JP2000241995A - プロキシミティ露光方法及び装置 - Google Patents

プロキシミティ露光方法及び装置

Info

Publication number
JP2000241995A
JP2000241995A JP11042825A JP4282599A JP2000241995A JP 2000241995 A JP2000241995 A JP 2000241995A JP 11042825 A JP11042825 A JP 11042825A JP 4282599 A JP4282599 A JP 4282599A JP 2000241995 A JP2000241995 A JP 2000241995A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
glass substrate
photomask
chuck
proximity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11042825A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3571243B2 (ja
Inventor
Junichi Mori
順一 森
Hiroshi Suzuki
弘 鈴木
Hiroyuki Aoki
弘幸 青木
Manabu Minegishi
学 峯岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP04282599A priority Critical patent/JP3571243B2/ja
Publication of JP2000241995A publication Critical patent/JP2000241995A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3571243B2 publication Critical patent/JP3571243B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フォトマスクよりも大きなサイズのガラス基
板に対してプロキシミティ露光を高速かつ効率的に行え
るようにする。 【解決手段】 マスクホルダを下面から吸着する下面マ
スクホルダと上面から吸着する上面マスクホルダとで構
成し、フォトマスクの下面側のマスクホルダの存在しな
い部分を利用して、フォトマスクよりも大きなガラス基
板に対して複数回の分けて露光処理を行い、ガラス基板
全体に所定の露光処理を行う。このとき、ガラス基板を
1回目の露光位置に位置決めしてから、ガラス基板を搬
入し、プロキシミティギャップ制御処理及び露光処理を
行い、その後に次の2回目の露光位置に位置決めし、プ
ロキシミティギャップ制御及び露光処理を行う。この2
回目の露光処理が終了した時点でガラス基板をアンロー
ダ側に搬送し、次のガラス基板を搬入するために1回目
の露光位置への位置決め(ステップ移動)を行う。すな
わち、ステップ移動処理の過程でプロキシミティギャッ
プ制御及び露光処理を順次行うようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶ディスプレ
イの製造工程においてガラス基板上にパターンを形成す
るプロキシミティ露光装置に係り、特にフォトマスクよ
りも大きなガラス基板に対して露光を行うことのできる
プロキシミティ露光方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶ディスプレイ(LCD:Liqui
d Crystal Display)は、CRT(C
athode Ray Tube)に比べて薄型化、軽
量化が可能であるため、CTV(Color Tele
vision)やOA機器等のディスプレイ装置として
採用され、画面サイズも10型以上の大形化が図られ、
より一層の高精細化及びカラー化が押し進められてい
る。
【0003】液晶ディスプレイは、フォトリソグラフィ
技術によりガラス基板の表面に微細なパターンを描画し
て作られる。露光装置はこの微細パターンをガラス基板
上に描画するものである。この露光装置としては、マス
クパターンをレンズ又はミラーを用いてガラス基板上に
投影するプロジェクション方式と、フォトマスクとガラ
ス基板との間に微小なギャップを設けてマスクパターン
を転写するプロキシミティ方式とがある。プロキシミテ
ィ方式の露光装置は、プロジェクション方式に比べてパ
ターン解像性能が劣るものの、照射光学系が非常にシン
プルであり、スループットが高く、装置コストから見た
コストパフォーマンスも優れており、生産性の高い量産
用装置に適したものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】プロキシミティ方式の
露光装置においては、フォトマスクとガラス基板との間
隔が微小ギャップ(セパレーションギャップ)となるよ
うにガラス基板の位置決め制御、いわゆるプロキシミテ
