JP2000232187A - リードフレームの製造方法 - Google Patents

リードフレームの製造方法

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JP2000232187A
JP2000232187A JP11033575A JP3357599A JP2000232187A JP 2000232187 A JP2000232187 A JP 2000232187A JP 11033575 A JP11033575 A JP 11033575A JP 3357599 A JP3357599 A JP 3357599A JP 2000232187 A JP2000232187 A JP 2000232187A
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Japan
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lead frame
pad
ultrasonic
bonding
ultrasonic bonding
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JP11033575A
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English (en)
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Hironori Kagoshima
弘規 鹿児島
Kazuhiko Umeda
和彦 梅田
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Mitsui High Tec Inc
Original Assignee
Mitsui High Tec Inc
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 超音波接合時の振動に起因するサポートバー
及びダムバーの断線を防止する。 【解決手段】 リードフレーム1のパッド3の裏面に超
音波接合により放熱板8を接合する際に、リードフレー
ム1を、それぞれリードフレーム1当接面側に弾性材1
8a、18bを装着した支持板13a及び押さえ板19
より押圧した状態で超音波接合を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置用リード
フレームの製造方法に係り、更に詳細には、超音波接合
にてパッド裏面に放熱板が接合されてなるリードフレー
ムの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の多機能化、高集
積化に伴い、半導体素子の消費電力の増加とそれに起因
する発熱量の増大が半導体装置の信頼性を損ねる原因と
して大きな問題となってきている。このような半導体素
子の発熱量の増大に対する対策として、半導体装置の基
材であるリードフレームの半導体素子搭載面の裏面に、
高熱伝導体からなる放熱板を装着したリードフレームが
用いられている。
【0003】ここでリードフレームの一例について説明
すると、図4に示すようにリードフレーム1は、平行に
配置された一対の連結細条2と、連結細条2間のほぼ中
央に配置された半導体素子を搭載するためのパッド3
と、一端部はパッド3に接続され、また他端部は連結細
条2に接続される、パッド3を支持するサポートバー4
と、パッド3の周囲に配置され、外方に放射状に伸長す
るインナーリード5と、隣接するインナーリード5間を
連結し、根本部が連結細条2に接続されるダムバー6
と、インナーリード5のそれぞれに連接されたアウター
リード7とから構成される。そして前述したように、パ
ッド3の半導体素子搭載面の裏面側には、パッド3の外
径と略同一の外径に形成された放熱板8が装着される。
【0004】なお、このように放熱板8が装着されたリ
ードフレーム1には、図5に示すように、その後パッド
3の放熱板8装着面とは反対の面に半導体素子9が装着
され、半導体素子9の電極とインナーリード5とをボン
ディングワイヤ10によって接続した後、封止樹脂11
によって半導体チップ9及びボンディングワイヤ10を
含む必要領域を樹脂封止し、更にアウターリード7を所
望の形状に成形加工して、図に示すような半導体装置1
2が得られる。
【0005】ところで、前述したリードフレーム1と放
熱板8との接合に際しては、これまでは絶縁性接着テー
プによる接合や溶接、あるいはかしめによる接合が用い
られていたが、これらの接合方法は、それぞれ接合時の
熱履歴や機械的衝撃により、リードフレーム、ひいては
半導体装置の信頼性を低下させてしまうことがあった。
また絶縁性接着テープなどの接着材料を使用する場合に
は、その材料分コストが増大してしまうといった問題も
あった。
【0006】そこで近年、特開平8−125092号公
報などに開示されているように、リードフレームに放熱
板を装着する際に、超音波接合を用いることが注目を集
めている。
【0007】ここで超音波接合の方法の一例について説
明する。まずリードフレーム1と放熱板8とをそれぞれ
別体形成し、図3(a)に示すように、支持台13の上
