JP2000260796A - 半導体ウェハーの樹脂被覆方法 - Google Patents
半導体ウェハーの樹脂被覆方法Info
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Landscapes
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂被覆用金型（上下両型１・２）を用いて
半導体ウェーハ４のバンプ３の装着面を樹脂１１で被覆
して樹脂被覆ウェーハ１２を形成する場合に、前記樹脂
被覆ウェーハ１２の生産性を向上させる。 【解決手段】 まず、下型キャビティ５内の所定位置に
前記半導体ウェーハ４をそのバンプ装着面を上面にして
供給し、且つ、前記バンプ装着面上に樹脂材料６を所要
量供給すると共に、前記両型１・２を型締めすることに
より、少なくともキャビティ５を含む外気遮断範囲３４
から真空引きして少なくとも前記キャビティ５内を所定
の真空状態にすると共に、前記樹脂材料を加熱溶融化
し、次に、前記上型面張設フィルム７を前記バンプ３先
端部に当接すると共に、前記キャビティ５内で前記半導
体ウェーハ４のバンプ装着面を樹脂で被覆して樹脂被覆
ウェーハ１２を形成する。
半導体ウェーハ４のバンプ３の装着面を樹脂１１で被覆
して樹脂被覆ウェーハ１２を形成する場合に、前記樹脂
被覆ウェーハ１２の生産性を向上させる。 【解決手段】 まず、下型キャビティ５内の所定位置に
前記半導体ウェーハ４をそのバンプ装着面を上面にして
供給し、且つ、前記バンプ装着面上に樹脂材料６を所要
量供給すると共に、前記両型１・２を型締めすることに
より、少なくともキャビティ５を含む外気遮断範囲３４
から真空引きして少なくとも前記キャビティ５内を所定
の真空状態にすると共に、前記樹脂材料を加熱溶融化
し、次に、前記上型面張設フィルム７を前記バンプ３先
端部に当接すると共に、前記キャビティ５内で前記半導
体ウェーハ４のバンプ装着面を樹脂で被覆して樹脂被覆
ウェーハ１２を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、半田バ
ンプ（突起電極）等が装着された半導体ウェーハのバン
プ装着面を樹脂で被覆する半導体ウェハーの樹脂被覆方
法の改良に関するものである。
ンプ（突起電極）等が装着された半導体ウェーハのバン
プ装着面を樹脂で被覆する半導体ウェハーの樹脂被覆方
法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば、チップサイズパッケ
ージ（ＣＰＳ）等における半導体チップのバンプ装着面
を樹脂で被覆することによって柔らかくて損傷し易いバ
ンプを保護・補強することが行われているが、このチッ
プに対する樹脂被覆は半導体ウェーハの段階（ウェーハ
レベル）で行われている。例えば、図５（１）・図５
（２）に示す樹脂被覆用金型を用いて、まず、前記した
半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂被覆して樹脂被覆
ウェーハを形成し、次に、前記樹脂被覆ウェーハを切断
分離して多数の樹脂被覆チップを形成することが行われ
ている。
ージ（ＣＰＳ）等における半導体チップのバンプ装着面
を樹脂で被覆することによって柔らかくて損傷し易いバ
ンプを保護・補強することが行われているが、このチッ
プに対する樹脂被覆は半導体ウェーハの段階（ウェーハ
レベル）で行われている。例えば、図５（１）・図５
（２）に示す樹脂被覆用金型を用いて、まず、前記した
半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂被覆して樹脂被覆
ウェーハを形成し、次に、前記樹脂被覆ウェーハを切断
分離して多数の樹脂被覆チップを形成することが行われ
ている。
【０００３】即ち、図５（１）・図５（２）に示す金型
には、上型８１と、下型８２とが対向配置して設けられ
ると共に、前記上型８１の型面にはバンプ露出用のフィ
ルム８３が張設されるように構成され、前記下型８２に
は、前記バンプ８８が装着された半導体ウェーハ８４を
供給セットする樹脂被覆用のキャビティ８５と、前記キ
ャビティ８５を含む嵌合孔８６と、前記嵌合孔８６内を
上下摺動する前記キャビティ８５の底面を含む底面部材
８７とが設けられて構成されている。従って、図５
（１）に示すように、まず、前記上型８１の型面に前記
フィルム８３を張設すると共に、前記キャビティ８５内
に前記半導体ウェーハ８４をそのバンプ装着面を上面側
にした状態で供給セットし且つ前記バンプ装着面上に所
要量の樹脂材料８９を供給し、前記上下両型８１・８２
を型締めすると共に、前記キャビティ８５内の樹脂材料
８９を加熱溶融化する。次に、図５（２）に示すよう
に、前記キャビティにおいて、前記底面部材８７に前記
半導体ウェーハ８４を載置した状態で前記底面部材８７
を上動することにより、前記フィルム８３に前記バンプ
８８の先端部を当接させる。このとき、少なくとも前記
ウェーハ８４のバンプ装着面が樹脂で被覆されることと
になるので、前記キャビティ８５内で形成される樹脂被
覆ウェーハ９０の樹脂被覆面（バンプ装着面）におい
て、前記バンプ８８におけるフィルム８３と当接した部
分（バンプ先端部）が樹脂表面に露出することになる。
には、上型８１と、下型８２とが対向配置して設けられ
ると共に、前記上型８１の型面にはバンプ露出用のフィ
ルム８３が張設されるように構成され、前記下型８２に
は、前記バンプ８８が装着された半導体ウェーハ８４を
供給セットする樹脂被覆用のキャビティ８５と、前記キ
ャビティ８５を含む嵌合孔８６と、前記嵌合孔８６内を
上下摺動する前記キャビティ８５の底面を含む底面部材
８７とが設けられて構成されている。従って、図５
（１）に示すように、まず、前記上型８１の型面に前記
