JP2000243679A - レジスト塗布装置およびベーキング装置 - Google Patents
レジスト塗布装置およびベーキング装置Info
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- JP2000243679A JP2000243679A JP11038907A JP3890799A JP2000243679A JP 2000243679 A JP2000243679 A JP 2000243679A JP 11038907 A JP11038907 A JP 11038907A JP 3890799 A JP3890799 A JP 3890799A JP 2000243679 A JP2000243679 A JP 2000243679A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェハ上に塗布されたレジスト膜の膜厚均一性
の調整の自由度が大きく、さらなる膜厚均一性の向上が
可能なレジスト塗布装置およびベーキング装置を提供す
る。 【解決手段】水平に保持されたウェハWにレジストRを
滴下し、ウェハWを回転させて当該ウェハW上にレジス
ト膜を形成するレジスト塗布装置であって、ウェハのレ
ジスト塗布面の裏面側からウェハWに塗布されたレジス
トRの温度を調節する温度調節手段としてのヒータ部4
0および温度調節部11を有する。
の調整の自由度が大きく、さらなる膜厚均一性の向上が
可能なレジスト塗布装置およびベーキング装置を提供す
る。 【解決手段】水平に保持されたウェハWにレジストRを
滴下し、ウェハWを回転させて当該ウェハW上にレジス
ト膜を形成するレジスト塗布装置であって、ウェハのレ
ジスト塗布面の裏面側からウェハWに塗布されたレジス
トRの温度を調節する温度調節手段としてのヒータ部4
0および温度調節部11を有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば、ウェハ
上にレジストを塗布するレジスト塗布装置およびウェハ
に塗布されたレジストを加熱処理するベーキング装置に
関する。
上にレジストを塗布するレジスト塗布装置およびウェハ
に塗布されたレジストを加熱処理するベーキング装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】スピンコータと呼ばれる、水平にしたウ
ェハ上にレジストを滴下し、このウェハを回転させるこ
とにより、ウェハ上にレジスト膜を形成するレジスト塗
布装置では、レジスト膜の膜厚の均一性に影響を与える
要素としては、レジスト材料の他に、たとえば、ウェハ
上に滴下するレジストの温度、スピンコータのスピンカ
ップ内の温度および湿度、スピンカップの排気量、レジ
ストを塗布する際のプロセスシーケンス等がある。これ
らの各要素を調整することで、ウェハ上のレジスト膜の
均一性を改善することができる。
ェハ上にレジストを滴下し、このウェハを回転させるこ
とにより、ウェハ上にレジスト膜を形成するレジスト塗
布装置では、レジスト膜の膜厚の均一性に影響を与える
要素としては、レジスト材料の他に、たとえば、ウェハ
上に滴下するレジストの温度、スピンコータのスピンカ
ップ内の温度および湿度、スピンカップの排気量、レジ
ストを塗布する際のプロセスシーケンス等がある。これ
らの各要素を調整することで、ウェハ上のレジスト膜の
均一性を改善することができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、装置に
よっては、装置仕様や構成上の問題から、上記各調整要
素を調整できない場合もある。たとえば、レジストを複
数種類使用する条件下では、レジスト温度を制御する温
調器が全てのレジストに対して一つしかない場合もあ
る。このような場合には、各レジストを供給する各ノズ
ル系統の設定温度は同じとなり、設定するレジスト温度
は各レジスト膜の膜厚均一性の最大値と最小値のときの
温度の中間値とする。このため、膜厚均一性は全体的に
悪化することから、他の調整要素で膜厚均一性を向上さ
せる必要がある。また、たとえば、スピンカップの排気
量の場合も同様に、レジストの種類別に排気量が自動調
整される排気システムをスピンコータが備えている場合
には問題ないが、そうでない場合には、上記と同様に、
各レジスト膜の膜厚均一性の最大値と最小値のときの排
気量の中間値とする必要がある。以上のように、レジス
ト膜の膜厚均一性を改善する調整要素が複数あっても、
装置の仕様上の問題で調整できない調整要素が存在する
と、他の調整要素で補う必要があり、調整可能な調整要
素が多いほど膜厚均一性の向上を図ることができる。ま
た、上記した各調整要素だけでは、膜厚均一性の向上が
十分でない場合もある。
よっては、装置仕様や構成上の問題から、上記各調整要
素を調整できない場合もある。たとえば、レジストを複
数種類使用する条件下では、レジスト温度を制御する温
調器が全てのレジストに対して一つしかない場合もあ
る。このような場合には、各レジストを供給する各ノズ
ル系統の設定温度は同じとなり、設定するレジスト温度
は各レジスト膜の膜厚均一性の最大値と最小値のときの
温度の中間値とする。このため、膜厚均一性は全体的に
悪化することから、他の調整要素で膜厚均一性を向上さ
せる必要がある。また、たとえば、スピンカップの排気
