JP2000250081A - 波長変換回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射型で用いた場合と比較して変調速度を上
げることができ、また、小型で実装の容易性に優れた波
長変換回路を実現する。 【解決手段】 第１光結合回路の一方の出力ポートと第
２光結合回路の一方の入力ポートをつなぎ位相調整領域
１３−３を備えた第１半導体光増幅器１３−１と、第１
光結合回路の他方の出力ポートと第２光結合回路の他方
の入力ポートをつなぐ第２半導体光増幅器１３−２とで
マッハツェンダ型光回路１３を構成する。光回路１３の
半導体光増幅器の導波路をＵ字型の曲げ構造として半導
体光増幅器の入力端と出力端を同一ファセットに置く。
これにより反射防止膜１２を一括して形成することがで
き、進行波型半導体光増幅器として用いることができ
る。波長合分波光回路１４、１５を介して変調光λ１、
λ２を半導体光増幅器１３−１、１３−２に入力し、半
導体光増幅器を通過する変調光と異なる波長の光を該変
調光に従って変調する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、大容量光
ネットワーク通信における波長多重クロスコネクトの中
で用いられる波長変換回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】波長変換の方法として、主に、４光波混
合、相互利得変調、相互作用変調が挙げられるが、その
うち半導体光増幅器などの非線形媒質の屈折率変化を用
いた相互位相変調方式は、波形整形や低チャーピング伝
送特性を持つといわれ、有効な波長変換手段の一つと考
えられている。その半導体光増幅器は進行波型として用
いる場合と反射型として用いる場合があり、増幅器の性
能を十分に引き出すには進行波型として用いるのが理想
的であるが、回路小型化、反射防止膜付けやファイバ実
装等の工程数をなるべく低減する観点から考えて反射型
で用いる場合も多い。

【０００３】図８に従来のこのような反射型の半導体光
増幅器を用いた相互位相変調方式の波長変換回路の構成
例を示す。図８において、入出力導波路端面に反射防止
膜０２を施された２個の半導体光増幅器０１，０１と、
これら半導体光増幅器にそれぞれ光結合する半導体導波
路型光結合回路０３は、一体的に同一半導体基板０４上
に形成されている。なお、この半導体導波路型光結合回
路０３と第１から第４の半導体導波路（光導波路）０３
−１〜０３−４とで、マッハツェンダ型干渉経路が構成
されている。

【０００４】波長変換動作について以下に説明する。こ
のような構成系において、第１の光導波路０３−１から
入射した変換光λ２は、光結合回路０３で２分岐され
て、２個の半導体光増幅器０１、０１に入射し、それぞ
れ後端面で反射して、上記２個の半導体光増幅器０１、
０１への注入電流によって調節された位相条件によっ
て、再び０３−１、０３−４のどちらかの光導波路へ出
力される。

【０００５】例えば、上記両光路の位相差が２ｎπ（ｎ
＝０，１，２・・・）の時には、強め合った波長λ２の
光は、第２の光導波路０３−４から出力される。このよ
うな位相条件の時、外部信号光λ１が半導体光増幅器０
１、０１の片方へ入射すると、キャリア減少による屈折
率変化が起こり、変換光λ２の位相条件を変える。そし
て、外部信号光λ１の入射によって両光路の位相差が
（２ｎ＋１）π（ｎ＝０．１，２・・・）になると、変
換光λ２は第１の光導波路０３−１から出力される。す
なわち、外部信号光λ１の逆相の信号がのった変換光λ
２を、第２の光導波路０３−４から出力させることがで
き、また、位相調節条件によって被変換信号光λ１と同
相の変換信号光λ２を第１の光導波路０３−１から出力
させることもできる。

【０００６】次に、図９に進行波型の半導体光増幅器を
用いた従来の波長変換回路の構成例を示す。図９におい
て、入出力光導波路の両端面のそれぞれに反射防止膜０
２、０２を施された２個の半導体光増幅器０１，０１
と、これら半導体光増幅器にそれぞれ光結合する半導体
導波路型光結合回路０３、０３は、一体的に同一半導体
基板０５上に形成されている。なお、この半導体導波路
型光結合回路０３、０３と第１から第８の半導体導波路
（光導波路）０３−１〜０３−８とで、マッハツェンダ
型干渉経路が構成されている。

