコーンゲル 8 金属ダイパッド 9 透明板固定支柱 10 薄膜 11 コーティング膜 12 保護板 12a,12b 孔部 13 絞り板 13a 絞り穴 13b 絞り穴 13c ペアレンズ用絞り板 Reference Signs List 1 plastic housing 1a, 1b, 1c, 1d opening 2 semiconductor optical sensor chip 3 lead frame 4 bonding wire 5 transparent plate 6 lens 6a lens 6b lens 6c pair lens 7 transparent silicone gel 8 metal die pad 9 transparent plate fixing post 10 Thin film 11 Coating film 12 Protective plate 12a, 12b Hole 13 Aperture plate 13a Aperture hole 13b Aperture hole 13c Aperture plate for pair lens

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深村 肇 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 (72)発明者 杉山 治 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hajime Fukamura 1-1-1, Tanabe-Nitta, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside Fuji Electric Co., Ltd. (72) Inventor Osamu Sugiyama 1, Shin-Tanabe-Tanabe, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa No. 1 Inside Fuji Electric Co., Ltd.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】絶縁材料を用いて底部に開放部を有するよ
うに構成される筐体と、 前記筐体の内部から外部へ引き出される配線部材と、 前記筐体に固定される半導体光センサチップと、 前記半導体光センサチップ表面に設けられた端子と前記
配線部材とを電気的に接続する接続手段と、 前記筐体の内部に充填されて半導体光センサチップの上
面を覆うとともに前記筐体の開放部で膨張または収縮に
よる体積変化を逃げる透明充填剤と、 前記透明充填剤を介して前記半導体光センサチップの上
方に設けられ、かつ、前記筐体に接着または溶着される
透明板と、 前記半導体光センサチップ上で結像する位置で前記透明
板に接着または溶着されるレンズ部と、 を備えた半導体光センサデバイスであって、前記レンズ
部、前記透明板および前記筐体は同一の材料または熱膨
張率が略等しい材料により成形されることを特徴とする
半導体光センサデバイス。
A housing configured to have an opening at the bottom using an insulating material; a wiring member drawn out of the housing to the outside; and a semiconductor optical sensor chip fixed to the housing. Connecting means for electrically connecting terminals provided on the surface of the semiconductor optical sensor chip and the wiring member; and filling the interior of the housing to cover the upper surface of the semiconductor optical sensor chip, and A transparent filler that escapes a volume change due to expansion or contraction at the opening; a transparent plate provided above the semiconductor optical sensor chip via the transparent filler, and bonded or welded to the housing; A lens unit adhered or fused to the transparent plate at a position where an image is formed on the semiconductor optical sensor chip, wherein the lens unit, the transparent plate, and the housing are provided. Is a semiconductor optical sensor device characterized by being formed of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients.
【請求項2】絶縁材料を用いて底部に開放部を有するよ
うに構成される筐体と、 前記筐体の内部から外部へ引き出される配線部材と、 前記筐体に固定される半導体光センサチップと、 前記半導体光センサチップ表面に設けられた端子と前記
配線部材とを電気的に接続する接続手段と、 前記筐体の内部に充填されて半導体光センサチップの上
面を覆うとともに前記筐体の開放部で膨張または収縮に
よる体積変化を逃げる透明充填剤と、 前記透明充填剤を介して前記半導体光センサチップの上
方に設けられ、かつ、前記半導体光センサチップ上で結
像する位置で前記筐体に接着または溶着されるレンズ部
と、 を備えた半導体光センサデバイスであって、 前記レンズ部および前記筐体は同一の材料または熱膨張
率が略等しい材料により成形されることを特徴とする半
導体光センサデバイス。
2. A housing configured to have an opening at the bottom using an insulating material; a wiring member drawn out from the inside of the housing to the outside; and a semiconductor optical sensor chip fixed to the housing. Connecting means for electrically connecting terminals provided on the surface of the semiconductor optical sensor chip and the wiring member; and filling the interior of the housing to cover the upper surface of the semiconductor optical sensor chip, and A transparent filler that escapes a change in volume due to expansion or contraction at the open portion; and the casing is provided above the semiconductor optical sensor chip via the transparent filler and forms an image on the semiconductor optical sensor chip. A lens unit adhered or welded to a body, wherein the lens unit and the housing are formed of the same material or a material having substantially the same coefficient of thermal expansion. A semiconductor optical sensor device, characterized in that:
