JP2000252332A - 半導体および類似デバイスの検査システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】検査項目・検査工程およびその検査頻度は、一
般的に、製品フェーズ毎に変化する。また、突発的に発
生した欠陥・不良に対応するため、一時的に検査内容の
変更を強いられることなどもある。このような場合に、
需要量の変動に即応して、限られた保有装置台数の中で
最も効果機能比率への変更を可能とする検査システムの
提供を目的とする。 【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は複数
台のＳＥＭの内少なくとも一部が、寸法測定，パターン
欠陥検査、及びレビューの内少なくとも２以上の機能を
有する検査システムを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】半導体素子製造，撮像素子製
造、および表示素子製造などの検査工程で用いられる走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）およびその類似装置。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子製造におけるインライン検査
用走査型電子顕微鏡（半導体検査SEM)の基本的な原理と
構成を、図１を用いて説明する。

【０００３】電子銃１から放出された電子ビーム２は、
加速された後、収束レンズ３および対物レンズ４によっ
て細く絞られ、試料であるウェハ５の面上に焦点を結
ぶ。同時に、電子ビーム２は、偏向器６によって軌道を
曲げられ、該ウェハ面上を二次元走査あるいは一次元走
査する。一方、電子ビームで照射されたウェハ部分から
は、電子ビームとウェハ物質との相互作用の結果、二次
電子７が放出される。二次電子７は、二次電子検出器８
によって検知・電気信号に変換された後、信号処理部１
４にてＡ／Ｄ変換などの信号処理を受ける。信号処理さ
れた像信号は、メモリ部１５に記憶される。記憶された
像信号は、ディスプレイ９を輝度変調あるいはＹ変調す
るために使われる。ディスプレイ９は、電子ビーム２の
ウェハ面上走査と同期して走査されており、ディスプレ
イ９上には試料像が形成される。二次元走査し輝度変調
をかければ試料像が表示され、一次元走査しＹ変調をか
ければラインプロファイルが描かれる。形成された試料
像やラインプロファイルは、主としてパターンの加工品
質を検査するために用いられる。例えば、パターン寸法
測定，パターン欠陥検査などの工程である。なお、パタ
ーン欠陥検査工程は、さらに欠陥検出工程と欠陥分類工
程とに分けられる。

【０００４】一方、このような半導体検査ＳＥＭは、各
検査機能を実現するための専用SEMとして製作，使用さ
れており、それぞれ測長ＳＥＭ，パターン欠陥検査ＳＥ
Ｍ、およびレビューＳＥＭなどと称されている。

【０００５】半導体検査ＳＥＭを用いてインライン検査
する時の手順は、例えば、以下のようなものである。

【０００６】被測定ウェハの一枚５は、ウェハカセット
１０から取り出された後、プリアライメントされる。プ
リアライメントは、ウェハに加工されたオリエンテーシ
ョンフラットやノッチなどを基準として、ウェハの方向
を合わせるための操作である。プリアライメント後、ウ
ェハ５は真空に保持された試料室１１内のＸＹ−ステー
ジ１２上に搬送され、搭載される。ＸＹ−ステージ１２
上に装填されたウェハ５は、試料室１１の上面に装着さ
れた光学顕微鏡１３を用い、アライメントされる。アラ
イメントは、ＸＹ−ステージの位置座標系とウェハ内の
パターン位置座標系との補正を行うものであり、ウェハ
上に形成されたアライメントパターンを用いて実行され
る：アライメントパターンの数百倍程度に拡大された光
学顕微鏡像を、予めメモリ部１５に登録されているアラ
イメントパターンの参照用画像と比較し、その視野が参
照用画像の視野と丁度重なるように、ステージ位置座標
を補正する。アライメント後、所定の観測箇所にステー
ジ移動し、観測箇所の精密な位置決め，焦点合わせを行
う。位置決めには、上記アライメントに準じたパターン
マッチングの手法が用いられる。位置決め後、測長ＳＥ
Ｍ，パターン欠陥検査ＳＥＭ、およびレビューＳＥＭな
ど夫々の有する機能に対応して、パターンの寸法測定，
欠陥検査，欠陥レビューなどの作業が行われる。

