JP2000250067A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2000250067A JP2000250067A JP11055894A JP5589499A JP2000250067A JP 2000250067 A JP2000250067 A JP 2000250067A JP 11055894 A JP11055894 A JP 11055894A JP 5589499 A JP5589499 A JP 5589499A JP 2000250067 A JP2000250067 A JP 2000250067A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 入射した光と出射した光とにそのガラス基板
の厚みによる視差発生を防止するとともに、反射及び透
過一体型液晶表示装置を得る。 【解決手段】 TFT及びそのTFTに接続され一部に
透明材料から成る透明電極をから成る窓60を有する反
射表示電極50及びカラーフィルタ31を備えた絶縁性
のTFT基板10と、TFT基板10側から入射された
光をTFT基板10上に設けた反射表示電極50に反射
させる反射体61を窓60に対応した位置に備えた液晶
表示装置であって、窓60と反射体61との間にはスペ
ーサ70が形成されており、両基板10,30間に正の
誘電率異方性を有する液晶を充填する。また、両基板1
0,30の外側には位相差板43,22及び偏光板4
4,23を設けている。窓60と反射体61との間では
光の位相差を生じないため、反射型と透過型の両機能を
有する液晶表示装置を得ることができる。
の厚みによる視差発生を防止するとともに、反射及び透
過一体型液晶表示装置を得る。 【解決手段】 TFT及びそのTFTに接続され一部に
透明材料から成る透明電極をから成る窓60を有する反
射表示電極50及びカラーフィルタ31を備えた絶縁性
のTFT基板10と、TFT基板10側から入射された
光をTFT基板10上に設けた反射表示電極50に反射
させる反射体61を窓60に対応した位置に備えた液晶
表示装置であって、窓60と反射体61との間にはスペ
ーサ70が形成されており、両基板10,30間に正の
誘電率異方性を有する液晶を充填する。また、両基板1
0,30の外側には位相差板43,22及び偏光板4
4,23を設けている。窓60と反射体61との間では
光の位相差を生じないため、反射型と透過型の両機能を
有する液晶表示装置を得ることができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射及び透過を一
体に備えた液晶表示装置に関する。
体に備えた液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、観察方向から入射した光を反
射させて表示を見る機能を有するいわゆる反射型液晶表
示装置と、観察者とは反対側から光を入射して光を透過
させて表示を見る機能を有するいわゆる透過型液晶表示
装置とが一体化された反射型及び透過型液晶表示装置が
提案されている。
射させて表示を見る機能を有するいわゆる反射型液晶表
示装置と、観察者とは反対側から光を入射して光を透過
させて表示を見る機能を有するいわゆる透過型液晶表示
装置とが一体化された反射型及び透過型液晶表示装置が
提案されている。
【0003】図4に、図1中のA−A線に沿った従来の
反射及び透過型液晶表示装置の断面図を示し、図5に図
1中のB−B線に沿った断面図を示す。
反射及び透過型液晶表示装置の断面図を示し、図5に図
1中のB−B線に沿った断面図を示す。
【0004】図4及び図5に示すように、従来の反射及
び透過型液晶表示装置は、石英ガラス、無アルカリガラ
ス等からなる絶縁性基板10上に、スイッチング素子で
ある薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と称する。)
が形成されている。
び透過型液晶表示装置は、石英ガラス、無アルカリガラ
ス等からなる絶縁性基板10上に、スイッチング素子で
ある薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と称する。)
が形成されている。
【0005】まず、絶縁性基板(TFT基板)10上
に、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)などの高融点
金属からなるゲート電極11、ゲート絶縁膜12、及び
多結晶シリコン膜からなる能動層13を順に形成する。
に、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)などの高融点
金属からなるゲート電極11、ゲート絶縁膜12、及び
多結晶シリコン膜からなる能動層13を順に形成する。
【0006】その能動層13には、ゲート電極11上方
のチャネル13cと、このチャネル13cの両側に、チ
ャネル13c上のストッパ絶縁膜14をマスクにしてイ
オン注入されて形成されるソース13s及びドレイン1
3dが設けられている。