量の場合も同様に、レジストの種類別に排気量が自動調
整される排気システムをスピンコータが備えている場合
には問題ないが、そうでない場合には、上記と同様に、
各レジスト膜の膜厚均一性の最大値と最小値のときの排
気量の中間値とする必要がある。以上のように、レジス
ト膜の膜厚均一性を改善する調整要素が複数あっても、
装置の仕様上の問題で調整できない調整要素が存在する
と、他の調整要素で補う必要があり、調整可能な調整要
素が多いほど膜厚均一性の向上を図ることができる。ま
た、上記した各調整要素だけでは、膜厚均一性の向上が
十分でない場合もある。
【0004】本発明は、上述した問題に鑑みてなされた
ものであって、ウェハ上に塗布されたレジスト膜の膜厚
均一性の調整の自由度が大きく、さらなる膜厚均一性の
向上が可能なレジスト塗布装置およびベーキング装置を
提供することを目的とする。
ものであって、ウェハ上に塗布されたレジスト膜の膜厚
均一性の調整の自由度が大きく、さらなる膜厚均一性の
向上が可能なレジスト塗布装置およびベーキング装置を
提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト塗布装
置は、水平に保持されたウェハにレジストを滴下し、前
記ウェハを回転させて当該ウェハ上にレジスト膜を形成
するレジスト塗布装置であって、前記ウェハのレジスト
塗布面の裏面側から前記ウェハに塗布されたレジストの
温度を調節する温度調節手段を有する。
置は、水平に保持されたウェハにレジストを滴下し、前
記ウェハを回転させて当該ウェハ上にレジスト膜を形成
するレジスト塗布装置であって、前記ウェハのレジスト
塗布面の裏面側から前記ウェハに塗布されたレジストの
温度を調節する温度調節手段を有する。
【0006】本発明のレジスト塗布装置では、温度調節
手段によってウェハを通じてウェハに塗布されたレジス
トの温度が調整され、ウェハに塗布されたレジスト膜の
膜厚均一性の制御が可能になる。
手段によってウェハを通じてウェハに塗布されたレジス
トの温度が調整され、ウェハに塗布されたレジスト膜の
膜厚均一性の制御が可能になる。
【0007】前記温度調節手段は、前記ウェハの裏面側
に設けられた電熱ヒータである。
に設けられた電熱ヒータである。
【0008】前記電熱ヒータは、複数の電熱ヒータから
なり、それぞれ独立に温度調整される。複数の電熱ヒー
タを設けてそれぞれ独立に温度調整することにより、ウ
ェハ面内で塗布されたレジストの温度分布を任意の温度
分布とすることができ、レジスト膜の膜厚均一性をより
精度良く制御可能となる。
なり、それぞれ独立に温度調整される。複数の電熱ヒー
タを設けてそれぞれ独立に温度調整することにより、ウ
ェハ面内で塗布されたレジストの温度分布を任意の温度
分布とすることができ、レジスト膜の膜厚均一性をより
精度良く制御可能となる。
【0009】前記ウェハの裏面側の中心部を吸着保持
し、当該ウェハを回転させるスピンチャックを有し、前
記複数の電熱ヒータは、前記スピンチャックを中心に同
心円上に配置されている。
し、当該ウェハを回転させるスピンチャックを有し、前
記複数の電熱ヒータは、前記スピンチャックを中心に同
心円上に配置されている。
【0010】前記電熱ヒータは、保護カバーによって囲
まれている。
まれている。
【0011】前記温度調節手段は、前記ウェハの裏面側
に設けられた温度調節された液体が供給、循環する温度
調節用容器からなる。
に設けられた温度調節された液体が供給、循環する温度
調節用容器からなる。
【0012】前記ウェハの裏面側の中心部を吸着保持
し、当該ウェハを回転させるスピンチャックを有し、前
記複数の電熱ヒータは、前記スピンチャックを中心に同
心円上に配置され、かつ、各電熱ヒータは周方向に分割
されており、それぞれ独立に温度調整される。
し、当該ウェハを回転させるスピンチャックを有し、前
記複数の電熱ヒータは、前記スピンチャックを中心に同
心円上に配置され、かつ、各電熱ヒータは周方向に分割
されており、それぞれ独立に温度調整される。
【0013】前記ウェハの周囲を囲い込むスピンカップ
を有し、前記スピンカップ内の温度および湿度を調整し
た雰囲気を供給するカップ内温湿度調整手段と、前記ウ
ェハ上に滴下されるレジストの温度を調節するレジスト
温度調節手段と、前記スピンカップ内の排気量を調整す
るカップ排気量調整手段とをさらに有する。
を有し、前記スピンカップ内の温度および湿度を調整し
た雰囲気を供給するカップ内温湿度調整手段と、前記ウ
ェハ上に滴下されるレジストの温度を調節するレジスト
温度調節手段と、前記スピンカップ内の排気量を調整す
るカップ排気量調整手段とをさらに有する。
【0014】本発明のベーキング装置は、レジストが塗
布されたウェハのレジスト塗布面の裏面側から前記ウェ
ハを加熱処理するベーキング装置であって、前記ウェハ
の裏面内で任意の温度分布を形成可能な加熱手段を有す
る。
布されたウェハのレジスト塗布面の裏面側から前記ウェ
ハを加熱処理するベーキング装置であって、前記ウェハ
の裏面内で任意の温度分布を形成可能な加熱手段を有す
る。
【0015】前記加熱手段は、複数の電熱ヒータからな
り、各電熱ヒータはそれぞれ独立に温度調整される。
り、各電熱ヒータはそれぞれ独立に温度調整される。
【0016】本発明のベーキング装置では、レジストが