ィギャップ制御を行っているが、このプロキシミティギ
ャップ制御の高速化が露光装置のスループットを向上す
る上での重要な課題である。ところが、液晶ディスプレ
イのサイズが大型化するに伴って、ガラス基板のサイズ
も300×400mmのものから、10型クラスのパネ
ルを4面取れる360×460mm〜370×470m
mへと移行し、現在では10.4〜12.1型クラスの
パネルを6面又は15型クラスのパネルを2面取ること
のできる550×650mm以上のサイズのガラス基板
に対してプロキシミティ方式の露光装置を適用すること
が命題となっている。
【0005】ガラス基板のサイズが大型化されると、プ
ロキシミティギャップ制御の高速化が困難になると共に
大型のガラス基板を短時間で搬送することが重要な課題
となってきた。以下、この課題について図7を用いて説
明する。
【0006】図7に示すように、ガラス基板1は露光チ
ャック2の上に吸着保持される。露光チャック2は図示
していない3つのチルト駆動モータによってZ軸方向に
駆動制御され、プロキシミティギャップ制御を行う。フ
ォトマスク3は、その外周全体に渡って設けられた吸着
型のマスクホルダ4によって下側から吸着保持されてい
る。すなわち、フォトマスク3の形状が正方形の場合、
マスクホルダ4はその正方形の外周に沿って配置され
る。露光チャック2はガラス基板1をマスクホルダ4の
内壁面に沿うようにして挿入する。ギャップ検出器5B
〜8BはLEDとCCDリニアイメージセンサから構成
され、フォトマスク3に形成されたギャップ窓5C〜8
Cを介してガラス基板1とフォトマスク3との間のギャ
ップを測定する。チルト駆動モータはこの検出ギャップ
が4箇所ともに数十μm程度のギャップとなるようにプ
ロキシミティギャップ制御を行う。
【0007】このプロキシミティギャップ制御を行うに
は、まず、露光チャック2をチルト駆動モータによって
Z軸方向に移動してガラス基板1をプロキシミティギャ
ップ制御開始位置に位置決めすることが必要である。従
来は、露光チャック2をチルト駆動モータでZ軸方向に
移動し、ガラス基板1をプロキシミティギャップ制御開
始位置に位置決めしていた。ところが、ガラス基板の大
型化に伴いフォトマスク3も大型化したために、図7に
示すように、フォトマスク3、マスクホルダ4、ガラス
基板1及び露光チャック2によって囲まれた空間に空気
が溜まり、この空気溜まりによってフォトマスク3が図
のように凸状にたわむようになった。露光チャック2の
上昇及びプロキシミティギャップ制御開始位置への停止
に伴ってフォトマスク3のたわみ量は増大し、最大たわ
み量に達し、その後は空間に溜まった空気の排出に伴っ
て、徐々にたわみ量も減少するという特性を示す。
【0008】従来の露光装置は、露光チャック2がプロ
キシミティギャップ制御開始位置に停止してから所定時
間経過時点でプロキシミティギャップ制御を開始してい
た。ところが、フォトマスクが大型化すると、フォトマ
スク3のたわみ量が所定時間内に許容たわみ量以下に到
達しないので、所定時間経過時点でプロキシミティギャ
ップ制御を行ったとしても、安定したギャップ量を得る
ことができないため、製品の微細条件が不安定になると
いう問題を有していた。また、プロキシミティギャップ
制御が完了してから露光が完了するまでの間にギャップ
が変化するために、露光ぼけ量が大きくなり、高精細な
製品が作成できなくなるという問題も有していた。
【0009】また、従来のプロキシミティ露光装置で
は、フォトマスク3のマスクホルダ4内にガラス基板1
及び露光チャック2を挿入することができなければなら
ない。ところが、10.4〜12.1型クラスのパネル
を6面又は15型クラスのパネルを2面取ることのでき
る550×650mm以上のサイズのガラス基板1に対
して従来のプロキシミティ露光装置を用いて露光を行う
場合には、フォトマスク3の大きさをこのガラス基板1
よりも十分大きくしなければならない。フォトマスク3
が大きくなると、それに伴ってフォトマスク3の自重に
よるたわみ量も大きくなり、また、露光チャック2の上
昇に伴う図7のような凸状のたわみ量も大きくなり、プ
ロキシミティギャップ制御に至るまでの時間が大幅に増
大するという問題を有する。また、フォトマスク3が大
きくなると、それに伴ってマスクパターンを作成するた
めのコストも上昇し、コスト低減の意味からも好ましく
ないという問題を有していた。
【0010】また、タクト作業により多数のガラス基板
に対して順次露光処理を施す場合に、露光チャックから
の露光済みのガラス基板の搬出作業と露光チャックヘの
新たなガラス基板の搬入作業とが幅湊しないようにする
ことが従来は考えられておらず、そのため、タクト作業
に時間がかかり、作業効率を向上させることができな
い、という問題点があった。
【0011】本発明は、フォトマスクよりも大きなサイ
ズのガラス基板に対してプロキシミティ露光を高速にか
つ効率的に行うことのできるプロキシミティ露光装置を
提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載された本
