JP2000258642A - 高分解能歪測定に適した光ファイバおよび物理量測定方法 - Google Patents
高分解能歪測定に適した光ファイバおよび物理量測定方法Info
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- JP2000258642A JP2000258642A JP11061513A JP6151399A JP2000258642A JP 2000258642 A JP2000258642 A JP 2000258642A JP 11061513 A JP11061513 A JP 11061513A JP 6151399 A JP6151399 A JP 6151399A JP 2000258642 A JP2000258642 A JP 2000258642A
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Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ファイバ心線を用いて数mm〜数百mmの
高い分解能を持つ歪測定を可能にする。 【解決手段】 光ファイバ心線に反射特性または透過特
性の異なる複数種類のファイバグレーティングを書き込
むむ。この複数種類のファイバグレーティングは、少な
くとも、第1の波長を有する光を反射または透過する第
1のファイバグレーティングと、第1の波長とは異なる
第2の波長を有する光を反射または透過する第2のファ
イバグレーティングとを含んでおり、第2のファイバグ
レーティングは、第1のファイバグレーティングが形成
されている位置から軸方向に沿って離れた位置に形成さ
れている。
高い分解能を持つ歪測定を可能にする。 【解決手段】 光ファイバ心線に反射特性または透過特
性の異なる複数種類のファイバグレーティングを書き込
むむ。この複数種類のファイバグレーティングは、少な
くとも、第1の波長を有する光を反射または透過する第
1のファイバグレーティングと、第1の波長とは異なる
第2の波長を有する光を反射または透過する第2のファ
イバグレーティングとを含んでおり、第2のファイバグ
レーティングは、第1のファイバグレーティングが形成
されている位置から軸方向に沿って離れた位置に形成さ
れている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分解能歪測定に
適した光ファイバ心線、光ファイバコード、および光フ
ァイバケーブル、ならびにこれらを用いた歪測定方法な
どの物理量測定方法に関する。
適した光ファイバ心線、光ファイバコード、および光フ
ァイバケーブル、ならびにこれらを用いた歪測定方法な
どの物理量測定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光ファイバに張力が印加され伸び歪が生
じていると、光ファイバは劣化してゆくため、光通信線
路の長期信頼性を確保するには、光ケーブルの製造時、
敷設時、および適用環境使用時の各段階において光ファ
イバの歪を正確に測定することが必要になる。従来、こ
のような歪を測定する方法としては、歪の発生に伴う光
信号遅延時間の変化を直接に時間軸上で測定する光パル
ス法や、正弦波変調信号の位相変化から歪を測定する位
相法が用いられていた。
じていると、光ファイバは劣化してゆくため、光通信線
路の長期信頼性を確保するには、光ケーブルの製造時、
敷設時、および適用環境使用時の各段階において光ファ
イバの歪を正確に測定することが必要になる。従来、こ
のような歪を測定する方法としては、歪の発生に伴う光
信号遅延時間の変化を直接に時間軸上で測定する光パル
ス法や、正弦波変調信号の位相変化から歪を測定する位
相法が用いられていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記の歪測定方法によ
れば、歪を高い精度で測定できるが、光ファイバの長手
方向に沿って歪が不均一に分布する場合は、長手方向に
沿って平均化した歪の値を検知することしかできなかっ
た。
れば、歪を高い精度で測定できるが、光ファイバの長手
方向に沿って歪が不均一に分布する場合は、長手方向に
沿って平均化した歪の値を検知することしかできなかっ
た。
【0004】光ファイバの強度劣化は最大歪によって決
定されるため、歪の平均値が小さい場合であっても、局
所的に大きな最大歪が発生していると、その部分で光フ
ァイバの劣化が大きく進行することになる。このため、
長手方向に平均した歪値だけを測定していたのでは、光
ファイバの信頼性を充分に保証することはできなくな
る。
定されるため、歪の平均値が小さい場合であっても、局
所的に大きな最大歪が発生していると、その部分で光フ
ァイバの劣化が大きく進行することになる。このため、
長手方向に平均した歪値だけを測定していたのでは、光
ファイバの信頼性を充分に保証することはできなくな
る。
【0005】そこで、歪分布を光ファイバの長手方向に
沿って測定する方法が提案されている。この方法は、音
波および周波数変換を伴う光波の非線形相互作用を分析
する技術と、OTDR(Optical Time Domain Reflecto
metry)に類似した時間領域測定技術とを融合させた方
法である。
沿って測定する方法が提案されている。この方法は、音
波および周波数変換を伴う光波の非線形相互作用を分析
する技術と、OTDR(Optical Time Domain Reflecto