面に設けられた凹部14内に放熱板8を載置する。な
お、ここで凹部14の外径は放熱板8の外径とほぼ等し
く、かつ凹部14の底部の放熱板8との当接面には多数
の小突起15が形成されている。
【0008】次に、この放熱板8とリードフレーム1の
パッド3とを位置合わせして、パッド3の半導体素子搭
載面の裏面側と放熱板8とが当接して重なり合うよう
に、支持台13上にリードフレーム1を載置する。なお
パッド3の上方には加圧ツール16が配置されており、
この加圧ツール16は、図示しない超音波ホーンに接続
されている。また、加圧ツール16の先端のパッド3と
の当接面には、多数の小突起17が形成されている。
【0009】それから図3(b)に示すように、加圧ツ
ール16を下降してその先端をパッド3に当接させると
ともに、パッド3表面に小突起17を食い込ませる。ま
た、このとき支持板13の凹部14に載置されている放
熱板8のパッド3当接面の裏面側には、凹部14の底面
に形成された小突起15が食い込む。なお、この場合リ
ードフレーム1のパッド3を除いた部分には何も押さえ
がなく、フリーな状態となっている。そして、このよう
に加圧ツール16にてパッド3を加圧した状態で、図示
しない超音波発振器により超音波の電気信号を発信して
これを超音波振動子にて機械振動に変換する。そしてこ
の機械振動が超音波ホーンを通じて加圧ツール16に印
加され、この加圧ツール16を介してリードフレーム1
のパッド3に超音波振動を付加する。するとパッド3と
放熱板8の接触面で、それぞれの表面を覆っている酸化
膜が破壊され、活性した金属面が現れる。更に摩擦によ
り境界での極部温度が上昇しているので、活性原子間の
距離が近づいて金属接合が行われ、この結果リードフレ
ーム1のパッド3と放熱板8とが固相接合されるのであ
る。
【0010】このような超音波振動を利用した接合方法
によれば、接合時に発熱がほとんど生じないため、リー
ドフレームに熱履歴が生じず、またリードフレームが機
械的衝撃にさらされることもないので、半導体装置の信
頼性を向上させることができる。更に接合材料などが不
要なので、製造コストも低減できる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかし超音波接合にお
いては、接合時の超音波振動がリードフレーム1全体に
伝達されるため、その結果リードフレーム1の強度の弱
い部分、具体的には、通常他のリード部と比較して細幅
に形成されるサポートバー4及びダムバー6の連結細条
2との接続部分に超音波振動に起因する応力が集中して
しまい、その結果この部分で断線が生じてしまうという
問題点があった。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明は、超音波接合時に生じる振動を吸収す
る部材を使用して、リードフレームを押圧した状態で超
音波接合を行うことにより、リードフレーム各部への超
音波振動の伝達を抑制して、超音波接合時の振動に起因
するリードフレーム各部の断線を防止するものである。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明は、リードフレームのパッ
ドの半導体素子搭載面の裏面に超音波接合により放熱板
が接合されてなるリードフレームの製造方法において、
超音波接合時に、リードフレームのパッドを除く部分を
弾性材にて押圧した状態で接合を行うものである。
【0014】なお弾性材の材質としては、合成ゴムや天
然ゴムなどのラバー材の他、弾性プラスチックやフッ素
系、ウレタン系の樹脂など、振動を吸収できるものなら
ばあらゆる材質のものが適用できる。
【0015】
【実施例】以下、本発明について、図面を参照しつつ説
明する。まず、A194などの銅系またはA42などの
鉄系の帯状材料をプレスにより打ち抜き、あるいはエッ
チングすることによって形状加工を行い、図1に示すよ
うなリードフレーム1の形状加工を行う。
【0016】また、リードフレーム1の形状加工とは別
に、放熱板8の形状加工を行う。ここで放熱板8の材質
としては、銅及び銅合金、アルミニウム、ニッケル、ク
ロム、亜鉛及びこれらの合金などの熱伝導性の良好な金
属、あるいは各種セラミックが使用される。なお本実施
例においては、放熱板8はリードフレーム1のパッド3
とほぼ同じ外径の個片に形成されている。
【0017】次に、それぞれ別体形成されたリードフレ
ーム1と放熱板8とを、超音波接合する。本実施例にお
いては、図1に示すようなツールを使用して接合を行
う。まずリードフレーム1を載置するための支持板13
aについて説明する。支持板13aのリードフレーム1
載置面の略中央には放熱板8を載置するための凹部14
aが設けられおり、この凹部14aを除いた部分に、シ
リコンゴムからなる弾性材18aが装着されている。な
お、ここで凹部14aの外径は放熱板8の外径とほぼ等
しく、かつ凹部14の底部の放熱板8と当接する面に
は、多数の小突起15aが形成されている。また本実施
例においては、支持板13aの凹部14aの深さと弾性
材18aの厚みの和が、放熱板8の高さとほぼ同じか若
干浅くなるように形成されている。
【0018】更に本実施例においては、超音波接合の際
に、支持板13aと対になってリードフレーム1を挟持
