JP2000260060A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JP2000260060A JP2000260060A JP11060986A JP6098699A JP2000260060A JP 2000260060 A JP2000260060 A JP 2000260060A JP 11060986 A JP11060986 A JP 11060986A JP 6098699 A JP6098699 A JP 6098699A JP 2000260060 A JP2000260060 A JP 2000260060A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、光情報記録媒体に関し、例えば情
報記録層を積層した光ディスクに適用して、書き換え可
能であって、かつ高密度記録することができるようにす
る。 【解決手段】 エンハンス膜３Ｂ、３Ｆ、４Ｂ、４Ｆ、
結晶化促進膜３Ｃ、３Ｅ、４Ｃ、４Ｅを配置してなる相
変化材料による情報記録層３、４を積層し、最も支持基
板側の情報記録層３のみに反射膜３Ａを形成すると共
に、各情報記録層３、４を構成する膜材料を選定する。
報記録層を積層した光ディスクに適用して、書き換え可
能であって、かつ高密度記録することができるようにす
る。 【解決手段】 エンハンス膜３Ｂ、３Ｆ、４Ｂ、４Ｆ、
結晶化促進膜３Ｃ、３Ｅ、４Ｃ、４Ｅを配置してなる相
変化材料による情報記録層３、４を積層し、最も支持基
板側の情報記録層３のみに反射膜３Ａを形成すると共
に、各情報記録層３、４を構成する膜材料を選定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、例えば情報記録層を積層した光ディスクに適用す
ることができる。本発明は、エンハンス膜、結晶化促進
膜を配置してなる相変化材料による情報記録層を積層
し、最も支持基板側の情報記録層にのみ反射膜を形成す
ると共に、各情報記録層を構成する膜材料を選定するこ
とにより、書き換え可能であって、かつ高密度記録する
ことができるようにする。
関し、例えば情報記録層を積層した光ディスクに適用す
ることができる。本発明は、エンハンス膜、結晶化促進
膜を配置してなる相変化材料による情報記録層を積層
し、最も支持基板側の情報記録層にのみ反射膜を形成す
ると共に、各情報記録層を構成する膜材料を選定するこ
とにより、書き換え可能であって、かつ高密度記録する
ことができるようにする。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ディスクにおいては、情報記録
層を積層して高密度記録できるようになされたものが発
売されている。このような光ディスクは、再生専用の光
ディスクの技術に基づいて情報記録面を積層した再生専
用のものと、相変化型光ディスクの技術に基づいて情報
記録面を積層した記録再生可能なものとが提案されてい
る。
層を積層して高密度記録できるようになされたものが発
売されている。このような光ディスクは、再生専用の光
ディスクの技術に基づいて情報記録面を積層した再生専
用のものと、相変化型光ディスクの技術に基づいて情報
記録面を積層した記録再生可能なものとが提案されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのような情
報記録面を積層した記録再生可能な光ディスクにおいて
は、ビームスポット径を小型化して線速度を増大する
と、正しくデータを記録することが困難な問題があり、
これにより、結局、情報記録面を２層により積層して
も、１０〔ＧＢ〕以上の記憶容量を確保することが困難
であった。
報記録面を積層した記録再生可能な光ディスクにおいて
は、ビームスポット径を小型化して線速度を増大する
と、正しくデータを記録することが困難な問題があり、
これにより、結局、情報記録面を２層により積層して
も、１０〔ＧＢ〕以上の記憶容量を確保することが困難
であった。
【０００４】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、書き換え可能であって、かつ高密度記録することが
できる情報記録媒体を提案しようとするものである。
で、書き換え可能であって、かつ高密度記録することが
できる情報記録媒体を提案しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め請求項１に係る発明においては、光情報記録媒体に適
用して、相変化材料による情報記録層は、少なくとも相
変化材料膜の支持基板側又は支持基板側とは逆側に、結
晶化促進膜、エンハンス膜が形成され、最も支持基板側
の情報記録層は、支持基板側の最も外側に反射膜が割り
当てられ、支持基板側とは逆側の最も外側に半透明エン
ハンス膜が割り当てられ、結晶化促進膜は、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｃ、Ｇｅ、ＧｅＣ、Ｓｎ、ＳｎＣ、Ａｌ、ＡｌＣ、Ｇ
ａ、ＧａＣ、Ｉｎ、ＩｎＣ、これら何れかの窒化物又は
酸化物の少なくとも１種類を含む材料により形成され
る。
め請求項１に係る発明においては、光情報記録媒体に適
用して、相変化材料による情報記録層は、少なくとも相
変化材料膜の支持基板側又は支持基板側とは逆側に、結
晶化促進膜、エンハンス膜が形成され、最も支持基板側
の情報記録層は、支持基板側の最も外側に反射膜が割り
当てられ、支持基板側とは逆側の最も外側に半透明エン
ハンス膜が割り当てられ、結晶化促進膜は、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｃ、Ｇｅ、ＧｅＣ、Ｓｎ、ＳｎＣ、Ａｌ、ＡｌＣ、Ｇ
ａ、ＧａＣ、Ｉｎ、ＩｎＣ、これら何れかの窒化物又は
酸化物の少なくとも１種類を含む材料により形成され
る。
【０００６】また請求項２に係る発明においては、同様
の構成の光情報記録媒体に適用して、エンハンス膜を、
ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 の少な
くとも１種類を含む材料により形成する。
の構成の光情報記録媒体に適用して、エンハンス膜を、
ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 の少な
くとも１種類を含む材料により形成する。
【０００７】また請求項３に係る発明においては、同様
の構成の光情報記録媒体に適用して、半透明エンハンス
膜を、Ａｕ、ＡｕＣｏ合金、ＳｉＡｇ合金、ＳｉＯx 、
ＺｎＳ−ＳｉＯx 、Ａｕ−ＳｉＯ2 混合物、Ａｕ−Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 混合物の少なくとも１種類を含む材料によ
り形成する。
の構成の光情報記録媒体に適用して、半透明エンハンス
膜を、Ａｕ、ＡｕＣｏ合金、ＳｉＡｇ合金、ＳｉＯx 、
ＺｎＳ−ＳｉＯx 、Ａｕ−ＳｉＯ2 混合物、Ａｕ−Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 混合物の少なくとも１種類を含む材料によ
り形成する。
【０００８】また請求項４に係る発明においては、同様
の構成の光情報記録媒体に適用して、反射膜を、Ａｌ合
金、ＢｉＳｂ、Ａｇ合金の何れかを含む材料により作成
する。
の構成の光情報記録媒体に適用して、反射膜を、Ａｌ合
金、ＢｉＳｂ、Ａｇ合金の何れかを含む材料により作成
する。
【０００９】請求項１に係る構成によれば、相変化材料
