JP2000262044A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電荷保持期間に大きな電圧を供給しなくては
ならず、負荷容量１６の電圧に脈動が生じてしまう。 【解決手段】 電圧検出回路２１により所定の電圧が検
出された負荷容量１６の電荷保持期間には、電源６の電
圧を所定段数加えて所定の電圧以上になり、かつ最小の
所定段数の充電回路の容量８に充電された電荷を負荷容
量１６に供給するようにスイッチ７，９，１１〜１５を
制御するスイッチ制御回路２２を備えるように構成し、
負荷容量１６の電荷保持期間における負荷容量１６の電
圧の脈動を緩和すると共に、電圧検出回路２１の分圧抵
抗２３，２４を介する漏洩による電流の損失も緩和す
る。
ならず、負荷容量１６の電圧に脈動が生じてしまう。 【解決手段】 電圧検出回路２１により所定の電圧が検
出された負荷容量１６の電荷保持期間には、電源６の電
圧を所定段数加えて所定の電圧以上になり、かつ最小の
所定段数の充電回路の容量８に充電された電荷を負荷容
量１６に供給するようにスイッチ７，９，１１〜１５を
制御するスイッチ制御回路２２を備えるように構成し、
負荷容量１６の電荷保持期間における負荷容量１６の電
圧の脈動を緩和すると共に、電圧検出回路２１の分圧抵
抗２３，２４を介する漏洩による電流の損失も緩和す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、負荷容量を昇圧
する昇圧回路を備えた半導体集積回路装置に関するもの
である。
する昇圧回路を備えた半導体集積回路装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図１２は従来の昇圧回路を備えた半導体
集積回路装置を示す回路図であり、図において、１〜４
は４段構成された充電回路、５は昇圧回路である。充電
回路１〜４において、６は電源、７はＦＥＴなどによっ
て構成されたスイッチ、８はトランジスタのゲート容
量、およびウエル容量などの容量、９はＦＥＴなどによ
って構成されたスイッチ、１０はグランドである。ここ
で、容量８の陽極にはスイッチ７が接続され、容量８の
陰極にはスイッチ９が接続されている。また、昇圧回路
５において、６は電源、１１は電源６と充電回路１とを
直列に接続するスイッチ、１２〜１４はそれぞれ充電回
路１〜４間を直列に接続するスイッチ、１５は最終段の
充電回路４と負荷容量１６とを直列に接続するスイッ
チ、１０はグランドである。ここで、負荷容量１６は、
フラッシュメモリのワード線などのトランジスタのゲー
ト容量、およびウエル容量などに相当するものであり、
容量８に比べて大きな容量である。
集積回路装置を示す回路図であり、図において、１〜４
は４段構成された充電回路、５は昇圧回路である。充電
回路１〜４において、６は電源、７はＦＥＴなどによっ
て構成されたスイッチ、８はトランジスタのゲート容
量、およびウエル容量などの容量、９はＦＥＴなどによ
って構成されたスイッチ、１０はグランドである。ここ
で、容量８の陽極にはスイッチ７が接続され、容量８の
陰極にはスイッチ９が接続されている。また、昇圧回路
５において、６は電源、１１は電源６と充電回路１とを
直列に接続するスイッチ、１２〜１４はそれぞれ充電回
路１〜４間を直列に接続するスイッチ、１５は最終段の
充電回路４と負荷容量１６とを直列に接続するスイッ
チ、１０はグランドである。ここで、負荷容量１６は、
フラッシュメモリのワード線などのトランジスタのゲー
ト容量、およびウエル容量などに相当するものであり、
容量８に比べて大きな容量である。
【０００３】次に動作について説明する。フラッシュメ
モリのワード線などによって、そのフラッシュメモリに