のチャネル13cと、このチャネル13cの両側に、チ
ャネル13c上のストッパ絶縁膜14をマスクにしてイ
オン注入されて形成されるソース13s及びドレイン1
3dが設けられている。
【0007】そして、ゲート絶縁膜12、能動層13及
びストッパ絶縁膜14上の全面に、SiO2膜、SiN
膜及びSiO2膜の順に積層された層間絶縁膜15を形
成し、ドレイン13dに対応して設けたコンタクトホー
ルにアルミニウム(Al)等の金属を充填してドレイン
電極16を形成する。更に全面に例えば有機樹脂から成
り表面を平坦にする平坦化絶縁膜17を形成する。そし
て、その平坦化絶縁膜17のソース13sに対応した位
置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール
を介してソース13sとコンタクトしたITO(Indium
Tin Oxide)から成りソース電極を兼ねた透明電極で
ある透明表示電極19を平坦化絶縁膜17上に形成す
る。そしてその透明表示電極19上にポリイミド等の有
機樹脂からなり液晶21を配向させる配向膜20を形成
する。また、透明表示電極19を設けた側とは反対の側
には、TFT基板10側から順に位相差板22、偏光板
23、及び半透過ミラー24が積層されている。この半
透過ミラー24は、入射される光を反射及び透過する機
能を有している。
びストッパ絶縁膜14上の全面に、SiO2膜、SiN
膜及びSiO2膜の順に積層された層間絶縁膜15を形
成し、ドレイン13dに対応して設けたコンタクトホー
ルにアルミニウム(Al)等の金属を充填してドレイン
電極16を形成する。更に全面に例えば有機樹脂から成
り表面を平坦にする平坦化絶縁膜17を形成する。そし
て、その平坦化絶縁膜17のソース13sに対応した位
置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール
を介してソース13sとコンタクトしたITO(Indium
Tin Oxide)から成りソース電極を兼ねた透明電極で
ある透明表示電極19を平坦化絶縁膜17上に形成す
る。そしてその透明表示電極19上にポリイミド等の有
機樹脂からなり液晶21を配向させる配向膜20を形成
する。また、透明表示電極19を設けた側とは反対の側
には、TFT基板10側から順に位相差板22、偏光板
23、及び半透過ミラー24が積層されている。この半
透過ミラー24は、入射される光を反射及び透過する機
能を有している。
【0008】また、TFT基板10に対向し絶縁性基板
からなる対向電極基板30には、TFT基板10側に、
赤(R)、緑(G)、青(B)の各色及び遮光機能を有
するブラックマトリックス32を備えたカラーフィルタ
31、その上に形成された樹脂から成る保護膜33、そ
の全面に形成されITOから成る対向電極34及び配向
膜35を備えており、またその反対側の面、即ち観察者
側101には偏光板44が配置されている。そして、対
向電極基板30とTFT基板10の周辺をシール接着剤
(図示せず)により接着し、それにより形成された空隙
にツイスティッドネマティック(TN)液晶21を充填
する。
からなる対向電極基板30には、TFT基板10側に、
赤(R)、緑(G)、青(B)の各色及び遮光機能を有
するブラックマトリックス32を備えたカラーフィルタ
31、その上に形成された樹脂から成る保護膜33、そ
の全面に形成されITOから成る対向電極34及び配向
膜35を備えており、またその反対側の面、即ち観察者
側101には偏光板44が配置されている。そして、対
向電極基板30とTFT基板10の周辺をシール接着剤
(図示せず)により接着し、それにより形成された空隙
にツイスティッドネマティック(TN)液晶21を充填
する。
【0009】こうして完成した液晶表示装置のTFT基
板10側には光源であるバックライト51が備えてあ
る。
板10側には光源であるバックライト51が備えてあ
る。
【0010】ここで、反射型液晶表示装置として用いる
場合の光の進み方を説明する。
場合の光の進み方を説明する。
【0011】外部から入射される自然光100は、図5
中の破線矢印で示すように、観察者101側の偏光板4
4から入射し、対向電極基板30、カラーフィルタ3
1、保護膜33、対向電極34、配向膜35、TN液晶
21、TFT基板10上の配向膜20、透明表示電極1
9、平坦化絶縁膜17、層間絶縁膜15、ゲート絶縁膜
12、TFT基板10及び偏光板23を透過して半透過
ミラー24にて反射され、その後、入射と逆の方向に各
層を透過して対向電極基板30上の偏光板44から出射
し観察者の目101に入る。
中の破線矢印で示すように、観察者101側の偏光板4
4から入射し、対向電極基板30、カラーフィルタ3
1、保護膜33、対向電極34、配向膜35、TN液晶
21、TFT基板10上の配向膜20、透明表示電極1
9、平坦化絶縁膜17、層間絶縁膜15、ゲート絶縁膜
12、TFT基板10及び偏光板23を透過して半透過
ミラー24にて反射され、その後、入射と逆の方向に各
層を透過して対向電極基板30上の偏光板44から出射
し観察者の目101に入る。
【0012】また、透過型液晶表示装置として用いる場
