JP2000230858A

JP2000230858A - 撮像素子

Info

Publication number: JP2000230858A
Application number: JP11032336A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Morita; 信一森田; Yasukazu Iwasaki; 靖和岩崎; Tronnamchai Kleison; トロンナムチャイクライソン
Original assignee: Nissan Motor Co Ltd
Current assignee: Nissan Motor Co Ltd
Priority date: 1999-02-10
Filing date: 1999-02-10
Publication date: 2000-08-22

Abstract

(57)【要約】【課題】撮像素子を構成する各画素の信号を読み出す電
子走査を、各画素の熱的エネルギーの変調と同期して行
なえる撮像素子を提供する。【解決手段】支持基板１０から空隙３０を介して熱分離
構造として形成されたダイアフラム１３上に画素のセン
サ部１５、１６、１８が形成され、ダイアフラムに設け
た下部電極１５と支持基板に設けた電極２５間に電圧を
印加・遮断することにより、ダイアフラムと支持基板と
を機械的に接触・離反させてセンサ部の熱的エネルギー
を変調し、かつ撮像素子の信号の読み出し電子走査が各
画素の熱的エネルギーの変調と同期するように構成し
た。機械的なチョッパ機構を用いることなく、電気信号
の印加によって各画素の熱的エネルギーの変調を行なえ
るので、電気信号によって任意のタイミングで各画素の
熱的エネルギーの変調を走査できる。そのため信号の読
み出しの電子走査と容易に同期させることが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱的エネルギーを
検出する撮像素子、例えば赤外線撮像素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】紫外線、可視光、赤外線などの電磁波は
各波長に見合った熱的エネルギーを有している。これら
のエネルギーを検出する方法としては、例えば熱型赤外
線センサがある。熱型赤外線センサは入射した電磁波の
熱的エネルギーを吸収して、電気信号に変換するもの
で、自発分極変化に伴う容量変化を検出する焦電型、抵
抗変化を検出するボロメータ型や熱起電圧を検出するサ
ーモパイル型などがある。これらの中で、焦電型赤外線
センサは電磁波の変化に基づいて発生する微分信号を検
出する。電磁波を変化または変調させる方法としては、
従来、円板上の周辺に一定間隔の穴を開けたものを一定
速度で回転して光や赤外線などの電磁波をオン／オフす
るチョッパを用いる方法、または、平３−１４８９７５
号公報に記載されているようにチョッパの画像への影響
を少なくしている反射型チョッパを利用する方法などが
ある。いずれの場合にも共通して言えることは、機械的
な回転機構を利用して入射する赤外線や光などの電磁波
を変調する方法に頼っている。

【０００３】図６は従来の焦電型赤外線撮像素子におけ
る信号の読み出しと赤外線変調を行なうチョッパとの関
係を示した概念図である。これは撮像素子がｍ行ｎ列の
アレイ素子である場合の例であり、以下この構成につい
て説明する。図６において、撮像素子チップ１にセンサ
画素２がｍ行ｎ列の構成で配置されている。ここで、信
号の読み出しは、画素毎に配置しているＭＯＳスイッチ
（図示せず）のオン／オフをシリアルの電子走査するこ
とによって行われる。直線３は電子走査の方向を示して
いる。すなわち、第１行で１からｎ番目まで走査した
後、第２行目に移り、また、１からｎ番目まで走査す
る。これを繰り返してｍ行まで実施し、１フレームの撮
像ができる。この電子走査と合わせて、赤外線の変調を
行わせる為、チョッパの端が、矢印４で示すように、ｍ
＝１からｍ＝ｍの方向に走査することになる。従来は、
上記のように赤外線の変調と電子走査が非同期で行われ
ている。また、赤外線画像はチョッパの走査時間がかか
っている関係から、全画面が同一時点の一瞬の画像では
なく、画素毎に時間がずれて形成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のように赤外線の
変調と電子走査が非同期である場合には、検出した信号
に影響を及ぼす。その点について図６と図７を用いて説
明する。図７は検出信号への影響を概念的に説明するた
めの信号波形図である。ここで、１秒間に約３０枚の画
像またはフレームを取得する場合について、（ｍ，ｎ）
＝（１，１）番目と（ｍ，ｎ）番目の画素の入射赤外線
と電子走査の関係が出力信号へ及ぼす影響を考える。図
７において、実線は（ｍ，ｎ）＝（１，１）番目の画素
における入射赤外線強度と出力電圧、破線は（ｍ，ｎ）
＝（ｍ，ｎ）番目の画素における入射赤外線強度と出力
電圧を示す。

