JP2000232045A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジストパタ−ン形成の際の、基板の回路形
成領域の外側の周辺領域の露光工程にて露光時間の短縮
を図ること。 【解決手段】 レジスト７０が塗布された基板例えばウ
エハ１０に対してデバイス領域の外側の周辺領域であっ
てウエハ１０の外縁に沿って形成された外縁近傍領域の
レジストを溶剤により除去する。次いでウエハ１０に対
して所定のパタ−ンマスクを用いて露光した後、デバイ
ス領域の外側の周辺領域に残存するレジストを現像によ
って溶解するために当該周辺領域であって外縁近傍領域
の内側の領域に対して露光を行い、さらにこの後露光し
た領域の内側の領域の一部に対して露光を行う。このよ
うにすると、ウエハ１０の外縁近傍領域のレジストは溶
剤により除去されているので、現像によって溶解するた
めにい露光する領域が狭くなり、露光時間が短縮され、
露光部６の光源の消費電力の低減が図れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板の上に所定の
レジストパタ−ンを形成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程では、半導体
ウエハ（以下「ウエハ」という）にレジストパタ−ンを
形成する工程がある。この工程は、例えばウエハにレジ
スト液を塗布した後、パタ−ンに対応するマスクを介し
て光、電子線あるいはイオン線等をレジスト面に照射す
ることによりデバイス領域の露光を行ない、次いで現像
処理することによりレジストマスクを形成するというも
のである。

【０００３】このレジストパタ−ンの形成法では、従来
から、デバイス領域の露光を行った後、デバイス領域の
外側の周辺領域の露光を行なうようにしている。この周
辺領域の露光（以下「周辺露光」という）では、例えば
光源を移動させることにより、前記周辺領域をウエハの
外縁に沿って露光し（全周露光）、次いで周辺領域の内
側の領域の一部について部分的に露光（部分露光）を行
なっていた。

【０００４】ここで全周露光を行うのは、前記周辺領域
のレジストを残しておくと後の工程においてパ−ティク
ルの発生原因となるおそれがあるからである。また部分
露光を行うのは、後の工程において例えばメカチャック
等と呼ばれる、ウエハの周縁部の一部を保持して搬送す
るタイプの搬送手段によりウエハを搬送する場合があ
り、このメカチャックが保持する部分のレジストを残し
ておくとパ−ティクルの発生原因となるおそれがあるか
らである。

【０００５】ここでメカチャックが保持する部分はウエ
ハの周縁部の複数カ所例えば３カ所の位置にあり、当該
部分の内側は前記全周露光を行う周辺露光領域から内側
の領域の一部に食込んでいるので、既述のような部分露
光が必要となる。こうして露光が行われた領域は、現像
工程にてアルカリ水溶液等の現像液により溶解されて除
去される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のよ
うな周辺露光では、光源の消費電力を小さくするために
光源をそれ程大きくすることができないので、前記全周
露光領域全体を露光するためには光源をウエハに対して
複数回移動させなくてはならなかった。また全周露光に
よりレジストを除去する領域は場合によって異なるもの
の、デバイス領域の外側の領域全体を全周露光しなけれ
ばならない場合には、デバイス領域の外縁はウエハの外
縁のような円弧ではなく、縦、横に伸びる線（Ｘ，Ｙ方
向に伸びる線）の組み合わせであるため、先ずウエハの
外縁に沿って光源を周方向に移動させて当該外縁部の露
光を行った後、デバイス領域の外縁に沿って光源をＸ，
Ｙ方向に移動させてデバイス領域の外縁近傍の露光を行
なわなければならないので、さらに露光回数が多くなる
場合がある。

【０００７】このように露光回数が多くなると、全周露
光の処理時間が長くなる上、このように処理時間が長く
なると光源の消費電力が増大してしまうという問題があ
る。また複数回の露光により露光が重なる領域が存在
し、この場合には光源の電力が無駄になってしまうとい
う問題もある。