書き込みおよび消去したい場合、そのワード線を所定の
電圧にしなくてはならない。しかしながら、ワード線に
はトランジスタのゲート容量、およびウエル容量などの
負荷容量１６があるので、図１２で示した昇圧回路５に
よってその負荷容量１６の電圧を所定の電圧に昇圧しな
くてはならない。図１３は従来の昇圧回路を備えた半導
体集積回路装置の昇圧期間における充電状態を示す回路
図であり、図に示すように、スイッチ７，９をオン、ス
イッチ１１〜１５をオフにして、各充電回路１〜４の容
量８を充電する。ここで、電源６の電圧をＶＤＤとすれ
ば、各容量８にはＶＤＤの電圧が印加され、各容量８に
はそのＶＤＤの電圧に応じた電荷が蓄えられる。図１４
は従来の昇圧回路を備えた半導体集積回路装置の昇圧期
間における放電状態を示す回路図であり、図に示すよう
に、次にスイッチ７，９をオフ、スイッチ１１〜１５を
オンにして、各充電回路１〜４の容量８に充電された電
荷を放電し、負荷容量１６の電圧を昇圧する。ここで、
電源６の電圧をＶＤＤとすれば、充電回路４から出力さ
れる電圧は５ＶＤＤに高められ、負荷容量１６には５Ｖ
ＤＤの電圧で電荷が供給される。
モリのワード線などによって、そのフラッシュメモリに
書き込みおよび消去したい場合、そのワード線を所定の
電圧にしなくてはならない。しかしながら、ワード線に
はトランジスタのゲート容量、およびウエル容量などの
負荷容量１６があるので、図１２で示した昇圧回路５に
よってその負荷容量１６の電圧を所定の電圧に昇圧しな
くてはならない。図１３は従来の昇圧回路を備えた半導
体集積回路装置の昇圧期間における充電状態を示す回路
図であり、図に示すように、スイッチ７，９をオン、ス
イッチ１１〜１５をオフにして、各充電回路１〜４の容
量８を充電する。ここで、電源６の電圧をＶＤＤとすれ
ば、各容量８にはＶＤＤの電圧が印加され、各容量８に
はそのＶＤＤの電圧に応じた電荷が蓄えられる。図１４
は従来の昇圧回路を備えた半導体集積回路装置の昇圧期
間における放電状態を示す回路図であり、図に示すよう
に、次にスイッチ７，９をオフ、スイッチ１１〜１５を
オンにして、各充電回路１〜４の容量８に充電された電
荷を放電し、負荷容量１６の電圧を昇圧する。ここで、
電源６の電圧をＶＤＤとすれば、充電回路４から出力さ
れる電圧は５ＶＤＤに高められ、負荷容量１６には５Ｖ
ＤＤの電圧で電荷が供給される。
【０００４】負荷容量１６は、その容量が大きいので、
昇圧回路５の１回の電荷の供給では所定の電圧に到達し
ないので、上記昇圧回路５の充電および放電を複数回繰
り返すことにより、負荷容量１６の電圧が所定の電圧に
なるまで昇圧する。しかしながら、負荷容量１６に供給
された電荷は、そのフラッシメモリのワード線の回路の
使用により電流が消費され、負荷容量１６の電圧が所定
の電圧以下に下がるので、随時、昇圧回路５から５ＶＤ
Ｄの電圧を負荷容量１６に供給して、常時、負荷容量１
６の電圧が所定の電圧以上になるようにする。図５は負
荷容量の昇圧期間および電荷保持期間の電圧特性を示す
特性図であり、図に示すように、負荷容量１６の電圧は
徐々に上昇し、所定の電圧に達したらほぼ一定の電圧に
なる。
昇圧回路５の１回の電荷の供給では所定の電圧に到達し
ないので、上記昇圧回路５の充電および放電を複数回繰
り返すことにより、負荷容量１６の電圧が所定の電圧に
なるまで昇圧する。しかしながら、負荷容量１６に供給
された電荷は、そのフラッシメモリのワード線の回路の
使用により電流が消費され、負荷容量１６の電圧が所定
の電圧以下に下がるので、随時、昇圧回路５から５ＶＤ
Ｄの電圧を負荷容量１６に供給して、常時、負荷容量１
６の電圧が所定の電圧以上になるようにする。図５は負
荷容量の昇圧期間および電荷保持期間の電圧特性を示す
特性図であり、図に示すように、負荷容量１６の電圧は