発明に係るプロキシミティ露光方法は、マスクホルダに
保持されたフォトマスク面と露光チャックに保持された
ガラス基板面との間に形成されるギャップを所定のギャ
ップとなるようにプロキシミテイギャップ制御を行なっ
て露光を行なうプロキシミテイ露光方法において、前記
フォトマスクよりも大きな前記ガラス基板に対して少な
くとも2回の露光ステップで分割して露光を行なうよう
に、該フォトマスクに対する前記露光チャック上の該ガ
ラス基板の水平方向相対位置を各露光ステップに対応す
る所定位置に順次位置決めし、位置決めされた各所定位
置でそれぞれ前記プロキシミテイギャップ制御を行なっ
て露光処理を行なう、複数の露光ステップからなる露光
工程と、最後の露光ステップでの露光処理の終了後に、
前記フォトマスクに対して前記露光チャックを相対的に
下降させて所定の搬出位置に設定し、該搬出位置で該露
光チャックから露光済みのガラス基板を搬出する搬出工
程と、前記露光チャックを相対的に下降させたままの状
態で、前記フォトマスクに対する該露光チャックの水平
方向相対位置を最初の露光ステップに対応する位置まで
戻す戻し工程と、前記最初の露光ステップに対応する相
対位置まで戻された前記露光チャック上に新たなガラス
基板を搬入する搬入工程と前記搬入工程の後前記露光チ
ャックを前記フォトマスクに対して相対的に所定量上昇
させ、その後前記露光工程を開始させる工程とを具え、
前記露光工程によって前記新たなガラス基板に対する露
光処理が行なわれるようにしたものである。
【0013】請求項2に記載された本発明に係るプロキ
シミティ露光装置は、マスクホルダに保持されたフォト
マスク面と露光チャックに保持されたガラス基板面との
間に形成されるギャップを所定のギャップとなるように
プロキシミテイギャップ制御を行なって露光を行なうプ
ロキシミテイ露光装置において、所定の搬入位置におい
て、露光すべき新たなガラス基板を前記露光チャックに
搬入する搬入手段と、前記搬入位置とは異なる所定の搬
出位置において、露光済みのガラス基板を前記露光チャ
ックから搬出する搬出手段と前記フォトマスクに対する
前記露光チャックの水平方向相対位置の位置決めを行な
う水平移動手段と、前記フォトマスクに対する前記露光
チャックの垂直方向相対位置の位置決めを行なう垂直移
動手段と、前記水平移動手段及び垂直移動手段を制御し
て、前記フォトマスクよりも大きな前記ガラス基板に対
して少なくとも2回の露光ステップで分割して露光を行
なうように、該フォトマスクに対する前記露光チャック
上の該ガラス基板の水平方向相対位置を各露光ステップ
に対応する所定位置に順次位置決めし、位置決めされた
各所定位置でそれぞれ前記プロキシミテイギャップ制御
を行なって露光処理を行なう第1の制御手段と、前記水
平移動手段及び垂直移動手段を制御して、露光済みのガ
ラス基板を前記所定の搬出位置まで搬送し、該搬出位置
で前記搬出手段による該ガラス基板の搬出が行なわれる
ようにし、さらに前記所定の搬入位置まで前記露光チャ
ックを相対的に移動させ、該搬入位置で前記搬入手段に
よる新たなガラス基板の搬入が行なわれるようにする第
2の制御手段とを具えたものである。
【0014】この発明に係るプロキシミテイ露光方法に
よれば、新たなガラス基板を搬入する搬入工程と露光済
みのガラス基板を搬出する搬出工程とを異なる位置で行
なうようにしているので、ガラス基板の搬入作業と搬出
作業とが幅湊することなく、全体として効率的な流れ
で、プロキシミテイ露光処理のためのタクト作業を遂行
させることができる。例えば、前記搬出工程において露
光チャックから露光済みのガラス基板の搬出を開始する
と直ちに(つまり露光済みのガラス基板を露光チャック
から取り外したら直ちに)前記戻し工程を開始すること
ができる。すなわち、露光チャックから露光済みのガラ
ス基板が外されれば、露光済みのガラス基板の搬出作業
を続行している最中でも、前記戻し工程を行なうことが
できる。また、搬入工程においては、最初の露光ステッ
プに対応する相対位置まで露光チャックが戻されたとき
に該露光チャック上に新たなガラス基板を置けばよいの
で、露光チャックが該位置に達する前に、すなわち、前
記戻し工程を行なっている最中において、さらには、前
記露光済みのガラス基板の搬出作業を続行している最中
であっても、搬入工程の搬入開始作業(新たなガラス基
板のハンドリング作業など)を行なうことができる。こ
のように、搬出工程、戻し工程、搬入工程における各作
業を一部同時並行的に遂行することができるので、プロ
キシミテイ露光処理のためのタクト作業の効率を高め、
全体として作業時間を短縮することができる。また、こ
の発明に係るプロキシミテイ露光装置によれば、上記方
法の実施に適した装置が提供され、上記と同様の効果が
期待できる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を添
付図面に従って説明する。図3は本発明に係るプロキシ
ミティ露光装置の概略構成を示す図である。図では、ロ