合には、TFT基板10側からバックライト51の光1
02が入射される場合には、図5中の実線矢印で示すよ
うに、半透過ミラー24を透過して更に偏光板23、T
FT基板10、ゲート絶縁膜12、層間絶縁膜15、平
坦化絶縁膜17、透明表示電極19、配向膜20、TN
液晶21、配向膜35、対向電極34、保護膜33、カ
ラーフィルタ31、対向電極基板30及び偏光板44を
透過して観察者101の目に入る。
合には、TFT基板10側からバックライト51の光1
02が入射される場合には、図5中の実線矢印で示すよ
うに、半透過ミラー24を透過して更に偏光板23、T
FT基板10、ゲート絶縁膜12、層間絶縁膜15、平
坦化絶縁膜17、透明表示電極19、配向膜20、TN
液晶21、配向膜35、対向電極34、保護膜33、カ
ラーフィルタ31、対向電極基板30及び偏光板44を
透過して観察者101の目に入る。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図5に示し
たように、反射型として用いる場合、入射される自然光
が破線矢印100で示されるように入射されて進んだ場
合には、半透過ミラー24によって反射された光はガラ
スから成るTFT基板10を再び透過することになる。
そのため、入射した光と出射した光とにそのガラス基板
の厚みによる視差が生じてしまうという欠点があった。
たように、反射型として用いる場合、入射される自然光
が破線矢印100で示されるように入射されて進んだ場
合には、半透過ミラー24によって反射された光はガラ
スから成るTFT基板10を再び透過することになる。
そのため、入射した光と出射した光とにそのガラス基板
の厚みによる視差が生じてしまうという欠点があった。
【0014】また、例えば赤色の表示画素(R)に入射
された光が隣接する緑色の表示画素(G)に出射してし
まい、その結果、表示としてはRとGの色のにじみが生
じてしまうことになるという欠点があった。
された光が隣接する緑色の表示画素(G)に出射してし
まい、その結果、表示としてはRとGの色のにじみが生
じてしまうことになるという欠点があった。
【0015】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、視差が生じず色にじみの無い表
示を得ることが可能な反射透過一体型液晶表示装置を提
供することを目的とする。
て為されたものであり、視差が生じず色にじみの無い表
示を得ることが可能な反射透過一体型液晶表示装置を提
供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、複数のゲート信号線と複数のドレイン信号線が互い
に交差して囲まれマトリクス状に配列された表示画素領
域を備え、前記両信号線に接続された薄膜トランジス
タ、及び該薄膜トランジスタに接続された反射材料から
成る反射表示電極を前記表示画素領域に備え、前記各反
射表示電極の一部に光を透過する透明材料から成る窓を
有した第1の基板と、前記各反射表示電極に対向して設
けられた透明導電材料から成る対向電極、及び前記第1
の基板側から入射した光を該第1の基板側に反射する反
射体が前記各窓に対応した箇所に備えられた第2の基板
とを備え、正の誘電率異方性を有する液晶を充填して成
り、前記反射体と前記窓との間に、前記第1の基板側か
ら入射した光の位相差を生じない材料を配置しており、
前記第1及び第2の基板の前記液晶を充填していない側
にそれぞれ偏光板及び位相差板を備えており、該偏光板
及び位相差板は前記第2基板側から見て同一方向の円偏
光を生じるように配置されたものである。
は、複数のゲート信号線と複数のドレイン信号線が互い
に交差して囲まれマトリクス状に配列された表示画素領
域を備え、前記両信号線に接続された薄膜トランジス
タ、及び該薄膜トランジスタに接続された反射材料から
成る反射表示電極を前記表示画素領域に備え、前記各反
射表示電極の一部に光を透過する透明材料から成る窓を
有した第1の基板と、前記各反射表示電極に対向して設
けられた透明導電材料から成る対向電極、及び前記第1
の基板側から入射した光を該第1の基板側に反射する反
射体が前記各窓に対応した箇所に備えられた第2の基板
とを備え、正の誘電率異方性を有する液晶を充填して成
り、前記反射体と前記窓との間に、前記第1の基板側か
ら入射した光の位相差を生じない材料を配置しており、
前記第1及び第2の基板の前記液晶を充填していない側
にそれぞれ偏光板及び位相差板を備えており、該偏光板
及び位相差板は前記第2基板側から見て同一方向の円偏
光を生じるように配置されたものである。
【0017】また、本発明は、前記位相差を生じない材
料はアクリル系樹脂である液晶表示装置である。
料はアクリル系樹脂である液晶表示装置である。
【0018】
【発明の実施の形態】本発明の反射及び透過の両機能を
一体に備えた液晶表示装置について以下に説明する。
一体に備えた液晶表示装置について以下に説明する。
【0019】図1に本発明の液晶表示装置の平面図を示
し、図2に図1中のA−A線に沿った断面図を示し、図
3に図1中のB−B線に沿った断面図を示す。
