JP2000252256A

JP2000252256A - エッチング方法

Info

Publication number: JP2000252256A
Application number: JP11050137A
Authority: JP
Inventors: Takasuke Hayase; 貴介早瀬
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-02-26
Filing date: 1999-02-26
Publication date: 2000-09-14
Anticipated expiration: 2019-02-26
Also published as: JP3346324B2

Abstract

(57)【要約】【課題】レジストパターンのリフローを行うことなく、
異なる種類の金属膜が積層された金属配線を階段形状に
エッチングすることができるエッチング方法の提供。【解決手段】液晶表示装置を構成する透明ガラス基板上
にＭｏ膜（図５の３２）とＴｉ膜（図５の３３）とをこ
の順に積層した金属膜をエッチングして金属配線を形成
するに際して、Ｔｉ膜をその上に形成したレジストパタ
ーンをマスクとして所定のサイドエッチが生じるまでオ
ーバーエッチすることにより、レジストパターン端部が
自重によって垂れ下がり、レジストパターン端部とＭｏ
膜との間に所定の粘度を有するＭｏ膜のエッチング液が
浸透しないようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はエッチング方法に関
し、特に、異なる種類の金属膜が積層された金属配線の
エッチング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置の大型化、高密度化
が進むにつれ、ゲートバス配線、ドレインバス配線の電
気抵抗に起因する信号の遅延が深刻な問題となってい
る。そこで、信号の遅延を回避するために、配線材料と
して比抵抗の小さいＡｌ、Ａｌ合金、Ｍｏ等が広く用い
られるようになってきている。

【０００３】ところが、ＡｌやＡｌ合金を、例えば、図
１及び図２に示すような薄膜トランジスタのゲート電極
及びゲートバス配線に適用した場合、透明電極膜である
ＩＴＯとの良好なコンタクトが得られ難いという欠点が
あり、単層配線として用いることは困難である。一方、
配線材としてＭｏを適用した場合については、水分に対
する腐食耐性が悪く、端子部において接続信頼性が確保
できないという欠点があり、やはり単層配線として用い
ることは困難である。

【０００４】従って、いずれの材料を用いる場合につい
ても、ＩＴＯとのコンタクト性に優れ、かつ、腐食耐性
にも富んだＴｉやＣｒを上層に積層する必要がある。さ
らに、ゲートバス配線、ドレインバス配線を形成する際
に、単層配線の場合と比較してフォトリソグラフィーの
工程数を増やすことなく積層配線を形成するには、一度
のフォトリソグラフィー工程で積層金属膜を連続してエ
ッチングする技術が不可欠である。

【０００５】しかしながら、この積層金属膜のエッチン
グをドライエッチングで行う場合、断面形状の制御を行
うためには、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）
モードにて行う必要があるという設備上の制限がある上
に、スループットが落ちるという問題点がある。一方、
ウェットエッチングで積層配線のエッチングを行う場
合、上層金属膜をレジストパターン通りにエッチングす
る従来の方法では、上層の金属膜のエッチング後は、そ
の上層金属膜をマスクとして下層金属膜がエッチングさ
れるため、アンダーカットが発生する。

【０００６】この従来のエッチング方法について、図７
を参照して説明する。図７は、透明ガラス基板１１に積
層した金属膜（下層膜がＭｏ膜３２、上層膜がＴｉ膜３
３）をウェットエッチングでパターン加工する工程を模
式的に示した工程断面図である。

【０００７】まず、図７（ａ）に示すようにＭｏ膜３２
とＴｉ膜３３を順次積層した後、所望の形状のレジスト
パターン５１を公知のリソグラフィー技術を用いて形成
する（図７（ｂ）参照）。次に、図７（ｃ）に示すよう
に、上層のＴｉ膜３３のみ選択的にエッチングするエッ
チング液を用いてＴｉ膜３３のエッチングを行い、その
後レジストパターン５１を除去する。続いて、図７
（ｄ）に示すように、Ｔｉ膜３２をマスクとして、Ｍｏ
膜３２のみを選択的にエッチングするエッチング液を用
いてＭｏ膜３２をエッチングする。