【０００７】半導体導波路０４−１、０４−２は信号光
入射用ポートである。波長変換動作は前述の図８と同様
である。しかし、図９の場合では、半導体光増幅器０
１、０１は進行波型として用いることができ、変換光と
被変換光の進行方向がクロスするために、出力変換光を
フィルタなしに取り出せる利点がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
波長変換回路では、以下のような解決すべき課題があ
る。

【０００９】図８において、半導体光増幅器０１、０１
は反射型であり、そのため入出力導波路端面には反射防
止膜（反射率Ｒ１：〜０．１％）が、後端面は高反射コ
ーティングや劈開面（反射率Ｒ２：〜３０％）が用いら
れる。半導体光増幅器０１、０１を発振させずに用いる
ためには、シングルパスゲインＧｓは、

【００１０】

【数１】Ｇｓ＜１／（Ｒ１×Ｒ２）^0.5 の条件を満たさなければならない。このような波長変換
回路では、変調速度を上げるため、キャリアを高注入し
てキャリア寿命を小さくする必要があるが、シングルパ
スゲインＧｓの値が小さいと、キャリアの注入量が制限
されることになる。そのため、進行波型半導体光増幅器
と同等のシングルパスゲインＧｓを得るためには、前端
面反射防止膜０２の反射率をさらに２桁程度低減させる
必要があるが、これを反射防止膜のみで実現することは
難しい。

【００１１】また、図９のような進行波型の波長変換回
路の場合では、反射防止膜０２を共振器両側に別々に施
す必要があり、また実装時のファイバ調芯は共振器両側
で行う必要がある。石英系基板上にハイブリッドに素子
を集積した場合でも、素子の位置合わせやファイバ付け
を両側で行う必要がある。また、回路の大きさも反射型
に比べて２倍の大きさを占めるため、作製コストが高く
なる。このため、小型で実装の容易性に優れた高性能の
波長変換回路を実現するための半導体光増幅器が求めら
れている。

【００１２】本発明は、上述の点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、反射型で用いた場合と比較して変調速
度を上げることができ、また、小型で実装の容易性に優
れた波長変換回路を実現することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、第１の光結合回路の一方の出力
ポートと第２の光結合回路の一方の入力ポートをつなぐ
第１の導波路構造を有する第１の半導体光増幅器と、該
第１の光結合回路の他方の出力ポートと該第２の光結合
回路の他方の入力ポートをつなぐ第２の導波路構造を有
する第２の半導体光増幅器とで構成されるマッハツェン
ダ型光回路と、前記第１と第２の半導体光増幅器に変調
光を入力する波長合分波光回路とを有し、前記マッハツ
ェンダ型光回路を通過する前記変調光と異なる波長の光
を該変調光に従って変調する波長変換回路において、前
記第１と第２の半導体光増幅器の導波路を曲げ構造とし
て該第１と第２の半導体光増幅器の入力端と出力端を同
一ファセットに置くことを特徴とする。

【００１４】ここで、前記第１と第２の光結合回路の少
なくとも１つがガラス系材料で作製されたことを特徴と
することができる。

【００１５】また、前記第１と第２の光結合回路の少な
くとも１つがポリマー系材料で作製されたことを特徴と
することができる。

【００１６】また、前記第１の光結合回路、前記第１と
第２の半導体光増幅器、前記第２の光結合回路の少なく
とも２つが同一基板上にモノリシック集積されたことを
特徴とすることができる。

【００１７】また、前記第１と第２の半導体光増幅器に
変調光を入力する前記波長合分波光回路がマッハツェン
ダ型光回路であることを特徴とすることができる。

【００１８】また、前記第１と第２の半導体光増幅器に
変調光を入力する前記波長合分波光回路が光結合回路で
あることを特徴とすることができる。

【００１９】また、前記第１と第２の半導体光増幅器の
導波路構造の活性領域における縦横寸法比を１としたこ
とを特徴とすることができる。

【００２０】また、前記第１と第２の半導体光増幅器の
一方に位相調整領域を設けたことを特徴とすることがで
きる。

【００２１】また、前記該第１と第２の半導体光増幅器
の入力端と出力端の側に反射防止膜を一括して形成した
ことを特徴とすることができる。

【００２２】（作用）本発明では、半導体光増幅器の入
力端と出力端を同一ファセット上におくことで、入射端
と出力端の反射防止膜を一括して形成することができ、
進行波型半導体光増幅器として使用することができる。
このため、反射型で使用した場合と比較してキャリアの
高注入を可能として変調速度を上げることができると共
に、実装時のファイバ調芯や、ＰＬＣ（Planar Lightwa
ve Circuit: 石英系プレーナ光波回路）ハイブリッド集
積時の素子の位置合わせは片側で済み、回路面積も半分
になることから、小型で実装の容易性に優れた高性能の
波長変換回路を実現することができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。

