JP2000241775A

JP2000241775A - 光変調器と光通信用光源及び光通信用モジュール

Info

Publication number: JP2000241775A
Application number: JP4650699A
Authority: JP
Inventors: Masashige Ishizaka; 政茂石坂
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-02-24
Filing date: 1999-02-24
Publication date: 2000-09-08

Abstract

(57)【要約】【課題】高消光比で良好な光送信波形を発生できる光
通信用の光変調器及び光通信用光源、さらに光通信モジ
ュールを実現する。【解決手段】基板１００上に入射光導波路部６００、
分岐部５００、第一電界吸収型変調器部４００Ａ、第二
電界吸収型変調器部４００Ｂ、合波部３００、出力光導
波路部２００がそれぞれ形成されている。第一電界吸収
型変調器部４００Ａと第二電界吸収型変調器部４００Ｂ
は、吸収層の吸収端波長が互いに異なり、あるいは、第
一及び第二の各半導体電界吸収型変調器部４００Ａ，４
００Ｂに同一の変調電圧を印加した時に、各電界吸収型
変調器部を伝播する２光波間の位相差がπ[rad] となる
様に、前記各半導体電界吸収型変調器部の吸収層の吸収
端波長に違いを設ける（１．４９５μｍ、１．５10μ
ｍ）。単一の電界吸収型変調器部で構成される光変調器
に比べて低電圧印加時の消光特性を維持したまま、高電
圧印加時の消光比を増大することが可能であり、良好な
光変調波形及び高消光比を実現することが可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムに
おいて重要なエレメントとなる光変調器及び光通信用光
源に関し、特に消光比が大きく良好な送信光変調波形を
発生させることの出来る電界吸収型の光変調器及びそれ
を用いた光通信用光源と光通信用モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光通信システムの高速・長距離化
に伴い、従来の半導体レーザによる直接変調方式の問題
点が顕在化しつつある。即ち、半導体レーザ直接変調方
式においては変調時に波長チャーピングが生じ、これに
よりファイバー伝送後の波形が劣化するが、この現象は
信号伝送速度が速い程、また伝送距離が長い程顕著にな
る。特に、既存の１．３μｍ零分散ファイバーを用いた
システムにおいてこの問題は深刻であり、ファイバー伝
搬損失の小さい波長1.55μｍ帯の光源を用いて伝送距離
を伸ばそうとしても、チャーピングに起因する分散制限
により伝送距離が制限される。この問題は、半導体レー
ザを一定の光出力で発光させておき、半導体レーザ出射
光を半導体レーザとは別の光変調器により変調する外部
変調方式を採用する事により改善できる。そのため、外
部光変調器の開発が活発化している。外部変調器として
は、ＬｉＮｂＯ₃等の誘電体を用いたものと、ＩｎＰや
ＧａＡｓ等の半導体を用いたものとが考えられるが、半
導体レーザ、光アンプ等の他の光素子やＦＥＴ等の電子
回路との集積化が可能で、小型化、低電圧化も容易なこ
とから半導体光変調器への期待が高まりつつある。

【０００３】半導体光変調器としては、バルク半導体の
フランツケルディッシュ効果や多重量子井戸における量
子閉じこめシュタルク効果のように電界を印加する事に
より吸収端が長波側へシフトする効果を利用し、光吸収
係数を変えて強度変調を行う半導体電界吸収型光変調器
と、バルク半導体の電気光学効果（ポッケルス効果）や
量子閉じこめシュタルク効果によって生じる屈折率変化
を利用したマッハツェンダー型光変調器がある。