【０００７】測長ＳＥＭを用いた寸法測定では、寸法を
求めたい方向に測定パターンを横切って電子ビームを一
次元走査し、得られたラインプロファイルから、所定の
パターンエッジ決定アルゴリズムに従ってパターンエッ
ジを決定し、得られたパターンエッジの間隔から測定パ
ターンの寸法を算出し、得られた算出値を寸法測定結果
として出力する。出力結果は、ネットワークを経由して
検査データ管理システムに格納され、歩留向上や生産管
理のために使われる。

【０００８】パターン欠陥検査ＳＥＭを用いた欠陥検出
では、電子ビーム走査とステージ移動を組み合わせなが
ら、ウェハ上の所要検査領域全面をラスタ走査し、形成
した試料像をメモリ部１５に格納する。格納された試料
像は、同様にメモリ部内に記憶されていた参照試料画像
と比較され、両画像の差異部が欠陥として検出される。
この時用いられる参照試料画像は、一般的に、直前に検
査したチップあるいはセルの同じ部分の試料像が用いら
れる。検出された欠陥の位置座標データは、欠陥部の試
料像などとともに欠陥データとして出力される。出力結
果は、ネットワークを経由して検査データ管理システム
に格納され、歩留向上や生産管理のために使われる。

【０００９】レビューＳＥＭでは、検出された欠陥部の
試料像を観察し、欠陥画像上に表れた特徴を基に、欠陥
発生原因別あるいは歩留に影響を与える程度に応じて欠
陥を分類する。分類結果は、ネットワークを経由して検
査データ管理システムに格納され、歩留向上や生産管理
のために使われる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】インラインで検査すべ
き検査項目・検査工程および検査頻度は、一般的に、開
発／試作・少量生産・多量生産などの製品フェーズ毎に
変化する。また、突発的に発生した欠陥・不良に対応す
るため、一時的に検査内容の変更を強いられることなど
もある。

【００１１】半導体検査ＳＥＭについて見ると、開発／
試作段階ではパターン加工技術の確立が急務であり、測
長ＳＥＭを用いたパターン寸法測定作業が頻度高く行わ
れる。そして、パターン加工条件が確定し少量生産の段
階に入ると、パターン寸法監視の重要度は低くなり、歩
留向上が重要な課題となる。歩留を上げるためには、異
物発生源や欠陥発生源の早期発見を目的として、パター
ン欠陥検査ＳＥＭおよびレビューＳＥＭの需要が増大す
る。さらに、歩留が高くなり多量生産の段階に入ると、
高歩留を安定に維持することが最大の課題となる。突発
的な欠陥の発生が歩留低下をもたらすことのないよう、
突発欠陥の発生を見逃さないために、パターン欠陥検査
ＳＥＭの需要が高くなる。すなわち、製品フェーズに依
存して、測長ＳＥＭ，パターン欠陥検査ＳＥＭ、および
レビューＳＥＭに対する需要量は変動し、需要量とその
処理能力の間に乖離が生じることになる。処理能力に余
裕があり過ぎる場合には、装置が遊んだり、効果の少な
い検査を行っていることになる。処理能力が不足し過ぎ
る場合には、欠陥の発生を見逃す確立が高くなり、製品
開発の遅延や歩留低迷に繋がる。現在、このような不都
合をなくすための善い手段がない。いわんや、突発欠陥
／突発不良発生時に臨機応変に対応することは、不可能
に近い。

【００１２】

【課題を解決するための手段】半導体検査ＳＥＭが有す
る寸法測定，パターン欠陥検査およびレビュー・欠陥分
類の機能は、上述したように、製品フェーズによって多
用される時期が異なる。また、測長ＳＥＭ，パターン欠
陥検査ＳＥＭ、およびレビューＳＥＭを合わせた半導体
検査ＳＥＭの総台数は、経験的に見ると、開発／試作・
少量生産・多量生産の各製品フェーズを通して、大きく
は変わらない。

【００１３】この点に着目すれば、システム構成として
は、（１）ネットワークで接続された複数台の半導体検
査ＳＥＭの内少なくともその一部を、寸法測定，パター
ン欠陥検査およびレビュー・欠陥分類の機能の内少なく
とも二つ以上の機能を遂行することが可能な多機能ＳＥ
Ｍで構成することが、解決の一つの方向となる。

【００１４】これを実現するためには、装置管理の面で
（２）１台の半導体検査ＳＥＭが、各処理機能に対応し
た複数の装置同定番号を有するシステムとするか、デー
タ処理の面で（３）ネットワーク内通信に用いられる検
査データのフォーマットが、寸法測定データ，欠陥検査
データ、およびレビュー・欠陥分類データを包含した構
成とする。