徐々に上昇し、所定の電圧に達したらほぼ一定の電圧に
なる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
装置は以上のように構成されているので、充電回路１〜
４を任意の所定段数に制御する技術概念がなく、常に全
段の充電回路１〜４から出力された５ＶＤＤの電圧を昇
圧回路５の出力として負荷容量１６に供給していたの
で、負荷容量１６の電圧が所定の電圧に達した後の電荷
保持期間においても、フラッシメモリのワード線の回路
の使用により補充が必要な電荷量が少ないのにもかかわ
らず、大きな５ＶＤＤの電圧を供給しなくてはならず、
負荷容量１６の電圧に脈動（リップル）が生じてしまう
課題があった。図１５は従来の負荷容量の昇圧期間およ
び電荷保持期間の電圧特性を示す特性図であり、図に示
すように、電荷保持期間の負荷容量１６の電圧に脈動が
生じている。また、充電回路１〜４を任意の所定段数に
制御する技術概念がないので、負荷容量１６をその充電
回路１〜４の任意の所定段数に応じて異なる複数値の所
定電圧に昇圧することができないなどの課題があった。
装置は以上のように構成されているので、充電回路１〜
４を任意の所定段数に制御する技術概念がなく、常に全
段の充電回路１〜４から出力された５ＶＤＤの電圧を昇
圧回路５の出力として負荷容量１６に供給していたの
で、負荷容量１６の電圧が所定の電圧に達した後の電荷
保持期間においても、フラッシメモリのワード線の回路
の使用により補充が必要な電荷量が少ないのにもかかわ
らず、大きな５ＶＤＤの電圧を供給しなくてはならず、
負荷容量１６の電圧に脈動（リップル）が生じてしまう
課題があった。図１５は従来の負荷容量の昇圧期間およ
び電荷保持期間の電圧特性を示す特性図であり、図に示
すように、電荷保持期間の負荷容量１６の電圧に脈動が
生じている。また、充電回路１〜４を任意の所定段数に
制御する技術概念がないので、負荷容量１６をその充電
回路１〜４の任意の所定段数に応じて異なる複数値の所
定電圧に昇圧することができないなどの課題があった。
【０００６】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、電荷保持期間の負荷容量の電圧の
脈動、および電圧検出回路による電流の損失を低減する
ことができる半導体集積回路装置を得ることを目的とす
る。
めになされたもので、電荷保持期間の負荷容量の電圧の
脈動、および電圧検出回路による電流の損失を低減する
ことができる半導体集積回路装置を得ることを目的とす
る。
【０００７】また、この発明は、負荷容量を複数値の所
定電圧に昇圧することができる半導体集積回路装置を得
ることを目的とする。
定電圧に昇圧することができる半導体集積回路装置を得
ることを目的とする。
【０００８】さらに、この発明は、電源の電圧の大きさ
にかかわらず所定回の切り換えで負荷容量を所定電圧に
昇圧することができる半導体集積回路装置を得ることを
目的とする。
にかかわらず所定回の切り換えで負荷容量を所定電圧に
昇圧することができる半導体集積回路装置を得ることを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路装置は、電圧検出回路により所定の電圧が検出さ
れた負荷容量の電荷保持期間には、負荷容量の電荷保持
に必要最小限に設定された所定段数の充電回路の容量に
充電された電荷を負荷容量へ供給するように第１および
第２の充電用スイッチと第１および第２の放電用スイッ
チを制御するスイッチ制御回路を備えたものである。
積回路装置は、電圧検出回路により所定の電圧が検出さ
れた負荷容量の電荷保持期間には、負荷容量の電荷保持
に必要最小限に設定された所定段数の充電回路の容量に