による情報記録層は、少なくとも相変化材料膜の支持基
板側又は支持基板側とは逆側に、結晶化促進膜、エンハ
ンス膜が形成されていることにより、この結晶化促進膜
により非晶質の部分の結晶化を促進し、またエンハンス
膜により戻り光の光量差を確保することができる。この
とき、最も支持基板側の情報記録層は、支持基板側の最
も外側に反射膜が割り当てられ、支持基板側とは逆側の
最も外側に半透明エンハンス膜が割り当てられているこ
とにより、最も入射光量の少ない支持基板側の情報記録
層において、透過光を多重反射して有効に利用すること
ができ、その分感度を向上することができ、これにより
情報記録層を多層化した場合でも、上層側情報記録層に
記録した情報の劣化等を有効に回避して光量が低下する
下層側を確実にアクセスすることができる。このとき結
晶化促進膜を、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧｅＣ、Ｓｎ、Ｓ
ｎＣ、Ａｌ、ＡｌＣ、Ｇａ、ＧａＣ、Ｉｎ、ＩｎＣ、こ
れら何れかの窒化物又は酸化物の少なくとも１種類を含
む材料により形成することにより、ビームスポット径を
小型化して線速度を増大した場合でも、非晶質化した相
変化材料を容易に溶融して結晶化させることができる。
による情報記録層は、少なくとも相変化材料膜の支持基
板側又は支持基板側とは逆側に、結晶化促進膜、エンハ
ンス膜が形成されていることにより、この結晶化促進膜
により非晶質の部分の結晶化を促進し、またエンハンス
膜により戻り光の光量差を確保することができる。この
とき、最も支持基板側の情報記録層は、支持基板側の最
も外側に反射膜が割り当てられ、支持基板側とは逆側の
最も外側に半透明エンハンス膜が割り当てられているこ
とにより、最も入射光量の少ない支持基板側の情報記録
層において、透過光を多重反射して有効に利用すること
ができ、その分感度を向上することができ、これにより
情報記録層を多層化した場合でも、上層側情報記録層に
記録した情報の劣化等を有効に回避して光量が低下する
下層側を確実にアクセスすることができる。このとき結
晶化促進膜を、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧｅＣ、Ｓｎ、Ｓ
ｎＣ、Ａｌ、ＡｌＣ、Ｇａ、ＧａＣ、Ｉｎ、ＩｎＣ、こ
れら何れかの窒化物又は酸化物の少なくとも１種類を含
む材料により形成することにより、ビームスポット径を
小型化して線速度を増大した場合でも、非晶質化した相
変化材料を容易に溶融して結晶化させることができる。
【００１０】請求項２に係る構成によれば、同様の膜構
造により、エンハンス膜を、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 の少なくとも１種類を含む材料
により形成することにより、非晶質の部分と結晶化した
部分との反射率の差を大きく設定でき、ビームスポット
径を小型化して線速度を増大した場合でも、記録した情
報を確実に再生することが可能となる。
造により、エンハンス膜を、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 の少なくとも１種類を含む材料
により形成することにより、非晶質の部分と結晶化した
部分との反射率の差を大きく設定でき、ビームスポット
径を小型化して線速度を増大した場合でも、記録した情
報を確実に再生することが可能となる。
【００１１】また請求項３に係る構成によれば、同様の
膜構造により、半透明エンハンス膜を、Ａｕ、ＡｕＣｏ
合金、ＳｉＡｇ合金、ＳｉＯx 、ＺｎＳ−ＳｉＯx 、Ａ
ｕ−ＳｉＯ2 混合物、Ａｕ−ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物の
少なくとも１種類を含む材料により形成することによ
り、反射層で反射したレーザービームを再反射して、溶
融に多くのエネルギーを必要とする結晶化した部分に与
えるエネルギーを増大させることができ、その分非晶質
の部分と結晶化した部分とが混在する場合でも、一様に
溶融して所望の情報を記録し直すことができる。
膜構造により、半透明エンハンス膜を、Ａｕ、ＡｕＣｏ
合金、ＳｉＡｇ合金、ＳｉＯx 、ＺｎＳ−ＳｉＯx 、Ａ
ｕ−ＳｉＯ2 混合物、Ａｕ−ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物の
少なくとも１種類を含む材料により形成することによ
り、反射層で反射したレーザービームを再反射して、溶
融に多くのエネルギーを必要とする結晶化した部分に与
えるエネルギーを増大させることができ、その分非晶質
の部分と結晶化した部分とが混在する場合でも、一様に
溶融して所望の情報を記録し直すことができる。
【００１２】また請求項４に係る構成によれば、同様の
膜構造により、反射膜を、Ａｌ合金、ＢｉＳｂ、Ａｇ合
金の何れかを含む材料により作成することにより、この
情報記録層を透過するレーザービームを効率良く反射し
て利用することができる。
膜構造により、反射膜を、Ａｌ合金、ＢｉＳｂ、Ａｇ合
金の何れかを含む材料により作成することにより、この
情報記録層を透過するレーザービームを効率良く反射し
て利用することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、適宜図面を参照しながら本
発明の実施の形態を詳述する。
発明の実施の形態を詳述する。
【００１４】図１は、本発明の実施の形態に係る光ディ
スクを示す断面図である。この光ディスク１は、高い転
送レートにより所望の情報を高密度記録し、また記録し
た情報を再生する場合に適用される。光ディスク１は、
中間層５を間に挟んだ複数の情報記録層３及び４を支持
基板２上に積層した後、光透過層６が形成される。光デ
ィスク１は、この光透過層６側より各情報記録層３及び
４に選択的に所定光量のレーザービームを集光すること
により、各情報記録層３及び４に所望のデータを記録で
きるようになされている。
スクを示す断面図である。この光ディスク１は、高い転
送レートにより所望の情報を高密度記録し、また記録し
た情報を再生する場合に適用される。光ディスク１は、
中間層５を間に挟んだ複数の情報記録層３及び４を支持
基板２上に積層した後、光透過層６が形成される。光デ
ィスク１は、この光透過層６側より各情報記録層３及び
４に選択的に所定光量のレーザービームを集光すること
により、各情報記録層３及び４に所望のデータを記録で
きるようになされている。
【００１５】ここで支持基板２は、レーザービームＬの
案内溝を構成する凹凸パターンが情報記録層３側に形成
され、例えばポリカーボネート、ポリオレフィン等のプ
ラスチック基板、ガラス基板、又はＡｌ、ステンレス等
の金属基板が適用される。支持基板２は、プラスチック
基板による場合には射出成形により、ガラス基板又は金
属基板による場合には、フォトポリマー法（２Ｐ法）に
より凹凸パターンが形成される。また支持基板は、厚さ
０．３〔ｍｍ〕〜１．２〔ｍｍ〕により作成され、これ
により光ディスク１全体の厚さが現在市場にて流通して
いる光ディスクの厚さより厚くならないようになされ
る。
案内溝を構成する凹凸パターンが情報記録層３側に形成
され、例えばポリカーボネート、ポリオレフィン等のプ
ラスチック基板、ガラス基板、又はＡｌ、ステンレス等
の金属基板が適用される。支持基板２は、プラスチック
基板による場合には射出成形により、ガラス基板又は金
属基板による場合には、フォトポリマー法（２Ｐ法）に
より凹凸パターンが形成される。また支持基板は、厚さ