【００１５】また、半導体検査ＳＥＭ自体は、（４）合
理的・経済的な多機能化ＳＥＭを実現するため、共通に
使われる機能を基本部分とし、この上に、パッケージ化
されて容易に着脱できるように、寸法測定，欠陥検出お
よび欠陥分類の三つの応用機能を搭載した装置構成にす
る、（５）１台の半導体検査ＳＥＭが、その処理機能に
対応した複数のレシピ体系で機能できるようにする。

【００１６】これにより、寸法測定，パターン欠陥検査
およびレビュー・欠陥分類の三つの機能を、多用される
時期に応じて使い分けることが可能となる。

【００１７】寸法測定，パターン欠陥検査およびレビュ
ー・欠陥分類の三つの応用機能を、多用される時期に応
じて使い分けることが可能となる。このため、各応用機
能に対する需要量の変動に即応して、限られた台数の保
有装置を最も効果的な機能比率に変更・使用することが
可能となる。例えば、図４に示すように、全５台の半導
体検査ＳＥＭを、当初の開発／試作段階では寸法測定機
能３台，欠陥検査機能２台でスタートし、少量生産段階
では寸法測定機能２台，欠陥検査機能＋レビュー機能３
台に変更し、多量生産の段階では、寸法測定機能１台，
欠陥検査機能３台，欠陥検査機能＋レビュー機能１台の
ようにして使用することである。

【００１８】一方、このような機能変更を行うに際して
は、装置が基本機能部とパッケージ化されて容易に着脱
可能な応用機能部との階層構成となっているため、装置
本体を入れ替えたりレイアウト変更を行う必要がない。
したがって、要する労力・時間・費用を最小限に抑えら
れる上、継続して行われている生産作業への支障も避け
られる。

【００１９】また、装置製作の観点からすると、基本機
能部分の装置製作台数が増加するため、量産効果による
装置製作コストの低減も可能となる。

【００２０】

【発明の実施の形態】図４を用いて説明する。寸法測
定，パターン欠陥検査およびレビューの検査装置は、ネ
ットワークで接続された５台の半導体検査ＳＥＭで構成
されており、その内少なくともＮo.２からＮo.５の４台
のＳＥＭは、寸法測定，パターン欠陥検査およびレビュ
ー・欠陥分類の三機能を有することができる。そして、
それぞれの半導体検査ＳＥＭが、寸法測定，パターン欠
陥検査およびレビュー・欠陥分類の各処理機能に対応し
て、複数の装置同定番号を有するシステムとなってい
る。また、これら４台のＳＥＭは、 （１）共通に使われるウェハ着脱機能，ウェハアライメ
ント機能，観測箇所位置決め機能，焦点位置合わせ機
能、および試料画像形成機能を基本機能として、その上
にパッケージ化されて容易に着脱可能な寸法測定機能，
欠陥検出機能、および欠陥分類機能を搭載できるよう、
図２の如く構成されている。

【００２１】ここで、寸法測定機能は同一工程で形成さ
れたパターンの寸法／パターン間の間隔の測定だけでは
なく、異なる工程で加工されたパターン間の間隔すなわ
ち重ね合わせ精度を測定することもできる。欠陥検出機
能は、試料像／参照画像取得，試料像／参照画像比較・
差画像形成，差部分を欠陥として検出，欠陥が存在する
位置の座標データ・欠陥サイズ・欠陥部の試料像などを
出力する機能で構成される。欠陥分類機能は、試料像／
参照画像取得，試料像／参照画像比較・差画像形成，差
部分すなわち欠陥の特徴量抽出，抽出特徴量を予め学習
された特徴量データと比較・欠陥をコード分類した後、
欠陥分類コードを欠陥部の試料像などとともに出力する
機能で構成される。