【０００８】この際、エッチングは等方的に進行するた
めに、透明ガラス基板１１が露出するまでＭｏ膜３２を
エッチングすると、Ｍｏ膜３２はＴｉ膜３３下の部分ま
でエッチングされ、エッチング後の形状は上層の金属膜
が下層の金属膜よりもせり出したアンダーカット形状を
呈する。このようなアンダーカットが発生すると、後続
の絶縁膜成膜工程で絶縁膜のステップカバレージが不良
になってしまうという問題が発生する。

【０００９】そこで、積層配線の断面形状が階段状の形
状となるようにエッチングし、その上層に形成する絶縁
膜のステップカバレージを改善する方法が、例えば、特
開昭５８−１９１４４８号公報、特開平９−１７１１９
７号公報等に示されている。

【００１０】これらの方法について、図８を参照して説
明する。工程（ａ）から（ｃ）は、前記した図７の方法
と同様であるが、上層の金属膜（Ｔｉ膜３３）のエッチ
ング後、基板を再加熱（リフロー）し、レジストパター
ン５１が下層の金属膜（Ｍｏ膜３２）表面に付着するま
で変形させることを特徴とする（図８（ｄ）参照）。そ
して、その状態で下層のＭｏ膜３２をエッチングする
と、Ｍｏ膜３２は、リフローによって広がったレジスト
パターン５１ａによってＴｉ膜３３より広い範囲で覆わ
れるため、Ｔｉ膜３３の下部までエッチングが進行する
ことがなく、結果として階段形状に加工することができ
る（図８（ｆ）参照）。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たエッチング方法では、レジストパターンのリフローの
工程を追加しなければならないため、製造コストが余分
にかかってしまい、また、一度固化したレジストパター
ンを再度変形させる程度まで基板全体を加熱しなければ
ならないため、結果としてパターニングに欠陥が生じる
恐れがある。

【００１２】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その主たる目的は、レジストパターンのリ
フローを行うことなく、異なる種類の金属膜が積層され
た金属配線を階段形状にエッチングすることができるエ
ッチング方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、第１の視点において、異なる種類の金属
からなる複数の金属膜を積層した積層膜のウェットエッ
チングによるエッチング方法において、前記積層膜の上
に所定の形状のレジストパターン形成後、上層の金属膜
を選択的にエッチングするに際して、前記レジストパタ
ーン端部が自重によって垂れ下がり、該レジストパター
ン端部と下層の金属膜との間に該下層の金属膜のエッチ
ング液が浸透しないように、前記上層の金属膜を前記レ
ジストパターン下部の所定の位置までオーバーエッチン
グするものである。

【００１４】また、本発明は、第２の視点において、
（ａ）基板上に第１の金属からなる下層の金属膜を形成
後、第２の金属からなる上層の金属膜を所定の膜厚で形
成する工程と、（ｂ）前記上層の金属膜の上に所定の形
状のレジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レ
ジストパターンをマスクとして、前記上層の金属膜を選
択的にエッチングする工程と、（ｄ）前記レジストパタ
ーン及び前記上層の金属膜をマスクとして、前記下層の
金属膜を所定の粘度を有するエッチング液でエッチング
する工程と、を含むエッチング方法において、前記
（ｃ）の工程における前記上層の金属膜のエッチングに
際して、前記上層の金属膜を前記レジストパターン下部
の所定の位置までオーバーエッチングすることにより、
前記レジストパターン端部が自重によって垂れ下がり、
該レジストパターン端部と前記下層の金属膜との間に該
下層の金属膜のエッチング液が浸透しないようにするも
のである。