０．３〔ｍｍ〕〜１．２〔ｍｍ〕により作成され、これ
により光ディスク１全体の厚さが現在市場にて流通して
いる光ディスクの厚さより厚くならないようになされ
る。
【００１６】情報記録層３は、相変化材料膜を有する情
報記録層であり、情報記録層４の透過光によっても、所
望のデータを確実に記録できるように、高感度に形成さ
れる。より具体的に、情報記録層３は、支持基板２側よ
り、順次反射膜３Ａ、第２エンハンス膜３Ｂ、第２結晶
化促進膜３Ｃ、相変化材料膜３Ｄ、第１結晶化促進膜３
Ｅ、第１エンハンス膜３Ｆ、半透明エンハンス膜３Ｇを
積層して形成される。
報記録層であり、情報記録層４の透過光によっても、所
望のデータを確実に記録できるように、高感度に形成さ
れる。より具体的に、情報記録層３は、支持基板２側よ
り、順次反射膜３Ａ、第２エンハンス膜３Ｂ、第２結晶
化促進膜３Ｃ、相変化材料膜３Ｄ、第１結晶化促進膜３
Ｅ、第１エンハンス膜３Ｆ、半透明エンハンス膜３Ｇを
積層して形成される。
【００１７】ここで反射膜３Ａは、Ａｌ合金、ＢｉＳｂ
合金、Ａｇ合金等を用いて作成され、相変化材料膜３Ｄ
を透過するレーザービームＬを反射して相変化材料膜３
Ｄに再入射させることにより、レーザービームＬの利用
効率を増大し、情報記録層３の感度を向上する。これに
より反射膜３Ａは、ビームスポット径を小型化して線速
度を増大した場合であっても、上層側の情報記録層４を
透過して光量が低下してなるレーザービームによって相
変化材料膜３Ｄを確実に溶融できるようにする。
合金、Ａｇ合金等を用いて作成され、相変化材料膜３Ｄ
を透過するレーザービームＬを反射して相変化材料膜３
Ｄに再入射させることにより、レーザービームＬの利用
効率を増大し、情報記録層３の感度を向上する。これに
より反射膜３Ａは、ビームスポット径を小型化して線速
度を増大した場合であっても、上層側の情報記録層４を
透過して光量が低下してなるレーザービームによって相
変化材料膜３Ｄを確実に溶融できるようにする。
【００１８】第２エンハンス膜３Ｂ及び第１エンハンス
膜３Ｆは、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 、Ｍｇ
Ｆ2 の少なくとも１種類を含む材料により形成され、各
材料の光学特性に応じた膜厚の選定により、相変化材料
膜３Ｄにおける結晶化された領域と、非晶質の領域との
反射率差を拡大する。これにより第２エンハンス膜３Ｂ
及び第１エンハンス膜３Ｆは、ビームスポット径を小型
化して線速度を増大した場合であっても、確実に相変化
材料膜３Ｄの結晶化された領域と、非晶質の領域とを識
別できるようにする。なお第２エンハンス膜３Ｂ及び又
は第１エンハンス膜３Ｆは、相変化材料膜３Ｄを構成す
る相変化材料、光学系の構成等によって実用上十分に相
変化材料膜３Ｄにおける結晶化された領域と、非晶質の
領域とで反射率の差を確保できる場合、省略される場合
もある。
膜３Ｆは、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 、Ｍｇ
Ｆ2 の少なくとも１種類を含む材料により形成され、各
材料の光学特性に応じた膜厚の選定により、相変化材料
膜３Ｄにおける結晶化された領域と、非晶質の領域との
反射率差を拡大する。これにより第２エンハンス膜３Ｂ
及び第１エンハンス膜３Ｆは、ビームスポット径を小型
化して線速度を増大した場合であっても、確実に相変化
材料膜３Ｄの結晶化された領域と、非晶質の領域とを識
別できるようにする。なお第２エンハンス膜３Ｂ及び又
は第１エンハンス膜３Ｆは、相変化材料膜３Ｄを構成す
る相変化材料、光学系の構成等によって実用上十分に相
変化材料膜３Ｄにおける結晶化された領域と、非晶質の
領域とで反射率の差を確保できる場合、省略される場合
もある。
【００１９】第２結晶化促進膜３Ｃ及び第１結晶化促進
膜３Ｅは、相変化材料膜３Ｄに対して濡れ性の悪い材料
により作成され、相変化材料が非晶質により固化する場
合には高エネルギー状態により固化するようにし、これ
により緩和現象である相変化材料膜３Ｄの溶融、結晶化
を促進する。具体的に、第２結晶化促進膜３Ｃは、Ｓ
ｉ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧｅＣ、Ｓｎ、ＳｎＣ、Ａｌ、Ａｌ
Ｃ、Ｇａ、ＧａＣ、Ｉｎ、ＩｎＣ、これら何れかの窒化
物又は酸化物の少なくとも１種類を含む材料を用いて、
各材料の光学特性に応じた膜厚により作成される。これ
により第２結晶化促進膜３Ｃ及び第１結晶化促進膜３Ｅ
は、ビームスポット径を小型化して線速度を増大した場
合であっても、相変化材料膜３Ｄの非晶質化した領域を
簡易に結晶化できるようする。なお第２結晶化促進膜３
Ｃ及び又は第１結晶化促進膜３Ｅは、レーザービームＬ
の線速度が遅い場合には、結晶化に十分な時間を確保で
きることにより、省略される場合もある。
膜３Ｅは、相変化材料膜３Ｄに対して濡れ性の悪い材料
により作成され、相変化材料が非晶質により固化する場
合には高エネルギー状態により固化するようにし、これ
により緩和現象である相変化材料膜３Ｄの溶融、結晶化
を促進する。具体的に、第２結晶化促進膜３Ｃは、Ｓ
ｉ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧｅＣ、Ｓｎ、ＳｎＣ、Ａｌ、Ａｌ
Ｃ、Ｇａ、ＧａＣ、Ｉｎ、ＩｎＣ、これら何れかの窒化
物又は酸化物の少なくとも１種類を含む材料を用いて、
各材料の光学特性に応じた膜厚により作成される。これ
により第２結晶化促進膜３Ｃ及び第１結晶化促進膜３Ｅ
は、ビームスポット径を小型化して線速度を増大した場
合であっても、相変化材料膜３Ｄの非晶質化した領域を
簡易に結晶化できるようする。なお第２結晶化促進膜３
Ｃ及び又は第１結晶化促進膜３Ｅは、レーザービームＬ
の線速度が遅い場合には、結晶化に十分な時間を確保で
きることにより、省略される場合もある。
【００２０】相変化材料膜３Ｄは、ＩｎＳｅ、ＳｂＳ
ｅ、ＳｂＴｅ二元合金、ＩｎＳｂＳｅ、ＧｅＳｂＴｅ、
ＩｎＳｂＴｅ三元合金、ＧｅＳｂＴｅＳｅ、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ四元合金、ＡｇＩｎＳｂＳｅＴｅ五元合金、これ
らの何れかの合金の窒化物又は酸化物の少なくとも１種
類を含む相変化材料が適用される。相変化材料膜３Ｄ
は、スパッタリング等により作成され、スパッタリング
により作成された場合には、一般に、作成直後、一様な
レーザービームの照射により全体が結晶化され、いわゆ
る初期化の処理が実行される。
ｅ、ＳｂＴｅ二元合金、ＩｎＳｂＳｅ、ＧｅＳｂＴｅ、
ＩｎＳｂＴｅ三元合金、ＧｅＳｂＴｅＳｅ、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ四元合金、ＡｇＩｎＳｂＳｅＴｅ五元合金、これ
らの何れかの合金の窒化物又は酸化物の少なくとも１種
類を含む相変化材料が適用される。相変化材料膜３Ｄ
は、スパッタリング等により作成され、スパッタリング
により作成された場合には、一般に、作成直後、一様な
レーザービームの照射により全体が結晶化され、いわゆ
る初期化の処理が実行される。
【００２１】半透明エンハンス膜３Ｇは、相変化材料膜
３Ｄを透過するレーザービームを多重反射させることに
より、情報記録層３の感度を増大し、さらには光透過層
６側より見て相変化材料膜３Ｄにおける結晶化された領
域と非晶質の領域との反射率を逆転させる。すなわち一
般に、結晶化された領域と非晶質の領域とでは結晶化さ
れた領域の方が反射率、熱伝導率が高い。さらに結晶化