【０００８】ここで光源の露光領域を、当該露光領域に
対応する被露光領域よりも大きくすれば、デバイス領域
の外縁に沿って光源をＸ，Ｙ方向に移動させることによ
り同時にウエハの外縁部も露光できるが、このようによ
り少ない回数の露光により前記周縁領域全体の露光を行
おうとすると露光領域をかなり大きくしなければなら
ず、結局光源の電力が大きくなって消費電力が増大する
し、被露光領域よりも露光領域の方が大きいので、被露
光領域からはみ出した露光領域の電力が無駄になってし
まうという問題もある。

【０００９】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、基板の回路形成領域の外側の周
辺領域のレジストを現像によって溶解する際に、当該領
域の露光時間を短縮することができるレジストパタ−ン
の形成方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】このため請求項１の発明
は、光が当たると現像液に対して溶解性になるレジスト
を基板に塗布する工程と、次に基板の回路形成領域の外
側の周辺領域であって、基板の外縁に沿って形成された
外縁近傍領域のレジストを溶剤により除去する工程と、
次いでこの基板を所定のパタ−ンマスクを用いて露光す
る工程と、続いて露光部を基板に対して面方向に相対的
に移動させて、当該露光部により基板の前記周辺領域で
あって前記外縁近傍領域の内側の領域を全周に亘って露
光する工程と、その後露光部を基板に対して面方向に相
対的に移動させて、当該露光部により前記工程により露
光された前記周辺領域の内側の領域の一部を露光する工
程と、この工程の後基板表面に現像液を供給し、これに
より基板表面を現像すると共に、前記周辺領域と前記周
辺領域の内側の領域の一部のレジストを溶解する工程
と、を含むことを特徴とする。

【００１１】このような方法では、基板の回路形成領域
の外側の周辺領域の不要なレジストを除去するにあた
り、先ず基板の外縁近傍領域のレジストを溶剤により溶
解して除去してから前記周辺領域に残存するレジストに
対して露光を行なうようにしているので、露光処理の際
の時間が短縮され、これにより光源の消費電力を低減す
ることができる。

【００１２】請求項３の発明は、前記周辺領域の内側の
一部を露光する工程は、露光しようとする領域の円形の
基板の周方向の長さを露光長、露光部の露光領域の前記
基板の周方向の長さを露光領域幅、前記基板上に設定さ
れた基準位置と露光しようとする領域の周方向の中央部
とのなす角を指定露光角、としたときに、３６０゜×
（露光長−露光領域幅）／基板外周長により露光角を求
め、指定露光角−前記露光角／２により開始角を求め、
露光部の露光領域と前記基板とを前記基準位置に対して
開始角の位置から露光角分相対的に鉛直軸回りに回転さ
せて露光を行う工程を含むことを特徴とする。このよう
に露光角と開始角とを算出すると、露光が重なる領域を
より少なくすることができ、さらに光源の電力の削減を
図ることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明に係るレジストパタ−ンの
形成方法の実施に使用される塗布・現像装置の一例の概
略について図１、図２及び図３を参照しながら説明す
る。図１及び図２中、１１はウエハカセットを搬入出す
るための搬入出ステ−ジであり、例えば２５枚収納され
たカセットＣが例えば自動搬送ロボットにより載置され
る。搬入出ステ−ジ１１に臨む領域にはウエハ１０の受
け渡しア−ム１２が、Ｘ，Ｙ方向及びθ回転（鉛直軸回
りの回転）自在に設けられている。更にこの受け渡しア
−ム１２の奥側には処理部１Ａが接続されている。

【００１４】この処理部１Ａは、例えば搬入出ステ−ジ
１１から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユニッ
トＵ１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニ
ットＵ２，Ｕ３，Ｕ４が夫々配置されていると共に、カ
セットＣと塗布・現像系ユニットと加熱・冷却系ユニッ
トとの間でウエハ１０の受け渡しを行うための、例えば
昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回
転自在に構成されたウエハ搬送ア−ムＭＡが中央に設け
られている。