充電された電荷を負荷容量へ供給するように第１および
第２の充電用スイッチと第１および第２の放電用スイッ
チを制御するスイッチ制御回路を備えたものである。
【００１０】この発明に係る半導体集積回路装置は、負
荷容量の電荷保持期間には、発振回路から発生されたパ
ルスに同期して負荷容量の電荷保持に必要最小限に設定
された所定段数の充電回路の容量に充電された電荷を負
荷容量へ供給するように第１および第２の充電用スイッ
チと第１および第２の放電用スイッチを制御するスイッ
チ制御回路を備えたものである。
荷容量の電荷保持期間には、発振回路から発生されたパ
ルスに同期して負荷容量の電荷保持に必要最小限に設定
された所定段数の充電回路の容量に充電された電荷を負
荷容量へ供給するように第１および第２の充電用スイッ
チと第１および第２の放電用スイッチを制御するスイッ
チ制御回路を備えたものである。
【００１１】この発明に係る半導体集積回路装置は、負
荷容量の昇圧期間には、負荷容量の昇圧したい任意の複
数値の所定電圧に応じて設定された複数種類の所定段数
の充電回路の容量に充電された電荷を放電させて負荷容
量へ供給して負荷容量を複数値の所定電圧に昇圧するよ
うに第１および第２の充電用スイッチと第１および第２
の放電用スイッチを複数回の切り換え制御するスイッチ
制御回路を備えたものである。
荷容量の昇圧期間には、負荷容量の昇圧したい任意の複
数値の所定電圧に応じて設定された複数種類の所定段数
の充電回路の容量に充電された電荷を放電させて負荷容
量へ供給して負荷容量を複数値の所定電圧に昇圧するよ
うに第１および第２の充電用スイッチと第１および第２
の放電用スイッチを複数回の切り換え制御するスイッチ
制御回路を備えたものである。
【００１２】この発明に係る半導体集積回路装置は、負
荷容量の昇圧期間には、電源の電圧に応じて設定された
所定段数の充電回路の容量に充電された電荷を放電させ
て負荷容量に供給して負荷容量を電源の電圧の大きさに
かかわらず所定回の第１および第２の充電用スイッチと
第１および第２の放電用スイッチの切り換えによって所
定電圧に昇圧するように制御するスイッチ制御回路を備
えたものである。
荷容量の昇圧期間には、電源の電圧に応じて設定された
所定段数の充電回路の容量に充電された電荷を放電させ
て負荷容量に供給して負荷容量を電源の電圧の大きさに
かかわらず所定回の第１および第２の充電用スイッチと
第１および第２の放電用スイッチの切り換えによって所
定電圧に昇圧するように制御するスイッチ制御回路を備
えたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１による昇
圧回路を備えた半導体集積回路装置を示す回路図であ
り、図において、１〜４は４段構成された充電回路、５
は昇圧回路である。充電回路１〜４において、６は電
源、７はＦＥＴなどによって構成されたスイッチ（第１
の充電用スイッチ）、８はトランジスタのゲート容量、
およびウエル容量などの容量、９はＦＥＴなどによって
構成されたスイッチ（第２の充電用スイッチ）、１０は
グランドである。ここで、容量８の陽極にはスイッチ７
が接続され、容量８の陰極にはスイッチ９が接続されて
いる。また、昇圧回路５において、６は電源、１１は電
源６と充電回路１とを直列に接続するスイッチ、１２〜
１４はそれぞれ充電回路１〜４間を直列に接続するスイ
ッチ（第１の放電用スイッチ）、１５は最終段の充電回
路４と負荷容量１６とを直列に接続するスイッチ（第２
の放電用スイッチ）、１０はグランドである。ここで、
負荷容量１６は、フラッシュメモリのワード線などのト
ランジスタのゲート容量、およびウエル容量などに相当
するものであり、容量８に比べて大きな容量である。