フィルム８３を張設すると共に、前記キャビティ８５内
に前記半導体ウェーハ８４をそのバンプ装着面を上面側
にした状態で供給セットし且つ前記バンプ装着面上に所
要量の樹脂材料８９を供給し、前記上下両型８１・８２
を型締めすると共に、前記キャビティ８５内の樹脂材料
８９を加熱溶融化する。次に、図５（２）に示すよう
に、前記キャビティにおいて、前記底面部材８７に前記
半導体ウェーハ８４を載置した状態で前記底面部材８７
を上動することにより、前記フィルム８３に前記バンプ
８８の先端部を当接させる。このとき、少なくとも前記
ウェーハ８４のバンプ装着面が樹脂で被覆されることと
になるので、前記キャビティ８５内で形成される樹脂被
覆ウェーハ９０の樹脂被覆面（バンプ装着面）におい
て、前記バンプ８８におけるフィルム８３と当接した部
分（バンプ先端部）が樹脂表面に露出することになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た嵌合孔と底面部材との隙間（摺動部）に溶融樹脂材料
が浸入して硬化することにより、前記隙間に樹脂ばり
（硬化物）が発生して前記底面部材に摺動不良が発生し
易い。従って、前記隙間に発生する樹脂ばりを頻繁に除
去しなければならず、前記樹脂被覆ウェーハの生産性が
低下すると云う弊害がある。また、前記摺動不良の発生
によって、前記底面部材で前記キャビティ内の樹脂に充
分な樹脂圧を加えることができなくなるので、前記フィ
ルムに前記バンプを当接することができず、前記バンプ
が樹脂内に完全に埋没して前記バンプが外部接続用とし
ての機能を果たさなくなる等、高品質性・高信頼性の樹
脂被覆ウェーハ（樹脂被覆チップ）を得ることができな
いと云う弊害がある。
た嵌合孔と底面部材との隙間（摺動部）に溶融樹脂材料
が浸入して硬化することにより、前記隙間に樹脂ばり
（硬化物）が発生して前記底面部材に摺動不良が発生し
易い。従って、前記隙間に発生する樹脂ばりを頻繁に除
去しなければならず、前記樹脂被覆ウェーハの生産性が
低下すると云う弊害がある。また、前記摺動不良の発生
によって、前記底面部材で前記キャビティ内の樹脂に充
分な樹脂圧を加えることができなくなるので、前記フィ
ルムに前記バンプを当接することができず、前記バンプ
が樹脂内に完全に埋没して前記バンプが外部接続用とし
ての機能を果たさなくなる等、高品質性・高信頼性の樹
脂被覆ウェーハ（樹脂被覆チップ）を得ることができな
いと云う弊害がある。
【０００５】そこで、本発明は、樹脂被覆ウェーハの生
産性を向上させることができる半導体ウェハーの樹脂被
覆方法を提供することを目的とするものである。また、
本発明は、高品質性・高信頼性の樹脂被覆ウェーハを得
ることができる半導体ウェハーの樹脂被覆方法とを提供
することを目的とするものである。
産性を向上させることができる半導体ウェハーの樹脂被
覆方法を提供することを目的とするものである。また、
本発明は、高品質性・高信頼性の樹脂被覆ウェーハを得
ることができる半導体ウェハーの樹脂被覆方法とを提供
することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記した技術的課題を解
決するための本発明に係る半導体ウェハーの樹脂被覆方
法は、バンプを装着した半導体ウェーハのバンプ装着面
を樹脂で被覆する樹脂被覆用金型の一方の型面に設けた
樹脂被覆用金型キャビティの底面の所定位置に前記半導
体ウェーハを、前記バンプ装着面を前記金型キャビティ
底面とは反対側にした状態で、載置供給する半導体ウェ
ーハの供給工程と、前記金型の他方の型面にバンプ露出
用フィルムを張設するフィルムの張設工程と、前記半導
体ウェーハの供給工程時に、前記金型キャビティ底面に
前記ウェーハを吸着・固定する半導体ウェーハの吸着・
固定工程と、前記フィルムの張設工程時に、前記金型の
他方の型面に前記フィルムを吸着・固定するフィルムの
吸着・固定工程と、前記金型キャビティ内に樹脂材料を
所要量供給する樹脂材料の供給工程と、前記金型を型締
めする金型の型締工程と、前記金型キャビティ内で前記
樹脂材料を加熱溶融化する樹脂材料の加熱溶融化工程
と、前記金型の他方の型面に設けた押圧部材で前記フィ
ルムを前記金型キャビティ方向に押圧する押圧部材によ
る押圧工程と、前記押圧部材による押圧工程時に、前記
金型キャビティ内で前記バンプ先端部に前記フィルムを
当接するフィルムの当接工程と、前記押圧部材による押
圧工程時に、前記フィルムを介して前記金型キャビティ
内の樹脂を加圧することによって前記した半導体ウェー
ハのバンプ装着面を樹脂で被覆する半導体ウェーハの樹
脂被覆成形工程と、前記金型を型開きして前記金型キャ
ビティ内から前記バンプ装着面を樹脂で被覆した樹脂被
覆半導体ウェーハを離型する樹脂被覆ウェーハの離型工
程とを備えたことを特徴とする。
決するための本発明に係る半導体ウェハーの樹脂被覆方
法は、バンプを装着した半導体ウェーハのバンプ装着面
を樹脂で被覆する樹脂被覆用金型の一方の型面に設けた
樹脂被覆用金型キャビティの底面の所定位置に前記半導
体ウェーハを、前記バンプ装着面を前記金型キャビティ
底面とは反対側にした状態で、載置供給する半導体ウェ
ーハの供給工程と、前記金型の他方の型面にバンプ露出
用フィルムを張設するフィルムの張設工程と、前記半導
体ウェーハの供給工程時に、前記金型キャビティ底面に
前記ウェーハを吸着・固定する半導体ウェーハの吸着・
固定工程と、前記フィルムの張設工程時に、前記金型の
他方の型面に前記フィルムを吸着・固定するフィルムの
吸着・固定工程と、前記金型キャビティ内に樹脂材料を
所要量供給する樹脂材料の供給工程と、前記金型を型締
めする金型の型締工程と、前記金型キャビティ内で前記
樹脂材料を加熱溶融化する樹脂材料の加熱溶融化工程