【００１５】塗布・現像系のユニットＵ１においては、
例えば上段に２個の現像ユニット１３が、下段に２個の
塗布ユニット２が設けられていて、後述するエッジリン
スを行う機構は塗布ユニット２に組み込まれている。加
熱・冷却系のユニットＵ２〜Ｕ４においては、図３に示
すようにメインア−ムＭＡの前後（搬入出ステ−ジ１か
ら奥を見たときの方向で表している）には、夫々棚１
４，１５が設けられている。これら棚１４，１５は複数
のユニットが積み上げられて構成されており、それらユ
ニットに対してウエハ１０を加熱する加熱ユニット、ウ
エハ１０の位置合わせをするためのアライメントユニッ
ト等が割り当てられ、更にユニット群の一つがウエハ１
０の受け渡しユニットとして割り当てられている。なお
図３に示すユニットの割り当てはイメ−ジを示す便宜上
のもので、この割り当てに拘束されるものではない。な
おガイドレ−ルに沿ってスライドできるように前記棚１
４，１５と同様な棚を設けてもよい。

【００１６】塗布・現像系ユニットＵ１や加熱・冷却系
ユニットＵ２〜Ｕ４を含む上述の部分をクリ−ントラッ
クと呼ぶことにすると、このクリ−ントラックの奥側に
はインタ−フェイスユニット１Ｂを介して露光装置１６
が接続されている。インタ−フェイスユニット１Ｂは例
えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわり
に回転自在に構成されたウエハ搬送ア−ム１７よりクリ
−ントラックと露光装置１６との間でウエハ１０の受け
渡しを行うものであり、このユニット１Ｂには後述の周
辺露光装置５が組み込まれている。

【００１７】続いて前記塗布ユニット２の一例について
図４（ａ）の断面図と、図４（ｂ）の斜視図により説明
する。この塗布ユニット２は、モ−タＭ、昇降手段２１
及び回転軸２２により回転自在かつ昇降自在に支持され
てなる例えば真空吸着機能を有する載置部２０と、その
載置部２０に真空吸着されたウエハ１０の上方に、支持
柱３１及び水平ア−ム３２を介して配置され得るノズル
３０と、そのノズル３０と塗布液貯留タンク（図示省
略）との間を連通接続する供給管３３と、を備えてい
る。

【００１８】支持柱３１は、塗布ユニット２の底板に敷
設された案内レ−ル３４に沿って水平移動自在になって
おり、従ってウエハ１０の搬入出時にノズル３０が邪魔
にならないように逃げることができるようになってい
る。またこの塗布ユニット２には、載置部２０に吸着さ
れたウエハ１０の周囲を囲み、ウエハ１０上に供給され
た塗布液を振り切る際にそれらの液が周囲に飛散するの
を防ぐカップ２３が設けられている。なお図中２５は排
液路である。

【００１９】またこの塗布ユニットには、載置部２０に
吸着されたウエハ１０のエッジリンス領域にレジストの
溶剤を滴下するための溶剤ノズル４０が設けられてい
る。ここでエッジリンス領域とはウエハ１０の回路形成
領域であるデバイス領域の外側の周辺領域であって、ウ
エハ１０の外縁から予め設定された所定距離内側の位置
までのウエハ１０の外縁に沿って形成された外縁近傍領
域をいう。前記溶剤ノズル４０は、図４（ｂ）に示すよ
うに例えばア−ム４１の先に支持部４２を備えたノズル
支持部４３により先端部付近を支持されて、カップ２３
の外側の待機位置と、図４（ａ）に示すウエハ１０のエ
ッジリンス領域にレジストの溶剤を滴下する処理位置の
間を移動できるようになっており、この移動の際または
処理の際に当該ノズル４０の先端とカップ２３とが接触
しないように、ノズル４０の先端が前記カップ２３の上
方側近傍に位置するように設けられている。この溶剤ノ
ズル４０には、図示しない溶剤貯留タンクと供給管によ
り接続されていて、処理位置にあるときにはウエハ１０
のエッジリンス領域に溶剤を滴下するように構成されて
いる。

【００２０】続いてウエハ１０に対して全周露光及び部
分露光を行う周辺露光装置５について図５を参照しなが
ら説明する。図中５１は、ウエハ１０がデバイス形成面
を上に向けた状態でほぼ水平な状態で載置される載置部
であり、この載置部５１の上方側にはウエハ１０に対向
するように露光部６が設けられている。露光部６は、光
源６１と、光源６１とウエハ１０との間に設けられ、露
光領域を形成する手段である露光領域形成部６２と、光
源６１の露光領域形成部６２の反対側に設けられ、光源
６１から発光された光を反射させるミラ−６３と、光源
６１と露光領域形成部６２との間に設けられ、光源６１
から露光領域形成部６２に向けて発光された光と、光源
６１から発光されミラ−６３により反射された光を集光
するレンズ６４と、を備えている。

