JP2000256838A - スパッタリング用ターゲット及び透明導電ガラス並びに透明導電フィルム - Google Patents
スパッタリング用ターゲット及び透明導電ガラス並びに透明導電フィルムInfo
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- JP2000256838A JP2000256838A JP11058385A JP5838599A JP2000256838A JP 2000256838 A JP2000256838 A JP 2000256838A JP 11058385 A JP11058385 A JP 11058385A JP 5838599 A JP5838599 A JP 5838599A JP 2000256838 A JP2000256838 A JP 2000256838A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜型液晶ディスプレイの表示部を、スイ
ッチング部分と液晶駆動用透明導電膜の部分とを遮蔽膜
によって分離した複雑な構成とすることなく、良好なス
イッチング性能を保持することのできる透明導電膜を得
るためのスパッタリング用ターゲット、およびその透明
導電膜を有する透明導電ガラス、透明導電フィルムを提
供すること。 【解決手段】酸化インジウム、酸化亜鉛および酸化錫か
ら選択される１種または２種以上の金属酸化物からな
り、該金属酸化物中のナトリウムの含有量が５重量ｐｐ
ｍ以下である焼結体からなるスパッタリング用ターゲッ
ト、該スパッタリング用ターゲットを用いて製膜した透
明導電膜を有する透明導電ガラスならびに透明導電フィ
ルム。
ッチング部分と液晶駆動用透明導電膜の部分とを遮蔽膜
によって分離した複雑な構成とすることなく、良好なス
イッチング性能を保持することのできる透明導電膜を得
るためのスパッタリング用ターゲット、およびその透明
導電膜を有する透明導電ガラス、透明導電フィルムを提
供すること。 【解決手段】酸化インジウム、酸化亜鉛および酸化錫か
ら選択される１種または２種以上の金属酸化物からな
り、該金属酸化物中のナトリウムの含有量が５重量ｐｐ
ｍ以下である焼結体からなるスパッタリング用ターゲッ
ト、該スパッタリング用ターゲットを用いて製膜した透
明導電膜を有する透明導電ガラスならびに透明導電フィ
ルム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置に用いる
透明導電膜を形成するためのスパッタリング用ターゲッ
ト、およびそのターゲットを用いて製膜した透明導電膜
を有する透明導電ガラスおよび透明導電フィルムに関す
る。
透明導電膜を形成するためのスパッタリング用ターゲッ
ト、およびそのターゲットを用いて製膜した透明導電膜
を有する透明導電ガラスおよび透明導電フィルムに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、表示装置の発展はめざましく、液
晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置、フィ
ールドエミッションディスプレイなどが、パーソナルコ
ンピュータやワードプロセッサなどの事務機器や、工場
における制御システム用に開発されている。そして、こ
れら表示装置のなかでも、最も先端技術として注目され
ているのが、薄膜型液晶ディスプレイである。さらに、
これら表示装置における液晶表示部とその駆動回路を同
一のガラス基板上に造り込むために、ポリシリコン薄膜
や連続粒界シリコン薄膜などの開発も進展している。
晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置、フィ
ールドエミッションディスプレイなどが、パーソナルコ
ンピュータやワードプロセッサなどの事務機器や、工場
における制御システム用に開発されている。そして、こ
れら表示装置のなかでも、最も先端技術として注目され
ているのが、薄膜型液晶ディスプレイである。さらに、
これら表示装置における液晶表示部とその駆動回路を同
一のガラス基板上に造り込むために、ポリシリコン薄膜
や連続粒界シリコン薄膜などの開発も進展している。
【０００３】これら表示装置に使用される透明導電膜と
しては、インジウム錫酸化物膜が主流を占めている。こ
れは、インジウム錫酸化物膜が、透明性や導電性に優れ
るほか、エッチング加工性や基板との密着性にも優れて
いるからである。そして、このインジウム錫酸化物膜
は、一般にはスパッタリング法やイオンプレーティング
法、蒸着法によって製膜されている。
しては、インジウム錫酸化物膜が主流を占めている。こ
れは、インジウム錫酸化物膜が、透明性や導電性に優れ
るほか、エッチング加工性や基板との密着性にも優れて
いるからである。そして、このインジウム錫酸化物膜
は、一般にはスパッタリング法やイオンプレーティング
法、蒸着法によって製膜されている。
【０００４】ところで、現在透明導電膜として使用され
ているインジウム錫酸化物は、その純度が９９．９９重
量％以上であり、この純度であれば透明導電膜としての
使用に問題はないと考えられてきたが、これに含まれる
約０．０１重量％中の特定不純物が、薄膜型液晶ディス
プレイのアレイ製造工程において製品の歩留りの低下を
招く要因の一つであることが判明してきた。このような
ことから、薄膜型液晶ディスプレイの素子構成として、
スイッチング部分と、液晶駆動用インジウム錫酸化物膜
の部分とを遮蔽膜で分離した形態のものが開発されてい
る。この遮蔽膜で完全に分離すると、電気的な接続が不
可能となるので、スルーホールを設けて電気的な接続が
可能な形態としたものが開発されている。しかしなが
ら、このような素子構成を採用すると、薄膜型液晶ディ
スプレイの製造工程にこの遮蔽膜で分離する複雑な工程
を増やす必要があり、そこでの歩留りの低下を考慮する
と、製造コストの増大を招くことになる。また、この遮
蔽膜での分離を省略すると、インジウム錫酸化物に含有
される不純物が液晶素子全体に拡散してスイッチング性
能を低下させるようになるという問題があった。
ているインジウム錫酸化物は、その純度が９９．９９重
量％以上であり、この純度であれば透明導電膜としての
使用に問題はないと考えられてきたが、これに含まれる
約０．０１重量％中の特定不純物が、薄膜型液晶ディス
プレイのアレイ製造工程において製品の歩留りの低下を
招く要因の一つであることが判明してきた。このような
ことから、薄膜型液晶ディスプレイの素子構成として、
スイッチング部分と、液晶駆動用インジウム錫酸化物膜
の部分とを遮蔽膜で分離した形態のものが開発されてい
る。この遮蔽膜で完全に分離すると、電気的な接続が不
可能となるので、スルーホールを設けて電気的な接続が
可能な形態としたものが開発されている。しかしなが
ら、このような素子構成を採用すると、薄膜型液晶ディ
スプレイの製造工程にこの遮蔽膜で分離する複雑な工程
を増やす必要があり、そこでの歩留りの低下を考慮する
と、製造コストの増大を招くことになる。また、この遮
蔽膜での分離を省略すると、インジウム錫酸化物に含有
される不純物が液晶素子全体に拡散してスイッチング性
能を低下させるようになるという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、薄膜型液晶