と、前記金型の他方の型面に設けた押圧部材で前記フィ
ルムを前記金型キャビティ方向に押圧する押圧部材によ
る押圧工程と、前記押圧部材による押圧工程時に、前記
金型キャビティ内で前記バンプ先端部に前記フィルムを
当接するフィルムの当接工程と、前記押圧部材による押
圧工程時に、前記フィルムを介して前記金型キャビティ
内の樹脂を加圧することによって前記した半導体ウェー
ハのバンプ装着面を樹脂で被覆する半導体ウェーハの樹
脂被覆成形工程と、前記金型を型開きして前記金型キャ
ビティ内から前記バンプ装着面を樹脂で被覆した樹脂被
覆半導体ウェーハを離型する樹脂被覆ウェーハの離型工
程とを備えたことを特徴とする。
【０００７】また、前記した技術的課題を解決するため
の本発明に係る半導体ウェハーの樹脂被覆方法は、前記
した金型の型締工程時に、少なくとも金型キャビティ内
を真空引きして所定の真空状態にすることを特徴とす
る。
の本発明に係る半導体ウェハーの樹脂被覆方法は、前記
した金型の型締工程時に、少なくとも金型キャビティ内
を真空引きして所定の真空状態にすることを特徴とす
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】即ち、半導体ウェーハの樹脂被覆
用金型（上下両型）を用いて、まず、前記した下型キャ
ビティ内の所定位置に前記半導体ウェーハをそのバンプ
装着面を上面にして供給し、且つ、前記バンプ装着面上
に樹脂材料を所要量供給すると共に、前記両型を型締め
することにより、少なくとも前記キャビティを含む外気
遮断範囲から真空引きして少なくとも前記したキャビテ
ィ内を所定の真空状態にすると共に、前記樹脂材料を加
熱溶融化し、次に、前記上型面張設フィルム７を前記バ
ンプ先端部に当接すると共に、前記キャビティ内で前記
半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂で被覆して樹脂被
覆ウェーハを形成する。
用金型（上下両型）を用いて、まず、前記した下型キャ
ビティ内の所定位置に前記半導体ウェーハをそのバンプ
装着面を上面にして供給し、且つ、前記バンプ装着面上
に樹脂材料を所要量供給すると共に、前記両型を型締め
することにより、少なくとも前記キャビティを含む外気
遮断範囲から真空引きして少なくとも前記したキャビテ
ィ内を所定の真空状態にすると共に、前記樹脂材料を加
熱溶融化し、次に、前記上型面張設フィルム７を前記バ
ンプ先端部に当接すると共に、前記キャビティ内で前記
半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂で被覆して樹脂被
覆ウェーハを形成する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を実施例図に基づいて詳細に説
明する。
明する。
【００１０】即ち、図例に示す金型は、固定上型１と、
該固定上型１に対向配置した可動下型２とから構成され
ている。また、前記下型２の型面にはバンプ突起電極３
が装着された半導体ウェーハ４を前記バンプ装着面を上
面（型面側）にした状態で供給セットする樹脂被覆用キ
ャビティ５が設けられて構成されると共に、前記キャビ
ティ５の底面の所定位置に載置供給されたウェーハ４の
バンプ装着面上に、例えば、粉末状或いは顆粒状の樹脂
材料６を所要量供給することができるように構成されて
いる。また、前記上型１の型面にはバンプ露出用のフィ
ルム７（離型フィルム）が張設されると共に、該上型１
には、前記下型キャビティ５の下型面形状に対応した押
圧面（上型面）を備えた押圧部材８と、前記押圧部材８
を上下動する上下動機構９とが設けられている。従っ
て、前記上下動機構９で前記押圧部材８を下動させるこ
とによって、前記バンプ３の先端部に前記フィルム７に
当接させることができるように構成されると共に、前記
キャビティ５内の樹脂を前記フィルム７を介して所定の
樹脂圧で加圧することができるように構成されている。
また、前記キャビティ５の外周囲（下型面）には、前記
フィルム７を型面に係止して固定する係止部材10（環状
突起）が設けられると共に、前記両型の型締時１・２
に、前記フィルム７を前記両型面間に挟持固定して下型
キャビティ面に張設することができるように構成されて
いる。また、図示はしていないが、前記金型には樹脂成
形温度にまで加熱する加熱手段が設けられて構成される
と共に、前記キャビティ５内に供給された樹脂材料６を
加熱溶融化することができるように構成されている。
該固定上型１に対向配置した可動下型２とから構成され
ている。また、前記下型２の型面にはバンプ突起電極３
が装着された半導体ウェーハ４を前記バンプ装着面を上
面（型面側）にした状態で供給セットする樹脂被覆用キ
ャビティ５が設けられて構成されると共に、前記キャビ
ティ５の底面の所定位置に載置供給されたウェーハ４の
バンプ装着面上に、例えば、粉末状或いは顆粒状の樹脂
材料６を所要量供給することができるように構成されて
いる。また、前記上型１の型面にはバンプ露出用のフィ
ルム７（離型フィルム）が張設されると共に、該上型１
には、前記下型キャビティ５の下型面形状に対応した押
圧面（上型面）を備えた押圧部材８と、前記押圧部材８
を上下動する上下動機構９とが設けられている。従っ
て、前記上下動機構９で前記押圧部材８を下動させるこ
とによって、前記バンプ３の先端部に前記フィルム７に
当接させることができるように構成されると共に、前記
キャビティ５内の樹脂を前記フィルム７を介して所定の
樹脂圧で加圧することができるように構成されている。
また、前記キャビティ５の外周囲（下型面）には、前記
フィルム７を型面に係止して固定する係止部材10（環状
突起）が設けられると共に、前記両型の型締時１・２
に、前記フィルム７を前記両型面間に挟持固定して下型
