JP2000234920A - ウエハフラットネス測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】測定装置における機械振動の測定値に対する影
響を抑制して、高精度なフラットネス測定ができるウエ
ハフラットネス測定装置を提供することにある。 【解決手段】光ヘテロダイン干渉測定装置にウエハ表面
あるいは裏面の変位量を検出する検出器として主走査方
向と実質的に直交する副走査方向に直線状に配列された
ｎ個（ｎは３以上の整数）の光学センサを有し、この光
学センサのｍ個分（ｍは整数であって、ｍ＜ｎ）を副走
査方向に重複させｎ−ｍピッチで移動させてウエハを二
次元走査してｎ個の光学センサ対応にｎ個の測定データ
を得てこのｎ個の測定データが得られたウエハ上の各測
定点に対応して測定値を記憶する測定値採取手段と、こ
の測定値採取手段による測定点の重複走査により得られ
るウエハ上の同一測定点の複数の測定値の平均値を算出
して測定点対応に記憶する平均値算出手段と、この平均
値算出手段により算出された平均値に基づいてウエハの
平坦度を検出する平坦度検出手段とを備えるものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ウエハフラット
ネス測定装置に関し、詳しくは、測定装置における機械
振動の測定値に対する影響を抑制して、高精度なフラッ
トネス測定（平坦度測定）ができるようなウエハフラッ
トネス測定装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ウエハのフラットネス測定は、ウエハの
相対的な厚さむらをウエハ表裏面の上下の変位量として
静電センサ等により測定することで行われ、例えば、ウ
エハに座標Ｒθを設定してスパイラル走査あるいは同心
円走査により行われる。このフラットネス（平坦度）の
測定再現性は、最近では、σ値で数十ｎｍとその要求が
高く、高精度な測定が要求される。座標Ｒθによる走査
に限らず、ＸＹ座標での往復走査において変位量を測定
する場合であっても、ウエハあるいは測定装置を回転機
構や移動機構を介して相対的に移動させることが必要に
なるので、ウエハのフラットネス測定検査では、回転機
構や移動機構による振動が測定値に影響を与える。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ウエハのフラットネス
測定で前記したようにナノメートルオーダの精度を実現
するためには測定器の機械振動が直接測定誤差となり大
きな問題になる。しかし、この振動をなくすことは実質
的に不可能である。また、静電容量センサ等を用いる
と、静電容量センサ等による測定の場合には、通常、表
面側基準位置からウエハの表面までの距離を測定する測
定装置と裏面側基準位置からウエハの裏面までの距離を
測定する測定装置とを設けることになる。この場合、表
裏それぞれの基準位置は、測定装置のフレームに固定さ
れることになるので、フレームの温度変化による膨張、
収縮、そして経年変化により基準位置に誤差が生じ、こ
れによっても精度の高い測定をすることが難しい。この
発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決する
ものであって、測定装置における機械振動の測定値に対
する影響を抑制して、高精度なフラットネス測定ができ
るウエハフラットネス測定装置を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るためのこの発明のウエハフラットネス測定装置の特徴
は、光ヘテロダイン干渉測定装置にウエハ表面あるいは
裏面の変位量を検出する検出器として主走査方向と実質
的に直交する副走査方向に直線状に配列されたｎ個（ｎ
は３以上の整数）の光学センサを有し、この光学センサ
のｍ個分（ｍは整数であって、ｍ＜ｎ）を副走査方向に
重複させｎ−ｍピッチで移動させてウエハを二次元走査
してｎ個の光学センサ対応にｎ個の測定データを得てこ
のｎ個の測定データが得られたウエハ上の各測定点に対
応して測定値を記憶する測定値採取手段と、この測定値
採取手段による測定点の重複走査により得られるウエハ
上の同一測定点の複数の測定値の平均値を算出して測定
点対応に記憶する平均値算出手段と、この平均値算出手
段により算出された平均値に基づいてウエハの平坦度を
検出する平坦度検出手段とを備えるものである。