された領域は融解の際に潜熱が必要となり、これらによ
り結晶化された領域と非晶質の領域とでは、結晶化され
た領域の方が溶融が困難で、これによりダイレクトオー
バーライトする場合には消し残りが発生する。なおこの
消し残りは、再生時、再生信号の波形歪みにより観察さ
れる。これにより半透明エンハンス膜３Ｇは、結晶化さ
れた領域と非晶質の領域との反射率を逆転させて結晶化
された領域に多くのレーザービームが照射されるように
し、オーバーライトによる消し残りを防止する。半透明
エンハンス膜３Ｇは、Ａｕ、ＡｕＣｏ合金、ＳｉＡｇ合
金、ＳｉＯx 、ＺｎＳ−ＳｉＯx 、Ａｕ−ＳｉＯ2 混合
物、Ａｕ−ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物の少なくとも１種類
を含む材料を用いて作成される。但しｘ≦２である。
３Ｄを透過するレーザービームを多重反射させることに
より、情報記録層３の感度を増大し、さらには光透過層
６側より見て相変化材料膜３Ｄにおける結晶化された領
域と非晶質の領域との反射率を逆転させる。すなわち一
般に、結晶化された領域と非晶質の領域とでは結晶化さ
れた領域の方が反射率、熱伝導率が高い。さらに結晶化
された領域は融解の際に潜熱が必要となり、これらによ
り結晶化された領域と非晶質の領域とでは、結晶化され
た領域の方が溶融が困難で、これによりダイレクトオー
バーライトする場合には消し残りが発生する。なおこの
消し残りは、再生時、再生信号の波形歪みにより観察さ
れる。これにより半透明エンハンス膜３Ｇは、結晶化さ
れた領域と非晶質の領域との反射率を逆転させて結晶化
された領域に多くのレーザービームが照射されるように
し、オーバーライトによる消し残りを防止する。半透明
エンハンス膜３Ｇは、Ａｕ、ＡｕＣｏ合金、ＳｉＡｇ合
金、ＳｉＯx 、ＺｎＳ−ＳｉＯx 、Ａｕ−ＳｉＯ2 混合
物、Ａｕ−ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物の少なくとも１種類
を含む材料を用いて作成される。但しｘ≦２である。
【００２２】中間層５は、厚さ３０〔μｍ〕程度の透明
材料層であり、アクリル酸系ＵＶレジン、ポリカーボネ
イトシート、ポリオレフィンシート等を用いて作成され
る。中間層５は、何れかの情報記録層３又は４にレーザ
ービームＬを集光した場合に、他方の情報記録層４又は
３においてはこのレーザービームが実用上十分にデフォ
ーカスするように設定され、これによりこの他方の情報
記録層４又は３における温度上昇が所定値を越えないよ
うにする。このため中間層５は、その厚さがレーザービ
ームＬを集光する対物レンズＬの開口数ＮＡにより制限
される。ここでレンズＬの開口数ＮＡを増大するとビー
ムスポット径が小型化することにより、このビームスポ
ット径の小形化により従来の２層構造による光ディスク
では記録することが困難な程度であって、さらに１２イ
ンチ径の光ディスクで１５〔ＧＢ〕程度の記録容量を確
保しようとすると、開口数ＮＡにあっては、０．９〜
０．８程度は必要となる。これにより中間層５において
は、この範囲の開口数ＮＡより必要とされる十分な厚さ
を確保できるように、厚さ３０〔μｍ〕程度に設定され
るようになされている。
材料層であり、アクリル酸系ＵＶレジン、ポリカーボネ
イトシート、ポリオレフィンシート等を用いて作成され
る。中間層５は、何れかの情報記録層３又は４にレーザ
ービームＬを集光した場合に、他方の情報記録層４又は
３においてはこのレーザービームが実用上十分にデフォ
ーカスするように設定され、これによりこの他方の情報
記録層４又は３における温度上昇が所定値を越えないよ
うにする。このため中間層５は、その厚さがレーザービ
ームＬを集光する対物レンズＬの開口数ＮＡにより制限
される。ここでレンズＬの開口数ＮＡを増大するとビー
ムスポット径が小型化することにより、このビームスポ
ット径の小形化により従来の２層構造による光ディスク
では記録することが困難な程度であって、さらに１２イ
ンチ径の光ディスクで１５〔ＧＢ〕程度の記録容量を確
保しようとすると、開口数ＮＡにあっては、０．９〜
０．８程度は必要となる。これにより中間層５において
は、この範囲の開口数ＮＡより必要とされる十分な厚さ
を確保できるように、厚さ３０〔μｍ〕程度に設定され
るようになされている。
【００２３】中間層５は、さらに支持基板２と同様に、
レーザービームＬの案内溝を構成する凹凸パターンが情
報記録層４側に形成される。
レーザービームＬの案内溝を構成する凹凸パターンが情
報記録層４側に形成される。
【００２４】情報記録層４は、情報記録層３と同様に相
変化材料膜を有する情報記録層であり、情報記録層３に
比して感度が低くなるように形成される。すなわち情報
記録層４は、反射層、半透明エンハンス層が省略されて
いる点を除いて、支持基板側の情報記録層３と同一に構
成される。これにより情報記録層４は、支持基板２側よ
り、順次第２エンハンス膜４Ｂ、第２結晶化促進膜４
Ｃ、相変化材料膜４Ｄ、第１結晶化促進膜４Ｅ、第１エ
ンハンス膜４Ｆを積層して形成される。またこれら第２
エンハンス膜４Ｂ、第２結晶化促進膜４Ｃ、相変化材料
膜４Ｄ、第１結晶化促進膜４Ｅ、第１エンハンス膜４Ｆ
は、第１の情報記録層３の対応する膜と同様に構成され
る。これにより情報記録層４は、情報記録層３と同様
に、ビームスポット径を小型化して線速度を増大した場
合であっても、確実に所望の情報を記録し、また記録し
た情報を再生できるようになされている。
変化材料膜を有する情報記録層であり、情報記録層３に
比して感度が低くなるように形成される。すなわち情報
記録層４は、反射層、半透明エンハンス層が省略されて
いる点を除いて、支持基板側の情報記録層３と同一に構
成される。これにより情報記録層４は、支持基板２側よ
り、順次第２エンハンス膜４Ｂ、第２結晶化促進膜４
Ｃ、相変化材料膜４Ｄ、第１結晶化促進膜４Ｅ、第１エ
ンハンス膜４Ｆを積層して形成される。またこれら第２
エンハンス膜４Ｂ、第２結晶化促進膜４Ｃ、相変化材料
膜４Ｄ、第１結晶化促進膜４Ｅ、第１エンハンス膜４Ｆ
は、第１の情報記録層３の対応する膜と同様に構成され
る。これにより情報記録層４は、情報記録層３と同様
に、ビームスポット径を小型化して線速度を増大した場
合であっても、確実に所望の情報を記録し、また記録し
た情報を再生できるようになされている。
【００２５】光透過層６は、情報記録層４の保護層を構
成し、アクリル酸系ＵＶレジン、ポリカーボネイトシー
ト、ポリオレフィンシート等を用いて作成される。ここ
でこの光透過層６は、開口数ＮＡが０．９〜０．８程度
の対物レンズによりレーザービームＬを照射して、十分
にスキュー歪みを低減できるように、厚さ１０〜１７７
〔μｍ〕により作成される。
成し、アクリル酸系ＵＶレジン、ポリカーボネイトシー
ト、ポリオレフィンシート等を用いて作成される。ここ
でこの光透過層６は、開口数ＮＡが０．９〜０．８程度
の対物レンズによりレーザービームＬを照射して、十分
にスキュー歪みを低減できるように、厚さ１０〜１７７
〔μｍ〕により作成される。
【００２６】なお情報記録層３及び４は、ビームスポッ
ト径を小型化して線速度を増大した場合に、確実に所望
の情報を記録再生するとの観点からは、図１に示す多層
膜構造によるものが好適ではあるが、レーザービームＬ
の線速度が遅い場合にあっては、上述したように適宜、
結晶化促進膜３Ｃ、３Ｅ、４Ｃ、４Ｅ、エンハンス膜３
Ｂ、３Ｆ、４Ｂ、４Ｆを省略することができる。しかし
ながらこのように情報記録層３及び４の構成を簡略化す
