JP2000244129A

JP2000244129A - 配線基板、コア基板及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000244129A
Application number: JP11332739A
Authority: JP
Inventors: Rokuro Kanbe; 六郎神戸; Yukihiro Kimura; 幸広木村; Koju Ogawa; 幸樹小川
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1998-12-25
Filing date: 1999-11-24
Publication date: 2000-09-08

Abstract

(57)【要約】【課題】搭載するＩＣチップの近くにコンデンサを内
蔵し、しかも製造容易で、歩留まりが高く、製造工程中
にコンデンサの不具合が発見されても損失金額が少ない
構造とした配線基板、およびそのような配線基板に用い
るコア基板、さらには、このコア基板の容易かつ安価な
製造方法を提供する。【解決手段】配線基板１００は、コア基板１１０とこ
のコア基板１１０の表面１１０Ａおよび裏面１１０Ｂに
それぞれ積層された３層の樹脂絶縁層１２１〜１７１
と、この樹脂絶縁層同士の間に配線層１２５〜１５５と
を有する。コア基板１１０は、エポキシ樹脂及びＢａＴ
ｉＯ３粉末を含む複合誘電体層１１１〜１１５とこれを
挟んで対向する複数の金属層１０１〜１０６とから構成
される層状コンデンサＣ１を備え、内層金属層１０２〜
１０５は、第１，第２スルーホール導体１０７Ａ，１０
７Ｂで１層おきに接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コア基板とこの表
裏面に積層された樹脂絶縁層と配線層とを有する配線基
板、コア基板及びコア基板の製造方法に関し、特に、コ
ンデンサを内蔵し、ノイズの侵入を防止した配線基板、
コア基板及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＩＣチップのアース配線と電
源配線との間にノイズ除去用のデカップリングコンデン
サを設けることが行われており、例えば、配線基板の表
面や裏面等にチップコンデンサを搭載したものが用いら
れている。図２２に示す配線基板３００では、コア基板
３１０の表裏面（図中上下面）にそれぞれ３層の樹脂絶
縁層３２０，３４０，３６０，３３０，３５０，３７０
が積層形成され、各層間には、配線層３１５，３２５，
３４５，３３５，３５５が形成されている。さらに、こ
の配線基板３００の基板裏面（図中下面）３００Ｂに
は、チップキャパシタＣＣがハンダＳＬによって配線層
（パッド）３５５に搭載されている。この配線基板３０
０では、チップキャパシタＣＣの２つの電極ＣＣＡ，Ｃ
ＣＢは、各配線層３２５等およびスルーホール導体３１
６を通じて、配線基板３００の基板上面３００Ａ、即
ち、配線層（パッド）３４５まで引き出され、基板上面
３００Ａで接続するＩＣチップと接続されるようになっ
ている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなチップコンデンサを配線基板に搭載、接続すると、
そのための工数がかかる。また、基板裏面やＩＣチップ
の周囲にチップキャパシタを配置することになるため、
ＩＣチップからチップキャパシタまでの距離が長くな
り、その途中の配線にノイズが侵入する。そこで、コン
デンサを配線基板と一体に、しかもＩＣチップの近傍に
形成するため、樹脂絶縁層の一部を誘電体層としたコン
デンサを配線基板中に形成することが考えられる。

【０００４】しかし、薄い誘電体層を広い面積の電極層
で挟んだコンデンサの構造を、例えば、図２２における
樹脂絶縁層３２０と配線層３１５，３２５で構成するな
ど、樹脂絶縁層と配線層で実現しようとすると、ショー
トなどの不具合が生じやすく、配線基板の歩留まりが大
きく低下する。また、コア基板に樹脂絶縁層や配線層等
を形成して付加価値が付いた状態で、形成したコンデン
サの不具合が発見されることとなるため、不具合品の廃
棄に伴う損失金額も大きくなる。

【０００５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、搭載するＩＣチップの近くにコンデンサ
を内蔵し、しかも製造容易で、歩留まりが高く、製造工
程中にコンデンサの不具合が発見されても損失金額が少
ない構造とした配線基板、およびそのような配線基板に
用いるコア基板、さらには、このコア基板の容易かつ安
価な製造方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】そしてそ
の解決手段は、コア基板と、上記コア基板の表面及び裏
面に積層された１または複数の樹脂絶縁層と、上記コア
基板と上記樹脂絶縁層の間及び上記樹脂絶縁層同士の間
の少なくともいずれかに形成された配線層とを有する配
線基板であって、上記コア基板は、樹脂および高誘電体
粉末を含む複数の複合誘電体層と、上記複数の複合誘電
体層と交互に積層され、これらの層間及び最下層の上記
複合誘電体層の下面及び最上層の上記複合誘電体層の上
面に形成され、上記複合誘電体層を挟んで対向する複数
の金属層と、上記複数の複合誘電体層及び複数の金属層
を貫通する貫通孔内に形成され、上記コア基板表面及び
コア基板裏面まで延びる複数のスルーホール導体と、を
備え、上記複数の複合誘電体層と上記複数の金属層と
は、層状コンデンサを構成し、上記複数のスルーホール
導体は、上記複数の金属層のうち上記層間に形成された
内側金属層から１層おきに選択した第１内側金属層に直
接接続する複数の第１スルーホール導体と、上記内側金
属層のうち上記第１スルーホール導体とは非接続の第２
内側金属層と直接接続する複数の第２スルーホール導体
と、上記内側金属層のいずれとも非導通の複数の第３ス
ルーホール導体と、を含む、配線基板である。

【０００７】本発明の配線基板では、このうちのコア基
板に複合誘電体層と金属層とで構成される層状コンデン
サを備えているので、ＩＣチップなどの電子部品に近い
位置に静電容量の大きなコンデンサを配置できるため、
ノイズ除去などの効果が良好に得られる。また、コア基
板に層状コンデンサを内蔵させたので、層状コンデンサ
の特性やショートの有無等を検査し、合格したコア基板
のみを用いて配線基板を形成、即ち樹脂絶縁層や配線層
等を形成できるから、配線基板の製造において、歩留ま
りも高くできる。また、内蔵のコンデンサがショート等
の不具合を生じていたとしても、樹脂絶縁層や配線層が
形成されていないコア基板の状態で廃棄すればよいの
で、付加価値が低く不具合発生に伴う損失を低く抑える
ことができる。従って、安価な配線基板とすることがで
きる。

【０００８】しかも、層状コンデンサの電極をなす金属
層の電位をコア基板の表面、さらには裏面で取り出せる
ようにするために、所望の金属層と導通するスルーホー
ル導体をコア基板に形成してある。具体的には、上記複
数の金属層のうち、コア基板表面および裏面に位置する
金属層を除いた内層に位置する金属層、つまり層間に形
成された内層金属層の電位を、コア基板の表面および裏
面まで導く第１スルーホール導体及び第２スルーホール
導体を備える。また、内層金属層に接続しない第３スル
ーホール導体も含まれている。このようにこの配線基板
では、３種のスルーホール導体がコア基板の表面および
裏面にまで延びているので、このコア基板の裏面側に形
成した配線層と表面側に形成した配線層とを、このスル
ーホール導体で容易に接続できる。従って、例えば、裏
面側で裏面側の配線層とマザーボードなどの他の配線基
板とを接続し、表面側で表面側の配線層とＩＣチップな
どの電子部品とを接続すると、このスルーホール導体を
通じて、他の配線基板と電子部品とを接続することがで
きる。

【０００９】しかも、第１スルーホール導体と第２スル
ーホール導体の間には層状コンデンサが並列に形成され
るので、この第１，第２スルーホール導体にそれぞれ電
源配線と接地配線とを接続することで、この電源配線と
接地配線との間のノイズを容易かつ確実に除去しつつ、
マザーボードなどの他の配線基板から電子部品に電力を
供給することができる。また、前記層状コンデンサの金
属層から前記配線基板の電子部品搭載面（表面）まで延
びる配線は、スタックドビアを含むことを特徴とすると
良い。ＩＣチップ等とコンデンサの電極（金属層）とを
結ぶ配線は、できるだけ短く、太い配線とすることで配
線の持つインダクタンスが低減でき、ノイズの侵入を抑
制できるからである。

【００１０】ここで、複合誘電体層に含まれる樹脂とし
ては、誘電率や耐熱性等を考慮して選択すればよく、例
えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の樹
脂が挙げられる。また、高誘電体粉末としては、高い誘
電率を有する物質の粉末であればよいが、例えば、Ｂａ
ＴｉＯ₃、ＰｂＴｉＯ₃、ＰｂＺｒＯ₃、Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚ
ｒ）Ｏ₃（いわゆるＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ₃、
ＳｒＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＭｇＴｉＯ₃等の高誘電率
セラミックの粉末等が挙げられる。さらに、複合誘電体
層の誘電率を上げるため、例えば、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，
Ａｇ−Ｐｄ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ等の金属粉末を含めること
もできる。

【００１１】他の解決手段は、コア基板と、上記コア基
板の表面および裏面に積層された１または複数の樹脂絶
縁層と、上記コア基板と上記樹脂絶縁層の間及び上記樹
脂絶縁層同士の間の少なくともいずれかに形成された配
線層とを有する配線基板であって、上記コア基板は、中
心基板と、この中心基板の表面および裏面にそれぞれ形
成され、樹脂および高誘電体粉末を含む１または複数の
複合誘電体層とこれを挟んで対向する複数の金属層とを
交互に積層してなる層状コンデンサと、上記表面側の層
状コンデンサ、上記中心基板、上記裏面側の層状コンデ
ンサを貫通する貫通孔内に形成され、上記コア基板表面
及びコア基板裏面まで延びる複数のスルーホール導体
と、を備え、上記複数のスルーホール導体は、上記表面
側の層状コンデンサに含まれる上記複数の金属層のう
ち、表面側層状コンデンサの一方の電極をなす１または
複数の金属層に直接接続し、上記裏面側の層状コンデン
サに含まれる上記複数の金属層のうち、裏面側層状コン
デンサの一方の電極をなす１または複数の金属層に直接
接続する第１スルーホール導体と、上記表面側の層状コ
ンデンサに含まれる上記複数の金属層のうち、表面側層
状コンデンサの他方の電極をなす１または複数の金属層
に直接接続し、上記裏面側の層状コンデンサに含まれる
上記複数の金属層のうち、裏面側層状コンデンサの他方
の電極をなす１または複数の金属層に直接接続する第２
スルーホール導体と、上記表面側層状コンデンサ及び裏
面側層状コンデンサの電極のいずれとも非導通の第３ス
ルーホール導体と、を含む配線基板である。

【００１２】本発明の配線基板によれば、中心基板の表
面及び裏面に層状コンデンサを有する。このため、ＩＣ
チップなどの電子部品に近い位置にコンデンサを配置で
きるので、ノイズ除去などの効果が良好に得られる。ま
た、コア基板に層状コンデンサを形成しているので、層
状コンデンサの特性やショートの有無等を検査し合格し
たコア基板のみを用いて配線基板を形成できるから、配
線基板の製造において、歩留まりも高くできる。また、
樹脂絶縁層や配線層が形成されていないコア基板の状態
で廃棄すればよいので、付加価値が低く不具合発生に伴
う損失を低く抑えることができる。従って、安価な配線
基板とすることができる。

【００１３】しかも、層状コンデンサの電極をなす金属
層の電位は、第１スルーホール導体及び第２スルーホー
ル導体によってコア基板の表面および裏面で取り出せ
る。また、層状コンデンサの電極のいずれとも非導通の
第３スルーホール導体も含まれている。このようにし
て、この配線基板では、スルーホール導体がコア基板の
表面および裏面に延びているので、このコア基板の裏面
側に形成した配線層と表面側に形成した配線層とを、こ
のスルーホール導体で容易に接続できる。従って、例え
ば、裏面側で裏面側の配線層とマザーボードなどの他の
配線基板とを接続し、表面側で表面側の配線層とＩＣチ
ップなどの電子部品とを接続すると、このスルーホール
導体を通じて、他の配線基板と電子部品とを接続するこ
とができる。

【００１４】しかも、第１スルーホール導体と第２スル
ーホール導体の間には層状コンデンサが並列に形成され
るので、この第１，第２スルーホール導体にそれぞれ電
源配線と接地配線とを接続することで、この電源配線と
接地配線との間のノイズを容易かつ確実に除去しつつ、
マザーボードなどの他の配線基板から電子部品に電力を
供給することができる。さらに、この配線基板では、中
心基板の表面および裏面に層状コンデンサを形成してい
るので、中心基板の材質や厚さを適宜選定することで、
コア基板、さらには配線基板の剛性を中心基板に坦持さ
せることができるので、配線基板の剛性を容易に確保す
ることができる。