し、図2に図1中のA−A線に沿った断面図を示し、図
3に図1中のB−B線に沿った断面図を示す。
【0020】図1に示すように、複数のゲート信号線G
及び複数のドレイン信号線Dによって囲まれた表示画素
領域には反射表示電極50が設けられている。その反射
表示電極50のほぼ中央には反射表示電極50の材料を
除去して形成した窓60が形成されている。この窓60
を後述のバックライト51からの光が透過する。また、
その窓60はその上方に設けた反射体61と重畳して設
けられている。入射した光をもれなく反射することがで
きるように、窓60よりも反射体61のほうが大きいこ
とが好ましい。また、この窓60と反射体61との間に
はTFT基板10側から入射する光の位相差が生じない
物質、例えばアクリル系樹脂からなるスペーサ70を形
成する。
及び複数のドレイン信号線Dによって囲まれた表示画素
領域には反射表示電極50が設けられている。その反射
表示電極50のほぼ中央には反射表示電極50の材料を
除去して形成した窓60が形成されている。この窓60
を後述のバックライト51からの光が透過する。また、
その窓60はその上方に設けた反射体61と重畳して設
けられている。入射した光をもれなく反射することがで
きるように、窓60よりも反射体61のほうが大きいこ
とが好ましい。また、この窓60と反射体61との間に
はTFT基板10側から入射する光の位相差が生じない
物質、例えばアクリル系樹脂からなるスペーサ70を形
成する。
【0021】また、図2に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板10上に、スイッ
チング素子であるTFTを形成する。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板10上に、スイッ
チング素子であるTFTを形成する。
【0022】その一方の絶縁性基板(TFT基板)10
上のCr、Mo等の高融点金属からなるゲート電極11
の形成から平坦化絶縁膜17の形成までは従来の構造と
同じであるので説明を省略する。
上のCr、Mo等の高融点金属からなるゲート電極11
の形成から平坦化絶縁膜17の形成までは従来の構造と
同じであるので説明を省略する。
【0023】平坦化絶縁膜17上には、多結晶シリコン
膜からなる能動層13のソース13sに接続されたA
l、銀(Ag)等の導電性反射材料から成る反射表示電
極50を形成する。図1及び図3に示すように、この反
射表示電極50には、その導電性反射材料が反射表示電
極50の概ね中央部の一部で除去されて形成された窓6
0が設けられている。その窓60に透明材料、例えばI
TOから成る透明電極を形成する。即ち、窓60には透
明材料が充填される。そして反射表示電極50の上にの
み、R、G、Bの各色を呈するカラーフィルタ31が設
けられている。なお、窓60の上にはカラーフィルタ3
1は設けられていない。そしてカラーフィルタ31を保
護するアクリル樹脂等から成る保護膜33をカラーフィ
ルタ31上に設ける。
膜からなる能動層13のソース13sに接続されたA
l、銀(Ag)等の導電性反射材料から成る反射表示電
極50を形成する。図1及び図3に示すように、この反
射表示電極50には、その導電性反射材料が反射表示電
極50の概ね中央部の一部で除去されて形成された窓6
0が設けられている。その窓60に透明材料、例えばI
TOから成る透明電極を形成する。即ち、窓60には透
明材料が充填される。そして反射表示電極50の上にの
み、R、G、Bの各色を呈するカラーフィルタ31が設
けられている。なお、窓60の上にはカラーフィルタ3
1は設けられていない。そしてカラーフィルタ31を保
護するアクリル樹脂等から成る保護膜33をカラーフィ
ルタ31上に設ける。
【0024】窓60に対応した位置にアクリル系樹脂か
ら成るスペーサ70を設ける。このスペーサ70は以下
のようにして形成する。
ら成るスペーサ70を設ける。このスペーサ70は以下
のようにして形成する。
【0025】カラーフィルタ31の保護膜33を形成し
た後にTFT基板10の全面にアクリル系樹脂である光
硬化型のレジストをスピンナー等で塗布した後、窓60
に対応した位置にそのレジストが残るマスクを用いて光
を照射して硬化させて窓60に対応した位置にスペーサ
70を形成する。このスペーサ70の厚みは、保護膜3
3から対向電極基板30上に設ける反射体61間での間
隔に応じて設定する。
た後にTFT基板10の全面にアクリル系樹脂である光
硬化型のレジストをスピンナー等で塗布した後、窓60
に対応した位置にそのレジストが残るマスクを用いて光
を照射して硬化させて窓60に対応した位置にスペーサ
70を形成する。このスペーサ70の厚みは、保護膜3
3から対向電極基板30上に設ける反射体61間での間
隔に応じて設定する。
【0026】こうしてスペーサ70を形成した後、ポリ
イミド等からなり液晶21を配向させる配向膜20を形
成する。
イミド等からなり液晶21を配向させる配向膜20を形
成する。
【0027】他方の対向電極基板30は、液晶21を設
ける側には、光を反射するAl等の金属から成り各反射