【０００５】まず、（ｍ，ｎ）＝（１，１）番目の画素
にチョッパの端が通過して赤外線が照射されると、実線
で示すような正の出力電圧の波形が現れる。次の１６ｍ
ｓｅｃ後にチョッパの端が来て、照射赤外線がオフされ
ると、負の出力電圧の波形となる。ここで、赤外線が照
射された時の正の出力信号について考えると、焦電型赤
外線センサは温度検出部と基板との間の熱抵抗と温度検
出部の熱容量の関係から、赤外線照射直後よりも照射さ
れてから或る時間ｔ₀遅れて出力信号が最大値になる。
このため、赤外線照射後ｔ₀後に信号の読み出しを行な
えば赤外線の変調と電子走査が最適化されて最大信号を
得ることができる。

【０００６】しかし、（ｍ，ｎ）＝（１，１）番目の画
素の赤外線の変調と電子走査が最適化されていても、
（ｍ，ｎ）＝（ｍ，ｎ）番目の画素の赤外線の変調と電
子走査の関係についてみると、最適化されていない。以
下、図７によって説明する。仮に、（ｍ，１）番目の画
素の赤外線の変調と電子走査が最適化されているとす
る。（ｍ，ｎ）番目まで電子走査するには、赤外線が約
１行走査する位の時間がかかる。このことは、図７で示
しているように、最大信号が現れるｔ₀から△ｔ遅れて
（ｍ，ｎ）番目の電子走査が行われることになる。この
結果、最大値と異なる信号を読み出すことになる。しか
も、この遅れは一定ではなく、機械的赤外線の変調の精
度と画素のチップ内での位置によって変化する。さらに
は、説明ではチョッパがｍ＝１からｍ＝ｍの方向へ行方
向に直交して走査することを前提に説明しているが、実
際のチョッパの走査は行方向と直交するとは限らない。
このため、各画素の性能がバランス良く作製され、画素
の出力信号が実際に同じであっても、赤外線の変調と電
子走査が非同期であるために、出力信号が一義的に決ま
らず、バラツクことになる。このバラツキは各フレーム
の画像にも影響するため、信号処理ではノイズと考えら
れ、撮像素子の性能を低下させる。

【０００７】また、チョッパを利用しているため、素子
の端から端までのチョッパ走査に時間がかかり、ｍ＝１
の画素からの信号とｍ＝ｍの画素からの信号とを同時に
取得していない。すなわち、各画素で同一時点の瞬間の
画像を撮像していないため、チョッパと同じ方向で、同
じ動きの熱源に対しては現実と画像では異なりが生じ
る。

【０００８】本発明は上記のごとき従来技術の問題を解
決するためになされたものであり、撮像素子を構成する
各画素の信号を読み出す電子走査を、各画素の熱的エネ
ルギーの変調と同期して行なうことの出来る撮像素子を
提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は
各画素に同一時点の瞬間の画像を蓄積して順次読み出す
ことの出来る撮像素子を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明においては、特許請求の範囲に記載するよう
に構成している。すなわち、請求項１に記載の発明にお
いては、電磁波（紫外線、可視光線、赤外線等）の熱的
エネルギー変化を検出する熱的撮像素子の各画素につい
て、支持基板から空隙を介して熱分離構造として形成さ
れたダイアフラム上に前記画素のセンサ部が形成され、
前記ダイアフラムに設けた電極と前記支持基板に設けた
電極間に電圧を印加・遮断することにより、前記ダイア
フラムと前記支持基板とを機械的に接触・離反させて前
記センサ部の熱的エネルギーを変調するように構成され
ており、かつ、前記撮像素子の信号の読み出しの電子走
査が、各画素の熱的エネルギーの変調と同期するように
構成したものである。

【００１０】このように機械的なチョッパ機構を用いる
ことなく、電気信号の印加によって各画素の熱的エネル
ギーの変調を行なうことが出来るので、電気信号によっ
て任意のタイミングで、各画素の熱的エネルギーの変調
を走査することが出来る。そのため、信号の読み出しの
電子走査と容易に同期させることが出来る。