metry)に類似した時間領域測定技術とを融合させた方
法である。
【0006】しかしながら、この方法では光パルス幅に
よって距離分解能(時間分解能)が限定され、従来、数
10cm程度以下の高分解能を達成することはできかっ
た。他方、光ファイバケーブル内に収納された光ファイ
バ心線は、通常、数10cm程度のピッチで螺旋状に撚
られている。このため、上記従来の測定方法によって
は、光ファイバに生じている最大歪を高い精度で測定す
ることができなかった。
よって距離分解能(時間分解能)が限定され、従来、数
10cm程度以下の高分解能を達成することはできかっ
た。他方、光ファイバケーブル内に収納された光ファイ
バ心線は、通常、数10cm程度のピッチで螺旋状に撚
られている。このため、上記従来の測定方法によって
は、光ファイバに生じている最大歪を高い精度で測定す
ることができなかった。
【0007】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、数mm〜数百mmとい
う高い分解能を持つ測定が可能な光ファイバおよび物理
量測定方法を提供することにある。
あり、その目的とするところは、数mm〜数百mmとい
う高い分解能を持つ測定が可能な光ファイバおよび物理
量測定方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明による光ファイバ
心線は、反射特性または透過特性の異なる複数種類のフ
ァイバグレーティングが書き込まれた光ファイバ心線で
あって、前記複数種類のファイバグレーティングは、少
なくとも、第1の波長を有する光を反射または透過する
第1のファイバグレーティングと、前記第1の波長とは
異なる第2の波長を有する光を反射または透過する第2
のファイバグレーティングとを含んでおり、前記第2の
ファイバグレーティングは、前記第1のファイバグレー
ティングが形成されている位置から軸方向に沿って離れ
た位置に形成されていることを特徴とする。
心線は、反射特性または透過特性の異なる複数種類のフ
ァイバグレーティングが書き込まれた光ファイバ心線で
あって、前記複数種類のファイバグレーティングは、少
なくとも、第1の波長を有する光を反射または透過する
第1のファイバグレーティングと、前記第1の波長とは
異なる第2の波長を有する光を反射または透過する第2
のファイバグレーティングとを含んでおり、前記第2の
ファイバグレーティングは、前記第1のファイバグレー
ティングが形成されている位置から軸方向に沿って離れ
た位置に形成されていることを特徴とする。
【0009】前記ファイバグレーティングは、コアと、
前記コアを囲むクラッドと、前記クラッド層の外周面に
形成された紫外線透過型紫外線硬化樹脂層とを備えてお
り、前記ファイバグレーティングは、前記紫外線透過型
紫外線硬化樹脂層を通して前記コアに照射された紫外線
によって前記コア内に書き込まれたものであることが好
ましい。
前記コアを囲むクラッドと、前記クラッド層の外周面に
形成された紫外線透過型紫外線硬化樹脂層とを備えてお
り、前記ファイバグレーティングは、前記紫外線透過型
紫外線硬化樹脂層を通して前記コアに照射された紫外線
によって前記コア内に書き込まれたものであることが好
ましい。
【0010】本発明によるファイバコードは、本発明の
光ファイバ心線を備えていることを特徴とする。
光ファイバ心線を備えていることを特徴とする。
【0011】本発明によるファイバケーブルは、本発明
の光ファイバ心線を備えていることを特徴とする。
の光ファイバ心線を備えていることを特徴とする。
【0012】本発明による光ファイバ心線の製造方法
は、グレーティングが書き込まれるべきコアと前記コア
を囲むクラッドとを備えたファイバ構造の外周面を紫外
線透過型紫外線硬化樹脂から形成した被覆層で覆う工程
と、第1の紫外線を前記被覆層に照射することによって
前記被覆層を硬化させる工程と、第2の紫外線を前記被
覆層の外側から前記コアに対して照射することによっ
て、反射特性または透過特性の異なる複数種類のファイ
バグレーティングを前記コアの異なる位置に書き込む工
程とを包含することを特徴とする。
は、グレーティングが書き込まれるべきコアと前記コア
を囲むクラッドとを備えたファイバ構造の外周面を紫外
線透過型紫外線硬化樹脂から形成した被覆層で覆う工程
と、第1の紫外線を前記被覆層に照射することによって
前記被覆層を硬化させる工程と、第2の紫外線を前記被
覆層の外側から前記コアに対して照射することによっ
て、反射特性または透過特性の異なる複数種類のファイ
バグレーティングを前記コアの異なる位置に書き込む工
程とを包含することを特徴とする。
【0013】本発明による物理量測定方法は、前記何れ
かの光ファイバ心線に対して、前記第1および第2の波
長を含む広帯域の光を入射する工程と、前記広帯域光の
うち、前記複数種類のファイバグレーティングの各々に
よって選択的に反射された光を検知して、前記複数種類
のファイバグレーティングの各々に生じている物理的状
態を個別に検出する工程とを包含する。
かの光ファイバ心線に対して、前記第1および第2の波
長を含む広帯域の光を入射する工程と、前記広帯域光の
うち、前記複数種類のファイバグレーティングの各々に
よって選択的に反射された光を検知して、前記複数種類
のファイバグレーティングの各々に生じている物理的状
態を個別に検出する工程とを包含する。
【0014】好ましい実施形態では、前記物理的状態