表示電極50に設けた窓60に応じた形状の反射体61
を設ける。この反射体61の表面、即ちTFT基板10
側は入射した光を拡散させるために凹凸形状であっても
良い。また、反射体61の断面形状は図3に示す以外に
も半球状でも三角形状でも、光を反射表示電極50に反
射する形状であれば良い。反射体61以外の領域には各
反射表示電極50に対向した対向電極34が設けられて
いる。更にその全面にはポリイミドから成る配向膜35
が形成されている。なお、各反射表示電極50間、即ち
反射表示電極50の周囲には光を遮蔽してコントラスト
を向上させるために黒色の樹脂等から成るブラックマト
リクス32がドレイン信号線Dに対応した位置に設けら
れている。
ける側には、光を反射するAl等の金属から成り各反射
表示電極50に設けた窓60に応じた形状の反射体61
を設ける。この反射体61の表面、即ちTFT基板10
側は入射した光を拡散させるために凹凸形状であっても
良い。また、反射体61の断面形状は図3に示す以外に
も半球状でも三角形状でも、光を反射表示電極50に反
射する形状であれば良い。反射体61以外の領域には各
反射表示電極50に対向した対向電極34が設けられて
いる。更にその全面にはポリイミドから成る配向膜35
が形成されている。なお、各反射表示電極50間、即ち
反射表示電極50の周囲には光を遮蔽してコントラスト
を向上させるために黒色の樹脂等から成るブラックマト
リクス32がドレイン信号線Dに対応した位置に設けら
れている。
【0028】また、対向電極基板30の液晶21を配置
しない側、即ち観察者101側には、位相差(λ/4)
板43及び偏光板44が対向電極基板30側から順に設
けられている。
しない側、即ち観察者101側には、位相差(λ/4)
板43及び偏光板44が対向電極基板30側から順に設
けられている。
【0029】こうして形成された対向電極基板30とT
FT基板10の周辺をシール接着剤(図示せず)により
接着し、それにより形成された空隙に液晶21を充填し
て反射及び透過一体型液晶表示装置を完成させる。な
お、この液晶21は、正の誘電率異方性を有するツイス
トネマチック(TN)液晶を用いる。またTFT基板1
0側には蛍光管バックライト等の光源51が備えてあ
る。
FT基板10の周辺をシール接着剤(図示せず)により
接着し、それにより形成された空隙に液晶21を充填し
て反射及び透過一体型液晶表示装置を完成させる。な
お、この液晶21は、正の誘電率異方性を有するツイス
トネマチック(TN)液晶を用いる。またTFT基板1
0側には蛍光管バックライト等の光源51が備えてあ
る。
【0030】ここで、上述の液晶表示装置において反射
型液晶表示装置として用いる場合についての光の進み方
を説明する。
型液晶表示装置として用いる場合についての光の進み方
を説明する。
【0031】観察者101側から入射される自然光10
0は、図3中に点線矢印で示すように、観察者101側
の偏光板44から入射し、位相差板43を透過して、更
に対向電極基板30、対向電極34、配向膜35、液晶
21、及びTFT基板10上の配向膜20を透過して、
カラーフィルタ31、保護膜33、反射材料から成る反
射表示電極50に到達する。その到達した光は反射表示
電極50によって反射されて再び入射した逆の光路をた
どって外部に出射し観察者101によって観察される。
0は、図3中に点線矢印で示すように、観察者101側
の偏光板44から入射し、位相差板43を透過して、更
に対向電極基板30、対向電極34、配向膜35、液晶
21、及びTFT基板10上の配向膜20を透過して、
カラーフィルタ31、保護膜33、反射材料から成る反
射表示電極50に到達する。その到達した光は反射表示
電極50によって反射されて再び入射した逆の光路をた
どって外部に出射し観察者101によって観察される。
【0032】ここで、反射型として用いた場合の光の偏
光状態を説明する。なお、以下の偏光状態の説明は液晶
に電圧を印加しない場合について説明する。
光状態を説明する。なお、以下の偏光状態の説明は液晶
に電圧を印加しない場合について説明する。
【0033】対向電極基板30側から入射した光は偏光
板44を通り直線偏光になり、位相差板43によって例
えば右回りの円偏光となり、液晶層の液晶21を通る際
に円偏光が楕円偏光になる。その偏光状態で反射表示電
極50に到達して反射されて位相が反転する。再び液晶
21を通ることにより左回りの円偏光となって再び位相
差板43に到達する。そして、偏光板44の透過軸と同
方向に振動する直線偏光の光になって光が透過して出射
する。
板44を通り直線偏光になり、位相差板43によって例
えば右回りの円偏光となり、液晶層の液晶21を通る際
に円偏光が楕円偏光になる。その偏光状態で反射表示電
極50に到達して反射されて位相が反転する。再び液晶
21を通ることにより左回りの円偏光となって再び位相
差板43に到達する。そして、偏光板44の透過軸と同
方向に振動する直線偏光の光になって光が透過して出射
する。
【0034】次に、上述の液晶表示装置を透過型として
用いた場合の光の進み方を説明する。
用いた場合の光の進み方を説明する。
【0035】図3中に実線で示すように、バックライト