ーダユニット5、基板搬入ユニット6及びアライメント
ステージユニット7について示し、他の部分(基板搬出
ユニットやアンローダユニットなど)については、図示
を省略している。
【0016】ローダユニット5はガラス基板1Aを順次
供給するものであり、インライン対応ローラコンベア方
式を採用している。なお、カセットタイプ方式でもよい
ことはいうまでもない。ローダユニット5には、水冷の
ローダクーリングプレート51が設けられている。ロー
ダクーリングプレート51はローダユニット5内を上下
方向に移動して、上昇時にガラス基板1Aに接触して、
ガラス基板1Aの温度調節すなわち冷却を行うようにな
っている。
【0017】基板搬入ユニット6はX・θ・Zの3軸で
構成されており、ローダユニット5上のガラス基板1A
を基板搬入ユニット6の上部に設けられた基板ローダセ
ンタリングユニット9に搬入し、基板ローダセンタリン
グユニット9上でセンタリング位置決めされたガラス基
板1Bを露光チャック2上に搬入する。基板搬入ユニッ
ト6のX・θ軸はリニアモータで駆動され、Z軸はサー
ボモータで駆動されるようになっている。ここで、X軸
はローダユニット5からアライメントステージユニット
7に向かう方向が+X方向であり、逆が−X方向であ
る。なお、基板搬入ユニット6の詳細については後述す
る。
【0018】基板搬入ユニット6及び基板ローダセンタ
リングユニット9の上部には、恒温送風ユニット(HE
PAユニット)8が設けられている。恒温送風ユニット
8は、設定温度±0.1°Cに調整されたエアーを0.
12μmの粒子を集塵可能なフィルタを通してガラス基
板1Bにダウンフローし、露光チャック2に搬入される
前のガラス基板1Bの温度調整すなわち冷却を行うよう
になっている。また、基板搬入ユニット6の上側にはア
ライメントステージユニット7に搬入前のガラス基板1
Bのセンタリングを行う基板センタリングユニット9が
設けられている。この基板センタリングユニット9は、
ガラス基板の多品種に対応しており、パルスモータ駆動
方式によって、Y軸方向におけるガラス幅の切り換えを
自動で行ってセンタリングを行えるように構成されてい
る。
【0019】アライメントステージユニット7は、露光
チャック2、チルティングZステージ10及びガラス基
板アライメントステージ(X・Y・θ軸基板用テーブ
ル)11などで構成される。露光チャック2は基板搬入
ユニット6によって搬入されて来たガラス基板1を吸着
保持する。チルティングZステージ10は露光チャック
2を平行に昇降する粗動ステージと、ガラス基板1をチ
ルティングしてプロキシミティギャップ制御を行う3点
接触型のチルト駆動モータとから構成される。ガラス基
板アライメントステージ11は、X・Y・θ軸を駆動し
て、フォトマスク3に対してガラス基板1をアライメン
トする。なお、この実施の形態では、アライメントの前
に、エッジ検出センサ(図示せず)を用いてガラス基板
のエッジを非接触で検出し、その検出位置に基づいて、
ガラス基板アライメントステージ11を駆動させてプリ
アライメントを行うようになっている。また、図2には
示されていないが、基板アライメントステージ11に
は、ガラス基板1を保持した露光チャック2をそのまま
X軸方向にステップ移動させるためのステップテーブル
が設けられている。ステップテーブルは光学式のリニア
スケールを用いたクローズドループ制御にて位置決めさ
れる。
【0020】フォトマスク3は上面マスクホルダ4Uと
下面マスクホルダ4DF及び4DRによって、その周辺
付近を吸着保持されるようになっている。図3は、この
上面マスクホルダ4Uと下面マスクホルダ4DF及び4
DRの詳細を示す図である。上面マスクホルダ4Uはフ
ォトマスク3のY軸方向に沿った左右両側付近の上面部
分を吸着窓42及び43で真空吸着して保持する。上面
マスクホルダ4Uは図に示すように上面方向から見た形
状が長方形をしている。吸着窓42及び43は、フォト
マスク3との接する部分に設けられている。下面マスク
ホルダ4DFはフォトマスク3のX軸方向に沿った前面
側付近の下面部分を吸着窓で真空吸着して保持する。下
面マスクホルダ4DRはフォトマスク3のX軸方向に沿
った後面側付近の下面部分を吸着窓で真空吸着して保持
する。このようにフォトマスク3は、上面マスクホルダ
4Uと下面マスクホルダ4DF及び4DRによって、従
来のマスクホルダと同様に4辺付近を真空吸着にて保持
されるので、従来のマスクホルダと同じようにフォトマ
スク3の自重たわみを極力小さくすることができる。
【0021】なお、フォトマスク3の四隅には従来と同
様に長方形のギャップ窓5C〜8Cが設けられている。
フォトマスク3の上面側には、ギャップ窓5C及び6C
に対応して設けられたギャップ検出器と、フォトマスク
3とガラス基板1とに設けられたアライメントパターン
からの反射光に基づいて両者の位置合わせ(高精度アラ
イメント)を行うアライメント検出器とを備えている
が、本発明の説明とは直接関係ないのでここでは省略し
てある。また、この実施の形態では、上面マスクホルダ
