JP2000244060A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体発光装置およびその製造方法

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JP2000244060A JP11187648A JP18764899A JP2000244060A JP 2000244060 A JP2000244060 A JP 2000244060A JP 11187648 A JP11187648 A JP 11187648A JP 18764899 A JP18764899 A JP 18764899A JP 2000244060 A JP2000244060 A JP 2000244060A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】部品点数を減らして光学系の構成を簡素化可能
な発光波長の異なる複数個の半導体発光素子を有する半
導体発光装置とその製造方法を提供する。 【解決手段】基板３０と、基板に形成され、少なくとも
第１導電型クラッド層（３２，３７）、活性層（３３，
３８）および第２導電型クラッド層（３４，３９）を積
層させたエピタキシャル成長層である少なくとも２個の
積層体（ＳＴ１，ＳＴ２）とを有し、各積層体が空間的
に互いに分離されており、少なくとも各活性層（３３、
３８）の組成が各積層体間で互いに異なり、各活性層か
ら基板と平行なほぼ同一の方向にそれぞれ波長の異なる
複数の光を出射する構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光装置お
よびその製造方法に関し、特に波長の異なる複数の光を
出射する複数個の半導体発光素子を有する半導体発光装
置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＣＤ（コンパクトディスク）、
ＤＶＤ（デジタルビデオディスク）あるいはＭＤ（ミニ
ディスク）などの光学的に情報を記録する光学記録媒体
（以下、光ディスクとも称する）に記録された情報の読
み取り（再生）、あるいはこれらに情報の書き込み（記
録）を行う装置（以下、光ディスク装置とも称する）に
は、光学ピックアップ装置が内蔵されている。
【０００３】上記の光ディスク装置や光学ピックアップ
装置においては、一般に、光ディスクの種類（光ディス
クシステム）が異なる場合には、波長の異なるレーザ光
を用いる。例えば、ＣＤの再生などには７８０ｎｍ帯の
波長のレーザ光を、ＤＶＤの再生などには６５０ｎｍ帯
の波長のレーザ光を用いる。
【０００４】上記のように光ディスクの種類によってレ
ーザ光の波長の異なる状況において、例えばＤＶＤ用の
光ディスク装置でＣＤの再生を可能にするコンパチブル
光学ピックアップ装置が望まれている。図２５は、上記
のようなＣＤ用のレーザダイオードＬＤ１（発光波長７
８０ｎｍ）とＤＶＤ用のレーザダイオードＬＤ２（発光
波長６５０ｎｍ）を搭載し、ＣＤとＤＶＤの再生を可能
にした第１従来例であるコンパチブル光学ピックアップ
装置の構成図である。光学ピックアップ装置１００は、
それぞれ個々に、すなわちディスクリートに構成され
た、例えば７８０ｎｍ帯の波長のレーザ光を出射する第
１レーザダイオードＬＤ１、グレーティングＧ、第１ビ
ームスプリッタＢＳ１、第１ミラーＭ１、第１対物レン
ズＯＬ１、第１マルチレンズＭＬ１、および、第１フォ
トダイオードＰＤ１がそれぞれ所定の位置に配設された
ＣＤ用光学系を有する。さらに、上記の光学ピックアッ
プ装置１００は、例えば６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光
を出射する第２レーザダイオードＬＤ２、第２ビームス
プリッタＢＳ２、コリメータＣ、第２ミラーＭ２、第２
対物レンズＯＬ２、第２マルチレンズＭＬ２、および、
第２フォトダイオードＰＤ２がそれぞれ所定の位置に配
設されたＤＶＤ用光学系を有する。
【０００５】上記構成の光学ピックアップ装置１００の
ＣＤ用光学系において、第１レーザダイオードＬＤ１か
らの第１レーザ光Ｌ１は、グレーティングＧを通過し、
第１ビームスプリッタＢＳ１によって一部反射され、第
１ミラーＭ１により進路を屈曲して、第１対物レンズＯ
Ｌ１により光ディスクＤ上に集光される。光ディスクＤ
からの反射光は、第１対物レンズＯＬ１、第１ミラーＭ
１および第１ビームスプリッタＢＳ１を介して、第１マ
ルチレンズＭＬ１を通過し、第１フォトダイオードＰＤ
１上に投光され、この反射光の変化により光ディスクＤ
のＣＤ用記録面上に記録された情報の読み出しがなされ
る。
【０００６】上記構成の光学ピックアップ装置１００の
ＤＶＤ用光学系においても、上記と同様に、第２レーザ
ダイオードＬＤ２からの第２レーザ光Ｌ２は、第２ビー
ムスプリッタＢＳ２によって一部反射され、コリメータ
Ｃを通過して、第２ミラーＭ２により進路を屈曲して、
第２対物レンズＯＬ２により光ディスクＤ上に集光され
る。光ディスクＤからの反射光は、第２対物レンズＯＬ
２、第２ミラーＭ２、コリメータＣおよび第２ビームス
プリッタＢＳ２を介して、第２マルチレンズＭＬ２を通
過し、第２フォトダイオードＰＤ２上に投光され、この
反射光の変化により光ディスクＤのＤＶＤ用記録面上に
記録された情報の読み出しがなされる。
【０００７】上記の光学ピックアップ装置１００によれ
ば、ＣＤ用のレーザダイオードとＤＶＤ用のレーザダイ
オードを搭載し、それぞれの光学系を有することで、Ｃ
ＤとＤＶＤの再生を可能にしている。
【０００８】また、図２６は、上記のようなＣＤ用のレ
ーザダイオードＬＤ１（発光波長７８０ｎｍ）とＤＶＤ
用のレーザダイオードＬＤ２（発光波長６５０ｎｍ）を
搭載し、ＣＤとＤＶＤの再生を可能にした第２従来例で
あるコンパチブル光学ピックアップ装置の構成図であ
る。光学ピックアップ装置１０１は、それぞれ個々に、
すなわちディスクリートに構成された、例えば７８０ｎ
ｍ帯の波長のレーザ光を出射する第１レーザダイオード
ＬＤ１、グレーティングＧ、第１ビームスプリッタＢＳ
１、ダイクロイックビームスプリッタＤＢＳ、コリメー
タＣ、ミラーＭ、ＣＤ用開口制限アパーチャＲ、対物レ
ンズＯＬ、第１マルチレンズＭＬ１、および、第１フォ
トダイオードＰＤ１がそれぞれ所定の位置に配設された
ＣＤ用光学系を有する。さらに、上記の光学ピックアッ
プ装置１０１は、例えば６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光
を出射する第２レーザダイオードＬＤ２、第２ビームス
プリッタＢＳ２、ダイクロイックビームスプリッタＤＢ
Ｓ、コリメータＣ、ミラーＭ、対物レンズＯＬ、第２マ
ルチレンズＭＬ２、および、第２フォトダイオードＰＤ
２がそれぞれ所定の位置に配設されたＤＶＤ用光学系を
有する。上記の各光学系において、一部の光学部材は共
有しており、例えば、ダイクロイックビームスプリッタ
ＤＢＳ、コリメータＣ、ミラーＭおよび対物レンズＯＬ
が両光学系により共有されている。また、ダイクロイッ
クビームスプリッタＤＢＳと光ディスクＤ間の光軸を共
有しているために、ＣＤ用開口制限アパーチャＲはＤＶ
Ｄ用光学系の光軸上にも配置されることになる。
【０００９】上記構成の光学ピックアップ装置１０１の
ＣＤ用光学系において、第１レーザダイオードＬＤ１か
らの第１レーザ光Ｌ１は、グレーティングＧを通過し、
第１ビームスプリッタＢＳ１によって一部反射され、ダ
イクロイックビームスプリッタＤＢＳ、コリメータＣ、
ミラーＭをそれぞれ通過あるいは反射して、ＣＤ用開口
制限アパーチャＲを介して対物レンズＯＬ１により光デ
ィスクＤ上に集光される。光ディスクＤからの反射光
は、対物レンズＯＬ、ＣＤ用開口制限アパーチャＲ、ミ
ラーＭ、コリメータＣ、ダイクロイックビームスプリッ
タＤＢＳおよび第１ビームスプリッタＢＳ１を介して、
第１マルチレンズＭＬ１を通過し、第１フォトダイオー
ドＰＤ１上に投光され、この反射光の変化により光ディ
スクＤのＣＤ用記録面上に記録された情報の読み出しが
なされる。
【００１０】上記構成の光学ピックアップ装置１０１の
ＤＶＤ用光学系においても、上記と同様に、第２レーザ
ダイオードＬＤ２からの第２レーザ光Ｌ２は、第２ビー
ムスプリッタＢＳ２によって一部反射され、ダイクロイ
ックビームスプリッタＤＢＳ、コリメータＣ、ミラーＭ
をそれぞれ通過あるいは反射して、ＣＤ用開口制限アパ
ーチャＲを介して対物レンズＯＬ１により光ディスクＤ
上に集光される。光ディスクＤからの反射光は、対物レ
ンズＯＬ、ＣＤ用開口制限アパーチャＲ、ミラーＭ、コ
リメータＣ、ダイクロイックビームスプリッタＤＢＳお
よび第２ビームスプリッタＢＳ２を介して、第２マルチ
レンズＭＬ２を通過し、第２フォトダイオードＰＤ２上
に投光され、この反射光の変化により光ディスクＤのＤ
ＶＤ用記録面上に記録された情報の読み出しがなされ
る。
【００１１】上記の光学ピックアップ装置１０１によれ
ば、図２５に示す光学ピックアップ装置１００と同様
に、ＣＤ用のレーザダイオードとＤＶＤ用のレーザダイ
オードを搭載し、それぞれの光学系を有することで、Ｃ
ＤとＤＶＤの再生を可能にしている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の光学ピックアップ装置は、いずれも部品点数が多
く、光学系の構成が複雑であることから、組み立てが容
易ではなく、光学装置としての小型化が困難であり、さ
らに、コストも高いものとなってしまう。
【００１３】上記の従来の光学ピックアップ装置におい
て、部品点数を多く、光学系の構成を複雑にしている理
由の一つとして、ＣＤ用のレーザダイオードとＤＶＤ用
のレーザダイオードをそれぞれ別個に搭載していること
が挙げられる。上記の光学ピックアップ装置において用
いられるレーザダイオードの例として、図２７に断面図
を示す。例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板３０上に、ｎ型Ｇａ
Ａｓバッファ層３１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３
２、活性層３３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４、ｐ