【００１５】本発明においては、前記オーバーエッチン
グ量が前記レジストパターン端部から略３μｍ内側であ
り、前記上層の金属膜の厚さが略５０ｎｍ以下であり、
前記下層の金属膜のエッチング液の粘度が、略２０セン
チポアズ以上であることが好ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明に係るエッチング方法は、
その好ましい一実施の形態において、液晶表示装置を構
成する透明ガラス基板上にＭｏ膜（図５の３２）とＴｉ
膜（図５の３３）とをこの順に積層した金属膜をエッチ
ングして金属配線を形成するに際して、Ｔｉ膜をその上
に形成したレジストパターンをマスクとして所定のサイ
ドエッチが生じるまでオーバーエッチすることにより、
レジストパターン端部が自重によって垂れ下がり、レジ
ストパターン端部とＭｏ膜との間に所定の粘度を有する
Ｍｏ膜のエッチング液が浸透しないようにするものであ
る。

【００１７】このような方法でエッチングすることによ
って、金属配線の断面形状を階段形状にすることがで
き、金属配線上層に形成する絶縁膜のステップカバレッ
ジを向上させることができる。

【００１８】

【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の一実施例について図１乃至
図５を参照して以下に説明する。本実施例は、本発明の
エッチング方法を、アクティブマトリクス基板に適用し
た例について記述するものである。図１は、液晶表示装
置のアクティブマトリクス基板を示す回路概念図であ
り、図２（ａ）は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略
す）を含む一画素部分の平面図であり、図２（ｂ）はＴ
ＦＴ部分のＡ−Ａ′線における断面図である。また、図
３は、図２の構造を得るための製造工程を模式的に示す
工程断面図である。更に、図４は、本実施例のエッチン
グ方法を模式的に説明するための工程断面図であり、図
５は、上層金属膜をエッチングした状態での各部の寸法
を示す断面図である。

【００１９】まず、図１及び図２を参照して、液晶表示
装置のアクティブマトリクス基板、及び、ＴＦＴを含む
一画素部分の構成について説明する。図に示すように、
本実施例に適用する半導体装置は、透明ガラス基板１１
の表面に選択的に形成されたゲート電極１２と、ゲート
絶縁膜１３を介してゲート電極１２に対向する島状のノ
ンドープ半導体層１４と、ｎ型半導体層１５を介してノ
ンドープ半導体層１４とそれぞれ接続された一対のソー
ス、ドレイン電極１６、１７とを有する逆スタガ型ＴＦ
Ｔである。

【００２０】さらに、透明ガラス基板１１の表面に選択
的に形成され、ゲート電極１２に接続されたゲートバス
配線１８とゲート絶縁膜１３を介してゲートバス配線１
８と交差し、ドレイン電極１７に接続されたドレインバ
ス配線１９及び保護膜２０に設けられたコンタクトホー
ル２１を介してソース電極１６に接続された透明導電膜
よりなる画素電極２２とを、図１のようにマトリックス
状に配設してアクティブマトリックス基板が作られてい
る。そして、ゲート電極１２とゲートバス配線１８及び
ソース、ドレイン電極１６、１７とドレインバス配線１
９が、いずれもＴｉ膜を上層に、Ｍｏ膜を下層に積層し
た構造で形成されている。

【００２１】次に、アクティブマトリクス基板の製造方
法について説明する。まず、図３（ａ）に示すように、
公知のスパッタリングとフォトリソグラフィーとエッチ
ングにより、上層Ｔｉ膜３３、下層Ｍｏ膜３２からなる
ゲート電極１２、ゲートバス配線１８を形成する。この
製造方法に関しては、後で詳しく説明する。次に、プラ
ズマＣＶＤ法により、例えば、窒化シリコンからなるゲ
ート絶縁膜１３を約４００ｎｍ被覆する。さらに、ノン
ドープ半導体膜を約３００ｎｍ、その上にｎ型半導体膜
を約３０ｎｍ被覆する。次に、ノンドープ半導体層１４
とｎ型半導体層１５を島状にエッチングにより形成する
（図３（ｂ）参照）。