【００１５】ここで、中心基板としては、耐熱性、機械
的強度、可撓性、加工の容易さ等を考慮して選択すれば
よいが、例えば、ガラス織布、ガラス不織布などのガラ
ス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の
樹脂とのガラス繊維−樹脂複合材料や、ポリアミド繊維
などの有機繊維と樹脂との複合材料、連続気孔を有する
ＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ
樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料などを用
いることができる。これらの樹脂含む材料を中心基板に
用いた場合には、レーザ加工やドリル加工で、層状コン
デンサと共に中心基板に容易に穿孔できる点で好まし
い。また、銅、黄銅、ニッケル、アルミニウム、銅−イ
ンバー−銅クラッド、銅−モリブデン−銅クラッドなど
からなる金属板を用いても良い。これらの金属板を中心
基板として用いる場合には、中心基板をコンデンサの電
極の１つとして用いる構造を採用することもできる。ま
た、前記層状コンデンサの金属層から前記配線基板の電
子部品搭載面（表面）まで延びる配線は、スタックドビ
アを含むことを特徴とすると良い。ＩＣチップ等とコン
デンサの電極（金属層）とを結ぶ配線は、できるだけ短
く、太い配線とすることで配線の持つインダクタンスが
低減でき、ノイズの侵入を抑制できるからである。

【００１６】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記複数のスルーホール導体は、内部にプラグ
材が充填され、前記コア基板表面及びコア基板裏面にそ
れぞれ閉塞部を備え、上記閉塞部のうち、上記コア基板
表面側の表面側閉塞部上には、上記コア基板の表面に積
層された前記樹脂絶縁層を貫通する閉塞部上ビア導体を
備える配線基板とするのが好ましい。

【００１７】このようにスルーホール導体内にプラグ材
を充填し閉塞部を形成し、閉塞部上ビア導体を形成する
ことで、スルーホール導体を通じて層状コンデンサの電
極をより短い距離で、従って、低抵抗かつ低インダクタ
ンスで配線基板表面まで導くことができ、ノイズの侵入
をさらに防止することができる。

【００１８】さらに、上記の配線基板であって、前記閉
塞部上ビア導体にさらにビア導体を積み重ねてなる配線
基板とするのが好ましい。このように、閉塞部上ビア導
体にさらにビア導体を積み重ねるスタックドビアの構造
とすると、閉塞部上ビア導体とその上のビア導体とを直
接接続できる。故に、スルーホール導体を通じて層状コ
ンデンサの電極をさらに短い距離で、従って、さらに低
抵抗かつ低インダクタンスで配線基板表面まで導くこと
ができ、ノイズの侵入を防止することができる。

【００１９】さらに、上記配線基板であって、前記コア
基板のうち、上記配線基板の表面に搭載されるＩＣチッ
プの搭載位置を厚さ方向に投影してなるＩＣ対応部に
は、前記３種のスルーホール導体のうち、前記第１スル
ーホール導体及び第２スルーホール導体が形成され、前
記第３スルーホール導体は形成されないか、またはこの
ＩＣ対応部に形成された前記第１スルーホール導体と第
２スルーホール導体の和よりも少数形成され、上記ＩＣ
対応部の周縁部には、上記第３スルーホール導体が上記
ＩＣ対応部よりも多く形成されている配線基板とすると
良い。

【００２０】前述したように、ＩＣチップの電源端子や
接地端子と配線基板に形成するコンデンサの電極、ある
いは電源配線や接地配線とは、できるだけ短い距離で接
続することが望ましい。配線を低抵抗、低インダクタン
スとして、ノイズの侵入を防止するためである。一方、
信号端子に接続する信号配線は、コンデンサとの接続や
電源配線、接地配線ほど低抵抗、低インダクタンスであ
ることは求められていない。

【００２１】これに対し、本発明の配線基板では、信号
配線等に用いる第３スルーホール導体は、ＩＣ対応部よ
りもその周縁部に多く形成されている。つまり、多くの
第３スルーホール導体は、ＩＣ対応部の周縁部に形成さ
れている。このため、ＩＣチップの直下に位置するＩＣ
対応部において、第１スルーホール導体や第２スルーホ
ール導体を形成するにあたって、第３スルーホール導体
を配置を考慮する必要が無い、あるいは必要が少なくな
る。従って、第１スルーホール導体や第２スルーホール
導体を適切な位置に配置して、これらとＩＣチップの電
源端子や接地端子との間を、ごく短い距離で結ぶことが
できる。これにより、第１，第２スルーホール導体とＩ
Ｃチップの電源端子や接地端子との間の抵抗やインダク
タンスをできるだけ低くして、この部分で侵入するノイ
ズを低減することができる。さらに、この配線基板で
は、第１，第２スルーホール導体の間に層状コンデンサ
が形成されているので、この点でもノイズを低減させる
ことができる。なお、上記から容易に理解できるよう
に、ＩＣ対応部の周縁部に、すべての第３スルーホール
導体を形成し、ＩＣ対応部内に、第３スルーホール導体
を形成しないようにしても良く、このようにするのがさ
らに好ましい。

【００２２】さらに、他の解決手段は、その表面及び裏
面に１または複数の樹脂絶縁層及び配線層を形成して配
線基板とするためのコア基板であって、樹脂および高誘
電体粉末を含む複数の複合誘電体層と、上記複数の複合
誘電体層と交互に積層され、これらの層間及び最下層の
上記複合誘電体層の下面及び最上層の上記複合誘電体層
の上面に形成され、上記複合誘電体層をそれぞれ挟んで
対向する複数の金属層と、上記複数の複合誘電体層及び
複数の金属層を貫通する貫通孔内に形成され、上記コア
基板表面及びコア基板裏面（最下層の複合誘電体層の下
面及び上記最上層の複合誘電体層の上面）まで延びる複
数のスルーホール導体と、を備え、上記複数の複合誘電
体層と上記複数の金属層は、層状コンデンサを構成し、
上記複数のスルーホール導体は、上記複数の金属層のう
ち上記層間に形成された内側金属層から１層おきに選択
した第１内側金属層に直接接続する第１スルーホール導
体と、上記内側金属層のうち上記第１スルーホール導体
とは非接続の第２内側金属層と直接接続する第２スルー
ホール導体と、上記内側金属層のいずれとも非導通の第
３スルーホール導体と、を含む、コア基板である。

【００２３】本発明によれば、ショート等の不具合を生
じやすいコンデンサをコア基板に内蔵させたことによ
り、コア基板が完成した時点で層状コンデンサの静電容
量やショートの有無等を判定することができる。従っ
て、配線基板を形成するにあたり、所定規格に合格した
コア基板のみを使用することができるので、配線基板全
体の歩留まりを高くすることができる。また、樹脂絶縁
層や配線層を形成して付加価値が付いた状態で、層状コ
ンデンサのショートや容量不良などの不具合が発見され
て廃棄される場合を少なくできるので、損失金額も抑制
できる。

【００２４】しかも、層状コンデンサの電極をなす金属
層の電位をコア基板の表面、さらには裏面で取り出し
て、コア基板の表面側及び裏面側に形成する配線層と容
易に接続できるようにするために、所定の内側金属層と
導通するスルーホール導体をコア基板に形成してある。
具体的には、上記複数の金属層のうちコア基板表面およ
び裏面に位置する金属層を除いた内層に位置する金属
層、つまり層間に形成された内層金属層の電位を、コア
基板の表面および裏面まで導く第１スルーホール導体及
び第２スルーホール導体を備える。また、内層金属層に
接続しない第３スルーホール導体も含まれている。この
ようにこのコア基板では、３種のスルーホール導体がそ
れぞれコア基板の表面および裏面にまで延びているの
で、このコア基板の裏面側に形成した配線層と表面側に
形成した配線層とを、このスルーホール導体で容易に接
続できる。しかも、第１スルーホール導体と第２スルー
ホール導体の間には層状コンデンサが並列に形成される
ので、この第１，第２スルーホール導体にそれぞれ電源
配線と接地配線とを接続することで、この電源配線と接
地配線との間のノイズを容易かつ確実に除去することが
できる。

【００２５】さらに他の解決手段は、その表面及び裏面
に１または複数の樹脂絶縁層及び配線層を形成して配線
基板とするためのコア基板であって、中心基板と、この
中心基板の表面および裏面にそれぞれ形成され、樹脂お
よび高誘電体粉末を含む１または複数の複合誘電体層と
これを挟んで対向する複数の金属層とを交互に積層して
なる層状コンデンサと、上記表面側の層状コンデンサ、
上記中心基板、上記裏面側の層状コンデンサを貫通する
貫通孔内に形成され、上記コア基板表面及びコア基板裏
面まで延びる複数のスルーホール導体と、を備え、上記
複数のスルーホール導体は、上記表面側の層状コンデン
サに含まれる上記複数の金属層のうち、表面側層状コン
デンサの一方の電極をなす１または複数の金属層に直接
接続し、上記裏面側の層状コンデンサに含まれる上記複
数の金属層のうち、裏面側層状コンデンサの一方の電極
をなす１または複数の金属層に直接接続する第１スルー
ホール導体と、上記表面側の層状コンデンサに含まれる
上記複数の金属層のうち、表面側層状コンデンサの他方
の電極をなす１または複数の金属層に直接接続し、上記
裏面側の層状コンデンサに含まれる上記複数の金属層の
うち、裏面側層状コンデンサの他方の電極をなす１また
は複数の金属層に直接接続する第２スルーホール導体
と、上記表面側層状コンデンサ及び裏面側層状コンデン
サの電極のいずれとも非導通の第３スルーホール導体
と、を含むコア基板である。

【００２６】本発明のコア基板によれば、中心基板の表
面及び裏面に層状コンデンサを有する。このため、ＩＣ
チップなどの電子部品に近い位置にコンデンサを配置で
きるのでノイズ除去などの効果が良好に得られる。ま
た、コア基板に層状コンデンサを形成しているので、層
状コンデンサの特性やショートの有無等を検査し合格し
たコア基板のみを用いて配線基板を形成できるから、配
線基板の製造において、歩留まりも高くできる。また、
層状コンデンサがショート等の不具合を生じていたとし
ても、樹脂絶縁層や配線層が形成されていないコア基板
の状態で廃棄すればよいので、付加価値が低く不具合発
生に伴う損失を低く抑えることができる。しかも、この
コア基板では、３種のスルーホール導体がそれぞれコア
基板の表面および裏面にまで延びているので、このコア
基板の裏面側に形成した配線層と表面側に形成した配線
層とを、このスルーホール導体で容易に接続できる。

【００２７】さらに、上記のコア基板であって、前記中
心基板は、前記複合誘電体層よりも厚いコア基板とする
のが好ましい。このように中心基板を複合誘電体層より
も厚くすると、中心基板の剛性が高くなり、コア基板ひ
いてはこれを用いた配線基板の剛性を、中心基板に坦持
させることができ、取り扱いの容易なコア基板や配線基
板とすることができる。

【００２８】さらに、上記のコア基板であって、前記中
心基板の表面側に形成された前記複合誘電体層及び金属
層と、前記中心基板の裏面側に形成された前記複合誘電
体層及び金属層とは、層数、材質、及び対応する各層の
厚さが等しくされているコア基板とするのが好ましい。
中心基板の表面側と裏面側で、複合誘電体層や金属層の
層数、材質、対応する各層の厚さが異なると、中心基板
の両面で熱膨張率やコア基板形成の際の収縮などがアン
バランスになり、コア基板に反りが生じることがある。
本発明では、層数、材質、対応する各層の厚さが等しく
されているので、コア基板の反りを生じさせることが無
く、安定した形状のコア基板とすることができる。

【００２９】さらに、上記のコア基板であって、前記複
数のスルーホール導体は、内部にプラグ材が充填され、
前記コア基板表面及びコア基板裏面にそれぞれ閉塞部を
備えるコア基板とするのが好ましい。スルーホール導体
に閉塞部を形成しておくと、この閉塞部上にさらにビア
導体（閉塞部上ビア導体）を形成することができるよう
になる。この閉塞部上ビア導体を形成すると、スルーホ
ール導体とビア導体との間に配線層が介在せず、両者が
直接接続するため、低抵抗、低インダクタンスの配線と
実現することができる。

【００３０】さらに、上記いずれかに記載のコア基板で
あって、コア基板の平面方向中央部には、前記３種のス
ルーホール導体のうち、前記第１スルーホール導体及び
第２スルーホール導体が形成され、前記第３スルーホー
ル導体は形成されないか、この中央部に形成された前記
第１スルーホール導体と第２スルーホール導体の和より
も少数形成されており、コア基板の平面方向周縁部に
は、上記第３スルーホール導体が上記中央部よりも多数
形成されているコア基板とすると良い。

