JP2000249573A - 磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出装置Info
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- JP2000249573A JP2000249573A JP11050692A JP5069299A JP2000249573A JP 2000249573 A JP2000249573 A JP 2000249573A JP 11050692 A JP11050692 A JP 11050692A JP 5069299 A JP5069299 A JP 5069299A JP 2000249573 A JP2000249573 A JP 2000249573A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易な構成で、磁気検出装置の検出精度を高
めることを可能とする。 【解決手段】 ＭＲ素子１３等の磁電変換素子による磁
気検出位置Ｐを、検出信号の歪み率が低く、かつ比較的
高出力が得られる位置に設定し、磁電変換素子の位置を
替えるだけという簡易な構成で、検出出力のＳ／Ｎ比を
向上させるように構成したもの。
めることを可能とする。 【解決手段】 ＭＲ素子１３等の磁電変換素子による磁
気検出位置Ｐを、検出信号の歪み率が低く、かつ比較的
高出力が得られる位置に設定し、磁電変換素子の位置を
替えるだけという簡易な構成で、検出出力のＳ／Ｎ比を
向上させるように構成したもの。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バイアス磁界の変
化を磁電変換素子により検出して出力するようにした磁
気検出装置に関する。
化を磁電変換素子により検出して出力するようにした磁
気検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来よりモータ制御装置等において、各
種型式の磁気検出装置が広く用いられている。例えば、
図６に示されているように、抵抗値が磁界に応じて変化
する磁気抵抗素子（ＭＲ素子）１を用いた磁気検出装置
では、バイアス磁石２を構成する一対の磁石部２ａ，２
ｂが、磁界を検出すべき磁気検出位置Ｐを挟むようにし
て配置されているとともに、これら一対の磁石部２ａ，
２ｂによって上記磁気検出位置Ｐに形成されるバイアス
磁界の変化を、当該磁気検出位置Ｐに配置された磁気抵
抗素子（ＭＲ素子）１によって検出し、所定の電気信号
として出力している。
種型式の磁気検出装置が広く用いられている。例えば、
図６に示されているように、抵抗値が磁界に応じて変化
する磁気抵抗素子（ＭＲ素子）１を用いた磁気検出装置
では、バイアス磁石２を構成する一対の磁石部２ａ，２
ｂが、磁界を検出すべき磁気検出位置Ｐを挟むようにし
て配置されているとともに、これら一対の磁石部２ａ，
２ｂによって上記磁気検出位置Ｐに形成されるバイアス
磁界の変化を、当該磁気検出位置Ｐに配置された磁気抵
抗素子（ＭＲ素子）１によって検出し、所定の電気信号
として出力している。
【０００３】このとき、上記磁気抵抗素子（ＭＲ素子）
１は、バイアス磁石２を構成する一対の磁石部２ａ，２
ｂどうしの間の部分、すなわち上記バイアス磁石２の中
心位置に配置されており、その中心位置が磁気検出位置
Ｐに設定されている。
１は、バイアス磁石２を構成する一対の磁石部２ａ，２
ｂどうしの間の部分、すなわち上記バイアス磁石２の中
心位置に配置されており、その中心位置が磁気検出位置
Ｐに設定されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
バイアス磁石２の中心位置に磁電変換素子１が配置され
た従来の磁気検出装置では、検出信号における歪みが大
きくなってしまい、しかも弱い出力でしか得られないこ
とから、いわゆるＳ／Ｎ比が良好でなく高精度な出力信
号が得られないということが判明した。
バイアス磁石２の中心位置に磁電変換素子１が配置され
た従来の磁気検出装置では、検出信号における歪みが大
きくなってしまい、しかも弱い出力でしか得られないこ
とから、いわゆるＳ／Ｎ比が良好でなく高精度な出力信
号が得られないということが判明した。
【０００５】本発明は、簡易・安価な構成で良好な検出
信号を得ることができるようにした磁気検出装置を提供
することを目的とする。
信号を得ることができるようにした磁気検出装置を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明では、磁界を検出すべき磁気検出位置に近接配