塗布されたウェハを脱水ベーク、現像前ベーク、プリベ
ークまたはポストベークする際に、ウェハ面内における
レジスト膜の温度分布を任意に形成することができ、膜
厚均一性を制御可能となる。
塗布されたウェハを脱水ベーク、現像前ベーク、プリベ
ークまたはポストベークする際に、ウェハ面内における
レジスト膜の温度分布を任意に形成することができ、膜
厚均一性を制御可能となる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。第1実施形態 図1は、本発明の一実施形態に係るレジスト塗布ユニッ
トの構成図である。図1において、レジスト塗布ユニッ
ト1は、基台2上に設けられたスピンカップ3と、レジ
スト塗布機構4と、温度調節部11、カップ内温湿度調
整部12、カップ排気量調整部13、レジスト温度調節
部14とを有している。
て図面を参照して説明する。第1実施形態 図1は、本発明の一実施形態に係るレジスト塗布ユニッ
トの構成図である。図1において、レジスト塗布ユニッ
ト1は、基台2上に設けられたスピンカップ3と、レジ
スト塗布機構4と、温度調節部11、カップ内温湿度調
整部12、カップ排気量調整部13、レジスト温度調節
部14とを有している。
【0018】スピンカップ3内には、ウェハWを吸着保
持し、ウェハWを回転させるスピンチャック31と、ウ
ェハWの下面側からウェハW上に塗布されるレジストの
温度を調整するヒータ部40とが設けられている。スピ
ンチャック31は、回転軸31aと吸着部31bとを有
しており、吸着部31bはウェハWを回転軸31a内に
形成された管路を通じて真空吸着し、この状態で回転軸
31aが駆動する。これにより、吸着保持されたウェハ
Wは、回転する。
持し、ウェハWを回転させるスピンチャック31と、ウ
ェハWの下面側からウェハW上に塗布されるレジストの
温度を調整するヒータ部40とが設けられている。スピ
ンチャック31は、回転軸31aと吸着部31bとを有
しており、吸着部31bはウェハWを回転軸31a内に
形成された管路を通じて真空吸着し、この状態で回転軸
31aが駆動する。これにより、吸着保持されたウェハ
Wは、回転する。
【0019】ここで、図2は上記したヒータ部40の周
辺の構造を示す断面図であり、図3は図2の上面図であ
る。図2および図3に示すように、ヒータ部40は複数
の電熱ヒータ41a〜41cを有しており、電熱ヒータ
41a〜41cはスピンチャック31を中心に同心円上
に配置されている。電熱ヒータ41a〜41cは、レジ
スト塗布の際に使用する溶剤等の影響を回避するために
保護用ヒータボックス52内に収容されている。また、
各電熱ヒータ41a〜41cは、それぞれ温度調節部1
1に電気的に接続されている。温度調節部11は、各電
熱ヒータ41a〜41cの加熱温度をそれぞれ独立に制
御する。また、ウェハWの下面側の外周に配設されたノ
ズル51は、ウェハWの端部が各工程で位置決め部など
と接触する場合に、レジストの欠けなどにより発塵する
ことがあるが、これを防止するためウェハの周辺部のレ
ジストを溶剤により取り除く、いわゆるエッジリンス用
の溶剤供給ノズルである。
辺の構造を示す断面図であり、図3は図2の上面図であ
る。図2および図3に示すように、ヒータ部40は複数
の電熱ヒータ41a〜41cを有しており、電熱ヒータ
41a〜41cはスピンチャック31を中心に同心円上
に配置されている。電熱ヒータ41a〜41cは、レジ
スト塗布の際に使用する溶剤等の影響を回避するために
保護用ヒータボックス52内に収容されている。また、
各電熱ヒータ41a〜41cは、それぞれ温度調節部1
1に電気的に接続されている。温度調節部11は、各電
熱ヒータ41a〜41cの加熱温度をそれぞれ独立に制
御する。また、ウェハWの下面側の外周に配設されたノ
ズル51は、ウェハWの端部が各工程で位置決め部など
と接触する場合に、レジストの欠けなどにより発塵する
ことがあるが、これを防止するためウェハの周辺部のレ
ジストを溶剤により取り除く、いわゆるエッジリンス用
の溶剤供給ノズルである。
【0020】レジスト塗布機構4は、先端にレジストを
ウェハW上に供給するレジスト供給ノズル5aが設けら
れたレジスト供給管5と、レジスト供給管5を保持する
アーム6と、アーム6のx軸およびy軸方向の移動を行
うxyテーブル7と、xyテーブル7を保持するシリン
ダ軸8のz軸方向の移動およびθ方向の回転を行う回転
リフト9と、レジストRを供給する図示しないレジスト
供給装置と、レジスト供給装置から供給されるレジスト
Rの温度を調整してレジスト供給管5に当該レジストR
を供給するレジスト温度調節部14とを有している。
ウェハW上に供給するレジスト供給ノズル5aが設けら
れたレジスト供給管5と、レジスト供給管5を保持する
アーム6と、アーム6のx軸およびy軸方向の移動を行
うxyテーブル7と、xyテーブル7を保持するシリン
ダ軸8のz軸方向の移動およびθ方向の回転を行う回転
リフト9と、レジストRを供給する図示しないレジスト
供給装置と、レジスト供給装置から供給されるレジスト
Rの温度を調整してレジスト供給管5に当該レジストR
を供給するレジスト温度調節部14とを有している。
【0021】レジスト供給ノズル5aは、たとえば、ス
テンレスやテフロン樹脂等の材料から形成され、レジス
トのばた落ち防止やサックバック特性の向上の観点か
