JP2000242970A

JP2000242970A - 光学的情報記録部材とその製造方法およびその記録再生方法

Info

Publication number: JP2000242970A
Application number: JP11038365A
Authority: JP
Inventors: Yoshitaka Sakagami; 嘉孝坂上; Eiji Ono; 鋭二大野; Noboru Yamada; 昇山田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-02-17
Filing date: 1999-02-17
Publication date: 2000-09-08

Abstract

(57)【要約】【課題】凸凹の形状をしたグルーブおよびランドを有
したディスク基板上に少なくとも記録層を有した光ディ
スクにおいて、高密度化に際し側壁部では記録膜の厚さ
がさらに薄くなり記録変化が起こらず信号品質が低下す
る。【解決手段】ディスク基板１１上に有した凹凸形状を
したトラッキング用のランドおよびグルーブを構成し、
光学的情報の記録部材としては、グルーブおよびランド
の側壁部での記録層膜厚をｂとした時、ｂ≧４ｎｍとす
ることで、記録再生時のジッタを減少させることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光線等の光
学的手段を用いて情報を高速かつ高密度に記録、再生す
る光学的情報記録部材およびその製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光線を利用して高密度な情報の再
生あるいは記録を行う技術は公知であり、おもに光ディ
スクとして実用化されている。

【０００３】光ディスクは再生専用型、追記型、書き換
え型に大別することができる。再生専用型はコンパクト
ディスクやレーザディスクとして、また追記型や書き換
え型は文書ファイル、データファイル等として実用化さ
れている。書き換え型光ディスクの中にはおもに、光磁
気と相変化型がある。相変化光ディスクは記録層がレー
ザ光線の照射によってアモルファスと結晶間（あるいは
結晶とさらに異なる構造の結晶間）で可逆的に状態変化
を起こすことを利用する。これは、レーザ−光照射によ
り薄膜の屈折率あるいは消衰係数のうち少なくともいず
れか一つが変化して記録を行い、この部分で透過光ある
いは反射光の振幅が変化し、その結果検出系に至る透過
光量あるいは反射光量が変化することを検出して信号を
再生する。アモルファスと結晶間で状態変化を起こす材
料としてはＴｅ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｂ等の合金が主に用い
られている。

【０００４】相変化光ディスクには基板上に誘電体層、
記録層、反射層、保護層を有した構成のものが一般的で
ある。そのディスク構成の一例としては、基板上に第一
の誘電体層、記録層、第二の誘電体層、そして反射層、
保護層を順に積層したものがある。

【０００５】誘電体層としてはＳｉＯ₂、ＳｉＯ、Ｔｉ
Ｏ₂、ＭｇＯ、Ｔａ₂Ｏ₅、Ａｌ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂、ＳｉＣ、
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳや、Ｇｅ₃Ｎ₄、Ｓ
ｉ₃Ｎ ₄、ＳｂＮ、ＢＮ、ＡｌＮ等のような窒化物を主成
分としたあるいはこれらの混合物が使える。

【０００６】基板の材質は、ガラス、石英、ポリカーボ
ネート、あるいは、ポリメチルメタクリレートを使用で
きる。また基板は平滑な平板でも表面にトラッキングガ
イド用の溝状の凹凸があってもよい。この凹凸の内、情
報の記録再生を行うレーザ光の入射側から見た場合、遠
くにある部分すなわち、ディスク基板上の凹部がラン
ド、近くにある部分すなわちディスク基板上の凸部がグ
ルーブと呼ばれる。以下、本明細書では、このランドと
グルーブの間の溝斜面のことを側壁部とする。

【０００７】保護層としては樹脂を溶剤に溶かして塗布
・乾燥したものや樹脂板を接着剤で接着したもの等が使
える。

【０００８】記録層、誘電体層、反射層は真空蒸着、ま
たはスパッタリングなどの方法で、透明基板の上に形成
する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】現在、光ディスクの高
密度化、大容量化が求められている。光ディスクの高密
度化の手段としては、短波長のレーザ光線を用いること
により小さい記録マークを形成する、基板上のグルーブ
やランドの幅を狭くする、さらには、グルーブとランド
の両方に記録する等の方法がある。