が、軸方向歪、屈曲量、および温度の少なくともひとつ
を含む。
が、軸方向歪、屈曲量、および温度の少なくともひとつ
を含む。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【0016】まず、図1を参照する。図1には、光ファ
イバの素線部分が示されている。この光ファイバ素線
は、ファイバグレーティング21が書き込まれたコア2
と、コア2の周りに形成されたクラッド3とから構成さ
れている。
イバの素線部分が示されている。この光ファイバ素線
は、ファイバグレーティング21が書き込まれたコア2
と、コア2の周りに形成されたクラッド3とから構成さ
れている。
【0017】グレーティング21は、軸方向に沿ってコ
ア2の屈折率が周期Λ(例えば0.3〜0.6μm)で
変化した短周期の屈折率変調構造を有している。この周
期Λとコア21の平均屈折率とによって規定されるブラ
ッグ(Bragg)波長を持つ光がグレーティング21によ
って選択的に反射されることになる。なお、本願明細書
において、ブラッグ波長を「反射ピーク波長」と呼ぶこ
とがある。
ア2の屈折率が周期Λ(例えば0.3〜0.6μm)で
変化した短周期の屈折率変調構造を有している。この周
期Λとコア21の平均屈折率とによって規定されるブラ
ッグ(Bragg)波長を持つ光がグレーティング21によ
って選択的に反射されることになる。なお、本願明細書
において、ブラッグ波長を「反射ピーク波長」と呼ぶこ
とがある。
【0018】上述のようにブラッグ波長は周期Λに依存
して変化するため、熱または外力などによってファイバ
に歪が発生すると、その歪みが発生している部分におけ
る周期Λが無歪状態の値から変化(シフト)することに
なる。この変化の大きさ(シフト量)は、ブラッグ波長
(反射ピーク波長)のシフト量として光学的に観測でき
る。本発明では、複数のファイバグレーティングを用
い、各ファイバグレーティングの物理的状態の変化に起
因して発生した反射ピーク波長のシフト量を検出する。
その結果、長いファイバ上に生じた複数箇所における応
力等をセンシングすることが可能となる。
して変化するため、熱または外力などによってファイバ
に歪が発生すると、その歪みが発生している部分におけ
る周期Λが無歪状態の値から変化(シフト)することに
なる。この変化の大きさ(シフト量)は、ブラッグ波長
(反射ピーク波長)のシフト量として光学的に観測でき
る。本発明では、複数のファイバグレーティングを用
い、各ファイバグレーティングの物理的状態の変化に起
因して発生した反射ピーク波長のシフト量を検出する。
その結果、長いファイバ上に生じた複数箇所における応
力等をセンシングすることが可能となる。
【0019】次に、図2を参照しながら、本発明のセン
サに用いる光ファイバ心線の構成とグレーティング作製
方法の実施形態を説明する。図2には、グレーティング
21が書き込まれるコア2と、コア2の周りに形成され
たクラッド3と、クラッド3の外表面を被覆する被覆層
4とから構成された光ファイバ心線1が示されている。
サに用いる光ファイバ心線の構成とグレーティング作製
方法の実施形態を説明する。図2には、グレーティング
21が書き込まれるコア2と、コア2の周りに形成され
たクラッド3と、クラッド3の外表面を被覆する被覆層
4とから構成された光ファイバ心線1が示されている。
【0020】本実施形態で用いるコア2には、通常仕様
の光ファイバのコアに含まれているGeと同程度の濃度
を有するGeがドープされている。ここで、通常仕様の
光ファイバとは、前記光ファイバ心線1に接続される光
ファイバ心線のことである。このような光ファイバ心線
のコアには、通常、比屈折率差が0.9%程度になる量
のGe がドープされている。
の光ファイバのコアに含まれているGeと同程度の濃度
を有するGeがドープされている。ここで、通常仕様の
光ファイバとは、前記光ファイバ心線1に接続される光
ファイバ心線のことである。このような光ファイバ心線
のコアには、通常、比屈折率差が0.9%程度になる量
のGe がドープされている。
【0021】図示されている光ファイバ心線1のコア2
には、光誘起屈折率変化を定常的に高めるためには、G
eに加えて、Sn、Sn及びAl 、または、Sn,Al
及びBのドーパントをコア2にドープしておくことが好
ましい。例えば、上記の通常仕様の光ファイバのコアと
同量(比屈折率差が0.9%となる程度の量)のGeに
加え、濃度10000ppm以上、好ましくは濃度10
000〜15000ppmのSn、或いは、このような
濃度のSn及び濃度1000ppm以下のAl等を共ド
ープすればよい。このようなドープは、種々の公知方法
によって行えばよく、例えば液浸により行う場合には、
上記GeやSnの化合物(Snの場合、例えばSnCl
2・2H2O)をメチルアルコールと混合し、その溶液の
中に浸漬すればよい。
には、光誘起屈折率変化を定常的に高めるためには、G
eに加えて、Sn、Sn及びAl 、または、Sn,Al
及びBのドーパントをコア2にドープしておくことが好
ましい。例えば、上記の通常仕様の光ファイバのコアと
同量(比屈折率差が0.9%となる程度の量)のGeに
加え、濃度10000ppm以上、好ましくは濃度10
000〜15000ppmのSn、或いは、このような
濃度のSn及び濃度1000ppm以下のAl等を共ド
ープすればよい。このようなドープは、種々の公知方法
によって行えばよく、例えば液浸により行う場合には、
上記GeやSnの化合物(Snの場合、例えばSnCl