ディスプレイなどの表示装置を、スイッチング部分と液
晶駆動用透明導電膜の部分とを遮蔽膜で分離して構成し
なくても、スイッチング性能の低下を招くことのない透
明導電膜を形成することのできるスパッタリング用ター
ゲットと、そのターゲットを用いて製造した透明導電ガ
ラスおよび透明導電フィルムを提供することを目的とす
るものである。
ディスプレイなどの表示装置を、スイッチング部分と液
晶駆動用透明導電膜の部分とを遮蔽膜で分離して構成し
なくても、スイッチング性能の低下を招くことのない透
明導電膜を形成することのできるスパッタリング用ター
ゲットと、そのターゲットを用いて製造した透明導電ガ
ラスおよび透明導電フィルムを提供することを目的とす
るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題の
解決のため鋭意研究を重ねた結果、一般に透明導電膜の
素材として用いられている、酸化インジウム、酸化錫お
よび酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属
酸化物中の不純物のなかでも、ナトリウムが存在するこ
とによる液晶素子のスイチング性能低下が著しいことを
究明し、透明導電膜の形成に用いるスパッタリング用タ
ーゲット中のナトリウム含量を特定の値よりも低くする
ことにより、上記目的を達成することができることを見
出し、これら知見に基づいて本発明を完成するに至っ
た。
解決のため鋭意研究を重ねた結果、一般に透明導電膜の
素材として用いられている、酸化インジウム、酸化錫お
よび酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属
酸化物中の不純物のなかでも、ナトリウムが存在するこ
とによる液晶素子のスイチング性能低下が著しいことを
究明し、透明導電膜の形成に用いるスパッタリング用タ
ーゲット中のナトリウム含量を特定の値よりも低くする
ことにより、上記目的を達成することができることを見
出し、これら知見に基づいて本発明を完成するに至っ
た。
【０００７】すなわち、本発明の要旨は、下記のとおり
である。 （１）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択
される１種または２種以上の金属酸化物からなり、該金
属酸化物中のナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下であ
る焼結体からなるスパッタリング用ターゲット。 （２）ナトリウム含有量が２重量ｐｐｍ以下である前記
（１）に記載のスパッタリング用ターゲット。 （３）ナトリウム含有量が１重量ｐｐｍ以下である前記
（１）に記載のスパッタリング用ターゲット。 （４）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛がそれら
の金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２５ の割合である前記（１）〜（３）のいずれかに記載のス
パッタリング用ターゲット。 （５）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛がそれら
の金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．５０〜１．００ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．５０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２５ の割合である前記（１）〜（３）のいずれかに記載のス
パッタリング用ターゲット。 （６）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛がそれら
の金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．７５〜０．９５ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０ の割合である前記（１）〜（３）のいずれかに記載のス
パッタリング用ターゲット。 （７）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択
される１種または２種以上の金属酸化物の原料粉末に、
ナトリウム含有量が３０重量ｐｐｍ以下の成形助剤を添
加混合し、造粒成形し、焼結して得られた焼結体を切削
加工することからなるスパッタリング用ターゲットの製
造法。 （８）成形助剤が、ポリビニルアルコールである前記
（７）に記載のスパッタリング用ターゲットの製造法。 （９）ガラス基板上に、酸化インジウム、酸化錫および
酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化
物からなり、該金属酸化物中のナトリウム含有量が５重
量ｐｐｍ以下である焼結体からなるスパッタリング用タ
ーゲットを用いて形成した透明導電膜を有する透明導電
ガラス。 （１０）透明樹脂フィルム上に、酸化インジウム、酸化
錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の
金属酸化物からなり、該金属酸化物中のナトリウム含有
量が５重量ｐｐｍ以下である焼結体からなるスパッタリ
ング用ターゲットを用いて形成した透明導電膜を有する
透明導電フィルム。
である。 （１）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択
される１種または２種以上の金属酸化物からなり、該金
属酸化物中のナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下であ
る焼結体からなるスパッタリング用ターゲット。 （２）ナトリウム含有量が２重量ｐｐｍ以下である前記
（１）に記載のスパッタリング用ターゲット。 （３）ナトリウム含有量が１重量ｐｐｍ以下である前記
（１）に記載のスパッタリング用ターゲット。 （４）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛がそれら
の金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２５ の割合である前記（１）〜（３）のいずれかに記載のス
パッタリング用ターゲット。 （５）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛がそれら
の金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．５０〜１．００ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．５０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２５ の割合である前記（１）〜（３）のいずれかに記載のス
パッタリング用ターゲット。 （６）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛がそれら
の金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．７５〜０．９５ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０ の割合である前記（１）〜（３）のいずれかに記載のス
パッタリング用ターゲット。 （７）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択
される１種または２種以上の金属酸化物の原料粉末に、
ナトリウム含有量が３０重量ｐｐｍ以下の成形助剤を添
加混合し、造粒成形し、焼結して得られた焼結体を切削
加工することからなるスパッタリング用ターゲットの製
造法。 （８）成形助剤が、ポリビニルアルコールである前記
（７）に記載のスパッタリング用ターゲットの製造法。 （９）ガラス基板上に、酸化インジウム、酸化錫および
酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化
物からなり、該金属酸化物中のナトリウム含有量が５重
量ｐｐｍ以下である焼結体からなるスパッタリング用タ
ーゲットを用いて形成した透明導電膜を有する透明導電
ガラス。 （１０）透明樹脂フィルム上に、酸化インジウム、酸化
錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の
金属酸化物からなり、該金属酸化物中のナトリウム含有
量が５重量ｐｐｍ以下である焼結体からなるスパッタリ
ング用ターゲットを用いて形成した透明導電膜を有する
透明導電フィルム。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の透明導電材料は、酸化イ
ンジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種ま
たは２種以上の金属酸化物であって、該金属酸化物中の
ナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下としてある透明導
電材料である。そして、この金属酸化物中のナトリウム
含有量は、５重量ｐｐｍ以下としておくことによって、
充分に液晶素子のスイッチング性能低下を抑制すること
ができるのであるが、この金属酸化物中のナトリウム含
有量を２重量ｐｐｍ以下としてあるものが好ましく、さ
らに、この金属酸化物中のナトリウム含有量を１重量ｐ
ｐｍ以下としてあるものが最も好ましい材料である。
ンジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種ま
たは２種以上の金属酸化物であって、該金属酸化物中の
ナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下としてある透明導
電材料である。そして、この金属酸化物中のナトリウム
含有量は、５重量ｐｐｍ以下としておくことによって、
充分に液晶素子のスイッチング性能低下を抑制すること
ができるのであるが、この金属酸化物中のナトリウム含
有量を２重量ｐｐｍ以下としてあるものが好ましく、さ
らに、この金属酸化物中のナトリウム含有量を１重量ｐ
ｐｍ以下としてあるものが最も好ましい材料である。
【０００９】そして、本発明の透明導電材料の基本的な
構成成分である酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛
から選択される１種または２種以上の金属酸化物につい
ては、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２５ の割合であるものが好ましい。
構成成分である酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛
から選択される１種または２種以上の金属酸化物につい
ては、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２５ の割合であるものが好ましい。
【００１０】さらに、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．５０〜１．００ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．５０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２５ の割合であるものがより好ましい。
【００１１】そして、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．７５〜０．９５ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０ の割合であるものが最も好ましい。
【００１２】本発明の透明導電材料における基本的な構
成成分は、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛またはこ
れら金属酸化物の混合物は、上記のとおり、酸化インジ
ウムまたは酸化錫をそれぞれ単独で用いてもよく、また
酸化インジウムと酸化錫の混合物、あるいは酸化インジ
ウムと酸化亜鉛の混合物、さらには酸化インジウムと酸
化錫および酸化亜鉛の混合物を用いてもよい。
成成分は、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛またはこ
れら金属酸化物の混合物は、上記のとおり、酸化インジ
ウムまたは酸化錫をそれぞれ単独で用いてもよく、また
酸化インジウムと酸化錫の混合物、あるいは酸化インジ
ウムと酸化亜鉛の混合物、さらには酸化インジウムと酸
化錫および酸化亜鉛の混合物を用いてもよい。
【００１３】そして、この基本的な構成成分における各
成分の含有割合については、酸化インジウムは、これを
必要としない場合もあるが、透明導電膜とした際の表面
抵抗の低いものを得るためには、その原子比が０．５以
上である組成物を用いるとよい。また、酸化錫について
は、これを必要としない場合もあるが、スパッタリング
用ターゲットの導電性を高く維持する必要のある場合に
は、これを含有するものを用いるのが好ましく、透明導
電膜としてその表面抵抗の低いものが要求される場合に
は、このものの含有割合が原子比で０．５以下としてあ
るものが好ましい。さらに、酸化亜鉛については、必要
としない場合もあるが、透明導電膜とした際の膜のエッ
チング性を向上させるために、少量の、例えば原子比で
０．０５以上を含有する組成物を用いるとよい。なお、
この透明導電膜のエッチング性が充分でない場合には、
スパッタリング成膜時に水や水素を少量添加することに
よっても、そのエッチング性の向上を図ることができ
る。そして、この酸化亜鉛については、その含有割合が
０．２５を超えると、透明導電膜の耐久性が低下するこ
とがある。したがって、この基本的な各構成成分含有割
合は、スパッタリング用ターゲットや透明導電膜に要求
される性能に適合するよう、上記組成範囲において適宜
選定すればよい。
成分の含有割合については、酸化インジウムは、これを
必要としない場合もあるが、透明導電膜とした際の表面
抵抗の低いものを得るためには、その原子比が０．５以
上である組成物を用いるとよい。また、酸化錫について
は、これを必要としない場合もあるが、スパッタリング
用ターゲットの導電性を高く維持する必要のある場合に