51から発せられた光102は、偏光板23、位相差板
22、TFT基板10、ゲート絶縁膜12、層間絶縁膜
15、平坦化絶縁膜17、及び反射表示電極50に設け
た窓60を透過して、その後、スペーサ70中を透過し
て、対向電極基板30上に形成された反射体61のTF
T基板10側の面にて反射されてカラーフィルタ31に
入射されて反射表示電極50に達し、そこで再び反射さ
れて対向電極基板30上の配向膜35、対向電極34、
対向電極基板30、位相差板43及び偏光板44を透過
して出射して観察者101に観察される。
51から発せられた光102は、偏光板23、位相差板
22、TFT基板10、ゲート絶縁膜12、層間絶縁膜
15、平坦化絶縁膜17、及び反射表示電極50に設け
た窓60を透過して、その後、スペーサ70中を透過し
て、対向電極基板30上に形成された反射体61のTF
T基板10側の面にて反射されてカラーフィルタ31に
入射されて反射表示電極50に達し、そこで再び反射さ
れて対向電極基板30上の配向膜35、対向電極34、
対向電極基板30、位相差板43及び偏光板44を透過
して出射して観察者101に観察される。
【0036】ここで、透過型として用いた場合の光の偏
光状態を説明する。
光状態を説明する。
【0037】図3中に実線で示すように、バックライト
51から発せられた光102は、偏光板23に入り直線
偏光の光になり、次に位相差板22によって左回りの円
偏光となる。その後、窓60の透明電極を透過してスペ
ーサ70の中を通る。このとき、光の位相差は生じない
ため左回りの円偏光状態で反射体61に達する。
51から発せられた光102は、偏光板23に入り直線
偏光の光になり、次に位相差板22によって左回りの円
偏光となる。その後、窓60の透明電極を透過してスペ
ーサ70の中を通る。このとき、光の位相差は生じない
ため左回りの円偏光状態で反射体61に達する。
【0038】そして、その反射体61によって位相が反
転して右回りの円偏光になる。
転して右回りの円偏光になる。
【0039】そして、反射体61によって位相が反転し
て右回りの円偏光になった光は、液晶層の液晶21を通
る際に円偏光から楕円偏光になる。その偏光状態で反射
表示電極50到達して反射されて位相が反転する。その
後再び液晶層の液晶21を通ることにより左回りの円偏
光となり位相差板43に到達し、偏光板44の透過軸と
同一方向に振動する直線偏光の光になり透過して外部に
出射する。
て右回りの円偏光になった光は、液晶層の液晶21を通
る際に円偏光から楕円偏光になる。その偏光状態で反射
表示電極50到達して反射されて位相が反転する。その
後再び液晶層の液晶21を通ることにより左回りの円偏
光となり位相差板43に到達し、偏光板44の透過軸と
同一方向に振動する直線偏光の光になり透過して外部に
出射する。
【0040】なお、上述の説明においては光の円偏光の
向きは光の進行方向に対する方向を示して説明した。ま
た、上述の反射型として用いる場合の説明においては位
相差板43によって右回りの円偏光になる場合について
示したが、反射体61で反射した後の円偏光の向きと反
射型の場合において位相差板43を透過した後の円偏光
の向きとが同じになるように設定すれば左回りの円偏光
の場合でも良い。
向きは光の進行方向に対する方向を示して説明した。ま
た、上述の反射型として用いる場合の説明においては位
相差板43によって右回りの円偏光になる場合について
示したが、反射体61で反射した後の円偏光の向きと反
射型の場合において位相差板43を透過した後の円偏光
の向きとが同じになるように設定すれば左回りの円偏光
の場合でも良い。
【0041】以上のように、反射型の液晶表示装置とし
て用いる場合の反射表示電極50に到達する光の偏光状
態と、透過型として用いる場合の反射表示電極50に到
達する光の偏光状態が同じであるため、1つの液晶表示
装置で反射型及び透過型の両方の機能を備えることが可
能となる。
て用いる場合の反射表示電極50に到達する光の偏光状
態と、透過型として用いる場合の反射表示電極50に到
達する光の偏光状態が同じであるため、1つの液晶表示
装置で反射型及び透過型の両方の機能を備えることが可
能となる。
【0042】また、反射表示電極50がTFT基板10
の内側、即ち液晶層21側に設けられているため、反射
型として用いた場合にも従来のようにガラス基板の厚み
による視差を生じることを抑制することができ、またあ
る色の表示画素を透過した光が隣接する表示画素を透過
して出射してしまうことによるカラー表示の場合の色に
じみを抑制することができるとともに、白黒表示の場合
の隣接する表示画素の白色と黒色のにじみによりコント
ラストが低下することを抑制することができる。
の内側、即ち液晶層21側に設けられているため、反射
型として用いた場合にも従来のようにガラス基板の厚み
による視差を生じることを抑制することができ、またあ
る色の表示画素を透過した光が隣接する表示画素を透過
して出射してしまうことによるカラー表示の場合の色に
じみを抑制することができるとともに、白黒表示の場合
の隣接する表示画素の白色と黒色のにじみによりコント