型ＧａＡｓキャップ層３５が積層している。ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層３５表面からｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
３４の途中の深さまで絶縁化された領域４１となって、
電流狭窄構造となるストライプを形成している。また、
ｐ型ＧａＡｓキャップ層３５にはｐ電極４２が、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板３０にはｎ電極４３が接続して形成されてい
る。
【００１４】上記の構造のレーザダイオードにおいて
は、例えばＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰ系材料が積
層されて１つのレーザ構造が形成される、あるいは、Ｉ
ｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓＰ系材料が積層されて１つの
レーザ構造が形成されるというように、１種類の基板上
に１種類の材料系によるレーザ構造が形成され、ほぼ定
まった１種類の波長の光が発せられる。
【００１５】また、図２８に示すように、用途に応じて
第１レーザダイオードＬＤ１と第２レーザダイオードＬ
Ｄ２を同一基板上に作り込む方法が開発されている。例
えば、ｎ型ＧａＡｓ基板３０上に、ｎ型ＧａＡｓバッフ
ァ層３１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、活性層３
３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４、ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層３５が積層している。ｐ型ＧａＡｓキャップ層
３５表面からｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４の途中の
深さまで絶縁化された領域４１となって、電流狭窄構造
となるストライプを形成して、第１レーザダイオードＬ
Ｄ１が形成されている。一方、第２レーザダイオードＬ
Ｄ２もほぼ同様の構造を有しており、活性層３３’の組
成は第１レーザダイオードＬＤ２の活性層３３の組成と
基本的に同じであり、このために発光されるレーザ光の
波長はほぼ同じである（差があっても非常に小さい）。
さらに、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３５にはｐ電極４２
が、ｎ型ＧａＡｓ基板３０にはｎ電極４３が接続して形
成されている。
【００１６】しかしながら、上記の構造の第１レーザダ
イオードＬＤ１と第２レーザダイオードＬＤ２では、両
レーザダイオードの発光波長は等しいか、あるいは差が
あっても非常に小さい。従って、例えばＣＤ用のレーザ
ダイオードとＤＶＤ用のレーザダイオードとして採用す
ることはできない。
【００１７】本発明は上述の状況に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる
光ディスクシステムの光学系ピックアップ装置などを、
部品点数を減らして光学系の構成を簡素化し、容易に組
み立て可能で小型化および低コストで構成することが可
能な、発光波長の異なる複数個の半導体発光素子を有す
る半導体発光装置と、その製造方法を提供することであ
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体発光装置は、基板に複数個の半導体
発光素子を有する半導体発光装置であって、基板と、前
記基板に形成され、少なくとも第１導電型クラッド層、
活性層および第２導電型クラッド層を積層させたエピタ
キシャル成長層である少なくとも２個の積層体とを有
し、前記各積層体が空間的に互いに分離されており、少
なくとも前記各活性層の組成が前記各積層体間で互いに
異なり、前記各活性層から前記基板と平行な同一の方向
にそれぞれ波長の異なる複数の光を出射する。
【００１９】上記の本発明の半導体発光装置は、基板上
に、少なくとも第１導電型クラッド層、活性層および第
２導電型クラッド層を積層させたエピタキシャル成長層
である少なくとも２個の積層体とを有し、各活性層の組
成が各積層体間で互いに異なっているので、各活性層か
らそれぞれ波長の異なる複数の光を出射することが可能
であるモノリシックな半導体発光装置を構成することが
できる。
【００２０】上記の本発明の半導体発光装置は、好適に
は、前記各活性層からそれぞれ波長の異なる複数のレー
ザ光を出射する。ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる光デ
ィスクシステムの光学系ピックアップ装置などを、部品
点数を減らして光学系の構成を簡素化し、容易に組み立
て可能で小型化および低コストで構成することが可能な
レーザダイオードとすることができる。
【００２１】上記の本発明の半導体発光装置は、好適に
は、前記各活性層の組成比が前記各積層体間で互いに異
なる。あるいは好適には、前記各活性層が前記各積層体
間で互いに異なる組成元素を有する。あるいは好適に
は、前記各第１導電型クラッド層、活性層および第２導
電型クラッド層の組成が前記各積層体間で互いに異な
る。各活性層から出射される光の波長をそれぞれ異なら
せることが可能となる。
【００２２】上記の本発明の半導体発光装置は、好適に
は、前記各活性層からそれぞれ偏光方向の異なる光を出
射する。基板上に、それぞれ独立な第１導電型クラッド
層、活性層および第２導電型クラッド層を積層させた少
なくとも２個の積層体を有しているので、偏光方向の異
なる光を出射する半導体発光素子を同一基板上に構成す
ることが可能である。
【００２３】上記の本発明の半導体発光装置は、好適に
は、前記積層体として、第１積層体と第２積層体を有
し、前記第１積層体と第２積層体がともに前記基板の上
層に形成されている。さらに好適には、前記基板が第１
導電型であり、前記第１積層体と第２積層体がともに前
記第１導電型クラッド層側から前記基板の上層に積層し
て形成されており、前記基板を共通電極として電気的に
接続して形成されている。基板の上層に直接複数個の積
層体を有する構成とすることができる。
【００２４】上記の本発明の半導体発光装置は、好適に
は、前記積層体として、第１積層体と第２積層体を有
し、前記第１積層体の上層に前記第２積層体が形成され
ている。さらに好適には、前記基板が第１導電型であ
り、前記第２積層体が、前記第１導電型クラッド層側か
ら第１導電型化された領域の第１積層体の上層に積層し
て形成されており、当該第１導電型化された領域の第１
積層体を介して前記基板に電気的に接続して形成されて
いる。あるいは、好適には、前記基板が第１導電型であ
り、前記第２積層体が、前記第１積層体の第２導電型層
の上層に形成された第１導電型層を介して前記第１積層
体の上層に形成されている。基板の上層に形成された積
層体の上層にさらに別な積層体を有する構成とすること
ができる。
【００２５】上記の本発明の半導体発光装置は、好適に
は、前記各積層体が、それぞれ電流狭窄構造を有する。
さらに好適には、前記積層体中に不純物が導入された領
域が形成されており、前記電流狭窄構造が形成されてい
る。あるいは好適には、前記積層体がリッジ形状に加工
されて、前記電流狭窄構造が形成されている。電流注入
の効率を高めて、効率的に動作させることができ、消費
電力を低減することができる。
【００２６】また、上記の目的を達成するため、本発明
の半導体発光装置の製造方法は、基板に波長の互いに異
なる光を出射する第１半導体発光素子と第２半導体発光
素子を有する半導体発光装置の製造方法であって、基板
上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導
電型第１クラッド層、第１活性層および第２導電型第２
クラッド層を積層させた第１積層体を形成する工程と、
第１半導体発光素子形成領域の前記第１積層体を残し
て、他の領域の前記第１積層体を除去する工程と、前記
基板上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第
１導電型第３クラッド層、第２活性層および第２導電型
第４クラッド層を積層させた第２積層体を形成する工程
と、第２半導体発光素子形成領域の前記第２積層体を残
して、他の領域の前記第２積層体を除去する工程とを有
し、少なくとも前記第１活性層と第２活性層を、それぞ
れ組成を異ならせて形成する。
【００２７】上記の本発明の半導体発光装置の製造方法
は、基板上に、エピタキシャル成長法により、少なくと
も第１導電型第１クラッド層、第１活性層および第２導
電型第２クラッド層を積層させた第１積層体を形成す
る。次に、第１半導体発光素子形成領域の第１積層体を
残して、他の領域の前記第１積層体を除去する。次に、
基板上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第
１導電型第３クラッド層、第２活性層および第２導電型
第４クラッド層を積層させた第２積層体を形成する。こ
こで、少なくとも第１活性層と第２活性層を、それぞれ
組成を異ならせて形成する。次に、第２半導体発光素子
形成領域の前記第２積層体を残して、他の領域の前記第
２積層体を除去する。
【００２８】上記の本発明の半導体発光装置の製造方法
によれば、基板の上層に直接、第１導電型第１クラッド
層、第１活性層および第２導電型第２クラッド層を積層
させた第１積層体と、第１導電型第３クラッド層、第２
活性層および第２導電型第４クラッド層を積層させた第
２積層体を有する構成を形成することができる。２つの
活性層の組成を各積層体間で互いに異ならせて形成する
ので、各活性層からそれぞれ波長の異なる光を出射する
ことが可能なモノリシック半導体発光装置を形成するこ
とができ、ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる光ディスク
システムの光学系ピックアップ装置に好適で、部品点数
を減らして光学系の構成を簡素化し、容易に組み立て可