【０００５】

【発明の実施の形態】ところで、移動機構や回転機構等
の機械振動を調べてみると、周波数成分は、数ｋＨｚ以
下である。しかし、円周方向のサンプリングは数ＭＨｚ
になるので、トラック方向に得られる測定値の平均値を
単純に採っても機械振動の測定値に対する影響を除去す
ることはできない。しかも、平均化のために何回も測定
するとなると検査のスループットを低下させる問題があ
る。そこで、前記のように、光ヘテロダイン干渉測定装
置により波長レベルの高い精度で副走査方向にｎ個光学
センサを配列させて二次元走査をして各検出素子対応に
変位量を検出し、かつ、副走査方向にｎ−ｍピッチで移
動させることでｍ素子分重複走査をする。このことで、
１回のウエハ検査において同一測定点で複数の測定値を
採取することができる。この複数の測定値の平均値を同
一測定点で採ることで、ウエハの回転数に応じた平均値
を採取することができる。例えば、ウエハの回転数を４
００ｒｐｍとすれば、６．７Ｈｚごとに測定値を得るこ
とになるので、このようにして得た複数の測定値を平均
化することにより低い周波数でのノイズ除去が可能にな
り、測定値における機械的な振動ノイズの影響を抑制す
ることができる。この場合に、同一測定点を複数回測定
する必要がない。また、１回のウエハ測定の後に測定す
るのでは、同一測定点での測定周期が長くなりすぎ、周
波数が低くなりすぎるので平均化が適正でなく、かつ、
検査の効率は低下する。また、ウエハの円周方向にサン
プリング値を平均化してもその測定周期からして十分な
ノイズ除去にはならない。前記のような構成を採ること
で、検査の効率化を図ることができ、かつ、機械振動の
影響を抑制できる。なお、検査開始部分と検査終了部分
の重複走査はないがウエハの相対的な厚さむらを測定す
るウエハフラットネス測定では実質的に問題とならな
い。

【０００６】

【実施例】図１は、この発明のウエハフラットネス測定
装置の一実施例を示す構成図であり、図２は、その処理
のフローチャート、図３は、そのデータテーブルの説明
図、図４は、周回対応部分平均化処理の説明図、そして
図５は、平均値データテーブルの説明図である。図１に
おいて、ウエハ１は、円筒状で内側中空のＲθテーブル
２に載置され、このウエハ１の上部には、ウエハ１のフ
ラットネス測定を行う光ヘテロダイン干渉測定装置３が
設けられている。その測定レーザビームＬが光ヘテロダ
イン干渉測定装置３から垂直に落射される。光ヘテロダ
イン干渉測定装置３には、ｎ画素（ｎは３以上の整数）
のＣＣＤのラインセンサ３３が測定光側の光センサとし
て設けられている。Ｒθテーブル２は、ウエハ１を頭部
においてチャックし回転させるスピンドル２１と、この
スピンドル２１の底部が搭載されウエハ１を半径Ｒ方向
へ直線移動させる機構を有するＲθ移動機構２２とから
なり、駆動回路４によりＲθ方向に駆動される。これに
よりウエハ１は、測定レーザビームＬによりスパイラル
走査される。

【０００７】１０は、測定データ処理装置であって、Ｍ
ＰＵ１１とメモリ１２、ＣＲＴディスプレイ１３、位相
／距離変換回路１４、インタフェース１５、そしてウエ
ハＲθ制御回路１６とを有し、これら回路がバス１７を
介して相互に接続されている。メモリ１２には、Ｒθ走
査プログラム１２ａと、データ採取プログラム１２ｂ、
同一検出位置平均化プログラム１２ｃ、平坦度検出プロ
グラム１２ｄ、そしてデータテーブル１２ｅおよび平均
値データテーブル１２ｆとが設けられ、特別に示してい
ないが、表示処理プログラム等も設けられている。ここ
で、ウエハＲθ制御回路１６は、駆動回路４を介してＲ
θテーブル２の回転と移動の制御をする。Ｒθ走査プロ
グラム１２ａは、ＭＰＵ１１によりこれが実行されたと
きに、光ヘテロダイン干渉測定装置３の測定ビームＬを
ウエハ１に照射してウエハＲθ制御回路１６を介してウ
エハ１を光ヘテロダイン干渉測定装置３の測定レーザ光
Ｌによりスパイラル走査させる。