ラストが低下することを抑制することができる。
【0043】更に、TFT基板10と対向電極基板30
との間の間隔をスペーサ70で保持することができるの
で、従来のように基板の全面に円柱状のスペーサを散布
する必要がなくなるとともに、確実に間隔を保持するこ
とができる。
との間の間隔をスペーサ70で保持することができるの
で、従来のように基板の全面に円柱状のスペーサを散布
する必要がなくなるとともに、確実に間隔を保持するこ
とができる。
【0044】なお、本実施の形態においては、TFTの
能動層として多結晶シリコンを用いたが、本発明はそれ
に限定されるものではなく、非晶質シリコン等の半導体
材料を用いても、本発明の効果を奏するものである。
能動層として多結晶シリコンを用いたが、本発明はそれ
に限定されるものではなく、非晶質シリコン等の半導体
材料を用いても、本発明の効果を奏するものである。
【0045】更に、本発明においては、Al、銀以外の
導電性反射材料を反射表示電極材料として用いても良
い。
導電性反射材料を反射表示電極材料として用いても良
い。
【0046】また、本実施の形態においては、反射表示
電極50に設けた窓60は反射表示電極50のほぼ中央
に設けたが、必ずしも中央でなくても良い。
電極50に設けた窓60は反射表示電極50のほぼ中央
に設けたが、必ずしも中央でなくても良い。
【0047】更にまた、本実施の形態においては、スペ
ーサ70をTFT基板10側に設けた場合について説明
したが、対向電極基板30側に形成しても良い。即ち、
反射体61を形成した後に、対向電極基板30の全面に
アクリル系樹脂である光硬化型のレジストをスピンナー
等で塗布した後、反射体61に対応した位置にそのレジ
ストが残るマスクを用いて光を照射して硬化させて、反
射体61に対応した位置にスペーサ70を形成しても良
い。このスペーサ70の厚みは、反射体61からTFT
基板10上に設ける保護膜33間での間隔に応じて設定
する。こうしてスペーサ70を形成した後、ポリイミド
等からなり液晶21を配向させる配向膜20を形成す
る。
ーサ70をTFT基板10側に設けた場合について説明
したが、対向電極基板30側に形成しても良い。即ち、
反射体61を形成した後に、対向電極基板30の全面に
アクリル系樹脂である光硬化型のレジストをスピンナー
等で塗布した後、反射体61に対応した位置にそのレジ
ストが残るマスクを用いて光を照射して硬化させて、反
射体61に対応した位置にスペーサ70を形成しても良
い。このスペーサ70の厚みは、反射体61からTFT
基板10上に設ける保護膜33間での間隔に応じて設定
する。こうしてスペーサ70を形成した後、ポリイミド
等からなり液晶21を配向させる配向膜20を形成す
る。
【0048】
【発明の効果】本発明によれば、視差が生じないのでカ
ラー表示の場合には色にじみがな液晶表示装置を得ると
ともに、反射と透過の両方の機能を有する液晶表示装置
を得ることができる。
ラー表示の場合には色にじみがな液晶表示装置を得ると
ともに、反射と透過の両方の機能を有する液晶表示装置
を得ることができる。
【図1】本発明の反射及び透過一体型液晶表示装置の平
面図である。
面図である。
【図2】図1中のA−A線に沿った本発明の反射及び透
過一体型液晶表示装置の断面図である。
過一体型液晶表示装置の断面図である。
【図3】図1中のB−B線に沿った本発明の反射及び透
過一体型液晶表示装置の断面図である。
過一体型液晶表示装置の断面図である。
【図4】図1中のA−A線に対応した従来の反射及び透
過一体型液晶表示装置の断面図である。
過一体型液晶表示装置の断面図である。
【図5】図1中のB−B線に対応した従来の反射及び透
過一体型液晶表示装置の断面図である。
過一体型液晶表示装置の断面図である。
10 TFT基板 13 能動層 15 層間絶縁膜 16 ドレイン電極 17 平坦化絶縁膜 19 透明電極 21 液晶 30 対向電極基板 31 カラーフィルタ 22、43 位相差板 23、44 偏光板 50 反射表示電極 60 窓 61 反射体 70 スペーサ G ゲート信号線 D ドレイン信号線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H091 FA11X FA11Z FD06 FD09 FD15 FD21 GA13 KA02 LA03 LA30 2H092 HA05 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB42 JB54 JB56 JB63 JB69 KA04 KA07 KA16 KA18 KB14 KB23 KB25 NA01 NA25 PA08
Claims (2)
- 【請求項1】 複数のゲート信号線と複数のドレイン信
号線が互いに交差して囲まれマトリクス状に配列された
表示画素領域を備え、前記両信号線に接続された薄膜ト
ランジスタ、及び該薄膜トランジスタに接続された反射
材料から成る反射表示電極を前記表示画素領域に備え、
前記各反射表示電極の一部に光を透過する透明導電材料
から成る窓を有した第1の基板と、前記各反射表示電極
に対向して設けられた透明導電材料から成る対向電極、