は、これを含有するものを用いるのが好ましく、透明導
電膜としてその表面抵抗の低いものが要求される場合に
は、このものの含有割合が原子比で０．５以下としてあ
るものが好ましい。さらに、酸化亜鉛については、必要
としない場合もあるが、透明導電膜とした際の膜のエッ
チング性を向上させるために、少量の、例えば原子比で
０．０５以上を含有する組成物を用いるとよい。なお、
この透明導電膜のエッチング性が充分でない場合には、
スパッタリング成膜時に水や水素を少量添加することに
よっても、そのエッチング性の向上を図ることができ
る。そして、この酸化亜鉛については、その含有割合が
０．２５を超えると、透明導電膜の耐久性が低下するこ
とがある。したがって、この基本的な各構成成分含有割
合は、スパッタリング用ターゲットや透明導電膜に要求
される性能に適合するよう、上記組成範囲において適宜
選定すればよい。
【００１４】つぎに、上記の基本的な構成成分からな
り、該成分中のナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下で
ある透明導電材料の製造法について説明する。従来よ
り、一般には、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛
から選択される１種または２種以上の金属酸化物の粉末
を原料とし、これらを高温で焼結して、透明導電材料を
製造する方法が採用されてきた。この場合、まず原料粉
末をさらに微細に粉砕する工程、つぎに微粉末を造粒す
る工程、粒子を所定寸法の成形体に成形する工程、成形
体を焼結する工程、焼結体をターゲット形状に切削加工
する工程、スパッタリング装置への装着用治具の取付工
程を経て、透明導電膜の形成に用いるスパッタリング用
ターゲットを得ている。そして、このターゲットをスパ
ッタリング装置に装着して、ガラス板や透明性樹脂板上
に透明導電材料をスパッタリングすることによって、透
明導電膜を得ている。ところで、このようにして得られ
る透明導電膜には、原料の金属酸化物粉末として極めて
高純度品を用いても、不純物としてナトリウムが１０〜
５０重量ｐｐｍ程度の含有割合で含まれるものしか得ら
れなかった。
り、該成分中のナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下で
ある透明導電材料の製造法について説明する。従来よ
り、一般には、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛
から選択される１種または２種以上の金属酸化物の粉末
を原料とし、これらを高温で焼結して、透明導電材料を
製造する方法が採用されてきた。この場合、まず原料粉
末をさらに微細に粉砕する工程、つぎに微粉末を造粒す
る工程、粒子を所定寸法の成形体に成形する工程、成形
体を焼結する工程、焼結体をターゲット形状に切削加工
する工程、スパッタリング装置への装着用治具の取付工
程を経て、透明導電膜の形成に用いるスパッタリング用
ターゲットを得ている。そして、このターゲットをスパ
ッタリング装置に装着して、ガラス板や透明性樹脂板上
に透明導電材料をスパッタリングすることによって、透
明導電膜を得ている。ところで、このようにして得られ
る透明導電膜には、原料の金属酸化物粉末として極めて
高純度品を用いても、不純物としてナトリウムが１０〜
５０重量ｐｐｍ程度の含有割合で含まれるものしか得ら
れなかった。
【００１５】そこで、上記の造粒工程で配合する成形助
剤に着目し、最も一般的に成形助剤として使用されてい
るポリビニルアルコールを精製して不純物を高度に除去
したものを用いることによって、ナトリウム含有量を著
しく低減させた透明導電膜が得られることが確認され
た。すなわち、本発明の透明導電材料の製造法は、酸化
インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種
または２種以上の金属酸化物の粉末に、ナトリウム含有
量が３０重量ｐｐｍ以下の成形助剤を添加混合して造粒
し、成形して焼結する透明導電材料の製造法である。
剤に着目し、最も一般的に成形助剤として使用されてい
るポリビニルアルコールを精製して不純物を高度に除去
したものを用いることによって、ナトリウム含有量を著
しく低減させた透明導電膜が得られることが確認され
た。すなわち、本発明の透明導電材料の製造法は、酸化
インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種
または２種以上の金属酸化物の粉末に、ナトリウム含有
量が３０重量ｐｐｍ以下の成形助剤を添加混合して造粒
し、成形して焼結する透明導電材料の製造法である。
【００１６】ここで用いる成形助剤としては、例えば、
水、ポリビニルアルコール、カルボキシルメチルセルロ
ース、ポリブチルアルコール、ポリエチレングリコー
ル、ポリエチレンビニルアセテート、パラフィン類など
を用いることができるが、好ましいのは、ポリビニルア
ルコールである。そして、これら成形助剤に含有される
ナトリウムなどの金属を除去するには、様々な方法によ
ることができるが、好ましいのは成形助剤を水に溶解さ
せて、陽イオン交換樹脂などによりナトリウムイオンを
始めとする金属イオンを捕捉する方法によるのが簡便で
ある。この成形助剤の精製は、ナトリウム含有量が３０
重量ｐｐｍ以下、好ましくは２０重量ｐｐｍ以下、さら
に好ましくは１０重量ｐｐｍ以下となるように、その精
製条件を設定すればよい。
水、ポリビニルアルコール、カルボキシルメチルセルロ
ース、ポリブチルアルコール、ポリエチレングリコー
ル、ポリエチレンビニルアセテート、パラフィン類など
を用いることができるが、好ましいのは、ポリビニルア
ルコールである。そして、これら成形助剤に含有される
ナトリウムなどの金属を除去するには、様々な方法によ
ることができるが、好ましいのは成形助剤を水に溶解さ
せて、陽イオン交換樹脂などによりナトリウムイオンを
始めとする金属イオンを捕捉する方法によるのが簡便で
ある。この成形助剤の精製は、ナトリウム含有量が３０
重量ｐｐｍ以下、好ましくは２０重量ｐｐｍ以下、さら
に好ましくは１０重量ｐｐｍ以下となるように、その精
製条件を設定すればよい。
【００１７】つぎに、本発明の透明導電材料を製造する
方法については、上記の金属酸化物の粉末またはそれら
の所定割合での混合物を混合粉砕機、例えば湿式ボール
ミルやビーズミル、超音波などにより、均一に混合・粉
砕する。ここでの原料粉末の混合粉砕は、微細に粉砕す
るほどよいが、通常、平均粒径１μｍ以下となるように
混合粉砕処理をしたものが望ましい。
方法については、上記の金属酸化物の粉末またはそれら
の所定割合での混合物を混合粉砕機、例えば湿式ボール
ミルやビーズミル、超音波などにより、均一に混合・粉
砕する。ここでの原料粉末の混合粉砕は、微細に粉砕す
るほどよいが、通常、平均粒径１μｍ以下となるように
混合粉砕処理をしたものが望ましい。
【００１８】そして、混合粉砕した微粉末を造粒した
後、プレス成形により所望の形状に成形し、焼成により
焼結すればよい。ここで、原料微粉末を造粒するに際
し、上記のとおり精製した成形助剤を配合する。この成
形助剤の配合割合は、原料微粉末１００重量部あたり
０．１〜５重量部とするのが適当である。また、この場
合の焼成条件は、通常、１，２００〜１，５００℃、好