【０００８】データ採取プログラム１２ｂは、ＭＰＵ１
１によりこれが実行されたときに、Ｒθ走査プログラム
１２ａをコールしてウエハ１をスパイラル走査してライ
ンセンサ３３の検出画素のＲ方向に採った所定のピッチ
でラインセンサ３３の全検出画素の検出信号による検出
値を採取し、採取された各検出画素位置対応にデータテ
ーブル１２ｅに周方向θの各角度位置対応のデータテー
ブルに測定値を書込んでいく処理を行う。なお、後述す
るように、全画素数ｎをｎ＝４とし、重複走査の画素数
ｍをｍ＝３とすると（ｍは３以上の整数でｍ＜ｎであ
る。）、ここでは１画素に対応するピッチでＲ方向に副
走査が行われる。これにより、３画素分のトラックが重
複走査されるスパイラル走査となる。

【０００９】同一検出位置平均化プログラム１２ｃは、
データ採取プログラム１２ｂによるデータ採取がされた
後に、このプログラムによりコールされ、ＭＰＵ１１に
よりこれが実行されたときに、データテーブル１２ｅを
参照してラインセンサ３３の各検出画素の測定値として
ｎ周回目以降から得られるｎ画素分の同一検出位置の測
定値について平均値を算出して平均値データテーブル１
２ｆに平均化したデータをＲθ位置対応に記憶してい
く。平坦度検出プログラム１２ｄ、ＭＰＵ１１によりこ
れが実行されたときに、平均値データテーブル１２ｆに
記憶された平均化されたデータをＲθ位置対応に順次読
出して表面側と裏面側との変位量の差をウエハの相対的
な厚さむらとして算出し、それを３次元マップの表示デ
ータに展開してＣＲＴディスプレイ１３に映像表示する
とともに差（厚さむら）についての最大値を表示し、か
つ、ウエハ１をブロック区分してそれぞれのブロックに
おける最大値を算出して厚さむらデータとして表示す
る。これにより、フラットネス測定結果の検出と表示を
行う。

【００１０】光ヘテロダイン干渉測定装置３は、周波数
ｆ1のＰ偏光波と周波数ｆ2のＳ偏光波とを発生する２波
長レーザ光源３１と、ＣＣＤの画素単位の検出値に対応
する参照値を検出値として発生する検出器３２、そして
ｎ画素のラインセンサ３３とを有していて、検出器３２
は、ｆ1−ｆ2の位相φを検出する参照光側の光学センサ
であり、ラインセンサ３３は、ｆ1−ｆ2±Δｆの位相δ
を検出する測定光側の光学センサである。３４は、周波
数ｆ1のＰ偏光波のレーザビームと周波数ｆ2のＳ偏光波
のレーザビームとを分割する１３５゜（逆向きで４５
゜）のビームスプリッタ（ＢＳ）である。このＢＳ３４
は、周波数ｆ1のレーザビームを受けて、Ｐ偏光の反射
波とＰ偏光波の透過波を発生させ、Ｓ偏光の反射波を偏
光板４０を通して検出器３２に入力して、それを検出さ
せる。また、周波数ｆ2のレーザビームを受けて、Ｓ偏
光の反射波とＳ偏光波の透過波を発生させる。周波数ｆ
2の反射波は、偏光板４０を通り、検出器３２に入力す
る。その結果、検出器３２にあっては、周波数（ｆ1−
ｆ2）で位相φの検出信号が参照側の電気信号として得
られる。

【００１１】３５は、ＢＳ３４を透過したレーザビーム
のうち周波数ｆ1側を測定信号として受け、ＢＳ３４を
透過したレーザビームのうち周波数ｆ2側を受ける入射
する４５゜の偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）である。
このＰＢＳ３５は、周波数ｆ1側をそのまま透過してλ
／４波長板３６を経てウエハ１の上面１ａに照射する。
これが測定光であり、これの反射光は、λ／４波長板３
６を経てＰＢＳ３５に至り、ここで、測定信号としてラ
インセンサ３３に方向に反射され、偏光板３９を通って
ラインセンサ３３に入射する。また、ＰＢＳ３５は、周
波数ｆ2側をλ／２波長板３７側に反射させて基準ミラ
ー（コーナキューブ）３８で反射させ、この反射されて
戻された光を受けて透過して偏光板３９を通し、ライン
センサ３３に入力させる。その結果、ラインセンサ３３
にあっては、周波数（ｆ1−ｆ2）で位相δ＝φ±Δｆの
検出信号が測定側の電気信号として得られる。ここで、
±Δｆは、ウエハ１の上下方向の変位量に対応して変化
する値である。