4Uと下面マスクホルダ4DF及び4DRとでフォトマ
スク3を真空吸着保持する前に、3つの基準ピン31〜
33及び3つのプッシャーピン34〜36によってピン
アライメントによる位置決めを行う。すなわち、基準ピ
ンは固定されているので、これらの基準ピン31〜33
に対して3つのプッシャーピン34〜36のピンを押し
当てることによって、ピンアライメントによる位置決め
を行う。
【0022】ピンアライメントが終了したら、上面マス
クホルダ4Uと下面マスクホルダ4DF及び4DRとで
フォトマスク3をそれぞれ真空吸着で保持し、ガラス基
板1とフォトマスク3との間のプロキシミティギャップ
制御をギャップ検出器を用いて行い、その後にアライメ
ント検出器を用いて高精度アライメントを行う。高精度
アライメントでは、フォトマスク3を基準に顕微鏡(図
示せず)の移動量とアライメントマークのアライメント
検出器のセンタからのズレ量を求め、それをガラス基板
アライメントステージ11にフィードバックし、フォト
マスク3とガラス基板との位置合わせを行う。また、こ
のアライメントステージユニット7には図示してない露
光ユニットからの紫外線をガラス基板1C上のフォトマ
スク3に照射するための光学系などが存在する。なお、
この露光ユニットからの紫外線が既に露光されたエリア
のガラス基板に照射しないような露光シャッタなどが設
けられている。
【0023】次に、図1及び図2を用いて、本発明のプ
ロキシミティ露光装置の露光動作について説明する。図
1及び図2は、図3のアライメントステージユニット7
の一部を図面の表側(+Y方向)から見た側面図及び上
面から見た上面図を示す。すなわち、ガラス基板1は基
板搬入ユニット6によって左側から露光チャック2に搬
入され、そこでプロキシミティギャップ制御処理、露光
処理及びステップ移動処理を経て図示していない別の基
板搬出ユニットによって右側に位置するアンローダユニ
ット側に搬出される。図1及び図2はこの一連の処理の
流れを示している。
【0024】図1(A)は、フォトマスク3が上面マス
クホルダ4U(図示せず)と下面マスクホルダ4DF及
び4DRによって吸着保持され、このフォトマスク3に
対してガラス基板1の右側半分が対向するように基板搬
入ユニット6によってローダユニット5からガラス基板
1が露光チャック2上に搬入された状態を示す上面図で
ある。図1(B)は図1(A)に対応した側面図であ
る。なお、上面図においては、ステップテーブル41に
関しては図示を省略してある。
【0025】図1(B)のようにガラス基板1の右側半
分とフォトマスク3との位置決めが終了した時点で、基
板アライメントステージ11のZ軸を駆動して、露光チ
ャック2及びステップテーブル41を上昇させて、図1
(C)のように搬入用アーム61上のガラス基板1を露
光チャック2上に移し代える。このとき、搬入用アーム
61は露光チャック2の案内溝63に沿って退避する。
図1(D)は搬入用アーム61が退避した状態を示す上
面図である。搬入用アーム61が退避したら、3点接触
型のチルト駆動モータ(図示せず)を駆動して、図1
(E)に示すようなプロキシミティギャップ制御位置ま
でガラス基板1を上昇する。そして、所定時間経過後に
ギャップ検出器を用いてプロキシミティギャップ制御を
行い、アライメント検出器を用いて高精度アライメント
を行う。高精度アライメントが終了した時点で、それぞ
れの検出系すなわちギャップ検出器及びアライメント検
出器などを退避させて、図1(F)に示すようにガラス
基板1の右側半分に1回目の露光を行う。
【0026】1回目の露光が終了したら、基板アライメ
ントステージ11のZ軸を駆動して、ガラス基板1、露
光チャック2及びステップテーブル41をフォトマスク
3から微少距離だけ下降して、今度はステップテーブル
41をアンローダユニット側(+X方向)にステップ移
動させて、図1(G)及び図1(H)のようにガラス基
板1の左側半分とフォトマスク3との位置決めを行う。
そして、図2(A)及び図2(B)のように、プロキシ
ミティギャップ制御、高精度アライメント、検出系の退
避を行うと共にアンローダユニット(図示せず)側の基
板搬出ユニット(図示せず)の搬出アーム81を露光チ
ャック2の案内溝63に進入させる。そして、図2
(C)のように2回目の露光をガラス基板1の左側半分
に行う。図2(C)のようにガラス基板1の左側半分の
露光が終了した時点で、図2(D)及び図2(E)のよ
うに、基板アライメントステージ11のZ軸を駆動し
て、露光チャック2及びステップテーブル41を下降さ
せて、露光チャック2上の露光済のガラス基板1を搬出
用アーム81上に移し代える。次に、図2(F)のよう
に搬出用アーム81を基板搬出用ユニットに退避させる
と同時に露光チャック2及びステップテーブル41をロ
ーダユニット側(−X方向)にステップ移動させ、図1
(A)及び図1(B)のような初期状態に戻す。そし
て、次のガラス基板1の右側半分がフォトマスク3に対
向するように、基板搬入ユニット6の搬入アーム61に
よってローダユニット5からガラス基板1を露光チャッ