置されて上記磁気検出位置に所定のバイアス磁界を形成
するバイアス磁石と、上記磁気検出位置におけるバイア
ス磁界の変化を電気信号に変換して出力するセンサ部を
備えた磁電変換素子とを有し、上記バイアス磁石が、前
記磁気検出位置を挟むように配置された一対の磁石部を
含む磁気検出装置において、上記磁電変換素子のセンサ
部を、前記一対の磁石部のうちの一方側に位置するよう
に偏らせて配置している。
に本発明では、磁界を検出すべき磁気検出位置に近接配
置されて上記磁気検出位置に所定のバイアス磁界を形成
するバイアス磁石と、上記磁気検出位置におけるバイア
ス磁界の変化を電気信号に変換して出力するセンサ部を
備えた磁電変換素子とを有し、上記バイアス磁石が、前
記磁気検出位置を挟むように配置された一対の磁石部を
含む磁気検出装置において、上記磁電変換素子のセンサ
部を、前記一対の磁石部のうちの一方側に位置するよう
に偏らせて配置している。
【０００７】このような構成を有する本発明によれば、
検出信号の歪み率が小さく、かつ比較的高出力が得られ
る位置に磁電変換素子の磁気検出位置が設定されること
となり、磁電変換素子の位置を替えるだけで、検出出力
のＳ／Ｎ比が飛躍的に向上される。
検出信号の歪み率が小さく、かつ比較的高出力が得られ
る位置に磁電変換素子の磁気検出位置が設定されること
となり、磁電変換素子の位置を替えるだけで、検出出力
のＳ／Ｎ比が飛躍的に向上される。
【０００８】すなわち、図２に示されているように、バ
イアス磁石１２の中心位置から磁電変換素子１３のセン
サ部１３ｃを変位させておき、図４に示されているよう
に、磁電変換素子１３ののセンサ部１３ｃの変位量γ
（横軸：ｍｍ）と、当該磁電変換素子１３のセンサ部１
３ｃからの出力電圧Ｖ0（縦軸：ｍＶ）との関係を調べ
たところ、バイアス磁石１２と磁電変換素子１３との間
の検出ギャップδにかかわらず、バイアス磁石１２の中
心位置における出力値が最も小さく、バイアス磁石１２
の端部側である各磁石部１２ａ，１２ｂの前面側領域で
最大出力となることが解った。
イアス磁石１２の中心位置から磁電変換素子１３のセン
サ部１３ｃを変位させておき、図４に示されているよう
に、磁電変換素子１３ののセンサ部１３ｃの変位量γ
（横軸：ｍｍ）と、当該磁電変換素子１３のセンサ部１
３ｃからの出力電圧Ｖ0（縦軸：ｍＶ）との関係を調べ
たところ、バイアス磁石１２と磁電変換素子１３との間
の検出ギャップδにかかわらず、バイアス磁石１２の中
心位置における出力値が最も小さく、バイアス磁石１２
の端部側である各磁石部１２ａ，１２ｂの前面側領域で
最大出力となることが解った。
【０００９】次に、図５に示されているように、上記バ
イアス磁石１２の中心位置からの磁電変換素子１３のセ
ンサ部１３ｃの変位量γ（横軸：ｍｍ）に対して、当該
磁電変換素子１３のセンサ部１３ｃの出力信号における
歪み率κd（縦軸：％）を調べたところ（検出ギャップ
δ＝１００μｍ、バイアスギャップδｂ＝２．４ｍ
ｍ）、バイアス磁石１２の中心位置における歪み率が極
めて高く、その中心位置の両側部分で急激に落ち込んで
おり、バイアス磁石１２の端部側である各磁石部１２
ａ，１２ｂの前面側領域で再び急増していることが解っ
た。
イアス磁石１２の中心位置からの磁電変換素子１３のセ
ンサ部１３ｃの変位量γ（横軸：ｍｍ）に対して、当該
磁電変換素子１３のセンサ部１３ｃの出力信号における
歪み率κd（縦軸：％）を調べたところ（検出ギャップ
δ＝１００μｍ、バイアスギャップδｂ＝２．４ｍ
ｍ）、バイアス磁石１２の中心位置における歪み率が極
めて高く、その中心位置の両側部分で急激に落ち込んで
おり、バイアス磁石１２の端部側である各磁石部１２
ａ，１２ｂの前面側領域で再び急増していることが解っ
た。
【００１０】なお、上述した歪み率κdは、下式で定義
されるものとした。
されるものとした。
【数１】 ここに、Ｖ１／２は１／２次成分、Ｖ１は基本波成分、
Ｖｎはｎ次高調波（ｎ＝２，３，４，・・・）成分であ
る。
Ｖｎはｎ次高調波（ｎ＝２，３，４，・・・）成分であ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、直線移動方式の磁気検出装
置に対して本発明を適用した場合についての実施形態
を、図面に基づいて詳細に説明する。図１及び図２に示
されているように、被検出体としての可動子１１は、略
直線状に延在する細長板状部材からなり、当該可動子の
長手方向（ｘ方向）に向かって往復移動するように構成
されている。その可動子１１の前面（図１の右側面）に
は、上記移動方向（ｘ方向）に沿って凹凸状の歯部１１
ａが多数並設するように設けられているとともに、これ