ましくは１，２５０〜１，４８０℃において、１０〜７
２時間、好ましくは２４〜４８時間焼成すればよい。こ
の場合の昇温速度は、１〜５０℃／分間とすればよい。
後、プレス成形により所望の形状に成形し、焼成により
焼結すればよい。ここで、原料微粉末を造粒するに際
し、上記のとおり精製した成形助剤を配合する。この成
形助剤の配合割合は、原料微粉末１００重量部あたり
０．１〜５重量部とするのが適当である。また、この場
合の焼成条件は、通常、１，２００〜１，５００℃、好
ましくは１，２５０〜１，４８０℃において、１０〜７
２時間、好ましくは２４〜４８時間焼成すればよい。こ
の場合の昇温速度は、１〜５０℃／分間とすればよい。
【００１９】そして、このようにして得られる焼結体
は、切削加工してスパッタリング用ターゲットの形状と
なし、スパッタリング装置への装着用治具を取付ること
により、スパッタリング用ターゲットが得られる。な
お、上記焼結体は、スパッタリング用ターゲットのほ
か、エレクトロンビーム装置やイオンプレーティング装
置に適用できるように加工することにより、これら装置
による製膜を行うことも可能である。
は、切削加工してスパッタリング用ターゲットの形状と
なし、スパッタリング装置への装着用治具を取付ること
により、スパッタリング用ターゲットが得られる。な
お、上記焼結体は、スパッタリング用ターゲットのほ
か、エレクトロンビーム装置やイオンプレーティング装
置に適用できるように加工することにより、これら装置
による製膜を行うことも可能である。
【００２０】このようにして得られたスパッタリング用
ターゲットを用いて、透明導電膜を製膜する際に用いる
透明基材としては、従来から用いられているガラス基板
や、高い透明性を有する合成樹脂製の板、フィルム、シ
ートが用いられる。ここで用いる合成樹脂としては、ポ
リカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、
ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリア
リレート樹脂などが好適である。
ターゲットを用いて、透明導電膜を製膜する際に用いる
透明基材としては、従来から用いられているガラス基板
や、高い透明性を有する合成樹脂製の板、フィルム、シ
ートが用いられる。ここで用いる合成樹脂としては、ポ
リカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、
ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリア
リレート樹脂などが好適である。
【００２１】つぎに、上記スパッタリング用ターゲット
を用いて、透明基材上にスパッタリング法により透明導
電膜を製膜するにあたっては、マグネトロンスパッタリ
ング装置が好適に用いられる。そして、この装置を用い
てスパッタリングにより製膜する際の条件としては、そ
のターゲットの表面積や透明導電膜の膜厚によりプラズ
マの出力は変動するが、通常、このプラズマ出力を、そ
のターゲットの表面積１ｃｍ2 あたり０．３〜４Ｗの範
囲とし、製膜時間を５〜１２０分間とすることにより、
所望の膜厚を有する透明導電膜が得られる。この透明導
電膜の膜厚は、表示装置の種類によって異なるが、通
常、２００〜６，０００オングストローム、好ましくは
３００〜２，０００オングストロームである。
を用いて、透明基材上にスパッタリング法により透明導
電膜を製膜するにあたっては、マグネトロンスパッタリ
ング装置が好適に用いられる。そして、この装置を用い
てスパッタリングにより製膜する際の条件としては、そ
のターゲットの表面積や透明導電膜の膜厚によりプラズ
マの出力は変動するが、通常、このプラズマ出力を、そ
のターゲットの表面積１ｃｍ2 あたり０．３〜４Ｗの範
囲とし、製膜時間を５〜１２０分間とすることにより、
所望の膜厚を有する透明導電膜が得られる。この透明導
電膜の膜厚は、表示装置の種類によって異なるが、通
常、２００〜６，０００オングストローム、好ましくは
３００〜２，０００オングストロームである。
【００２２】このようにして、ガラス基板上に、酸化イ
ンジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種ま
たは２種以上の金属酸化物からなり、該金属酸化物中の
ナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下である焼結体から
なる透明導電膜を有する本発明の透明導電ガラスは、そ
の透明性が、波長５００ｎｍの光線の透過率で７０％以
上であり、またこの膜の比抵抗が５ｍΩ・ｃｍ以下であ
るとともに、液晶素子の駆動用電極として、遮蔽膜を用
いることなく直接積層して長期間使用しても、そのスイ
ッチング性能の低下がなく、耐久性に優れたものであ
る。
ンジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種ま
たは２種以上の金属酸化物からなり、該金属酸化物中の
ナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下である焼結体から
なる透明導電膜を有する本発明の透明導電ガラスは、そ
の透明性が、波長５００ｎｍの光線の透過率で７０％以
上であり、またこの膜の比抵抗が５ｍΩ・ｃｍ以下であ
るとともに、液晶素子の駆動用電極として、遮蔽膜を用
いることなく直接積層して長期間使用しても、そのスイ
ッチング性能の低下がなく、耐久性に優れたものであ
る。
【００２３】また、透明樹脂フィルム上に、酸化インジ
ウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または
２種以上の金属酸化物からなり、該金属酸化物中のナト
リウム含有量が、５重量ｐｐｍ以下である焼結体からな
る透明導電膜を有する本発明の透明導電フィルムについ
ても、上記透明導電ガラスとほぼ同一の性能を有してい
る。
ウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または
２種以上の金属酸化物からなり、該金属酸化物中のナト
リウム含有量が、５重量ｐｐｍ以下である焼結体からな
る透明導電膜を有する本発明の透明導電フィルムについ
ても、上記透明導電ガラスとほぼ同一の性能を有してい
る。
【００２４】したがって、本発明の透明導電ガラスや透
明導電フィルムは、液晶表示素子や有機エレクトロルミ
ネッセンス素子をはじめとする各種の表示装置の透明電
極として好適に用いることができる。
明導電フィルムは、液晶表示素子や有機エレクトロルミ
ネッセンス素子をはじめとする各種の表示装置の透明電
極として好適に用いることができる。
【００２５】
（１）透明導電材料用原料粉末の製造 原料の金属酸化物として、酸化インジウムの粉末と酸化
錫の粉末を、これら金属の原子比が、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．９０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．１０ となるように混合して、湿式ボールミルに供給し、７２
時間にわたり混合粉砕することにより、透明導電材料用
原料微粉末を得た。 （２）成形助剤の精製 成形助剤として、ポリビニルアルコール〔広島和光社