ク2上に搬入する。そして、前述と同様の処理を繰り返
す。
【0027】以上のような一連の処理を行うことによっ
て、1回目の露光でパターン4枚分の露光をガラス基板
1の左側半分に行い、2回目の露光でパターン4枚分の
露光をガラス基板1の右側半分に行う。なお、1回目で
2枚分、2回目で4枚分のパターンを露光をしてもよい
し、1回目で4枚分、2回目で2枚分のパターンを露光
してもよいことはいうまでもない。
【0028】図5及び図6は基板搬入ユニット6の詳細
を示す図である。なお、基板搬出ユニットも同様の構成
なので、ここでは説明を省略する。図5(A)及び図5
(B)は、ガラス基板1をローダユニット5から基板セ
ンタリングユニット9に搬入する状態を示す図であり、
図5(A)がその上面図を、図5(B)がその側面図を
示す。なお、図5(A)及び図5(B)で点線で示され
た搬入用アーム61はX軸リニアモータ62の駆動によ
って案内溝63に沿ってローダユニット5側に移動した
状態を示すものである。この場合、搬入用アーム61の
コの字型の先端部分はガラス基板1をローダユニット5
から持ち上げ、X軸リニアモータ62の駆動によって図
5(A)及び図5(B)のように基板センタリングユニ
ット9側に移動する。
【0029】基板センタリングユニット9によってガラ
ス基板1のセンタリングが終了したら、今度は基板搬入
ユニット6はガラス基板1をアライメントステージユニ
ット7に搬入する。図5(C)は、基板搬入ユニット6
のθ軸リニアモータ65の駆動によって反時計方向に9
0度回転した状態を示す上面図である。図6(A)は、
図5(C)の状態からさらに反時計方向に90度回転
し、X軸リニアモータ62の駆動によって露光チャック
2側にガラス基板1を搬入した状態を示す上面図であ
る。図6(B)は基板アライメントステージ11のZ軸
を駆動して、露光チャック2及びステップテーブル41
を上昇させて、図1(C)のように搬入用アーム61上
のガラス基板1を露光チャック2上に移し代える直前を
示す側面図である。搬入用アーム61は、ガラス基板1
を露光チャック2上に移し代えた時点で露光チャック2
に設けられた案内溝63に沿って退避する。以上のよう
な一連の処理を経て、ガラス基板1はローダユニット5
上から露光チャック2上に移動される。なお、基板搬出
ユニットも同様の動作にて、基板の搬出作業を行う。
【0030】なお、上述の実施の形態では、ステップテ
ーブルがX軸方向に移動する場合について説明したが、
Y軸方向に移動するようなものであってもよい。さら
に、上述の実施の形態では、上面マスクホルダ4Uが長
方形をしているが、これは下面マスクホルダ4DF,4
DRのような形状でもよい。
【0031】
【発明の効果】この発明のプロキシミティ露光装置によ
れば、フォトマスクよりも大きなサイズのガラス基板に
対して高速かつ効率的にプロキシミティ露光を行うこと
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図3のアライメントステージユニットの一部
を図面の表側から見た図であり、プロキシミティ露光時
における動作状態の前半を示す図である。
【図2】 図3のアライメントステージユニットの一部
を図面の表側から見た図であり、プロキシミティ露光時
における動作状態の後半を示す図である。
【図3】 本発明に係るプロキシミティ露光装置の概略
構成を示す図である。
【図4】 図3の上面マスクホルダと下面マスクホルダ
の詳細を示す図である。
【図5】 基板搬入ユニットの詳細構成を示す図であ
る。
【図6】 基板搬入ユニットの詳細構成を示す別の図で
ある。
【図7】 従来のプロキシミティ露光装置の問題点を説
明するための図である。
【符号の説明】
1…ガラス基板、2…露光チャック、3…マスク、4…
マスクホルダ、4DF,4DR…下面マスクホルダ、4
U…上面マスクホルダ、5B〜8B…ギャップ検出器、
5C〜8C…ギャップ窓、5…ローダユニット、6…基
板搬入ユニット、7…アライメントステージユニット、
8…恒温送風ユニット(HEPAユニット)、9…基板
センタリングユニット、10…チルティングZステー
ジ、11…ガラス基板アライメントステージ、31〜3
3…基準ピン、34〜36…プッシャーピン、41…ス
テップテーブル、51…ローダクーリングプレート、6
1…搬入用アーム、62…X軸リニアモータ、63…案
内溝、64…Z軸サーボモータ、65…θ軸リニアモー
タ、81…搬出用アーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 弘幸 東京都渋谷区東3丁目16番3号 日立電子 エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 峯岸 学 東京都渋谷区東3丁目16番3号 日立電子 エンジニアリング株式会社内 Fターム(参考) 2H097 AA11 DA06 DB07 GA45 LA12 5F046 AA11 BA02 CC05 CC09 CD01 CD02 CD04 DA17