【００２４】（第１の実施形態）図１は本発明の第１の
実施形態の波長変換回路の構成を示す。図１に示すよう
に、石英系基板１１上には、入射及び出力端面に無反射
コーティング１２を施したスポットサイズ変換部付きＵ
字型半導体光増幅器１３が設けられている。このＵ字型
半導体光増幅器１３内の、位相調整領域１３−３が付随
した２本の半導体光導波路（半導体利得部）１３−１、
１３−２は、４本の石英系光導波路１４−１〜１４−４
から成る光結合回路１４および石英系光導波路１５−１
〜１５−４から成る光結合回路１５と光学的に結合し、
マッハツェンダ型干渉経路を形成している。また、半導
体利得部１３−１または１３−２へ変調光を入射するた
めの波長合分波器として、光導波路１６−１、１６−２
から成る光結合回路１６、及び光導波路１７−１、１７
−２から成る光結合回路１７が、それぞれ光導波路１４
−３、１４−４に付随して形成されている。

【００２５】本実施形態では、例えば光導波路１４−１
から入射した変換光λ２は、光結合回路１４を通って分
岐され、光導波路１４−３、１４−４から上記Ｕ字型半
導体光増幅器１３の半導体利得部１３−１、１３−２へ
入射し、光結合回路１５を通り出力される。このとき、
半導体利得部１３−１、１３−２や位相調整領域１３−
３への注入電流による干渉位相条件の調節によって、光
導波路１５−３と１５−４の両干渉路の位相差を２ｎπ
（ｎ＝０，１，２・・・）とした場合は、その干渉効果
によって強め合った光は光導波路１５−１へ出力され
る。次に、光導波路１８−１から外部信号光λ１を入射
すると、それにより半導体利得部１３−２ではキャリア
密度が減少し、屈折率が変化する。この屈折率の変化に
よって変換光λ２の前述の光導波路１５−３と１５−４
の両干渉路の位相差が（２ｎ＋１）π（ｎ＝０，１，２
・・・）になったとき、今度は光は光導波路１５−２へ
出力される。従って、図１に図示するように、位相条件
の調節によって同相または逆相の波長変換が可能であ
る。

【００２６】ここで、光結合回路としては、例えば従来
のＹ分岐型光回路に加えて、方向性結合光回路、マッハ
ツェンダ型光回路、多モード干渉型光結合回路（たとえ
ば、Lucas B.Soldano et al.,"Planner monomade optic
al coupler based on multimode interference effect
s," Lightwave Technol,vol.10,no.12,pp.1843-1850,19
92 参照) であったり、また、波長合分波器としてマッ
ハツェンダ型光合分波器であっても、上記の実施形態と
同様の実施形態が可能であることは言うまでもない。こ
の場合、Ｙ分岐型光回路では原理的に３ｄＢの損失が生
じるのに対して、低損失で半導体光導波路に光を入射さ
せることができ、また、パワー分岐比の波長依存性を小
さくしたり、逆に波長依存性を持たせることで分波機能
を設定できるなどの利点がある。

【００２７】本実施形態の波長変換回路は、Ｕ字型の半
導体利得部１３−１、１３−２とスポットサイズ変換部
が一体的に半導体基板上に形成された１個の光半導体素
子１３が、石英系光導波路光結合回路１４〜１９を形成
している石英系基板１１上に、個別に集積化された構造
とするものである。

【００２８】この光半導体素子１３を石英系基板１１上
に個別に集積化する方法としては、例えば、石英系基板
１１上のマーク（図示しない）と半導体光素子１３のマ
ーク（図示しない）を赤外線で照射して赤外線カメラで
観測しながら石英系光導波路と半導体光素子の導波路と
の光軸合わせを行う、パッシブアライメントにより行う
方法を挙げることができるが、本実施形態は何等これに
限定されるものではない。

【００２９】また、このような利得領域を持つ干渉計回
路の温度に対する安定性は、半導体光増幅器の利得のゆ
らぎと干渉計全体の屈折率のゆらぎに依存するが、本実
施形態では、温度安定性が半導体導波路よりも一桁程度
優れた石英系光導波路１４−１〜１９−２によって干渉
計が形成され、モジュール出力の温度に対する安定性が
半導体光増幅器部分のみの影響に依ることから、回路全
体を半導体導波路でモノリシック集積した場合と比較し
て、比較的安定した出力が得られる。