製：重合度＝１，５００〕を用いた。このポリビニルア
ルコール１０ｇを水１０ｋｇに溶解させて水溶液とし
た。ついで、この水溶液を、陽イオン交換樹脂〔三菱化
学社製；ダイヤイオン〕５００ｇを充填したカラム中を
通過させた後、エバポレーターにより脱水し、乾燥し
て、精製ポリビニルアルコールを得た。つぎに、得られ
た精製ポリビニルアルコール中の不純物成分を、プラズ
マ発光分析装置により測定したところ、ナトリウム１０
重量ｐｐｍ、カリウム１重量ｐｐｍ、重金属１重量ｐｐ
ｍを含有することが確認された。
錫の粉末を、これら金属の原子比が、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．９０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．１０ となるように混合して、湿式ボールミルに供給し、７２
時間にわたり混合粉砕することにより、透明導電材料用
原料微粉末を得た。 （２）成形助剤の精製 成形助剤として、ポリビニルアルコール〔広島和光社
製：重合度＝１，５００〕を用いた。このポリビニルア
ルコール１０ｇを水１０ｋｇに溶解させて水溶液とし
た。ついで、この水溶液を、陽イオン交換樹脂〔三菱化
学社製；ダイヤイオン〕５００ｇを充填したカラム中を
通過させた後、エバポレーターにより脱水し、乾燥し
て、精製ポリビニルアルコールを得た。つぎに、得られ
た精製ポリビニルアルコール中の不純物成分を、プラズ
マ発光分析装置により測定したところ、ナトリウム１０
重量ｐｐｍ、カリウム１重量ｐｐｍ、重金属１重量ｐｐ
ｍを含有することが確認された。
【００２６】（３）透明導電材料の製造 上記（１）で得られた原料微粉末１００重量部に対し
て、成形助剤として上記（２）で得られた精製ポリビニ
ルアルコールを１重量部の割合で配合して、スプレード
ライヤーにより造粒した後、直径４インチ、厚さ１０ｍ
ｍの寸法にプレス成形し、成形体を焼成炉に装入して、
１，４５０℃において、４８時間加圧焼成して、透明導
電材料からなる焼結体を得た。ここで得られた焼結体よ
り取り出した試料につき、プラズマ発光分析装置を用い
て、不純物の含有量を測定した結果、ナトリウムの含有
率は１重量ｐｐｍ以下であり、カリウムの含有率は１重
量ｐｐｍ以下、重金属の含有率については１０重量ｐｐ
ｍ以下であった。
て、成形助剤として上記（２）で得られた精製ポリビニ
ルアルコールを１重量部の割合で配合して、スプレード
ライヤーにより造粒した後、直径４インチ、厚さ１０ｍ
ｍの寸法にプレス成形し、成形体を焼成炉に装入して、
１，４５０℃において、４８時間加圧焼成して、透明導
電材料からなる焼結体を得た。ここで得られた焼結体よ
り取り出した試料につき、プラズマ発光分析装置を用い
て、不純物の含有量を測定した結果、ナトリウムの含有
率は１重量ｐｐｍ以下であり、カリウムの含有率は１重
量ｐｐｍ以下、重金属の含有率については１０重量ｐｐ
ｍ以下であった。
【００２７】（４）透明導電ガラスの製造 上記（３）において得られた焼結体を切削加工して、直
径４インチ、厚さ５ｍｍのスパッタリング用ターゲット
を作製し、これをＤＣマグネトロンスパッタリング装置
に装着して、室温においてガラス基板上に製膜した。こ
こでのスパッタ条件としては、雰囲気はアルゴンガスに
適量の酸素ガスを混入して用い、スパッタ圧力３×１０
-1Ｐａ、到達圧力５×１０-4Ｐａ、基板温度２００℃、
投入電力１００Ｗ、成膜時間２０分間として行った。こ
のようにして得られた透明導電ガラス上の透明導電膜
は、その厚みが１，２００オングストロームであり、結
晶質であった。そして、この透明導電膜の光線透過率を
分光光度計により波長５００ｎｍの光線について測定し
た結果、８２％であった。また、４探針法により測定し
た透明導電膜の比抵抗は、０．１８ｍΩ・ｃｍであり、
導電性の高いものであった。
径４インチ、厚さ５ｍｍのスパッタリング用ターゲット
を作製し、これをＤＣマグネトロンスパッタリング装置
に装着して、室温においてガラス基板上に製膜した。こ
こでのスパッタ条件としては、雰囲気はアルゴンガスに
適量の酸素ガスを混入して用い、スパッタ圧力３×１０
-1Ｐａ、到達圧力５×１０-4Ｐａ、基板温度２００℃、
投入電力１００Ｗ、成膜時間２０分間として行った。こ
のようにして得られた透明導電ガラス上の透明導電膜
は、その厚みが１，２００オングストロームであり、結
晶質であった。そして、この透明導電膜の光線透過率を
分光光度計により波長５００ｎｍの光線について測定し
た結果、８２％であった。また、４探針法により測定し
た透明導電膜の比抵抗は、０．１８ｍΩ・ｃｍであり、
導電性の高いものであった。
【００２８】〔実施例２〕 （１）透明導電材料用原料粉末の製造 原料の金属酸化物として、酸化インジウムの粉末と酸化
亜鉛の粉末を、これら金属の原子比が、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８５ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１５ となるように混合したものを用いた他は、実施例１と同
様にして、原料微粉末を得た。 （２）透明導電材料の製造 上記（１）で得られた原料微粉末１００重量部に対し
て、成形助剤として実施例１の（２）で得られた精製ポ
リビニルアルコールを３重量部の割合で配合して造粒
し、以降の操作は、実施例１の（３）と同様にして、透
明導電材料からなる焼結体を得た。ここで得られた焼結
体より取り出した試料につき、プラズマ発光分析装置を
用いて、不純物の含有量を測定した結果、ナトリウムの
含有率は１重量ｐｐｍ以下であり、カリウムの含有率は
１重量ｐｐｍ以下、重金属の含有率については１０重量
ｐｐｍ以下であった。
亜鉛の粉末を、これら金属の原子比が、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８５ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１５ となるように混合したものを用いた他は、実施例１と同
様にして、原料微粉末を得た。 （２）透明導電材料の製造 上記（１）で得られた原料微粉末１００重量部に対し
て、成形助剤として実施例１の（２）で得られた精製ポ
リビニルアルコールを３重量部の割合で配合して造粒
し、以降の操作は、実施例１の（３）と同様にして、透
明導電材料からなる焼結体を得た。ここで得られた焼結
体より取り出した試料につき、プラズマ発光分析装置を
用いて、不純物の含有量を測定した結果、ナトリウムの
含有率は１重量ｐｐｍ以下であり、カリウムの含有率は
１重量ｐｐｍ以下、重金属の含有率については１０重量
ｐｐｍ以下であった。
【００２９】（３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた透明導電材料からなる焼結体を切
削加工して製作したスパッタリング用ターゲットを用い
た他は、実施例１の（４）と同様にして、透明導電ガラ
スを製造した。このようにして得られた透明導電ガラス
上の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロ
ームであり、非晶質であった。そして、この透明導電膜
の光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線