【００３１】配線基板にＩＣチップを搭載する場合、一
般に配線基板の中央部にＩＣチップを搭載する。ところ
で前述したように、ＩＣチップの電源端子や接地端子と
配線基板に形成するコンデンサ、あるいは電源配線や接
地配線とは、できるだけ短い距離で接続することが望ま
しい。配線を低抵抗、低インダクタンスとして、ノイズ
の侵入を防止するためである。一方、信号端子に接続す
る信号配線は、コンデンサや電源配線、接地配線ほど低
抵抗、低インダクタンスであることは求められていな
い。

【００３２】これに対し、本発明のコア基板では、信号
配線等に用いる第３スルーホール導体は、中央部よりも
その周縁部に多く形成されている。つまり、多くの第３
スルーホール導体は、周縁部に形成されている。このた
め、ＩＣチップの直下に位置する中央部において、第１
スルーホール導体や第２スルーホール導体を形成するに
あたって、第３スルーホール導体を配置を考慮する必要
が無い、あるいは必要が少なくなる。従って、第１スル
ーホール導体や第２スルーホール導体を適切な位置に配
置して、これらとＩＣチップの電源端子や接地端子との
間を、ごく短い距離で結ぶことができる。これにより、
層状コンデンサの各電極に接続する第１，第２スルーホ
ール導体とＩＣチップの電源端子や接地端子との間の抵
抗やインダクタンスをできるだけ低くして、この部分で
侵入するノイズを低減させることができる。

【００３３】さらに他の解決手段は、層状コンデンサを
構成する、樹脂および高誘電体粉末を含む１または複数
の複合誘電体層と、上記複合誘電体層をそれぞれ挟んで
対向する複数の金属層と、を備えるコア基板の製造方法
であって、金属箔と、半硬化の樹脂と高誘電体粉末とを
含む半硬化複合誘電体層と、補強フィルムとをこの順に
有する三層フィルムを形成する三層フィルム形成工程
と、上記三層フィルムの金属箔を所定パターンに成形
し、パターン化金属箔と半硬化複合誘電体層と補強フィ
ルムとからなるパターン化三層フィルムを形成するパタ
ーン化三層フィルム形成工程と、上記補強フィルムが剥
がされた１の上記三層フィルムと１または複数の上記パ
ターン化三層フィルムとを、上記１の三層フィルムの金
属箔を最下層として半硬化複合誘電体層とパターン化金
属箔とが交互に重なるように積層し、最上面の上記半硬
化複合誘電体層に金属箔を重ね、熱プレスして、積層板
を形成する積層板形成工程と、上記積層板の表裏面を貫
通する複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、上記
貫通孔内にスルーホール導体を形成すると共に、上記積
層体の表裏面に表面側金属層及び裏面側金属層を形成す
る表裏面金属層形成工程と、を備えることを特徴とする
コア基板の製造方法である。

【００３４】本発明のコア基板の製造方法では、三層フ
ィルムおよびパターン化三層フィルムを予め形成してお
き、積層板形成工程で補強フィルムを剥がした三層フィ
ルム、パターン化三層フィルムおよび金属箔を順に積層
して熱プレスして、一挙に積層板を形成する。従って、
ビルドアップ多層配線基板を形成する場合のように、１
層ずつ順に複合誘電体層や金属層を形成する必要はな
く、三層フィルムやパターン化三層フィルムを予め別々
に形成しておき、積層して一挙に積層板を形成できるの
で、コア基板製造の工程が単純で短くなり、コア基板を
安価に製造できる。また、補強フィルムを有する三層フ
ィルム及びパターン化三層フィルムを用いたので、複合
誘電体層や金属箔あるいはパターン化金属箔のハンドリ
ング容易であり、たとえ金属箔や半硬化複合誘電体層の
厚さを薄くした場合でも作業性が良いため、容易にコア
基板を製造することができる。また、半硬化複合誘電体
層が補強フィルムで覆われているため、半硬化のために
粘着性がある状態の半硬化複合誘電体層にゴミなどが付
着することをも防止し、ゴミによる不具合発生も防止す
ることができる。

【００３５】ここで、前記コア基板の製造方法におい
て、前記三層フィルム形成工程は、前記樹脂と高誘電体
粉末とを含む複合誘電体ペーストを前記金属箔に塗布
し、未硬化複合誘電体層に補強フィルムを貼り付け、加
熱して上記樹脂を半硬化させて前記三層フィルムを形成
することを特徴とするコア基板の製造方法とすると良
い。金属箔に複合誘電体ペーストを塗布するため、三層
フィルムの段階で、あるいは積層板とした後でも、金属
箔やパターン化金属箔と複合誘電体層との密着性が良好
となるからである。また、両者間に空気やゴミ等が入り
難いため不具合の発生を防止することもできる。

【００３６】さらに、積層する際に接着剤を用いても良
い。即ち、前記コア基板の製造方法において、前記積層
板形成工程は、前記１の三層フィルムの金属箔を最下層
として半硬化複合誘電体層とパターン化金属箔とを接着
剤層を介して交互に重なるように積層し、最上面の前記
半硬化複合誘電体層に金属箔を接着剤層を介して重ね、
熱プレスすることを特徴とするコア基板の製造方法とし
ても良い。このようにすると、複合誘電体層と金属箔を
確実に接着させた積層体とすることができるからであ
る。一方、接着剤層を介さずに積層した場合には、接着
剤を用いた場合に比して層状コンデンサの静電容量を大
きくすることができる。

【００３７】さらに、上記のコア基板の製造方法であっ
て、前記貫通孔形成工程は、前記パターン化金属箔から
１層おきに選択した第１パターン化金属箔が内周に露出
する第１貫通孔と、上記パターン化金属箔のうち上記第
１パターン化金属箔に選択されなかった残余の第２パタ
ーン化金属箔が内周に露出する第２貫通孔と、上記パタ
ーン化金属箔のいずれも内周に露出しない第３貫通孔
と、を形成するコア基板の製造方法とすると良い。

【００３８】このように３種のスルーホール導体を形成
すると、１層おきに第１パターン化金属箔と第２パター
ン化金属箔とは複合誘電体層を挟んで対向した状態とな
り、積層された層状コンデンサを容易に形成できるから
である。

【００３９】さらに他の解決手段は、中心基板と、この
中心基板の表面及び裏面のうち少なくともいずれかに、
層状コンデンサを構成する、樹脂および高誘電体粉末を
含む１または複数の複合誘電体層と、これを挟んで対向
する複数の金属層と、を備えるコア基板の製造方法であ
って、金属箔と、半硬化の樹脂と高誘電体粉末とを含む
半硬化複合誘電体層と、補強フィルムとをこの順に有す
る三層フィルムを形成する三層フィルム形成工程と、表
面及び裏面のうち少なくともいずれかに所定パターンの
金属層を備える中心基板の上記金属層に、上記補強フィ
ルムが剥がされた上記三層フィルムの半硬化複合誘電体
層を重ね、熱プレスして、積層板を形成する積層板形成
工程と、上記積層板の表裏面を貫通する複数の貫通孔を
形成する貫通孔形成工程と、上記貫通孔内にスルーホー
ル導体を形成すると共に、上記積層板の表裏面に表面側
金属層及び裏面側金属層を形成する表裏面金属層形成工
程と、を備えることを特徴とするコア基板の製造方法で
ある。

【００４０】本発明のコア基板の製造方法では、三層フ
ィルムを予め形成しておき、積層板形成工程で補強フィ
ルムが剥がされた三層フィルムを中心基板の表裏面のう
ち少なくともいずれかに積層し熱プレスして、一挙に積
層板を形成する。従って、ビルドアップ多層配線基板を
形成する場合のように、中心基板の表面や裏面に１層ず
つ順に複合誘電体層や金属層を形成する必要はなく、三
層フィルムを予め別に形成しておき、積層して一挙に積
層板を形成できるので、コア基板製造の工程が単純で短
くなり、コア基板を安価に製造できる。また、補強フィ
ルムを有する三層フィルムを用いたので、複合誘電体層
や金属層のハンドリング容易であり、たとえ金属箔や
（半硬化）複合誘電体層の厚さを薄くした場合でも、作
業性が良いため、容易にコア基板を製造することができ
る。また、半硬化複合誘電体層が補強フィルムで覆われ
ているため、半硬化のために粘着性がある状態の半硬化
複合誘電体層にゴミなどが付着することをも防止し、ゴ
ミによる不具合発生も防止することができる。

【００４１】ここで、前記コア基板の製造方法におい
て、前記三層フィルム形成工程は、前記樹脂と高誘電体
粉末とを含む複合誘電体ペーストを前記金属箔に塗布
し、未硬化複合誘電体層に補強フィルムを貼り付け、加
熱して上記樹脂を半硬化させて前記三層フィルムを形成
することを特徴とするコア基板の製造方法とすると良
い。金属箔に複合誘電体ペーストを塗布するため、三層
フィルムの段階で、あるいは積層板とした後でも、金属
箔と複合誘電体層との密着性が良好となるからである。
また、両者間に空気やゴミ等が入り難いため不具合の発
生を防止することもできる。

【００４２】さらに、他の解決手段は、中心基板と、こ
の中心基板の表面及び裏面のうち少なくともいずれか
に、層状コンデンサを構成する、樹脂および高誘電体粉
末を含む複数の複合誘電体層と、上記複合誘電体層をそ
れぞれ挟んで対向する複数の金属層と、を備えるコア基
板の製造方法であって、金属箔と、半硬化の樹脂と高誘
電体粉末とを含む半硬化複合誘電体層と、補強フィルム
とをこの順に有する三層フィルムを形成する三層フィル
ム形成工程と、上記三層フィルムの金属箔を所定パター
ンに成形し、パターン化金属箔と半硬化複合誘電体層と
補強フィルムとからなるパターン化三層フィルムを形成
するパターン化三層フィルム形成工程と、表面及び裏面
のうち少なくともいずれかに所定パターンの金属層を備
える中心基板の上記金属層上に、上記補強フィルムが剥
がされた１または複数の上記パターン化三層フィルム
を、上記金属層またはパターン化金属箔と半硬化複合誘
電体層とが重なるように積層し、最上面の上記パターン
化金属箔上に上記補強フィルムが剥がされた１の上記三
層フィルムの半硬化複合誘電体層が重なるように積層
し、熱プレスして、積層板を形成する積層板形成工程
と、上記積層板の表裏面を貫通する複数の貫通孔を形成
する貫通孔形成工程と、上記貫通孔内にスルーホール導
体を形成すると共に、上記積層板の表裏面に表面側金属
層及び裏面側金属層を形成する表裏面金属層形成工程
と、を備えることを特徴とするコア基板の製造方法であ
る。

【００４３】本発明のコア基板の製造方法では、三層フ
ィルム及びパターン化三層フィルムを予め形成してお
き、積層板形成工程で補強フィルムを剥がしたパターン
化三層フィルム及び三層フィルムを中心基板の表面及び
裏面のうち少なくともいずれかに積層し熱プレスして、
一挙に積層板を形成する。従って、ビルドアップ多層配
線基板を形成する場合のように、中心基板の表面や裏面
に１層ずつ順に複合誘電体層や金属層を形成する必要は
なく、三層フィルムやパターン化三層フィルムを予め別
に形成しておき、積層して一挙に積層板を形成できるの
で、コア基板製造の工程が単純で短くなり、コア基板を
安価に製造できる。また、補強フィルムを剥がした三層
フィルムとパターン化三層フィルムとを積層したので、
形成される層状コンデンサの静電容量を大きくすること
ができる。

【００４４】また、補強フィルムを有する三層フィルム
やパターン化三層フィルムを用いたので、複合誘電体層
や金属層のハンドリング容易であり、たとえ金属箔や半
硬化複合誘電体層の厚さを薄くした場合でも、作業性が
良いため、容易にコア基板を製造することができる。ま
た、半硬化複合誘電体層が補強フィルムで覆われている
ため、半硬化のために粘着性がある状態の半硬化複合誘
電体層にゴミなどが付着することをも防止し、ゴミによ
る不具合発生も防止することができる。