【０００４】マッハツェンダー型光変調器は原理的に屈
折率変化により光波の位相差を生じせしめて合波時の干
渉効果により出力光をＯＮ／ＯＦＦしている。実用的な
動作電圧で所定の屈折率変化を得るためには、ＬｉＮｂ
Ｏ₃等の誘電体で数ｃｍから１０ｃｍ程度の導波路長が
必要となる。また、半導体材料を用いた場合でも全体と
して１ｍｍから１ｃｍ程度の素子長が必要となってく
る。しかしながら、マッハツェンダー型光変調器の印加
電圧に対する消光特性は、振幅印加電圧の半分で消光の
度合いも半分となり、ＮＲＺ信号電圧に対する光出力ア
イパターンのクロスポイントもほぼ中心に位置し、理想
的なアイパターンが得られる。

【０００５】一方、半導体電界吸収型光変調器は、素子
長が数百μｍと小型で動作電圧もマッハツェンダー型光
変調器に比べて低いが、印加電圧に対して消光特性が非
線形的に変化し、振幅印加電圧の中心では、消光比がそ
の中心値から大きくずれることになる。これにより、Ｎ
ＲＺ信号電圧に対する光出力アイパターンのクロスポイ
ントが大きく下方にずれ、良好な光出力アイパターンが
得られないこと、また、クロスポイントを上方にシフト
させるように印加電圧を調整すると、消光比が劣化する
というと言う問題点がある。更に、マッハツェンダー型
光変調器に比べて低電圧印加時の消光曲線が急峻である
ために変調電気信号の僅かなノイズが光信号に変換され
る段階で大きく増幅され、光出力アイパターンのマーク
レベルにジッター等のノイズが拡大した状態で重畳され
る問題が生じる。

【０００６】この問題を解決する為に最近では、前述の
クロスポイント調整機能を有する駆動回路を内蔵し、電
界吸収型変調器を使用した光送信器なども研究されてい
る。この例としては、宇藤らにより１９９８年電子情報
通信学会通信ソサイエティ大会講演論文集、４４２頁
（講演番号Ｂ−１０−１２０）に報告されたものがあ
る。この例では、入力された外部変調信号のデューティ
比を駆動回路で変化させて、電界吸収型変調器に変調電
圧信号を印加している。この例のように、半導体電界吸
収型光変調器を用いて良好な光出力波形を得るためには
複雑な外部駆動回路が必要となり送信システム構成の複
雑化、高コスト化を招くという問題点があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、小型
化、低動作電圧化の点で半導体電界吸収型光変調器は有
利であるが、半導体電界吸収型光変調器では、前記した
ように電圧印加に対する消光特性の非線形性により光出
力アイパターンのクロスポイントが下方にずれ、アイパ
ターンのマークレベルに拡大された外部ノイズが重畳さ
れること、また、クロスポイントを上方にシフトさせる
ように印加電圧を調整すると、消光比が劣化するという
問題点がある。また、この問題点を改善するために提案
されている技術では、クロスポイント調整機能を有する
外部駆動回路等を用いなくてはならず、システム構成が
複雑になると言う問題点があった。

【０００８】本発明の目的は、複雑な外部駆動回路等を
用いてのクロスポイント調整などをしなくても高消光比
を有する光出力アイパターンを発生させることの出来る
光変調器及び光通信用光源を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決する為の手段】本発明の光変調器は、入射
光導波路に入射され、分岐部において分岐された導波光
をそれぞれ光変調するための第一及び第二の各半導体電
界吸収型変調器部における吸収層の吸収端波長が互いに
異なり、これらの変調器部の出力光を合波部において合
波する構成とする。また、前記第一及び第二の各半導体
電界吸収型変調器部に同一の変調電圧を印加した時に、
各電界吸収型変調器部を伝播する２光波間の位相差がπ
[rad] となる様に、前記各半導体電界吸収型変調器部の
吸収層のう吸収端波長に違いを設ける構成とする。