ら、形状、内径、外径等に種々の工夫が施されている。
レジスト温度調節部14にレジストRを供給する図示し
ないレジスト供給装置は、たとえば、レジストRを精密
かつ再現性よく滴下するために、いわゆるダイヤフラム
ポンプと呼ばれる空気圧制御ポンプを有するものを使用
することができる。
テンレスやテフロン樹脂等の材料から形成され、レジス
トのばた落ち防止やサックバック特性の向上の観点か
ら、形状、内径、外径等に種々の工夫が施されている。
レジスト温度調節部14にレジストRを供給する図示し
ないレジスト供給装置は、たとえば、レジストRを精密
かつ再現性よく滴下するために、いわゆるダイヤフラム
ポンプと呼ばれる空気圧制御ポンプを有するものを使用
することができる。
【0022】レジスト温度調節部14は、上記のレジス
ト供給装置から供給されるレジストRを、たとえば、シ
ーケンスプログラムによって規定された温度に制御し、
これをレジスト供給管5に供給する。
ト供給装置から供給されるレジストRを、たとえば、シ
ーケンスプログラムによって規定された温度に制御し、
これをレジスト供給管5に供給する。
【0023】アーム6は、L字状に形成され、水平に延
びる水平部によってレジスト供給管5を支持していると
ともに、xyテーブル7上に固定されている。xyテー
ブル7は、たとえば、x軸およびy軸方向に移動可能に
保持されたテーブルにx軸およびy軸方向にそれぞれ螺
合された送りネジ軸を駆動モータによって回転させるこ
とによって、x軸およびy軸方向の任意の位置に位置決
めされる。回転リフト9は、たとえば、高圧エア等によ
って駆動され、シリンダ軸8のz軸方向の移動およびθ
方向の回転を行う。xyテーブル7および回転リフト9
の制御は、図示しない制御装置によって行われ、レジス
ト供給ノズル5aは、スピンカップ3内のスピンチャッ
ク31に装着されたウェハWの上方の任意の位置に移動
位置決めされる。
びる水平部によってレジスト供給管5を支持していると
ともに、xyテーブル7上に固定されている。xyテー
ブル7は、たとえば、x軸およびy軸方向に移動可能に
保持されたテーブルにx軸およびy軸方向にそれぞれ螺
合された送りネジ軸を駆動モータによって回転させるこ
とによって、x軸およびy軸方向の任意の位置に位置決
めされる。回転リフト9は、たとえば、高圧エア等によ
って駆動され、シリンダ軸8のz軸方向の移動およびθ
方向の回転を行う。xyテーブル7および回転リフト9
の制御は、図示しない制御装置によって行われ、レジス
ト供給ノズル5aは、スピンカップ3内のスピンチャッ
ク31に装着されたウェハWの上方の任意の位置に移動
位置決めされる。
【0024】カップ内温湿度調整部12は、たとえば、
恒温機能および恒湿機能を有するクリーンベンチから構
成されており、所定の温度および湿度に調整されたエア
Gをスピンカップ3内に供給するとともに、その供給量
も調整可能となっている。なお、温度および湿度は、予
め用意されたシーケンスプログラムによって規定されて
いる。
恒温機能および恒湿機能を有するクリーンベンチから構
成されており、所定の温度および湿度に調整されたエア
Gをスピンカップ3内に供給するとともに、その供給量
も調整可能となっている。なお、温度および湿度は、予
め用意されたシーケンスプログラムによって規定されて
いる。
【0025】カップ排気量調整部13は、スピンカップ
3内の空気Gの排気量を制御する。具体的には、たとえ
ば、スピンカップ3に形成された排気口の開閉量を制御
してエアGの排気量を調整する。なお、エアGの排気量
は、予め用意されたシーケンスプログラムによって規定
されている。
3内の空気Gの排気量を制御する。具体的には、たとえ
ば、スピンカップ3に形成された排気口の開閉量を制御
してエアGの排気量を調整する。なお、エアGの排気量
は、予め用意されたシーケンスプログラムによって規定
されている。
【0026】次に、上記構成のレジスト塗布ユニット1
の動作について説明する。まず、カップ内温湿度調整部
12からこれから塗布するレジストRの種類に応じて設
定された温度および湿度のエアGをスピンカップ3内に
供給する。これに加えて、カップ排気量調整部13によ
ってスピンカップ3からのエアGの排気量を塗布するレ
ジストRの種類に応じて設定された排気量に調整する。
の動作について説明する。まず、カップ内温湿度調整部
12からこれから塗布するレジストRの種類に応じて設
定された温度および湿度のエアGをスピンカップ3内に
供給する。これに加えて、カップ排気量調整部13によ
ってスピンカップ3からのエアGの排気量を塗布するレ
ジストRの種類に応じて設定された排気量に調整する。
【0027】次いで、スピンチャック31にチャッキン
グされたウェハWを設定された回転数で回転させるとと
もに、レジスト供給管5を保持するアーム6を駆動して
レジスト供給ノズル5aをウェハWの回転中心上に移動
する。
グされたウェハWを設定された回転数で回転させるとと
もに、レジスト供給管5を保持するアーム6を駆動して
レジスト供給ノズル5aをウェハWの回転中心上に移動
する。
【0028】一方、ウェハWの下部に設けられたヒータ
部40によって、予め用意されたシーケンスプログラム
にしたがって、ウェハWの面内で予め設定された温度分
布を形成する。たとえば、ウェハW上に供給されるレジ
スト温度調節部14によって温度調整されたレジストR