【００２２】（２）寸法測定，パターン欠陥検査および
レビュー・欠陥分類の各処理機能に対応して、複数のレ
シピ体系で動作できるように構成されている。

【００２３】開発／試作段階では、寸法測定機能がＮo.
１からＮo.３の３台，欠陥検査機能がＮo.４，Ｎo.５の
２台でスタートした。少量生産段階では、Ｎo.３のを寸
法測定機能を欠陥検査機能＋レビュー機能に取り替え、
Ｎo.４，Ｎo.５にレビュー機能を追加して、寸法測定機
能２台と欠陥検査機能＋レビュー機能３台で検査作業を
遂行する。そして、多量生産の段階では、Ｎo.２の寸法
測定機能を欠陥検査機能に変更し、Ｎo.３，４からレビ
ュー機能を取り外して、寸法測定機能１台と欠陥検査機
能３台と欠陥検査機能＋レビュー機能１台にして検査作
業を遂行する。本発明による検査作業の例を、Ｎo.５の
ＳＥＭを取上げ、図１を用いて説明する。開発／試作段
階では、寸法測定機能部１６が用いられる。被測定ウェ
ハ５は、ウェハカセット１０から取り出された後、プリ
アライメントされる。プリアライメント後、ウェハ５上
に形成されたウェハ番号が、図外のウェハ番号読み取り
器によって読み取られる。ウェハ番号は各ウェハに固有
のものである。読み取られたウェハ番号をキーにして、
予めメモリ部１５に登録されていた該ウェハの寸法測定
機能に対応するレシピが読み出される。寸法検査レシピ
は該ウェハの寸法検査手順や寸法検査条件を定めたもの
である。以降の操作は、この寸法検査レシピに従って、
自動的あるいは半自動的に行われる。寸法検査レシピ読
み出し後、ウェハ５は真空に保持された試料室１１内の
ＸＹ−ステージ１２上に搬送され、搭載される。ステー
ジ上に装填されたウェハ５は、試料室１１の上面に装着
された光学顕微鏡１３とウェハ５上に形成されたアライ
メントパターンを用いて、アライメントされる。アライ
メントパターンの光学顕微鏡像は、予めメモリ部１５に
登録されていたアライメントパターン参照用画像と比較
され、その視野が参照用画像の視野と丁度重なるように
ステージ位置座標を補正する。アライメント後、ウェハ
５上に形成された位置決めパターンを用いて、ウェハ５
上に形成された被検査パターンの精密な位置決め、焦点
合わせが行われる。位置決めパターンは、電子ビーム直
下にステージ移動された後、電子ビーム照射・焦点合わ
せ・画像形成されたものである。位置決めパターン画像
は、アライメント操作と同様に、予めメモリ部１５に登
録されていた位置決めパターン参照用画像と比較され、
両画像が丁度重なり合うように電子ビームの走査領域を
微調整する。位置決めされたウェハ５は、所定検査部分
のパターン寸法が測定される。ウェハ内の予め指定され
た検査箇所すべてが、被検査パターンの位置決め・焦点
合わせ以降の操作を繰り返し行うことによって、寸法測
定される。このようにして一枚のウェハの検査が終わ
る。ウェハカセットの中に複数の被測定ウェハが残って
いる場合には、次のウェハをウェハカセットから取り出
した後、上記操作手順に従って、繰り返し測定を行う。
寸法測定結果は、例えばＣＤ−０５のように表された寸
法測定用装置同定番号に付随して、測定箇所の位置座標
データや測定箇所画像などとともに出力され、検査デー
タ管理システムに格納された後、歩留向上や生産管理の
ための解析に使用される。寸法測定用装置同定番号は、
この場合、本装置が寸法測定に用いられており、（１）
寸法検査レシピ読み出し時のキーコード、（２）寸法測
定データ格納・管理時のキーコードとなっている。な
お、ＣＤ−０５の０５は、半導体検査ＳＥＭとしての装
置番号を示す。