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１による昇
圧回路を備えた半導体集積回路装置を示す回路図であ
り、図において、１〜４は４段構成された充電回路、５
は昇圧回路である。充電回路１〜４において、６は電
源、７はＦＥＴなどによって構成されたスイッチ（第１
の充電用スイッチ）、８はトランジスタのゲート容量、
およびウエル容量などの容量、９はＦＥＴなどによって
構成されたスイッチ（第２の充電用スイッチ）、１０は
グランドである。ここで、容量８の陽極にはスイッチ７
が接続され、容量８の陰極にはスイッチ９が接続されて
いる。また、昇圧回路５において、６は電源、１１は電
源６と充電回路１とを直列に接続するスイッチ、１２〜
１４はそれぞれ充電回路１〜４間を直列に接続するスイ
ッチ（第１の放電用スイッチ）、１５は最終段の充電回
路４と負荷容量１６とを直列に接続するスイッチ（第２
の放電用スイッチ）、１０はグランドである。ここで、
負荷容量１６は、フラッシュメモリのワード線などのト
ランジスタのゲート容量、およびウエル容量などに相当
するものであり、容量８に比べて大きな容量である。
【００１４】２１は負荷容量１６の電圧を検出する電圧
検出回路であり、その電圧検出回路２１において、２
３，２４は分圧抵抗、２５はそれら分圧抵抗２３，２４
によって分圧された負荷容量１６の電圧と基準電圧Ｖｒ
ｅｆとを比較する比較回路である。また、２２はスイッ
チ制御回路であり、負荷容量１６の昇圧期間には、各充
電回路１〜４に充電された電荷を放電させて負荷容量１
６に供給し、電圧検出回路２１により所定の電圧が検出
された負荷容量１６の電荷保持期間には、任意に設定さ
れた所定段数の充電回路の容量８に充電された電荷を負
荷容量１６に供給するようにスイッチ７，９，１１〜１
５を制御するものである。
検出回路であり、その電圧検出回路２１において、２
３，２４は分圧抵抗、２５はそれら分圧抵抗２３，２４
によって分圧された負荷容量１６の電圧と基準電圧Ｖｒ
ｅｆとを比較する比較回路である。また、２２はスイッ
チ制御回路であり、負荷容量１６の昇圧期間には、各充
電回路１〜４に充電された電荷を放電させて負荷容量１
６に供給し、電圧検出回路２１により所定の電圧が検出
された負荷容量１６の電荷保持期間には、任意に設定さ
れた所定段数の充電回路の容量８に充電された電荷を負
荷容量１６に供給するようにスイッチ７，９，１１〜１
５を制御するものである。
【００１５】次に動作について説明する。フラッシュメ
モリのワード線などによって、そのフラッシュメモリに
書き込みおよび消去したい場合、そのワード線を所定の
電圧にしなくてはならない。しかしながら、ワード線に
はトランジスタのゲート容量、およびウエル容量などの
負荷容量１６があり、図１で示した昇圧回路５によって
その負荷容量１６の電圧を所定の電圧に昇圧する。図２
はこの発明の実施の形態１による昇圧回路を備えた半導
体集積回路装置の昇圧期間における充電状態を示す回路
図であり、図に示すように、スイッチ制御回路２２によ
る制御により、スイッチ７，９をオン、スイッチ１１〜
１５をオフにして、各充電回路１〜４の容量８を充電す
る。ここで、電源６の電圧をＶＤＤとすれば、各容量８
にはＶＤＤの電圧が印加され、各容量８にはそのＶＤＤ
の電圧に応じた電荷が蓄えられる。図３はこの発明の実
施の形態１による昇圧回路を備えた半導体集積回路装置
の昇圧期間における放電状態を示す回路図であり、図に
示すように、次にスイッチ制御回路２２による制御によ
り、スイッチ７，９をオフ、スイッチ１１〜１５をオン
にして、各充電回路１〜４の容量８に充電された電荷を
放電し、負荷容量１６の電圧を昇圧する。ここで、電源
６の電圧をＶＤＤとすれば、充電回路４から出力される
電圧は５ＶＤＤに高められ、負荷容量１６には５ＶＤＤ