【００１０】ここで、前記した光変調器では、半導体電
界吸収型変調器部以外の光導波路が石英基板上に形成さ
れており、該石英基板上に形成された導波路の分岐部と
合波部との間にある２本の光導波路間に前記半導体電界
吸収型変調器部がハイブリッドに集積された構成とす
る。あるいは、半導体電界吸収型変調器部とそれ以外の
光導波路が共に半導体材料で形成された構成としてもよ
い。さらに、半導体電界吸収型変調器部の光吸収層とそ
れ以外の光導波路が途切れる事なく連続的に形成されて
おり、該半導体電界吸収型変調器の光吸収層の吸収端波
長とそれ以外の光導波路の吸収端波長が異なるように、
バンドギャップ制御選択ＭＯＶＰＥ法により形成されて
いる構成とする。また、前記半導体電界吸収型変調器部
の光吸収層が多重量子井戸構造から構成される。

【００１１】また、本発明の光通信用光源は、前記本発
明の光変調器の入射光導波路部に光を入射するための発
光素子が該光変調器と同一基板上に形成或いは設置され
ていることを特徴とする。

【００１２】さらに、本発明の光通信用モジュールは、
本発明の光変調器の入射光導波路部に外部からの入力光
を光学的に結合させるための集光手段と、該光変調器の
出力光導波路からの出力光を外部の光ファイバーに光学
的に結合させるための集光手段を内臓した構成とする。
あるいは、本発明の光通信用光源の出力光導波路からの
出力光を外部の光ファイバーに光学的に結合させるため
の集光手段を内蔵した構成とする。

【００１３】本発明における光変調器では、入射された
外部光波は分岐部で２つの光波に分波され、それぞれ吸
収端波長の異なる第一及び第二の電界吸収型変調器部に
入射される。各電界吸収型変調器部に同位相の信号電圧
が印加されると、分波された光波はそれぞれ変調器部で
吸収されると共に、異なった大きさの位相変化を生じた
後に、合波部で合波され、出力光導波路へと伝播する事
になる。このとき、出力光は各電界吸収型変調器部での
吸収に加えて、合波部での干渉効果により印加電圧と共
に消光することになる。低電圧印加時では、干渉効果よ
りも電界吸収効果の方が大きくなり、各電界吸収型変調
器の消光特性に類似した形状となる。一方、印加電圧を
増加させた場合には、干渉効果が増大し、前述の電界吸
収型変調器部よりも大きな消光が得られる様になる。第
一及び第二の各電界吸収型変調器部の吸収端波長を適当
に設定する事により低電圧印加時に緩やかに消光し、所
定の印加電圧で大きな消光比を得ることが可能となる。
これにより、変調時の消光比を劣化させることなく良好
な光出力アイパターンを得る事ができる。

【００１４】この構造を実現するために、選択ＭＯＶＰ
Ｅ結晶成長法によるバンドギャップ制御法を用いる。こ
れは、光吸収層が形成される半導体基板上の空隙部の両
側の誘電体マスクの幅が部分的に変化していると、それ
に従って吸収端波長が変化することを利用したものであ
る。この結晶成長法を用いる事により、吸収端波長の異
なる光導波路部と電界吸収型変調器部の光導波層を一回
の成長で形成することが可能となり、エッチングと結晶
成長を分割して繰り返す必要がない。このため、均一
性、再現性、制御性よく前述の光変調器を形成すること
ができる。

【００１５】また、本発明の前記光変調器、光通信用光
源、光通信用モジュールを送信手段に組み込み、これに
この送信手段からの出力光を外部に導波するための導波
手段と、この導波手段からの出力光を受信するための受
信手段とを設けることにより、光通信システムを構築す
ることが容易となる。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。（第１の実施形態）図１は本発明を光変調器に適用した
第１の実施形態としてＩｎＰ系多重量子井戸（ＭＱＷ）
電界吸収型光変調器に適用した実施形態の斜視図であ
る。また、図２（ａ），（ｂ）はそれぞれ図１のＡ−Ａ
線、Ｂ−Ｂ線の拡大断面図である。（１００）面方位の
ｎ−ＩｎＰ基板１００上にｎ−ＩｎＰバッファ層（キャ
リア濃度２×１０¹⁷ｃｍ^-3）１１０が積層され、その上
部に選択バンドギャップ制御ＭＯＶＰＥ結晶成長法を用
いて選択的に、入射光導波路部６００、分岐部５００、
第一電界吸収型変調器部４００Ａ、第二電界吸収型変調
器部４００Ｂ、合波部３００、出力光導波路部２００が
それぞれ形成されている。