能で小型化および低コストで構成することが可能なレー
ザダイオードなどを形成することができる。
【００２９】また、上記の目的を達成するため、本発明
の半導体発光装置の製造方法は、基板に波長の互いに異
なる光を出射する第１半導体発光素子と第２半導体発光
素子を有する半導体発光装置の製造方法であって、基板
上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導
電型第１クラッド層、第１活性層および第２導電型第２
クラッド層を積層させた第１積層体を形成する工程と、
前記第１積層体上に、エピタキシャル成長法により、少
なくとも第１導電型第３クラッド層、第２活性層および
第２導電型第４クラッド層を積層させた第２積層体を形
成する工程と、第２半導体発光素子形成領域の前記第２
積層体および第１積層体と、第１半導体発光素子形成領
域の前記第１積層体を残して、前記第１積層体および前
記第２積層体を除去する工程とを有し、少なくとも前記
第１活性層と第２活性層を、それぞれ組成を異ならせて
形成する。
【００３０】上記の本発明の半導体発光装置の製造方法
は、基板上に、エピタキシャル成長法により、少なくと
も第１導電型第１クラッド層、第１活性層および第２導
電型第２クラッド層を積層させた第１積層体を形成す
る。次に、第１積層体上に、エピタキシャル成長法によ
り、少なくとも第１導電型第３クラッド層、第２活性層
および第２導電型第４クラッド層を積層させた第２積層
体を形成する。ここで、少なくとも第１活性層と第２活
性層を、それぞれ組成を異ならせて形成する。次に、第
２半導体発光素子形成領域の第２積層体および第１積層
体と、第１半導体発光素子形成領域の第１積層体を残し
て、第１積層体および前記第２積層体を除去する。
【００３１】上記の本発明の半導体発光装置の製造方法
によれば、基板の上層に形成された第１導電型第１クラ
ッド層、第１活性層および第２導電型第２クラッド層を
積層させた第１積層体の上層に、さらに別な第１導電型
第３クラッド層、第２活性層および第２導電型第４クラ
ッド層を積層させた第２積層体を有する構成を形成する
ことができる。この場合、第２積層体を平坦な面（第１
積層体の上面）上に形成することが可能であるので、エ
ピタキシャル結晶成長が容易となる。２つの活性層の組
成を各積層体間で互いに異ならせて形成するので、各活
性層からそれぞれ波長の異なる光を出射することが可能
なモノリシック半導体発光装置を形成することができ、
ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる光ディスクシステムの
光学系ピックアップ装置に好適で、部品点数を減らして
光学系の構成を簡素化し、容易に組み立て可能で小型化
および低コストで構成することが可能なレーザダイオー
ドなどを形成することができる。
【００３２】上記の本発明の半導体発光装置の製造方法
は、好適には、前記第２積層体を形成する工程の前に、
前記第２半導体発光素子形成領域における第１積層体を
第１導電型化する工程をさらに有し、前記第２積層体を
形成する工程においては、前記第２積層体の第１導電型
第３クラッド層側から、前記第１導電型化された第１積
層体の上層に形成する。第２積層体を、第１導電型化さ
れた第１積層体を介して基板と接続するように形成する
ことが可能となる。
【００３３】上記の本発明の半導体発光装置の製造方法
は、好適には、前記第１活性層と第２活性層を、それぞ
れ組成比を異ならせて形成する。あるいは好適には、前
記第１活性層と第２活性層を、互いに異なる組成元素に
より形成する。あるいは好適には、前記第１導電型第１
クラッド層、第１活性層および第２導電型第２クラッド
層の組成と、前記第１導電型第３クラッド層、第２活性
層および第２導電型第４クラッド層の組成とを異ならせ
て形成する。これにより、各活性層から出射される光の
波長をそれぞれ異ならせることが可能となる。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の光学装置および光
ディスク装置の実施の形態について図面を参照して説明
する。
【００３５】第１実施形態 本実施形態に係る半導体発光装置は、ＣＤ用のレーザダ
イオードＬＤ１（発光波長７８０ｎｍ）とＤＶＤ用のレ
ーザダイオードＬＤ２（発光波長６５０ｎｍ）を１チッ
プ上に搭載するモノリシックレーザダイオードであり、
ＣＤとＤＶＤの再生を可能にするコンパチブル光学ピッ
クアップ装置を構成するのに好適な半導体発光装置であ
る。その断面図を図１に示す。
【００３６】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ａについて説明する。第１レーザダイオードＬＤ１とし
て、例えばＧａＡｓからなるｎ型基板３０上に、例えば
ＧａＡｓからなるｎ型バッファ層３１、例えばＡｌＧａ
Ａｓからなるｎ型クラッド層３２、活性層３３、例えば
ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層３４、例えばＧａ
Ａｓからなるｐ型キャップ層３５が積層して、第１積層
体ＳＴ１を形成している。ｐ型キャップ層３５表面から
ｐ型クラッド層３４の途中の深さまで絶縁化された領域
４１となって、ゲインガイド型の電流狭窄構造となるス
トライプを形成している。
【００３７】一方、第２レーザダイオードＬＤ２とし
て、ｎ型基板３０上に、例えばＧａＡｓからなるｎ型バ
ッファ層３１、例えばＩｎＧａＰからなるｎ型バッファ
層３６、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層
３７、活性層３８、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型
クラッド層３９、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ
層４０が積層して、第２積層体ＳＴ２を形成している。
ｐ型キャップ層４０表面からｐ型クラッド層３９の途中
の深さまで絶縁化された領域４１となって、ゲインガイ
ド型の電流狭窄構造となるストライプを形成している。
【００３８】上記の第１レーザダイオードＬＤ１および
第２レーザダイオードＬＤ２においては、ｐ型キャップ
層（３５，４０）にはｐ電極４２が、ｎ型基板３０には
ｎ電極４３が接続して形成されている。
【００３９】上記の構造のモノリシックレーザダイオー
ド１４ａは、第１レーザダイオードＬＤ１のレーザ光出
射部と第２レーザダイオードＬＤ２のレーザ光出射部の
間隔は例えば２００μｍ以下程度の範囲（１００μｍ程
度）に設定される。各レーザ光出射部からは、例えば７
８０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌ１および６５０ｎｍ帯の
波長のレーザ光Ｌ２が基板と平行であってほぼ同一の方
向（ほぼ平行）に出射される。上記の構造のレーザダイ
オード１４ａは、ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる光デ
ィスクシステムの光学系ピックアップ装置などを構成す
るのに好適な、発光波長の異なる２種類のレーザダイオ
ードを１チップ上に搭載するモノリシックレーザダイオ
ードである。
【００４０】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ａは、例えば図２に示すように、ｐ電極４２側から、半
導体ブロック１３上に形成された電極１３ａにハンダな
どにより接続および固定されて使用される。この場合、
例えば、第１レーザダイオードＬＤ１のｐ型電極４２を
接続させる電極１３ａにはリード１３ｂにより、第２レ
ーザダイオードＬＤ２のｐ型電極４２を接続させる電極
１３ａにはリード１３ｃにより、また、両レーザダイオ
ード（ＬＤ１，ＬＤ２）に共通のｎ型電極４３にはリー
ド４３ａにより、それぞれ電圧を印加する。
【００４１】図３（ａ）は上記のモノリシックレーザダ
イオード１４ａをＣＡＮパッケージに搭載する場合の構
成例を示す斜視図である。例えば、円盤状の基台２１に
設けられた突起部２１ａ上にモニター用の光検出素子と
してのＰＩＮダイオード１２が形成された半導体ブロッ
ク１３が固着され、その上部に、第１および第２レーザ
ダイオード（ＬＤ１，ＬＤ２）を１チップ上に搭載する
モノリシックレーザダイオード１４ａが配置されてい
る。また、基台１を貫通して端子２２が設けられてお
り、リード２３により上記の第１および第２レーザダイ
オード（ＬＤ１，ＬＤ２）、あるいはＰＩＮダイオード
１２に接続されて、それぞれのダイオードの駆動電源が
供給される。
【００４２】図３（ｂ）は上記のＣＡＮパッケージ化さ
れたレーザダイオードのレーザ光の出射方向と垂直な方
向からの要部平面図である。ＰＩＮダイオード１２が形
成された半導体ブロック１３の上部に第１レーザダイオ
ードＬＤ１と第２レーザダイオードＬＤ２を１チップ上
に有するレーザダイオード１４ａが配置されている。Ｐ
ＩＮダイオード１２においては、第１および第２レーザ
ダイオード（ＬＤ１，ＬＤ２）のリア側に出射されたレ
ーザ光を感知し、その強度を測定して、レーザ光の強度
が一定となるように第１および第２レーザダイオード
（ＬＤ１，ＬＤ２）の駆動電流を制御するＡＰＣ（Auto
matic Power Control ）制御が行われるように構成され
ている。
【００４３】図４は、上記の第１レーザダイオードＬＤ
１および第２レーザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭
載するモノリシックレーザダイオードをＣＡＮパッケー
ジ化したレーザダイオードＬＤを用いて、ＣＤやＤＶＤ
などの波長の異なる光ディスクシステムの光学系ピック
アップ装置を構成したときの構成を示す模式図である。
【００４４】光学ピックアップ装置１ａは、それぞれ個
々に、すなわちディスクリートに構成された光学系を有
し、例えば７８０ｎｍ帯の波長のレーザ光を出射する第
１レーザダイオードＬＤ１と６５０ｎｍ帯の波長のレー
ザ光を出射する第２レーザダイオードＬＤ２を１チップ
上に搭載するモノリシックレーザダイオードＬＤ、７８
０ｎｍ帯用であって６５０ｎｍ帯に対しては素通しとな
るグレーティングＧ、ビームスプリッタＢＳ、コリメー