【００４５】

【発明の実施の形態】（実施形態１）次いで、本発明に
係るコア基板、配線基板及びその製造方法の実施の形態
を図面と共に説明する。図１に示すコア基板１１０は、
５層の複合誘電体層１１１〜１１５、これらの複合誘電
体層１１１等と交互に積層され、その層間及び複合誘電
体層１１１の図中下面及び複合誘電体層１１５の図中上
面にそれぞれ形成されたＣｕからなる金属層１０１〜１
０６、及び貫通孔Ｈの内周面に形成され同じくＣｕから
なるスルーホール導体１０７を備える。複合誘電体層１
１１等とこれらを介して対向する金属層１０１等は、５
層の誘電体層を有する層状のコンデンサＣ１を構成して
いる。内側の各金属層（内側金属層）１０２〜１０５の
うち、共通電位とするもの（例えば、金属層１０３と１
０５、あるいは１０２と１０４）は、例えば、第１スル
ーホール導体１０７Ａあるいは第２スルーホール導体１
０７Ｂによって、それぞれコア基板表面１１０Ａあるい
はコア基板裏面１１０Ｂの金属層１０１，１０６に導通
される。つまり、内側金属層のうち１層おきに選択した
第１内側金属層１０２，１０４は第１スルーホール導体
１０７Ａに直接接続している。一方、選択されなかった
第２内側金属層１０３，１０５は第２スルーホール導体
１０７Ｂに直接接続している。また、外側の金属層１０
１，１０６は、層状コンデンサＣ１を構成する電極とし
て用いられる他、配線層として用いられる。

【００４６】なお、スルーホール導体１０７には、第３
スルーホール導体１０７Ｃのように、信号配線等に用い
るため、内部の金属層１０２等とは導通しないものもあ
る。このコア基板１１０では、上記したように金属層１
０２と１０４及び金属層１０１と１０６の一部が互いに
導通しており、一方、金属層１０３と１０５及び金属層
１０１と１０６の一部が互いに導通している。従って、
これらの金属層同士が、各複合誘電体層１１１等を挟ん
で対向することにより、層状コンデンサＣ１をなしてい
る。

【００４７】しかも、３種のスルーホール導体１０７
Ａ，１０７Ｂ，１０７Ｃは、コア基板１１０の表面１１
０Ａ及び裏面１１０Ｂまで延びているので、コア基板１
１０の裏面１１０Ｂ側に形成する配線層と表面１１０Ａ
側に形成する配線層とをこれらのスルーホール導体１０
７を介して接続することができる。ここで、例えば第１
スルーホール導体１０７Ａを電源配線に、また第２スル
ーホール導体１０７Ｂを接地配線に接続すると、電源電
位と接地電位との間に層状コンデンサＣ１を並列に挿入
したことになるので、これらの電位に重畳されるノイズ
を吸収することができる。一方、信号配線などは、第３
スルーホール導体１０７Ｃに接続すれば、層状コンデン
サＣ１と絶縁した状態で、コア基板１１０内を通すこと
ができる。

【００４８】複合誘電体層１１１等は、いずれも厚さ５
０μｍとされ、ＢａＴｉｏ₃粉末を３０vol％及びＣｕ
粉末を２０vol％、エポキシ樹脂中に分散させたセラミ
ック−金属−樹脂複合材料からなるもので、高誘電率
（比誘電率εｒ＝約１８０００）のＢａＴｉｏ₃粉末及
びＣｕ粉末の混入により通常の樹脂より誘電率が高くさ
れている（εｒ＝３０）。このため、コア基板１１０が
構成（内蔵）する層状コンデンサＣ１の静電容量が比較
的大きな値（静電容量３．０ｎＦ）とされている。

【００４９】次いで、配線基板１００について説明す
る。図２に示す配線基板１００は、このコア基板１１０
の表裏面１１０Ａ，１１０Ｂに、それぞれエポキシ樹脂
からなる３層の樹脂絶縁層１２１，１４１，１６１，１
３１，１５１，１７１およびＣｕからなる２層の配線層
１２５，１４５，１３５，１５５を形成したものであ
る。各配線層１２５等は、樹脂絶縁層１２１等の層間に
形成されると共に、下層に位置する金属層や配線層と接
続するためのビア導体１２５Ｖ，１４５Ｖ，１３５Ｖ，
１５５Ｖを含む。また、コア基板１１０のスルーホール
導体１０７の内部には、それぞれエポキシ樹脂からなる
プラグ材１１６が充填され、金属層１０１，１０６にそ
れぞれ形成した閉塞部１０１Ｃ，１０６Ｃによって閉じ
られている。

【００５０】この配線基板１００は上記説明から容易に
理解できるように、コア基板１１０に形成した層状コン
デンサＣ１を内蔵しており、配線基板表面（ＩＣチップ
搭載面）１００Ａに搭載するＩＣチップ（図示しない）
と層状コンデンサとを極めて近い距離で接続することが
できる。従って、ノイズ除去を確実に行うことができ
る。また、樹脂配線層１２１，１４１等自身を高誘電率
のものとした場合と異なり、樹脂絶縁層１２１等の層間
に形成する配線層１２５，１４５，１３５，１５５のう
ち信号配線を、従来と同様の線幅で設計し引き回すこと
ができる。樹脂絶縁層１２１等に、従来と同様のエポキ
シ樹脂を使用できるので、これらの誘電率が変わらず、
従って、信号配線のインピーダンスも変わらないからで
ある。従って、信号配線層含む配線層の設計等も容易に
できる。

【００５１】さらに、閉塞部１０１Ｃ，１０６Ｃを形成
し、この閉塞部１０１Ｃ，１０６Ｃ上に、この閉塞部と
直接接続する閉塞部上ビア導体１２５Ｖ１，１３５Ｖ１
をそれぞれ形成している。このようにすると、スルーホ
ール導体１０７と閉塞部上ビア導体１２５Ｖ１，１３５
Ｖ１とをごく短い距離で接続できるので、配線層１２５
等の持つ抵抗やインダクタンスを低減させることができ
る。従って、特に、層状コンデンサＣ１とＩＣチップと
の間の配線を短くし、低抵抗、低インダクタンスとし
て、ノイズの侵入を防止するのに役立つ。

【００５２】次いで、上記コア基板１１０の製造方法を
説明する。まず、三層フィルム形成工程について説明す
る。図３（ａ）に示すように、厚さ１８μｍの銅箔１１
を用意し、その上面１１Ａにエポキシ樹脂ペーストにＢ
ａＴｉｏ₃の粉末及びＣｕ粉末を分散させた複合誘電体
ペーストを厚さ１０〜１００μｍの範囲（本例では、約
６０μｍ）に塗布して未硬化複合誘電体層１２Ｃを形成
する。その後、表面の粘着性を維持しつつ粘度を上げる
ため、５０℃×６０分の乾燥を行う。

【００５３】次いで、厚さ２００μｍのポリイミドやポ
リエステルからなる補強フィルムＲＦを未硬化複合誘電
体層の表面１２Ａに貼り付け、８０℃×６０分の条件で
加熱し、銅箔１１，半硬化状態の複合誘電体層１２、補
強フィルムＲＦをこの順に有する三層フィルム１０を形
成する。この三層フィルム１０は、補強フィルムＲＦで
補強されているので、たとえ銅箔１１及び後述するパタ
ーン化銅箔２１，３１や半硬化複合誘電体層１２の厚さ
が薄くても、各工程におけるハンドリングに耐える剛性
を持つため、取り扱いが容易で、図１に示すような薄い
金属層１０１等や薄い複合誘電体層１１１等を持つコア
基板を容易に形成できる。また、この三層フィルム１０
では、粘着性のある半硬化複合誘電体層１２を銅箔１１
および補強フィルムＲＦで挟んだ構造となっているの
で、半硬化複合誘電体層１２にほこりが付着することも
防止される。さらに、この三層フィルム１０では、銅箔
１１上に複合誘電体ペーストを塗布して未硬化複合誘電
体層１２Ｃを形成したので、銅箔１１と半硬化複合誘電
体層１２との間に空気やほこりが介在せず、また両者の
密着性が良好である。なお、さらにこの両者の密着性を
向上させるため、銅箔１１の上面１１Ａを予め、黒化処
理、針状メッキ、粗化エッチング等の手法により粗化し
ておくと、より好ましい。

【００５４】次いで、パターン化三層フィルム形成工程
について説明する。図４（ａ）に示すように、この三層
フィルム１０のうち銅箔１１の露出面１１Ｂ（図中上
面）にドライフィルムＤＦを貼り、露光現像して所定パ
ターンの開口ＤＦＯを形成する。次いで、図４（ｂ）に
示すように、銅箔１１をエッチングして所定パターンの
第１パターン化銅箔２１とし、ドライフィルムＤＦを剥
離して、第１パターン化三層フィルム２０を形成する。
同様にして、図４（ｃ）に示すように、第１パターン化
三層フィルム２０とは異なる第２パターン化銅箔３１を
有する第２パターン化三層フィルム３０も形成する。な
お、次述する積層板形成工程において、積層した際、隣
り合う半硬化複合誘電体層１２との密着性を向上させる
ため、パターン化銅箔２１、３１の露出面を予め、黒化
処理、針状メッキ、粗化エッチング等の手法により粗化
しておくと、より好ましい。

【００５５】その後、積層板形成工程において、図５
（ａ）に示すように、図３（ｂ）に示す三層フィルム１
０のうち補強フィルムＲＦを剥がした二層フィルム１０
Ｃの銅箔１１を下（最下層）にして、同じく第１，第２
パターン化三層フィルム２０，３０の補強フィルムＲＦ
をそれぞれ剥がした第１，第２パターン化二層フィルム
２０Ｃ，３０Ｃを順に積層する。具体的には、半硬化複
合誘電体層１２とパターン化銅箔２１，３１とが交互に
重なるように積層する。なお、本実施形態では、第１パ
ターン化二層フィルム２０Ｃと第２パターン化二層フィ
ルム３０Ｃとをそれぞれ２層ずつ、交互に積層した。そ
して、最上面の半硬化複合誘電体層１２上に厚さ１８μ
ｍの銅箔４１を重ね、真空中で、１８０℃×２Ｈｒ、３
０ｋｇ／ｃｍ²の条件で図中上下方向に熱プレスして、
複合誘電体層のエポキシ樹脂を硬化させ、図５（ｂ）に
示す積層体５０を一挙に形成する。この積層体５０は、
５層の複合誘電体層１１１〜１１５と所定パターンの金
属層１０２〜１０５が交互に積層され、その表裏面５０
Ａ，５０Ｂに銅箔１１，４１を有している。

【００５６】その後、貫通孔形成工程において、図６に
示すように、この積層板５０の表裏面５０Ａ，５０Ｂ間
を貫通する直径６０μｍの貫通孔ＨをＹＡＧレーザの第
４高調波を用いて所定位置に穿孔する。穿孔した貫通孔
Ｈの内周面には、金属層１０２等の端面１０２Ｈ，１０
４Ｈあるいは１０３Ｈ，１０５Ｈが露出するものも形成
されている。つまり、内層金属層１０２〜１０５となる
パターン化金属箔２１，３１のうち、１層おきに選択し
た第１パターン化金属箔２１，２１が内周に露出する第
１貫通孔Ｈ１、選択されなかった第２パターン化金属層
３１，３１が内周に露出する第２貫通孔Ｈ２、及びいず
れのパターン化金属層２１，３１も露出しない第３貫通
孔Ｈ３を形成する。なお、穿孔は、孔径や積層板の材質
等を考慮して、ＹＡＧレーザの第３高調波やＣＯ２レー
ザ、あるいはドリルによって行っても良い。

【００５７】さらに、表裏面金属層形成工程において、
貫通孔Ｈ内に公知のＰＴＨ形成手法によりスルーホール
導体１０７を形成すると共に、銅箔１１，４１を利用し
て、所定パターンの金属層１０１，１０６を形成し、コ
ア基板１１０を完成させる（図１参照）。なお、スルー
ホール導体１０７のうち例えば第１、第２スルーホール
導体１０７Ａ，１０７Ｂと金属層１０２等とは、端面１
０２Ｈ等で導通するため、上述したように、層状コンデ
ンサの対向電極をなす金属層１０２等は、この第１、第
２スルーホール導体１０７Ａ，１０７Ｂ等を通じて、コ
ア基板１１０の表裏面１１０Ａ，１１０Ｂまで導かれ、
それぞれ金属層１０１，１０６と導通している。

【００５８】このコア基板１１０の状態で、層状コンデ
ンサＣ１のショート不良の有無や絶縁抵抗、あるいは、
静電容量をチェックする。これにより、例えば金属層１
０２と１０３とが接触してショートしている場合など、
層状コンデンサＣ１がショート不良である場合、あるい
は、静電容量が規格範囲外である場合などでは、コア基
板１１０は不良と判断され、廃棄される。コンデンサの
静電容量が大きいほどノイズ除去能力が高まるので、で
きるだけ静電容量を高くするのが好ましいが、そのため
には、複合誘電体層１１１等の厚さを薄く、あるいは、
コア基板１１０の面積（具体的には各金属層の面積）を
広く、さらには、複合誘電体層の誘電率を高くするため
に銅粉末等の金属粉末の添加量を増加させる等の手法が
考えられる。