【００１７】前記ｎ−ＩｎＰバッファ層１１０上の前記
第一及び第二の各電界吸収型変調器部４００Ａ，４００
Ｂを除く前記各光導波路部の領域では、図２（ａ）のよ
うに、ｎ−ＩｎＰクラッド層１２０（キャリア濃度５×
１０¹⁷ｃｍ^-3）、光導波路ＭＱＷコア層１３０（吸収端
波長１．３５０μｍ）、ｐ−ＩｎＰクラッド層１４０が
選択ＭＯＶＰＥ成長により選択的に積層されており、更
にこれらの層を取り囲むようにｐ−ＩｎＰ埋め込み層１
５０が選択ＭＯＶＰＥ成長により選択的に形成された構
造となっている。

【００１８】一方、前記第一及び第二の各電界吸収型変
調器部４００Ａ，４００Ｂは、図２（ｂ）のように、ｎ
−ＩｎＰバッファ層１１０上に選択的にｎ−ＩｎＰ層７
２０及び７１０、光吸収層７２１及び７１１、ｐ−Ｉｎ
Ｐ層７２２及び７１２がそれぞれ順次積層される。この
とき選択バンドギャップ制御ＭＯＶＰＥ結晶成長法を用
いる事により、前記第一及び第二の各電界吸収型変調器
部４００Ａ，４００Ｂの各光吸収層７２１及び７１１の
光吸収端波長はそれぞれ１．４９５μｍ、１．５１０μ
ｍとなるように設定されている。更に、これらの層を囲
むようにｐ−Ｉｎｐ埋め込み層７０３が形成され、その
上部にｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７０２（キャリア
ー濃度１×１０¹⁹ｃｍ^-3）、Ｔｉ／Ａｕ電極（ｐ側電
極）７０１が順次積層され、また、素子裏面にはＴｉ／
Ａｕ電極（ｎ側電極）５１２が形成された構造となって
いる。なお、前記ｐ側電極７０１に接続されたパッド電
極５１１が形成されており、このパッド電極５１１の下
部には、前記バッファ層１１０との間に素子容量を低減
して高速動作を実現するためにポリイミド膜４１０が埋
め込まれている。

【００１９】次に、前記第１の実施形態の光変調器の動
作を説明する。入射光導波路６００に入射された光波
（波長１．５５μｍ）は、分岐部５００で分波され、第
一電界吸収型変調器部４００Ａと第二電界吸収型変調器
部４００Ｂにそれぞれ入射され、パッド電極５１１に印
加された変調電圧により強度変調と位相変調を受け、合
波部３００で合波されて出力導波路２００から出力され
る。図３は、第一電界吸収型変調器部４００Ａによる電
圧―消光特性Ｄ３、第二電界吸収型変調器部４００Ｂに
よる電圧―消光特性Ｄ２、合波出力光に対する電圧―消
光特性Ｄ１を示している。また、図４は第一電界吸収型
変調器部４００Ａによる電圧―位相変化特性ΔΦ１、第
二電界吸収型変調器部４００Ｂによる電圧―位相変化特
性ΔΦ２を示しており、図５は両電界吸収型変調器部４
００Ａ，４００Ｂにおける位相差の電圧依存性を示して
いる。低電圧印加時には、両電界吸収型変調器部４００
Ａ，４００Ｂの位相差が小さいために干渉効果も小さく
なり、出力光の電圧―消光特性は両電界吸収型変調器部
４００Ａ，４００Ｂの消光特性に接近しているが、印加
電圧が増大するに従い両変調器部４００Ａ，４００Ｂの
位相差が増大して干渉効果が大きくなり、両電界吸収型
変調器部４００Ａ，４００Ｂの消光比よりも大きな消光
比が得られる。