【００１１】したがって、請求項２に記載のように、読
み出しの電子走査が、画素の熱的エネルギーの変調後か
ら一定時間遅れて、同期して行なわれるように構成する
ことが出来、これによって各画素毎に最も適応した時期
に読み出しを行ない、最大信号を検出することが出来
る。

【００１２】上記のように、撮像素子のセンサ部の温度
変調と信号の読み出しの電子走査を同期させることによ
って、各画素の信号が最大の時に毎画素の信号を読み出
せるので、画素の最大性能を引き出せる。また、画素の
信号のバラツキを低減でき、撮像素子の性能向上が可能
となる。さらに、チョッパ等の機械的回転機構がないた
め、撮像素子を用いる撮像装置の信頼性の向上が可能で
ある。また、画素の検出部の特性に合った温度変調がで
きる。さらに、信号読み出しタイミングを自由に設定す
ることができる。

【００１３】また、請求項３に記載の発明においては、
撮像素子を構成する各画素の信号を各画素毎に貯える手
段を備え、前記画素の熱的エネルギーの変調を全画素に
ついて同時に行ない、各画素の信号を前記手段に貯え、
その後にそれらの信号の読み出しを電子走査で行なうよ
うに構成している。

【００１４】上記のように構成したことにより、全画素
に同一時点の瞬間の画像を撮像して記憶し、その後に順
次読み出すことが出来るので、画素毎に時間遅れのない
画像を撮像することが出来る。従来の機械的チョッピン
グでは、１フレームの画像を形成する時、走査の最初と
最後では画像に時間的ズレが生じるが、請求項３におい
ては、全画素の熱的変調を電気的に同時に行なうことに
よって、この遅れをなくすことができる。この結果、画
像への影響を省くことが可能である。

【００１５】また、上記センサ部は、例えば請求項４に
記載のように、焦電型赤外線センサである。

【００１６】

【発明の効果】本発明においては、焦電材料を形成した
ダイアフラムを支持基板に機械的に接触・離反させるこ
とによって熱的に短絡・開放する熱的エネルギー変調を
行なうようにし、その後に、同期して一定間隔で信号読
み出しの電子走査を行なうように構成したことにより、
画素の信号が最大である時に読み出しを行なうことがで
きる。そのため、撮像素子の画素の性能を同等にし、バ
ラツキを低減できる。

【００１７】また、全画素の熱的エネルギーの変調を同
時に行なうことにより、各画素間の時間的検出の遅れが
無くなるので、全画素に同一時点の瞬間の画像取得が可
能になる。

【００１８】さらに機械的チョッパが不要な構成なの
で、熱的エネルギーの変調のタイミングを自由に設定で
き、高精度な装置に出来る。しかも、信頼性が向上し、
撮像装置とした場合には、軽量・小型化が可能で、部品
点数の削減が可能である、等の多くの効果が得られる。

【００１９】

【発明の実施の形態】図１〜図４は第１の実施の形態を
説明するための図であり、図１（ａ）は撮像素子の画素
の平面図、図１（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図、図２
は画素周辺の回路構成図、図３は電子走査の概念図、図
４は温度変調と読み出し信号の関係を示す概念図であ
る。

【００２０】最初に撮像素子の画素の構造・機能につい
て、図１に基づいて説明する。図１において、Ｓｉ支持
基板１０の上に導電層または金属層２５（以下、金属層
２５と記す）を形成し、空隙３０を介してシリコン窒化
物からなる梁部１２とダイアフラム部１３が表面マイク
ロマシニング技術によって形成されている（詳細後
述）。梁部１２の上には配線１４が形成され、ダイアフ
ラム部１３に形成されている下部電極１５と電気的に接
続されている。この下部電極１５の上に焦電材料１６が
形成されている。他方の梁部１９には配線１７が形成さ
れ、焦電材料１６の上に形成された上部電極１８に接続
されている。なお、上部電極１８は熱吸収率の高い材料
を用いて形成するか、或いは上部電極１８の上に新たに
熱吸収層を形成することにより、熱の吸収を良くするよ
うに構成する。例えば、上記下部電極１５と上部電極１
８としてはＰｔ、Ｉｒなどの貴金属をスパッタリング法
で形成することができる。