キャビティ面に張設することができるように構成されて
いる。また、図示はしていないが、前記金型には樹脂成
形温度にまで加熱する加熱手段が設けられて構成される
と共に、前記キャビティ５内に供給された樹脂材料６を
加熱溶融化することができるように構成されている。
【００１１】また、図例に示すように、前記金型キャビ
ティ５の底面には前記金型キャビティ５底面に前記半導
体ウェーハ４を吸着固定する半導体ウェーハの吸着固定
手段（例えば、所要数の吸着孔）３１が設けられて構成
されている。従って、前記した半導体ウェーハ４を前記
金型キャビティ５内に載置供給するとき、前記金型キャ
ビティ５底面の吸引孔３１から真空引きすることによ
り、前記半導体ウェーハ４を前記金型キャビティ５底面
の所定位置に吸着・固定することができる。
ティ５の底面には前記金型キャビティ５底面に前記半導
体ウェーハ４を吸着固定する半導体ウェーハの吸着固定
手段（例えば、所要数の吸着孔）３１が設けられて構成
されている。従って、前記した半導体ウェーハ４を前記
金型キャビティ５内に載置供給するとき、前記金型キャ
ビティ５底面の吸引孔３１から真空引きすることによ
り、前記半導体ウェーハ４を前記金型キャビティ５底面
の所定位置に吸着・固定することができる。
【００１２】また、図例に示すように、前記した下型面
におけるキャビティ５の外周囲に設けられた係止部材10
の外周囲に対応する上下両型面の所定位置には、前記両
型１・２の型締時に、前記フィルム７を挟持して前記両
型面間に固定する前記フィルムの固定部材が設けられる
と共に、前記した固定部材は、下型面に設けられた環状
凸部３２と、上型面に設けられた前記下型環状凸部３２
に対応する環状凹部３３（周溝）と、前記凹部３３に設
けられた吸引排出機構３５とから構成されている。従っ
て、前記上型環状凹部３３内から前記吸引排出機構３５
で強制的に空気等を吸引排出することによって前記上型
面に前記フィルム７を吸着固定することができるように
構成されている。また、前記両型１・２の型締時に、前
記した固定部材の環状凸部３２と環状凹部３３を嵌合し
且つ前記上型環状凹部３３内から前記吸引排出機構３５
で強制的に空気等を吸引排出して前記フィルム７を前記
凹部３３内に引き込み伸張することにより、前記フィル
ム７のしわを伸ばして除去することができるように構成
されている。また、前記したフィルムの固定部材（前記
した凹部３３と凸部３２との組み合わせ）を、単数個或
いは複数個設ける構成を採用することができる。
におけるキャビティ５の外周囲に設けられた係止部材10
の外周囲に対応する上下両型面の所定位置には、前記両
型１・２の型締時に、前記フィルム７を挟持して前記両
型面間に固定する前記フィルムの固定部材が設けられる
と共に、前記した固定部材は、下型面に設けられた環状
凸部３２と、上型面に設けられた前記下型環状凸部３２
に対応する環状凹部３３（周溝）と、前記凹部３３に設
けられた吸引排出機構３５とから構成されている。従っ
て、前記上型環状凹部３３内から前記吸引排出機構３５
で強制的に空気等を吸引排出することによって前記上型
面に前記フィルム７を吸着固定することができるように
構成されている。また、前記両型１・２の型締時に、前
記した固定部材の環状凸部３２と環状凹部３３を嵌合し
且つ前記上型環状凹部３３内から前記吸引排出機構３５
で強制的に空気等を吸引排出して前記フィルム７を前記
凹部３３内に引き込み伸張することにより、前記フィル
ム７のしわを伸ばして除去することができるように構成
されている。また、前記したフィルムの固定部材（前記
した凹部３３と凸部３２との組み合わせ）を、単数個或
いは複数個設ける構成を採用することができる。
【００１３】また、前記した金型には、少なくとも金型
キャビティ５を含む成形部を外気遮断状態に設定して構
成した少なくとも前記成形部を含む外気遮断範囲３４か
ら真空引きする真空引き機構（図示なし)が設けられる
と共に、前記外気遮断範囲３５から前記真空引き機構で
真空引きして少なくとも前記キャビティ５を含む成形部
を所定の真空状態にすることができるように構成されて
いる。
キャビティ５を含む成形部を外気遮断状態に設定して構
成した少なくとも前記成形部を含む外気遮断範囲３４か
ら真空引きする真空引き機構（図示なし)が設けられる
と共に、前記外気遮断範囲３５から前記真空引き機構で
真空引きして少なくとも前記キャビティ５を含む成形部
を所定の真空状態にすることができるように構成されて
いる。
【００１４】即ち、まず、前記上型１の型面に前記フィ
ルム７を張設すると共に、前記上型１の環状凹部３３な
いから前記吸引排出機構３５で強制的に空気等を吸引排
出することにより、前記フィルム７を前記上型面に効率
良く吸着・固定することができる。次に、前記下型キャ
ビティ５内における底面の所定位置に前記半導体ウェー
ハ４を前記バンプ３の装着面を上面にした状態で供給セ
ットし、且つ、前記バンプ装着面上に前記樹脂材料６を
所要量供給する。このとき、前記吸着固定手段３１にて
前記半導体ウェーハ４を前記キャビティ５底面に効率良
く吸着・固定することができる。次に、前記下型２を上
動して前記両型面間を所要の間隔で保持する中間型締め
を行うと共に、少なくとも前記キャビティ５を含む成形
部を外気遮断状態にして外気遮断範囲３４を形成し、前
記外気遮断範囲３４から前記真空引き機構で真空引きす
ることにより、少なくともキャビティ５内（前記外気遮
断範囲３４）を所定の真空状態にする。次に、前記下型
２を上動して前記両型面を接合する前記金型の完全型締
めを行うと共に、前記固定部材の凸部と凹部とを嵌合す
る。このとき、前記係止部材１０で前記フィルム７は前
記両型面間に係止され、且つ、前記フィルム７は前記凹
部３２内に引き込まれて前記フィルム７は伸張すること
になるので、前記フィルム７のしわを伸ばして効率良く