【００２４】少量生産段階および多量生産段階では、寸
法測定機能部１６が外され、欠陥検出機能部１７と欠陥
分類機能部１８が搭載される。この測長ＳＥＭからパタ
ーン欠陥検査ＳＥＭ＋レビューＳＥＭへの転用は、各機
能がパッケージ化されているので、簡便に行われる。装
置入れ替えなどの煩雑で費用のかかる作業もなく、生産
作業への影響も最小限に抑えられる。転用後の操作手順
は、上記寸法測定に準じるが、パターン欠陥検査＋レビ
ューのレシピが用いられ、寸法測定の代わりに、欠陥検
出と欠陥分類が行われる。欠陥検出では、予め指定され
た検査領域にわたり、試料像と参照画像の比較が行わ
れ、両画像の差異部が欠陥として検出される。検出され
た欠陥ＳＥＭ像は、予め指定された形状や表面粗さなど
の特徴量が自動抽出され、予め登録されている特徴量の
学習データを基に、自動分類される。分類された結果
は、例えばＤＲ−０５のように表されたパターン欠陥検
査＋レビュー用の装置同定番号に付随して、欠陥の位置
座標データや欠陥ＳＥＭ像などとともに出力され、検査
データ管理システムに格納された後、歩留向上や生産管
理のための解析に使用される。パターン欠陥検査＋レビ
ュー用の装置同定番号は、この場合、本装置がパターン
欠陥検査＋レビューに用いられており、（１）パターン
欠陥検査＋レビューレシピ読み出し時のキーコード、
（２）パターン欠陥検査データおよびレビューデータ格
納・管理時のキーコードとなっている。

【００２５】ここで、試料像／参照画像取得，試料像／
参照画像比較・差画像形成は、欠陥検出と欠陥分類で共
通に使用できるように構成しても善い。また、図３に示
すように、ウェハ着脱機能，ウェハアライメント機能，
観測箇所位置決め機能，焦点位置合わせ機能、および試
料像形成機能を基本機能として、その上にパッケージ化
されて任意に着脱可能な寸法測定機能，試料像／参照画
像および／あるいは差画像と試料像取得位置座標データ
の出力機能を搭載できるように構成し、欠陥検出および
／あるいは欠陥分類をＳＥＭとは独立して設置され、ネ
ットワークで接続された欠陥検出機能端末および／ある
いは欠陥分類機能端末で行っても善い。この場合、半導
体検査ＳＥＭの欠陥部試料像／参照画像出力機能は、欠
陥部試料像／参照画像取得，欠陥部試料像／参照画像出
力および／あるいは差画像形成・出力と欠陥位置座標デ
ータ出力機能で構成される。

【００２６】欠陥検出および／あるいは欠陥分類に用い
られる参照像は、検査作業前に予め登録することも、検
査作業の中で新規に登録したり、登録し直すこともでき
る。例えば、直前に検査したチップあるいはセルの同一
パターン部の像を参照像として、検査作業中に繰り返し
登録し直すことである。また、参照像として、試料像の
代りにパターン設計情報を用いることも可能である。

【００２７】欠陥検出を或る領域に渡って連続して行う
ような場合には、焦点位置合わせ操作を欠陥検出操作と
並行して行うようにすると良い、また観測箇所位置決め
操作をスキップすることも可能である。

【００２８】本実施例では、寸法測定機能を外すように
したが、そのまま搭載しておいても良い。そうすれば、
生産段階で突発的寸法不良が発生し、寸法検査頻度を高
くしたい場合に、即応できる。

【００２９】本実施例では、検査データが寸法測定デー
タであるか、パターン欠陥検査データであるか、あるい
はレビューデータであるかを弁別するため、寸法測定，
パターン欠陥検査およびレビュー・欠陥分類の各処理機
能に対応して、複数の装置同定番号を有するシステムと
したが、代わりに、ネットワーク内通信に用いられる検
査データのフォーマットが、寸法測定データ，欠陥検査
データ、およびレビュー・欠陥分類データを包含するよ
うに構成してもよい。

【００３０】チャージアップが飽和するまでに時間がか
かるような絶縁物試料については、電子ビームを所定の
時間照射した後、試料像をメモリに取り込むようにする
と良い。予め求められた飽和特性データから照射時間を
決定し、レシピ化することも可能である。

【００３１】ここでは、ＸＹ−ステージを用いたが、Ｘ
Ｙ−ステージの代りに、ＸＹＴ−ステージを用いれば、
試料を傾斜した状態での欠陥検出ができる。

【００３２】ここでは、欠陥の検出だけを記述したが、
欠陥箇所の分析データを併せて取得できるよう、特性Ｘ
線分析器やオージェ電子分析器などの分析機能を付属さ
せることも可能である。

【００３３】ここでは、一プローブ・一画素の場合を示
したが、マルチプローブやマルチ画素で像形成を行う方
式であっても構わない。

【００３４】ここでは、半導体ウェハを観察する場合に
ついて示したが、代りに撮像素子や表示素子用のウェハ
であってもよいし、ウェハ以外の試料形状であっても構
わない。