らの歯部１１ａの凹凸形状に対して所定のバイアス磁界
を形成するバイアス磁石１２が、上記可動子１１の前面
側から所定の間隔（ｙ方向）離すようにして配置されて
いる。
置に対して本発明を適用した場合についての実施形態
を、図面に基づいて詳細に説明する。図１及び図２に示
されているように、被検出体としての可動子１１は、略
直線状に延在する細長板状部材からなり、当該可動子の
長手方向（ｘ方向）に向かって往復移動するように構成
されている。その可動子１１の前面（図１の右側面）に
は、上記移動方向（ｘ方向）に沿って凹凸状の歯部１１
ａが多数並設するように設けられているとともに、これ
らの歯部１１ａの凹凸形状に対して所定のバイアス磁界
を形成するバイアス磁石１２が、上記可動子１１の前面
側から所定の間隔（ｙ方向）離すようにして配置されて
いる。
【００１２】さらに、上記バイアス磁石１２により形成
されるバイアス磁界中には、磁電変換素子としてのＭＲ
素子１３が配置されており、前記可動子１１の移動に伴
って変化するバイアス磁界の変化を、当該ＭＲ素子１３
により検出して電気信号に変換し、出力する構成になさ
れている。この磁電変換素子としてのＭＲ素子１３は、
前記可動子１１の前面側の凹凸状歯部１１ａに対して、
所定の検出ギャップδ（ｙ方向）を介在するようにして
配置されているとともに、そのＭＲ素子１３と前記バイ
アス磁石１２との間には、バイアスギャップδｂ（ｙ方
向）が設けられている。
されるバイアス磁界中には、磁電変換素子としてのＭＲ
素子１３が配置されており、前記可動子１１の移動に伴
って変化するバイアス磁界の変化を、当該ＭＲ素子１３
により検出して電気信号に変換し、出力する構成になさ
れている。この磁電変換素子としてのＭＲ素子１３は、
前記可動子１１の前面側の凹凸状歯部１１ａに対して、
所定の検出ギャップδ（ｙ方向）を介在するようにして
配置されているとともに、そのＭＲ素子１３と前記バイ
アス磁石１２との間には、バイアスギャップδｂ（ｙ方
向）が設けられている。
【００１３】本実施形態におけるＭＲ素子１３として
は、特に図３に示されているようなストライプ型の素子
が採用されている。このストライプ型のＭＲ素子１３に
は、例えば、厚さ０．４ｍｍのガラス基板１３ａ上に露
出電極部１３ｂが設けられており、その露出電極部１３
ｂから、細長帯状のパーマロイ材からなるセンサ部（感
磁導電路部）１３ｃが、縦長の方向（ｚ方向）に延在す
るように被着形成されているとともに、そのセンサ部１
３ｃの延出端（図示上端）からは、幅広のパーマロイ材
からなる引き出し電極部１３ｄが、上記センサ部１３ｃ
と略平行に延在している。この引き出し電極部１３ｄの
先端部分（図示下端部分）は、露出電極部１３ｅに形成
されている。
は、特に図３に示されているようなストライプ型の素子
が採用されている。このストライプ型のＭＲ素子１３に
は、例えば、厚さ０．４ｍｍのガラス基板１３ａ上に露
出電極部１３ｂが設けられており、その露出電極部１３
ｂから、細長帯状のパーマロイ材からなるセンサ部（感
磁導電路部）１３ｃが、縦長の方向（ｚ方向）に延在す
るように被着形成されているとともに、そのセンサ部１
３ｃの延出端（図示上端）からは、幅広のパーマロイ材
からなる引き出し電極部１３ｄが、上記センサ部１３ｃ
と略平行に延在している。この引き出し電極部１３ｄの
先端部分（図示下端部分）は、露出電極部１３ｅに形成
されている。
【００１４】なお、本発明を適用する磁電変換素子とし
てのＭＲ素子１３は、上述した単体のセンサ部１３ｃを
備えた構造のものに限定されることはなく、多数状のセ
ンサ部を備えた従来公知のストライプ構造のものに対し
ても同様に適用することができるものである。
てのＭＲ素子１３は、上述した単体のセンサ部１３ｃを
備えた構造のものに限定されることはなく、多数状のセ
ンサ部を備えた従来公知のストライプ構造のものに対し
ても同様に適用することができるものである。
【００１５】このとき、上記ＭＲ素子１３のセンサ部１
３ｃの幾何学的中心部Ｐは、磁界を検出すべき磁気検出
位置になされることとなるが、その磁気検出位置Ｐは、
上述したバイアス磁石１２に対して所定の位置関係とな
るように配置されている。以下、上記バイアス磁石１２
に対するＭＲ素子１３の配置関係を、バイアス磁石１２
の詳細な構造とともに説明する。
３ｃの幾何学的中心部Ｐは、磁界を検出すべき磁気検出
位置になされることとなるが、その磁気検出位置Ｐは、
上述したバイアス磁石１２に対して所定の位置関係とな
るように配置されている。以下、上記バイアス磁石１２
に対するＭＲ素子１３の配置関係を、バイアス磁石１２
の詳細な構造とともに説明する。
【００１６】まず、前記バイアス磁石１２は、特に図２