除去することができる。次に、前記キャビティ５内に供
給された樹脂材料６を加熱溶融化する。また、次に、前
記上下動機構９で前記した押圧部材８（の押圧面）を
（前記キャビティ５内における下型面の下方位置方向
に）下動して前記フィルム７を前記キャビティ５内に押
圧伸張させることによって、前記フィルム７を前記バン
プ３の先端部に当接すると共に、前記押圧部材８で前記
キャビティ５内の樹脂を前記フィルム７を介して所定の
樹脂圧で加圧する。このとき、前記フィルム７で少なく
とも前記バンプ３の先端部を樹脂と接触しない状態に構
成することができる。また、このとき、前記フィルム７
に発生するフィルムのしわを伸張して除去することがで
きると共に、前記キャビティ５内を前記フィルム７でシ
ールすることによって前記キャビティ５内に樹脂を密封
することができる。硬化に必要な所要時間の経過後、前
記両型１・２を型開きすると共に、前記両型間に樹脂被
覆ウェーハ１２を前記フィルム７に付着した状態で離型
することができる。即ち、前記ウェーハ４に装着された
バンプ３の先端部を樹脂１１の表面に露出した状態で前
記樹脂被覆ウェーハ１２を形成することができるので、
従来例に示すような弊害をなくして、樹脂被覆ウェーハ
の生産性を向上させることができると共に、高品質性・
高信頼性の樹脂被覆ウェーハを得ることができる。ま
た、少なくとも前記したキャビティ５を含む成形部を所
定の真空状態にして樹脂被覆することができるので、前
記半導体ウェーハ４のバンプ３装着面を被覆する樹脂１
１に発生する気泡（ボイド）及び欠損部を効率良く防止
することができる。
ルム７を張設すると共に、前記上型１の環状凹部３３な
いから前記吸引排出機構３５で強制的に空気等を吸引排
出することにより、前記フィルム７を前記上型面に効率
良く吸着・固定することができる。次に、前記下型キャ
ビティ５内における底面の所定位置に前記半導体ウェー
ハ４を前記バンプ３の装着面を上面にした状態で供給セ
ットし、且つ、前記バンプ装着面上に前記樹脂材料６を
所要量供給する。このとき、前記吸着固定手段３１にて
前記半導体ウェーハ４を前記キャビティ５底面に効率良
く吸着・固定することができる。次に、前記下型２を上
動して前記両型面間を所要の間隔で保持する中間型締め
を行うと共に、少なくとも前記キャビティ５を含む成形
部を外気遮断状態にして外気遮断範囲３４を形成し、前
記外気遮断範囲３４から前記真空引き機構で真空引きす
ることにより、少なくともキャビティ５内（前記外気遮
断範囲３４）を所定の真空状態にする。次に、前記下型
２を上動して前記両型面を接合する前記金型の完全型締
めを行うと共に、前記固定部材の凸部と凹部とを嵌合す
る。このとき、前記係止部材１０で前記フィルム７は前
記両型面間に係止され、且つ、前記フィルム７は前記凹
部３２内に引き込まれて前記フィルム７は伸張すること
になるので、前記フィルム７のしわを伸ばして効率良く
除去することができる。次に、前記キャビティ５内に供
給された樹脂材料６を加熱溶融化する。また、次に、前
記上下動機構９で前記した押圧部材８（の押圧面）を
（前記キャビティ５内における下型面の下方位置方向
に）下動して前記フィルム７を前記キャビティ５内に押
圧伸張させることによって、前記フィルム７を前記バン
プ３の先端部に当接すると共に、前記押圧部材８で前記
キャビティ５内の樹脂を前記フィルム７を介して所定の
樹脂圧で加圧する。このとき、前記フィルム７で少なく
とも前記バンプ３の先端部を樹脂と接触しない状態に構
成することができる。また、このとき、前記フィルム７
に発生するフィルムのしわを伸張して除去することがで
きると共に、前記キャビティ５内を前記フィルム７でシ
ールすることによって前記キャビティ５内に樹脂を密封
することができる。硬化に必要な所要時間の経過後、前
記両型１・２を型開きすると共に、前記両型間に樹脂被
覆ウェーハ１２を前記フィルム７に付着した状態で離型
することができる。即ち、前記ウェーハ４に装着された
バンプ３の先端部を樹脂１１の表面に露出した状態で前
記樹脂被覆ウェーハ１２を形成することができるので、
従来例に示すような弊害をなくして、樹脂被覆ウェーハ
の生産性を向上させることができると共に、高品質性・
高信頼性の樹脂被覆ウェーハを得ることができる。ま
た、少なくとも前記したキャビティ５を含む成形部を所
定の真空状態にして樹脂被覆することができるので、前
記半導体ウェーハ４のバンプ３装着面を被覆する樹脂１
１に発生する気泡（ボイド）及び欠損部を効率良く防止
することができる。
【００１５】また、前記した実施例において、前記固定
部材（前記した凹部３３と凸部３２と吸引排出機構３
５）を複数個設けた構成の場合、前記した両型の型締時
に、前記凹部３２内から、略同時的に、或いは、各別
に、或いは、外側の凹部３２から順次に、或いは、任意
に且つ適宜に、強制的に吸引排出して前記凹部３２内に
前記フィルム７を引き込み伸張して前記フィルム７のし
わを伸ばす構成を採用することができる。
部材（前記した凹部３３と凸部３２と吸引排出機構３
５）を複数個設けた構成の場合、前記した両型の型締時
に、前記凹部３２内から、略同時的に、或いは、各別
に、或いは、外側の凹部３２から順次に、或いは、任意
に且つ適宜に、強制的に吸引排出して前記凹部３２内に
前記フィルム７を引き込み伸張して前記フィルム７のし
わを伸ばす構成を採用することができる。
【００１６】また、前記した実施例の中間型締時におい
て、前記下型２を継続して上動させる構成を採用するこ
とができる。
て、前記下型２を継続して上動させる構成を採用するこ
とができる。
【００１７】なお、図４（１）・図４（２）に示す樹脂
被覆ウェーハ１２は、図４（２）に示すチップ１３毎に
切断分離され、図４（３）に示す樹脂被覆チップ１４が