【００２２】その後、図３（ｃ）に示すように、再びゲ
ート電極１２、ゲートバス配線１８と同様に、上層Ｔｉ
膜４３、下層Ｍｏ膜４２からなる積層配線によるソース
電極１６、ドレイン電極１７、ドレインバス配線１９を
形成する。次に、ソース、ドレイン電極１６、１７をマ
スクとして、ｎ型半導体層１５をエッチングにより除去
する。次に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、約２０
０ｎｍの窒化シリコンからなる保護膜２０でＴＦＴ基板
全体を被覆後、画素電極とソース電極１６を接続するた
めのコンタクトホール２１とゲート、ドレイン端子用の
開口部３１、４１のみをエッチングにより開口する（図
３（ｄ）参照）。そして最後に、例えば、酸化インジウ
ム錫（以下、ＩＴＯと略す）からなる透明導電膜を約５
０ｎｍ被覆し、フォトリソグラフィー法とエッチングに
より、画素電極２２とゲート、ドレイン端子用透明電極
膜３４、４４を形成する（図３（ｅ）参照）。

【００２３】次に、本実施例の特徴である上層Ｔｉ膜３
３、下層Ｍｏ膜３２の積層構造をもつゲートバス配線１
８、ゲート電極１２の製造方法について図４を参照して
説明する。なお、上層Ｔｉ膜４３、下層Ｍｏ膜４２の積
層構造をもつソース電極１６、ドレイン電極１７、ドレ
インバス配線１９についても同様の方法で製造すること
ができる。

【００２４】まず、図４（ａ）に示すように、ガラス基
板１１上に、Ｍｏターゲット、Ｔｉターゲットを用いた
スパッタリング法により、Ｍｏ膜３２、Ｔｉ膜３３を順
次成膜する。なお、スパッタリングに関しては、ＤＣマ
グネトロンスパッタリング、ＲＦマグネトロンスパッタ
リングのどちらを用いてもよい。また、Ｍｏ膜３２の膜
厚は配線抵抗を考慮して２００ｎｍ〜３００ｎｍ程度、
Ｔｉ膜３３の膜厚は後に理由を説明するように、概ね５
０ｎｍ以下であることが好ましい。

【００２５】その後、図４（ｂ）に示すように、フォト
リソグラフィー法によりポジ型フォトレジストパターン
５１を形成し、上層Ｔｉ膜３３をフッ酸系のエッチング
液によりウエットエッチングする。このとき、レジスト
パターン５１に対し、概ね片側３μｍ以上サイドエッチ
されるまでオーバーエッチする。ここでのレジストの形
状は、図４（ｃ）に示すように、レジスト自身の重量で
少し垂れ下がった状態になっている。

【００２６】さらに、図４（ｄ）に示すように、下層Ｍ
ｏ膜３２を概ね２０センチポアズ以上の粘度を有するリ
ン酸系のエッチング液によりウェットエッチングする。
すると、このエッチング液は所望の粘度を有するため
に、レジストパターン５１と下層Ｍｏ膜３２の間隔には
浸透せず、レジストパターン５１どおりにＭｏ膜３２を
エッチングすることができ、配線断面は階段状になる。

【００２７】エッチング液が浸透しないためには、リン
酸系のエッチング液の粘度が２０センチポアズ以上であ
ること、Ｔｉ膜３３のサイドエッチ量が概ね３μｍ以上
であること、そして、レジストパターン５１と下層Ｍｏ
膜３２の間隔が概ね５０ｎｍ以下であることが好まし
く、これがＴｉ膜３３の膜厚を概ね５０ｎｍ以下に限定
した理由である。