【００２０】以上のように、本発明の光変調器では、吸
収層の吸収端波長がそれぞれ異なる第一の電界吸収型変
調器部４００Ａと第二の電界吸収型変調器部４００Ｂと
を備えており、入射光を分岐した上でそれぞれ第一及び
第二の電界吸収型変調器部４００Ａ，４００Ｂを通し、
かつ各変調器部の出力を合波して出力することにより、
単一の電界吸収型変調器部で構成される光変調器に比べ
て低電圧印加時の消光特性を維持したまま、高電圧印加
時の消光比を増大することが可能であり、良好な光変調
波形及び高消光比を実現することが出来る。

【００２１】尚、本発明の光変調器は、前記第１の実施
形態に限定されるものではない。すなわち、前記実施形
態では光導波路として多重量子井戸構造を取り上げた
が、これに限るものではなく、バルク半導体を光導波路
層とする光変調器においても有効であり、また前記実施
形態で示した素子形状や各導波層の吸収端波長、ドーピ
ング濃度等限定されるものではないことは言うまでもな
い。

【００２２】（第２の実施形態）図６は、本発明を光通
信用光源として構成した第２の実施形態の斜視図であ
り、第１の実施形態の光変調器にＤＦＢレーザをモノリ
ッシクに集積した光通信用光源の例である。すなわち、
第１の実施形態と同一部分には同一符号を付してあり、
その説明は省略する。ここでは、第１の実施形態の構成
に加えて、ＤＦＢレーザ部６２５が選択バンドギャップ
制御ＭＯＶＰＥ結晶成長法により選択的に形成された構
造となっている。図７は、図６におけるＣ−Ｃ線での断
面構造を示している。ｎ型基板１００上のＤＦＢレーザ
部６２５領域のみに部分的にグレーティング領域１１３
が形成されており、その上にｎ層１１０が積層されてい
る。更にその上部に選択的にｎ型ＩｎＰ層３１３（ドー
ピング濃度５×１０¹⁷ｃｍ^-3）、活性層３１４（バンド
ギャップ波長１．５４８ｎｍ）、ｐ型ＩｎＰ層３１５
（ドーピング濃度５×１０¹⁷ｃｍ^-3）が順次積層されお
り、これらの層を取り囲むようにｐ型ＩｎＰ埋め込み層
３１６が形成されており、その上にｐ型ＩｎＰコンタク
ト層３１８（ドーピング濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3）、ｐ型
Ｔｉ／Ａｕ電極７２２が積層された構造となっている。
また、前記ｐ型Ｔｉ／Ａｕ電極７２４には、下部領域が
ポリイミド樹脂４１０で充填されたパッド電極７２３が
接続されている。

【００２３】この構成の光通信用光源では、ＤＦＢレー
ザ部６２５から出射された光波は入射光導波路６００に
結合し、第１の実施形態と同様の過程を経て変調され、
出力導波路２００から出射される。この構成では、ＤＦ
Ｂレーザ部が第１の実施形態の光変調器と選択バンドギ
ャップ制御ＭＯＶＰＥ結晶成長法によりモノリシックに
集積されており、小型で低コストの光通信用光源が実現
できる。