に示されているように、一対の磁石部１２ａ，１２ｂを
有している。これら一対の磁石部１２ａ，１２ｂは、ア
ルミ材などの非磁性部材からなるスペーサ１２ｃを両側
から挟み込むようにして配置されており、これら一対の
磁石部１２ａ，１２ｂ、及びスペーサ１２ｃが、前記可
動子１１の移動方向（ｘ方向）に沿うようにして配列さ
れている。さらに、上記各磁石部１２ａ，１２ｂは、前
記可動子１１の移動方向（ｘ方向）において略同一の幅
を備えるように形成されており、これらの各磁石部１２
ａ，１２ｂにおいて、同方向（ｘ方向）に対応する部位
どうしは、互いに反対極性となるように着磁が施されて
いることによって、上述した磁気検出位置Ｐ、すなわち
上記ＭＲ素子１３のセンサ部１３ｃの幾何学的中心部に
対して、所定のバイアス磁界が形成されるようになって
いる。
に示されているように、一対の磁石部１２ａ，１２ｂを
有している。これら一対の磁石部１２ａ，１２ｂは、ア
ルミ材などの非磁性部材からなるスペーサ１２ｃを両側
から挟み込むようにして配置されており、これら一対の
磁石部１２ａ，１２ｂ、及びスペーサ１２ｃが、前記可
動子１１の移動方向（ｘ方向）に沿うようにして配列さ
れている。さらに、上記各磁石部１２ａ，１２ｂは、前
記可動子１１の移動方向（ｘ方向）において略同一の幅
を備えるように形成されており、これらの各磁石部１２
ａ，１２ｂにおいて、同方向（ｘ方向）に対応する部位
どうしは、互いに反対極性となるように着磁が施されて
いることによって、上述した磁気検出位置Ｐ、すなわち
上記ＭＲ素子１３のセンサ部１３ｃの幾何学的中心部に
対して、所定のバイアス磁界が形成されるようになって
いる。
【００１７】このとき、上記ＭＲ素子１３の配置位置
は、上記スペーサ１２ｃの中心位置ＳＬからｘ方向にや
やずらされて設定されている。すなわち、上記ＭＲ素子
１３は、前記バイアス磁石１２の一対の磁石部１２ａ，
１２ｂのうちの一方側（本実施形態では磁石部１２ａ
側）に近接するように偏らされており、その一方側の磁
石部１２ａの前面側領域にＭＲ素子１３が配置されてい
る。より具体的には、上記ＭＲ素子１３のセンサ中心で
ある磁気検出位置Ｐは、上記両磁石部１２ａ，１２ｂに
よって形成されるバイアス磁界の範囲内で、かつ、前述
した図５における低歪み率となっている領域内に配置さ
れている。この低歪み率の領域内では、図５に示されて
いるように、比較的高い出力電圧が得られる。
は、上記スペーサ１２ｃの中心位置ＳＬからｘ方向にや
やずらされて設定されている。すなわち、上記ＭＲ素子
１３は、前記バイアス磁石１２の一対の磁石部１２ａ，
１２ｂのうちの一方側（本実施形態では磁石部１２ａ
側）に近接するように偏らされており、その一方側の磁
石部１２ａの前面側領域にＭＲ素子１３が配置されてい
る。より具体的には、上記ＭＲ素子１３のセンサ中心で
ある磁気検出位置Ｐは、上記両磁石部１２ａ，１２ｂに
よって形成されるバイアス磁界の範囲内で、かつ、前述
した図５における低歪み率となっている領域内に配置さ
れている。この低歪み率の領域内では、図５に示されて
いるように、比較的高い出力電圧が得られる。
【００１８】このように本実施形態では、ＭＲ素子１３
による磁気検出位置Ｐが、検出信号の歪み率が低く、か
つ比較的高出力が得られる位置に設定されていることか
ら、ＭＲ素子１３の位置を替えるだけの簡易な構成で、
検出出力のＳ／Ｎ比が飛躍的に向上される。
による磁気検出位置Ｐが、検出信号の歪み率が低く、か
つ比較的高出力が得られる位置に設定されていることか
ら、ＭＲ素子１３の位置を替えるだけの簡易な構成で、
検出出力のＳ／Ｎ比が飛躍的に向上される。
【００１９】例えば、要求されている歪み率κdが１５
％以下であるとしたときには、図５中に引かれた歪み率
１５％の境界線より下側の領域の歪み率が得られるよう
にＭＲ素子１３のセンサ部１３ｃの変位量を設定すれば
よいこととなる。すなわち、図５から明らかなように、
本実施形態において歪み率１５％以下を満足するＭＲ素
子１３の位置は、前記各磁石部１２ａ，１２ｂの前面側
領域におけるスペーサ１２ｃ寄りの端部側領域から、磁
石部１２ａ，１２ｂの中央位置寄りの領域（変位量：＋
０．１５ｍｍ以上＋０．６ｍｍ以下又は−０．８ｍｍ以
上−０．２ｍｍ以下）までである。
％以下であるとしたときには、図５中に引かれた歪み率
１５％の境界線より下側の領域の歪み率が得られるよう
にＭＲ素子１３のセンサ部１３ｃの変位量を設定すれば
よいこととなる。すなわち、図５から明らかなように、
本実施形態において歪み率１５％以下を満足するＭＲ素
子１３の位置は、前記各磁石部１２ａ，１２ｂの前面側