形成されると共に、前記した樹脂被覆チップ１４の樹脂
１１の表面に露出したバンプ３の先端部を、例えば、基
板等と電気的に接続することができるように構成されて
いる。
被覆ウェーハ１２は、図４（２）に示すチップ１３毎に
切断分離され、図４（３）に示す樹脂被覆チップ１４が
形成されると共に、前記した樹脂被覆チップ１４の樹脂
１１の表面に露出したバンプ３の先端部を、例えば、基
板等と電気的に接続することができるように構成されて
いる。
【００１８】また、前記した実施例においては、金型に
単数個のキャビティを設ける構成を例示したが、金型に
複数個のキャビティを設ける構成を採用してもよい。
単数個のキャビティを設ける構成を例示したが、金型に
複数個のキャビティを設ける構成を採用してもよい。
【００１９】また、前記した実施例では、粉末状或いは
顆粒状樹脂材料を用いる構成を例示したが、例えば、樹
脂タブレット等の種々の形状の樹脂材料を用いることが
できる。また、前記した実施例では、熱硬化性樹脂材料
を用いる構成を例示したが、例えば、熱可塑性樹脂材料
等を採用することができる。
顆粒状樹脂材料を用いる構成を例示したが、例えば、樹
脂タブレット等の種々の形状の樹脂材料を用いることが
できる。また、前記した実施例では、熱硬化性樹脂材料
を用いる構成を例示したが、例えば、熱可塑性樹脂材料
等を採用することができる。
【００２０】本発明は、上述した各実施例に限定される
ものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必
要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用でき
るものである。
ものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必
要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用でき
るものである。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂被覆ウェーハの生
産性を向上させることができる半導体ウェハーの樹脂被
覆方法を提供することができると云った優れた効果を奏
するものである。
産性を向上させることができる半導体ウェハーの樹脂被
覆方法を提供することができると云った優れた効果を奏
するものである。
【００２２】また、本発明によれば、高品質性・高信頼
性の樹脂被覆ウェーハを得ることができる半導体ウェハ
ーの樹脂被覆方法を提供することができると云う優れた
効果を奏するものである。
性の樹脂被覆ウェーハを得ることができる半導体ウェハ
ーの樹脂被覆方法を提供することができると云う優れた
効果を奏するものである。
【図１】図１（１）・図１（２）は本発明に係る半導体
ウェーハの樹脂被覆金型を概略的に示す概略縦断面図で
あって、図１（１）は半導体ウェーハとフィルムとの供
給状態を示し、図１（２）は前記した半導体ウェーハの
吸着・固定状態を示している。
ウェーハの樹脂被覆金型を概略的に示す概略縦断面図で
あって、図１（１）は半導体ウェーハとフィルムとの供
給状態を示し、図１（２）は前記した半導体ウェーハの
吸着・固定状態を示している。
【図２】図２（１）・図２（２）は本発明に係る半導体
ウェーハの樹脂被覆金型を概略的に示す概略縦断面図で
あって、図２（１）は、樹脂材料の供給状態を示し、図
２（２）は前記して金型に形成した外気遮断範囲から真
空引きした状態を示しているる
ウェーハの樹脂被覆金型を概略的に示す概略縦断面図で
あって、図２（１）は、樹脂材料の供給状態を示し、図
２（２）は前記して金型に形成した外気遮断範囲から真
空引きした状態を示しているる
【図３】図３（１）・図３（２）は本発明に係る半導体
ウェーハの樹脂被覆金型を概略的に示す概略縦断面図で
あって、図３（１）は半導体ウェーハのバンプ先端部に
フィルムを当接した状態を示し、図３（２）は金型を型
開きして樹脂被覆ウェーハを離型した状態を示してい
る。
ウェーハの樹脂被覆金型を概略的に示す概略縦断面図で
あって、図３（１）は半導体ウェーハのバンプ先端部に
フィルムを当接した状態を示し、図３（２）は金型を型
開きして樹脂被覆ウェーハを離型した状態を示してい
る。
【図４】図４（１）は樹脂被覆ウェーハを概略的に示す
一部切欠概略側面図であり、図４（２）は図４（１）に
示す樹脂被覆ウェーハの概略底面図であり、図４（３）
は前記樹脂被覆ウェーハを切断分離して形成した樹脂被
覆チップを概略的に示す概略縦断面図である。
一部切欠概略側面図であり、図４（２）は図４（１）に
示す樹脂被覆ウェーハの概略底面図であり、図４（３）
は前記樹脂被覆ウェーハを切断分離して形成した樹脂被
覆チップを概略的に示す概略縦断面図である。
【図５】図５（１）・図５（２）は従来の樹脂被覆金型
を概略的に示す概略縦断面図である。
を概略的に示す概略縦断面図である。
１ 固定上型 ２ 可動下型 ３ バンプ ４ 半導体ウェーハ ５ キャビティ ６ 樹脂材料 ７ フィルム ８ 押圧部材 ９ 上下動機構 １０ 係止部材 １１ 樹脂 １２ 樹脂被覆ウェーハ １３ チップ １４ 樹脂被覆チップ ３１ 半導体ウェーハの吸着固定手段 ３２ 環状凸部 ３３ 環状凹部 ３４ 外気遮断範囲 ３５ 吸引排出機構
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F204 AC01 AC04 AD02 AD05 AG03 AH33 AM28 AM33 FA01 FB01 FB12 FB20 FB23 FB24 FE06 FE27 FF01 FF05 FF23 FF50 FG02 FG07 FH06 FJ30 FN11 FN12 FN15 FN20 5F061 AA01 BA07 CA21 DA06 DD04