る場合でも、支持基板２側の情報記録層３にあっては、
好ましくは支持基板２側より、順次、反射膜、エンハン
ス膜、相変化材料膜、結晶化促進膜、エンハンス膜、半
透明エンハンス膜を積層して形成することにより、さら
に好ましくは、反射膜、エンハンス膜、結晶化促進膜、
相変化材料膜、エンハンス膜、半透明エンハンス膜を積
層して形成することにより、ビームスポット径を小型化
して線速度を増大した場合でも、確実に所望の情報を記
録再生することができる。
ト径を小型化して線速度を増大した場合に、確実に所望
の情報を記録再生するとの観点からは、図１に示す多層
膜構造によるものが好適ではあるが、レーザービームＬ
の線速度が遅い場合にあっては、上述したように適宜、
結晶化促進膜３Ｃ、３Ｅ、４Ｃ、４Ｅ、エンハンス膜３
Ｂ、３Ｆ、４Ｂ、４Ｆを省略することができる。しかし
ながらこのように情報記録層３及び４の構成を簡略化す
る場合でも、支持基板２側の情報記録層３にあっては、
好ましくは支持基板２側より、順次、反射膜、エンハン
ス膜、相変化材料膜、結晶化促進膜、エンハンス膜、半
透明エンハンス膜を積層して形成することにより、さら
に好ましくは、反射膜、エンハンス膜、結晶化促進膜、
相変化材料膜、エンハンス膜、半透明エンハンス膜を積
層して形成することにより、ビームスポット径を小型化
して線速度を増大した場合でも、確実に所望の情報を記
録再生することができる。
【００２７】またこの実施の形態では２層の情報記録層
を積層して光ディスクを構成する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、複数の情報記録層を積層し
て光ディスクを構成する場合、さらには光ディスクに限
らず、種々の光情報記録媒体を構成する場合に広く適用
することができる。
を積層して光ディスクを構成する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、複数の情報記録層を積層し
て光ディスクを構成する場合、さらには光ディスクに限
らず、種々の光情報記録媒体を構成する場合に広く適用
することができる。
【００２８】図２は、このような光ディスク１をアクセ
スする光ディスク装置の光学系を示す略線図である。こ
の光ディスク装置１０は、レーザーダイオード１１より
出射したレーザービームＬをコリメータレンズ１２によ
り略平行光線に変換した後、非点収差補正板１３により
非点収差を補正し、偏光ビームスプリッタ１４により反
射してレーザービームの光路を光ディスク１に向けて折
り曲げる。さらに光ディスク装置１０は、このレーザー
ビームを１／４波長板１５により偏光し、対物レンズ１
６により光ディスク１に照射する。光ディスク装置１０
では、矢印Ａにより示すように、光軸に沿った方向にこ
の対物レンズ１６が可動することにより、このレーザー
ビームＬを情報記録層３又は４に選択的に集光し、情報
記録層３又は４を選択的にアクセスする。
スする光ディスク装置の光学系を示す略線図である。こ
の光ディスク装置１０は、レーザーダイオード１１より
出射したレーザービームＬをコリメータレンズ１２によ
り略平行光線に変換した後、非点収差補正板１３により
非点収差を補正し、偏光ビームスプリッタ１４により反
射してレーザービームの光路を光ディスク１に向けて折
り曲げる。さらに光ディスク装置１０は、このレーザー
ビームを１／４波長板１５により偏光し、対物レンズ１
６により光ディスク１に照射する。光ディスク装置１０
では、矢印Ａにより示すように、光軸に沿った方向にこ
の対物レンズ１６が可動することにより、このレーザー
ビームＬを情報記録層３又は４に選択的に集光し、情報
記録層３又は４を選択的にアクセスする。
【００２９】また光ディスク装置１０は、このようにレ
ーザービームを照射して得られる戻り光を対物レンズ１
６により受光し、続く１／４波長板１５によりこの戻り
光をレーザービームＬと直交する偏光面に偏光する。さ
らに光ディスク装置１０は、この１／４波長板１５より
出射する戻り光を偏光ビームスプリッタ１４を透過さ
せ、コリメータレンズ１７により受光素子１８の受光面
に集光する。
ーザービームを照射して得られる戻り光を対物レンズ１
６により受光し、続く１／４波長板１５によりこの戻り
光をレーザービームＬと直交する偏光面に偏光する。さ
らに光ディスク装置１０は、この１／４波長板１５より
出射する戻り光を偏光ビームスプリッタ１４を透過さ
せ、コリメータレンズ１７により受光素子１８の受光面
に集光する。
【００３０】光ディスク装置１０は、再生時にあって
は、レーザーダイオード１１より一定の再生光量により
レーザービームＬを出射し、受光素子１８による戻り光
の受光結果を処理することにより、光ディスク１に記録
された情報を再生する。また記録時にあっては、所定の
光量より間欠的にレーザービームの光量を立ち上げ、こ
れにより情報記録層３又は４の相変化材料膜を部分的に
非晶質化し、またはこれとは逆に部分的に結晶化し、所
望の情報をピット列により記録する。
は、レーザーダイオード１１より一定の再生光量により
レーザービームＬを出射し、受光素子１８による戻り光
の受光結果を処理することにより、光ディスク１に記録
された情報を再生する。また記録時にあっては、所定の
光量より間欠的にレーザービームの光量を立ち上げ、こ
れにより情報記録層３又は４の相変化材料膜を部分的に
非晶質化し、またはこれとは逆に部分的に結晶化し、所
望の情報をピット列により記録する。
【００３１】以上の実施例の構成によれば、相変化材料
膜を結晶化促進膜、エンハンス膜により挟持するように
し、さらに支持基板側及びこれと逆側に反射膜及び半透
明エンハンス膜をそれぞれ配置し、これらの膜材料を適
宜選定することにより、ビームスポット径を小型化して
線速度を増大しても所望のデータを確実に記録し、また
記録した情報を再生することができ、これにより書き換
え可能であって、かつ高密度記録することができる情報
記録媒体を得ることができる。
膜を結晶化促進膜、エンハンス膜により挟持するように
し、さらに支持基板側及びこれと逆側に反射膜及び半透
明エンハンス膜をそれぞれ配置し、これらの膜材料を適
宜選定することにより、ビームスポット径を小型化して
線速度を増大しても所望のデータを確実に記録し、また
記録した情報を再生することができ、これにより書き換
え可能であって、かつ高密度記録することができる情報
記録媒体を得ることができる。
【００３２】すなわちＳｉ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧｅＣ、Ｓ
ｎ、ＳｎＣ、Ａｌ、ＡｌＣ、Ｇａ、ＧａＣ、Ｉｎ、Ｉｎ
Ｃ、これら何れかの窒化物又は酸化物の少なくとも１種
類を含む材料により結晶化促進膜を形成することによ
り、容易に相変化材料を結晶化することができる。
ｎ、ＳｎＣ、Ａｌ、ＡｌＣ、Ｇａ、ＧａＣ、Ｉｎ、Ｉｎ
Ｃ、これら何れかの窒化物又は酸化物の少なくとも１種
類を含む材料により結晶化促進膜を形成することによ
り、容易に相変化材料を結晶化することができる。
【００３３】またＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、ＳｉＯ
2 、ＭｇＦ2 の少なくとも１種類を含む材料によりエン
ハンス膜を形成することにより、非晶質の部分と結晶化
した部分とを確実に識別することが可能となる。
2 、ＭｇＦ2 の少なくとも１種類を含む材料によりエン
ハンス膜を形成することにより、非晶質の部分と結晶化
した部分とを確実に識別することが可能となる。