【００１０】我々は、ディスク基板上のグルーブやラン
ドの幅を狭くする手段による光ディスクの高密度化を相
変化光ディスクにおいて検討した。この中で、結晶状態
とアモルファス状態間で相変化する材料を用いた記録層
の膜厚を薄くする検討を行った。すると、記録層膜厚を
薄くしていくにつれ、記録再生ジッタが悪化傾向にあっ
た。

【００１１】この原因を究明するため、ディスクの記録
トラックのＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）観察を行った。
その結果、記録層が薄いディスクでは、グルーブやラン
ド部と比較してその側壁部では、信号のオーバーライト
による結晶−アモルファス間の相変化がうまく行われて
いないことがわかった。そのため、その部分が再生時の
ノイズとなり、良好な再生信号が得られず、ジッタが悪
化したものと考えられる。

【００１２】さらに、このディスクの断面ＴＥＭ観察を
行った結果、グルーブおよびランド部とその側壁部では
形成された記録膜の厚さに大きな差が生じていることが
わかった。すなわち、側壁部の方がグルーブおよびラン
ド部より記録層膜厚が薄く形成されていたのである。

【００１３】これら、２つの事実を総合すると、スパッ
タリングにより形成された記録層の膜厚が、グルーブお
よびランドの側壁部で薄く形成され、ランドおよびグル
ーブでの記録層膜厚を薄くした場合、その側壁部では更
に記録層膜厚が薄くなり、側壁部では結晶−アモルファ
ス状態の相変化がうまく行われなくなり、その部分が再
生時にノイズとなり、良好な再生信号品質が低下すると
考えられる。記録層膜厚が薄くなると、相変化を起こし
にくくなる原因については不明である。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、光学的情報の記録部材としては、グルーブおよびラ
ンドでの側壁部の記録層膜厚をｂとした時、（１）ｂ≧
４ｎｍである。

【００１５】また、光学的情報の記録部材を製造するた
めの製造方法としては、（２）記録膜をスパッタリング
によりディスク基板上に形成する場合、記録膜のスパッ
タリングターゲットが２枚以上、前記ディスク基板に対
向する位置に配置され、これらの前記ターゲットからス
パッタリングする、（３）記録膜をスパッタリングによ
り基板上に形成する場合、記録膜のスパッタリングター
ゲットが前記ディスク基板に対向する位置に配置され、
前記スパッタリングターゲットは複数個のリング形状を
しており、このリング形状のものが、中心軸が同じとな
るように配置され、これらの同軸ターゲットからスパッ
タリングする、（４）記録膜をスパッタリングによりデ
ィスク基板上に形成する場合、前記ディスク基板の自転
軸がスパッタリングターゲット表面の法線となす角度を
変化させながら、スパッタリングする。

【００１６】（作用）上記光学的情報の記録部材および
その製造方法によって、ディスク基板上に有した凹凸形
状をしたトラッキング用のランドおよびグルーブの側壁
部を除いた凹部の平らな部分の記録層幅をｃ、凸部の平
らな部分の記録層幅をｄとし、前記ディスク基板上に形
成した記録層上でレーザ光強度が半値となる時のレーザ
スポットの直径をｅとした時、ランドに光学的情報を記
録する場合、ｃ＜ｅであり、グルーブに光学的情報を記
録する場合、ｄ＜ｅである場合、ランドおよびグルーブ
の側壁部での記録層膜厚を４ｎｍ以上にすることで、側
壁部でも信号の記録に伴う相変化をグルーブやランド部
と同様に行い、高品質な記録再生を実現する光学的情報
の記録部材を提供することが可能となる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を説明
する。

【００１８】図１を用いて本実施の形態で用いたディス
クの構造について説明する。誘電体層、記録層、反射層
は通常のスパッタリングの薄膜形成方法で、透明樹脂デ
ィスク基板１１上に形成する。ディスク基板１１上に、
第１の誘電体１２、記録層１３、第２の誘電体層１４、
反射層１５を順次設ける。さらにその上に密着した保護
層を設ける場合もある。また、反射層１５のない構造の
光ディスクもある。