【００３０】図２に本実施形態におけるスポットサイズ
変換部付きＵ字型半導体光増幅器の概略図を示す。図２
に示すように、入出力端面に無反射コーティング２１を
施されたスポットサイズ変換部付きＵ字型半導体光増幅
器２０においては、活性領域２２に続き、スポットサイ
ズ変換部導波路領域２３が形成されており、スポットサ
イズ変換部導波路領域２３の導波路幅ｗ、もしくは層厚
ｄをテーパ状に変化させることによってスポットサイズ
の制御を行う。２４は位相調整領域である。

【００３１】図３は本実施形態で得られる波長変換回路
の実測例であり、変調速度１０Ｇｂ／ｓに対する出力ア
イパタンを示す。本実施形態では、従来の反射型の回路
と比較して、キャリアの高注入ができるため、キャリア
寿命が小さくなり、１０Ｇｂ／ｓの信号も容易に通すこ
とができる。

【００３２】図４は本実施形態における波長変換回路に
用いるスポットサイズ変換部付きＵ字型半導体光増幅器
の第２の構造例を示す。

【００３３】入出力端面に無反射コーティング４１を施
されたスポットサイズ変換部付きＵ字型半導体光増幅器
４０においては、活性領域４２に続き、スポットサイズ
変換部導波路領域４３が形成されている。このＵ字型半
導体光増幅器４０では、活性層幅が従来のものよりも狭
められ、活性層断面積がほぼ正方形（ｗ＝ｄ）となるよ
う作られた半導体利得部４２に続き、スポットサイズ変
換部４３が形成されている。このため、ＴＥモード、Ｔ
Ｍモードのどららで入射しても受ける利得の差が小さい
ため、このような半導体光増幅器を用いた場合、偏波依
存性の小さな波長変換回路を得ることができる。これに
よって、偏波制御なしに安定した出力が得られる。

【００３４】（第２の実施形態）図５は本発明の第２の
実施の形態における波長変換回路の構成を示す。図５に
示すように、石英系基板５１上に第１の実施の形態と同
様に入出力端面に一括して反射防止膜（無反射コーティ
ング）５２を形成されたスポットサイズ変換部付きＵ字
型半導体光増幅器５３が設けられている。このＵ字型半
導体光増幅器５３の２本の半導体光導波路（半導体利得
部）５３−１、５３−２は、石英系光導波路５４−１〜
５４−４からなるマッハツェンダ型光合分波器５４、５
５−１〜５５〜４から成るマッハツェンダ型光合分波器
５５と光学的に結合し、マッハツェンダ型の干渉経路を
形成している。

【００３５】ここで、マッハツェンダ型光合分波器５４
及び５５は、変換光λ２を半導体光導波路５３−１、５
３−２の両経路へ、信号光λ１を片側の経路のみへ入射
するために用いられる。また、これらマッハツェンダ型
光合分波器５４及び５５の分波間隔は、使用する変換光
と信号光の波長間隔によって決定され、これら光合分波
器５４及び５５に付随して形成されたヒータ部５４−
５、５５−５への通電制御によって出力の微調整を行
う。

【００３６】ここで、波長変換回路の動作方法は、前述
した本発明の第１の実施の形態と同様であり、また、使
用する半導体光増幅器の形状は、第１の実施の形態と同
様に図２、図４に示すものとする。

【００３７】（第３の実施形態）図６は本発明の第３の
実施の形態における波長変換回路の構成を示す。図６に
示すように、半導体基板６１上に入出力端面に無反射コ
ーティング６２が施されたＵ字型の半導体利得部アレイ
（半導体光増幅器）６３が、４本の半導体光導波路６４
−１〜６４−４から成る光結合回路６４および半導体光
導波路６５−１〜６５−４から成る光結合回路６５と共
に半導体同一基板６１上に一体的に形成され、マッハツ
ェンダ型干渉経路を形成している。また、Ｕ字型半導体
利得部アレイ６３の半導体利得部導波路６３−１または
６３−２へ信号を入射するための波長合分波器として、
半導体光導波路６６−１からなる光結合回路６６、及び
半導体光導波路６７−１から成る光結合回路６７が、そ
れぞれ半導体光導波路６４−３、６４−４に付随して形
成されている。