【００３４】またＡｕ、ＡｕＣｏ合金、ＳｉＯx 、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯx 、Ａｕ−ＳｉＯ2 混合物、Ａｕ−ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 混合物の少なくとも１種類を含む材料により半
透明エンハンス膜を形成することにより、消し残しを確
実に防止することができる。
Ｓ−ＳｉＯx 、Ａｕ−ＳｉＯ2 混合物、Ａｕ−ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 混合物の少なくとも１種類を含む材料により半
透明エンハンス膜を形成することにより、消し残しを確
実に防止することができる。
【００３５】またＡｌ合金、ＢｉＳｂの何れかを含む材
料により反射膜を作成することにより、十分な感度を確
保することができる。
料により反射膜を作成することにより、十分な感度を確
保することができる。
【００３６】
【実施例】この実施例において、光ディスク１は、図１
について上述した膜構造により中間層５を間に挟んで２
層の情報記録層３及び４を積層して構成される。この実
施例において、支持基板２は、厚さ１．２〔ｍｍ〕のポ
リカーボネイト基板が適用され、射出成形による凹凸パ
ターンが一体に形成される。ここでこの凹凸パターン
は、トラックピッチ０．９〔μｍ〕のランドグループ記
録用案内溝を構成する。
について上述した膜構造により中間層５を間に挟んで２
層の情報記録層３及び４を積層して構成される。この実
施例において、支持基板２は、厚さ１．２〔ｍｍ〕のポ
リカーボネイト基板が適用され、射出成形による凹凸パ
ターンが一体に形成される。ここでこの凹凸パターン
は、トラックピッチ０．９〔μｍ〕のランドグループ記
録用案内溝を構成する。
【００３７】この実施例では、この支持基板２上に、Ａ
ｌ合金による反射膜３Ａ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物によ
る第２エンハンス膜３Ｂ、ＳｉＮによる第２結晶化促進
膜３Ｃ、ＧｅＳｂＴｅＮによる相変化材料膜３Ｄ、Ｓｉ
Ｎによる第１結晶化促進膜３Ｅ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合
物による第１エンハンス膜３Ｆ、Ａｕ−Ｃｏ合金による
半透明エンハンス膜３Ｇを順次スパッタリング法により
成膜し、情報記録層３を形成した。またこの情報記録層
３に一様にレーザービームを照射して相変化材料膜３Ｄ
を結晶化させ、初期化の処理を実行した。
ｌ合金による反射膜３Ａ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物によ
る第２エンハンス膜３Ｂ、ＳｉＮによる第２結晶化促進
膜３Ｃ、ＧｅＳｂＴｅＮによる相変化材料膜３Ｄ、Ｓｉ
Ｎによる第１結晶化促進膜３Ｅ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合
物による第１エンハンス膜３Ｆ、Ａｕ−Ｃｏ合金による
半透明エンハンス膜３Ｇを順次スパッタリング法により
成膜し、情報記録層３を形成した。またこの情報記録層
３に一様にレーザービームを照射して相変化材料膜３Ｄ
を結晶化させ、初期化の処理を実行した。
【００３８】なお各膜の膜厚は、以下の通りである。 反射膜３Ａ ：２０〔ｎｍ〕 第２エンハンス膜３Ｂ ：４５〔ｎｍ〕 第２結晶化促進膜３Ｃ ：１０〔ｎｍ〕 相変化材料膜３Ｄ ：１４〔ｎｍ〕 第１結晶化促進膜３Ｅ ：１０〔ｎｍ〕 第１エンハンス膜３Ｆ ：８５〔ｎｍ〕 半透明エンハンス膜３Ｇ：１１〔ｎｍ〕
【００３９】また続いて、アクリル酸系ＵＶレジンをス
ピンコートで塗布した後、ＵＶランプにより硬化させ、
厚さ３０〔μｍ〕の中間層５を形成した。このとき２Ｐ
法により凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンによ
り情報記録層４におけるランドグループ記録用案内溝を
形成した。なおこの案内溝もトラックピッチ０．９〔μ
ｍ〕により作成した。
ピンコートで塗布した後、ＵＶランプにより硬化させ、
厚さ３０〔μｍ〕の中間層５を形成した。このとき２Ｐ
法により凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンによ
り情報記録層４におけるランドグループ記録用案内溝を
形成した。なおこの案内溝もトラックピッチ０．９〔μ
ｍ〕により作成した。
【００４０】さらにこの中間層５上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 混合物による第２エンハンス膜４Ｂ、ＳｉＮによる第
２結晶化促進膜４Ｃ、ＧｅＳｂＴｅＮによる相変化材料
膜４Ｄ、ＳｉＮによる第１結晶化促進膜４Ｅ、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 混合物による第１エンハンス膜４Ｆをスパッタ
リング法により順次成膜した。
2 混合物による第２エンハンス膜４Ｂ、ＳｉＮによる第
２結晶化促進膜４Ｃ、ＧｅＳｂＴｅＮによる相変化材料
膜４Ｄ、ＳｉＮによる第１結晶化促進膜４Ｅ、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 混合物による第１エンハンス膜４Ｆをスパッタ
リング法により順次成膜した。
【００４１】なお各膜の膜厚は、以下の通りである。 第２エンハンス膜４Ｂ ：１１０〔ｎｍ〕 第２結晶化促進膜４Ｃ ： １０〔ｎｍ〕 相変化材料膜４Ｄ ： ８〔ｎｍ〕 第１結晶化促進膜４Ｅ ： １０〔ｎｍ〕 第１エンハンス膜４Ｆ ：１００〔ｎｍ〕
【００４２】さらに、アクリル酸系ＵＶレジンをスピン
コートで塗布した後、ＵＶランプにより硬化させて光透
過層６を作成した。続いて情報記録層４に一様にレーザ
ービームを照射して相変化材料膜４Ｄを結晶化させ、初
期化の処理を実行した。なお光透過層６は、厚さ７０
〔μｍ〕により作成した。
コートで塗布した後、ＵＶランプにより硬化させて光透
過層６を作成した。続いて情報記録層４に一様にレーザ
ービームを照射して相変化材料膜４Ｄを結晶化させ、初
期化の処理を実行した。なお光透過層６は、厚さ７０
〔μｍ〕により作成した。
【００４３】この実施例にあっては、図２について上述
した構成の光学系によりこの光ディスク１をアクセス
し、特性を確認した。なおこの光学系にあっては、開口
数ＮＡが０．８５であり、レーザービームは波長６５０
〔ｎｍ〕であった。この光ディスク１にピット長０．２
３〔μｍ〕、線速１０〔ｍ／ｓ〕にて所望の情報を記録
再生したところ、ジッター１０〔％〕以下により記録し
た情報を再生することができた。なおこのピット長０．
２３〔μｍ〕、線速１０〔ｍ／ｓ〕による場合、トラッ
クピッチ０．９〔μｍ〕であることにより、直径１２ｃ
ｍの光ディスクにおいては、上下２層の情報記録層３及
び４で１６〔ＧＢ〕の記憶容量を確保することできる。
した構成の光学系によりこの光ディスク１をアクセス
し、特性を確認した。なおこの光学系にあっては、開口
数ＮＡが０．８５であり、レーザービームは波長６５０
〔ｎｍ〕であった。この光ディスク１にピット長０．２
３〔μｍ〕、線速１０〔ｍ／ｓ〕にて所望の情報を記録
再生したところ、ジッター１０〔％〕以下により記録し
た情報を再生することができた。なおこのピット長０．
２３〔μｍ〕、線速１０〔ｍ／ｓ〕による場合、トラッ
クピッチ０．９〔μｍ〕であることにより、直径１２ｃ
ｍの光ディスクにおいては、上下２層の情報記録層３及