【００３５】本実施例では、試料と相互作用を生じるプ
ローブとして電子ビームを、また、装置として走査電子
顕微鏡を例示したが、イオンビームを用いる集束イオン
ビーム装置，レーザビームを用いるレーザ走査顕微鏡，
メカニカルプローブを用いる原子間力顕微鏡、等々のよ
うなものであっても善い。

【００３６】

【発明の効果】各検査機能に対する需要量の変動に即応
して、最適機能比率への変更が容易に可能となる。この
ため、変更に伴う労力・時間・費用を最小源に抑えられ
る。また、量産効果による装置製作コストの低減も可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体検査ＳＥＭの原理と本発明の装置構成を
説明するための図。

【図２】本発明における半導体検査ＳＥＭの機能別構成
を説明するための図。

【図３】本発明における半導体検査ＳＥＭのもう一つの
機能別構成を説明するための図。

【図４】本発明における半導体検査ＳＥＭの機能変更例
を説明するための図。

【符号の説明】

１…電子銃、２…電子ビーム、３…収束レンズ、４…対
物レンズ、５…ウェハ、６…偏向コイル、７…二次電
子、８…二次電子検出器、９…ディスプレイ、１０…ウ
ェハカセット、１１…試料室、１２…ＸＹ−ステージ、
１３…光学顕微鏡、１４…信号処理部、１５…メモリ
部、１６…寸法測定機能部、１７…欠陥検査機能部、１
８…欠陥分類機能部。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G001 AA03 AA05 AA10 AA13 BA05 BA07 BA09 CA03 CA10 DA06 FA01 FA06 GA03 GA04 GA06 GA13 HA09 JA02 JA08 JA11 JA15 KA01 KA03 KA20 LA11 PA01 PA07 2G051 AA51 AB02 BA10 BA20 BC05 CA03 CA04 CD03 DA07 DA09 EA08 EA11 EA12 EA14 EA21 EB01 EB09 EC01 4M106 AA01 BA02 CA39 CA42 CA43 CA50 DB05 DB21 DB30 DH33 DJ04 DJ07 DJ15 DJ17 DJ18 DJ20 DJ21 DJ26 DJ32

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ネットワークで接続された複数台の走査型
   電子顕微鏡およびその類似装置から構成され、半導体お
   よび類似デバイスの製造においてデバイスの検査に用い
   られる検査システムおよびその方法において、複数台の
   走査型電子顕微鏡およびその類似装置の内少なくともそ
   の一部が、寸法測定，パターン欠陥検査およびレビュー
   の機能の内少なくとも二つ以上の機能を有することを特
   徴とする検査システムおよび方法。
2. 【請求項２】１台の走査型電子顕微鏡およびその類似装
   置が、寸法測定，パターン欠陥検査およびレビューの各
   機能に対応した複数の装置同定番号を有することを特徴
   とする請求項１に記載の検査システムおよび方法。
3. 【請求項３】ネットワークを通して通信される検査デー
   タのフォーマットが、寸法測定データ，欠陥検査デー
   タ、およびレビューデータを包含した構成であることを
   特徴とする請求項１に記載の検査システムおよび方法。
4. 【請求項４】検査システムを構成する走査型電子顕微鏡
   およびその類似装置の内少なくともその一部が、試料着
   脱機能，試料アライメント機能，観測箇所位置決め機
   能，焦点位置合わせ機能、および試料像形成機能を基本
   機能として、その上にパッケージ化された寸法測定機
   能，欠陥検出機能，欠陥分類機能の三つの機能の少なく
   とも一つ（又は、一つ以上）を任意に搭載できるように
   構成されたことを特徴とする請求項１に記載の検査シス
   テムおよび方法。
5. 【請求項５】検査システムを構成する走査型電子顕微鏡
   およびその類似装置の少なくとも一部が、試料着脱機
   能，試料アライメント機能，観測箇所位置決め機能，焦
   点位置合わせ機能、および試料像形成機能を基本機能と
   して、その上にパッケージ化された寸法測定機能，試料
   像／参照画像および／あるいは差画像と試料像取得位置
   座標データの出力機能を搭載できるように構成されたこ
   とを特徴とする請求項１に記載の検査システムおよび方
   法。
6. 【請求項６】請求項１の検査システムおよび方法を用い
   ることを特徴とする半導体および類似デバイスの製造シ
   ステムおよび製造方法。