タＣ、ミラーＭ、ＣＤ用開口制限アパーチャＲ、対物レ
ンズＯＬ、マルチレンズＭＬ、および、フォトダイオー
ドＰＤがそれぞれ所定の位置に配設されている。フォト
ダイオードＰＤには、例えば、７８０ｎｍ帯の光を受光
する第１フォトダイオードと、６５０ｎｍ帯の光を受光
する第２フォトダイオードが互いに隣接して並列に形成
されている。
【００４５】上記構成の光学ピックアップ装置１ａにお
いて、第１レーザダイオードＬＤ１からの第１レーザ光
Ｌ１は、グレーティングＧを通過し、ビームスプリッタ
ＢＳによって一部反射され、コリメータＣ、ミラーＭお
よびＣＤ用開口制限アパーチャＲをそれぞれ通過あるい
は反射して、対物レンズＯＬにより光ディスクＤ上に集
光される。光ディスクＤからの反射光は、対物レンズＯ
Ｌ、ＣＤ用開口制限アパーチャＲ、ミラーＭ、コリメー
タＣおよびビームスプリッタＢＳを介して、マルチレン
ズＭＬを通過し、フォトダイオードＰＤ（第１フォトダ
イオード）上に投光され、この反射光の変化によりＣＤ
などの光ディスクＤの記録面上に記録された情報の読み
出しがなされる。
【００４６】上記構成の光学ピックアップ装置１ａにお
いて、第２レーザダイオードＬＤ２からの第２レーザ光
Ｌ２も、上記と同じ経路を辿って光ディスクＤ上に集光
され、その反射光はフォトダイオードＰＤ（第２フォト
ダイオード）上に投光され、この反射光の変化によりＤ
ＶＤなどの光ディスクＤの記録面上に記録された情報の
読み出しがなされる。
【００４７】上記の光学ピックアップ装置１ａによれ
ば、ＣＤ用のレーザダイオードとＤＶＤ用のレーザダイ
オードを搭載し、共通の光学系によりその反射光をＣＤ
用のフォトダイオードとＤＶＤ用のフォトダイオードに
結合させ、ＣＤとＤＶＤの再生を可能にしている。
【００４８】また、本実施形態に係る第１レーザダイオ
ードＬＤ１および第２レーザダイオードＬＤ２を１チッ
プ上に搭載するモノリシックレーザダイオードを用い
て、ＣＤおよびＤＶＤなどの光学記録媒体に対して光照
射により記録、再生を行う光学ピックアップ装置に好適
なレーザカプラを構成することも可能である。図５
（ａ）は、上記のレーザカプラ１ｂの概略構成を示す説
明図である。レーザカプラ１ｂは、第１パッケージ部材
２の凹部に装填され、ガラスなどの透明な第２パッケー
ジ部材３により封止されている。
【００４９】図５（ｂ）は上記のレーザカプラ１ｂの要
部斜視図である。例えば、シリコンの単結晶を切り出し
た基板である集積回路基板１１上に、モニター用の光検
出素子としてのＰＩＮダイオード１２が形成された半導
体ブロック１３が配置され、さらに、この半導体ブロッ
ク１３上に、発光素子として第１レーザダイオードＬＤ
１および第２レーザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭
載するモノリシックレーザダイオード１４ａが配置され
ている。
【００５０】一方、集積回路基板１１には、例えば第１
フォトダイオード（１６，１７）および第２フォトダイ
オード（１８，１９）が形成され、この第１および第２
フォトダイオード（１６，１７，１８，１９）上に、第
１および第２レーザダイオード（ＬＤ１，ＬＤ２）と所
定間隔をおいて、プリズム２０が搭載されている。
【００５１】第１レーザダイオードＬＤ１から出射され
たレーザ光Ｌ１は、プリズム２０の分光面２０ａで一部
反射して進行方向を屈曲し、第２パッケージ部材３に形
成された出射窓から出射方向に出射し、不図示の反射ミ
ラーや対物レンズなどを介して光ディスク（ＣＤ）など
の被照射対象物に照射される。上記の被照射対象物から
の反射光は、被照射対象物への入射方向と反対方向に進
み、レーザカプラ１ｂからの出射方向からプリズム２０
の分光面２０ａに入射する。このプリズム２０の上面で
焦点を結びながら、プリズム２０の下面となる集積回路
基板１１上に形成された前部第１フォトダイオード１６
および後部第１フォトダイオード１７に入射する。
【００５２】一方、第２レーザダイオードＬＤ２から出
射されたレーザ光Ｌ２は、上記と同様に、プリズム２０
の分光面２０ａで一部反射して進行方向を屈曲し、第２
パッケージに形成された出射窓から出射方向に出射し、
不図示の反射ミラーや対物レンズなどを介して光ディス
ク（ＤＶＤ）などの被照射対象物に照射される。上記の
被照射対象物からの反射光は、被照射対象物への入射方
向と反対方向に進み、レーザカプラ１ｂからの出射方向
からプリズム２０の分光面２０ａに入射する。このプリ
ズム２０の上面で焦点を結びながら、プリズム２０の下
面となる集積回路基板１１上に形成された前部第２フォ
トダイオード１８および後部第２フォトダイオード１９
に入射する。
【００５３】また、半導体ブロック１３上に形成された
ＰＩＮダイオード１２は、例えば２つに分割された領域
を有し、第１および第２レーザダイオード（ＬＤ１，Ｌ
Ｄ２）のそれぞれについて、リア側に出射されたレーザ
光を感知し、レーザ光の強度を測定して、レーザ光の強
度が一定となるように第１および第２レーザダイオード
（ＬＤ１，ＬＤ２）の駆動電流を制御するＡＰＣ制御が
行われる。
【００５４】上記の第１レーザダイオードＬＤ１のレー
ザ光出射部と第２レーザダイオードＬＤ２のレーザ光出
射部の間隔は例えば２００μｍ以下程度の範囲（１００
μｍ程度）に設定される。各レーザ光出射部（活性層）
からは、例えば７８０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌ１およ
び６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌ２がほぼ同一の方向
（ほぼ平行）に出射される。
【００５５】上記のレーザカプラを用いて光学ピックア
ップ装置を構成した時の例を図６に示す。レーザカプラ
１ｂに内蔵される第１および第２レーザダイオードから
の出射レーザ光（Ｌ１，Ｌ２）をコリメータＣ、ミラー
Ｍ、ＣＤ用開口制限アパーチャＲおよび対物レンズＯＬ
を介して、ＣＤあるいはＤＶＤなどの光ディスクＤに入
射する。光ディスクＤからの反射光は、入射光と同一の
経路をたどってレーザカプラに戻り、レーザカプラに内
蔵される第１および第２フォトダイオードにより受光さ
れる。上記のように、本実施形態のモノリシックレーザ
ダイオードを用いることにより、ＣＤやＤＶＤなどの波
長の異なる光ディスクシステムの光学系ピックアップ装
置を、部品点数を減らして光学系の構成を簡素化し、容
易に組み立て可能で小型化および低コストで構成するこ
とができる。
【００５６】上記の第１レーザダイオードＬＤ１と第２
レーザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリ
シックレーザダイオード１４ａの形成方法について説明
する。まず、図７（ａ）に示すように、例えば有機金属
気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）などのエピタ
キシャル成長法により、例えばＧａＡｓからなるｎ型基
板３０上に、例えばＧａＡｓからなるｎ型バッファ層３
１、例えばＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層３２、
活性層（発振波長７８０ｎｍの多重量子井戸構造）３
３、例えばＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層３４、
例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ層３５を順に積層
させる。
【００５７】次に、図７（ｂ）に示すように、第１レー
ザダイオードＬＤ１として残す領域を不図示のレジスト
膜で保護して、硫酸系の無選択エッチング、および、フ
ッ酸系のＡｌＧａＡｓ選択エッチングなどのウェットエ
ッチング（ＥＣ１）により、第１レーザダイオードＬＤ
１領域以外の領域でｎ型クラッド層３２までの上記の積
層体を除去する。
【００５８】次に、図８（ｃ）に示すように、例えば有
機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）などの
エピタキシャル成長法により、ｎ型バッファ層３１上
に、例えばＩｎＧａＰからなるｎ型バッファ層３６、例
えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層３７、活性
層（発振波長６５０ｎｍの多重量子井戸構造）３８、例
えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層３９、例え
ばＧａＡｓからなるｐ型キャップ層４０を順に積層させ
る。
【００５９】次に、図８（ｄ）に示すように、第２レー
ザダイオードＬＤ２として残す領域を不図示のレジスト
膜で保護して、硫酸系のキャップエッチング、リン酸塩
酸系の４元選択エッチング、塩酸系の分離エッチングな
どのウェットエッチング（ＥＣ２）により、第２レーザ
ダイオードＬＤ２領域以外の領域でｎ型バッファ層３６
までの上記の積層体を除去し、第１レーザダイオードＬ
Ｄ１と第２レーザダイオードＬＤ２を分離する。
【００６０】次に、図９（ｅ）に示すように、レジスト
膜により電流注入領域となる部分を保護して、不純物Ｄ
１をイオン注入などにより導入し、ｐ型キャップ層（３
５，４０）表面からｐ型クラッド層（３４，３９）の途
中の深さまで絶縁化された領域４１を形成し、ゲインガ
イド型の電流狭窄構造となるストライプとする。
【００６１】次に、図９（ｆ）に示すように、ｐ型キャ
ップ層（３５，４０）に接続するように、Ｔｉ／Ｐｔ／
Ａｕなどのｐ型電極４２を形成し、一方、ｎ型基板３０
に接続するように、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕなどのｎ型電
極４３を形成する。
【００６２】以降は、ペレタイズ工程を経て、図１に示
すような所望の第１レーザダイオードＬＤ１と第２レー
ザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリシッ
クレーザダイオード１４ａとすることができる。
【００６３】上記の本実施形態のモノリシックレーザダ
イオードの製造方法によれば、第１レーザダイオードと