【００１２】検出器３２の検出信号は、参照信号として
位相比較／変位量検出器7a，7b，…，7nに入力される。
一方、ラインセンサ３３のそれぞれの画素位置対応の検
出信号は、アンプ６a，６b，…，６nでそれぞれ増幅さ
れ、測定信号として位相比較／変位量検出器7a，7b，
…，7nのそれぞれに対応する検出器にそれぞれ入力され
る。位相比較／変位量検出器7a，7b，…，7nは、それぞ
れ±Δｆに応じた位相を表すデジタル値の検出信号Ｓ
a，Ｓb，…，Ｓnを発生して、セレクタ８の対応する入
力端子にそれぞれ入力する。セレクタ８は、データ処理
装置１０からインタフェース１５を介して与えられる制
御信号に応じて位相比較／変位量検出器7a，7b，…，7n
の検出信号Ｓa，Ｓb，…，Ｓnを順次選択してデータ処
理装置１０の位相／距離変換回路１４に送出していく。
位相／距離変換回路１４は、検出信号Ｓa，Ｓb，…，Ｓ
nを距離データに換算して割込み信号を発生してバス１
７へと送出し、ＭＰＵ１１に渡す。

【００１３】ウエハ１の裏面側にも表面側の光ヘテロダ
イン干渉測定装置３に対応して光ヘテロダイン干渉測定
装置３０が設けられている。その構成は光ヘテロダイン
干渉測定装置３と同じであり、その測定光は、光ヘテロ
ダイン干渉測定装置３の表面側のレーザ照射位置に対応
するウエハ１の裏面側の位置に照射される。そして、光
ヘテロダイン干渉測定装置３０の測定光側検出器の検出
信号は、アンプ６０を介して位相比較／変位量検出器７
０に送出され、セレクタ８０において検出信号が選択さ
れて、表面側と同様に位相／距離変換回路１４に入力さ
れる。ここで、アンプ６０は、アンプ６a，６b，…，６
nに対応する裏面側の複数のアンプを代表して示してい
てその内部を複数のアンプに展開して示していないもの
である。位相比較／変位量検出器７０も同様であり、位
相比較／変位量検出器7a，7b，…，7nに対応する裏面側
の複数の位相比較／変位量検出器を代表して示すもので
あり、それぞれの構成は、表面側のものと対応してい
る。その結果、図３のデータテーブル１２ｅには、表裏
両面について得られるが、表裏は同様になるので、以下
では表面側のみ説明し、裏面側については割愛する。

【００１４】次に、図２に従って、測定データ処理装置
１０のフラットネス測定処理についてウエハの表面側の
測定を中心に説明する。なお、ここでは、説明の都合
上、ｎ＝４とし、重複走査の画素数ｍをｍ＝３として説
明するが、実際は、０．５mm×０．５mmの８画素程度で
４mm程度のラインセンサを使用するとよい。フラットネ
ス測定処理の所定の機能キー入力により、データ採取プ
ログラム１２ｂがコールされて、光ヘテロダイン干渉測
定装置３の測定値を“０”として現在の照射位置を原点
位置として変数ｎをｎ＝１にして初期化し（ステップ１
０１）、次にＲθ走査プログラム１２ａがコールされ
て、Ｒθのスパイラル走査が開始される（ステップ１０
２）。そして円周方向の各測定点のθ位置ごとにＣＣＤ
ラインセンサ３３のの４個（ｎ個）の画素位置の検出値
を採取してデータテーブル１２ｅの測定角度位置に対応
するデータテーブルの欄に順次書込んでいる（ステップ
１０３）。