Claims (2)
- 【請求項１】 バンプを装着した半導体ウェーハのバン
プ装着面を樹脂で被覆する樹脂被覆用金型の一方の型面
に設けた樹脂被覆用金型キャビティの底面の所定位置に
前記半導体ウェーハを、前記バンプ装着面を前記金型キ
ャビティ底面とは反対側にした状態で、載置供給する半
導体ウェーハの供給工程と、 前記金型の他方の型面にバンプ露出用フィルムを張設す
るフィルムの張設工程と、 前記半導体ウェーハの供給工程時に、前記金型キャビテ
ィ底面に前記ウェーハを吸着・固定する半導体ウェーハ
の吸着・固定工程と、 前記フィルムの張設工程時に、前記金型の他方の型面に
前記フィルムを吸着・固定するフィルムの吸着・固定工
程と、 前記金型キャビティ内に樹脂材料を所要量供給する樹脂
材料の供給工程と、 前記金型を型締めする金型の型締工程と、 前記金型キャビティ内で前記樹脂材料を加熱溶融化する
樹脂材料の加熱溶融化工程と、 前記金型の他方の型面に設けた押圧部材で前記フィルム
を前記金型キャビティ方向に押圧する押圧部材による押
圧工程と、 前記押圧部材による押圧工程時に、前記金型キャビティ
内で前記バンプ先端部に前記フィルムを当接するフィル
ムの当接工程と、 前記押圧部材による押圧工程時に、前記フィルムを介し
て前記金型キャビティ内の樹脂を加圧することによって
前記した半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂で被覆す
る半導体ウェーハの樹脂被覆成形工程と、 前記金型を型開きして前記金型キャビティ内から前記バ
ンプ装着面を樹脂で被覆した樹脂被覆半導体ウェーハを
離型する樹脂被覆ウェーハの離型工程とを備えたことを
特徴とする半導体ウェハーの樹脂被覆方法。 - 【請求項２】 金型の型締工程時に、少なくとも金型キ
ャビティ内を真空引きして所定の真空状態にすることを
特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハーの樹脂被覆
方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06410299A JP4011781B2 (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 半導体ウェーハの樹脂被覆方法 |
| SG200001259A SG92685A1 (en) | 1999-03-10 | 2000-03-07 | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
| KR1020000011433A KR100357362B1 (ko) | 1999-03-10 | 2000-03-08 | 반도체 웨이퍼의 수지 피복 방법 및 이에 사용되는 금형 |
| EP00301890A EP1035572A3 (en) | 1999-03-10 | 2000-03-08 | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
| TW089104272A TW460989B (en) | 1999-03-10 | 2000-03-09 | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
| MYPI20000901A MY120473A (en) | 1999-03-10 | 2000-03-09 | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
| US09/523,420 US6346433B1 (en) | 1999-03-10 | 2000-03-10 | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06410299A JP4011781B2 (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 半導体ウェーハの樹脂被覆方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260796A true JP2000260796A (ja) | 2000-09-22 |
| JP4011781B2 JP4011781B2 (ja) | 2007-11-21 |
Family
ID=13248390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06410299A Expired - Fee Related JP4011781B2 (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 半導体ウェーハの樹脂被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4011781B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002166449A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-11 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法 |
| JP2005219297A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置 |
| US6995038B2 (en) | 2003-07-31 | 2006-02-07 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2009509349A (ja) * | 2005-09-22 | 2009-03-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 取り外し可能な縁部延長要素を有するマイクロ電子基板 |