【００２１】前記露光領域形成部６２は数百本の光ファ
イバ例えば石英ファイバを配列することにより例えば四
角形状の露光領域を形成するように構成されている。ま
たミラ−６３やレンズ６４の形状や、ミラ−６３やレン
ズ６４、光源６１、露光領域形成部６２との位置関係
は、光源６１から発光された光が露光領域形成部６２に
漏れなく受光されるように夫々決定されている。

【００２２】また載置部５１は例えば下部側に設けられ
た移動手段５２により、ウエハ１０を露光部６の露光領
域に対してθ回転（鉛直軸回りの回転）及びＸ方向に面
方向に移動可能に構成されている。さらに図中５３はレ
シピ選択部、５４はレシピ記憶部、５５は制御部であっ
て、前記レシピ記憶部５４には周縁露光の複数のレシピ
が格納されていて、レシピ選択部５３によって周縁露光
の状態に応じてレシピ記憶部５４に格納されているレシ
ピを選択し、このレシピに基づいて制御部５５により、
露光部６と移動手段５２の動作が制御されるように構成
されている。

【００２３】続いて上述の装置にて行われる本発明方法
について図６により説明する。先ずこの装置のウエハの
流れについて説明すると、外部からウエハ１０が収納さ
れたウエハカセットＣが前記搬入出ステ−ジ１１に搬入
され、ウエハ搬送ア−ム１２によりカセットＣ内からウ
エハ１０が取り出され、既述の加熱・冷却ユニットＵ３
の棚の一つである受け渡し台を介してウエハ搬送ア−ム
ＭＡに受け渡される。次いでユニットＵ３内の一の棚の
処理部内にて疎水化処理が行われた後、図６（ａ）に示
すように塗布ユニット２にて基板例えばウエハ１０の表
面（デバイス形成面）に、光が当たると現像液に対して
溶解性になるレジスト液７０が塗布される。

【００２４】次に図６（ｂ）に示すように、レジスト液
７０が塗布されたウエハ１０はそのまま塗布ユニット２
にてエッジリンス処理が行われる。つまり塗布ユニット
２の載置部２０にウエハ１０を吸着保持させ、載置部２
０を回転させながら、ウエハ１０表面のエッジリンス領
域に、溶剤ノズル４０からレジスト７０を溶解させる溶
剤を供給する。このようにするとエッジリンス領域の全
体に溶剤が行き渡り、これにより当該領域のレジスト７
０が溶剤に溶解して除去される。このようにエッジリン
スを行うのは、後の工程の加熱・冷却工程において当該
領域のレジスト７０が剥がれ、パ−ティクルの発生原因
となることを防止するためである。

【００２５】この後エッジリンスが行われたウエハ１０
は加熱ユニットで加熱された後、図６（ｃ）に示すよう
に、インタ−フェイスユニット１Ｂを介して露光装置１
６に送られ、ここでウエハ１０のデバイス領域に対し
て、所定のパタ−ンに対応するパタ−ンマスク７１を用
いて光源７２を発光させて露光が行われる。

【００２６】続いて露光が行われたウエハ１０はインタ
−フェイスユニット１Ｂの周辺露光装置５に送られ、こ
こで図６（ｄ）に示すように、ウエハ１０のデバイス領
域の外側の周辺領域であってエッジリンス領域の内側の
領域である全周露光領域に対して露光が行われる。この
工程では先ず例えば図７（ａ）に示すように、ウエハ１
０を露光部６に対して面方向にθ回転させて、ウエハ１
０の円弧に沿ってエッジリンス領域の内側に形成された
全周露光領域８１の露光（全周露光）が行われる。ここ
で図７（ａ）ではエッジリンス領域については図示を省
略してある。