【００２４】以上の第１の実施形態の光変調器、第２の
実施形態の光通信用光源を用いることにより、光通信用
モジュールを構成することが可能である。例えば、図８
は、サブマウント１７上に第１の実施形態の光変調器１
９を搭載し、前記光変調器１９の入力側と出力側のそれ
ぞれの光軸上に非球面レンズ１２Ａ，１２Ｂを介して光
ファイバー１３Ａ，１３Ｂを固定した光通信用変調器モ
ジュール１８である。本モジュールを用いれば高消光比
で良好な光変調送信波形を容易に作り出すことが出来
る。同様に、図示は省略するが、第２実施形態の光通信
光源をサブマウントに搭載し、その光出力側に非球面レ
ンズを介して光ファイバーを固定することにより、光通
信用光源モジュールを構成することが可能となる。この
ようにモジュール化することで、光変調器及び光通信用
光源を光通信システムに適用することが可能となる。

【００２５】例えば、図９は前記した光通信用モジュー
ルとして、図８に示した光通信用変調器モジュール１８
を用いた幹線系光通信システムの構成図である。送信装
置２０は光通信用変調器モジュール１８に光を入力する
ための光源２１と、この変調器モジュール及び光源を駆
動するための駆動系２２とを有する。光源２１からの光
は光通信用変調器モジュール１８で光信号に変換され、
光ファイバー２３を通って受信装置２４内の受光部２５
で検出される。この構成の光通信システムによれば受信
感度に優れた長距離の非再生光伝送が容易に実現でき
る。これは、本実施形態の光通信システムに使用されて
いる光通信用光変調器モジュール１８での送信光変調波
形が良好でかつ高消光比を得ることが出来ることに基づ
く。同様に、前記光通信用変調器モジュールに代えて、
光通信用光源モジュールを光通信システムに適用するこ
とも可能であり、その場合には前記光源２１は省略する
ことが可能である。

【００２６】

【発明の効果】以上述べたように本発明の光変調器は、
入射光導波路に入射され、分岐部において分岐された導
波光をそれぞれ光変調するための第一及び第二の各半導
体電界吸収型変調器部における吸収層の吸収端波長が互
いに異なり、あるいは、第一及び第二の各半導体電界吸
収型変調器部に同一の変調電圧を印加した時に、各電界
吸収型変調器部を伝播する２光波間の位相差がπ[rad]
となる様に、前記各半導体電界吸収型変調器部の吸収層
の吸収端波長に違いを設けることにより、高消光比で良
好な光送信波形を発生する事が出来る。更に、本発明の
光変調器により、長距離伝送に適した光通信用光源、及
び光通信モジュールが構成でき、さらにはこれらを用い
た光通信システムを構築することも可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を光変調器に適用した第１の実施形態の
ＩｎＰ系多重量子井戸構造を用いた光変調器の斜視図で
ある。