【００３８】ここで、本実施形態における波長変換回路
の動作方法は、前述した本発明の第１の実施の形態と同
様であり、また、使用する半導体光増幅器の形状は、第
１の実施の形態と同様に図２、図４に示すものとする。

【００３９】（第４の実施形態）図７は本発明の第４の
実施の形態における波長変換回路の構成を示す。図７に
示すように、半導体基板７１上に第３の実施の形態と同
様に入出力端面に一括して反射防止膜（無反射コーディ
ング）７２を施されたスポットサイズ変換部付きＵ字型
半導体利得部アレイ（半導体光増幅器）７３が設けられ
ている。このＵ字型半導体利得部アレイ７３の２本の半
導体光導波路（半導体利得部）７３−１、７３−２は、
半導体光導波路７４−１〜７４−４からなるマッハツェ
ンダ型光合分波器７４、および半導体光導波路７５−１
〜７５−４からなるマッハツェンダ型光合分波器７５と
共に一体的に同一半導体基板７１上に形成され、マッハ
ツェンダ型の干渉経路を形成している。

【００４０】ここで、マッハツェンダ型光合分波器７４
及び７５は、変換光λ２を半導体光導波路７３−１、７
３−２の両経路へ、信号光λ１を半導体光導波路７３−
１、７３−２の片側の経路のみへ入射するために用いら
れる。また、これらマッハツェンダ型光合分波器７４及
び７５の分波間隔は使用する変換光と信号光の波長間隔
によって決定される。

【００４１】ここで、本実施形態における波長変換回路
の動作方法は、前述した本発明の第１の実施の形態と同
様であり、また、使用する半導体光増幅器の形状は、第
１の実施の形態と同様に図２、図４に示すものとする。

【００４２】（他の実施形態）上述した本発明の各実施
形態では、Ｕ字型半導体光増幅器を用いて半導体光増幅
器の入出力端を同一ファセットとしたが、半導体光増幅
器の導波路がＵ字型に限らず何らかの曲げ構造を有して
いれば、これら実施形態と同様に、半導体光増幅器の入
出力端を同一ファセットとすることができる。

【００４３】また、上述した本発明の実施形態では、石
英系基板と石英系導波路を例示したが、石英系基板以外
の基板、たとえばシリコン基板やポリマー基板、石英系
導波路以外の導波路、たとえば、ポリマー導波路であっ
てもよい。

【００４４】また、上述した本発明の実施形態では、半
導体光増幅器の導波路構造の活性領域における縦横寸法
比を１としたが（図４参照）、このような導波路構造の
他にも、活性層部に歪みを加えた光学的に等方な導波路
構造であってもよい。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｕ字型の半導体光増幅器を用いることによって、反射防
止膜を一括して形成することができ、進行波型半導体光
増幅器として用いることができる。このため、本発明に
よれば、反射型で用いた場合と比較して変調速度を上げ
ることができ、また、小型で実装の容易性に優れた波長
変換回路を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態におけるハイブリッド集
積型干渉型の波長変換回路の構成を示す概略平面図であ
る。