【００２７】この際前記周辺領域の幅Ｗ２はエッジリン
ス幅Ｗ１よりも大きく設定されており、例えばウエハ１
０の円弧に沿った（Ｗ２−Ｗ１）幅の領域が全周露光領
域８１に相当し、例えばこの幅をパラメ−タとしてレシ
ピが作成される。つまりこの工程は前記周辺領域のうち
のエッジリンスによりレジスト７０が除去された領域以
外のレジスト７０を除去することを目的として行われる
ものであって、例えば前記露光部６は当該露光部６を所
定回数移動させることにより全周露光領域８１の露光が
行われるように露光領域の大きさが決定されている。な
おこの際エッジリンス領域に食み出して露光を行うよう
にしてもよい。

【００２８】次いで図７（ｂ）に示すように、ウエハ１
０を露光部６に対して面方向にθ回転及びＸ方向に移動
させて、全周露光領域８１の内側領域の一部に食み出す
ように例えば３か所の位置に形成された部分露光領域８
２の露光（部分露光）が行われる。この部分露光領域８
２とは後の工程でメカア−ムなどの搬送手段がウエハ１
０を保持するときに触る領域であるが、この領域８２の
位置や大きさはウエハ１０の大きさやメカア−ムの形状
等により異なり、デバイス領域の一部に食み出して形成
される場合もある。

【００２９】具体例としてウエハ１０の大きさが８イン
チの場合の一例を挙げると、例えば図７（ｂ）のように
ウエハ１０のオリフラ８３の中央部を０゜に合わせたと
きに、９０゜，１８０゜，２７０゜の３か所位置に形成
され、その大きさは、ウエハ１０外縁からの幅Ｗ３が３
ｍｍ，長さＬ１が１２ｍｍである。

【００３０】部分露光は既述のようにウエハ１０を露光
部６に対して例えばθ回転及びＸ方向に面方向に移動さ
せることにより行われ、例えば露光位置、開始角、露光
角の３つのパラメ−タによりレシピが決定される。ここ
で前記θ回転とは露光部６の露光領域をウエハ１０の中
心を軸にして周方向に回転させるということである。こ
のレシピの決定方法について図９を用いて説明すると、
図９は基準位置つまり例えばウエハ１０のオリフラ８３
の中央部を０゜に合わせた位置を示している。図中８２
は部分露光領域であって、幅Ｗ４は当該領域８２のウエ
ハ１０の外縁からの幅（露光幅）、長さＬ２は当該領域
８２の周方向の長さ（露光長）を夫々示し、８４は露光
部６の露光領域を示している。

【００３１】先ず前記露光位置であるが、この露光位置
は前記露光幅Ｗ４に相当し、また前記露光角及び開始角
は次の（１）式及び（２）式により決定される。 露光角θ１＝３６０゜ ×（露光長Ｌ１−露光領域幅Ｗ５）／ウエハ外周長・・・（１） 開始角θ２＝指定露光角−露光角θ１／２ ・・・（２） ここで露光領域幅Ｗ５とは前記露光領域８４をウエハ１
０の中心を軸にしてθ回転させるときの露光領域８４の
ウエハ周方向の長さである。また指定露光角θ３とは前
記基準位置と部分露光領域８２の中央部とのなす角であ
って、例えば上述の例では部分露光領域８２は９０゜，
１８０゜，２７０゜の位置に、部分露光領域の中央部が
位置するように設定されているので、指定角度は９０
゜，１８０゜，２７０゜となる。

【００３２】ここで実際に８インチのウエハ１０の９０
゜の位置の部分露光領域８２のパラメ−タを決定する。
この際露光位置Ｗ４は図７（ｂ）の幅Ｗ３に相当するの
で３ｍｍである。また露光長Ｌ２は図７（ｂ）の長さＬ
１に相当するので１２ｍｍ、露光領域幅Ｗ５は例えば５
ｍｍ、ウエハ外周長は例えば６２８ｍｍである。従って
露光角θ１は（１）式により約４゜となり、開始角θ２
は（２）式により８８゜となる。

【００３３】同様に１８０゜の位置と２７０゜の位置に
ついてもパラメ−タを決定すると、１８０゜の位置で
は、露光位置Ｗ４が３ｍｍ、露光角θ１が約４゜、開始
角θ２が１７８゜となり、２７０゜の位置では、露光位
置Ｗ４が３ｍｍ、露光角θ１が約４゜、開始角θ２が２
６８゜となる。