第２レーザダイオードで、活性層などの組成を異ならせ
て形成し、波長の異なるレーザ光を出射することが可能
なモノリシックレーザダイオードを形成することができ
る。
【００６４】第２実施形態 本実施形態に係る半導体発光装置は、第１実施形態に係
るモノリシックレーザダイオードと同様であり、ＣＤ用
のレーザダイオードＬＤ１（発光波長７８０ｎｍ）とＤ
ＶＤ用のレーザダイオードＬＤ２（発光波長６５０ｎ
ｍ）を１チップ上に搭載し、ＣＤとＤＶＤの再生を可能
にするコンパチブル光学ピックアップ装置を構成するの
に好適な半導体発光装置である。その断面図を図１０に
示す。
【００６５】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ｂについて説明する。第１レーザダイオードＬＤ１とし
て、例えばＧａＡｓからなるｎ型基板３０上に、例えば
ＧａＡｓからなるｎ型バッファ層３１、例えばＡｌＧａ
Ａｓからなるｎ型クラッド層３２、活性層３３、例えば
ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層３４、例えばＧａ
Ａｓからなるｐ型キャップ層３５が積層して、第１積層
体ＳＴ１を形成している。ｐ型キャップ層３５表面から
ｐ型クラッド層３４の途中の深さまでリッジ状（凸状）
に加工されており、ゲインガイド型の電流狭窄構造とな
るストライプを形成している。また、リッジ深さや形状
などの制御によって、インデックスガイドやセルフパル
セーションタイプなどを作製することも容易に可能であ
る。
【００６６】一方、第２レーザダイオードＬＤ２とし
て、ｎ型基板３０上に、例えばＧａＡｓからなるｎ型バ
ッファ層３１、例えばＩｎＧａＰからなるｎ型バッファ
層３６、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層
３７、活性層３８、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型
クラッド層３９、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ
層４０が積層して、第２積層体ＳＴ２を形成している。
ｐ型キャップ層４０表面からｐ型クラッド層３９の途中
の深さまでリッジ状（凸状）に加工されており、ゲイン
ガイド型の電流狭窄構造となるストライプを形成してい
る。第１レーザダイオードＬＤ１と同様に、リッジ深さ
や形状などの制御によって、インデックスガイドやセル
フパルセーションタイプなどを作製することも容易に可
能である。
【００６７】さらに、上記の第１レーザダイオードＬＤ
１および第２レーザダイオードＬＤ２を被覆して、酸化
シリコンなどの絶縁膜４４が形成されている。絶縁膜４
４には、ｐ型キャップ層（３５，４０）を露出させるよ
うにコンタクト開口されており、さらにｐ型キャップ層
（３５，４０）にはｐ電極４２が、ｎ型基板３０にはｎ
電極４３が接続して形成されている。また、この場合、
ストライプ以外の部分でオーミックコンタクトがとれな
い構造になってさえいれば、絶縁膜４４は必ずしも必要
ではない。
【００６８】上記の構造のモノリシックレーザダイオー
ド１４ｂにおいて、各レーザ光出射部から、例えば７８
０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌ１および６５０ｎｍ帯の波
長のレーザ光Ｌ２が基板と平行であってほぼ同一の方向
（ほぼ平行）に出射される。上記の構造のレーザダイオ
ード１４ｂは、ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる光ディ
スクシステムの光学系ピックアップ装置などを構成する
のに好適な、発光波長の異なる２種類のレーザダイオー
ドを１チップ上に搭載するモノリシックレーザダイオー
ドである。
【００６９】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ｂの形成方法について説明する。まず、図１１（ａ）に
至るまでの工程は、第１実施形態において、図８（ｄ）
に示す工程までと同様にして形成される。
【００７０】次に、図１１（ｂ）に示すように、絶縁膜
などにより電流注入領域となる部分を保護して、エッチ
ング処理ＥＣ３を行い、ゲインガイド型の電流狭窄構造
となるストライプを形成するために、ｐ型キャップ層
（３５，４０）の表面からｐ型クラッド層（３４，３
９）の途中の深さまでリッジ状（凸状）に加工する。
【００７１】次に、図１２（ｃ）に示すように、例えば
ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法により全面に
酸化シリコンを堆積させ、ｐ型キャップ層（３５，４
０）を露出させるようにコンタクト開口する。
【００７２】次に、図１２（ｄ）に示すように、ｐ型キ
ャップ層（３５，４０）に接続するように、Ｔｉ／Ｐｔ
／Ａｕなどのｐ型電極４２を形成し、一方、ｎ型基板３
０に接続するように、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕなどのｎ型
電極４３を形成する。
【００７３】以降は、ペレタイズ工程を経て、図１０に
示すような所望の第１レーザダイオードＬＤ１と第２レ
ーザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリシ
ックレーザダイオード１４ｂとすることができる。
【００７４】上記の本実施形態のモノリシックレーザダ
イオードの製造方法によれば、第１実施形態と同様に、
波長の異なるレーザ光を出射することが可能なモノリシ
ックレーザダイオードを形成することができる。
【００７５】第３実施形態 本実施形態に係る半導体発光装置は、第１実施形態に係
るモノリシックレーザダイオードと同様であり、ＣＤ用
のレーザダイオードＬＤ１（発光波長７８０ｎｍ）とＤ
ＶＤ用のレーザダイオードＬＤ２（発光波長６５０ｎ
ｍ）を１チップ上に搭載し、ＣＤとＤＶＤの再生を可能
にするコンパチブル光学ピックアップ装置を構成するの
に好適な半導体発光装置である。その断面図を図１３に
示す。
【００７６】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ｃについて説明する。第１レーザダイオードＬＤ１とし
て、例えばＧａＡｓからなるｎ型基板３０上に、例えば
ＧａＡｓからなるｎ型バッファ層３１、例えばＡｌＧａ
Ａｓからなるｎ型クラッド層３２、活性層３３、例えば
ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層３４、例えばＧａ
Ａｓからなるｐ型キャップ層３５が積層して、第１積層
体ＳＴ１を形成している。ｐ型キャップ層３５表面から
ｐ型クラッド層３４の途中の深さまでリッジ状（凸状）
に加工されて、例えばＧａＡｓからなるｎ型層４６ａが
形成されており、ゲインガイド型の電流狭窄構造となる
ストライプを形成している。また、リッジ深さや形状な
どの制御によって、インデックスガイドやセルフパルセ
ーションタイプなどを作製することも容易に可能であ
る。
【００７７】一方、第２レーザダイオードＬＤ２とし
て、ｎ型基板３０上に、例えばＧａＡｓからなるｎ型バ
ッファ層３１、例えばＩｎＧａＰからなるｎ型バッファ
層３６、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層
３７、活性層３８、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型
クラッド層３９、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ
層４０が積層して、第２積層体ＳＴ２を形成している。
ｐ型キャップ層４０表面からｐ型クラッド層３９の途中
の深さまでリッジ状（凸状）に加工されて、上記と同様
にｎ型層４６ａが形成されており、ゲインガイド型の電
流狭窄構造となるストライプを形成している。この場合
も、第１レーザダイオードＬＤ１と同様に、リッジ深さ
や形状などの制御によって、インデックスガイドやセル
フパルセーションタイプなどを作製することも容易に可
能である。
【００７８】さらにｐ型キャップ層（３５，４０）には
ｐ電極４２が、ｎ型基板３０にはｎ電極４３が接続して
形成されている。
【００７９】上記の構造のモノリシックレーザダイオー
ド１４ｃにおいて、各レーザ光出射部から、例えば７８
０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌ１および６５０ｎｍ帯の波
長のレーザ光Ｌ２が基板と平行であってほぼ同一の方向
（ほぼ平行）に出射される。上記の構造のレーザダイオ
ード１４ｃは、ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる光ディ
スクシステムの光学系ピックアップ装置などを構成する
のに好適な、発光波長の異なる２種類のレーザダイオー
ドを１チップ上に搭載するモノリシックレーザダイオー
ドである。
【００８０】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ｃの形成方法について説明する。まず、図１４（ａ）に
至るまでの工程は、第１実施形態において、図８（ｄ）
に示す工程までと同様にして形成される。
【００８１】次に、図１４（ｂ）に示すように、絶縁膜
４５をマスクとして、電流注入領域となる部分を保護し
てエッチング処理ＥＣ４を行い、ゲインガイド型の電流
狭窄構造となるストライプを形成するために、ｐ型キャ
ップ層（３５，４０）の表面からｐ型クラッド層（３
４，３９）の途中の深さまでリッジ状（凸状）に加工す
る。
【００８２】次に、図１５（ｃ）に示すように、ｐ型ク
ラッド層（３４，３９）の途中の深さまでのリッジ状に
エッチングした部分を埋め込みながら、例えばＧａＡｓ
からなるｎ型層４６を選択成長させる。
【００８３】次に、図１５（ｄ）に示すように、エッチ
ング処理ＥＣ５により絶縁膜４５を除去する。
【００８４】次に、図１６（ｅ）に示すように、エッチ
ング処理ＥＣ６により、ｐ型クラッド層（３４，３９）
の途中の深さまでのリッジ状にエッチングした部分を残
しながら、他の部分のｎ型層４６を除去する。