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクホルダに保持されたフォトマスク
    面と露光チャックに保持されたガラス基板面との間に形
    成されるギャップを所定のギャップとなるようにプロキ
    シミテイギャップ制御を行なって露光を行なうプロキシ
    ミテイ露光方法において、 前記フォトマスクよりも大きな前記ガラス基板に対して
    少なくとも2回の露光ステップで分割して露光を行なう
    ように、該フォトマスクに対する前記露光チャック上の
    該ガラス基板の水平方向相対位置を各露光ステップに対
    応する所定位置に順次位置決めし、位置決めされた各所
    定位置でそれぞれ前記プロキシミテイギャップ制御を行
    なって露光処理を行なう、複数の露光ステップからなる
    露光工程と、 最後の露光ステップでの露光処理の終了後に、前記フォ
    トマスクに対して前記露光チャックを相対的に下降させ
    て所定の搬出位置に設定し、該搬出位置で該露光チャッ
    クから露光済みのガラス基板を搬出する搬出工程と、 前記露光チャックを相対的に下降させたままの状態で、
    前記フォトマスクに対する該露光チャックの水平方向相
    対位置を最初の露光ステップに対応する位置まで戻す戻
    し工程と、 前記最初の露光ステップに対応する相対位置まで戻され
    た前記露光チャック上に新たなガラス基板を搬入する搬
    入工程と前記搬入工程の後前記露光チャックを前記フォ
    トマスクに対して相対的に所定量上昇させ、その後前記
    露光工程を開始させる工程とを具え、前記露光工程によ
    って前記新たなガラス基板に対する露光処理が行なわれ
    るようにしたプロキシミテイ露光方法。
  2. 【請求項2】 マスクホルダに保持されたフォトマスク
    面と露光チャックに保持されたガラス基板面との間に形
    成されるギャップを所定のギャップとなるようにプロキ
    シミテイギャップ制御を行なって露光を行なうプロキシ
    ミテイ露光装置において、 所定の搬入位置において、露光すべき新たなガラス基板
    を前記露光チャックに搬入する搬入手段と、 前記搬入位置とは異なる所定の搬出位置において、露光
    済みのガラス基板を前記露光チャックから搬出する搬出
    手段と前記フォトマスクに対する前記露光チャックの水
    平方向相対位置の位置決めを行なう水平移動手段と、 前記フォトマスクに対する前記露光チャックの垂直方向
    相対位置の位置決めを行なう垂直移動手段と、 前記水平移動手段及び垂直移動手段を制御して、前記フ
    ォトマスクよりも大きな前記ガラス基板に対して少なく
    とも2回の露光ステップで分割して露光を行なうよう
    に、該フォトマスクに対する前記露光チャック上の該ガ
    ラス基板の水平方向相対位置を各露光ステップに対応す
    る所定位置に順次位置決めし、位置決めされた各所定位
    置でそれぞれ前記プロキシミテイギャップ制御を行なっ
    て露光処理を行なう第1の制御手段と、 前記水平移動手段及び垂直移動手段を制御して、露光済
    みのガラス基板を前記所定の搬出位置まで搬送し、該搬
    出位置で前記搬出手段による該ガラス基板の搬出が行な
    われるようにし、さらに前記所定の搬入位置まで前記露
    光チャックを相対的に移動させ、該搬入位置で前記搬入
    手段による新たなガラス基板の搬入が行なわれるように
    する第2の制御手段と具えたプロキシミテイ露光装置。
  3. 【請求項3】 前記マスクホルダは、前記フォトマスク
    を上面側で吸着する吸着窓を有する上面マスクホルダと
    前記フォトマスクを下面側で吸着する吸着窓を有する下
    面マスクホルダとからなり、前記上面マスクホルダと前
    記下面マスクホルダの両方の吸着窓によって前記フォト
    マスクの外周形状に沿った部分を吸着保持するように構
    成されてなる請求項2に記載のプロキシミテイ露光装
    置。
JP04282599A 1999-02-22 1999-02-22 プロキシミティ露光方法及び装置 Expired - Fee Related JP3571243B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04282599A JP3571243B2 (ja) 1999-02-22 1999-02-22 プロキシミティ露光方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04282599A JP3571243B2 (ja) 1999-02-22 1999-02-22 プロキシミティ露光方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000241995A true JP2000241995A (ja) 2000-09-08
JP3571243B2 JP3571243B2 (ja) 2004-09-29