の温度が高くなるほど、ウェハWの中心部のレジスト膜
の膜厚が厚くなる場合を想定する。このような場合に、
たとえば、レジスト温度調節部14による温度調整に代
えて温度調節部11によってウェハW面内の温度分布を
中心部から周囲に向かって温度が下降する温度分布に調
整する。具体的には、ウェハWの中心部側に位置する電
熱ヒータ41aから外周に位置する電熱ヒータ41cに
向けて加熱温度が高くなるように、温度調節部11によ
って調整する。すなわち、ウェハWの中心部側に位置す
る電熱ヒータ41aから外周に位置する電熱ヒータ41
cに向けて温度勾配を形成する。
部40によって、予め用意されたシーケンスプログラム
にしたがって、ウェハWの面内で予め設定された温度分
布を形成する。たとえば、ウェハW上に供給されるレジ
スト温度調節部14によって温度調整されたレジストR
の温度が高くなるほど、ウェハWの中心部のレジスト膜
の膜厚が厚くなる場合を想定する。このような場合に、
たとえば、レジスト温度調節部14による温度調整に代
えて温度調節部11によってウェハW面内の温度分布を
中心部から周囲に向かって温度が下降する温度分布に調
整する。具体的には、ウェハWの中心部側に位置する電
熱ヒータ41aから外周に位置する電熱ヒータ41cに
向けて加熱温度が高くなるように、温度調節部11によ
って調整する。すなわち、ウェハWの中心部側に位置す
る電熱ヒータ41aから外周に位置する電熱ヒータ41
cに向けて温度勾配を形成する。
【0029】この状態で、所定速度で回転するウェハW
の中心部に、レジスト供給ノズル5aからレジストRを
所定量滴下する。ウェハW上に滴下されたレジストR
は、ウェハWの回転による遠心力によってウェハWの外
周に向けて広がり、ウェハW上にレジスト膜が形成され
る。このとき、ウェハWの中心部側の温度はウェハWの
外周側よりも低く、ウェハWの中心部側に存在するレジ
ストRは外周側よりも固化しにくい。このため、ウェハ
Wの中心部に滴下されたレジストRは、ウェハWの外周
に向けて広がる前に固化しにくく、ウェハWの中心部と
外周部とで固化するタイミングを調整することが可能と
なる。この結果、ウェハW上に形成されたレジスト膜の
膜厚均一性を制御でき、各電熱ヒータ41a〜41cに
よって形成する温度分布を調整することで、レジスト膜
の膜厚均一性を向上させることができる。
の中心部に、レジスト供給ノズル5aからレジストRを
所定量滴下する。ウェハW上に滴下されたレジストR
は、ウェハWの回転による遠心力によってウェハWの外
周に向けて広がり、ウェハW上にレジスト膜が形成され
る。このとき、ウェハWの中心部側の温度はウェハWの
外周側よりも低く、ウェハWの中心部側に存在するレジ
ストRは外周側よりも固化しにくい。このため、ウェハ
Wの中心部に滴下されたレジストRは、ウェハWの外周
に向けて広がる前に固化しにくく、ウェハWの中心部と
外周部とで固化するタイミングを調整することが可能と
なる。この結果、ウェハW上に形成されたレジスト膜の
膜厚均一性を制御でき、各電熱ヒータ41a〜41cに
よって形成する温度分布を調整することで、レジスト膜
の膜厚均一性を向上させることができる。
【0030】以上のように、本実施形態によれば、ウェ
ハWの下面側に温度調整が可能なヒータ部40を設けた
ことで、たとえば、レジスト温度調節部14の調整温度
が固定であってレジストRの種類毎に温度調整ができな
いような場合に、ヒータ部40および温度調整部11に
よってレジストRの温度調整が可能となって、レジスト
Rの種類毎に膜厚均一性の制御が可能となる。また、本
実施形態では、ヒータ部40に複数の電熱ヒータ41a
〜41cを設け、各電熱ヒータ41a〜41cをそれぞ
れ独立に温度制御可能な構成としたことで、レジストR
を塗布するウェハW面内で温度分布を任意に形成するこ
とが可能になり、レジスト膜の膜厚均一性のより精度良
く制御することができ、この結果、レジスト膜の膜厚均
一性を向上させることができる。さらに、本実施形態に
よれば、レジスト膜の膜厚の均一性に影響を与える要素
であるレジスト温度、カップ内排気量、カップ内温湿度
をそれぞれ調整するカップ内温湿度調整部12、カップ
排気量調整部13、レジスト温度制御部14に加えて、
ウェハW上に塗布されたレジスト膜の温度を直接制御可
能なヒータ部および温度制御部11を備えたことで、レ
ジスト膜の膜厚の均一性を調整するパラメータが増加
し、様々な調整要素の組合せによって調整の自由度が増
し、膜厚均一性の制御が可能になる。
ハWの下面側に温度調整が可能なヒータ部40を設けた
ことで、たとえば、レジスト温度調節部14の調整温度
が固定であってレジストRの種類毎に温度調整ができな
いような場合に、ヒータ部40および温度調整部11に
よってレジストRの温度調整が可能となって、レジスト
Rの種類毎に膜厚均一性の制御が可能となる。また、本
実施形態では、ヒータ部40に複数の電熱ヒータ41a
〜41cを設け、各電熱ヒータ41a〜41cをそれぞ
れ独立に温度制御可能な構成としたことで、レジストR
を塗布するウェハW面内で温度分布を任意に形成するこ
とが可能になり、レジスト膜の膜厚均一性のより精度良
く制御することができ、この結果、レジスト膜の膜厚均
一性を向上させることができる。さらに、本実施形態に
よれば、レジスト膜の膜厚の均一性に影響を与える要素
であるレジスト温度、カップ内排気量、カップ内温湿度