【００８５】次に、図１６（ｆ）に示すように、ｐ型キ
ャップ層（３５，４０）に接続するように、Ｔｉ／Ｐｔ
／Ａｕなどのｐ型電極４２を形成し、一方、ｎ型基板３
０に接続するように、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕなどのｎ型
電極４３を形成する。
【００８６】以降は、ペレタイズ工程を経て、図１３に
示すような所望の第１レーザダイオードＬＤ１と第２レ
ーザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリシ
ックレーザダイオード１４ｃとすることができる。
【００８７】上記の本実施形態のモノリシックレーザダ
イオードの製造方法によれば、第１実施形態と同様に、
波長の異なるレーザ光を出射することが可能なモノリシ
ックレーザダイオードを形成することができる。
【００８８】また、本実施形態の製造方法においては、
図１４（ｂ）に示す工程から、図１７（ａ）に示すよう
に、絶縁膜４５をエッチング処理により除去し、その後
に、ｐ型クラッド層（３４，３９）の途中の深さまでの
リッジ状にエッチングした部分を埋め込みながら、全面
に、ｎ型層４６を選択成長させ、さらに図１７（ｂ）に
示すように、エッチング処理ＥＣ７により、ｐ型クラッ
ド層（３４，３９）の途中の深さまでのリッジ状にエッ
チングした部分を残しながら、他の部分のｎ型層４６を
除去する方法を用いることも可能である。
【００８９】第４実施形態 本実施形態に係る半導体発光装置は、ＣＤ用のレーザダ
イオードＬＤ１（発光波長７８０ｎｍ）とＤＶＤ用のレ
ーザダイオードＬＤ２（発光波長６５０ｎｍ）を１チッ
プ上に搭載し、ＣＤとＤＶＤの再生を可能にするコンパ
チブル光学ピックアップ装置を構成するのに好適な半導
体発光装置である。その断面図を図１８に示す。
【００９０】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ｄについて説明する。第１レーザダイオードＬＤ１とし
て、例えばＧａＡｓからなるｎ型基板３０上に、例えば
ＧａＡｓからなるｎ型バッファ層３１、例えばＡｌＧａ
Ａｓからなるｎ型クラッド層３２、活性層３３、例えば
ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層３４、例えばＧａ
Ａｓからなるｐ型キャップ層３５が積層して、第１積層
体ＳＴ１を形成している。ｐ型キャップ層３５表面から
ｐ型クラッド層３４の途中の深さまで絶縁化された領域
４１となって、ゲインガイド型の電流狭窄構造となるス
トライプを形成している。
【００９１】一方、第２レーザダイオードＬＤ２領域に
おいて、ｎ型基板３０上に、第１レーザダイオードＬＤ
１と共通のｎ型バッファ層３１、ｎ型クラッド層３２、
活性層３３、ｐ型クラッド層３４、ｐ型キャップ層３５
が積層しているが、このｐ型キャップ層３５の表面から
ｎ型クラッド層３２の途中の深さまでの領域がシリコン
などが拡散されてｎ型化された領域４７となっている。
上記のｎ型化された領域４７の上層に、例えばＩｎＧａ
Ｐからなるｎ型バッファ層４８、例えばＡｌＧａＩｎＰ
からなるｎ型クラッド層４９、活性層５０、例えばＡｌ
ＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層５１、例えばＧａＡ
ｓからなるｐ型キャップ層５２が積層して、第２積層体
ＳＴ２を形成している。ｐ型キャップ層５２表面からｐ
型クラッド層５１の途中の深さまで絶縁化された領域４
１となって、ゲインガイド型の電流狭窄構造となるスト
ライプを形成している。
【００９２】さらにｐ型キャップ層（３５，５２）には
ｐ電極４２が、ｎ型基板３０にはｎ電極４３が接続して
形成されている。
【００９３】上記の構造のモノリシックレーザダイオー
ド１４ｄにおいて、各レーザ光出射部から、例えば７８
０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌ１および６５０ｎｍ帯の波
長のレーザ光Ｌ２が基板と平行であってほぼ同一の方向
（ほぼ平行）に出射される。上記の構造のレーザダイオ
ード１４ｄは、ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる光ディ
スクシステムの光学系ピックアップ装置などを構成する
のに好適な、発光波長の異なる２種類のレーザダイオー
ドを１チップ上に搭載するモノリシックレーザダイオー
ドである。
【００９４】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ｄの形成方法について説明する。まず、図１９（ａ）に
示すように、例えば有機金属気相エピタキシャル成長法
（ＭＯＶＰＥ）などのエピタキシャル成長法により、例
えばＧａＡｓからなるｎ型基板３０上に、例えばＧａＡ
ｓからなるｎ型バッファ層３１、例えばＡｌＧａＡｓか
らなるｎ型クラッド層３２、活性層（発振波長７８０ｎ
ｍの多重量子井戸構造）３３、例えばＡｌＧａＡｓから
なるｐ型クラッド層３４、例えばＧａＡｓからなるｐ型
キャップ層３５を順に積層させる。
【００９５】次に、図１９（ｂ）に示すように、第２レ
ーザダイオード形成領域においてシリコンＤ２などの不
純物を拡散させ、ｐ型キャップ層３５の表面からｎ型ク
ラッド層３２の途中の深さまでの領域をｎ型化された領
域４７とする。
【００９６】次に、図２０（ｃ）に示すように、例えば
有機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）など
のエピタキシャル成長法により、ｐ型キャップ層３５お
よびｎ型化された領域４７上に、例えばＩｎＧａＰから
なるｎ型バッファ層４８、例えばＡｌＧａＩｎＰからな
るｎ型クラッド層４９、活性層（発振波長６５０ｎｍの
多重量子井戸構造）５０、例えばＡｌＧａＩｎＰからな
るｐ型クラッド層５１、例えばＧａＡｓからなるｐ型キ
ャップ層５２を順に積層させる。
【００９７】次に、図２０（ｄ）に示すように、硫酸系
のキャップエッチング、リン酸塩酸系の４元選択エッチ
ング、塩酸系の分離エッチングなどのウェットエッチン
グ（ＥＣ８）により、第１レーザダイオード形成領域に
おいては、ｐ型キャップ層３５までを、第２レーザダイ
オード形成領域においては、ｐ型キャップ層５２までを
残して、それ以外の部分の上記の積層体を除去し、第１
レーザダイオードＬＤ１と第２レーザダイオードＬＤ２
を分離する。
【００９８】次に、図２１（ｅ）に示すように、レジス
ト膜により電流注入領域となる部分を保護して、不純物
Ｄ３をイオン注入などにより導入し、ｐ型キャップ層
（３５，５２）表面からｐ型クラッド層（３４，５１）
の途中の深さまで絶縁化された領域４１を形成し、ゲイ
ンガイド型の電流狭窄構造となるストライプとする。
【００９９】次に、図２１（ｆ）に示すように、ｐ型キ
ャップ層（３５，５２）に接続するように、Ｔｉ／Ｐｔ
／Ａｕなどのｐ型電極４２を形成し、一方、ｎ型基板３
０に接続するように、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕなどのｎ型
電極４３を形成する。
【０１００】以降は、ペレタイズ工程を経て、図１８に
示すような所望の第１レーザダイオードＬＤ１と第２レ
ーザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリシ
ックレーザダイオード１４ｄとすることができる。
【０１０１】上記の本実施形態のモノリシックレーザダ
イオードの製造方法によれば、第１実施形態と同様に、
波長の異なるレーザ光を出射することが可能なモノリシ
ックレーザダイオードを形成することができる。また、
第２レーザダイオードとなる積層体を平坦な面（ｐ型キ
ャップ層３５およびｎ型化された領域４７）上に形成す
ることが可能であり、容易にエピタキシャル成長を行う
ことができる。
【０１０２】第５実施形態 本実施形態に係る半導体発光装置は、第４実施形態に係
る半導体発光装置と同様であり、ＣＤ用のレーザダイオ
ードＬＤ１（発光波長７８０ｎｍ）とＤＶＤ用のレーザ
ダイオードＬＤ２（発光波長６５０ｎｍ）を１チップ上
に搭載し、ＣＤとＤＶＤの再生を可能にするコンパチブ
ル光学ピックアップ装置を構成するのに好適な半導体発
光装置である。その断面図を図２２に示す。
【０１０３】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ｅについて説明する。第１レーザダイオードＬＤ１とし
て、例えばＧａＡｓからなるｎ型基板３０上に、例えば
ＧａＡｓからなるｎ型バッファ層３１、例えばＡｌＧａ
Ａｓからなるｎ型クラッド層３２、活性層３３、例えば
ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層３４、例えばＧａ
Ａｓからなるｐ型キャップ層３５が積層して、第１積層
体ＳＴ１を形成している。ｐ型キャップ層３５表面から
ｐ型クラッド層３４の途中の深さまで絶縁化された領域
４１となって、ゲインガイド型の電流狭窄構造となるス
トライプを形成している。
【０１０４】一方、第２レーザダイオードＬＤ２領域に
おいても、ｎ型基板３０上に、第１レーザダイオードＬ
Ｄ１と共通のｎ型バッファ層３１、ｎ型クラッド層３
２、活性層３３、ｐ型クラッド層３４、ｐ型キャップ層
３５が積層しており、さらにその上層に、例えばＧａＡ
ｓからなるｎ型バッファ層５３、例えばＩｎＧａＰから
なるｎ型バッファ層４８、例えばＡｌＧａＩｎＰからな
るｎ型クラッド層４９、活性層５０、例えばＡｌＧａＩ
ｎＰからなるｐ型クラッド層５１、例えばＧａＡｓから
なるｐ型キャップ層５２が積層して、第２積層体ＳＴ２
を形成している。ｐ型キャップ層５２表面からｐ型クラ
ッド層５１の途中の深さまで絶縁化された領域４１とな
って、ゲインガイド型の電流狭窄構造となるストライプ
を形成している。
【０１０５】さらにｐ型キャップ層（３５，５２）には
ｐ電極４２が、ｎ型基板３０にはｎ電極４３が、さらに
ｎ型バッファ層５３にはｎ型電極５４が接続して形成さ
れている。
【０１０６】上記の構造のモノリシックレーザダイオー
ド１４ｅにおいて、各レーザ光出射部から、例えば７８
０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌ１および６５０ｎｍ帯の波