【００２１】また、上記の表面マイクロマシニング技術
は、金属層２５の上をＣＶＤ法で形成された犠牲層とな
るＰＳＧ酸化膜で覆い、この上にシリコン窒化物（梁部
１２、１９とダイアフラム部１３となる部分）を形成す
る。そしてシリコン窒化物にエッチング穴を形成し、こ
こから、ＰＳＧエッチング液、例えばＮＨ₄Ｆ：ＣＨ₃Ｃ
ＯＯＨ：Ｈ₂０＝１：１：１などを導入してＰＳＧ酸化
膜をエッチング除去する。なお、ＰＳＧ膜の形成時に２
段階法を用いると、素速いＰＳＧ犠牲層エッチングが可
能になる。２段階法のＰＳＧ膜形成法とは、はじめに、
たとえば、１μｍ厚さのＰＳＧ膜を形成する。次にその
ＰＳＧ膜に格子状のトレンチエッチングを行なう。トレ
ンチ幅は約１μｍである。その上に、さらに約１μｍ厚
のＰＳＧ膜を成膜する。こうすると、トレンチエッチン
グしたところにトンネル（中空またはＰＳＧが粗に形成
された部分）が形成される。エッチング時にはこのトン
ネルをエッチング液が通ることにより、広い範囲で同時
にエッチングが進行するので、エッチング速度が速くな
る。このＰＳＧ膜全体が表面マイクロマシニング技術の
犠牲層になり、空隙３０が形成される。

【００２２】次に、温度変調の仕方について図１（ｂ）
と図２を用いて説明する。図２は撮像素子の画素周辺の
回路構成図であり、１個の画素（１５、１６、１８、２
５からなる部分）と電子走査用スイッチとなるトランジ
スタＴ１、Ｔ２および制御用のラインＬ１、Ｌ２（行）
とＣ１、Ｃ２（列）を示している。図２において、画素
の下部電極１５が接地に接続され、それと所定の空隙を
隔てて設置された金属層２５はトランジスタＴ２を介し
てラインＬ２に接続されている。また、焦電材料１６上
に形成された上部電極１８はトランジスタＴ１を介して
ラインＣ１に接続されている。トランジスタＴ１のゲー
トはラインＬ１に接続され、トランジスタＴ２のゲート
はラインＣ２に接続されている。

【００２３】ラインＣ２を介してトランジスタＴ２のゲ
ートに所定の電圧を与えてトランジスタＴ２をオンにす
ると、金属層２５がラインＬ２に接続され、下部電極１
５と金属層２５間に電圧が印加され、静電的な吸引力が
下部電極１５と金属層２５間に生じる。そのためダイア
フラム部１３が撓んでダイアフラム部１３と支持基板１
０上の金属層２５とが接触するので、ダイアフラム部１
３と支持基板１０とは熱的に短絡され、同じ温度にな
る。なお、ダイアフラム部１３およびその上に形成され
ている電極や焦電材料は極めて薄い（μｍオーダー）の
で、その熱容量は極めて小さく、非常に短時間で温度は
平衡する。この熱的短絡は従来例において機械的チョッ
パで赤外線を遮断したことに相当する。

【００２４】次に、トランジスタＴ２をＯＦＦにする
と、上記の静電力がなくなるので、ダイアフラム部１３
は支持基板１０から離れる。この状態で画素に赤外線が
照射されていれば、直ちに反応して温度変化が生じる。
こうして、焦電材料１６の下部電極１５と上部電極１８
間に容量変化が起きる。この容量変化の信号が最大にな
る時間（ｔ₀）を待って、ラインＬ１を介してトランジ
スタＴ１のゲートに電圧を与えてトランジスタＴ１をオ
ンさせることにより、上記容量変化に対応した信号をラ
インＣ１を介して読み出すことが出来る。読み出し後
は、トランジスタＴ１のゲートをオフにし、再びトラン
ジスタＴ２をオンにして、ダイアフラム部１３と支持基
板１０（実際には金属層２５、以下同じ）を接触させ、
熱的短絡を行なう。この操作を繰り返すことにより、従
来のチョッピング機構と同様の熱的エネルギー変調と信
号読み出しを行なうことができる。なお、実際の撮像素
子においては、ｍ行とｎ列に相当する数の画素と、各画
素毎に２個のトランジスタＴ１、Ｔ２とラインＬ１、Ｌ
２、Ｃ１、Ｃ２を設け、各画素を順次走査して信号の読
み出しを行なう。図２の回路ではｍ行ｎ列の各列毎にラ
インＣ２が設けられているので、各画素は列毎にダイア
フラム部１３を支持基板１０に接触させる走査を行なう
ことが出来る。