【００３４】従って部分露光では、例えばレシピ記憶部
５４からレシピ選択部５３により選択された適切なレシ
ピに基づいて、制御部５５により露光部６と移動手段５
２の動作が制御され、これにより例えばウエハ１０は先
ず開始角θ２までθ回転され、これにより部分露光領域
８２のオリフラ８３側の端部と露光部６の露光領域８４
の一端側が揃えられる（このとき露光領域８４の他端側
は部分露光領域８２側に位置している）。そして光源６
１を発光させながら、ウエハ１０をさらに露光角θ１分
θ回転させて当該部分露光領域８２の露光を行う。この
ようにすると露光終了時には、部分露光領域８２のオリ
フラ８３に遠い側の端部と露光部６の露光領域８４の他
端側が揃えられた状態となっている（このとき露光領域
８４の一端側は部分露光領域側８２に位置している）。
このような部分露光により露光されない領域がある場合
には、ウエハ１０のＸ方向の移動とθ回転を組み合わせ
ることにより露光を行う。

【００３５】ここで周縁露光装置にて行なわれる全周露
光と部分露光とについて簡単に説明すると、目的の全周
露光と部分露光に応じてレシピ記憶部５４から適切なレ
シピをレシピ選択部５３により選択する。そして載置部
５１にデバイス領域の露光が行われたウエハ１０を載置
した後、選択したレシピに応じて制御部５５により露光
部６と移動手段５２を制御しながら、光源６１を発光さ
せ、ウエハ１０を移動手段５２により、全周露光領域８
１と露光領域８４とが対応するようにθ回転させて全周
露光を行なう。次いでウエハ１０をそのまま載置部５１
に載置して、同様に光源６１を発光させながら、ウエハ
１０を移動手段５２により、部分露光領域８２と露光領
域８４とが対応するようにθ回転及びＸ方向に移動させ
て部分露光を行なう。

【００３６】その後ウエハ１０は加熱ユニットで加熱さ
れた後、冷却ユニットで冷却され、続いて図８（ａ）に
示すように、現像ユニット１３にてウエハ１０のデバイ
ス形成面に現像液７３が供給されて現像が行われる。こ
の工程では現像液７３によりレジスト７０の露光された
部分が溶解され、デバイス領域に所定のレジストパタ−
ンが形成されると共に、全周露光領域８１や部分露光領
域８２のレジスト７０が除去されて、レジストマスク７
４が形成される（図８（ｂ）参照）。しかる後ウエハＷ
は搬入出ステ−ジ１１上のカセットＣ内に戻される。

【００３７】このような方法では、ウエハ１０のデバイ
ス領域の外側の周辺領域の不要なレジストを現像して除
去するにあたり、先ずエッジリンスによりウエハ１０の
外縁近傍領域のレジストを溶剤により溶解して除去して
から前記周辺領域に残存するレジストに対して全周露光
を行なうようにしている。このためエッジリンスを行な
わない場合よりも全周露光にて露光しなければならない
領域が小さくなるので、全周露光の処理時間が短縮さ
れ、これにより光源の消費電力を低減することができ
る。

【００３８】また全周露光領域が小さくなることから、
より少ない回数で当該領域の露光を行う場合にも露光部
の露光領域の大きさをそれ程大きくする必要がない。こ
のため光源の電力の増大を抑えながら、露光が重なる領
域を少なくすることができるので、結果として光源の電
力の削減を図ることができる。

【００３９】さらに部分露光のときには、既述のように
（１）式及び（２）式に基づいて露光角θ１と開始角θ
２とを算出するようにしたので、露光が重なる領域をよ
り少なくすることができ、さらに光源の電力の削減を図
ることができる。つまり本来、前記露光角θは３６０゜
×露光長／ウエハ外周長の式に基づいて算出されるもの
であるが、この場合には露光開始時には部分露光領域の
一端側に露光部の露光領域の中央部が位置し、露光終了
時には部分露光領域の他端側に前記露光領域の中央部が
位置することになるので、結局前記露光領域分だけ余計
に露光されることになってしまう。そこで本発明ではこ
の余計に露光される領域を無くすように（１）式と、露
光部の露光領域の位置を補正するために（２）式を求め
たので、無駄な露光が無くなり、その分光源の電力の削
減を図ることができる。