をそれぞれ調整するカップ内温湿度調整部12、カップ
排気量調整部13、レジスト温度制御部14に加えて、
ウェハW上に塗布されたレジスト膜の温度を直接制御可
能なヒータ部および温度制御部11を備えたことで、レ
ジスト膜の膜厚の均一性を調整するパラメータが増加
し、様々な調整要素の組合せによって調整の自由度が増
し、膜厚均一性の制御が可能になる。
【0031】変形例1 図4は、上述した実施形態のヒータ部40の変形例を示
す図である。図4に示すヒータ部は、スピンチャック3
1を中心に同心円上に複数の電熱ヒータ61a〜61c
を有しており、各電熱ヒータ61a〜61cは周方向に
4分割されている。分割された電熱ヒータ61a1〜6
1a4、61b1〜61b4および61c1〜61c4
の合計12個は、それぞれ独立に温度制御される。本実
施形態では、電熱ヒータ61a1〜61a4、61b1
〜61b4および61c1〜61c4をウェハWの半径
方向および周方向に配置する構成としたことにより、さ
らに豊富なバリエーションでウェハW面内の温度分布を
形成することができる。特に、上述した実施形態と比較
した場合に、ウェハWの中心部から外周部に向けて温度
勾配を形成することができるだけでなく、ウェハWの回
転方向についても温度勾配を形成することができ、レジ
スト膜の膜厚均一性のさらに緻密な制御が可能となる。
す図である。図4に示すヒータ部は、スピンチャック3
1を中心に同心円上に複数の電熱ヒータ61a〜61c
を有しており、各電熱ヒータ61a〜61cは周方向に
4分割されている。分割された電熱ヒータ61a1〜6
1a4、61b1〜61b4および61c1〜61c4
の合計12個は、それぞれ独立に温度制御される。本実
施形態では、電熱ヒータ61a1〜61a4、61b1
〜61b4および61c1〜61c4をウェハWの半径
方向および周方向に配置する構成としたことにより、さ
らに豊富なバリエーションでウェハW面内の温度分布を
形成することができる。特に、上述した実施形態と比較
した場合に、ウェハWの中心部から外周部に向けて温度
勾配を形成することができるだけでなく、ウェハWの回
転方向についても温度勾配を形成することができ、レジ
スト膜の膜厚均一性のさらに緻密な制御が可能となる。
【0032】第2実施形態 図5は、本発明の第2の実施形態に係るレジスト塗布装
置のヒータ部の構成を示す断面図である。図5におい
て、図示しないスピンカップ内には、ウェハWを吸着保
持し、ウェハWを回転させるスピンチャック31と、ウ
ェハWの下面側からウェハW上に塗布されるレジストの
温度を調整するヒータ部52とが設けられている。ヒー
タ部52は、温度調節された媒体L、たとえば、温水が
充填される内腔を有する収容ボックス53からなってお
り、収容ボックス53の供給部53aから温度調節され
た媒体Lが供給される。収容ボックス53内に供給され
た媒体Lは、収容ボックス53内を循環して排出部53
bから排出される。このような構成とすることにより、
ヒータ部52は、ウェハWを裏面側から媒体Lの温度に
相当する温度調節することができ、この結果、ウェハW
上に塗布されたレジスト膜の膜厚均一性を制御すること
が可能となる。なお、本実施形態では、ヒータ部52
は、ウェハW面内で均一の温度となるが、上述の実施形
態と同様に、ヒータ部52をたとえば、同心円上に複数
のヒータ部に分割し、それぞれ独立に温度調整された媒
体Lを各分割されたヒータ部に供給する構成とすること
も可能である。
置のヒータ部の構成を示す断面図である。図5におい
て、図示しないスピンカップ内には、ウェハWを吸着保
持し、ウェハWを回転させるスピンチャック31と、ウ
ェハWの下面側からウェハW上に塗布されるレジストの
温度を調整するヒータ部52とが設けられている。ヒー
タ部52は、温度調節された媒体L、たとえば、温水が
充填される内腔を有する収容ボックス53からなってお
り、収容ボックス53の供給部53aから温度調節され
た媒体Lが供給される。収容ボックス53内に供給され
た媒体Lは、収容ボックス53内を循環して排出部53
bから排出される。このような構成とすることにより、
ヒータ部52は、ウェハWを裏面側から媒体Lの温度に
相当する温度調節することができ、この結果、ウェハW
上に塗布されたレジスト膜の膜厚均一性を制御すること
が可能となる。なお、本実施形態では、ヒータ部52
は、ウェハW面内で均一の温度となるが、上述の実施形
態と同様に、ヒータ部52をたとえば、同心円上に複数
のヒータ部に分割し、それぞれ独立に温度調整された媒
体Lを各分割されたヒータ部に供給する構成とすること
も可能である。
【0033】第3実施形態 図6は、本発明に係るベーキング装置の一実施形態を示
す構成図である。ベーキング装置は、ウェハに塗布され
たレジストをレジスト塗布工程、または現像工程の前後
で加熱処理するための装置である。加熱処理工程とし
て、具体的には、たとえば、単一波長の光で露光した場
合の定在波効果によるレジストパターンの変形を軽減す
るため、露光後現像前に行う現像前ベークや、レジスト
処理の前処理として、レジストとウェハの密着性を強め
るために、水分を取り除くための脱水ベークや、ウェハ
上にレジストを塗布した後、レジスト膜中の残留溶剤の
蒸発とレジスト膜とウェハとの密着性の強化のために実
施するプリベークや、現像によるレジストパターンの形