するための押さえ板19を使用する。この押さえ板19
の略中央のリードフレーム1のパッド3に対応する個所
には貫通孔20が設けられており、また支持板13a同
様押さえ板19のリードフレーム1当接面の貫通孔20
を除いた部分にはシリコンゴムからなる弾性材18bが
装着されている。そして押さえ板19の上方には、パッ
ド3の外径に対応し、かつ貫通孔20の外径よりも小さ
な外径を有する加圧ツール16aが配置される。
【0019】次に、これらのツールを使用した接合方法
について説明する。まず図2(a)に示すように、支持
板13aのリードフレーム1載置面に形成された凹部1
4aに放熱板8を載置し、この放熱板8とリードフレー
ム1のパッド3とを位置合わせして、パッド3の半導体
素子搭載面の裏面と放熱板8とが当接して重なり合うよ
うに、支持台13aの弾性材18a上にリードフレーム
1aを載置する。
【0020】そしてリードフレーム1の放熱板8装着面
の反対面側のパッド3を除いた部分全面に、押さえ板1
9の弾性材18b面を当接させて押圧する。なお本実施
例においては、押圧に際してスプリング21を使用する
ことにより、押圧力を高めるようにしている。
【0021】次に押さえ板19の上方に配置された加圧
ツール16aを、押さえ板19の貫通孔20を通過させ
て下降させる。なお加圧ツール16aは、図示しない超
音波ホーンに接続されており、また加圧ツール16aの
先端のパッド3との当接面には、多数の小突起17aが
形成されている。
【0022】それから図2(b)に示すように、下降さ
せた加圧ツール16aの先端をパッド3に当接させると
ともに、パッド3の表面に小突起17aを食い込ませ
る。また、このとき支持板13aの凹部14aに載置さ
れている放熱板8のパッド3当接面の裏面側には、凹部
14aの底面に形成された小突起15aが食い込む。そ
してこのように加圧ツール16aにてパッド3を加圧し
た状態で、図示しない超音波発振器により超音波の電気
信号を発信し、これを超音波振動子にて機械振動に変換
する。そしてこの機械振動が超音波ホーンを通じて加圧
ツール16aに印加され、この加圧ツール16aを介し
てリードフレーム1のパッド3に超音波振動を印加する
ことにより、リードフレーム1のパッド3と放熱板8と
を固相接合するのである。
【0023】その後、押さえ板19の押圧を開放して、
放熱板8が装着されたリードフレーム1を以後の工程に
送り、リードフレーム1のパッド3の放熱板8装着面と
は反対の面に、銀ペーストなどの接着剤によって半導体
素子9を装着し、半導体素子9の電極とインナーリード
5とをボンディングワイヤ10によって接続した後、封
止樹脂11によって半導体チップ9及びボンディングワ
イヤ10を含む必要領域を樹脂封止し、更にダムバー6
を切除して各アウターリード7を分離するとともにサポ
ートバー4を連結細条2から分離させる。それからアウ
ターリード7を所望の形状に成形加工することにより、
図5に示すような半導体装置12が得られる。
【0024】なお本実施例においては、支持板13a及
び押さえ板19の両方のリードフレーム1当接面に、そ
れぞれ弾性材18a、18bを装着したが、これはいず
れか一方側にのみ装着するようにしてもよい。また押さ
え板19の押圧力を高めるためにスプリング21を使用
したが、これは例えば流体圧機構などにより行ってもよ
く、更に押さえ板19の自重により十分な押圧力が確保
できる場合は、特に押圧力を高めるための機構を付加す
る必要はない。
【0025】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【0026】超音波接合時に、リードフレームのパッド
を除く部分を弾性材にて押圧した状態で接合を行うよう
にしたので、超音波接合時の振動をこの弾性材が吸収す
るため、リードフレーム各部への超音波振動の伝達を抑
制することができ、これにより超音波接合時の振動に起
因する断線を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す図。
【図2】本発明の実施例を示す図。
【図3】従来の実施例を示す図。
【図4】リードフレームを示す図。
【図5】半導体装置を示す図。
【符号の説明】
1 リードフレーム 2 連結細条 3 パッド 4 サポートバー 5 インナーリード 6 ダムバー 7 アウターリード 8 放熱板 9 半導体素子 10 ボンディングワイヤ 11 封止樹脂 12 半導体装置 13、13a 支持台 14、14a 凹部 15、15a 小突起 16、16a 加圧ツール 17、17a 小突起 18a、18b 弾性材 19 押さえ板 20 貫通孔 21 スプリング

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームのパッドの半導体素子搭
    載面の裏面に放熱板が超音波接合によって接合されてな
    るリードフレームの製造方法において、超音波接合時
    に、リードフレームのパッドを除く部分を弾性材により
    押圧した状態で接合を行うことを特徴とするリードフレ
    ームの製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007109880A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置