及び前記第1の基板側から入射した光を該第1の基板側
に反射する反射体が前記各窓に対応した箇所に備えられ
た第2の基板とを備え、正の誘電率異方性を有する液晶
を充填して成り、前記反射体と前記窓との間に、前記第
1の基板側から入射した光の位相差を生じない材料から
成るスペーサを配置しており、前記第1及び第2の基板
の前記液晶を充填していない側にそれぞれ偏光板及び位
相差板を備えており、該偏光板及び位相差板は前記第2
基板側から見て同一方向の円偏光を生じるように配置さ
れたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記位相差を生じない材料はアクリル系
樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11055894A JP2000250067A (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11055894A JP2000250067A (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000250067A true JP2000250067A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=13011835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11055894A Withdrawn JP2000250067A (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000250067A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003255332A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US7113241B2 (en) | 2001-08-31 | 2006-09-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US8035781B2 (en) | 2002-03-01 | 2011-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9448432B2 (en) | 2002-03-01 | 2016-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
-
1999
- 1999-03-03 JP JP11055894A patent/JP2000250067A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7113241B2 (en) | 2001-08-31 | 2006-09-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US7586561B2 (en) | 2001-08-31 | 2009-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US8054429B2 (en) | 2001-08-31 | 2011-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8717517B2 (en) | 2001-08-31 | 2014-05-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US8786808B2 (en) | 2001-08-31 | 2014-07-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| JP2003255332A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US7612849B2 (en) | 2002-03-01 | 2009-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US8035781B2 (en) | 2002-03-01 | 2011-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9057920B2 (en) | 2002-03-01 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9448432B2 (en) | 2002-03-01 | 2016-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051227 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060303 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070807 |