び４で１６〔ＧＢ〕の記憶容量を確保することできる。
【００４４】この実施例では、この光ディスク１との対
比により図３に示す構成の光ディスク２０をアクセス
し、その特性を確認した。
比により図３に示す構成の光ディスク２０をアクセス
し、その特性を確認した。
【００４５】ここでこの光ディスク２０は、上述の光デ
ィスク１と同一の支持基板２２上に、Ａｌ合金による反
射膜２３Ａ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物による第２エンハ
ンス膜２３Ｂ、ＧｅＳｂＴｅによる相変化材料膜２３
Ｄ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物による第１エンハンス膜２
３Ｆをスパッタリング法により順に成膜して情報記録層
２３を形成した後、レーザービームの照射によりこの情
報記録層２３を初期化した。
ィスク１と同一の支持基板２２上に、Ａｌ合金による反
射膜２３Ａ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物による第２エンハ
ンス膜２３Ｂ、ＧｅＳｂＴｅによる相変化材料膜２３
Ｄ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物による第１エンハンス膜２
３Ｆをスパッタリング法により順に成膜して情報記録層
２３を形成した後、レーザービームの照射によりこの情
報記録層２３を初期化した。
【００４６】また光ディスク１と同一の構造、材料によ
る中間層２５を作成した後、順次ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合
物による第２エンハンス膜２４Ｂ、ＧｅＳｂＴｅによる
相変化材料膜２４Ｄ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物による第
１エンハンス膜２４Ｆをスパッタリング法により順次成
膜して情報記録層２４を形成した後、光ディスク１と同
一の光透過層２６を形成して初期化した。
る中間層２５を作成した後、順次ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合
物による第２エンハンス膜２４Ｂ、ＧｅＳｂＴｅによる
相変化材料膜２４Ｄ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物による第
１エンハンス膜２４Ｆをスパッタリング法により順次成
膜して情報記録層２４を形成した後、光ディスク１と同
一の光透過層２６を形成して初期化した。
【００４７】この光ディスク２０を光ディスク１と同様
に評価したところ、ピット長０．２３〔μｍ〕、線速１
０〔ｍ／ｓ〕では書き換えすることが困難で、線速４
〔ｍ／ｓ〕において、光ディスク１と同程度のジッター
量により記録されたデータを書き換えることができた。
これにより結晶化促進膜の効果等を確認することができ
た。
に評価したところ、ピット長０．２３〔μｍ〕、線速１
０〔ｍ／ｓ〕では書き換えすることが困難で、線速４
〔ｍ／ｓ〕において、光ディスク１と同程度のジッター
量により記録されたデータを書き換えることができた。
これにより結晶化促進膜の効果等を確認することができ
た。
【００４８】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、エンハン
ス膜、結晶化促進膜を配置してなる相変化材料による情
報記録層を積層し、最も支持基板側の情報記録層のみに
反射膜を形成すると共に、各情報記録層を構成する膜材
料を選定することにより、書き換え可能であって、かつ
高密度記録することができる光情報記録媒体を得ること
ができる。
ス膜、結晶化促進膜を配置してなる相変化材料による情
報記録層を積層し、最も支持基板側の情報記録層のみに
反射膜を形成すると共に、各情報記録層を構成する膜材
料を選定することにより、書き換え可能であって、かつ
高密度記録することができる光情報記録媒体を得ること
ができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る光ディスクを示す断
面図である。
面図である。
【図２】図１の光ディスクをアクセスする光ディスク装
置の光学系を示す略線図である。
置の光学系を示す略線図である。
【図３】実施例との比較に使用した光ディスクを示す断
面図である。
面図である。
【符号の説明】 １、２０……光ディスク、２、２２……支持基板、３、
４、２３、２４……情報記録層、３Ａ、２３Ａ……反射
膜、３Ｂ、３Ｆ、４Ｂ、４Ｆ、２３Ｂ、２３Ｆ、２４
Ｂ、２４Ｆ……エンハンス膜、３Ｃ、３Ｅ、４Ｃ、４
Ｅ、２３Ｃ、２３Ｅ、２４Ｃ、２４Ｅ……結晶促進膜、
３Ｄ、４Ｄ、２３Ｄ、２４Ｄ……相変化材料膜、３Ｇ、
２３Ｇ……半透明エンハンス膜、５、２５……中間層、
６、２６……光透過層
４、２３、２４……情報記録層、３Ａ、２３Ａ……反射
膜、３Ｂ、３Ｆ、４Ｂ、４Ｆ、２３Ｂ、２３Ｆ、２４
Ｂ、２４Ｆ……エンハンス膜、３Ｃ、３Ｅ、４Ｃ、４
Ｅ、２３Ｃ、２３Ｅ、２４Ｃ、２４Ｅ……結晶促進膜、
３Ｄ、４Ｄ、２３Ｄ、２４Ｄ……相変化材料膜、３Ｇ、
２３Ｇ……半透明エンハンス膜、５、２５……中間層、
６、２６……光透過層
Claims (16)
- 【請求項１】凹凸パターンによる案内溝が形成された厚
さ０．３〜１．２〔ｍｍ〕の支持基板上に、透明の中間
層を間に挟んで複数の情報記録層が積層され、厚さ１０
〜１７７〔μｍ〕の光透過層が積層されてなる光情報記
録媒体であって、 前記情報記録層は、 ＩｎＳｅ、ＳｂＳｅ、ＳｂＴｅ二元合金、ＩｎＳｂＳ
ｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ三元合金、ＧｅＳｂＴ
ｅＳｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ四元合金、ＡｇＩｎＳｂＳｅ
Ｔｅ五元合金、これらの何れかの合金の窒化物又は酸化
物の少なくとも１種類を含む相変化材料による相変化材
料膜を有し、 少なくとも前記相変化材料膜の前記支持基板側又は前記
支持基板側とは逆側に、結晶化促進膜、エンハンス膜が
形成され、 最も支持基板側の前記情報記録層は、 前記支持基板側の最も外側に反射膜が割り当てられ、 前記支持基板側とは逆側の最も外側に半透明エンハンス
膜が割り当てられ、 前記結晶化促進膜は、 Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧｅＣ、Ｓｎ、ＳｎＣ、Ａｌ、Ａ
ｌＣ、Ｇａ、ＧａＣ、Ｉｎ、ＩｎＣ、これら何れかの窒
化物又は酸化物の少なくとも１種類を含む材料により形
成されたことを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】凹凸パターンによる案内溝が形成された厚
さ０．３〜１．２〔ｍｍ〕の支持基板上に、透明の中間
層を間に挟んで複数の情報記録層が積層され、厚さ１０
〜１７７〔μｍ〕の光透過層が積層されてなる光情報記
録媒体であって、 前記情報記録層は、 ＩｎＳｅ、ＳｂＳｅ、ＳｂＴｅ二元合金、ＩｎＳｂＳ
ｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ三元合金、ＧｅＳｂＴ
ｅＳｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ四元合金、ＡｇＩｎＳｂＳｅ
Ｔｅ五元合金、これらの何れかの合金の窒化物又は酸化
物の少なくとも１種類を含む相変化材料による相変化材