【００２５】次に走査方法について図３を用いて説明す
る。前記図６で説明した走査方法と異なるところは、チ
ョッパの端の走査がなくなっている。そして各画素ごと
にダイアフラム部１３を支持基板１０に接触させる熱的
エネルギーの電子走査から所定時間（ｔ₀）遅れて信号
読み出しの電子走査を行えばよい。このようにすること
により、画素の最大信号を読み出すことが出来る。具体
的には走査の順番に該当する画素のラインＣ２に電圧を
与えてトランジスタＴ２をオンにして当該画素を熱的に
短絡させ、次に熱的短絡を解除し、それから所定時間
（ｔ₀）後に当該画素のラインＬ１に電圧を与えてトラ
ンジスタＴ１をオンにしてラインＣ１から信号を読み出
す。この走査を図３に示した順序で各画素毎に行なえば
よい。

【００２６】図４はダイアフラム部１３と支持基板１０
との接触の状況と、読み出し信号の関係を示している。
前記図７で説明したのと異なるところは、チョッパのオ
ン／オフによる入射赤外線変調の代わりに、ダイアフラ
ム部１３と支持基板１０との接触のオン／オフを用いて
いる。（ｍ，ｎ）＝（１，１）番目の画素では、ダイア
フラム部１３と支持基板１０との接触がオフされてから
ｔ₀後に最適化されている出力信号の読み出しを行な
う。そして、（ｍ，ｎ）＝（ｍ，ｎ）番目の画素につい
ても、図７の場合とは異なって△ｔの遅れがなく、
（ｍ，ｎ）＝（１，１）番目と同じ時間差ｔ₀後に信号
の読み出しが行なわれる。すなわち（ｍ，ｎ）＝（１，
１）番目の画素でも（ｍ，ｎ）＝（ｍ，ｎ）番目の画素
でもダイアフラム部１３と支持基板１０との接触がオフ
されてから信号を読み出すまでの時間間隔は同じ最適値
ｔ₀にすることが出来る。

【００２７】図５は第２の実施の形態を示す図であり、
画素周辺の回路構成図を示す。

【００２８】図５の回路においては、各画素の金属層２
５が直接にラインＬ２に接続されている。また、上部電
極１８はトランジスタＴ１とＴ２を介してラインＣ１に
接続されている。そしてトランジスタＴ１とＴ２の接続
点と接地間に静電容量Ｃが接続されている。また、トラ
ンジスタＴ１のゲートはラインＬ１に、トランジスタＴ
２のゲートはラインＬ３にそれぞれ接続されている。

【００２９】図５の回路においては、ラインＬ２に電圧
を印加すると、１行の全ての画素の下部電極１５と金属
層２５間に同時に電圧が印加され、ダイアフラム部１３
と支持基板１０とが熱的に短絡される。全ての行のライ
ンＬ２に電圧を与えれば、全画素を同時に熱的に短絡す
ることが出来る。

【００３０】次に、ラインＬ２に印加されている電圧を
オフすると、ダイアフラム部１３が支持基板１０から離
れる。この状態で画素に赤外線が照射されていれば、直
ちに反応して温度変化が生じる。こうして、焦電材料の
下部電極１５と上部電極１８間に容量変化が起きる。

【００３１】次に、ラインＬ１を介してトランジスタＴ
３のゲートに電圧を与えることにより、トランジスタＴ
３をオンさせ、上記の容量変化の信号を静電容量Ｃに移
す。上記のタイミングは、全画素の熱的変調を同時に行
なっているので、熱的短絡の解除から一定時間ｔ₀後に
全画素を同時に行なう。こうして、各画素の信号をそれ
ぞれの静電容量Ｃに貯える。

【００３２】次に、ラインＬ１を介してトランジスタＴ
４のゲートに電圧を与えることにより、トランジスタＴ
４をオンさせ、当該画素の信号をラインＣ１を介して読
み出す。そして各画素について走査すれば同一時点の瞬
間の画像が得られる。