【００２８】上記効果は、上層金属膜の膜厚を所定の値
以下に薄くし、上層金属膜がレジストパターン下部の所
定の位置までサイドエッチされるようにオーバーエッチ
すれば、レジストパターンのリフローを行うことなく、
金属配線を階段状の断面形状にエッチングすることがで
きるということであり、この効果を実験結果に基づいて
詳細に説明する。

【００２９】先ず、下層金属膜であるＭｏ膜３２の膜厚
を２００ｎｍに固定した上で、上層金属膜であるＴｉ膜
３３の膜厚及びサイドエッチ量を変化させ、上記方法に
よって積層配線のエッチングを行った結果、表１に示す
ように、Ｔｉ膜３３の膜厚が約５０ｎｍ、Ｔｉ膜３３の
オーバーエッチが片側概ね３μｍの２つの条件を満足す
ることで、レジストパターンのリフローを行わなくても
図４（ｄ）に示すような階段状の断面形状にエッチング
することができた。

【００３０】

【表１】

【００３１】リフローを行わなくても良い理由は、概ね
３μｍのサイドエッチにより、レジストがそれ自身の重
量で垂れ下がり、もともと５０ｎｍのレジストと下層金
属膜の隙間がさらに狭くなり、下層金属膜のエッチング
時にエッチング液がその隙間に浸透することができない
ためと考えられる。

【００３２】但し、表１の結果は下層金属膜のエッチン
グ液として、４３センチポアズの高粘度を有するリン酸
系エッチング液を用いた結果である。従って、エッチン
グ液の粘度によっては、レジストパターン５１と下層金
属膜であるＭｏ膜３２の隙間にエッチング液が浸透し、
Ｍｏ膜３２もサイドエッチされ、レジストパターン通り
にエッチングを行うことができない恐れがある。

【００３３】そこで、次に、Ｔｉ膜３３の膜厚が５０ｎ
ｍ、Ｔｉ膜３３のオーバーエッチ量が片側概ね３μｍ以
上の２つの条件を満足するサンプルについて、下層Ｍｏ
膜３２のエッチング液の粘度を変化させて、上記方法に
て積層配線のエッチングを行った結果、４３センチポア
ズ、２０センチポアズのエッチング液を用いた場合は、
ねらい通りに階段状にエッチングすることができたが、
１１センチポアズのエッチング液を用いた場合は、エッ
チング液がレジストパターン５１と下層Ｍｏ膜３２の間
に浸透し、下層Ｍｏ膜３２もサイドエッチされてしまう
ということを確認した（表２参照）。

【００３４】

【表２】

【００３５】但し、表２の評価では、リン酸系エッチン
グ液の混合比を変えることによって粘度を変化させてい
るため、同時にエッチングレートも変化しており、階段
形状にエッチングできた理由についても、単にエッチン
グレートが遅いためである可能性がある。従って、表２
の結果だけでは、２０センチポアズの粘度を有する全て
のリン酸系エッチング液について適用できると結論する
ことはできない。そこでさらに、５０ｎｍの隙間に浸透
できない粘度そのものを見極めるため、以下のような評
価を行った。

【００３６】まず、透明ガラス基板１１上に、膜厚５０
ｎｍのＭｏ膜３２を被覆し、フォトリソグラフィー法に
より、フォトレジストの配線パターンを形成する。次
に、リン酸系エッチング液により、片側約３μｍのサイ
ドエッチが生じるようにＭｏ膜３２をエッチングする。
このときのサンプルの構造を図５に示す。このサンプル
のサイドエッチ量を初期値として、リン酸系エッチング
液にてエッチングを行い、サイドエッチの増加量から基
板平行方向のエッチングレートを測定した。その結果を
図６に示す。