料膜を有し、 少なくとも前記相変化材料膜の前記支持基板側又は前記
支持基板側とは逆側に、結晶化促進膜、エンハンス膜が
形成され、 最も支持基板側の前記情報記録層は、 前記支持基板側の最も外側に反射膜が割り当てられ、 前記支持基板側とは逆側の最も外側に半透明エンハンス
膜が割り当てられ、 前記エンハンス膜は、 ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 の少な
くとも１種類を含む材料により形成されたことを特徴と
する光情報記録媒体。 - 【請求項３】凹凸パターンによる案内溝が形成された厚
さ０．３〜１．２〔ｍｍ〕の支持基板上に、透明の中間
層を間に挟んで複数の情報記録層が積層され、厚さ１０
〜１７７〔μｍ〕の光透過層が積層されてなる光情報記
録媒体であって、 前記情報記録層は、 ＩｎＳｅ、ＳｂＳｅ、ＳｂＴｅ二元合金、ＩｎＳｂＳ
ｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ三元合金、ＧｅＳｂＴ
ｅＳｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ四元合金、ＡｇＩｎＳｂＳｅ
Ｔｅ五元合金、これらの何れかの合金の窒化物又は酸化
物の少なくとも１種類を含む相変化材料による相変化材
料膜を有し、 少なくとも前記相変化材料膜の前記支持基板側又は前記
支持基板側とは逆側に、結晶化促進膜、エンハンス膜が
形成され、 最も支持基板側の前記情報記録層は、 前記支持基板側の最も外側に反射膜が割り当てられ、 前記支持基板側とは逆側の最も外側に半透明エンハンス
膜が割り当てられ、 前記半透明エンハンス膜は、 Ａｕ、ＡｕＣｏ合金、ＳｉＡｇ合金、ＳｉＯx 、ＺｎＳ
−ＳｉＯx 、Ａｕ−ＳｉＯ2 混合物、Ａｕ−ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 混合物の少なくとも１種類を含む材料により形成
されたことを特徴とする光情報記録媒体。但し、ｘ≦２
である。 - 【請求項４】凹凸パターンによる案内溝が形成された厚
さ０．３〜１．２〔ｍｍ〕の支持基板上に、透明の中間
層を間に挟んで複数の情報記録層が積層され、厚さ１０
〜１７７〔μｍ〕の光透過層が積層されてなる光情報記
録媒体であって、 前記情報記録層は、 ＩｎＳｅ、ＳｂＳｅ、ＳｂＴｅ二元合金、ＩｎＳｂＳ
ｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ三元合金、ＧｅＳｂＴ
ｅＳｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ四元合金、ＡｇＩｎＳｂＳｅ
Ｔｅ五元合金、これらの何れかの合金の窒化物又は酸化
物の少なくとも１種類を含む相変化材料による相変化材
料膜を有し、 少なくとも前記相変化材料膜の前記支持基板側又は前記
支持基板側とは逆側に、結晶化促進膜、エンハンス膜が
形成され、 最も支持基板側の前記情報記録層は、 前記支持基板側の最も外側に反射膜が割り当てられ、 前記支持基板側とは逆側の最も外側に半透明エンハンス
膜が割り当てられ、 前記反射膜が、 Ａｌ合金、ＢｉＳｂ、Ａｇ合金の何れかを含む材料によ
り作成されたことを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項５】前記最も支持基板側の前記情報記録層は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記相変化材料膜、前記結晶化促進膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項６】前記最も支持基板側の前記情報記録層は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記相変化材料膜、前記結晶化促進膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項２に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項７】前記最も支持基板側の前記情報記録層は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記相変化材料膜、前記結晶化促進膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項３に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項８】前記最も支持基板側の前記情報記録層は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記相変化材料膜、前記結晶化促進膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項４に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項９】前記最も支持基板側の前記情報記録層は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項１０】前記最も支持基板側の前記情報記録層
は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項２に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項１１】前記最も支持基板側の前記情報記録層
は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項３に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項１２】前記最も支持基板側の前記情報記録層
は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項４に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項１３】前記最も支持基板側の前記情報記録層
は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記結晶
化促進膜、前記エンハンス膜、前記半透明エンハンス膜
を積層して形成されたことを特徴とする請求項１に記載
の光情報記録媒体。 - 【請求項１４】前記最も支持基板側の前記情報記録層
は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記結晶
化促進膜、前記エンハンス膜、前記半透明エンハンス膜
を積層して形成されたことを特徴とする請求項２に記載
の光情報記録媒体。 - 【請求項１５】前記最も支持基板側の前記情報記録層
は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記結晶
化促進膜、前記エンハンス膜、前記半透明エンハンス膜
を積層して形成されたことを特徴とする請求項３に記載
の光情報記録媒体。 - 【請求項１６】前記最も支持基板側の前記情報記録層
は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記結晶
化促進膜、前記エンハンス膜、前記半透明エンハンス膜
を積層して形成されたことを特徴とする請求項４に記載
の光情報記録媒体。
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