【００３３】この実施の形態においては、或る瞬間の画
像情報が各画素の静電容量Ｃに記憶され、それを後に各
画素を走査することによって順次読み出すことが出来
る。したがって各画素間の時間的検出の遅れが無くなる
ので、瞬間の画像取得が可能になる。上記の操作を繰り
返して行なうことにより、連続した画像が得られる。

【００３４】なお、本発明の撮像素子の構造において
は、支持基板１０とダイアフラム部１３を機械的に接触
させ、その後に元に戻すとき、支持基板１０とダイアフ
ラム部１３の密着を弱くする必要がある。特にステイッ
クして接触を外せない状態になることがないようにする
必要がある。このため、支持基板上にダイアフラムとの
密着性の弱いＳｉ窒化膜または金属からなる凸部（列状
や点状）を形成するとよい。また、焦電材料が焦電性を
出すためには、この材料が下部電極上に軸配向する必要
がある。このためには、ＬＰＣＶＤで形成したＳｉ窒化
物上にＭｇＯなどの軸配向させやすい下地を設け、その
上に下部電極例えばＰｔ膜などを形成する。この上には
焦電材料が容易に軸配向する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における撮像素子の
画素の構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
断面図。

【図２】本発明の第１の実施の形態における画素周辺の
回路構成図。

【図３】本発明の第１の実施の形態における画素の電子
走査の概念図。

【図４】本発明の第１の実施の形態における画素の温度
変調と読み出し信号の関係を示す概念図。

【図５】本発明の第２の実施の形態における画素周辺の
回路構成図。

【図６】従来技術の焦電型赤外線撮像素子における信号
の読み出し電子走査と赤外線変調を行なうチョッパとの
関係を示した概念図。

【図７】従来技術の焦電型赤外線撮像素子における画素
の赤外線変調と出力波形の関係図。

【符号の説明】

１…チップ２…センサ画素３…電子走査方向を示す線４…チョッパの
走査方向を示す矢印１０…Ｓｉの支持基板１１…エッチン
グ穴１２…一方の梁部１３…ダイアフ
ラム部１４…配線１５…下部電極１６…焦電材料１７…配線１８…上部電極１９…他方の梁
部２０…シリコン窒化膜２２…層間絶縁
膜２５…導電膜または金属膜３０…空隙Ｔ１〜Ｔ４…トランジスタＣ…静電容量Ｌ１〜Ｌ３…信号送付用のラインＣ１、Ｃ２…信
号送付用のライン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者クライソントロンナムチャイ神奈川県横浜市神奈川区宝町２番地日産自動車株式会社内Ｆターム(参考） 2G065 AB02 BA13 BA34 BB37 BB49 BC22 BC33 DA18 4M118 AA05 AA06 AB01 BA05 BA14 CA35 CB12 CB14 DD01 FB09 FB13 FB20 GA10 5C024 AA06 CA02 CA05 FA01 GA06 GA31 JA31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電磁波の熱的エネルギー変化を検出するセ
ンサを単位の画素として、複数個の画素でアレイを形成
し、電子走査によって信号を読み出す構成の撮像素子に
おいて、支持基板から空隙を介して熱分離構造として形成された
ダイアフラム上に前記画素のセンサ部が形成され、前記
ダイアフラムに設けた電極と前記支持基板に設けた電極
間に電圧を印加・遮断することにより、前記ダイアフラ
ムと前記支持基板とを機械的に接触・離反させて前記セ
ンサ部の熱的エネルギーを変調し、かつ、前記撮像素子
の信号の読み出しの電子走査が、各画素の熱的エネルギ
ーの変調と同期するように構成したことを特徴とする撮
像素子。
【請求項２】前記読み出しの電子走査が、画素の熱的エ
ネルギーの変調後から一定時間遅れて、同期して行なわ
れるように構成したことを特徴とする請求項１に記載の
撮像素子。
【請求項３】前記撮像素子を構成する各画素の信号を各
画素毎に貯える手段を備え、前記画素の熱的エネルギー
の変調を全画素について同時に行ない、各画素の信号を
前記手段に貯え、その後にそれらの信号の読み出しを電
子走査で行なうように構成したことを特徴とする請求項
１または請求項２に記載の撮像素子。
【請求項４】熱的エネルギー変化を検出するセンサ部が
焦電型赤外線センサであることを特徴とする請求項１乃
至請求項３の何れかに記載の撮像素子。