【００５９】しかし、この手法のいずれも、コンデンサ
のショート不良を生じさせやすくするものであるため、
層状コンデンサのショート不良が増加し、歩留まりが低
下しやすくなる。これに対し、本実施形態では、コア基
板１１０の状態で層状コンデンサのチェックができるの
で、樹脂絶縁層等が形成されておらず付加価値の比較的
低いコア基板１１０の段階で不具合品を除去できるか
ら、次述する配線基板１００の製造工程中あるいは製造
後において、層状コンデンサ不良による歩留まりの低下
や廃棄品による損失を低く抑えることができる。

【００６０】以降は、このコア基板１１０を通常のコア
基板と同様に用いて、公知の手法により配線基板１００
を形成すれば良い。具体的には、まず図７に示すよう
に、スルーホール導体１０７の内部の貫通孔１０７Ｈに
エポキシ樹脂からなるプラグ材１１６を充填し、メッキ
によって閉塞部１０１Ｃ，１０６Ｃを形成する。

【００６１】ついで、感光性エポキシ樹脂フィルムをコ
ア基板１１０の表裏面１１０Ａ，１１０Ｂに貼り付け、
露光現像してビアホールを形成した後に硬化させて樹脂
絶縁層１２１，１３１とし、さらにセミアディティブ法
によって、銅からなりビア導体１２５Ｖ，１３５Ｖを含
む配線層１２５，１３５を形成する（図８参照）。

【００６２】その後は、同様にして樹脂絶縁層１４１，
１５１及びビア導体１４５Ｖ，１５５Ｖを含む配線層１
４５，１５５を形成し、さらに、ソレダーレジストの役
割を果たす樹脂絶縁層１６１，１７１を形成して配線基
板１００が完成する（図２参照）。

【００６３】上記の説明から容易に理解できるように、
本実施形態では、積層体５０を形成するのに、三層フィ
ルム１０やパターン化三層フィルム２０，３０を用いた
ため、複合誘電体層１１１等や金属層１０１，１０２等
を順に形成する必要が無く、必要な層数分の三層フィル
ム１０やパターン化三層フィルム２０等を用意し、積層
して一挙に形成できるため、容易にコア基板１１０を形
成することができる。また、このコア基板１１０は、層
状コンデンサを内蔵しながらも、従来のコア基板を用い
た場合と同様の設備や工程によって、その表裏面１１０
Ａ，１１０Ｂに樹脂絶縁層１２１等や配線層１２５等を
形成できるため、コンデンサを内蔵した配線基板１００
が容易に形成できる。

【００６４】（変形例）次いで、上記実施形態１の変形
例のコア基板５１０及び配線基板５００について、図面
を参照して説明する。本変形例のコア基板５１０及び配
線基板５００は、上記実施形態１のコア基板１１０及び
配線基板１００と同様な材質からなり、ほぼ同様な構造
を有している。但し、上記配線基板１００では、ビア導
体１２５Ｖに対しビア導体１４５を平面方向にずらした
位置に形成したいわゆるスタッガードビア形式で製造し
たが、本変形例では、ビア導体を厚さ方向に積み重ねて
形成するスタックドビアの形式で形成している。また、
本変形例のコア基板の形成する３種のスルーホール導体
５０７Ａ，５０７Ｂ，５０７Ｃほ平面方向の配置に特徴
がある点で異なるので、異なる部分を中心に説明し、同
様な部分は省略あるいは簡略化して説明する。

【００６５】まず、本変形例にかかるコア基板５１０に
ついて説明する。図９の部分拡大断面図に示すようにコ
ア基板５１０は、実施形態１のコア基板１１０と同様
に、５層の複合誘電体層５１１〜５１５、これらの複合
誘電体層５１１等と交互に積層され、その層間及び複合
誘電体層５１１の図９中下面及び複合誘電体層５１５の
図９中上面にそれぞれ形成されたＣｕからなる金属層５
０１〜５０６、及び貫通孔Ｈの内周面に形成され同じく
Ｃｕからなるスルーホール導体５０７を備える。複合誘
電体層５１１等とこれらを介して対向する金属層５０１
等は、５層の誘電体層を有する層状のコンデンサＣ５１
を構成している。なお、内側金属層５０２〜５０５のう
ち、１層おきに選択した第１内側金属層５０２，５０４
は第１スルーホール導体５０７Ａに直接接続し、それぞ
れコア基板表面１１０Ａあるいはコア基板裏面１１０Ｂ
の金属層５０１，５０６に導通されている。一方、選択
されなかった第２内側金属層５０３，５０５は第２スル
ーホール導体５０７Ｂに直接接続して、同様に金属層５
０１，５０６に導通されている。また、外側の金属層５
０１，５０６は、層状コンデンサＣ５１を構成する電極
として用いられる他、配線層として用いられる。

【００６６】スルーホール導体５０７には、第３スルー
ホール導体５０７Ｃのように、信号配線等に用いるた
め、内部の金属層５０２等とは導通しないものもある。
このコア基板５１０では、上記したように金属層５０２
と５０４及び金属層５０１と５０６の一部が互いに導通
しており、一方、金属層５０３と５０５及び金属層５０
１と５０６の一部が互いに導通している。従って、これ
らの金属層同士が、各複合誘電体層５１１等を挟んで対
向することにより、層状コンデンサＣ５１をなしてい
る。しかも、３種のスルーホール導体５０７Ａ，５０７
Ｂ，５０７Ｃは、コア基板５１０の表面５１０Ａ及び裏
面５１０Ｂまで延びているので、コア基板５１０の裏面
５１０Ｂ側に形成する配線層と表面５１０Ａ側に形成す
る配線層とをこれらのスルーホール導体５０７を介して
接続することができる。ここで、例えば第１スルーホー
ル導体５０７Ａを電源配線に、また第２スルーホール導
体５０７Ｂを接地配線に接続すると、電源電位と接地電
位との間に層状コンデンサＣ５１を並列に挿入したこと
になるので、これらの電位に重畳されるノイズを吸収す
ることができる。一方、信号配線などは、第３スルーホ
ール導体５０７Ｃに接続すれば、層状コンデンサＣ５１
と絶縁した状態で、コア基板５１０内を通すことができ
る。

【００６７】次いで、本変形例にかかる配線基板５００
について説明する。図１１に配線基板５００の部分拡大
断面図を、図１２にその平面図を、図１３にその底面図
を示す。配線基板５００は、上記実施形態１とほぼ同様
の断面構造を有しており、上記コア基板５１０の表裏面
５１０Ａ，５１０Ｂに、それぞれエポキシ樹脂からなる
３層の樹脂絶縁層５２１，５４１，５６１，５３１，５
５１，５７１およびＣｕからなる２層の配線層５２５，
５４５，５３５，５５５をそれぞれ形成したものであ
る。各配線層５２５等には、樹脂絶縁層１２１等の層間
に形成されると共に、下層に位置する金属層や配線層と
接続するためのビア導体５２５Ｖ，５４５Ｖ，５３５
Ｖ，５５５Ｖを含む。また、コア基板５１０のスルーホ
ール導体５０７の内部には、それぞれエポキシ樹脂から
なるプラグ材５１６が充填され、金属層５０１，５０６
にそれぞれ形成した閉塞部５０１Ｃ，５０６Ｃによって
閉じられている。

【００６８】また、この配線基板５００の表面５００Ａ
側には、図１２の平面図に示すように、平面方向略中央
部にＩＣチップＣＨを搭載するようになっており、中央
部にはＩＣチップＣＨの端子ＣＨＢをフリップチップ接
続で接続できるように、樹脂絶縁層５６１に形成した開
口５６１Ｈが、略格子状に多数形成されている。この開
口５６１Ｈ内には、図１１から容易に理解できるよう
に、配線層５４５あるいはビア導体５４５Ｖが露出して
いる。一方、配線基板５００の裏面５００Ｂ側は、図１
３の底面図に示すように、樹脂絶縁層５７１の平面方向
ほぼ全面に格子状に開口５７１Ｈが形成され、マザーボ
ードなど他の配線基板との接続のため、開口５７１内に
はビア導体５５５Ｖを含む配線層５５５が露出してい
る。

【００６９】この配線基板５００も、実施形態１の配線
基板１００と同様、コア基板５１０に形成した層状コン
デンサＣ５１を内蔵しており、ＩＣチップ搭載面である
配線基板表面５００Ａに搭載するＩＣチップＣＨと層状
コンデンサＣ５１とを極めて近い距離で接続することが
できる。従って、ノイズ除去を確実に行うことができ
る。また、信号配線も従来と同様の線幅で設計し引き回
すことができ、信号配線層含む配線層の設計等も容易に
できる。また、閉塞部５０１Ｃ，５０６Ｃを形成し、ビ
ア導体５２５Ｖ，５３５Ｖを閉塞部５０１Ｃ等を直接接
続する閉塞部上ビア導体としているので、スルーホール
導体５０７と閉塞部上ビア導体５２５Ｖ等とをごく短い
距離で接続でき、配線層５２５等の持つ抵抗やインダク
タンスを低減させることができる。

【００７０】さらに、この配線基板５００では、ビア導
体５２５Ｖ，５３５Ｖの上にビア導体５４５Ｖ，５５５
Ｖを積み重ねたスタックドビア形式としているものもあ
る。特に、図１１に２点鎖線で示すように、配線基板５
００にＩＣチップＣＨを搭載した際のＩＣチップに対応
する部分、即ち、ＩＣチップＣＨを厚さ方向に投影して
なるＩＣ対応部Ｑ内の第１，第２スルーホール導体５０
７Ａ，５０７ＢとＩＣチップＣＨの端子ＣＨＢとを結ぶ
配線について、上記のようなスタックドビア形式で形成
している。このようにスタックドビアの形式にすると、
特に、層状コンデンサＣ５１とＩＣチップとの間の配線
を短くできるので、さらに低抵抗、低インダクタンスに
なりノイズの侵入を防止するのに役立つ。

【００７１】ここで、上述したように配線基板表面５０
０Ａ側にＩＣチップＣＨを搭載し、裏面５００Ｂ側で他
の配線基板と接続するので、配線基板５００内では、開
口５６１Ｈ内に露出する配線層５４５及びビア導体５４
５Ｖと、開口５７１Ｈ内に露出する配線層５５５との間
を結ぶ配線を形成する。そのため、コア基板５１０に、
上述したように３種のスルーホール導体５０７を形成す
るのであるが、本変形例のコア基板５１０では、スルー
ホール導体５０７を図１０に示すようにして平面方向に
配置する。なお、本図においては、第１，第２スルーホ
ール導体５０７Ａ，５０７Ｂは黒丸で、第３スルーホー
ル導体５０７は白丸で表して、スルーホール導体の種類
による配置の違いを理解しやすく表現している。なお、
本図でも、２点鎖線で囲まれた部分は、ＩＣ対応部Ｑを
示す。このＩＣ対応部Ｑは、コア基板５１０のほぼ中央
部に位置している。さらに、１点鎖線で示すＰＰ’断面
が、図９に示す断面に相当する。

【００７２】図１０から容易に理解できるように、中央
部であるＩＣ対応部Ｑ内では、３種類のスルーホール導
体５０７Ａ，５０７Ｂ，５０７Ｃのうち、第１スルーホ
ール導体５０７Ａと第２スルーホール導体５０７Ｂが数
多く形成されている。これに対し、第３スルーホール導
体５０７Ｃは、少数形成されているだけで、第１、第２
スルーホール導体５０７Ａ，５０７Ｂの数よりも少なく
なっている。一方、ＩＣ対応部Ｑの外側の周縁部には、
第３スルーホール導体５０７Ｃが数多く形成されてお
り、第３スルーホール導体５０７Ｃについてみると、Ｉ
Ｃ対応部Ｑ内に形成された数よりも、その周縁部に形成
された数の方が多くされている。つまり、信号配線等に
用いる第３スルーホール導体５０７Ｃの多くは、ＩＣ対
応部Ｑよりもその周縁部に形成される。