2・2H2O)をメチルアルコールと混合し、その溶液の
中に浸漬すればよい。
【0022】被覆層4は、コア2及びクラッド3からな
る光ファイバ素線の線引き工程に引き続いてシングルコ
ート法によって、少なくとも30μm程度の膜厚になる
ように形成されたものである。本実施形態では、被覆層
4の材料として、ある波長帯域の紫外線(第1の紫外
線)で硬化する特性と、他の波長帯域の紫外線(第2の
紫外線)を透過する特性の両方を備えた樹脂を用いる。
このような樹脂を本願明細書では「紫外線透過型紫外線
硬化樹脂」と称することがある。
る光ファイバ素線の線引き工程に引き続いてシングルコ
ート法によって、少なくとも30μm程度の膜厚になる
ように形成されたものである。本実施形態では、被覆層
4の材料として、ある波長帯域の紫外線(第1の紫外
線)で硬化する特性と、他の波長帯域の紫外線(第2の
紫外線)を透過する特性の両方を備えた樹脂を用いる。
このような樹脂を本願明細書では「紫外線透過型紫外線
硬化樹脂」と称することがある。
【0023】この紫外線透過型紫外線硬化樹脂は、グレ
ーティング21の書き込みのためにコアに照射する特定
波長帯(例えば240nm〜270nmの波長帯)の紫
外線を少なくとも透過させる(好ましくは、この紫外線
を殆ど吸収せずに透過させる)一方で、上記特定波長帯
よりも短い波長または長い波長の紫外線を吸収して硬化
反応を生じさせる。つまり、同じ樹脂ではあるが、波長
によって紫外線吸収特性が異なり、特定波長帯では紫外
線透過型である一方、上記特定波長帯よりも短い波長域
または長い波長域では紫外線硬化型であるような樹脂を
用いて被覆層4を形成することになる。
ーティング21の書き込みのためにコアに照射する特定
波長帯(例えば240nm〜270nmの波長帯)の紫
外線を少なくとも透過させる(好ましくは、この紫外線
を殆ど吸収せずに透過させる)一方で、上記特定波長帯
よりも短い波長または長い波長の紫外線を吸収して硬化
反応を生じさせる。つまり、同じ樹脂ではあるが、波長
によって紫外線吸収特性が異なり、特定波長帯では紫外
線透過型である一方、上記特定波長帯よりも短い波長域
または長い波長域では紫外線硬化型であるような樹脂を
用いて被覆層4を形成することになる。
【0024】本実施形態では、ウレタン系アクリレート
もしくはエポキシ系アクリレートに対し、例えば240
nmよりも短い波長域または270nmよりも長い波長
域の紫外線を受けて硬化反応を開始・促進させるような
光開始剤(フォトイニシエータ)を配合した樹脂を「紫
外線透過型紫外線硬化樹脂」として用いる。
もしくはエポキシ系アクリレートに対し、例えば240
nmよりも短い波長域または270nmよりも長い波長
域の紫外線を受けて硬化反応を開始・促進させるような
光開始剤(フォトイニシエータ)を配合した樹脂を「紫
外線透過型紫外線硬化樹脂」として用いる。
【0025】このような樹脂の層で光ファイバの外周面
を被覆した後、まず、その被覆層に対して第1の紫外線
を照射し、被覆層4を硬化する。
を被覆した後、まず、その被覆層に対して第1の紫外線
を照射し、被覆層4を硬化する。
【0026】硬化した被覆層4によって被覆された状態
の光ファイバ心線1に対して第2の紫外線を照射する前
に、コア2に対して水素充填を行うことが光誘起屈折率
変化を高める上で好ましい。従って、本実施形態では、
この高圧水素充填を行う。具体的には、光ファイバ心線
1を水素が充填された密閉容器内に入れ、室温状態でほ
ぼ20MPaの圧力下で約2週間放置すればよい。
の光ファイバ心線1に対して第2の紫外線を照射する前
に、コア2に対して水素充填を行うことが光誘起屈折率
変化を高める上で好ましい。従って、本実施形態では、
この高圧水素充填を行う。具体的には、光ファイバ心線
1を水素が充填された密閉容器内に入れ、室温状態でほ
ぼ20MPaの圧力下で約2週間放置すればよい。
【0027】次に、光ファイバ心線1の外側、つまり、
被覆層4の外側から第2の紫外線を照射することにより
コア2に対しグレーティング21の書き込みを行う。グ
レーティング21の書き込みは、周知の種々の方法を採
用して行えばよく、例えば位相マスク法により行う場合
には、光ファイバ心線1の側方直前に格子状の位相マス
ク5を配設し、この位相マスク5に対しNd−YAGレ
ーザ源から例えばその4倍波長(4ω)である266n
mのコヒーレント紫外レーザ光をシリンドリカルレンズ
系6により集光した状態で照射すればよい。これによ
り、上記紫外レーザ光が位相マスク5及び被覆層4を透
過し、コア2に対し位相マスク5の格子ピッチに対応し
たグレーティングピッチの部分の屈折率が増大されてブ
ラッググレーティング21が書き込まれることになる。
第2の紫外線の波長は、例えば150〜400nmであ
り、照射エネルギーは0.1〜10kJ/cm2であ
る。
被覆層4の外側から第2の紫外線を照射することにより
コア2に対しグレーティング21の書き込みを行う。グ
レーティング21の書き込みは、周知の種々の方法を採
用して行えばよく、例えば位相マスク法により行う場合
には、光ファイバ心線1の側方直前に格子状の位相マス
ク5を配設し、この位相マスク5に対しNd−YAGレ
ーザ源から例えばその4倍波長(4ω)である266n
mのコヒーレント紫外レーザ光をシリンドリカルレンズ
系6により集光した状態で照射すればよい。これによ
り、上記紫外レーザ光が位相マスク5及び被覆層4を透
過し、コア2に対し位相マスク5の格子ピッチに対応し