| JP2009066903A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 樹脂封止金型 |
| JP2010023319A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Quadrant Plastic Composites Japan Ltd | スタンピング成形方法及びスタンピング成形型 |
| JP2012044139A (ja) * | 2010-08-16 | 2012-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 半導体装置を封止するシステム及び方法 |
| WO2013047653A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 撮像レンズユニット及び撮像レンズユニットの製造方法 |
| KR101421822B1 (ko) | 2011-11-28 | 2014-07-22 | 도시바 기카이 가부시키가이샤 | 작업물 설치 장치 및 작업물 설치 방법 |
| JP2015030235A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂封止金型、樹脂封止方法、および樹脂封止金型のクリーニング方法 |
| JP2015082607A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | 第一精工株式会社 | 樹脂封止金型およびこれを用いた樹脂封止装置、樹脂封止方法 |
-
1999
- 1999-03-10 JP JP06410299A patent/JP4011781B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002166449A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-11 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法 |
| US6995038B2 (en) | 2003-07-31 | 2006-02-07 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
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| US8202460B2 (en) | 2005-09-22 | 2012-06-19 | International Business Machines Corporation | Microelectronic substrate having removable edge extension element |
| JP2009509349A (ja) * | 2005-09-22 | 2009-03-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 取り外し可能な縁部延長要素を有するマイクロ電子基板 |
| JP2009066903A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 樹脂封止金型 |
| JP2010023319A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Quadrant Plastic Composites Japan Ltd | スタンピング成形方法及びスタンピング成形型 |
| JP2012044139A (ja) * | 2010-08-16 | 2012-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 半導体装置を封止するシステム及び方法 |
| WO2013047653A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 撮像レンズユニット及び撮像レンズユニットの製造方法 |
| US9151925B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-10-06 | Konica Minolta, Inc. | Image pickup lens unit and method for manufacturing image pickup lens unit |
| KR101421822B1 (ko) | 2011-11-28 | 2014-07-22 | 도시바 기카이 가부시키가이샤 | 작업물 설치 장치 및 작업물 설치 방법 |
| JP2015030235A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂封止金型、樹脂封止方法、および樹脂封止金型のクリーニング方法 |
| JP2015082607A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | 第一精工株式会社 | 樹脂封止金型およびこれを用いた樹脂封止装置、樹脂封止方法 |
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|---|---|
| JP4011781B2 (ja) | 2007-11-21 |
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