【００３７】図６の横軸はエッチング液の粘度を、縦軸
は今回定義したサイドエッチ指数（≡基板平行方向のエ
ッチングレート／基板法線方向のエッチングレート）を
示す。図６から、２０センチポアズ以上の粘度では基板
法線方向のエッチングレートの値に関わらず、基板平行
方向のエッチングレートが零であることを示している。
以上の結果から、概ね２０センチポアズ以上の粘度を有
するエッチング液は、基板法線方向のエッチングレート
に関わらず、レジストと下層金属膜との５０ｎｍの隙間
には浸透しないことを確認した。

【００３８】このように、Ｍｏ膜３２からなる第１層の
金属膜と、第１層の金属膜上に設けられたＴｉ膜３３か
らなる第２層の金属膜とからなる積層構造の配線、電極
をウェットエッチングにより形成する方法において、上
層Ｔｉ膜３３の膜厚を概ね５０ｎｍ以下とし、上層Ｔｉ
膜３３のエッチング時に片側概ね３μｍ以上サイドエッ
チされるようにオーバーエッチし、また、下層Ｍｏ膜３
２のエッチング液として、概ね２０センチポアズ以上の
粘度を有するエッチング液を用いることにより、上層Ｔ
ｉ膜３３のエッチング後、レジストを再加熱してリフロ
ーすることなく、引き続き下層Ｍｏ膜３２のエッチング
を行って配線断面を階段形状に形成することができる。
従って、レジストの再加熱やドライエッチングのための
工程の増加を防ぎ、製造コストの低減を図ることがで
き、また、再加熱によるレジストパターンの変形、変質
を防ぐことができるため、製造歩留を向上させることが
できる。

【００３９】また、前記した実施例では、上層にＴｉ膜
３３、下層にＭｏ膜３２を積層した配線、電極について
述べたが、本発明は上記構成に限定されるものではな
く、ゲートバス配線及び電極について、上層をＣｒ膜、
下層をＡｌ膜またはＡｌ合金膜としても、前記した実施
例と同様のエッチング方法により、階段状の断面形状に
エッチングすることができる。なお、この場合は、Ｃｒ
のエッチング液としては硝酸系エッチング液を用い、Ａ
ｌまたはＡｌ合金のエッチング液としては前記した実施
例と同様に概ね２０センチポアズ以上の粘度を有するリ
ン酸系のエッチング液を用いれば良い。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のエッチン
グ方法によれば、積層構造の金属膜をエッチングするに
際し、上層金属膜のエッチング後、レジストを再加熱す
ることなく、配線断面を階段形状に形成することができ
るため、レジスト再加熱やドライエッチングのための工
程を新たに追加する必要がなく、金属配線の上層に形成
する絶縁膜のステップカバレージを向上させることがで
きるという効果を奏する。また、レジストの再加熱工程
を行わないために、再加熱によるレジストパターンの変
形、変質を防ぐことができるため、製造歩留を向上させ
ることができる。

【００４１】その理由は、本発明では、下層の金属膜
と、その上に設けられた上層の金属膜とからなる積層構
造の配線、電極をウェットエッチングするに際して、上
層膜の膜厚を概ね５０ｎｍ以下とし、上層膜のエッチン
グ時に片側概ね３μｍ以上サイドエッチングし、また、
下層膜のエッチング液として、概ね２０センチポアズ以
上の粘度を有するエッチング液を用いることにより、エ
ッチング液がレジストパターンと下層膜の間にしみこむ
ことを防ぐことができ、下層膜が過度にエッチングされ
ることを防ぐことができるからである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用される液晶表示装置のアクティブ
マトリクス基板を示す回路概念図である。

【図２】本発明が適用される液晶表示装置の薄膜トラン
ジスタを含む一画素部分を示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図であ
る。