【請求項3】絶縁材料を用いて底部に開放部を有するよ
うに構成される筐体と、 前記筐体の内部から外部へ引き出される配線部材と、 前記筐体に固定される半導体光センサチップと、 前記半導体光センサチップ表面に設けられた端子と前記
配線部材とを電気的に接続する接続手段と、 前記筐体の内部に充填されて半導体光センサチップの上
面を覆うとともに前記筐体の開放部で膨張または収縮に
よる体積変化を逃げる透明充填剤と、 前記透明充填剤の膨張または収縮による体積変化を逃げ
るための開放部を形成しつつ前記半導体光センサチップ
の上方に前記透明充填剤を介して配置され、前記筐体に
設けられた支柱に接着または溶着される透明板と、 前記半導体光センサチップ上で結像する位置で前記透明
板に接着または溶着されるレンズ部と、 を備えた半導体光センサデバイスであって、 前記レンズ部、前記透明板および前記筐体は同一の材料
または熱膨張率が略等しい材料により成形されることを
特徴とする半導体光センサデバイス。
3. A housing configured to have an opening at the bottom using an insulating material; a wiring member drawn out of the housing to the outside; and a semiconductor optical sensor chip fixed to the housing. Connecting means for electrically connecting terminals provided on the surface of the semiconductor optical sensor chip and the wiring member; and filling the interior of the housing to cover the upper surface of the semiconductor optical sensor chip, and A transparent filler that escapes a volume change due to expansion or contraction at an open portion, and the transparent filler above the semiconductor optical sensor chip while forming an open portion to escape a volume change due to expansion or contraction of the transparent filler. A transparent plate, which is disposed via a support and is bonded or welded to a support provided in the housing, and a lens which is bonded or welded to the transparent plate at a position where an image is formed on the semiconductor optical sensor chip. A semiconductor optical sensor device comprising: a lens unit, the transparent plate, and the housing are formed of the same material or a material having substantially equal thermal expansion coefficients. .
【請求項4】絶縁材料を用いて底部に開放部を有するよ
うに構成される筐体と、 前記筐体の内部から外部へ引き出される配線部材と、 前記筐体に固定される半導体光センサチップと、 前記半導体光センサチップ表面に設けられた端子と前記
配線部材とを電気的に接続する接続手段と、 前記筐体の内部に充填されて半導体光センサチップの上
面を覆うとともに前記筐体の開放部で膨張または収縮に
よる体積変化を逃げる透明充填剤と、 前記透明充填剤の膨張または収縮による体積変化を逃げ
るための開放部を形成しつつ前記半導体光センサチップ
上で結像する位置に前記透明充填剤を介して配置され、
前記筐体に設けられた支柱に接着または溶着されるレン
ズ部と、 を備えた半導体光センサデバイスであって、 前記レンズ部および前記筐体は同一の材料または熱膨張
率が略等しい材料により成形されることを特徴とする半
導体光センサデバイス。
4. A housing configured to have an opening at the bottom using an insulating material; a wiring member drawn out of the housing to the outside; and a semiconductor optical sensor chip fixed to the housing. Connecting means for electrically connecting terminals provided on the surface of the semiconductor optical sensor chip and the wiring member; and filling the interior of the housing to cover the upper surface of the semiconductor optical sensor chip, and A transparent filler that escapes a volume change due to expansion or contraction at an open portion; and a position where an image is formed on the semiconductor optical sensor chip while forming an open portion to escape a volume change due to expansion or contraction of the transparent filler. Placed through a transparent filler,
A lens unit adhered or welded to a support provided on the housing, wherein the lens unit and the housing are formed of the same material or a material having substantially the same coefficient of thermal expansion. Semiconductor optical sensor device characterized by being performed.