【図２】図１のＡＡ線、ＢＢ線の各拡大断面図である。

【図３】第１の実施形態の光変調器の電圧―消光特性を
示す図である。

【図４】第１の実施形態の電界吸収型変調器部の電圧―
位相変化特性を示す図である。

【図５】第１の実施形態の２つの電界吸収型変調器部の
位相差に対する電圧依存性を示す図である。

【図６】本発明を光通信用光源に適用した第２の実施形
態のＤＦＢレーザをモノリシックに集積した光通信用光
源の斜視図である。

【図７】図６のＣＣ線の拡大断面図である。

【図８】本発明の光変調器を搭載した光通信用モジュー
ルの模式図である。

【図９】本発明の光通信用モジュールを光通信システム
の模式図である。

【符号の説明】

１００ｎ−ＩｎＰ基板２００出力光導波路部３００合波部４００Ａ第一電界吸収型変調器部４００Ｂ第二電界吸収型変調器部５００分岐部６００入力光導波路部１１０ｎ−ＩｎＰバッファ層１１３グレーティング領域１２０ｎ−ＩｎＰクラッド層１３０光導波路ＭＱＷコア層１４０Ｐ−ＩｎＰクラッド層１５０Ｐ−ＩｎＰ埋め込み層３１３ｎ−ＩｎＰクラッド層３１４活性層３１５ｐ−ＩｎＰクラッド層３１６ｐ−ＩｎＰ埋め込み層３１８ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層４１０ポリイミド膜５１１パッド電極５１２ｎ側Ｔｉ／Ａｕ電極６２５ＤＦＢレーザ部７０１ｐ側Ｔｉ／Ａｕ電極７０２ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７０３ｐ―ＩｎＰ埋め込み層７１０，７２０ｎ−ＩｎＰクラッド層７１１，７２１多重量子井戸吸収層７１２，７２２ｐ−ＩｎＰクラッド層７２３パッド電極７２４Ｔｉ／Ａｕ電極１２Ａ，１２Ｂ非球面レンズ１３Ａ，１３Ｂ光ファイバー１７サブマウント１８光通信用モジュール１９光変調器２０送信装置２１光源２２駆動回路２３光ファイバー２４受信装置２５受光器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、入射光を導波する入射光導波
路と、前記入射光導波路を導波される導波光を２本の導
波路へ分配する分岐部と、前記分岐部で分岐された２本
の導波路のそれぞれに設けられた半導体電界吸収型変調
器部と、前記２本の導波路の出力光を合波する合波部
と、前記合波部からの合波光を導波する出力光導波路と
を形成してなる光変調器であって、前記２本の導波路に
設けられた各半導体電界吸収型変調器部における吸収層
の吸収端波長が互いに異なることを特徴とする光変調
器。
【請求項２】基板上に、入射光を導波する入射光導波
路と、前記入射光導波路を導波される導波光を２本の導
波路へ分配する分岐部と、前記分岐部で分岐された２本
の導波路のそれぞれに設けられた半導体電界吸収型変調
器部と、前記２本の導波路の出力光を合波する合波部
と、前記合波部からの合波光を導波する出力光導波路と
を形成してなる光変調器であって、前記２本の導波路に
設けられた各半導体電界吸収型変調器部に同一の変調電
圧を印加した時に、該電界吸収型変調器部を伝播する２
光波間の位相差がπ[rad] となる様に、前記２つの半導
体電界吸収型変調器部の吸収層の吸収端波長に違いを設
けることを特徴とする請求項１記載の光変調器。
【請求項３】前記半導体電界吸収型変調器部以外の光
導波路が石英基板上に形成されており、該石英基板上に
形成された導波路の分岐部と合波部との間にある２本の
光導波路間に前記半導体電界吸収型変調器部がハイブリ
ッドに集積されたことを特徴とする請求項１又は２記載
の光変調器。
【請求項４】前記半導体電界吸収型変調器部とそれ以
外の光導波路が共に半導体材料で形成されていることを
特徴とする請求項１又は２記載の光変調器。
【請求項５】前記半導体電界吸収型変調器部の光吸収
層とそれ以外の光導波路が途切れる事なく連続的に形成
されており、該半導体電界吸収型変調器部の光吸収層の
吸収端波長とそれ以外の光導波路の吸収端波長が異なる
ように、バンドギャップ制御選択ＭＯＶＰＥ法により形
成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の
光変調器。
【請求項６】前記半導体電界吸収型変調器部の光吸収
層が多重量子井戸構造からなる事を特徴とする請求項１
から請求項５のいずれかに記載の光変調器。
【請求項７】請求項１から請求項６記載の光変調器の
入射光導波路部に光を入射するための発光素子が該光変
調器と同一基板上に形成或いは設置されていることを特
徴とする光通信用光源。
【請求項８】請求項１から請求項６記載の光変調器の
入射光導波路部に外部からの入力光を光学的に結合させ
るための集光手段と、該光変調器の出力光導波路からの
出力光を外部の光ファイバーに光学的に結合させるため
の集光手段を内臓したことを特徴とする光通信用モジュ
ール。
【請求項９】請求項７記載の光通信用光源の出力光導
波路からの出力光を外部の光ファイバーに光学的に結合
させるための集光手段を内蔵したことを特徴とする光通
信用モジュール。