たグレーティングピッチの部分の屈折率が増大されてブ
ラッググレーティング21が書き込まれることになる。
第2の紫外線の波長は、例えば150〜400nmであ
り、照射エネルギーは0.1〜10kJ/cm2であ
る。
【0028】本実施形態では、図1または図2に示す構
造のファイバグレーティング21をひとつのコア2内
に、軸方向に沿って間隔を置きながら、複数個形成す
る。例えば、長さ5〜20mmの短周期ファイバグレー
ティングを100mm間隔で10個以上形成する。この
とき、各ファイバグレーティングの反射率を4〜5%と
し、また、反射される光の中心波長を僅かずつ(例えば
0.5nm間隔で)シフトさせる。このようなファイバ
グレーティングを一本のファイバ心線に書き込むには、
例えば、一種類の位相マスク5および紫外線を用いなが
ら、一本のファイバ心線に印加する張力を段階的に変化
させながらグレーティングの書き込みを行えばよい。グ
レーティング書き込み時の張力が異なることによって、
たとえ書き込み時の格子間隔が一定でも張力開放時にお
ける各グレーティングの格子間隔が相互に変化すること
になる。
造のファイバグレーティング21をひとつのコア2内
に、軸方向に沿って間隔を置きながら、複数個形成す
る。例えば、長さ5〜20mmの短周期ファイバグレー
ティングを100mm間隔で10個以上形成する。この
とき、各ファイバグレーティングの反射率を4〜5%と
し、また、反射される光の中心波長を僅かずつ(例えば
0.5nm間隔で)シフトさせる。このようなファイバ
グレーティングを一本のファイバ心線に書き込むには、
例えば、一種類の位相マスク5および紫外線を用いなが
ら、一本のファイバ心線に印加する張力を段階的に変化
させながらグレーティングの書き込みを行えばよい。グ
レーティング書き込み時の張力が異なることによって、
たとえ書き込み時の格子間隔が一定でも張力開放時にお
ける各グレーティングの格子間隔が相互に変化すること
になる。
【0029】図3は、このようにして1本の光ファイバ
心線1にn個のファイバグレーティングFBG1〜FB
Gnを書き込んだセンサの構成を示している(nは2以
上の整数)。この例では、広帯域光源31および分光器
32がカプラ33を介して光ファイバ心線1に結合され
ている。広帯域光源31、分光器32およびカプラ33
は、光学測定系30を構成している。
心線1にn個のファイバグレーティングFBG1〜FB
Gnを書き込んだセンサの構成を示している(nは2以
上の整数)。この例では、広帯域光源31および分光器
32がカプラ33を介して光ファイバ心線1に結合され
ている。広帯域光源31、分光器32およびカプラ33
は、光学測定系30を構成している。
【0030】本実施形態では、広帯域光源31として、
例えばスーパールミネッセンスダイオード光源(SLD
光源)を用いることができ、また、分光器32として、
例えば分解能が0.1nm以下の赤外波長領域の分光器
を用いることができる。
例えばスーパールミネッセンスダイオード光源(SLD
光源)を用いることができ、また、分光器32として、
例えば分解能が0.1nm以下の赤外波長領域の分光器
を用いることができる。
【0031】次に、図3を参照しながら、この光ファイ
バ心線1を用いて応力分布が測定できることの基本的原
理を説明する。
バ心線1を用いて応力分布が測定できることの基本的原
理を説明する。
【0032】まず、広帯域光源31から出た広帯域光
(測定光)は、カプラ33を経て光ファイバ心線1に入
射する。この広帯域光は、まず、ファイバグレーティン
グFBG1に入射する。入射した広帯域光のうち、ファ
イバグレーティングFBG1の周期Λ1で決まる反射ピー
ク波長λ1の光が選択的に左方へ反射される。波長λ1の
反射光はカブラ33を介して分光器32に入射する。光
ファイバ心線1の上方には透過光スペクトルが模式的に
示され、光ファイバ心線1の下方には反射光スペクトル
が模式的に示されている。
(測定光)は、カプラ33を経て光ファイバ心線1に入
射する。この広帯域光は、まず、ファイバグレーティン
グFBG1に入射する。入射した広帯域光のうち、ファ
イバグレーティングFBG1の周期Λ1で決まる反射ピー
ク波長λ1の光が選択的に左方へ反射される。波長λ1の
反射光はカブラ33を介して分光器32に入射する。光
ファイバ心線1の上方には透過光スペクトルが模式的に
示され、光ファイバ心線1の下方には反射光スペクトル
が模式的に示されている。
【0033】第1のファイバグレーティングFBG1に
入射した広帯域光のうち、ファイバグレーティングFB
G1で反射されなかった帯域成分は、次のファイバグレ
ーティングFBG2に入射する。ここで同様に、第2の
ファイバグレーティングFBG2の周期Λ2で決まる反射
ピーク波長λ2の光が選択的に左方へ反射され、波長λ2
の反射光はカブラ33を介して分光器32に入射するこ
とになる。
入射した広帯域光のうち、ファイバグレーティングFB
G1で反射されなかった帯域成分は、次のファイバグレ
ーティングFBG2に入射する。ここで同様に、第2の
ファイバグレーティングFBG2の周期Λ2で決まる反射
ピーク波長λ2の光が選択的に左方へ反射され、波長λ2
の反射光はカブラ33を介して分光器32に入射するこ
とになる。
【0034】なお、図3に示す構成例では、ファイバグ
レーティングFBG1〜FBGnの反射ピーク波長λ1〜
λnが、光ファイバ心線1の入射端側から遠ざかるにつ
れて大きくなるようにファイバグレーティングFBG1