領域におけるスペーサ１２ｃ寄りの端部側領域から、磁
石部１２ａ，１２ｂの中央位置寄りの領域（変位量：＋
０．１５ｍｍ以上＋０．６ｍｍ以下又は−０．８ｍｍ以
上−０．２ｍｍ以下）までである。
【００２０】なお、このようにＭＲ素子１３を変位させ
た場合には、上述した図４より、当該ＭＲ素子１３の出
力電圧が変動することとなるが、例えば、増幅回路を採
用することによって、ＭＲ素子１３からの出力電圧を所
望の電圧に調整することとすればよい。
た場合には、上述した図４より、当該ＭＲ素子１３の出
力電圧が変動することとなるが、例えば、増幅回路を採
用することによって、ＭＲ素子１３からの出力電圧を所
望の電圧に調整することとすればよい。
【００２１】以上、本発明者によってなされた発明の実
施形態を具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変形可能であるというのはいうまでもない。
施形態を具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変形可能であるというのはいうまでもない。
【００２２】例えば、上記実施形態は、直線移動方式の
磁気検出装置に本発明を適用したものであるが、回転方
式の磁気検出装置に対しても本発明は同様に適用するこ
とができる。また、磁電変換素子としては、上述した実
施形態のようなＭＲ素子１３に限定されることはなく、
他の多種多様な磁電変換素子に対しても本発明は同様に
適用することが可能である。
磁気検出装置に本発明を適用したものであるが、回転方
式の磁気検出装置に対しても本発明は同様に適用するこ
とができる。また、磁電変換素子としては、上述した実
施形態のようなＭＲ素子１３に限定されることはなく、
他の多種多様な磁電変換素子に対しても本発明は同様に
適用することが可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように本発明は、ＭＲ素子等
の磁電変換素子における磁気検出位置を、検出信号の歪
み率が低く、かつ比較的高出力が得られる位置に設定
し、磁電変換素子の位置を替えるだけの簡易な構成で検
出出力のＳ／Ｎ比を向上させるように構成したものであ
るから、良好な生産性を維持しつつ磁気検出装置の検出
精度を飛躍的に高めることができる。
の磁電変換素子における磁気検出位置を、検出信号の歪
み率が低く、かつ比較的高出力が得られる位置に設定
し、磁電変換素子の位置を替えるだけの簡易な構成で検
出出力のＳ／Ｎ比を向上させるように構成したものであ
るから、良好な生産性を維持しつつ磁気検出装置の検出
精度を飛躍的に高めることができる。
【図１】本発明の一実施形態における磁気検出装置の概
略構成を表した外観斜視説明図である。
略構成を表した外観斜視説明図である。
【図２】図１に示された磁気検出装置の平面説明図であ
る。
る。
【図３】図１に示された磁気検出装置に用いられている
ＭＲ素子の構造を表した正面説明図である。
ＭＲ素子の構造を表した正面説明図である。
【図４】磁気検出装置に用いられているＭＲ素子の位置
に対する出力電圧特性を表した線図である。
に対する出力電圧特性を表した線図である。
【図５】磁気検出装置に用いられているＭＲ素子の位置
に対する出力電圧波形の歪み率特性を表した線図であ
る。
に対する出力電圧波形の歪み率特性を表した線図であ
る。
【図６】従来における磁気検出装置の概略構成を表した
平面説明図である。
平面説明図である。
１１ 可動子 １１ａ 凹凸状歯部 １２ バイアス磁石 １２ａ，１２ｂ 磁石部 １２ｃ スペーサ １３ ＭＲ素子（磁電変換素子） １３ｃ センサ部（感磁導電路部）
Claims (4)
- 【請求項１】 磁界を検出すべき磁気検出位置に近接配
置されて上記磁気検出位置に所定のバイアス磁界を形成
するバイアス磁石と、 上記磁気検出位置におけるバイアス磁界の変化を電気信
号に変換して出力するセンサ部を備えた磁電変換素子
と、を有し、 上記バイアス磁石が、前記磁気検出位置を挟むように配
置された一対の磁石部を含む磁気検出装置において、 上記磁電変換素子のセンサ部を、前記一対の磁石部のう
ちの一方側に位置するように偏らせて配置したことを特
徴とする磁気検出装置。 - 【請求項２】 前記一対の磁石部を、非磁性部材からな
るスペーサを挟んで両側に配置し、 上記磁電変換素子のセンサ部を、前記スペーサの中心か
ら前記一方の磁石部側に位置するように偏らせて配置し
たことを特徴とする請求項１記載の磁気検出装置。 - 【請求項３】 前記磁電変換素子を、前記一方の磁石部
の前面側領域に配置したことを特徴とする請求項１記載
の磁気検出装置。 - 【請求項４】 前記一対の磁石部を、凹凸状の歯部を有