WO2011123539A3 (en) * 2010-03-31 2012-01-19 Orthodyne Electronics Corporation Ultrasonic bonding systems and methods of using the same
US8196798B2 (en) 2010-10-08 2012-06-12 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Solar substrate ribbon bonding system
US8231044B2 (en) 2010-10-01 2012-07-31 Orthodyne Electronics Corporation Solar substrate ribbon bonding system
US8746537B2 (en) 2010-03-31 2014-06-10 Orthodyne Electronics Corporation Ultrasonic bonding systems and methods of using the same
KR101682067B1 (ko) * 2015-08-26 2016-12-02 제엠제코(주) 초음파 융착을 이용한 히트 슬러그 및 리드프레임 접합형 반도체 패키지
US9735100B2 (en) 2013-02-06 2017-08-15 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007109880A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置
US8746537B2 (en) 2010-03-31 2014-06-10 Orthodyne Electronics Corporation Ultrasonic bonding systems and methods of using the same
CN102844851A (zh) * 2010-03-31 2012-12-26 奥托戴尼电气公司 超声波焊接系统及利用该超声波焊接系统的方法
US8511536B2 (en) 2010-03-31 2013-08-20 Orthodyne Electronics Corporation Ultrasonic bonding systems and methods of using the same
US8584922B1 (en) 2010-03-31 2013-11-19 Orthodyne Electronics Corporation Ultrasonic bonding systems and methods of using the same
WO2011123539A3 (en) * 2010-03-31 2012-01-19 Orthodyne Electronics Corporation Ultrasonic bonding systems and methods of using the same
CN102844851B (zh) * 2010-03-31 2015-08-26 奥托戴尼电气公司 超声波焊接系统及利用该超声波焊接系统的方法
DE112011101129B4 (de) 2010-03-31 2022-05-25 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Ultraschall-Bondsysteme und Verfahren zu ihrer Verwendung
US8231044B2 (en) 2010-10-01 2012-07-31 Orthodyne Electronics Corporation Solar substrate ribbon bonding system
US8308050B1 (en) 2010-10-01 2012-11-13 Orthodyne Electronics Corporaition Solar substrate ribbon bonding system
US8196798B2 (en) 2010-10-08 2012-06-12 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Solar substrate ribbon bonding system
US8251274B1 (en) 2010-10-08 2012-08-28 Orthodyne Electronics Corporation Solar substrate ribbon bonding system
US9735100B2 (en) 2013-02-06 2017-08-15 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR101682067B1 (ko) * 2015-08-26 2016-12-02 제엠제코(주) 초음파 융착을 이용한 히트 슬러그 및 리드프레임 접합형 반도체 패키지

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