〜FBGnが作製されている。すなわち、λ1<λ2<・・・
λn-1<λnの関係が成立している。
レーティングFBG1〜FBGnの反射ピーク波長λ1〜
λnが、光ファイバ心線1の入射端側から遠ざかるにつ
れて大きくなるようにファイバグレーティングFBG1
〜FBGnが作製されている。すなわち、λ1<λ2<・・・
λn-1<λnの関係が成立している。
【0035】図4は、図3の装置を用いて測定した反射
光スペクトルである。図4の上方に記載しているスペク
トルは光ファイバ心線に応力を印加する前の状態に得た
反射光スペクトルである。これに対して、図4の下方に
記載しているスペクトルは、上記光ファイバ心線に対し
て応力を印加した状態の反射光スペクトルである。ここ
では、光ファイバ心線を螺旋状に捻った状態におき、光
ファイバ心線の各部に種々の異なる応力が発生するよう
にした。そのため、光ファイバ心線の部位に応じて発生
する応力や歪みが変化し、それに応じて各ファイバグレ
ーティングの物理的状態が異なっている。その結果、応
力印加前の反射光ピーク値から応力印加後の反射光ピー
ク値へのシフト量がファイバグレーティング毎に異なっ
ている。
光スペクトルである。図4の上方に記載しているスペク
トルは光ファイバ心線に応力を印加する前の状態に得た
反射光スペクトルである。これに対して、図4の下方に
記載しているスペクトルは、上記光ファイバ心線に対し
て応力を印加した状態の反射光スペクトルである。ここ
では、光ファイバ心線を螺旋状に捻った状態におき、光
ファイバ心線の各部に種々の異なる応力が発生するよう
にした。そのため、光ファイバ心線の部位に応じて発生
する応力や歪みが変化し、それに応じて各ファイバグレ
ーティングの物理的状態が異なっている。その結果、応
力印加前の反射光ピーク値から応力印加後の反射光ピー
ク値へのシフト量がファイバグレーティング毎に異なっ
ている。
【0036】反射光ピーク値のシフト量から伸び歪と圧
縮歪を同時に検出することができる。波長シフト量と歪
との関係は、事前に、その対応関係を測定し、記録して
おけばよい。
縮歪を同時に検出することができる。波長シフト量と歪
との関係は、事前に、その対応関係を測定し、記録して
おけばよい。
【0037】なお、上記実施形態では、反射光ピーク波
長のシフト量から軸方向歪を測定しているが、反射光の
半値全幅のシフト量から心線の屈曲量を求めることもで
きる。ただし、その場合は、反射率の高いファイバグレ
ーティングを形成しておく必要がある。
長のシフト量から軸方向歪を測定しているが、反射光の
半値全幅のシフト量から心線の屈曲量を求めることもで
きる。ただし、その場合は、反射率の高いファイバグレ
ーティングを形成しておく必要がある。
【0038】また、本実施形態では、紫外線透過型紫外
線硬化樹脂でクラッド層を被覆した後、この樹脂層を剥
がすことなく、樹脂層を透過するように紫外線をコアに
照射し、それによってグレーティングを書き込んでい
る。このような製造方法によれば、グレーティング書き
込み後も光ファイバ心線は高い機械的強度を発揮するこ
とができる。その結果、大きな歪を測定することが可能
になる。もし、樹脂層を除去した状態でグレーティング
を書き込む方法を採用した場合、光ファイバ心線の機械
的強度が著しく低下するため、1%程度の軸方向歪みで
ファイバ心線が破断するおそれがある。これに対して本
実施形態の方法で製造した光ファイバ心線によれば、そ
の5〜6倍の機械的強度が確保されるため、5%の歪ま
で安定した測定を実施することが可能である。
線硬化樹脂でクラッド層を被覆した後、この樹脂層を剥
がすことなく、樹脂層を透過するように紫外線をコアに
照射し、それによってグレーティングを書き込んでい
る。このような製造方法によれば、グレーティング書き
込み後も光ファイバ心線は高い機械的強度を発揮するこ
とができる。その結果、大きな歪を測定することが可能
になる。もし、樹脂層を除去した状態でグレーティング
を書き込む方法を採用した場合、光ファイバ心線の機械
的強度が著しく低下するため、1%程度の軸方向歪みで
ファイバ心線が破断するおそれがある。これに対して本
実施形態の方法で製造した光ファイバ心線によれば、そ
の5〜6倍の機械的強度が確保されるため、5%の歪ま
で安定した測定を実施することが可能である。
【0039】図5は、上記の光ファイバを用いて測定し
た反射ピーク波長と温度との関係を示している。この測
定に用いた光ファイバには3個のグレーティングを19
0mm間隔で形成した。
た反射ピーク波長と温度との関係を示している。この測
定に用いた光ファイバには3個のグレーティングを19
0mm間隔で形成した。
【0040】3個のファイバグレーティングの反射ピー
ク波長は、25℃雰囲気温度において、それぞれ、15
35.3nm、1539.6nmおよび1542.4n
mであった。このようなファイバを恒温槽に入れ、測定
光を一端から入射させながら恒温槽の温度を−45℃か
ら75℃まで変化させた。その時得られた反射ピーク波
長の温度依存性が図5に示されている。図5から、全て
の反射ピーク波長が温度に依存して等しい割合でシフト
している様子がわかる。
ク波長は、25℃雰囲気温度において、それぞれ、15
35.3nm、1539.6nmおよび1542.4n
mであった。このようなファイバを恒温槽に入れ、測定
光を一端から入射させながら恒温槽の温度を−45℃か
ら75℃まで変化させた。その時得られた反射ピーク波
長の温度依存性が図5に示されている。図5から、全て