成後、レジスト膜中または表面に残留した現像液、リン
ス液を蒸発除去し、レジストの硬化、ウェハとの密着性
強化を行うためのポストベークがある。これらの各加熱
処理工程では、レジスト膜の種類、レジスト膜の形成状
態等の条件に合わせてウェハを加熱する際の温度分布を
最適化することにより、レジスト膜の膜厚均一性を制御
し、膜厚均一性を向上することができる。
す構成図である。ベーキング装置は、ウェハに塗布され
たレジストをレジスト塗布工程、または現像工程の前後
で加熱処理するための装置である。加熱処理工程とし
て、具体的には、たとえば、単一波長の光で露光した場
合の定在波効果によるレジストパターンの変形を軽減す
るため、露光後現像前に行う現像前ベークや、レジスト
処理の前処理として、レジストとウェハの密着性を強め
るために、水分を取り除くための脱水ベークや、ウェハ
上にレジストを塗布した後、レジスト膜中の残留溶剤の
蒸発とレジスト膜とウェハとの密着性の強化のために実
施するプリベークや、現像によるレジストパターンの形
成後、レジスト膜中または表面に残留した現像液、リン
ス液を蒸発除去し、レジストの硬化、ウェハとの密着性
強化を行うためのポストベークがある。これらの各加熱
処理工程では、レジスト膜の種類、レジスト膜の形成状
態等の条件に合わせてウェハを加熱する際の温度分布を
最適化することにより、レジスト膜の膜厚均一性を制御
し、膜厚均一性を向上することができる。
【0034】図6において、ホットプレート部70内に
は、複数の電熱ヒータ71a〜71fが内蔵されてい
る。これら各電熱ヒータ71a〜71fには、温度調整
部76と電気的に接続されている。温度調整部76は、
各電熱ヒータ71a〜71fをそれぞれ独立に温度調整
可能となっている。ホットプレート部70の上面70a
上には、上面70aとウェハWとの裏面の間に所定量の
ギャップを形成するためのギャップピン73が設けられ
ており、このギャップピン73上にウェハWが載置され
る。
は、複数の電熱ヒータ71a〜71fが内蔵されてい
る。これら各電熱ヒータ71a〜71fには、温度調整
部76と電気的に接続されている。温度調整部76は、
各電熱ヒータ71a〜71fをそれぞれ独立に温度調整
可能となっている。ホットプレート部70の上面70a
上には、上面70aとウェハWとの裏面の間に所定量の
ギャップを形成するためのギャップピン73が設けられ
ており、このギャップピン73上にウェハWが載置され
る。
【0035】上記構成のベーキング装置では、各電熱ヒ
ータ71a〜71fによってウェハW面内の温度分布が
任意に形成され、この状態のベーキング装置にレジスト
が塗布されたウェハWが載置され、現像前ベーク、脱水
ベーク、プリベーク、ポストベーク等の加熱処理におい
て、ウェハW面内で最適な温度分布を形成することが可
能となり、レジスト膜の膜厚均一性を向上させることが
できる。
ータ71a〜71fによってウェハW面内の温度分布が
任意に形成され、この状態のベーキング装置にレジスト
が塗布されたウェハWが載置され、現像前ベーク、脱水
ベーク、プリベーク、ポストベーク等の加熱処理におい
て、ウェハW面内で最適な温度分布を形成することが可
能となり、レジスト膜の膜厚均一性を向上させることが
できる。
【0036】
【発明の効果】本発明のレジスト塗布装置によれば、ウ
ェハ上に塗布されたレジスト膜の膜厚均一性の調整の自
由度を大きくでき、さらなる膜厚均一性の向上が可能と
なる。本発明のベーキング装置によれば、現像前ベー
ク、脱水ベーク、プリベーク、ポストベーク等の加熱処
理において、レジストが塗布されたウェハ面内で最適な
温度分布を形成することができ、レジスト膜の膜厚均一
性を向上させることができる。
ェハ上に塗布されたレジスト膜の膜厚均一性の調整の自
由度を大きくでき、さらなる膜厚均一性の向上が可能と
なる。本発明のベーキング装置によれば、現像前ベー
ク、脱水ベーク、プリベーク、ポストベーク等の加熱処
理において、レジストが塗布されたウェハ面内で最適な
温度分布を形成することができ、レジスト膜の膜厚均一
性を向上させることができる。
【図1】本発明の一実施形態に係るレジスト塗布ユニッ
トの構成図である。
トの構成図である。
【図2】ヒータ部40の周辺の構造を示す断面図であ
る。
る。
【図3】図2の上面図である。
【図4】ヒータ部の変形例を示す説明図である。
【図5】本発明の他の実施形態に係るレジスト塗布の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図6】本発明のさらに他の実施形態に係るホットプレ
ートの構成を示す断面図である。
ートの構成を示す断面図である。
1…レジスト塗布ユニット、11…温度調節部、40…
ヒータ部、W…ウェハ、R…レジスト。
ヒータ部、W…ウェハ、R…レジスト。
Claims (10)
- 【請求項1】水平に保持されたウェハにレジストを滴下
し、前記ウェハを回転させて当該ウェハ上にレジスト膜
を形成するレジスト塗布装置であって、 前記ウェハのレジスト塗布面の裏面側から前記ウェハに
塗布されたレジストの温度を調節する温度調節手段を有
するレジスト塗布装置。 - 【請求項2】前記温度調節手段は、前記ウェハの裏面側
に設けられた電熱ヒータである請求項1に記載のレジス
ト塗布装置。 - 【請求項3】前記電熱ヒータは、複数の電熱ヒータから