【００１５】データテーブル１２ｅは、円周方向の測定
角度位置θ1〜θnに対応する測定点分の数の記憶テーブ
ルからなる。各記憶テーブルは、ウエハの半径Ｒ方向の
測定ピッチに応じて円周を周回するので、その周回回数
を横方向に採り、各周回ごとに、検出画素１〜検出画素
４の行を有していて、検出画素１〜検出画素４の測定値
は、その周回ごとの対応する欄に記憶される。ここで、
ある角度θmについて測定データの関係をみると、図４
に示すような３画素重複走査が１周ごとに行われる。な
お、説明の都合上、ラインセンサ３３の４個の各画素位
置は同心円検査として示してある。また、Ｌは、光ヘテ
ロダイン干渉測定装置３のウエハ１上の測定スポットで
ある。このスパイラル走査において、ラインセンサ３３
の４個の画素対応に１周ごとにラインセンサ３３の１画
素対応にＲ方向にピッチ移動するので、４周目以降に
は、同じ検出位置について斜線で示すような４個のデー
タが採取されることになる。

【００１６】次に、現在の周回数を変数ｎにセットし
（ステップ１０４）、ｎの値が最終周回数Ｍ以上かによ
り走査終了か否かを判定し（ステップ１０５）、ＮＯの
ときには、ステップ１０３へと戻り、ＹＥＳになると、
図３に示すようなデータテーブル１２ｅが完成する。こ
こで、同一検出位置平均化プログラム１２ｃがコールさ
れてＭＰＵ１１により実行され、データテーブル１２ｅ
を参照してラインセンサ３３の４個の検出画素１〜４か
ら得られる各周回ごとの４の検出データのうち同一検出
位置のデータの平均値を算出して平均値データテーブル
１２ｆに平均化したデータをＲθの検出位置対応に記憶
していく（ステップ１０６）。この場合のデータの平均
化は、１画素分Ｒ方向にリニアセンサ３３の次の測定位
置がずれることで、各角度θ1，θ2，…，θnごとに○
の斜め方向に、×の斜め方向に、△の斜め方向に、□の
斜め方向に平均値を採ることで得られる。なお、１周回
ごとの位置検出画素１〜４の位置は、それぞれがＲ方向
の１画素分ずれているので、周回ごとの１画素分の移動
量と画素位置とからそれぞれＲ方向の座標位置を算出で
きる。そこで、各データの斜め方向に各データが採取さ
れたそれらの平均値の算出結果は、乗算平均としてルー
トの平均値により行われ、図５に示すように、その平均
値がデータテーブル１２ｆに測定点対応の座標位置に記
憶されていく。そして、最後に平坦度検出プログラム１
２ｄがコールされてＭＰＵ１１により実行され、先に説
明したフラットネスを表す各測定値が算出される（ステ
ップ１０７）。

【００１７】この場合、同一測定点での測定周期は、ウ
エハの回転周期に対応していて、例えば、ウエハの回転
数を４００ｒｐｍとすれば、６．７Ｈｚごとに複数の測
定値を同一個所で得ることができる。そこで、このよう
にして得た複数の測定値の平均化により機械振動に相当
する低い周波数でのノイズ除去が可能になり、測定値に
おいて機械的な振動ノイズの影響を抑制することが可能
になる。

【００１８】以上説明してきたが、実施例では、重複数
を３として１画素ピッチでＲ方向にスパイラル走査をし
ているが、このピッチは、２画素以上であっもよい。ピ
ッチを大きくすると重複測定点数が減少するが、この発
明では、同一測定点で複数の検出値が得られればよい。
また、実施例では、スパイラル走査を中心に説明してい
るが、この発明の走査は、スパイラル走査に限定される
ものではなく、Ｒθの同心円走査であってもよい。さら
にＸＹ方向の二次元走査であってもよい。また、光ヘテ
ロダイン干渉測定装置の検出器としてラインセンサを使
用し、各画素を検出画素に対応させているが、複数の画
素を１個の光学センサとして複数の画素の平均値を各光
学センサの検出値とすることができる。さらに、ライン
センサではなく、二次元イメージセンサを用いることが
できる。この場合、二次元イメージセンサの矩形の複数
画素分を１区画として実施例におけるラインイメージセ
ンサのｎ画素の１画素に対応させて扱い、この１画素の
検出信号を１区画の複数画素の平均値として扱うことが
できる。