長のレーザ光Ｌ２が基板と平行であってほぼ同一の方向
（ほぼ平行）に出射される。上記の構造のレーザダイオ
ード１４ｅは、ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる光ディ
スクシステムの光学系ピックアップ装置などを構成する
のに好適な、発光波長の異なる２種類のレーザダイオー
ドを１チップ上に搭載するモノリシックレーザダイオー
ドである。
【０１０７】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ｅの形成方法について説明する。まず、図２３（ａ）に
示すように、例えば有機金属気相エピタキシャル成長法
（ＭＯＶＰＥ）などのエピタキシャル成長法により、例
えばＧａＡｓからなるｎ型基板３０上に、例えばＧａＡ
ｓからなるｎ型バッファ層３１、例えばＡｌＧａＡｓか
らなるｎ型クラッド層３２、活性層（発振波長７８０ｎ
ｍの多重量子井戸構造）３３、例えばＡｌＧａＡｓから
なるｐ型クラッド層３４、例えばＧａＡｓからなるｐ型
キャップ層３５を順に積層させる。さらに、例えば有機
金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）などのエ
ピタキシャル成長法により、ｐ型キャップ層３５上に、
例えばＧａＡｓからなるｎ型バッファ層５３、例えばＩ
ｎＧａＰからなるｎ型バッファ層４８、例えばＡｌＧａ
ＩｎＰからなるｎ型クラッド層４９、活性層（発振波長
６５０ｎｍの多重量子井戸構造）５０、例えばＡｌＧａ
ＩｎＰからなるｐ型クラッド層５１、例えばＧａＡｓか
らなるｐ型キャップ層５２を順に積層させる。
【０１０８】次に、図２３（ｂ）に示すように、硫酸系
のキャップエッチング、リン酸塩酸系の４元選択エッチ
ング、塩酸系の分離エッチングなどのウェットエッチン
グ（ＥＣ９）により、第１レーザダイオード形成領域に
おいては、ｐ型キャップ層３５までを、第２レーザダイ
オード形成領域においては、ｐ型キャップ層５２までを
残して、それ以外の部分の上記の積層体を除去し、第１
レーザダイオードＬＤ１と第２レーザダイオードＬＤ２
を分離する。
【０１０９】次に、図２４（ｃ）に示すように、レジス
ト膜により電流注入領域となる部分を保護して、不純物
Ｄ４をイオン注入などにより導入し、ｐ型キャップ層
（３５，５２）表面からｐ型クラッド層（３４，５１）
の途中の深さまで絶縁化された領域４１を形成し、ゲイ
ンガイド型の電流狭窄構造となるストライプとする。
【０１１０】次に、図２４（ｄ）に示すように、ｐ型キ
ャップ層（３５，５２）に接続するように、Ｔｉ／Ｐｔ
／Ａｕなどのｐ型電極４２を形成し、一方、ｎ型基板３
０およびｎ型バッファ層５３に接続するように、ＡｕＧ
ｅ／Ｎｉ／Ａｕなどのｎ型電極４３およびｎ型電極５４
を形成する。
【０１１１】以降は、ペレタイズ工程を経て、図２２に
示すような所望の第１レーザダイオードＬＤ１と第２レ
ーザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリシ
ックレーザダイオード１４ｅとすることができる。
【０１１２】上記の本実施形態のモノリシックレーザダ
イオードの製造方法によれば、第１実施形態と同様に、
波長の異なるレーザ光を出射することが可能なモノリシ
ックレーザダイオードを形成することができる。また、
第２レーザダイオードとなる積層体を平坦な面（ｐ型キ
ャップ層３５）上に形成することが可能であり、容易に
エピタキシャル成長を行うことができる。
【０１１３】以上、本発明を５形態の実施形態により説
明したが、本発明はこれらの実施形態に何ら限定される
ものではない。例えば、本発明に用いる発光素子として
は、レーザダイオードに限定されず、発光ダイオード
（ＬＥＤ）を用いることも可能である。また、第１およ
び第２レーザダイオードの発光波長は、７８０ｎｍ帯と
６５０ｎｍ帯に限定されるものではなく、その他の光デ
ィスクシステムに採用されている波長とすることができ
る。すなわち、ＣＤとＤＶＤの他の組み合わせの光ディ
スクシステムを採用することができる。また、ゲインガ
イド型の電流狭窄構造の他、インデックスガイド型、パ
ルセーションレーザなど、様々な特性の他のレーザに適
用することも可能である。また、上記の実施形態ではＣ
Ｄ用の第１レーザダイオードとＤＶＤ用の第２レーザダ
イオードとで、ストライプ構造が同じ場合について示し
ているが、例えば第１レーザダイオードが第１実施形態
と同様のイオン注入タイプであり、一方第２レーザダイ
オードが第２実施形態と同様のリッジタイプであるとい
うように、２つのレーザダイオードでそれぞれ別のスト
ライプ構造をとることも可能である。さらに、第４、第
５実施形態において、第２、第３実施形態で示したスト
ライプ構造をとったり、上記のように第１レーザダイオ
ードと第２レーザダイオードで別のストライプ構造をと
ることも容易に可能である。その他、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々の変更を行うことが可能である。
【０１１４】
【発明の効果】本発明の半導体発光装置によれば、基板
上に、少なくとも第１導電型クラッド層、活性層および
第２導電型クラッド層を積層させたエピタキシャル成長
層である少なくとも２個の積層体とを有し、各活性層の
組成が各積層体間で互いに異なっているので、各活性層
からそれぞれ波長の異なる複数の光を出射することが可
能であるモノリシックな半導体発光装置を構成すること
ができ、ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる光ディスクシ
ステムの光学系ピックアップ装置などを、部品点数を減
らして光学系の構成を簡素化し、容易に組み立て可能で
小型化および低コストで構成することが可能となる。
【０１１５】また、本発明の半導体発光装置の製造方法
によれば、２つの活性層の組成を各積層体間で互いに異
ならせて形成するので、各活性層からそれぞれ波長の異
なる光を出射することが可能なモノリシック半導体発光
装置を形成することができ、ＣＤやＤＶＤなどの波長の
異なる光ディスクシステムの光学系ピックアップ装置に
好適で、部品点数を減らして光学系の構成を簡素化し、
容易に組み立て可能で小型化および低コストで構成する
ことが可能なレーザダイオードなどを形成することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は第１実施形態に係るレーザダイオードの
断面図である。
【図２】図２は第１実施形態に係るレーザダイオードの
使用例を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）は第１実施形態に係るレーザダイオ
ードをＣＡＮパッケージに搭載する場合の構成を示す斜
視図であり、図３（ｂ）はその要部平面図である。
【図４】図４は、図３のＣＡＮパッケージ化されたレー
ザダイオードを用いた光学ピックアップ装置の構成を示
す模式図である。
【図５】図５（ａ）は第１実施形態に係るレーザダイオ
ードをレーザカプラに搭載する場合の構成を示す斜視図
であり、図５（ｂ）はその要部斜視図である。
【図６】図６は、図５のレーザカプラ化されたレーザダ
イオードを用いた光学ピックアップ装置の構成を示す模
式図である。
【図７】図７は第１実施形態に係るレーザダイオードの
製造方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）は第１
レーザダイオードとなる積層体の形成工程まで、（ｂ）
は第１レーザダイオード領域を残して上記積層体をエッ
チング除去する工程までを示す。
【図８】図８は図７の続きの工程を示し、（ｃ）は第２
レーザダイオードとなる積層体の形成工程まで、（ｄ）
は第２レーザダイオード領域を残して上記積層体をエッ
チング除去する工程までを示す。
【図９】図９は図８の続きの工程を示し、（ｅ）は電流
狭窄構造となるストライプの形成工程まで、（ｆ）はｎ
型およびｐ型電極の形成工程までを示す。
【図１０】図１０は第２実施形態に係るレーザダイオー
ドの断面図である。
【図１１】図１１は第２実施形態に係るレーザダイオー
ドの製造方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）は
第２レーザダイオード領域を残してエッチング除去する
工程まで、（ｂ）は電流狭窄構造となるリッジ構造の形
成工程までを示す。
【図１２】図１２は図１１の続きの工程を示し、（ｃ）
は絶縁膜の形成工程まで、（ｄ）はｎ型およびｐ型電極
の形成工程までを示す。
【図１３】図１３は第３実施形態に係るレーザダイオー
ドの断面図である。
【図１４】図１４は第３実施形態に係るレーザダイオー
ドの製造方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）は
第２レーザダイオード領域を残してエッチング除去する
工程まで、（ｂ）は電流狭窄構造となるリッジ構造の形
成工程までを示す。
【図１５】図１５は図１４の続きの工程を示し、（ｃ）
はリッジ状にエッチングした部分のＧａＡｓによる埋め
込み工程まで、（ｄ）は絶縁膜の除去工程までを示す。
【図１６】図１６は図１５の続きの工程を示し、（ｅ）
はリッジ状にエッチングした部分を残してＧａＡｓを除
去する工程まで、（ｆ）はｎ型およびｐ型電極の形成工
程までを示す。
【図１７】図１７は第３実施形態に係るレーザダイオー
ドの製造方法の製造工程の別の工程を示し、（ａ）はリ
ッジ状にエッチングした部分のＧａＡｓによる埋め込み
工程まで、（ｂ）はリッジ状にエッチングした部分を残
してＧａＡｓを除去する工程までを示す。
【図１８】図１８は第４実施形態に係るレーザダイオー
ドの断面図である。
【図１９】図１９は第４実施形態に係るレーザダイオー
ドの製造方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）は
第１レーザダイオード用のｐ型キャップ層の形成工程ま
で、（ｂ）は第２レーザダイオード形成領域をｎ型化す
る工程までを示す。
【図２０】図２０は図１９の続きの工程を示し、（ｃ）
は第２レーザダイオード用のｐ型キャップ層の形成工程