について測定した結果、８１％であった。また、４探針
法により測定した透明導電膜の比抵抗は、０．２９ｍΩ
・ｃｍであり、導電性の高いものであった。
削加工して製作したスパッタリング用ターゲットを用い
た他は、実施例１の（４）と同様にして、透明導電ガラ
スを製造した。このようにして得られた透明導電ガラス
上の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロ
ームであり、非晶質であった。そして、この透明導電膜
の光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線
について測定した結果、８１％であった。また、４探針
法により測定した透明導電膜の比抵抗は、０．２９ｍΩ
・ｃｍであり、導電性の高いものであった。
【００３０】〔比較例１〕 （１）透明導電材料用原料粉末の製造 原料の金属酸化物として、実施例１と同一の原料を用
い、実施例１と同様にして原料微粉末を得た。 （２）透明導電材料の製造 上記（１）で得られた原料微粉末１００重量部に対し
て、成形助剤として未精製のポリビニルアルコールを１
重量部の割合で配合して造粒し、以降の操作は、実施例
１の（３）と同様にして、透明導電材料からなる焼結体
を得た。ここで得られた焼結体より取り出した試料につ
き、プラズマ発光分析装置を用いて、不純物の含有量を
測定した結果、ナトリウムの含有率は１５重量ｐｐｍで
あり、カリウムの含有率は１重量ｐｐｍ以下、重金属の
含有率については１０重量ｐｐｍ以下であった。
い、実施例１と同様にして原料微粉末を得た。 （２）透明導電材料の製造 上記（１）で得られた原料微粉末１００重量部に対し
て、成形助剤として未精製のポリビニルアルコールを１
重量部の割合で配合して造粒し、以降の操作は、実施例
１の（３）と同様にして、透明導電材料からなる焼結体
を得た。ここで得られた焼結体より取り出した試料につ
き、プラズマ発光分析装置を用いて、不純物の含有量を
測定した結果、ナトリウムの含有率は１５重量ｐｐｍで
あり、カリウムの含有率は１重量ｐｐｍ以下、重金属の
含有率については１０重量ｐｐｍ以下であった。
【００３１】（３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた透明導電材料からなる焼結体を切
削加工して製作したスパッタリング用ターゲットを用い
た他は、実施例１の（４）と同様にして、透明導電ガラ
スを製造した。このようにして得られた透明導電ガラス
上の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロ
ームであり、結晶質であった。そして、この透明導電膜
の光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線
について測定した結果、８１％であった。また、４探針
法により測定した透明導電膜の比抵抗は、０．２１ｍΩ
・ｃｍであった。
削加工して製作したスパッタリング用ターゲットを用い
た他は、実施例１の（４）と同様にして、透明導電ガラ
スを製造した。このようにして得られた透明導電ガラス
上の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロ
ームであり、結晶質であった。そして、この透明導電膜
の光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線
について測定した結果、８１％であった。また、４探針
法により測定した透明導電膜の比抵抗は、０．２１ｍΩ
・ｃｍであった。
【００３２】〔比較例２〕 （１）透明導電材料用原料粉末の製造 原料の金属酸化物として、実施例２と同一の原料を用
い、実施例２と同様にして原料微粉末を得た。
い、実施例２と同様にして原料微粉末を得た。
【００３３】（２）透明導電材料の製造 上記（１）で得られた原料微粉末１００重量部に対し
て、成形助剤として未精製のポリビニルアルコールを３
重量部の割合で配合して造粒し、以降の操作は、実施例
１の（３）と同様にして、透明導電材料からなる焼結体
を得た。ここで得られた焼結体より取り出した試料につ
き、プラズマ発光分析装置を用いて、不純物の含有量を
測定した結果、ナトリウムの含有率は６６重量ｐｐｍで
あり、カリウムの含有率は１重量ｐｐｍ以下、重金属の
含有率については１０重量ｐｐｍ以下であった。
て、成形助剤として未精製のポリビニルアルコールを３
重量部の割合で配合して造粒し、以降の操作は、実施例
１の（３）と同様にして、透明導電材料からなる焼結体
を得た。ここで得られた焼結体より取り出した試料につ
き、プラズマ発光分析装置を用いて、不純物の含有量を
測定した結果、ナトリウムの含有率は６６重量ｐｐｍで
あり、カリウムの含有率は１重量ｐｐｍ以下、重金属の
含有率については１０重量ｐｐｍ以下であった。
【００３４】（３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた透明導電材料からなる焼結体を切
削加工して製作したスパッタリング用ターゲットを用い
た他は、実施例１の（４）と同様にして、透明導電ガラ
スを製造した。このようにして得られた透明導電ガラス
上の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロ
ームであり、非晶質であった。そして、この透明導電膜
の光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線
について測定した結果、８０％であった。また、４探針
法により測定した透明導電膜の比抵抗は、０．３４ｍΩ
・ｃｍであった。
削加工して製作したスパッタリング用ターゲットを用い
た他は、実施例１の（４）と同様にして、透明導電ガラ
スを製造した。このようにして得られた透明導電ガラス
上の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロ
ームであり、非晶質であった。そして、この透明導電膜
の光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線
について測定した結果、８０％であった。また、４探針
法により測定した透明導電膜の比抵抗は、０．３４ｍΩ
・ｃｍであった。
【００３５】〔参考例１〕薄膜型液晶ディスプレイの表
示パネルとして、ガラス基板上に、ゲート電極層、絶縁
層、アモルファスシリコン層、エッチングストッパー
層、ｎ−アモルファスシリコン層、ソースドレイン電極
層を順次積層し、その上に、遮蔽膜を設けることなく、
実施例２の（３）で得られたスパッタリング用ターゲッ
トを用いて、透明導電膜を形成した。このようにして得
られた表示パネルを用いて、その駆動回路を組み込んで
薄膜型液晶ディスプレイの作動性能の確認をした。この
結果、このパネルに作動不良の素子は認められず、長時
間の継続使用後も性能低下は認められなかった。
示パネルとして、ガラス基板上に、ゲート電極層、絶縁
層、アモルファスシリコン層、エッチングストッパー
層、ｎ−アモルファスシリコン層、ソースドレイン電極
層を順次積層し、その上に、遮蔽膜を設けることなく、
実施例２の（３）で得られたスパッタリング用ターゲッ
トを用いて、透明導電膜を形成した。このようにして得