【００７３】このようにスルーホール導体５０７を配置
するのは、以下の理由からである。即ち、ＩＣチップＣ
Ｈの端子ＣＨＢを、コア基板５１０の層状コンデンサＣ
５１の各電極（金属層）５０１〜５０６と、従って、第
１スルーホール導体５０７Ａ及び第２スルーホール導体
５０７Ｂとをできるだけ短い距離で接続するのが好まし
い。このため、第１，第２スルーホール導体５０７Ａ，
５０７ＢをＩＣチップＣＨの直下に位置させるのが好ま
しく、しかも、多数の第１，第２スルーホール導体５０
７Ａ，５０７Ｂを形成して並列に接続すると、第１、第
２スルーホール導体５０７Ａ等やこれらとＩＣチップと
を結ぶ配線の抵抗をさらに低減させることができる。従
って、ＩＣチップＣＨの直下、つまりＩＣ対応部Ｑに多
数の第１、第２スルーホール導体５０７Ａ，５０７Ｂを
形成するのが好ましい。一方、第３スルーホール導体５
０７Ｃを用いる信号配線などは、それほど低抵抗や低イ
ンダクタンスであることを求められないので、抵抗やイ
ンダクタンスの面から言えば、必ずしもＩＣ対応部Ｑ内
に形成する必要はない。従って、できるだけ第３スルー
ホール導体５０７ＣをＩＣ対応部Ｑの周縁部に配置する
ことにより、第３スルーホール導体５０７Ｃを考慮する
必要が少なくなり、多数の第１，第２スルーホール導体
５０７Ａ等を、容易に配置することができるようにな
る。つまり、より低抵抗、低インダクタンスで層状コン
デンサＣ５１とＩＣチップＣＨとを接続することができ
るようになる。

【００７４】本変形例の配線基板５００では、スルーホ
ール導体５０７に設けた閉塞部５０１Ｃ，５０６Ｃにビ
ア導体５２５Ｖ，５３５Ｖを直接重ねて形成しただけで
なく、ビア導体５２５Ｖと５４５Ｖ、５３５Ｖと５５５
Ｖとを積み重ねたスタックドビア形式で配線を形成して
いる。このため、ＩＣチップＣＨとさらに低抵抗、低イ
ンダクタンスに接続することができる。さらに、この配
線基板及びコア基板５１０では、３種のスルーホール導
体５０７の配置を考慮し、中央部のＩＣ対応部Ｑでは、
第１，第２スルーホール導体５０７Ａ，５０７Ｂが第３
スルーホール導体５０７Ｃよりも多くなるように配置
し、しかも、第３スルーホール導体５０７Ｃは、ＩＣ対
応部Ｑの周縁部の形成された数が、ＩＣ対応部Ｑ内に形
成されたものの数より多くなるようにしたので、第１，
第２スルーホール導体５０７Ａ，５０７Ｂを多数容易に
形成することができ、層状コンデンサ５１とＩＣチップ
ＣＨとを、さらに低抵抗、低インダクタンスで接続する
ことができる。なお、本変形例のコア基板５１０及び配
線基板５００は、上記実施形態１と同様にして形成れば
よい。

【００７５】（実施形態２）次に、第２の実施の形態に
ついて説明する。本実施形態のコア基板２１０は、その
中心に中心基板２１１を有し、その表裏面に層状コンデ
ンサを備えた点で実施形態１と異なるので、異なる部分
を中心に説明し、同様な部分は省略あるいは簡略化して
説明する。

【００７６】図１４に示す本実施形態のコア基板２１０
は、ガラス繊維−エポキシ樹脂複合材料からなる厚さ６
００μｍの中心基板２１１と、その表裏面２１１Ａ，２
１１Ｂにそれぞれ形成された層状コンデンサＣ２１，Ｃ
２２とを備える。具体的には、中心基板２１１と、厚さ
５０μｍでＢａＴｉｏ₃粉末を３０vol％及びＣｕ粉末を
２０vol％エポキシ樹脂中に分散させたセラミック−金
属−樹脂複合材料からなる複合誘電体層２１２，２１３
と、それぞれこれを挟んで対向しＣｕからなる金属層２
０１，２０３及び２０２，２０４とを備え、さらに貫通
孔Ｈの内周面に形成され同じくＣｕからなるスルーホー
ル導体２０７をも備える。複合誘電体層２１２，２１３
とこれらを介して対向する金属層２０１と２０３、２０
２と２０４とは、それぞれ層状のコンデンサＣ２１，Ｃ
２２を構成している。内層の金属層２０１，２０２は第
１スルーホール導体２０７Ａあるいは第２スルーホール
導体２０７Ｂによって、それぞれコア基板表面２１０Ａ
あるいはコア基板裏面２１０Ｂの金属層２０３，２０４
に導通される。

【００７７】つまり、第１スルーホール導体２０７Ａ
は、表面側の層状コンデンサＣ２１に含まれる金属層の
うち、この層状コンデンサＣ２１の一方の電極をなす金
属層２０３に直接接続し、さらに、裏面側の層状コンデ
ンサＣ２２に含まれる金属層のうち、この層状コンデン
サＣ２２の一方の電極をなす金属層２０２に直接接続し
ている。また、第２スルーホール導体２０７Ｂは、表面
側の層状コンデンサＣ２１に含まれる金属層のうち、こ
の層状コンデンサＣ２１の他方の電極をなす金属層２０
１に直接接続し、さらに、裏面側の層状コンデンサＣ２
２に含まれる金属層のうち、この層状コンデンサＣ２２
の他方の電極をなす金属層２０４に直接接続している。

【００７８】また、外側の金属層２０３，２０４は、層
状コンデンサＣ２１，Ｃ２２を構成する電極としても用
いられる他、配線層として用いられる。なお、スルーホ
ール導体２０７には、第３スルーホール導体２０７Ｃの
ように、信号配線等に用いるため、内部の金属層２０
１，２０２とは導通しないものもある。しかも、３種の
スルーホール導体２０７Ａ，２０７Ｂ，２０７Ｃは、コ
ア基板２１０の表面２１０Ａ及び裏面２１０Ｂまで延び
ているので、コア基板２１０の裏面２１０Ｂ側に形成す
る配線層と表面２１０Ａ側に形成する配線層とをこれら
のスルーホール導体２０７を介して接続することができ
る。

【００７９】このコア基板２１０は、中心基板２１１を
中心として、その表面２１１Ａおよび裏面２１１Ｂに、
それぞれ１層の複合誘電体層２１２，１２３及び２層の
金属層２０１，２０３と２０２，２０４を形成してい
る。しかも、表面が和と裏側に対応する層についてみる
と、これらの材質は同材質で、同じ厚さにされている。
従って、このコア基板２０１は、これらのアンバランス
による反りが発生し難い。

【００８０】容易に理解できるように、このコア基板２
１０においても、実施形態１のコア基板１１０と同様
に、層状コンデンサＣ２１，Ｃ２２を内蔵しているの
で、このコア基板２１０にさらに樹脂絶縁層や配線層を
形成して配線基板を製作した場合には、ＩＣチップのご
く近傍にコンデンサを配置することとなるため、ノイズ
の侵入を有効に防止することができる。具体的に言う
と、例えば第１スルーホール導体２０７Ａを電源配線
に、また第２スルーホール導体２０７Ｂを接地配線に接
続すると、電源電位と接地電位との間に層状コンデンサ
Ｃ２１，２２を並列に挿入したことになるので、これら
の電位に重畳されるノイズを吸収することができる。な
お、信号配線などは、第３スルーホール導体２０７Ｃに
接続すれば、層状コンデンサＣ２１，２２と絶縁した状
態で、コア基板２１０内を通すことができる。

【００８１】さらに、このコア基板２１０では、複合誘
電体層２１２，２１３よりも厚く、ガラス繊維−エポキ
シ樹脂複合材料からなる中心基板２１１を用い、この表
裏面２１１Ａ，２１１Ｂに金属層２０１等及び複合誘電
体層２１２，２１３を形成しているので、コア基板２１
０の機械的強度が高く、変形等に耐えることができるた
め、取り扱いがさらに容易となる。中心基板２１１の剛
性が高いので、これにコア基板２１０全体の剛性を坦持
させることができるためである。なお、上記実施形態１
では、層状コンデンサＣ１の誘電体層として、いずれも
エポキシ樹脂にＢａＴｉＯ３粉末やＣｕ粉末を混入した
複合誘電体層１１１〜１１５を用いた。しかし、静電容
量が低下するものの、例えば、複合誘電体層１１１，１
１５に代えて、ＢａＴｉＯ３粉末さらにはＣｕ粉末を混
入していない樹脂による誘電体層を用いるなど、層状コ
ンデンサを構成する誘電体層の一部が高誘電体粉末を含
まない材質であっても良い。

【００８２】次いで、配線基板２００について説明す
る。図１５に示す配線基板２００は、上記コア基板２１
０の表裏面２１０Ａ，２１０Ｂに、実施形態１と同様
に、エポキシ樹脂からなる３層の樹脂絶縁層２２１，２
４１，２６１，２３１，２５１，２７１およびＣｕから
なる２層の配線層２２５，２４５，２３５，２５５をそ
れぞれ形成したものである。各配線層２２５等は、樹脂
絶縁層２２１等の層間に形成されると共に、ビア導体２
２５Ｖ，２４５Ｖ，２３５Ｖ，２５５Ｖを含む。また、
コア基板２１０のスルーホール導体２０７の内部には、
それぞれエポキシ樹脂からなるプラグ材２１６が充填さ
れ、金属層２０３，２０４にそれぞれ形成した閉塞部２
０３Ｃ，２０４Ｃによって閉じられている。

【００８３】この配線基板２００も、コア基板２１０に
形成した層状コンデンサを内蔵しており、配線基板表面
１００Ａに搭載するＩＣチップ（図示しない）と層状コ
ンデンサとを極めて近い距離で接続することができ、ノ
イズ除去を確実に行うことができる。また、実施形態１
と同様に、配線層２２５等を従来と同様の線幅で設計し
引き回すことができる。従って、信号配線層含む配線層
の設計等も容易にできる。

【００８４】さらに、閉塞部２０３Ｃ，２０４Ｃを形成
し、この閉塞部２０３Ｃ，２０４Ｃ上に、ビア導体２２
５Ｖ，２３５Ｖをそれぞれ形成している。このビア導体
２２５Ｖ，２３５Ｖは、閉塞部２０３Ｃ，２０４Ｃと直
接接続する閉塞部上ビア導体となっている。このように
すると、スルーホール導体１０７とビア導体２２５Ｖ，
２３５Ｖとをごく短い距離で接続できるので、配線層２
２５等の持つ抵抗やインダクタンスを低減させることが
できる。従って、特に、層状コンデンサＣ２１，Ｃ２２
とＩＣチップとの間の配線を短くし、低抵抗、低インダ
クタンスとして、ノイズの侵入を防止するのに役立つ。
なお、実施形態１においては、各ビア導体１２５等の位
置をずらしながら形成するスタッガードビアの形式で製
作してある（図２参照）が、この配線基板２００におい
ては、図１５から容易に理解できるように、各ビア導体
２２５Ｖと２４５Ｖ、２３５Ｖと２５５Ｖとは、積み重
なった状態、即ちスタックドビアの形式で形成されてい
る。このスタックドビアで形成すると、コンデンサの電
極、即ち金属層２０１等を配線基板表面２００Ａまで引
き出す配線の長さが短くでき、しかも、皿状のスタッガ
ードビアと異なり、下に位置するビア導体２２５Ｖ，２
３５Ｖは導体が充填された形状となるため、配線も太く
形成でき抵抗が低くなる。従って、配線の持つインダク
タンスは小さくなるので、さらにノイズの侵入を抑制す
ることができる。

【００８５】次いで、上記コア基板２１０の製造方法を
説明する。三層フィルム形成工程は、実施形態１と同様
（図３参照）である。一方、図１６に示すように、予め
中心基板２１１の表裏面２１１Ａ，２１１Ｂにそれぞれ
所定パターンの金属層２０１，２０２を形成しておく。

【００８６】その後、積層板形成工程において、図１７
（ａ）に示すように、三層フィルム１０の補強フィルム
ＲＦを剥がした二重フィルム１０Ｃを、それぞれ金属層
２０１，２０２と半硬化複合誘電体層１２とが重なるよ
うにして積層する。その後、真空中で、１８０℃×２Ｈ
ｒ、３０ｋｇ／ｃｍ²の条件で図中上下方向に熱プレス
して、複合誘電体層のエポキシ樹脂を硬化させ、一挙に
図１７（ｂ）に示す積層体６０を形成する。この積層体
６０は、中心基板２１１の表裏面２１１Ａ，２１１Ｂに
それぞれ所定パターンの金属層２０１，２０２、複合誘
電体層２１２，２１３、および銅箔１１，１１が積層さ
れたものである。