まで、（ｄ）は第１レーザダイオードおよび第２レーザ
ダイオードとなる層を残してエッチング除去する工程ま
でを示す。
【図２１】図２１は図２０の続きの工程を示し、（ｅ）
は電流狭窄構造となるストライプの形成工程まで、
（ｆ）はｎ型およびｐ型電極の形成工程までを示す。
【図２２】図２２は第５実施形態に係るレーザダイオー
ドの断面図である。
【図２３】図２３は第５実施形態に係るレーザダイオー
ドの製造方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）は
第２レーザダイオード用のｐ型キャップ層の形成工程ま
で、（ｂ）は第１レーザダイオードおよび第２レーザダ
イオードとなる層を残してエッチング除去する工程まで
を示す。
【図２４】図２４は図２３の続きの工程を示し、（ｃ）
は電流狭窄構造となるストライプの形成工程まで、
（ｄ）はｎ型およびｐ型電極の形成工程までを示す。
【図２５】図２５は第１従来例に係る光学ピックアップ
装置の構成図である。
【図２６】図２６は第２従来例に係る光学ピックアップ
装置の構成図である。
【図２７】図２７は第１従来例および第２従来例におい
て用いられるレーザダイオードの断面図である。
【図２８】図２８は発光素子を複数有するレーザダイオ
ードの従来例の断面図である。
【符号の説明】
１ａ…光学ピックアップ装置、１ｂ……レーザカプラ、
２…第１パッケージ部材、３…第２パッケージ部材、１
１…集積回路基板、１２…ＰＩＮダイオード、１３…半
導体ブロック、１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４
ｅ…モノリシックレーザダイオード、ＬＤ１…第１レー
ザダイオード、ＬＤ２…第２レーザダイオード、１６…
前部第１フォトダイオード、１７…後部第１フォトダイ
オード、１８…前部第２フォトダイオード、１９…後部
第２フォトダイオード、２０…プリズム、２０ａ…分光
面、２１…基台、２１ａ…突起部、２２…端子、２３，
１３ｂ，１３ｃ，４３ａ…リード、ＢＳ…ビームスプリ
ッタ、Ｃ…コリメータ、Ｒ…ＣＤ用開口制限アパーチ
ャ、ＭＬ…マルチレンズ、ＰＤ…フォトダイオード、Ｅ
Ｃ…エッチング液、Ｇ…グレーティング、Ｍ…ミラー、
ＯＬ…対物レンズ、Ｄ…光ディスク、Ｌ１…第１レーザ
光、Ｌ２…第２レーザ光、３０…ｎ型基板、３１，３
６，４８，５３…ｎ型バッファ層、３２，３７，４９…
ｎ型クラッド層、３３，３８，５０…活性層、３４，３
９，５１…ｐ型クラッド層、３５，４０，５２…ｐ型キ
ャップ層、４１…絶縁化領域、４２…ｐ型電極、４３，
５４…ｎ型電極、４４，４５…絶縁膜、４６，４６ａ…
ｎ型層、４７…ｎ型化領域、ＳＴ１，ＳＴ２…積層体。

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板に複数個の半導体発光素子を有する半
    導体発光装置であって、 基板と、 前記基板に形成され、少なくとも第１導電型クラッド
    層、活性層および第２導電型クラッド層を積層させたエ
    ピタキシャル成長層である少なくとも２個の積層体とを
    有し、 前記各積層体が空間的に互いに分離されており、 少なくとも前記各活性層の組成が前記各積層体間で互い
    に異なり、 前記各活性層から前記基板と平行な同一の方向にそれぞ
    れ波長の異なる複数の光を出射する半導体発光装置。
  2. 【請求項２】前記各活性層からそれぞれ波長の異なる複
    数のレーザ光を出射する請求項１記載の半導体発光装
    置。
  3. 【請求項３】前記各活性層の組成比が前記各積層体間で
    互いに異なる請求項１記載の半導体発光装置。
  4. 【請求項４】前記各活性層が前記各積層体間で互いに異
    なる組成元素を有する請求項１記載の半導体発光装置。
  5. 【請求項５】前記各第１導電型クラッド層、活性層およ
    び第２導電型クラッド層の組成が前記各積層体間で互い
    に異なる請求項１記載の半導体発光装置。
  6. 【請求項６】前記各活性層からそれぞれ偏光方向の異な
    る光を出射する請求項１記載の半導体発光装置。
  7. 【請求項７】前記積層体として、第１積層体と第２積層
    体を有し、 前記第１積層体と第２積層体がともに前記基板の上層に
    形成されている請求項１記載の半導体発光装置。
  8. 【請求項８】前記基板が第１導電型であり、 前記第１積層体と第２積層体がともに前記第１導電型ク
    ラッド層側から前記基板の上層に積層して形成されてお
    り、前記基板を共通電極として電気的に接続して形成さ
    れている請求項７記載の半導体発光装置。
  9. 【請求項９】前記積層体として、第１積層体と第２積層
    体を有し、 前記第１積層体の上層に前記第２積層体が形成されてい
    る請求項１記載の半導体発光装置。
  10. 【請求項１０】前記基板が第１導電型であり、 前記第２積層体が、前記第１導電型クラッド層側から第
    １導電型化された領域の第１積層体の上層に積層して形
    成されており、当該第１導電型化された領域の第１積層
    体を介して前記基板に電気的に接続して形成されている
    請求項９記載の半導体発光装置。
  11. 【請求項１１】前記基板が第１導電型であり、 前記第２積層体が、前記第１積層体の第２導電型層の上
    層に形成された第１導電型層を介して前記第１積層体の
    上層に形成されている請求項９記載の半導体発光装置。
  12. 【請求項１２】前記各積層体が、それぞれ電流狭窄構造
    を有する請求項１記載の半導体発光装置。
  13. 【請求項１３】前記積層体中に不純物が導入された領域
    が形成されており、前記電流狭窄構造が形成されている
    請求項１２記載の半導体発光装置。
  14. 【請求項１４】前記積層体がリッジ形状に加工されて、
    前記電流狭窄構造が形成されている請求項１２記載の半
    導体発光装置。
  15. 【請求項１５】基板に波長の互いに異なる光を出射する
    第１半導体発光素子と第２半導体発光素子を有する半導
    体発光装置の製造方法であって、 基板上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第
    １導電型第１クラッド層、第１活性層および第２導電型
    第２クラッド層を積層させた第１積層体を形成する工程
    と、 第１半導体発光素子形成領域の前記第１積層体を残し
    て、他の領域の前記第１積層体を除去する工程と、 前記基板上に、エピタキシャル成長法により、少なくと
    も第１導電型第３クラッド層、第２活性層および第２導
    電型第４クラッド層を積層させた第２積層体を形成する
    工程と、 第２半導体発光素子形成領域の前記第２積層体を残し
    て、他の領域の前記第２積層体を除去する工程とを有
    し、 少なくとも前記第１活性層と第２活性層を、それぞれ組
    成を異ならせて形成する半導体発光装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】前記第１活性層と第２活性層を、それぞ
    れ組成比を異ならせて形成する請求項１５記載の半導体
    発光装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】前記第１活性層と第２活性層を、互いに
    異なる組成元素により形成する請求項１５記載の半導体
    発光装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】前記第１導電型第１クラッド層、第１活
    性層および第２導電型第２クラッド層の組成と、前記第
    １導電型第３クラッド層、第２活性層および第２導電型
    第４クラッド層の組成とを異ならせて形成する請求項１
    ５記載の半導体発光装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】基板に波長の互いに異なる光を出射する
    第１半導体発光素子と第２半導体発光素子を有する半導
    体発光装置の製造方法であって、 基板上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第
    １導電型第１クラッド層、第１活性層および第２導電型
    第２クラッド層を積層させた第１積層体を形成する工程
    と、 前記第１積層体上に、エピタキシャル成長法により、少
    なくとも第１導電型第３クラッド層、第２活性層および
    第２導電型第４クラッド層を積層させた第２積層体を形
    成する工程と、 第２半導体発光素子形成領域の前記第２積層体および第
    １積層体と、第１半導体発光素子形成領域の前記第１積
    層体を残して、前記第１積層体および前記第２積層体を
    除去する工程とを有し、 少なくとも前記第１活性層と第２活性層を、それぞれ組
    成を異ならせて形成する半導体発光装置の製造方法。
  20. 【請求項２０】前記第２積層体を形成する工程の前に、
    前記第２半導体発光素子形成領域における第１積層体を
    第１導電型化する工程をさらに有し、 前記第２積層体を形成する工程においては、前記第２積
    層体の第１導電型第３クラッド層側から、前記第１導電
    型化された第１積層体の上層に形成する請求項１９記載
    の半導体発光装置の製造方法。
  21. 【請求項２１】前記第１活性層と第２活性層を、それぞ
    れ組成比を異ならせて形成する請求項１９記載の半導体
    発光装置の製造方法。
  22. 【請求項２２】前記第１活性層と第２活性層を、互いに
    異なる組成元素により形成する請求項１９記載の半導体
    発光装置の製造方法。
  23. 【請求項２３】前記第１導電型第１クラッド層、第１活
    性層および第２導電型第２クラッド層の組成と、前記第
    １導電型第３クラッド層、第２活性層および第２導電型
    第４クラッド層の組成とを異ならせて形成する請求項１
    ９記載の半導体発光装置の製造方法。
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