の反射ピーク波長が温度に依存して等しい割合でシフト
している様子がわかる。
【0041】次に、図6(a)および図6(b)を参照
しながら、本発明による物理量センサを用いて二次元的
な応力分布を検知する方法を説明する。
しながら、本発明による物理量センサを用いて二次元的
な応力分布を検知する方法を説明する。
【0042】この例では、上記実施形態で用いて光ファ
イバ心線と同様の光ファイバ心線を含む光ファイバ70
が道路72の中に埋設されている。光ファイバ70の一
方の端部は監視装置71に接続されている。監視装置7
1は、内部に図3の光学測定系30と同様の構成を含ん
でいる。
イバ心線と同様の光ファイバ心線を含む光ファイバ70
が道路72の中に埋設されている。光ファイバ70の一
方の端部は監視装置71に接続されている。監視装置7
1は、内部に図3の光学測定系30と同様の構成を含ん
でいる。
【0043】図6(b)に示すように、光ファイバ70
は二次元的な広がりを持つ監視区域内に蛇行して埋設さ
れている。光ファイバ70は多数のファイバグレーティ
ングを内蔵しており、各ファイバグレーティングの反射
ピーク波長は少しずつ異なっている。
は二次元的な広がりを持つ監視区域内に蛇行して埋設さ
れている。光ファイバ70は多数のファイバグレーティ
ングを内蔵しており、各ファイバグレーティングの反射
ピーク波長は少しずつ異なっている。
【0044】図6(a)に示すように、自動車73およ
び74等が道路72上に存在すると、その影響で光ファ
イバ70の対応部分に応力が発生する。前述した原理に
基づいて、監視装置71は光ファイバ70上の軸方向応
力分布を検知することができるので、図6(b)に示す
監視区域のどの部分にどの程度の応力が発生しているか
を検出することが可能になる。
び74等が道路72上に存在すると、その影響で光ファ
イバ70の対応部分に応力が発生する。前述した原理に
基づいて、監視装置71は光ファイバ70上の軸方向応
力分布を検知することができるので、図6(b)に示す
監視区域のどの部分にどの程度の応力が発生しているか
を検出することが可能になる。
【0045】この例によれば、ファイバグレーティング
を用いているため高い精度で応力・歪が測定でき、しか
も、一本のファイバを用いて多点計測が実現する。ま
た、ファイバグレーティングは数十mm間隔で形成する
ことが可能であるため、位置についての高い分解能が得
られる。
を用いているため高い精度で応力・歪が測定でき、しか
も、一本のファイバを用いて多点計測が実現する。ま
た、ファイバグレーティングは数十mm間隔で形成する
ことが可能であるため、位置についての高い分解能が得
られる。
【0046】
【発明の効果】本発明の光ファイバ心線、ファイバコー
ドおよびファイバケーブルによれば、複数種類のファイ
バグレーティングが書き込まれているため、数mm〜数
百mmという高い分解能を持つ歪測定が可能になる。
ドおよびファイバケーブルによれば、複数種類のファイ
バグレーティングが書き込まれているため、数mm〜数
百mmという高い分解能を持つ歪測定が可能になる。
【0047】本発明の物理量測定方法によれば、歪だけ
ではなく、屈曲量や温度についても、光ファイバの多数
の点に値を軸方向に分解してリアルタイムで検知するこ
とが可能になる。また、光ファイバを空間的に配置すれ
ば、二次元的または三次元的な応力分布を精度良く検知
することも可能になる。
ではなく、屈曲量や温度についても、光ファイバの多数
の点に値を軸方向に分解してリアルタイムで検知するこ
とが可能になる。また、光ファイバを空間的に配置すれ
ば、二次元的または三次元的な応力分布を精度良く検知
することも可能になる。
【図1】本発明による光ファイバ心線の実施形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図2】本発明によるファイバグレーティングの作製方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
【図3】本発明による物理量測定方法の実施形態を説明
するための構成図である。
するための構成図である。
【図4】本発明による物理量測定方法によって得られた
反射ピーク波長の温度依存性を示すグラフである。
反射ピーク波長の温度依存性を示すグラフである。
【図5】本発明による物理量測定方法によって得られた
反射光スペクトルを示すグラフである。
反射光スペクトルを示すグラフである。
【図6】(a)は、本発明による物理量センサの光ファ
イバを道路内に埋設した例を示す模式図であり、(b)
は、埋設された光ファイバの平面レイアウトを示す図で
ある。
イバを道路内に埋設した例を示す模式図であり、(b)
は、埋設された光ファイバの平面レイアウトを示す図で
ある。
1 光ファイバ心線 2 コア 3 クラッド 4 被覆層 21 グレーティング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA65 CC40 FF48 FF58 LL02 LL42 2H050 AB05X AB07X AB18X AC81 AC82 AC84 BB05Q BB07Q BB14Q BB17Q BB33Q
Claims (7)
- 【請求項1】 反射特性または透過特性の異なる複数種
類のファイバグレーティングが書き込まれた光ファイバ
心線であって、 前記複数種類のファイバグレーティングは、少なくと
も、第1の波長を有する光を反射または透過する第1の