【００１９】基板１１の材質は、ポリカーボネート、あ
るいは、ポリメチルメタクリレート等の樹脂基板を使用
できるが本実施の形態ではポリカーボネート基板を用い
た。また、ディスク基板は表面にトラッキング用の溝状
の凹凸があるものを用いた。

【００２０】保護層としては、樹脂を溶剤に溶かして塗
布・乾燥したものや、樹脂板を接着剤で接着したもの等
が使える。

【００２１】記録層１３に用いる記録層材料としては、
アモルファス・結晶間の相変化をするカルコゲン合金が
よく知られており、例えばＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴｅ
系、ＧｅＳｂＴｅＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅＰｄ系、ＴｅＧ
ｅＳｎＡｕ系、ＡｇＳｂＴｅ系、ＧｅＴｅ系、ＧａＳｂ
系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳ
ｂＳｅ系、ＩｎＳｂＴｅＡｇ系等、例えば上記系統の合
金の相変化特性または光学特性に影響を及ぼさない範囲
で他の元素を含む合金等が使えるが、本実施の形態で
は、ＧｅＳｂＴｅ系合金を用いた。

【００２２】誘電体層１２、１４としてはＳｉＯ₂、Ｓ
ｉＯ、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ｔａ₂Ｏ₅、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇｅ
Ｏ₂、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ
や、Ｇｅ₃Ｎ ₄、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｂＮ、ＢＮ、ＡｌＮ等のよ
うな窒化物を主成分とするもの等、あるいはこれらの混
合物が使えるが、本実施の形態では、第１および第２の
誘電体層をＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物を用いた。

【００２３】反射層１５としてはＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等の金属材料を主成分とした材料、ある
いはこれらの混合物、さらには所定の波長における反射
率の大きな誘電体多層膜等が使えるが、本実施の形態で
はＡｕ反射層を用いた。

【００２４】以下、具体的実施の形態をもって本発明を
さらに詳細に説明する。

【００２５】（実施の形態１）グルーブおよびランドで
の記録層膜厚と側壁部での記録層膜厚を制御した光ディ
スクを製造するための方法で、記録膜をスパッタリング
により形成する場合、複数個のスパッタリングターゲッ
トがディスク基板と対向する位置に配置され、これらの
ターゲットからスパッタリングする方法について述べ
る。

【００２６】本実施の形態で用いたディスク構成は、φ
１２０ｍｍのポリカーボネート製信号記録用トラックを
持つ基板を用いた。

【００２７】ディスク基板上に第１の誘電体層としてＺ
ｎＳ−ＳｉＯ₂混合膜を厚さ１２００Åスパッタリング
により形成した。

【００２８】また、ディスクの記録層組成はＧｅ_21.6Ｓ
ｂ_24.3Ｔｅ_54.1；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ₂Ｔｅ₃＋０．２５
Ｓｂ）とし、記録層を１００Å（１０ｎｍ）、第２の誘
電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜を厚さ１５００Å（１
５０ｎｍ）形成した。反射層はＡｕ膜を２００Åスパッ
タリングにより成膜を行った。そしてその上にポリカー
ボネートの保護層を設けた。

【００２９】上記の光ディスクの各層膜厚は、グルーブ
およびランド部での平らな部分での膜厚が所定の膜厚に
なるよう成膜した。

【００３０】また、凹凸形状をしたディスク基板上のト
ラッキング用グルーブおよびランドの側壁部をのぞいた
平らな部分の記録層幅は、本実施の形態では０．５９μ
ｍ（５９０ｎｍ）であった。

【００３１】この光ディスクに信号を記録、再生するの
に用いたレーザの波長は６５０ｎｍ、開口数０．６のも
のを用いた。この時、ディスク基板上でレーザ光強度が
半値となるレーザスポット直径は実測の結果、０．６μ
ｍ（６００ｎｍ）であった。また、信号方式は８／１
６、ＲＬＬ（２、１０）変調、、最短ビット長０．２８
μｍ、信号を記録するレーザ光パワーを１２ｍＷ、記録
した信号を消すためのレーザ光パワーを５ｍＷとし、線
速８．２ｍ／ｓでグルーブにランダム信号のオーバーラ
イトを行いジッタ値を調べた。

【００３２】そのジッタの基準として、ジッタ８．５％
以下を良好な信号特性とした。その理由としては、ディ
スクのチルトマージンやディスクのライフ等を考えた場
合、チルトのない初期状態で８．５％のジッタを確保し
ておかないと、最悪、記録した情報が正確に読み出せな
い場合が生じるためである。

【００３３】このように、本実施の形態では、レーザ光
強度が半値となるレーザスポットの直径が、グルーブお
よびランドの側壁部を除いた平らな部分の記録層幅より
大きくなっている。すなわち、側壁部の記録層にレーザ
光が当たっており、記録層が相変化するに足る熱が与え
られている状態である。

【００３４】図２および図２を上から見た図である図３
を用いて、本実施の形態で用いた記録層のスパッタリン
グの方法を説明する。ディスク基板に対向する位置に、
本実施の形態では２つの同じ記録膜組成のスパッタリン
グターゲットを配置した。ディスク基板は、ターゲット
Ａ上に配置され、ディスク基板とターゲットＡ間には遮
蔽板が設けられている。そして、予めＺｎＳ−ＳｉＯ₂
を成膜しておいたディスク基板上に、この２つのターゲ
ットＡ、Ｂから記録膜をスパッタリングした。この時デ
ィスク基板は自転させた。また、記録層以外の層のスパ
ッタリング方法は、図２のターゲットＡの位置にＺｎＳ
−ＳｉＯ₂やＡｕのターゲットを配置し、遮蔽板を取り
除き行った。

【００３５】記録層成膜時に本実施の形態とは異なり、
本実施の形態でＺｎＳ−ＳｉＯ₂やＡｕを成膜した時と
同じ方法で、記録層を成膜した場合、側壁部での記録層
膜厚は３ｎｍで、１００回オーバライト後のジッタは１
０．５％であった。

【００３６】一方、本実施の形態のように、記録層成膜
時に２つのターゲットから記録膜をスパッタリングした
場合、グルーブおよびランドの側壁部での記録層膜厚は
９ｎｍであった。また、１００回オーバーライトした後
のジッタは８．０％であった。

【００３７】２つのターゲットからスパッタリングした
場合に、側壁部での記録層膜厚がランドやグルーブ部で
の記録層膜厚に近づく理由としては、図２および図３の
ターゲットＢからスパッタリングされた記録膜はディス
ク基板上では側壁部の内周側やグルーブやランド部よ
り、側壁部の外周側に厚く成膜され、かつ、ターゲット
Ａからスパッタリングされた記録膜は逆に、側壁部の外
周側やグルーブやランド部より側壁部の内周側に厚く成
膜されるため、トータルとして、側壁部とグルーブやラ
ンド部の膜厚差が小さくなると考えられる。

【００３８】以上のように、記録層成膜時に２つのター
ゲットから記録膜をスパッタリングすることにより、側
壁部とランドやグルーブ部での記録層の膜厚差が小さく
なり、それにより、記録再生ジッタが良好な光ディスク
を製造することができた。

【００３９】なお、本実施の形態では、２つのターゲッ
トを用いて記録層をスパッタリングしたが、３つ以上の
ターゲットを用いても、スパッタリングパワーや、遮蔽
板の形状、位置等を工夫することで、記録層の膜厚比ｂ
／ａが１．０に近づく光ディスクを形成することができ
た。ここでａが一定の範囲内では膜厚比ｂ／ａは０．４
以上であればジッタ減少の効果がある。

【００４０】（実施の形態２）グルーブおよびランドで
の記録層膜厚とその側壁部での記録層膜厚を制御した光
ディスクを製造するための方法で、記録膜をスパッタリ
ングにより形成する場合、記録膜のスパッタリングター
ゲットがディスク基板に対向する位置に配置され、かつ
スパッタリングターゲットは複数個のリング形状をして
おり、このリング形状のものが、中心軸が同じとなるよ
うに配置され、これらの同軸ターゲットからスパッタリ
ングする方法について述べる。

【００４１】本実施の形態で用いた光ディスクの構造お
よび、そのディスクの評価方法は、実施の形態１と同じ
である。

【００４２】図４を用いて本実施の形態で用いた記録層
のスパッタリングの方法を説明する。ディスク基板に対
向する位置に、本実施の形態では２つの同じ記録膜組成
のリング状同軸スパッタリングターゲットを配置した。
ディスク基板は、これらの同軸ターゲットの真上に配置
されている。そして、予めＺｎＳ−ＳｉＯ2を成膜して
おいたディスク基板上に、この２つのターゲットＡ、Ｂ
から記録膜をスパッタリングした。また、記録層以外の
層のスパッタリング方法は、実施の形態１と同じであ
る。

【００４３】記録層成膜時に本実施の形態とは異なり、
本実施の形態でＺｎＳ−ＳｉＯ₂やＡｕを成膜した時と
同じ方法で、記録層を成膜した場合、側壁部での記録層
膜厚は３ｎｍで、１００回オーバライト後のジッタは１
０．５％であった。

【００４４】一方、記録層成膜時に２つのリング状同軸
ターゲットから記録膜をスパッタリングした場合、側壁
部での記録層膜厚が６ｎｍであり、また、１００回オー
バーライトした後のジッタは８．３％であった。

【００４５】２つのリング状同軸ターゲットからスパッ
タリングした場合に、側壁部とランドおよびグルーブで
の記録層膜厚差が小さくなる理由としては、図３のター
ゲットＡからスパッタリングされた記録膜はディスク基
板上では側壁部の内周側より外周側に厚く成膜され、か
つ、ターゲットＢからスパッタリングされた記録膜は逆
に、側壁部の外周側より内周側に厚く成膜される。グル
ーブやランドより側壁部では、薄くしか記録層が成膜さ
れなかったため、トータルとして、記録層膜厚差が４ｎ
ｍと実施の形態１と比較して差がでたと考えられる。

【００４６】以上のように、記録層成膜時に２つの同軸
リング状ターゲットから記録膜をスパッタリングするこ
とにより、側壁部とランドやグルーブ部での記録層の膜
厚差が小さくなり、それにより、記録再生ジッタが良好
な光ディスクを製造することができた。

【００４７】なお、本実施の形態では、２つのリング状
同軸ターゲットを用いて記録層をスパッタリングした
が、３つ以上のリング状同軸ターゲットを用いても、各
ターゲットのスパッタリングパワーを工夫することで、
側壁部とグルーブやランドでの記録層の膜厚差が小さい
光ディスクを形成することができた。

【００４８】（実施の形態３）グルーブおよびランドで
の記録層膜厚とその側壁部での記録層膜厚を制御した光
ディスクを製造するための方法で、記録膜をスパッタリ
ングによりに形成する場合、ディスク基板の自転軸がス
パッタリングターゲット表面の法線となす角度を変化さ
せながら、スパッタリングする方法について述べる。

【００４９】本実施の形態で用いた光ディスクの構造お
よび、そのディスクの評価方法は、実施の形態１と同じ
である。

【００５０】図５を用いて本実施の形態で用いた記録層
のスパッタリングの方法を説明する。本実施の形態で
は、スパッタリングターゲットに対向する位置に、ディ
スク基板が配置されている。ディスク基板は成膜中は自
転し、かつ、この自転軸がスパッタリングターゲット表
面の法線となす角度を変化させながら、記録層を成膜す
る。

【００５１】このように、自転軸がスパッタリングター
ゲット表面の法線となす角度を変化させることで、基板
とターゲットのなす角度が様々に変化し、基板上のある
一点を考えた場合、スパッタされ基板方向に飛んできた
原子（あるいは分子）の飛んでくる方向が様々に変化す
る。これにより、側壁部やグルーブおよびランド部で記
録層が膜厚としてほぼ均一に形成されるのである。

【００５２】この成膜装置を用いて、予めＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂を成膜しておいたディスク基板上に、この記録膜を
スパッタリングした。また、記録層以外の層のスパッタ
リング方法は、実施の形態１と同じである。

【００５３】記録層成膜時に本実施の形態とは異なり、
本実施の形態でＺｎＳ−ＳｉＯ₂やＡｕを成膜した時と
同じ方法で、記録層を成膜した場合、側壁部での記録層
膜厚は３ｎｍで、１００回オーバライト後のジッタは１
０．５％であった。

【００５４】一方、本実施の形態のようにディスク基板
が自転しながら、その自転軸がターゲットを含む面とな
す角度を変化させながら回転する場合、グルーブおよび
ランドの側壁部での記録層膜厚が８ｎｍであった。ま
た、１００回オーバーライトした後のジッタは８．１％
であった。

【００５５】以上のように、記録層成膜時にディスク基
板が自転しながら、その自転軸がターゲット表面の法線
となす角度を変化させながら回転する場合、側壁部とラ
ンドやグルーブでの記録層膜厚差が小さくなり、記録再
生ジッタが良好な光ディスクを製造することができた。

【００５６】（実施の形態４）グルーブおよびランドで
の側壁部での記録層膜厚を変化させた場合について述べ
る。

【００５７】本実施の形態で用いた光ディスクの構造お
よび、そのディスクの評価方法は、実施の形態１と同じ
である。

【００５８】グルーブおよびランドでの記録層膜厚を１
０ｎｍに固定し、グルーブおよびランドの側壁部での記
録層膜厚を２〜９ｎｍと変化させてディスクを作製し、
その記録再生特性を評価した。側壁部での記録層膜厚を
２〜９ｎｍまで変化して成膜する方法としては、実施の
形態１のスパッタリング方法を用いた。ターゲットの位
置や遮蔽板の位置を工夫することで、側壁部での膜厚を
変化させた。

【００５９】また、記録層以外の層のスパッタリング方
法は、実施の形態１と同じである。

【００６０】グルーブあるいはランドでの平らな部分や
側壁部での記録層膜厚は、ディスクの断面ＴＥＭ（透過
型電子顕微鏡）観察することで確認した。

【００６１】表１に側壁部での記録層膜厚とランダム信
号を１００回オーバーライトした時のジッタを示す。

【００６２】

【表１】

【００６３】表１より、側壁部での記録層膜厚が４〜９
ｎｍの範囲では、１００回オーバライト後のジッタが
８．５％以下と良好である。それに対して、側壁部での
記録層膜厚が３ｎｍ以下では、ジッタが急激に悪化して
おり、側壁部で相変化がうまくできず、その部分が再生
時にノイズとなりジッタが悪化していることがわかる。

【００６４】以上のように、グルーブおよびランドの側
壁部での記録層膜厚を４ｎｍ以上とすることで、オーバ
ライト記録した時の信号品質の良好な光ディスクを提供
できる。

【００６５】（実施の形態５）グルーブおよびランドで
の記録層膜厚を変化させた場合について述べる。

【００６６】本実施の形態で用いた光ディスクの構造お
よび、そのディスクの評価方法は、実施の形態１と同じ
である。

【００６７】グルーブおよびランドでの記録層膜厚を１
０〜１７ｎｍと変化させディスクを作製し、その記録再
生特性を評価した。本実施の形態においては、記録層を
形成する際もＺｎＳ−ＳｉＯ2やＡｕを成膜した時と同
じ方法で成膜した。

【００６８】グルーブあるいはランドでの平らな部分や
側壁部での記録層膜厚は、ディスクの断面ＴＥＭ（透過
型電子顕微鏡）観察することで確認した。

【００６９】表２にグルーブおよびランド部での記録層
膜厚と、その時の側壁部での記録層膜厚、ランダム信号
を１００回オーバーライトした時のジッタを示す。

【００７０】

【表２】

【００７１】表２より、グルーブおよびランド部での記
録層膜厚が１５ｎｍ以下の範囲では、側壁部の記録層膜
厚が３ｎｍとなり、１００回オーバライト後のジッタが
８．５％以上と悪化している。それに対して、グルーブ
およびランド部での記録層膜厚が１６ｎｍ以上では、ジ
ッタが８．５％以下と良好である。

【００７２】以上のように、記録層を形成する際もＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂やＡｕを成膜した時と同じ方法で成膜した
場合、グルーブおよびランドでの記録層膜厚が１５ｎｍ
以下では、側壁部での記録層膜厚が３ｎｍ以下となり、
ジッタが悪化するが、グルーブおよびランドでの記録層
膜厚が１６ｎｍ以上では、側壁部での記録層膜厚が４ｎ
ｍ以上となり、オーバライト記録した時の信号品質の良
好な光ディスクを提供できる。

【００７３】（実施の形態６）グルーブおよびランドで
の側壁部を除いた平らな部分の記録層幅を変化させた場
合について述べる。

【００７４】本実施の形態で用いた光ディスクの構造お
よび、そのディスクの評価方法は、実施の形態１と同じ
である。

【００７５】グルーブおよびランドでの側壁部を除いた
平らな部分の記録層幅を変化させたディスクを用意し、
同じ成膜方法で、同じ構成のディスクを成膜して、その
ジッタ特性を評価した。

【００７６】グルーブおよびランドでの記録層膜厚を１
０ｎｍに固定した。その時のグルーブおよびランドの側
壁部での記録層膜厚は、グルーブおよびランドでの側壁
部を除いた平らな部分の記録層幅を変化させたどのディ
スクにおいても３ｎｍであることは、ディスクの断面Ｔ
ＥＭ（透過型電子顕微鏡）観察することで確認した。

【００７７】表３に側壁部での記録層膜厚とランダム信
号を１００回オーバーライトした時のジッタを示す。

【００７８】

【表３】

【００７９】表３より、グルーブおよびランドでの側壁
部を除いた平らな部分の記録層幅が、レーザ光強度が半
値となるレーザスポットの直径より大きい場合、１００
回オーバライト後のジッタが８．３％以下と良好であ
る。それに対して、グルーブおよびランドでの側壁部を
除いた平らな部分の記録層幅が、レーザ光強度が半値と
なるレーザスポットの直径より小さい場合、ジッタが急
激に悪化しており、側壁部にレーザスポットがかかるこ
とで、記録時にはで相変化がうまくできない側壁部にも
記録してしまい、再生時にはその部分も再生するため、
その部分がノイズとなりジッタが悪化していることがわ
かる。

【００８０】以上のように、グルーブおよびランドでの
側壁部を除いた平らな部分の記録層幅が、レーザ光強度
が半値となるレーザスポットの直径より小さい時に、オ
ーバライト記録した時の信号品質に悪影響がある。

【００８１】なお上記説明では相変化を中心に説明した
が、光磁気や色素材料などの方式や、ディスク形状でな
くカード状やテープ状などの媒体に本構成を応用するこ
とは本発明の範囲である。

【００８２】

【発明の効果】本発明の製造方法により、グルーブおよ
びランドの側壁部での記録層膜厚を４ｎｍ以上となるよ
うに制御でき、オーバライト記録再生特性が良好な光デ
ィスクを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に用いた光ディスクの構造
図

【図２】本発明の実施の形態に用いた光ディスクの製造
装置図

【図３】本発明の実施の形態に用いた光ディスクの製造
装置図

【図４】本発明の実施の形態に用いた光ディスクの製造
装置図

【図５】本発明の実施の形態に用いた光ディスクの製造
装置図

【符号の説明】

１１ディスク基板１２第１の誘電体層１３記録層１４第２の誘電体層１５反射層

フロントページの続き (72)発明者山田昇大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5D029 JB36 JB50 WB03 WC07 WC10 5D090 AA01 BB05 CC01 CC04 DD01 GG07 KK01 5D121 AA01 EE03 EE09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】凸または凹の形状をしたトラッキング用の
ランドおよびグルーブを有したディスク基板上に、レー
ザ光線等の照射によってアモルファス相と結晶相の間で
可逆的に相変化を起こす記録層を少なくとも設け、少な
くとも前記ランドあるいはグルーブのどちらか一方に光
学的情報を記録する光学的情報記録部材であって、前記
ランドおよびグルーブの側壁部での前記記録層の膜厚を
ｂとした時、ｂ≧４ｎｍであることを特徴とする光学的
情報記録部材。
【請求項２】凸または凹の形状をしたトラッキング用の
ランドおよびグルーブを有したディスク基板上に、レー
ザ光線等の照射によってアモルファス相と結晶相の間で
可逆的に相変化を起こす記録層を少なくとも設け、少な
くとも前記ランドあるいはグルーブのどちらか一方に光
学的情報を記録する光学的情報記録部材であって、前記
ランドとグルーブ上の前記記録層の膜厚をａとした時、
ａ≦１５ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の光
学的情報記録部材。
【請求項３】ディスク基板上に有した凸凹形状をしたト
ラッキング用のランドおよびグルーブの側壁部を除いた
凸部の平らな部分の記録層幅をｃ、凹部の平らな部分の
記録層幅をｄとし、前記ディスク基板上に形成した記録
層上でレーザ光強度が半値となる時のレーザスポットの
直径をｅとした時、ランドに光学的情報を記録する場
合、ｃ＜ｅであり、グルーブに光学的情報を記録する場
合、ｄ＜ｅであることを特徴とする請求項１または２記
載の光学的情報記録部材。
【請求項４】凸または凹の形状をしたトラッキング用の
ランドおよびグルーブを有したディスク基板上に、レー
ザ光線等の照射によって光学的変化を起こす記録層を少
なくとも設け、少なくとも前記ランドあるいはグルーブ
のどちらか一方に光学的情報を記録する光学的情報記録
部材であって、前記ランドとグルーブ上の前記記録層の
膜厚をａ、前記ランドおよびグルーブの側壁部での前記
記録層の膜厚をｂとした時、０．４≦ｂ／ａ≦１である
ことを特徴とする光学的情報記録部材。
【請求項５】請求項１記載の光学的情報の記録部材を製
造する方法であって、記録膜をスパッタリングによりデ
ィスク基板上に形成する場合、記録膜のスパッタリング
ターゲットが少なくとも２枚以上、前記ディスク基板に
対向する位置に配置され、これらの前記スパッタリング
ターゲットからスパッタリングすることを特徴とする光
学的情報記録部材の製造方法。
【請求項６】スパッタリングターゲットは複数個のリン
グ形状をしており、このリング形状のものが、中心軸が
同じとなるように配置され、これらの同軸ターゲットか
らスパッタリングすることを特徴とする請求項５記載の
光学的情報記録部材の製造方法。
【請求項７】請求項１記載の光学的情報の記録部材を製
造する方法であって、記録膜をスパッタリングによりデ
ィスク基板上に形成する場合、前記ディスク基板の自転
軸がスパッタリングターゲット表面の法線となす角度を
変化させながら、スパッタリングすることを特徴とする
光学的情報記録部材の製造方法。
【請求項８】レーザ光線の照射によってアモルファス相
と結晶相の間で可逆的に相変化を起こす記録層を少なく
とも設け、ディスク基板上に有した凸凹形状をしたトラ
ッキング用のランドおよびグルーブの側壁部を除いた凸
部の平らな部分の記録層幅をｃ、凹部の平らな部分の記
録層幅をｄとし、前記ディスク基板上に形成した記録層
上でのレーザ光強度が半値となる時のレーザスポットの
直径をｅとした時、ランドに光学的情報を記録する場合
にはｃ＜ｅであり、グルーブに光学的情報を記録する場
合にはｄ＜ｅであり、かつ、前記ランドおよびグルーブ
の側壁での前記記録層の膜厚をｂとした時、ｂ≧４ｎｍ
である記録部材に光学的情報を記録再生する方法。