する可動子の移動方向に並設させているとともに、各磁
石部は、上記可動子の移動方向において略同一の幅を有
し、かつ、 前記磁電変換素子のセンサ部を、上記両磁石部の前面側
領域において当該両磁石部により形成されるバイアス磁
界の範囲内に配置したことを特徴とする請求項３記載の
磁気検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11050692A JP2000249573A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 磁気検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11050692A JP2000249573A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 磁気検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000249573A true JP2000249573A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12865988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11050692A Pending JP2000249573A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 磁気検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000249573A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006109384A1 (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-19 | Konica Minolta Opto, Inc. | 位置検出器および位置決め装置 |
| JP2011528112A (ja) * | 2008-07-17 | 2011-11-10 | メアス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 磁気特性を測定するための測定装置および当該測定装置の製造方法 |
| JP2016217932A (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-22 | 株式会社デンソー | 回転検出装置 |
| JP2022051418A (ja) * | 2020-09-18 | 2022-03-31 | Tdk株式会社 | 位置検出装置、レンズモジュールおよび撮像装置 |
-
1999
- 1999-02-26 JP JP11050692A patent/JP2000249573A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006109384A1 (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-19 | Konica Minolta Opto, Inc. | 位置検出器および位置決め装置 |
| US8013596B2 (en) | 2005-04-06 | 2011-09-06 | Konica Minolta Opto, Inc. | Position detector and positioning device |
| JP2011528112A (ja) * | 2008-07-17 | 2011-11-10 | メアス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 磁気特性を測定するための測定装置および当該測定装置の製造方法 |
| JP2016217932A (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-22 | 株式会社デンソー | 回転検出装置 |
| JP2022051418A (ja) * | 2020-09-18 | 2022-03-31 | Tdk株式会社 | 位置検出装置、レンズモジュールおよび撮像装置 |
| JP7184069B2 (ja) | 2020-09-18 | 2022-12-06 | Tdk株式会社 | 位置検出装置、レンズモジュールおよび撮像装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040811 |