Family

ID=12646747

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04282599A Expired - Fee Related JP3571243B2 (ja) 1999-02-22 1999-02-22 プロキシミティ露光方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3571243B2 (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1152583A (ja) * 1997-08-08 1999-02-26 Hitachi Electron Eng Co Ltd プロキシミティ露光装置
JP2005099094A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 基板露光方法、基板露光装置、表示パネルの製造方法および表示装置。
JP2005140935A (ja) * 2003-11-05 2005-06-02 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 露光方法、露光装置、及び基板製造方法
JP2006171509A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 基板搬送装置、露光装置、基板搬送方法及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007013140A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および汚染を軽減するために清浄空気の移動を利用するデバイス製造方法
JP2007293376A (ja) * 2007-08-14 2007-11-08 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置及び基板製造方法
JP2007306034A (ja) * 2007-08-14 2007-11-22 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置及び基板製造方法
JP2008124506A (ja) * 2008-02-06 2008-05-29 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置及び基板製造方法
JP2008122996A (ja) * 2008-02-06 2008-05-29 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置及び基板製造方法
JP2008146098A (ja) * 2008-02-06 2008-06-26 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置及び基板製造方法
JP2008158545A (ja) * 2008-02-06 2008-07-10 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置及び基板製造方法
JP2010169949A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2010266561A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のマスクの位置ずれ防止方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2010266560A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のマスク装着方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2011123102A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板温度調節方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2015170815A (ja) * 2014-03-10 2015-09-28 キヤノン株式会社 インプリント装置、アライメント方法及び物品の製造方法
CN115955777A (zh) * 2022-12-28 2023-04-11 昆山市和博电子科技有限公司 一种全自动曝光机

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1152583A (ja) * 1997-08-08 1999-02-26 Hitachi Electron Eng Co Ltd プロキシミティ露光装置
JP2005099094A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 基板露光方法、基板露光装置、表示パネルの製造方法および表示装置。
JP2005140935A (ja) * 2003-11-05 2005-06-02 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 露光方法、露光装置、及び基板製造方法
JP2006171509A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 基板搬送装置、露光装置、基板搬送方法及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007013140A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および汚染を軽減するために清浄空気の移動を利用するデバイス製造方法
JP2007293376A (ja) * 2007-08-14 2007-11-08 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置及び基板製造方法
JP2007306034A (ja) * 2007-08-14 2007-11-22 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置及び基板製造方法
JP2008124506A (ja) * 2008-02-06 2008-05-29 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置及び基板製造方法
JP2008122996A (ja) * 2008-02-06 2008-05-29 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置及び基板製造方法
JP2008146098A (ja) * 2008-02-06 2008-06-26 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置及び基板製造方法
JP2008158545A (ja) * 2008-02-06 2008-07-10 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置及び基板製造方法
JP2010169949A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2010266561A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のマスクの位置ずれ防止方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2010266560A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のマスク装着方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2011123102A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板温度調節方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2015170815A (ja) * 2014-03-10 2015-09-28 キヤノン株式会社 インプリント装置、アライメント方法及び物品の製造方法
US10018910B2 (en) 2014-03-10 2018-07-10 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, alignment method, and method of manufacturing article
CN115955777A (zh) * 2022-12-28 2023-04-11 昆山市和博电子科技有限公司 一种全自动曝光机

Also Published As

Publication number Publication date
JP3571243B2 (ja) 2004-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3571243B2 (ja) プロキシミティ露光方法及び装置
CN101351878B (zh) 基板交接装置、基板处理装置、基板交接方法
US20020036759A1 (en) Automatic exposing apparatus for both sides and exposing method thereof for works
JP2649519B2 (ja) 平板状物体移送位置決め装置
TWI670788B (zh) 基板處理裝置
JP2005114882A (ja) 処理ステージの基板載置方法、基板露光ステージおよび基板露光装置
JP4052826B2 (ja) マスクと露光対象基板との搬送に兼用できる搬送アーム及びそれを備えた露光装置
JP3725671B2 (ja) プロキシミティ露光装置及び方法並びに液晶ディスプレイの製造方法
JP2005310989A (ja) 基板及びフォトマスクの受け渡し方法、並びに基板及びフォトマスクの受け渡し装置
CN100559281C (zh) 曝光装置及曝光方法
US9123760B2 (en) Processing apparatus and device manufacturing method
WO2013084898A1 (ja) 露光装置および露光方法
JPH11165864A (ja) 基板搬送装置及び基板処理装置
JP2505952B2 (ja) 半導体製造装置
JP3496008B2 (ja) 露光装置およびデバイスの製造方法
JP3959265B2 (ja) プロキシミティ露光装置及びその装置におけるプロキシミティギャップ制御方法
JP2005338555A (ja) 露光装置、露光方法および露光処理プログラム
JPH06143177A (ja) 基板搬送装置
JP6083662B2 (ja) 露光装置
JPH05323251A (ja) 近接露光装置の基板搬送機構
JP2002251017A (ja) 露光装置
JPH1126364A (ja) プロキシミティ露光装置
JP2021009959A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JPH07161630A (ja) 露光装置の基板搬送機構
JP5392945B2 (ja) プロキシミティ露光装置、及びプロキシミティ露光装置の負圧室の天板搬送方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040217

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040419

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040525

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040623

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100702

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100702

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120702

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120702

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees