JP2000243295A - プラズマディスプレイパネルの処理設備 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの処理設備Info
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- JP2000243295A JP2000243295A JP11038703A JP3870399A JP2000243295A JP 2000243295 A JP2000243295 A JP 2000243295A JP 11038703 A JP11038703 A JP 11038703A JP 3870399 A JP3870399 A JP 3870399A JP 2000243295 A JP2000243295 A JP 2000243295A
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バッチ処理と、各バッチ式加熱炉を順次操業
して連続式処理炉と同様機能を行なわせ、１つの加熱炉
が使用不能となっても操業に大きな支障を与えず、かつ
少量多品種生産にも対応できるプラズマディスプレイパ
ネル（ＰＤＰ）の処理設備を提供する。 【解決手段】 搬送台車１の走行路Ｒ1に沿って、炉床
に開口部を有するとともに加熱手段と冷却手段とを備え
たバッチ式加熱炉Ｔを走行路と直交するように並列に複
数基配設する。搬送台車上に排気カート１５を搭載し、
この排気カートが複数のチップ管付ＰＤＰ組立体Ｐを保
持する保持部材と、断熱部材と、真空排気系と放電ガス
供給系とに切換可能に接続されてチップ管に接続される
接管金具とから構成され、チップ管付ＰＤＰ組立体の加
熱処理時に排気カートの断熱部材が開口部を塞ぐように
したＰＤＰの処理設備。
して連続式処理炉と同様機能を行なわせ、１つの加熱炉
が使用不能となっても操業に大きな支障を与えず、かつ
少量多品種生産にも対応できるプラズマディスプレイパ
ネル（ＰＤＰ）の処理設備を提供する。 【解決手段】 搬送台車１の走行路Ｒ1に沿って、炉床
に開口部を有するとともに加熱手段と冷却手段とを備え
たバッチ式加熱炉Ｔを走行路と直交するように並列に複
数基配設する。搬送台車上に排気カート１５を搭載し、
この排気カートが複数のチップ管付ＰＤＰ組立体Ｐを保
持する保持部材と、断熱部材と、真空排気系と放電ガス
供給系とに切換可能に接続されてチップ管に接続される
接管金具とから構成され、チップ管付ＰＤＰ組立体の加
熱処理時に排気カートの断熱部材が開口部を塞ぐように
したＰＤＰの処理設備。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（以下、ＰＤＰという）の処理設備に関する
ものである。
レイパネル（以下、ＰＤＰという）の処理設備に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】ＰＤＰの
製造工程には、表面ガラス基板とチップ管付背面ガラス
基板とを封着処理により一体化する工程、この封着処理
により一体化したＰＤＰ組立体内部を真空排気して内部
のガスを除去する工程、真空排気処理後のＰＤＰ組立体
内部に放電ガスを導入する工程、および真空排気処理時
と放電ガスの導入時に使用したチップ管を封じ切る工程
がある。
製造工程には、表面ガラス基板とチップ管付背面ガラス
基板とを封着処理により一体化する工程、この封着処理
により一体化したＰＤＰ組立体内部を真空排気して内部
のガスを除去する工程、真空排気処理後のＰＤＰ組立体
内部に放電ガスを導入する工程、および真空排気処理時
と放電ガスの導入時に使用したチップ管を封じ切る工程
がある。
【０００３】これらの処理をバッチ処理する炉として、
表面ガラス基板とチップ管付背面ガラス基板とを封着処
理するためのバッチ式封着処理炉、封着処理により一体
化したＰＤＰ組立体内部を真空排気するためのバッチ式
排気処理炉、および封着剤を介在させてクリップ等の治
具により一体固定したＰＤＰ組立体の封着処理に引き続
き排気処理するバッチ式封着・排気処理炉がある。
表面ガラス基板とチップ管付背面ガラス基板とを封着処
理するためのバッチ式封着処理炉、封着処理により一体
化したＰＤＰ組立体内部を真空排気するためのバッチ式
排気処理炉、および封着剤を介在させてクリップ等の治
具により一体固定したＰＤＰ組立体の封着処理に引き続
き排気処理するバッチ式封着・排気処理炉がある。
【０００４】このうち、バッチ式排気処理炉およびバッ
チ式封着・排気処理炉は、真空排気装置と放電ガス供給
装置を炉床下あるいは炉本体近傍に配置した構成として
いる。そして、排気処理は封着処理により一体化したＰ
ＤＰ組立体を炉内に装入したのち、ＰＤＰ組立体のチッ
プ管と真空排気装置の排気管とを接管金具を介して接続
し、その後、炉内で所定温度に加熱しながら排気処理す
る。また、放電ガスの封入はＰＤＰ組立体を炉内で放電
ガス導入可能な温度（約５０℃）まで冷却したのち、放
電ガスをＰＤＰ組立体内にチップ管を介して導入してチ
ップ管を封じ切るものである。
チ式封着・排気処理炉は、真空排気装置と放電ガス供給
装置を炉床下あるいは炉本体近傍に配置した構成として
いる。そして、排気処理は封着処理により一体化したＰ
ＤＰ組立体を炉内に装入したのち、ＰＤＰ組立体のチッ
プ管と真空排気装置の排気管とを接管金具を介して接続
し、その後、炉内で所定温度に加熱しながら排気処理す
る。また、放電ガスの封入はＰＤＰ組立体を炉内で放電
ガス導入可能な温度（約５０℃）まで冷却したのち、放
電ガスをＰＤＰ組立体内にチップ管を介して導入してチ
ップ管を封じ切るものである。
【０００５】このように、前記バッチ式排気処理炉およ
びバッチ式封着・排気処理炉においては、チップ管と真
空排気装置や放電ガス供給装置との接続作業、チップ管
封じ切り作業があり、しかもこれらの作業は炉の操業を
停止して行なうため停炉時間が長い。また、放電ガスの
ＰＤＰ組立体内への供給は、ＰＤＰ組立体を約５０℃に
なるまで炉内で降温させたうえで行なうため、炉の稼動
率が低下し、生産性が悪いという課題を有する。
びバッチ式封着・排気処理炉においては、チップ管と真
空排気装置や放電ガス供給装置との接続作業、チップ管
封じ切り作業があり、しかもこれらの作業は炉の操業を
停止して行なうため停炉時間が長い。また、放電ガスの
ＰＤＰ組立体内への供給は、ＰＤＰ組立体を約５０℃に
なるまで炉内で降温させたうえで行なうため、炉の稼動
率が低下し、生産性が悪いという課題を有する。
【０００６】一方、表面ガラス基板とチップ管付背面ガ
ラス基板のいずれか一方の対向周縁部に封着剤を塗布し
て両ガラス基板をクリップ等の治具により一体固定した
ＰＤＰ組立体を、排気カート上に前記ＰＤＰ組立体が炉
内に位置するように保持するとともに、前記チップ管を
真空排気系に接続して前記排気カートを炉内走行させな
がら封着処理し、その後、ＰＤＰ組立体内に放電ガスを
供給した後、チップ管を封じ切るようにした連続式封着
・排気処理炉が、たとえば特開平１０−２１８３２号公
報で提案されている。
ラス基板のいずれか一方の対向周縁部に封着剤を塗布し
て両ガラス基板をクリップ等の治具により一体固定した
ＰＤＰ組立体を、排気カート上に前記ＰＤＰ組立体が炉
内に位置するように保持するとともに、前記チップ管を
真空排気系に接続して前記排気カートを炉内走行させな
がら封着処理し、その後、ＰＤＰ組立体内に放電ガスを
供給した後、チップ管を封じ切るようにした連続式封着
・排気処理炉が、たとえば特開平１０−２１８３２号公
報で提案されている。
【０００７】この連続式封着・排気処理炉では前記課題
を解決することができるが、炉内トラブルにより排気カ
ートの移動が不可能となった場合、炉の操業を全面的に
停止せざるを得ないという新たな課題を有する。
を解決することができるが、炉内トラブルにより排気カ
ートの移動が不可能となった場合、炉の操業を全面的に
停止せざるを得ないという新たな課題を有する。
【０００８】また、少量多品種のＰＤＰ組立体を処理す
るには、しばしば操業条件を変更する必要があり、その
場合、最終の排気カートが炉から抽出されるまで、次の
処理条件を変更することができず、生産性が極めて悪く
なるという課題を有する。
るには、しばしば操業条件を変更する必要があり、その
場合、最終の排気カートが炉から抽出されるまで、次の
処理条件を変更することができず、生産性が極めて悪く
なるという課題を有する。
【０００９】したがって、本発明は、複数のバッチ式加
熱炉を所定の位置に配設し、従来同様のバッチ処理と、
各バッチ式加熱炉を順次操業することにより実質的に連
続式処理炉と同様機能を行なわせ、かつ、１つの加熱炉
が使用不能となっても操業に大きな支障を与えず、しか
も少量多品種生産にも対応することのできるＰＤＰの処
理設備を提供することを目的とする。
熱炉を所定の位置に配設し、従来同様のバッチ処理と、
各バッチ式加熱炉を順次操業することにより実質的に連
続式処理炉と同様機能を行なわせ、かつ、１つの加熱炉
が使用不能となっても操業に大きな支障を与えず、しか
も少量多品種生産にも対応することのできるＰＤＰの処
理設備を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するために、ＰＤＰの処理設備を、搬送台車の走行路に
沿って、炉床の炉長方向に開口部を有するとともに加熱
手段と冷却手段とを備えたバッチ式加熱炉を前記開口部
が前記走行路と直交するように並列に複数基配設すると
ともに、前記搬送台車上に前記走行路と直交して移動す
るように排気カートを搭載し、この排気カートが複数の
一体化したチップ管付プラズマディスプレイパネル組立
体を保持する保持部材と、この保持部材に取り付けた断
熱部材と、真空排気系と放電ガス供給系とに切換可能な
配管に接続されて前記チップ管に接続される接管金具と
から構成され、前記チップ管付プラズマディスプレイパ
ネル組立体の加熱処理時に排気カートが前進し前記断熱
部材が前記開口部に位置して当該開口部を塞ぐようにし
たものである。
するために、ＰＤＰの処理設備を、搬送台車の走行路に
沿って、炉床の炉長方向に開口部を有するとともに加熱
手段と冷却手段とを備えたバッチ式加熱炉を前記開口部
が前記走行路と直交するように並列に複数基配設すると
ともに、前記搬送台車上に前記走行路と直交して移動す
るように排気カートを搭載し、この排気カートが複数の
一体化したチップ管付プラズマディスプレイパネル組立
体を保持する保持部材と、この保持部材に取り付けた断
熱部材と、真空排気系と放電ガス供給系とに切換可能な
配管に接続されて前記チップ管に接続される接管金具と
から構成され、前記チップ管付プラズマディスプレイパ
ネル組立体の加熱処理時に排気カートが前進し前記断熱
部材が前記開口部に位置して当該開口部を塞ぐようにし
たものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を図
にしたがって説明する。本発明のＰＤＰの処理設備は、
大略、図１〜図５に示すように、搬送台車１の走行路
（レール）Ｒ1に沿って、図においては、走行路Ｒ1の両
側に、同一構造の複数のバッチ式加熱炉（以下、加熱炉
という）Ｔをその昇降扉４が対向するように配設すると
ともに、前記搬送台車１上に複数のＰＤＰ組立体Ｐを保
持する排気カート１５を搭載させ、かつ、走行路Ｒ1の
所定位置、たとえば一端側にＰＤＰ組立体Ｐの積込・積
卸し兼放電ガス供給・封じ切りステーション（以下、積
込積卸しステーションという）Ｓを設けたものである。
にしたがって説明する。本発明のＰＤＰの処理設備は、
大略、図１〜図５に示すように、搬送台車１の走行路
（レール）Ｒ1に沿って、図においては、走行路Ｒ1の両
側に、同一構造の複数のバッチ式加熱炉（以下、加熱炉
という）Ｔをその昇降扉４が対向するように配設すると
ともに、前記搬送台車１上に複数のＰＤＰ組立体Ｐを保
持する排気カート１５を搭載させ、かつ、走行路Ｒ1の
所定位置、たとえば一端側にＰＤＰ組立体Ｐの積込・積
卸し兼放電ガス供給・封じ切りステーション（以下、積
込積卸しステーションという）Ｓを設けたものである。
【００１２】前記加熱炉Ｔは、図２、図３に示すよう
に、炉床２に開口部３を全長にわたって有するととも
に、炉内には循環バッフル５が設けられ、循環通路６に
ラジアントチューブバーナあるいは電熱ヒータ等の加熱
手段７と冷却チューブあるいは冷却用空気供給・排気管
等の冷却手段（図示せず）が配設され、循環バッフル５
内の雰囲気は循環ファン８により吸込口９から吸引さ
れ、前記加熱手段７あるいは冷却手段により加熱（冷
却）され、循環バッフル５の下部に設けた吐出口１０か
ら吐出することにより炉内を循環し、下記するＰＤＰ組
立体Ｐを加熱あるいは冷却する。
に、炉床２に開口部３を全長にわたって有するととも
に、炉内には循環バッフル５が設けられ、循環通路６に
ラジアントチューブバーナあるいは電熱ヒータ等の加熱
手段７と冷却チューブあるいは冷却用空気供給・排気管
等の冷却手段（図示せず）が配設され、循環バッフル５
内の雰囲気は循環ファン８により吸込口９から吸引さ
れ、前記加熱手段７あるいは冷却手段により加熱（冷
却）され、循環バッフル５の下部に設けた吐出口１０か
ら吐出することにより炉内を循環し、下記するＰＤＰ組
立体Ｐを加熱あるいは冷却する。
【００１３】前記排気カート１５は前記走行路Ｒ1を走
行する搬送台車１のレールＲ1と直交方向に配置された
レールＲ2上に搭載され、前記加熱炉Ｔの炉床下に設け
たレールＲ3上へ図示しないモータにより移動可能な構
成となっている。そして、排気カート１５の上面には、
前記加熱炉Ｔに設けた開口部３を貫通して炉内に下記す
るＰＤＰ組立体Ｐをほぼ垂直状態で炉巾方向に保持する
保持部材１６が複数配設されている。
行する搬送台車１のレールＲ1と直交方向に配置された
レールＲ2上に搭載され、前記加熱炉Ｔの炉床下に設け
たレールＲ3上へ図示しないモータにより移動可能な構
成となっている。そして、排気カート１５の上面には、
前記加熱炉Ｔに設けた開口部３を貫通して炉内に下記す
るＰＤＰ組立体Ｐをほぼ垂直状態で炉巾方向に保持する
保持部材１６が複数配設されている。
【００１４】この保持部材１６は、両側に排気カート１
５上に取り付けられた支柱部１７と上部梁１８を備えた
門型部材と上部梁１８から側方に突出する複数の横架材
１９および横架材１９上に所定間隔で立設したパネルサ
ポート２１とからなる。また、前記横架材１９上にはＰ
ＤＰ組立体Ｐの下端面を支持する受け台２０を所定間隔
で設けている。
５上に取り付けられた支柱部１７と上部梁１８を備えた
門型部材と上部梁１８から側方に突出する複数の横架材
１９および横架材１９上に所定間隔で立設したパネルサ
ポート２１とからなる。また、前記横架材１９上にはＰ
ＤＰ組立体Ｐの下端面を支持する受け台２０を所定間隔
で設けている。
【００１５】そして、前記支柱部１７には前記開口部３
と若干の間隙をもって嵌合する断熱部材２２を排気カー
ト１５の全長にわたって備えている。
と若干の間隙をもって嵌合する断熱部材２２を排気カー
ト１５の全長にわたって備えている。
【００１６】また、排気カート１５には真空排気ポンプ
２３を有する真空排気系と放電ガスボンベ２４を有する
放電ガス供給系とが搭載されており、両者はそれぞれヘ
ッダ２３ａ，２４ａ、電磁式開閉弁Ｖ1，Ｖ2を介して接
管金具２５に接続されている。さらに、排気カート１５
には下記するＰＤＰ組立体Ｐのチップ管Ｐａを溶断する
封止ヒータ２７を備えている。
２３を有する真空排気系と放電ガスボンベ２４を有する
放電ガス供給系とが搭載されており、両者はそれぞれヘ
ッダ２３ａ，２４ａ、電磁式開閉弁Ｖ1，Ｖ2を介して接
管金具２５に接続されている。さらに、排気カート１５
には下記するＰＤＰ組立体Ｐのチップ管Ｐａを溶断する
封止ヒータ２７を備えている。
【００１７】つぎに、前記ＰＤＰの処理設備の操業方法
を説明する。まず、あらかじめ表面ガラス基板と背面ガ
ラス基板とを接着処理により一体化したチップ管付ＰＤ
Ｐ組立体Ｐを積込・積卸しステーションＳで排気カート
１５に積込む。
を説明する。まず、あらかじめ表面ガラス基板と背面ガ
ラス基板とを接着処理により一体化したチップ管付ＰＤ
Ｐ組立体Ｐを積込・積卸しステーションＳで排気カート
１５に積込む。
【００１８】この場合、各ＰＤＰ組立体Ｐは前記横架材
１９上にパネルサポート２１の当て部材２１ａで支持さ
れた状態でほぼ垂直状態でカート巾方向に載置され、各
チップ管Ｐａを前記接管金具２５に接続するとともに封
止ヒータ２７を各チップ管Ｐａに取り付ける。
１９上にパネルサポート２１の当て部材２１ａで支持さ
れた状態でほぼ垂直状態でカート巾方向に載置され、各
チップ管Ｐａを前記接管金具２５に接続するとともに封
止ヒータ２７を各チップ管Ｐａに取り付ける。
【００１９】前述のように、複数のＰＤＰ組立体Ｐが排
気カート１５に載積されると、前記開閉弁Ｖ1を開とし
て各ＰＤＰ組立体Ｐ内を真空排気ポンプ２３に連通して
真空排気処理を開始する。排気カート１５は適宜手段で
レールＲ4を通って前記搬送台車１上に搭載され、その
後、搬送台車１はレールＲ1上を移動し、所定加熱炉Ｔ
前で停止する。そして、当該加熱炉Ｔの昇降扉４を開
き、前記排気カート１５を炉床下のレールＲ3により当
該加熱炉Ｔ内へ装入し昇降扉４を閉じる。したがって、
前記開口部３は殆ど排気カート１５の断熱部材２２で閉
鎖され、外気の炉内侵入は防止される。
気カート１５に載積されると、前記開閉弁Ｖ1を開とし
て各ＰＤＰ組立体Ｐ内を真空排気ポンプ２３に連通して
真空排気処理を開始する。排気カート１５は適宜手段で
レールＲ4を通って前記搬送台車１上に搭載され、その
後、搬送台車１はレールＲ1上を移動し、所定加熱炉Ｔ
前で停止する。そして、当該加熱炉Ｔの昇降扉４を開
き、前記排気カート１５を炉床下のレールＲ3により当
該加熱炉Ｔ内へ装入し昇降扉４を閉じる。したがって、
前記開口部３は殆ど排気カート１５の断熱部材２２で閉
鎖され、外気の炉内侵入は防止される。
【００２０】前述のようにして排気カート１５が炉内に
装入されると、前記加熱手段７、冷却手段を駆動して図
６に示すヒートカーブにしたがって昇温・均熱・徐冷
し、両ガラス基板から発生するガスとともにＰＤＰ組立
体Ｐ内を１０-4〜１０-7Ｔｏｒｒまで排気しつつ１００
〜１５０℃に冷却して排気処理が完了する。
装入されると、前記加熱手段７、冷却手段を駆動して図
６に示すヒートカーブにしたがって昇温・均熱・徐冷
し、両ガラス基板から発生するガスとともにＰＤＰ組立
体Ｐ内を１０-4〜１０-7Ｔｏｒｒまで排気しつつ１００
〜１５０℃に冷却して排気処理が完了する。
【００２１】排気処理が終了すると、加熱炉Ｔの昇降扉
４を開とし、前記搬送台車１上に排気カート１５を移載
させ、その後、搬送台車１は移動して積込・積卸しステ
ーションＳに至り、ここで排気カート１５は搬送台車１
から引出される。
４を開とし、前記搬送台車１上に排気カート１５を移載
させ、その後、搬送台車１は移動して積込・積卸しステ
ーションＳに至り、ここで排気カート１５は搬送台車１
から引出される。
【００２２】そして、前記ＰＤＰ組立体Ｐが約５０℃に
冷却されると、真空排気ポンプ２３の駆動を停止すると
ともに前記開閉弁Ｖ1を閉、開閉弁Ｖ2を開にして放電ガ
スボンベ２４から、たとえば、ネオン、キセノンあるい
はアルゴン等の放電ガスをＰＤＰ組立体Ｐ内に規定圧力
（４００〜７６０Ｔｏｒｒ）まで封入する。前記放電ガ
スの封入が完了すると、封止ヒータ２７に通電してチッ
プ管Ｐａを封じ切り、所定のＰＤＰとして所定場所に搬
送することになる。
冷却されると、真空排気ポンプ２３の駆動を停止すると
ともに前記開閉弁Ｖ1を閉、開閉弁Ｖ2を開にして放電ガ
スボンベ２４から、たとえば、ネオン、キセノンあるい
はアルゴン等の放電ガスをＰＤＰ組立体Ｐ内に規定圧力
（４００〜７６０Ｔｏｒｒ）まで封入する。前記放電ガ
スの封入が完了すると、封止ヒータ２７に通電してチッ
プ管Ｐａを封じ切り、所定のＰＤＰとして所定場所に搬
送することになる。
【００２３】なお、排気カート１５から処理済のＰＤＰ
を積卸すと、新たなＰＤＰ組立体Ｐを積込んで前述の工
程を繰り返すが、加熱炉Ｔは並列に複数基配設されてい
るため、順次、異なる加熱炉Ｔへ装入し、また加熱炉Ｔ
から抽出を行なうことにより、連続炉で処理するのと同
様効率よく作業を進めることができる。また、積込・積
卸しステーションＳを走行路Ｒ1の両端に設けてより効
率的に操業することもできる。
を積卸すと、新たなＰＤＰ組立体Ｐを積込んで前述の工
程を繰り返すが、加熱炉Ｔは並列に複数基配設されてい
るため、順次、異なる加熱炉Ｔへ装入し、また加熱炉Ｔ
から抽出を行なうことにより、連続炉で処理するのと同
様効率よく作業を進めることができる。また、積込・積
卸しステーションＳを走行路Ｒ1の両端に設けてより効
率的に操業することもできる。
【００２４】前記の操業方法は、既に両ガラス基板を封
着処理により一体化したチップ管Ｐａ付ＰＤＰ組立体Ｐ
の排気処理であるが、ガラス基板の封着処理に引き続い
て排気処理をする場合について説明する。
着処理により一体化したチップ管Ｐａ付ＰＤＰ組立体Ｐ
の排気処理であるが、ガラス基板の封着処理に引き続い
て排気処理をする場合について説明する。
【００２５】まず、ＰＤＰ組立体Ｐは、図７に示すよう
に、表面ガラス基板Ｗ1とチップ管Ｐａ付背面ガラス基
板Ｗ2とのいずれか一方の対向する外縁部に、複合系低
融点ガラス（ＰｂＯ・Ｂ2Ｏ3系低融点ガラス粉末と特殊
セラミック粉末とを混合したもの）に、合成樹脂バイン
ダを溶剤に溶解したビークルを加えて混練した封着剤Ｓ
を塗布して重ね合わせ、クリップ等の治具Ｋにより一体
に固定したものである。図に示すものは、チップ管Ｐａ
部分に適用する治具Ｋで、チップ管Ｐａ側の一片ａにチ
ップ管Ｐａの径より少し大径の長孔ｂを設け、この長孔
ｂ内にチップ管Ｐａを位置させた状態で、貫通孔ｃを有
する保持部材ｄを嵌合させることでチップ管Ｐａを支持
するようにしたものである。なお、チップ管Ｐａ支持方
法は前記保持部材ｄに限らず、他の構成としてもよい。
また、ＰＤＰ組立体Ｐを構成するガラス基板Ｗ1，Ｗ2の
いずれかに、あらかじめリブ等を形成してある。さら
に、チップ管Ｐａ以外の部分を固定するクリップには前
記長孔ｂは不必要である。
に、表面ガラス基板Ｗ1とチップ管Ｐａ付背面ガラス基
板Ｗ2とのいずれか一方の対向する外縁部に、複合系低
融点ガラス（ＰｂＯ・Ｂ2Ｏ3系低融点ガラス粉末と特殊
セラミック粉末とを混合したもの）に、合成樹脂バイン
ダを溶剤に溶解したビークルを加えて混練した封着剤Ｓ
を塗布して重ね合わせ、クリップ等の治具Ｋにより一体
に固定したものである。図に示すものは、チップ管Ｐａ
部分に適用する治具Ｋで、チップ管Ｐａ側の一片ａにチ
ップ管Ｐａの径より少し大径の長孔ｂを設け、この長孔
ｂ内にチップ管Ｐａを位置させた状態で、貫通孔ｃを有
する保持部材ｄを嵌合させることでチップ管Ｐａを支持
するようにしたものである。なお、チップ管Ｐａ支持方
法は前記保持部材ｄに限らず、他の構成としてもよい。
また、ＰＤＰ組立体Ｐを構成するガラス基板Ｗ1，Ｗ2の
いずれかに、あらかじめリブ等を形成してある。さら
に、チップ管Ｐａ以外の部分を固定するクリップには前
記長孔ｂは不必要である。
【００２６】前述のように構成したＰＤＰ組立体Ｐを前
述のように排気カート１５に積込み、前述と同様にして
加熱炉Ｔに装入し、図８に示すヒートカーブにしたがっ
て昇温・均熱・徐冷するものである。すなわち、炉内を
封着処理温度である４００〜４７０℃に昇温して封着剤
を溶融して両ガラス基板Ｗ1，Ｗ2を封着する。その後は
前述の処理と同一工程を行なうものである。
述のように排気カート１５に積込み、前述と同様にして
加熱炉Ｔに装入し、図８に示すヒートカーブにしたがっ
て昇温・均熱・徐冷するものである。すなわち、炉内を
封着処理温度である４００〜４７０℃に昇温して封着剤
を溶融して両ガラス基板Ｗ1，Ｗ2を封着する。その後は
前述の処理と同一工程を行なうものである。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、搬送台車の走行路に沿って、炉床の炉長方向に
開口部を有するとともに加熱手段と冷却手段とを備えた
バッチ式加熱炉を、前記開口部が走行路と直交するよう
に並列に複数基配設させ、前記開口部を塞ぐ断熱部材と
ＰＤＰ組立体を載置する保持部材および真空排気系、放
電ガス供給系等を備えた排気カートを前記搬送台車で所
定バッチ式加熱炉前に移動させ、その後、排気カートを
バッチ式加熱炉に装入・抽出するものである。
よれば、搬送台車の走行路に沿って、炉床の炉長方向に
開口部を有するとともに加熱手段と冷却手段とを備えた
バッチ式加熱炉を、前記開口部が走行路と直交するよう
に並列に複数基配設させ、前記開口部を塞ぐ断熱部材と
ＰＤＰ組立体を載置する保持部材および真空排気系、放
電ガス供給系等を備えた排気カートを前記搬送台車で所
定バッチ式加熱炉前に移動させ、その後、排気カートを
バッチ式加熱炉に装入・抽出するものである。
【００２８】このように、各バッチ式加熱炉には加熱手
段と冷却手段とを備えているので、ＰＤＰ組立体が未封
着のものであっても封着済のものであっても対処でき、
しかもバッチ式加熱炉は並列に複数基設置されているた
め、バッチ式でありながら連続的にＰＤＰ組立体を処理
することができる。
段と冷却手段とを備えているので、ＰＤＰ組立体が未封
着のものであっても封着済のものであっても対処でき、
しかもバッチ式加熱炉は並列に複数基設置されているた
め、バッチ式でありながら連続的にＰＤＰ組立体を処理
することができる。
【００２９】しかも、ＰＤＰ組立体はバッチ式加熱炉内
でセットされるのでなく、炉外のステーションで予め排
気カートにセットし、かつ、最終冷却、放電ガス供給と
チップ管の封じ切り作業は炉外で行なうため、その間に
つぎのＰＤＰ組立体の処理を開始できて炉の操業効率が
よく、生産量は従来のバッチ式加熱炉に比べ約２０％向
上した。また、炉の冷却も１００〜１５０℃でよく、炉
体の加熱・冷却熱量を１２．５〜２５％低減できた。
でセットされるのでなく、炉外のステーションで予め排
気カートにセットし、かつ、最終冷却、放電ガス供給と
チップ管の封じ切り作業は炉外で行なうため、その間に
つぎのＰＤＰ組立体の処理を開始できて炉の操業効率が
よく、生産量は従来のバッチ式加熱炉に比べ約２０％向
上した。また、炉の冷却も１００〜１５０℃でよく、炉
体の加熱・冷却熱量を１２．５〜２５％低減できた。
【００３０】また、連続式加熱炉で少量多品種のＰＤＰ
組立体を処理する場合、処理条件の変更は、先行するＰ
ＤＰ組立体の最終品の処理終了後であり、待機時間のロ
スが大きいが、本発明では、複数のバッチ式加熱炉を使
用するため、容易に処理条件の変更が可能である。
組立体を処理する場合、処理条件の変更は、先行するＰ
ＤＰ組立体の最終品の処理終了後であり、待機時間のロ
スが大きいが、本発明では、複数のバッチ式加熱炉を使
用するため、容易に処理条件の変更が可能である。
【００３１】さらに、連続式加熱炉において、排気カー
トが炉内で事故を起こすと、炉の操業を停止して修理す
る必要があるが、本発明では、複数のバッチ式加熱炉を
使用するため、該炉のみの操業停止でよく、メンテナン
スが容易で、かつ、炉の操業を全面的に停止する必要は
なく、生産性の低下を最小限にとどめることができると
いう効果を有する。
トが炉内で事故を起こすと、炉の操業を停止して修理す
る必要があるが、本発明では、複数のバッチ式加熱炉を
使用するため、該炉のみの操業停止でよく、メンテナン
スが容易で、かつ、炉の操業を全面的に停止する必要は
なく、生産性の低下を最小限にとどめることができると
いう効果を有する。
【図１】 本発明にかかるプラズマディスプレイパネル
の処理設備の平面図。
の処理設備の平面図。
【図２】 図１のバッチ式加熱炉の断面図。
【図３】 図１のIII−III線拡大断面図。
【図４】 図２の部分詳細拡大断面図。
【図５】 図３の部分詳細拡大断面図。
【図６】 ヒートカーブ。
【図７】 ＰＤＰ組立体の説明用部分断面図。
【図８】 ヒートカーブ。
１…搬送台車、２…炉床、３…開口部、４…昇降扉、５
…循環バッフル、６…循環路、７…加熱手段、８…循環
ファン、１５…排気カート、１７…支柱部、２２…断熱
部材、２３…真空排気ポンプ、２４…放電ガスボンベ、
２５…接管金具、２７…封止ヒータ、Ｐ…チップ管付プ
ラズマディスプレイパネル組立体、Ｐａ…チップ管、Ｒ
1…走行路（レール）、Ｒ2，Ｒ3…レール、Ｓ…積込・
積卸し兼放電ガス封入・封じ切りステーション、Ｔ…バ
ッチ式加熱炉。
…循環バッフル、６…循環路、７…加熱手段、８…循環
ファン、１５…排気カート、１７…支柱部、２２…断熱
部材、２３…真空排気ポンプ、２４…放電ガスボンベ、
２５…接管金具、２７…封止ヒータ、Ｐ…チップ管付プ
ラズマディスプレイパネル組立体、Ｐａ…チップ管、Ｒ
1…走行路（レール）、Ｒ2，Ｒ3…レール、Ｓ…積込・
積卸し兼放電ガス封入・封じ切りステーション、Ｔ…バ
ッチ式加熱炉。
Claims (1)
- 【請求項１】 搬送台車の走行路に沿って、炉床の炉長
方向に開口部を有するとともに加熱手段と冷却手段とを
備えたバッチ式加熱炉を前記開口部が前記走行路と直交
するように並列に複数基配設するとともに、前記搬送台
車上に前記走行路と直交して移動するように排気カート
を搭載し、この排気カートが複数の一体化したチップ管
付プラズマディスプレイパネル組立体を保持する保持部
材と、この保持部材に取り付けた断熱部材と、真空排気
系と放電ガス供給系とに切換可能な配管に接続されて前
記チップ管に接続される接管金具とから構成され、前記
チップ管付プラズマディスプレイパネル組立体の加熱処
理時に排気カートが前進し前記断熱部材が前記開口部に
位置して当該開口部を塞ぐようにしたことを特徴とする
プラズマディスプレイパネルの処理設備。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11038703A JP2000243295A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | プラズマディスプレイパネルの処理設備 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11038703A JP2000243295A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | プラズマディスプレイパネルの処理設備 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243295A true JP2000243295A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12532686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11038703A Pending JP2000243295A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | プラズマディスプレイパネルの処理設備 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000243295A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002173331A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Chugai Ro Co Ltd | ガラスパネルのカート式処理設備 |
-
1999
- 1999-02-17 JP JP11038703A patent/JP2000243295A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002173331A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Chugai Ro Co Ltd | ガラスパネルのカート式処理設備 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050802 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071031 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080715 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081202 |