【図３】本発明が適用される液晶表示装置の薄膜トラン
ジスタの製造工程を模式的に示す工程断面図である。

【図４】本発明の一実施例にかかるエッチング方法を説
明するための工程断面図である。

【図５】本発明の一実施例にかかるエッチング方法のエ
ッチング状態を示す断面図である。

【図６】本発明の効果を説明するための図である。

【図７】従来のエッチング方法を示す工程断面図であ
る。

【図８】従来のエッチング方法を示す工程断面図であ
る。

【符号の説明】

１１透明ガラス基板１２ゲート電極１３ゲート絶縁膜１４ノンドープ半導体層１５ｎ型半導体層１６ソース電極１７ドレイン電極１８ゲートパス配線１９ドレインパス配線２０保護膜２１コンタクトホール２２画素電極２３ゲート端子２４ドレイン端子３１、４１開口部３２、４２Ｍｏ膜３３、４３Ｔｉ膜３４、４４透明電極膜５１レジストパターン５１ａリフローしたレジストパターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4K057 WB08 WB11 WB15 WE04 WE07 WF04 WN01 5F033 GG04 HH08 HH09 HH17 HH18 HH20 HH38 MM05 MM18 PP15 QQ08 QQ10 QQ19 QQ20 QQ33 RR06 SS15 VV06 VV15 WW00 WW02 XX02 5F043 AA26 AA27 BB18 FF02 FF10 5F110 AA16 AA30 BB01 BB02 CC07 CC08 DD02 EE03 EE04 EE14 EE22 EE44 FF03 FF30 GG24 GG35 HK03 HK04 HK08 HK22 HK33 HL07 NN04 NN24 QQ05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】異なる種類の金属からなる複数の金属膜を
積層した積層膜のウェットエッチングによるエッチング
方法において、前記積層膜の上に所定の形状のレジストパターン形成
後、上層の金属膜を選択的にエッチングするに際して、
前記レジストパターン端部が自重によって垂れ下がり、
該レジストパターン端部と下層の金属膜との間に該下層
の金属膜のエッチング液が浸透しないように、前記上層
の金属膜を前記レジストパターン下部の所定の位置まで
オーバーエッチングする、ことを特徴とするエッチング
方法。
【請求項２】（ａ）基板上に第１の金属からなる下層の
金属膜を形成後、第２の金属からなる上層の金属膜を所
定の膜厚で形成する工程と、（ｂ）前記上層の金属膜の上に所定の形状のレジストパ
ターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンをマスクとして、前記上層
の金属膜を選択的にエッチングする工程と、（ｄ）前記レジストパターン及び前記上層の金属膜をマ
スクとして、前記下層の金属膜を所定の粘度を有するエ
ッチング液でエッチングする工程と、を含むエッチング
方法において、前記（ｃ）の工程における前記上層の金属膜のエッチン
グに際して、前記上層の金属膜を前記レジストパターン
下部の所定の位置までオーバーエッチングすることによ
り、前記レジストパターン端部が自重によって垂れ下が
り、該レジストパターン端部と前記下層の金属膜との間
に該下層の金属膜のエッチング液が浸透しないようにす
る、ことを特徴とするエッチング方法。
【請求項３】前記オーバーエッチング量が、前記レジス
トパターン端部から略３μｍ内側である、ことを特徴と
する請求項１又は２に記載のエッチング方法。
【請求項４】前記上層の金属膜の厚さが、略５０ｎｍ以
下である、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
一に記載のエッチング方法。
【請求項５】前記下層の金属膜のエッチング液の粘度
が、略２０センチポアズ以上である、ことを特徴とする
請求項１乃至４のいずれか一に記載のエッチング方法。
【請求項６】前記上層の金属膜がＴｉ膜であり、前記下
層の金属膜がＭｏ膜であることを特徴とする請求項１乃
至５のいずれか一に記載のエッチング方法。
【請求項７】前記上層の金属膜がＣｒ膜であり、前記下
層の金属膜がＡｌ膜もしくはＡｌ合金膜であることを特
徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載のエッチン
グ方法。
【請求項８】液晶表示装置のアクティブマトリクス基板
上に積層された金属膜に適用される請求項１乃至７のい
ずれか一に記載のエッチング方法。