なり、それぞれ独立に温度調整される請求項2に記載の
レジスト塗布装置。 - 【請求項4】前記ウェハの裏面側の中心部を吸着保持
し、当該ウェハを回転させるスピンチャックを有し、 前記複数の電熱ヒータは、前記スピンチャックを中心に
同心円上に配置されている請求項3に記載のレジスト塗
布装置。 - 【請求項5】前記電熱ヒータは、保護カバーによって囲
まれている請求項2に記載のレジスト塗布装置。 - 【請求項6】前記温度調節手段は、前記ウェハの裏面側
に設けられた温度調節された液体が供給、循環する温度
調節用容器からなる請求項1に記載のレジスト塗布装
置。 - 【請求項7】前記ウェハの裏面側の中心部を吸着保持
し、当該ウェハを回転させるスピンチャックを有し、 前記複数の電熱ヒータは、前記スピンチャックを中心に
同心円上に配置され、かつ、各電熱ヒータは周方向に分
割されており、それぞれ独立に温度調整される請求項3
に記載のレジスト塗布装置。 - 【請求項8】前記ウェハの周囲を囲い込むスピンカップ
を有し、 前記スピンカップ内の温度および湿度を調整した雰囲気
を供給するカップ内温湿度調整手段と、 前記ウェハ上に滴下されるレジストの温度を調節するレ
ジスト温度調節手段と、 前記スピンカップ内の排気量を調整するカップ排気量調
整手段とをさらに有する請求項1に記載のレジスト塗布
装置。 - 【請求項9】レジストが塗布されたウェハのレジスト塗
布面の裏面側から前記ウェハを加熱処理するベーキング
装置であって、 前記ウェハの裏面内で任意の温度分布を形成可能な加熱
手段を有するベーキング装置。 - 【請求項10】前記加熱手段は、複数の電熱ヒータから
なり、各電熱ヒータはそれぞれ独立に温度調整される請
求項9に記載のベーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11038907A JP2000243679A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | レジスト塗布装置およびベーキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11038907A JP2000243679A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | レジスト塗布装置およびベーキング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243679A true JP2000243679A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12538280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11038907A Pending JP2000243679A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | レジスト塗布装置およびベーキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000243679A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003117470A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-22 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 回転式薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP2011035186A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理装置、塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2012119536A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
-
1999
- 1999-02-17 JP JP11038907A patent/JP2000243679A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003117470A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-22 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 回転式薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP2011035186A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理装置、塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2012119536A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
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