【００４０】また上述の実施の形態では、露光部６とウ
エハ１０とはウエハ１０の面方向に相対的に移動させる
ように構成すればよく、ウエハ１０側を移動させる代わ
りに、露光部６側を移動させるように構成してもよい。
また移動手段５２を、ウエハ１０を露光部６の露光領域
に対してθ回転及びＸ，Ｙ方向に移動可能に構成し、前
記全周露光を行う際に、Ｘ方向またはＹ方向に沿って形
成されたデバイス領域の外縁近傍領域について、ウエハ
１０の周辺領域に露光領域を位置させながら、ウエハ１
０をＸまたはＹ方向に連続的に移動させて当該領域の露
光を行うようにしてもよい。

【００４１】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、基板の回路形
成領域の外側の周辺領域の不要なレジストを除去するに
あたり、先ず基板の外縁近傍領域のレジストを溶剤によ
り除去してから、前記周辺領域であって外縁近傍領域の
内側の領域について露光を行って後の現像工程にて除去
するようにしたので、当該露光時の処理時間の短縮を図
ることができる。また請求項２の発明によれば、露光角
と開始角とを算出するようにしたので、露光が重なる領
域をより少なくすることができ、光源の電力の削減を図
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法が実施される塗布・現像装置の一例
を示す平面図である。

【図２】本発明方法が実施される塗布・現像装置の一例
を示す斜視図である。

【図３】本発明方法が実施される塗布・現像装置の一例
を示す断面図である。

【図４】本発明方法の実施で用いられる塗布ユニットを
示す断面図と斜視図である。

【図５】本発明方法の実施で用いられる周辺露光装置を
示す断面図である。

【図６】本発明方法の一実施の形態の一部を示す工程図
である。

【図７】本発明方法の周辺露光工程を説明するための平
面図である。

【図８】本発明方法の一実施の形態の一部を示す工程図
である。

【図９】前記周辺露光工程の部分露光を説明するための
説明図である。

【符号の説明】

１０ 半導体ウエハ ２ 塗布ユニット ４０ 溶剤ノズル ５ 周辺露光装置 ５１ 載置部 ５２ 移動手段 ６ 露光部 ６１ 光源 ７０ レジスト ７１ パタ−ンマスク ７３ 現像液 ８１ 全周露光領域 ８２ 部分露光領域 Ｗ１ エッジリンス幅 Ｗ２ 周辺領域幅 θ１ 露光角 θ２ 開始角 θ３ 指定角度

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光が当たると現像液に対して溶解性にな
   るレジストを基板に塗布する工程と、 次に基板の回路形成領域の外側の周辺領域であって、基
   板の外縁に沿って形成された外縁近傍領域のレジストを
   溶剤により除去する工程と、 次いでこの基板を所定のパタ−ンマスクを用いて露光す
   る工程と、 続いて露光部を基板に対して面方向に相対的に移動させ
   て、当該露光部により基板の前記周辺領域であって前記
   外縁近傍領域の内側の領域を全周に亘って露光する工程
   と、 その後露光部を基板に対して面方向に相対的に移動させ
   て、当該露光部により前記工程により露光された前記周
   辺領域の内側の領域の一部を露光する工程と、 この工程の後基板表面に現像液を供給し、これにより基
   板表面を現像すると共に、前記周辺領域と前記周辺領域
   の内側の領域の一部のレジストを溶解する工程と、を含
   むことを特徴とするレジストパタ−ンの形成方法。
2. 【請求項２】 レジストパタ−ンを形成する基板は円形
   であり、前記周辺領域の内側の領域の一部を露光する工
   程は、 露光しようとする領域の基板の周方向の長さを露光長、 露光部の露光領域の前記基板の周方向の長さを露光領域
   幅、 前記基板上に設定された基準位置と露光しようとする領
   域の周方向の中央部とのなす角を指定露光角、としたと
   きに、 ３６０゜×（露光長−露光領域幅）／基板外周長により
   露光角を求め、 指定露光角−前記露光角／２により開始角を求め、 露光部の露光領域と前記基板とを前記基準位置に対して
   開始角の位置から露光角分相対的に鉛直軸回りに回転さ
   せて露光を行う工程を含むことを特徴とする請求項１記
   載のレジストパタ−ンの形成方法。