【請求項5】絶縁材料を用いて底部に開放部を有するよ
うに構成される筐体と、 前記筐体の内部から外部へ引き出される配線部材と、 前記筐体に固定される半導体光センサチップと、 前記半導体光センサチップ表面に設けられた端子と前記
配線部材とを電気的に接続する接続手段と、 前記筐体の内部に充填されて半導体光センサチップの上
面を覆うとともに前記筐体の開放部で膨張または収縮に
よる体積変化を逃げる透明充填剤と、 前記透明充填剤を介して前記半導体光センサチップの上
方に設けられ、前記半導体光センサチップに入射する光
線を制限し、前記筐体に接着または溶着される絞り板
と、 前記半導体光センサチップ上で結像する位置で前記筐体
もしくは前記絞り板に接着または溶着されるレンズ部
と、 を備えた半導体光センサデバイスであって、前記レンズ
部、前記透明板および前記筐体は同一の材料または熱膨
張率が略等しい材料により成形されることを特徴とする
半導体光センサデバイス。
5. A housing configured to have an opening at the bottom using an insulating material; a wiring member drawn out of the housing to the outside; and a semiconductor optical sensor chip fixed to the housing. Connecting means for electrically connecting terminals provided on the surface of the semiconductor optical sensor chip and the wiring member; and filling the interior of the housing to cover the upper surface of the semiconductor optical sensor chip, and A transparent filler that escapes a change in volume due to expansion or contraction at the open portion; and a housing provided above the semiconductor optical sensor chip via the transparent filler to limit light rays incident on the semiconductor optical sensor chip; And a lens unit adhered or welded to the housing or the aperture plate at a position where an image is formed on the semiconductor optical sensor chip. A semiconductor optical sensor device, wherein the lens portion, the transparent plate, and the housing are formed of the same material or materials having substantially equal thermal expansion coefficients.
【請求項6】請求項5に記載の半導体光センサデバイス
において、 前記レンズ部は2個のレンズで1組をなすペアレンズが
1組以上設けられ、 前記絞り板は前記1組以上のペアレンズの全てのレンズ
の個数分の絞り穴が設けられていることを特徴とする半
導体光センサデバイス。
6. The semiconductor optical sensor device according to claim 5, wherein the lens portion is provided with at least one pair of paired lenses, each of which is a pair of two lenses, and the aperture plate is at least one paired pair of lenses. Wherein a plurality of apertures are provided for all of the lenses.
【請求項7】請求項1〜請求項6の何れか1項に記載の
半導体光センサデバイスにおいて、 前記開放部の前記透明充填剤を覆う薄膜を設けることを
特徴とする半導体光センサデバイス。
7. The semiconductor optical sensor device according to claim 1, further comprising a thin film covering said transparent filler in said open portion.
【請求項8】請求項1〜請求項6の何れか1項に記載の
半導体光センサデバイスにおいて、 前記開放部の前記透明充填剤の表面にコーティングを施
すことを特徴とする半導体光センサデバイス。
8. The semiconductor optical sensor device according to claim 1, wherein a coating is applied to a surface of the transparent filler in the open portion.
【請求項9】請求項1〜請求項6の何れか1項に記載の
半導体光センサデバイスにおいて、 前記開放部の前記透明充填剤を覆う保護板を設けること
を特徴とする半導体光センサデバイス。
9. The semiconductor optical sensor device according to claim 1, further comprising a protective plate for covering said transparent filler in said open portion.
【請求項10】請求項1〜請求項9の何れか1項に記載
の半導体光センサデバイスにおいて、 前記透明充填剤は透明シリコーンゲルであることを特徴
とする半導体光センサデバイス。
10. The semiconductor optical sensor device according to claim 1, wherein the transparent filler is a transparent silicone gel.
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