【図２】本発明の第１実施形態で用いるスポットサイズ
変換部付きＵ字型半導体光増幅器の構成を示す概略斜視
図である。

【図３】本発明の第１実施形態で得られた波長変換回路
のアイパタン実測例を示す波形図である。

【図４】本発明の第１実施形態で用いる偏波依存性の小
さいスポットサイズ変換部付きＵ字型半導体光増幅器の
構成を示す概略斜視図である。

【図５】本発明の第２実施形態におけるハイブリッド集
積型干渉型の波長変換回路の構成を示す概略平面図であ
る。

【図６】本発明の第３実施形態におけるモノリシック集
積型干渉型の波長変換回路の構成を示す概略平面図であ
る。

【図７】本発明の第４実施形態におけるモノリシック集
積型干渉型の波長変換回路の概略平面図である。

【図８】反射型の半導体光増幅器を用いた相互位相変調
方式の従来の波長変換回路の構成を示す概略平面図であ
る。

【図９】進行波型の半導体光増幅器を用いた従来の波長
変換回路の構成を示す概略平面図である。

【符号の説明】

０１ 半導体光増幅器 ０２ 反射防止膜 ０３ 半導体導波路型光結合回路 ０３−１〜０３−４ 半導体導波路（０３と０３−１〜
０３−４とでマッハツエンダ型干渉経路が構成される） ０３−１〜０３−８ 半導体導波路（０３と０３−１〜
０３−８とでマッハツエンダ型干渉経路が構成される） ０４ 半導体基板 ０４−１、０４−２ 信号光入力用半導体導波路 ０５ 半導体基板 １１、５１ 石英基板 １２、５２ 無反射コーティング １３、５３ スポットサイズ変換部付きＵ字型半導体光
増幅器 １３−１、１３−２、５３−１、５３−２ 半導体利得
部 １３−３、５３−３ 位相調整領域 １４、１５、１６、１７、１８、１９ 光結合回路 １４−１〜１４−４、５４−１〜５４−４ 石英系光導
波路 １５−１〜１５−４、５５−１〜５５−４ 石英系光導
波路 １６−１、１６−２、１７−１、１７−２ 石英系光導
波路 １８−１、１８−２、１９−１、１９−２ 石英系光導
波路 ２０、４０ スポットサイズ変換部付きＵ字型半導体光
増幅器 ２１、４１ 無反射コーティング ２２、４２ 活性領域 ２３、４３ 導波路領域 ２４、４４ 位相調整領域 ５４、５５ マッハツェンダ型光合分波器 ５４−５、５５−５ ヒータ部 ５６ 光結合回路 ６１、７１ 半導体基板 ６２、７２ 無反射コーティング ６３、７３ Ｕ字型半導体利得部アレイ ６３−１、６３−２ 半導体利得部導波路 ６３−３、７３−３ 位相制御部 ６４、６５、６６、６７、６８、６９ 光結合回路 ６４−１〜６４−４、６５−１〜６５−４ 半導体光導
波路 ６６−１、６７−１、６８−１、６９−１ 半導体光導
波路 ７３−１、７３−２ 半導体利得部 ７４、７５ マッハツェンダ型光合分波器 ７４−１〜７４−４、７５−１〜７５−４ 半導体光導
波路 ７６ 光結合回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 安弘 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 吉本 直人 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 小熊 学 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 2K002 AB12 BA01 CA13 DA03 DA11 EA30 GA10 HA05 5F073 AA83 AA87 AA89 AB21 EA29

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の光結合回路の一方の出力ポートと
   第２の光結合回路の一方の入力ポートをつなぐ第１の導
   波路構造を有する第１の半導体光増幅器と、該第１の光
   結合回路の他方の出力ポートと該第２の光結合回路の他
   方の入力ポートをつなぐ第２の導波路構造を有する第２
   の半導体光増幅器とで構成されるマッハツェンダ型光回
   路と、 前記第１と第２の半導体光増幅器に変調光を入力する波
   長合分波光回路とを有し、 前記マッハツェンダ型光回路を通過する前記変調光と異
   なる波長の光を該変調光に従って変調する波長変換回路
   において、 前記第１と第２の半導体光増幅器の導波路を曲げ構造と
   して該第１と第２の半導体光増幅器の入力端と出力端を
   同一ファセットに置くことを特徴とする波長変換回路。
2. 【請求項２】 前記第１と第２の光結合回路の少なくと
   も１つがガラス系材料で作製されたことを特徴とする請
   求項１に記載の波長変換回路。
3. 【請求項３】 前記第１と第２の光結合回路の少なくと
   も１つがポリマー系材料で作製されたことを特徴とする
   請求項１に記載の波長変換回路。
4. 【請求項４】 前記第１の光結合回路、前記第１と第２
   の半導体光増幅器、前記第２の光結合回路の少なくとも
   ２つが同一基板上にモノリシック集積されたことを特徴
   とする請求項１に記載の波長変換回路。
5. 【請求項５】 前記第１と第２の半導体光増幅器に変調
   光を入力する前記波長合分波光回路がマッハツェンダ型
   光回路であることを特徴とする請求項１から４のいずれ
   かに記載の波長変換回路。
6. 【請求項６】 前記第１と第２の半導体光増幅器に変調
   光を入力する前記波長合分波光回路が光結合回路である
   ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の波
   長変換回路。
7. 【請求項７】 前記第１と第２の半導体光増幅器の導波
   路構造の活性領域における縦横寸法比を１としたことを
   特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の波長変換
   回路。
8. 【請求項８】 前記第１と第２の半導体光増幅器の一方
   に位相調整領域を設けたことを特徴とする請求項１から
   ７のいずれかに記載の波長変換回路。
9. 【請求項９】 前記該第１と第２の半導体光増幅器の入
   力端と出力端の側に反射防止膜を一括して形成したこと
   を特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の波長変
   換回路。