【００８７】その後、貫通孔形成工程において、図１８
に示すように、この積層板６０の表裏面６０Ａ，６０Ｂ
間を貫通する直径６０μｍの貫通孔ＨをＹＡＧレーザの
第４高調波を用いて所定位置に穿孔する。穿孔した貫通
孔Ｈの内周面には、金属層２０１，２０２の端面２０１
Ｈ，２０２Ｈが露出するものも形成されている。つま
り、金属層２０２が内周に露出する第１貫通孔Ｈ４、金
属層２０１が内周に露出する第２貫通孔Ｈ５、及び金属
層２０１，２０２のいずれも露出しない第３貫通孔Ｈ６
を形成する。

【００８８】さらに、表裏面金属層形成工程において、
貫通孔Ｈ内に公知のＰＴＨ形成手法によりスルーホール
導体２０７を形成すると共に、積層板表裏面６０Ａ，６
０Ｂの銅箔１１，１１を利用して、所定パターンの金属
層２０３，２０４を形成し、コア基板２１０を完成させ
る（図１４参照）。なお、スルーホール導体２０７のう
ち例えば第１、第２スルーホール導体２０７Ａ，２０７
Ｂと金属層２０１，２０２とは、その端面２０１Ｈ等で
それぞれ導通するため、上述したように、層状コンデン
サの対向電極をなす金属層２０１，２０２は、この第
１、第２スルーホール導体２０７Ａ，２０７Ｂ等を通じ
て、コア基板２１０の表裏面２１０Ａ，２１０Ｂまで導
かれ、それぞれ金属層２０３，２０４と導通している。

【００８９】このようにしてコア基板２１０が完成した
ら、実施形態１と同様に、このコア基板２１０の状態
で、層状コンデンサＣ２１，Ｃ２２のショート不良の有
無や絶縁抵抗、あるいは、静電容量をチェックする。こ
れにより、例えば金属層２０１と２０３とが接触してシ
ョートしている場合など、層状コンデンサのショート不
良や静電容量規格外などが検出されると、不良のコア基
板２１０は廃棄される。このコア基板２１０において
も、上記コア基板１１０と同様に、静電容量を高くする
のが好ましいため、複合誘電体層２１２等の厚さを薄く
し、コア基板２１０の面積を広くし、あるいは複合誘電
体層の金属粉添加量を増加させることが考えられる。し
かし、これらにより、層状コンデンサのショート不良が
増加し、歩留まりが低下しやすくなる。これに対し、コ
ア基板２１０では、この状態で層状コンデンサの良否チ
ェックができるので、付加価値の比較的低いコア基板２
１０の段階で不具合品を除去できるから、次述する配線
基板２００の製造工程中あるいは製造後の層状コンデン
サ不良による歩留まりの低下や廃棄品による損失を低く
抑えることができる。

【００９０】以降は、実施形態１と同様、このコア基板
２１０を通常のコア基板と同様に用いて、公知の手法に
より配線基板２００を形成すれば良い。具体的には、図
１９に示すように、スルーホール導体２０７の内部の貫
通孔にエポキシ樹脂からなるプラグ材２１６を充填し、
メッキによって閉塞部２０３Ｃ，２０４Ｃを形成する。
ついで、図２０に示すように、感光性エポキシ樹脂フィ
ルムをコア基板２１０の表裏面２１０Ａ，２１０Ｂに貼
り付け、露光現像してビアホールを形成した後に硬化さ
せて樹脂絶縁層２２１，２３１とし、さらにセミアディ
ティブ法によって、銅からなるビア導体２２５Ｖ，２３
５Ｖを含む配線層２２５，２３５を形成する。その後
は、上記と同様にして樹脂絶縁層２４１，２５１及びビ
ア導体２４５Ｖ，２５５Ｖを含む配線層２４５，２５５
を形成し、さらに、ソレダーレジストの役割を果たす樹
脂絶縁層２６１，２７１を形成して配線基板２００を完
成させる（図１５参照）。

【００９１】なお、上記実施形態では、中心基板２１１
の表面２１１Ａに金属層２０１，２０３及び複合誘電体
層２１２からなる層状コンデンサＣ２１を、また、裏面
２１１Ｂに金属層２０２，２０４及び複合誘電体層２１
３からなる層状コンデンサＣ２２を形成した例を示した
が、必要とする静電容量が小さいときなど場合に応じ
て、表面又は裏面のいずれかのみに層状コンデンサを形
成しても良い。

【００９２】あるいはこれとは反対に、必要とする静電
容量が大きいときなどには、実施形態２の変形例として
図２１に示すコア基板４１０のように、中心基板２１１
の表裏面に形成する層状コンデンサＣ４１，Ｃ４２の複
合誘電体層をそれぞれ複数（図２１ではそれぞれ２層２
１２，４１４と２１３，４１５）とし、これらと交互に
金属層（図２１では金属層２０１，４０３，４０５，２
０２，４０４，４０６）を形成して、所望金属層同士を
スルーホール導体４０７で相互に接続し、コンデンサの
静電容量を確保するようにしても良い。

【００９３】このコア基板４１０では、第１スルーホー
ル導体４０７Ａは、表面側の層状コンデンサＣ４１に含
まれる金属層のうち、この層状コンデンサＣ４１の一方
の電極をなす金属層４０３に直接接続し、さらに、裏面
側の層状コンデンサＣ４２に含まれる金属層のうち、こ
の層状コンデンサＣ４２の一方の電極をなす金属層２０
２，４０６に直接接続している。また、第２スルーホー
ル導体４０７Ｂは、表面側の層状コンデンサＣ４１に含
まれる金属層のうち、この層状コンデンサＣ４１の他方
の電極をなす金属層２０１，４０５に直接接続し、さら
に、裏面側の層状コンデンサＣ４２に含まれる金属層の
うち、この層状コンデンサＣ４２の他方の電極をなす金
属層４０４に直接接続している。さらに、表面側の層状
コンデンサ４１及び裏面側の層状コンデンサ４２の電極
のいずれとも非導通の第３スルーホール導体４０７Ｃも
含まれている。

【００９４】このコア基板４１０の製造方法としては、
三層フィルム１０の他、所望パターンのパターン化銅箔
２１，３１等を形成したパターン化三層フィルム２０，
３０（図４参照）を予め用意しておく。そして、中心基
板２１１の表裏面２１１Ａ，２１１Ｂに予め形成してお
いた金属層２０１，２０２上に、それぞれ補強フィルム
ＲＦを剥がしたパターン化三層フィルム２０等を先に積
層し、その後補強フィルムＲＦを剥がした三層フィルム
１０を積層し、熱プレスして積層体を形成し、その後は
上記と同様にして形成すればよい。

【００９５】上記の説明から容易に理解できるように、
本実施形態やその変形例においても、積層体６０等を形
成するのに、複合誘電体層２１２，２１３や金属層２０
１，２０２等を順に形成する必要が無い。即ち、金属層
２０１，２０２を形成した中心基板２１１と三層フィル
ム１０、さらにはパターン化三層フィルム２０等を用意
し、これらを積層して一挙に形成できるため、容易にコ
ア基板２１０，４１０を形成することができる。また、
このようにして形成したコア基板２１０，４１０は、層
状コンデンサを内蔵しながらも、従来のコア基板を用い
た場合と同様の設備や工程によって、その表裏面２１０
Ａ，２１０Ｂ，４１０Ａ等に樹脂絶縁層２２１等や配線
層２２５等を形成できるため、コンデンサを内蔵した配
線基板２００などが容易に形成できる。

【００９６】以上において、本発明を実施形態１，２及
びその変形例に即して説明したが、本発明は上記実施形
態等に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもな
い。例えば、実施形態１では、５層の複合誘電体層を積
層したコア基板１１０を示したが、必要な静電容量に応
じて、層数を増やすあるいは減らす等、適宜変更するこ
とができる。また、複合誘電体層として、エポキシ樹脂
にＢａＴｉｏ₃粉末及びＣｕ粉末を分散させたものを使
用したが、他の高誘電率粉末や金属粉末を使用すること
もできる。さらに、上記実施形態ではいずれも、補強フ
ィルムＲＦを剥がした三層フィルム１０あるいはパター
ン化三層フィルム２０，３０、即ち二層フィルム１０Ｃ
あるいはパターン化二層フィルム２０Ｃ，３０Ｃを、銅
箔１１，４１やパターン化銅箔２１，３１等に直接重ね
て積層した。しかし、エポキシ樹脂等からなる接着剤を
塗布あるいは接着材フィルムを配置して接着剤層を介在
させて積層し、熱プレスして積層体を形成しても良い。
この場合には、複合誘電体層１１１等と金属層１０２等
とを確実に接着させた積層体とすることができる。

【００９７】さらに、上記実施形態等では、補強フィル
ムＲＦを貼り付けた三層フィルム１０及びパターン化三
層フィルム２０，３０を用いたが、取り扱いその他を考
慮した上で、補強フィルムＲＦを用いずに、二層フィル
ム１０Ｃやパターン化二層フィルム２０Ｃ，３０Ｃのみ
を用いるようにしても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１にかかるコア基板の部分拡大断面図
である。

【図２】実施形態１にかかる配線基板の部分拡大断面図
である。

【図３】実施形態１にかかるコア基板及び配線基板の製
造方法のうち、（ａ）は銅箔上に複合誘電体層を形成し
た状態、（ｂ）は補強フィルムを貼り付け３層フィルム
を形成した状態を示す。

【図４】実施形態１にかかるコア基板及び配線基板の製
造方法のうち、（ａ）は銅箔上に所定パターンのエッチ
ングレジストを形成した状態、（ｂ）は銅箔をエッチン
グして所定パターンに成形した状態、（ｃ）は銅箔を
（ｂ）と別のパターンに成型した状態を示す。

【図５】実施形態１にかかるコア基板及び配線基板の製
造方法のうち、（ａ）は３層フィルムから補強フィルム
を剥がして積層する様子を、（ｂ）は積層、プレスして
成形された積層板を示す。

【図６】実施形態１にかかるコア基板及び配線基板の製
造方法のうち、図５に示す積層板に貫通孔を形成した状
態を示す。

【図７】実施形態１にかかる配線基板の製造方法のう
ち、図１に示すコア基板のスルーホール導体中央の透孔
内に樹脂を充填し、透孔の上下にも導体を形成した透孔
を塞いだ状態を示す部分拡大断面図である。

【図８】実施形態１にかかる配線基板の製造方法のう
ち、図７に示すコア基板の表裏面上に樹脂絶縁層及び配
線層を形成した状態を示す部分拡大断面図である。

【図９】実施形態１の変形例にかかるコア基板の部分拡
大断面図である。

【図１０】実施形態１の変形例にかかるコア基板のスル
ーホール導体の配置を示す図である。

【図１１】実施形態１の変形例にかかる配線基板の部分
拡大断面図である。

【図１２】実施形態１の変形例にかかる配線基板の平面
図である。

【図１３】実施形態１の変形例にかかる配線基板の底面
図である。

【図１４】実施形態２にかかるコア基板の部分拡大断面
図である。

【図１５】実施形態２にかかる配線基板の部分拡大断面
図である。

【図１６】実施形態２にかかるコア基板及び配線基板の
製造方法のうち、表裏面に所定パターンの金属層を備え
る中心基板の部分拡大断面図である。

【図１７】実施形態２にかかるコア基板及び配線基板の
製造方法のうち、（ａ）は図１１に示す中心基板の表裏
面に、それぞれ補強フィルムを剥がした３層フィルムを
積層する様子を、（ｂ）は積層、プレスして成形された
表裏面積層板を示す。

【図１８】実施形態２にかかるコア基板及び配線基板の
製造方法のうち、図１２に示す表裏面積層板に貫通孔を
形成した状態を示す。

【図１９】実施形態２にかかる配線基板の製造方法のう
ち、図９に示すコア基板のスルーホール導体中央の透孔
内に樹脂を充填し、透孔の上下にも導体を形成した透孔
を塞いだ状態を示す部分拡大断面図である。