られた表示パネルを用いて、その駆動回路を組み込んで
薄膜型液晶ディスプレイの作動性能の確認をした。この
結果、このパネルに作動不良の素子は認められず、長時
間の継続使用後も性能低下は認められなかった。
【００３６】〔参考例２〕スパッタリング用ターゲット
として、比較例１の（３）で得られたものを用いた他
は、参考例１と同様にして表示パネルを作製した。ここ
で得られた表示パネルを用いて製作した薄膜型液晶ディ
スプレイについても、参考例１と同様にして、その作動
性能の確認をした。この結果、このパネルに作動不良の
素子が数ケ所認められ、長時間の継続使用後には、さら
に作動不良の素子数が増加した。
として、比較例１の（３）で得られたものを用いた他
は、参考例１と同様にして表示パネルを作製した。ここ
で得られた表示パネルを用いて製作した薄膜型液晶ディ
スプレイについても、参考例１と同様にして、その作動
性能の確認をした。この結果、このパネルに作動不良の
素子が数ケ所認められ、長時間の継続使用後には、さら
に作動不良の素子数が増加した。
【００３７】
【発明の効果】本発明のスパッタリング用ターゲットを
用いて製膜した透明導電ガラスや透明導電フィルムは、
薄膜型液晶ディスプレイなどの表示部の透明電極として
用いると、該表示部を、スイッチング部分と液晶駆動用
透明導電膜の部分との間を遮蔽膜で分離して構成しなく
ても、スイッチング性能の低下を招くことなく該表示装
置を長期間使用することができる。
用いて製膜した透明導電ガラスや透明導電フィルムは、
薄膜型液晶ディスプレイなどの表示部の透明電極として
用いると、該表示部を、スイッチング部分と液晶駆動用
透明導電膜の部分との間を遮蔽膜で分離して構成しなく
ても、スイッチング性能の低下を招くことなく該表示装
置を長期間使用することができる。
Claims (10)
- 【請求項１】 酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛
から選択される１種または２種以上の金属酸化物からな
り、該金属酸化物中のナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ
以下である焼結体からなるスパッタリング用ターゲッ
ト。 - 【請求項２】 ナトリウム含有量が２重量ｐｐｍ以下で
ある請求項１に記載のスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項３】 ナトリウム含有量が１重量ｐｐｍ以下で
ある請求項１に記載のスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項４】 酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛
が、それらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２５ の割合である請求項１〜３のいずれかに記載のスパッタ
リング用ターゲット。 - 【請求項５】 酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛
が、それらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．５０〜１．００ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．５０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２５ の割合である請求項１〜３のいずれかに記載のスパッタ
リング用ターゲット。 - 【請求項６】 酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛
が、それらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．７５〜０．９５ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０ の割合である請求項１〜３のいずれかに記載のスパッタ
リング用ターゲット。 - 【請求項７】 酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛
から選択される１種または２種以上の金属酸化物の原料
粉末に、ナトリウム含有量が３０重量ｐｐｍ以下の成形
助剤を添加混合し、造粒成形し、焼結して得られた焼結
体を切削加工することからなるスパッタリング用ターゲ
ットの製造法。 - 【請求項８】 成形助剤が、ポリビニルアルコールであ
る請求項７に記載のスパッタリング用ターゲットの製造
法。 - 【請求項９】 ガラス基板上に、酸化インジウム、酸化
錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の
金属酸化物からなり、該金属酸化物中のナトリウム含有
量が５重量ｐｐｍ以下である焼結体からなるスパッタリ
ング用ターゲットを用いて形成された透明導電膜を有す
る透明導電ガラス。 - 【請求項１０】透明樹脂フィルム上に、酸化インジウ
ム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２
種以上の金属酸化物からなり、該金属酸化物中のナトリ
ウム含有量が５重量ｐｐｍ以下である焼結体からなるス
パッタリング用ターゲットを用いて形成された透明導電
膜を有する透明導電フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05838599A JP4230594B2 (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | スパッタリング用ターゲット及び透明導電ガラス並びに透明導電フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05838599A JP4230594B2 (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | スパッタリング用ターゲット及び透明導電ガラス並びに透明導電フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000256838A true JP2000256838A (ja) | 2000-09-19 |
| JP4230594B2 JP4230594B2 (ja) | 2009-02-25 |
Family
ID=13082881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05838599A Expired - Lifetime JP4230594B2 (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | スパッタリング用ターゲット及び透明導電ガラス並びに透明導電フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4230594B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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