【００１９】

【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明にあって
は、光ヘテロダイン干渉測定装置により波長レベルの高
い精度で副走査方向にｎ個光学センサを配列させて二次
元走査をして各検出素子対応に変位量を検出し、かつ、
副走査方向にｎ−ｍピッチで移動させることでｍ素子分
重複走査をする。このことで、１回のウエハ検査におい
て同一測定点で複数の測定値を採取することができる。
この複数の測定値の平均値を同一測定点で採ることで、
ウエハの回転数に応じた平均値を採取することができ
る。このようにして得た複数の測定値を平均化すること
により低い周波数でのノイズ除去が可能になり、測定値
における機械的な振動ノイズの影響を抑制することがで
き、検査の効率化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、この発明のウエハフラットネス測定装
置の一実施例を示す構成図である。

【図２】図２は、その処理のフローチャートである。

【図３】図３は、そのデータテーブルの説明図である。

【図４】図４は、周回対応部分平均化処理の説明図であ
る。

【図５】図５は、平均値データテーブルの説明図であ
る。

【符号の説明】

１…ウエハ、２…Ｒθテーブル、３…光ヘテロダイン干
渉測定装置、４…駆動回路、７…位相比較／変位量検出
器、６…アンプ、８…セレクタ、９…Ａ／Ｄ変換回路
（Ａ／Ｄ）、１０…測定データ処理装置、１１…ＭＰ
Ｕ、１２…メモリ、１２ａ…Ｒθ走査プログラム、１２
ｂ…データ採取プログラム、１２ｃ…同一検出位置平均
化プログラム，１２ｄ…平坦度検出プログラム、１２ｅ
…データテーブル、１２ｆ…平均値データテーブル、１
３…ＣＲＴディスプレイ、１４…位相／距離変換回路、
１５…インタフェース、１６…ウエハＲθ制御回路、１
７…バス。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA47 BB03 CC19 DD14 FF51 GG04 HH13 JJ02 JJ15 JJ22 JJ25 JJ26 LL17 LL34 LL36 LL37 LL46 MM04 MM07 PP13 QQ23 QQ42 SS13 UU06 4M106 AA01 BA04 CA24 DH01 DH12 DH32 DH37 DH60 DJ06

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光ヘテロダイン干渉測定装置を有するウエ
   ハフラットネス測定装置であって、前記光ヘテロダイン
   干渉測定装置にウエハ表面あるいは裏面の変位量を検出
   する検出器として主走査方向と実質的に直交する副走査
   方向に直線状に配列されたｎ個（ｎは３以上の整数）の
   光学センサを有し、この光学センサのｍ個分（ｍは整数
   であって、ｍ＜ｎ）を副走査方向に重複させｎ−ｍピッ
   チで移動させて前記ウエハを二次元走査してｎ個の前記
   光学センサ対応にｎ個の測定データを得てこのｎ個の測
   定データが得られた前記ウエハ上の各測定点に対応して
   前記測定値を記憶する測定値採取手段と、この測定値採
   取手段による測定点の重複走査により得られる前記ウエ
   ハ上の同一測定点の複数の測定値の平均値を算出して前
   記測定点対応に記憶する平均値算出手段と、この平均値
   算出手段により算出された前記平均値に基づいて前記ウ
   エハの平坦度を検出する平坦度検出手段とを備えるウエ
   ハフラットネス測定装置。
2. 【請求項２】さらに、ｎ個の前記光学センサはｎ画素の
   ラインセンサであり、前記二次元走査として前記主走査
   方向が前記ウエハの円周方向であり、前記副走査方向が
   前記ウエハの半径方向であり、前記ウエハの１回転にｎ
   −ｍ画素分のピッチで半径方向に移動するスパイラル走
   査が行われる請求項１記載のウエハフラットネス測定装
   置。
3. 【請求項３】前記ラインセンサは、複数画素分を１個の
   光学センサとして割当てて前記ｎ個の光学センサに対応
   付ける分の画素数を有するものであり、この１個の光学
   センサの検出信号が前記複数画素の平均値である請求項
   ２記載のウエハフラットネス測定装置。
4. 【請求項４】前記ラインセンサは、二次元イメージセン
   サであり、矩形の複数画素分を１個の光学センサとして
   割当てて前記ｎ個の光学センサに対応付ける画素数を有
   するものであり、この１個の光学センサの検出信号が前
   記複数画素の平均値である請求項２記載のウエハフラッ
   トネス測定装置。