【図２０】実施形態２にかかる配線基板の製造方法のう
ち、図１４に示すコア基板の表裏面上に樹脂絶縁層及び
配線層を形成した状態を示す部分拡大断面図である。

【図２１】実施形態２にかかるコア基板の変形例を示す
部分拡大断面図である。

【図２２】下面にチップコンデンサを搭載した従来の配
線基板を示す部分拡大断面図である。

【符号の説明】

１１０，２１０，４１０，５１０コア基板１１０Ａ，２１０Ａ，４１０Ａ，５１０Ａコア基板
表面１１０Ｂ，２１０Ｂ，４１０Ｂ，５１０Ｂコア基板
裏面１００，２００，５００配線基板１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，２１２，２
１３，４１４，４１５，５１１，５１２，５１３，５１
４，５１５複合誘電体層１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，２
０１，２０２，２０３，２０４，４０３，４０４，４０
５，４０６，５０１，５０２，５０３，５０４，５０
５，５０６金属層１０７，２０７，４０７，５０７スルーホール導体１０７Ａ，２０７Ａ，５０７Ａ第１スルーホール導体１０７Ｂ，２０７Ｂ，５０７Ｂ第２スルーホール導体１０７Ｃ，２０７Ｃ，５０７Ｃ第３スルーホール導体Ｃ１，Ｃ２１，Ｃ２２，Ｃ４１，Ｃ４２，Ｃ５１層状
コンデンサ１２１，１３１，１４１，１５１，１６１，１７１，２
２１，２３１，２４１，２５１，２６１，２７１，５２
１，５３１，５４１，５５１，５６１樹脂絶縁層１２５，１３５，１４５，１５５，２２５，２３５，２
４５，２５５，５２５，５３５，５４５，５５５配線
層１２５Ｖ，１３５Ｖ，１４５Ｖ，１５５Ｖ，２２５Ｖ，
２３５Ｖ，２４５Ｖ，２５５Ｖ，５２５Ｖ，５３５Ｖ，
５４５Ｖ，５５５Ｖビア導体２１１中心基板２１１Ａ中心基板表面２１１Ｂ中心基板裏面１０三層フィルム１１，４１銅箔１２半硬化複合誘電体層２１，３１パターン化銅箔ＲＦ補強フィルム５０，６０積層体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】コア基板と、上記コア基板の表面及び裏面
に積層された１または複数の樹脂絶縁層と、上記コア基
板の表面側及び裏面側において、上記コア基板と上記樹
脂絶縁層の間及び上記樹脂絶縁層同士の間の少なくとも
いずれかに形成された配線層と、を有する配線基板であ
って、上記コア基板は、樹脂および高誘電体粉末を含む複数の複合誘電体層と、上記複数の複合誘電体層と交互に積層され、これらの層
間及び最下層の上記複合誘電体層の下面及び最上層の上
記複合誘電体層の上面に形成され、上記複合誘電体層を
挟んで対向する複数の金属層と、上記複数の複合誘電体層及び複数の金属層を貫通する貫
通孔内に形成され、上記コア基板表面及びコア基板裏面
まで延びる複数のスルーホール導体と、を備え、上記複数の複合誘電体層と上記複数の金属層とは、層状
コンデンサを構成し、上記複数のスルーホール導体は、上記複数の金属層のうち上記層間に形成された内側金属
層から１層おきに選択した第１内側金属層に直接接続す
る複数の第１スルーホール導体と、上記内側金属層のうち上記第１スルーホール導体とは非
接続の第２内側金属層と直接接続する複数の第２スルー
ホール導体と、上記内側金属層のいずれとも非導通の複数の第３スルー
ホール導体と、を含む、配線基板。
【請求項２】コア基板と、上記コア基板の表面および裏
面に積層された１または複数の樹脂絶縁層と、上記コア
基板の表面側及び裏面側において、上記コア基板と上記
樹脂絶縁層の間及び上記樹脂絶縁層同士の間の少なくと
もいずれかに形成された配線層とを有する配線基板であ
って、上記コア基板は、中心基板と、この中心基板の表面および裏面にそれぞれ形成され、樹
脂および高誘電体粉末を含む１または複数の複合誘電体
層とこれを挟んで対向する複数の金属層とを交互に積層
してなる層状コンデンサと、上記表面側の層状コンデンサ、上記中心基板、上記裏面
側の層状コンデンサを貫通する貫通孔内に形成され、上
記コア基板表面及びコア基板裏面まで延びる複数のスル
ーホール導体と、を備え、上記複数のスルーホール導体は、上記表面側の層状コンデンサに含まれる上記複数の金属
層のうち、表面側層状コンデンサの一方の電極をなす１
または複数の金属層に直接接続し、上記裏面側の層状コ
ンデンサに含まれる上記複数の金属層のうち、裏面側層
状コンデンサの一方の電極をなす１または複数の金属層
に直接接続する第１スルーホール導体と、上記表面側の層状コンデンサに含まれる上記複数の金属
層のうち、表面側層状コンデンサの他方の電極をなす１
または複数の金属層に直接接続し、上記裏面側の層状コ
ンデンサに含まれる上記複数の金属層のうち、裏面側層
状コンデンサの他方の電極をなす１または複数の金属層
に直接接続する第２スルーホール導体と、上記表面側層状コンデンサ及び裏面側層状コンデンサの
電極のいずれとも非導通の第３スルーホール導体と、を
含む配線基板。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の配線基板
であって、前記コア基板のうち、上記配線基板の表面に搭載されるＩＣチップの搭載位置
を厚さ方向に投影してなるＩＣ対応部には、前記３種の
スルーホール導体のうち、前記第１スルーホール導体及
び第２スルーホール導体が形成され、前記第３スルーホ
ール導体は形成されないか、またはこのＩＣ対応部に形
成された前記第１スルーホール導体と第２スルーホール
導体の和よりも少数形成され、上記ＩＣ対応部の周縁部には、上記第３スルーホール導
体が上記ＩＣ対応部よりも多く形成されている配線基
板。
【請求項４】その表面及び裏面に１または複数の樹脂絶
縁層及び配線層を形成して配線基板とするためのコア基
板であって、樹脂および高誘電体粉末を含む複数の複合誘電体層と、上記複数の複合誘電体層と交互に積層され、これらの層
間及び最下層の上記複合誘電体層の下面及び最上層の上
記複合誘電体層の上面に形成され、上記複合誘電体層を
それぞれ挟んで対向する複数の金属層と、上記複数の複合誘電体層及び複数の金属層を貫通する貫
通孔内に形成され、上記コア基板表面及びコア基板裏面
まで延びる複数のスルーホール導体と、を備え、上記複数の複合誘電体層と上記複数の金属層とは、層状
コンデンサを構成し、上記複数のスルーホール導体は、上記複数の金属層のうち上記層間に形成された内側金属
層から１層おきに選択した第１内側金属層に直接接続す
る第１スルーホール導体と、上記内側金属層のうち上記第１スルーホール導体とは非
接続の第２内側金属層と直接接続する第２スルーホール
導体と、上記内側金属層のいずれとも非導通の第３スルーホール
導体と、を含む、コア基板。
【請求項５】その表面及び裏面に１または複数の樹脂絶
縁層及び配線層を形成して配線基板とするためのコア基
板であって、中心基板と、この中心基板の表面および裏面にそれぞれ形成され、樹
脂および高誘電体粉末を含む１または複数の複合誘電体
層とこれを挟んで対向する複数の金属層とを交互に積層
してなる層状コンデンサと、上記表面側の層状コンデンサ、上記中心基板、上記裏面
側の層状コンデンサを貫通する貫通孔内に形成され、上
記コア基板表面及びコア基板裏面まで延びる複数のスル
ーホール導体と、を備え、上記複数のスルーホール導体は、上記表面側の層状コンデンサに含まれる上記複数の金属
層のうち、表面側層状コンデンサの一方の電極をなす１
または複数の金属層に直接接続し、上記裏面側の層状コ
ンデンサに含まれる上記複数の金属層のうち、裏面側層
状コンデンサの一方の電極をなす１または複数の金属層
に直接接続する第１スルーホール導体と、上記表面側の層状コンデンサに含まれる上記複数の金属
層のうち、表面側層状コンデンサの他方の電極をなす１
または複数の金属層に直接接続し、上記裏面側の層状コ
ンデンサに含まれる上記複数の金属層のうち、裏面側層
状コンデンサの他方の電極をなす１または複数の金属層
に直接接続する第２スルーホール導体と、上記表面側層状コンデンサ及び裏面側層状コンデンサの
電極のいずれとも非導通の第３スルーホール導体と、を含む、コア基板。
【請求項６】請求項４または請求項５に記載のコア基板
であって、コア基板の平面方向中央部には、前記３種のスルーホー
ル導体のうち、前記第１スルーホール導体及び第２スル
ーホール導体が形成され、前記第３スルーホール導体は
形成されないか、この中央部に形成された前記第１スル
ーホール導体と第２スルーホール導体との和よりも少数
形成されており、コア基板の平面方向周縁部には、上記第３スルーホール
導体が上記中央部よりも多数形成されているコア基板。
【請求項７】層状コンデンサを構成する、樹脂および高
誘電体粉末を含む複数の複合誘電体層と、上記複合誘電
体層をそれぞれ挟んで対向する複数の金属層と、を備え
るコア基板の製造方法であって、金属箔と、半硬化の樹脂と高誘電体粉末とを含む半硬化
複合誘電体層と、補強フィルムとをこの順に有する三層
フィルムを形成する三層フィルム形成工程と、上記三層フィルムの金属箔を所定パターンに成形し、パ
ターン化金属箔と半硬化複合誘電体層と補強フィルムと
からなるパターン化三層フィルムを形成するパターン化
三層フィルム形成工程と、上記補強フィルムが剥がされた１の上記三層フィルムと
１または複数の上記パターン化三層フィルムとを、上記
１の三層フィルムの金属箔を最下層として半硬化複合誘
電体層とパターン化金属箔とが交互に重なるように積層
し、最上面の上記半硬化複合誘電体層に金属箔を重ね、
熱プレスして、積層板を形成する積層板形成工程と、上記積層板の表裏面を貫通する複数の貫通孔を形成する
貫通孔形成工程と、上記貫通孔内にスルーホール導体を形成すると共に、上
記積層体の表裏面に表面側金属層及び裏面側金属層を形
成する表裏面金属層形成工程と、を備えることを特徴と
するコア基板の製造方法。
【請求項８】請求項７に記載のコア基板の製造方法であ
って、前記貫通孔形成工程は、前記パターン化金属箔から１層おきに選択した第１パタ
ーン化金属箔が内周に露出する第１貫通孔と、上記パターン化金属箔のうち上記第１パターン化金属箔
に選択されなかった残余の第２パターン化金属箔が内周
に露出する第２貫通孔と、上記パターン化金属箔のいずれも内周に露出しない第３
貫通孔と、を形成するコア基板の製造方法。
【請求項９】中心基板と、この中心基板の表面及び裏面
のうち少なくともいずれかに、層状コンデンサを構成す
る、樹脂および高誘電体粉末を含む複合誘電体層と、こ
れを挟んで対向する複数の金属層と、を備えるコア基板
の製造方法であって、金属箔と、半硬化の樹脂と高誘電体粉末とを含む半硬化
複合誘電体層と、補強フィルムとをこの順に有する三層
フィルムを形成する三層フィルム形成工程と、表面及び裏面のうち少なくともいずれかに所定パターン
の金属層を備える中心基板の上記金属層に、上記補強フ
ィルムが剥された上記三層フィルムの半硬化複合誘電体
層を重ね、熱プレスして、積層板を形成する積層板形成
工程と、上記積層板の表裏面を貫通する複数の貫通孔を形成する
貫通孔形成工程と、上記貫通孔内にスルーホール導体を形成すると共に、上
記積層板の表裏面に表面側金属層及び裏面側金属層を形
成する表裏面金属層形成工程と、を備えることを特徴と
するコア基板の製造方法。
【請求項１０】中心基板と、この中心基板の表面及び裏
面のうち少なくともいずれかに、層状コンデンサを構成
する、樹脂および高誘電体粉末を含む複数の複合誘電体
層と、上記複合誘電体層をそれぞれ挟んで対向する複数
の金属層と、を備えるコア基板の製造方法であって、金属箔と、半硬化の樹脂と高誘電体粉末とを含む半硬化
複合誘電体層と、補強フィルムとをこの順に有する三層
フィルムを形成する三層フィルム形成工程と、上記三層フィルムの金属箔を所定パターンに成形し、パ
ターン化金属箔と半硬化複合誘電体層と補強フィルムと
からなるパターン化三層フィルムを形成するパターン化
三層フィルム形成工程と、表面及び裏面のうち少なくともいずれかに所定パターン
の金属層を備える中心基板の上記金属層上に、上記補強
フィルムが剥がされた１または複数の上記パターン化三
層フィルムを、上記金属層またはパターン化金属箔と半
硬化複合誘電体層とが重なるように積層し、最上面の上
記パターン化金属箔上に上記補強フィルムが剥がされた
１の上記三層フィルムの半硬化複合誘電体層が重なるよ
うに積層し、熱プレスして、積層板を形成する積層板形
成工程と、上記積層板の表裏面を貫通する複数の貫通孔を形成する
貫通孔形成工程と、上記貫通孔内にスルーホール導体を形成すると共に、上
記積層板の表裏面に表面側金属層及び裏面側金属層を形
成する表裏面金属層形成工程と、を備えることを特徴と
するコア基板の製造方法。