ファイバグレーティングと、前記第1の波長とは異なる
第2の波長を有する光を反射または透過する第2のファ
イバグレーティングとを含んでおり、 前記第2のファイバグレーティングは、前記第1のファ
イバグレーティングが形成されている位置から軸方向に
沿って離れた位置に形成されていることを特徴とする光
ファイバ心線。 - 【請求項2】 前記ファイバグレーティングは、 コアと、前記コアを囲むクラッドと、前記クラッド層の
外周面に形成された紫外線透過型紫外線硬化樹脂層とを
備えており、 前記ファイバグレーティングは、前記紫外線透過型紫外
線硬化樹脂層を通して前記コアに照射された紫外線によ
って前記コア内に書き込まれたものであることを特徴と
する請求項1に記載の光ファイバ心線。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載の光ファイバ心
線を備えたファイバコード。 - 【請求項4】 請求項1または2に記載の光ファイバ心
線を備えたファイバケーブル。 - 【請求項5】 グレーティングが書き込まれるべきコア
と前記コアを囲むクラッドとを備えたファイバ構造の外
周面を紫外線透過型紫外線硬化樹脂から形成した被覆層
で覆う工程と、 第1の紫外線を前記被覆層に照射することによって前記
被覆層を硬化させる工程と、 第2の紫外線を前記被覆層の外側から前記コアに対して
照射することによって、反射特性または透過特性の異な
る複数種類のファイバグレーティングを前記コアの異な
る位置に書き込む工程と、を包含することを特徴とする
光ファイバ心線の製造方法。 - 【請求項6】 請求項1または2に記載の光ファイバ心
線に対して、前記第1および第2の波長を含む広帯域の
光を入射する工程と、 前記広帯域光のうち、前記複数種類のファイバグレーテ
ィングの各々によって選択的に反射された光を検知し
て、前記複数種類のファイバグレーティングの各々に生
じている物理的状態を個別に検出する工程とを包含する
物理量測定方法。 - 【請求項7】 前記物理的状態は、軸方向歪、屈曲量、
および温度の少なくともひとつを含むことを特徴とする
請求項6に記載の物理量測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11061513A JP2000258642A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 高分解能歪測定に適した光ファイバおよび物理量測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11061513A JP2000258642A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 高分解能歪測定に適した光ファイバおよび物理量測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000258642A true JP2000258642A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13173254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11061513A Pending JP2000258642A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 高分解能歪測定に適した光ファイバおよび物理量測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000258642A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111780921A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-10-16 | 中国科学院武汉岩土力学研究所 | 一种光纤光栅三维应力监测传感器的标定方法 |
| CN112949055A (zh) * | 2021-02-24 | 2021-06-11 | 西安交通大学 | 一种表面粘贴式聚合物光纤传感器大应变测量的标定方法 |
-
1999
- 1999-03-09 JP JP11061513A patent/JP2000258642A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111780921A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-10-16 | 中国科学院武汉岩土力学研究所 | 一种光纤光栅三维应力监测传感器的标定方法 |
| CN111780921B (zh) * | 2020-08-07 | 2021-05-11 | 中国科学院武汉岩土力学研究所 | 一种光纤光栅三维应力监测传感器的标定方法 |
| CN112949055A (zh) * | 2021-02-24 | 2021-06-11 | 西安交通大学 | 一种表面粘贴式聚合物光纤传感器大应变测量的标定方法 |
| CN112949055B (zh) * | 2021-02-24 | 2023-04-11 | 西安交通大学 | 一种表面粘贴式聚合物光纤传感器大应变测量的标定方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051115 |