の電圧で電荷が供給される。
モリのワード線などによって、そのフラッシュメモリに
書き込みおよび消去したい場合、そのワード線を所定の
電圧にしなくてはならない。しかしながら、ワード線に
はトランジスタのゲート容量、およびウエル容量などの
負荷容量１６があり、図１で示した昇圧回路５によって
その負荷容量１６の電圧を所定の電圧に昇圧する。図２
はこの発明の実施の形態１による昇圧回路を備えた半導
体集積回路装置の昇圧期間における充電状態を示す回路
図であり、図に示すように、スイッチ制御回路２２によ
る制御により、スイッチ７，９をオン、スイッチ１１〜
１５をオフにして、各充電回路１〜４の容量８を充電す
る。ここで、電源６の電圧をＶＤＤとすれば、各容量８
にはＶＤＤの電圧が印加され、各容量８にはそのＶＤＤ
の電圧に応じた電荷が蓄えられる。図３はこの発明の実
施の形態１による昇圧回路を備えた半導体集積回路装置
の昇圧期間における放電状態を示す回路図であり、図に
示すように、次にスイッチ制御回路２２による制御によ
り、スイッチ７，９をオフ、スイッチ１１〜１５をオン
にして、各充電回路１〜４の容量８に充電された電荷を
放電し、負荷容量１６の電圧を昇圧する。ここで、電源
６の電圧をＶＤＤとすれば、充電回路４から出力される
電圧は５ＶＤＤに高められ、負荷容量１６には５ＶＤＤ
の電圧で電荷が供給される。
【００１６】負荷容量１６は、その容量が大きいので、
昇圧回路５の１回の電荷の供給では所定の電圧に到達し
ないので、スイッチ制御回路２２による制御により、上
記昇圧回路５の充電および放電を複数回繰り返すことに
より、負荷容量１６の電圧が所定の電圧になるまで昇圧
する。電圧検出回路２１では、その負荷容量１６の電圧
を分圧抵抗２３，２４により分圧し、比較回路２５によ
りその分圧電圧と基準電圧Ｖｒｅｆとを比較している。
その比較回路２５によりその分圧電圧が基準電圧Ｖｒｅ
ｆに達した時、すなわち、負荷容量１６の電圧が所定の
電圧に達した時、昇圧回路５による負荷容量１６の昇圧
を停止する。しかしながら、負荷容量１６に供給された
電荷は、そのフラッシメモリのワード線の回路の使用に
より電流が消費されると共に、電圧検出回路２１の分圧
抵抗２３，２４を介してグランド１０に漏洩して、負荷
容量１６の電圧が所定の電圧以下に下がるので、昇圧回
路５から電荷を供給して、常時、負荷容量１６の電圧が
所定の電圧以上になるようにする。
昇圧回路５の１回の電荷の供給では所定の電圧に到達し
ないので、スイッチ制御回路２２による制御により、上
記昇圧回路５の充電および放電を複数回繰り返すことに
より、負荷容量１６の電圧が所定の電圧になるまで昇圧
する。電圧検出回路２１では、その負荷容量１６の電圧
を分圧抵抗２３，２４により分圧し、比較回路２５によ
りその分圧電圧と基準電圧Ｖｒｅｆとを比較している。
その比較回路２５によりその分圧電圧が基準電圧Ｖｒｅ
ｆに達した時、すなわち、負荷容量１６の電圧が所定の
電圧に達した時、昇圧回路５による負荷容量１６の昇圧
を停止する。しかしながら、負荷容量１６に供給された
電荷は、そのフラッシメモリのワード線の回路の使用に
より電流が消費されると共に、電圧検出回路２１の分圧
抵抗２３，２４を介してグランド１０に漏洩して、負荷
容量１６の電圧が所定の電圧以下に下がるので、昇圧回
路５から電荷を供給して、常時、負荷容量１６の電圧が
所定の電圧以上になるようにする。
【００１７】従来の技術では、充電回路１〜４を所定段
数に制御する技術概念がないので、全段の充電回路１〜
４から出力された５ＶＤＤの電圧を昇圧回路５の出力と
して負荷容量１６に供給していた。例えば、フラッシュ
メモリのワード線などによって、そのメモリに書き込み
および消去したい場合は、負荷容量１６の電圧を１０Ｖ
にしなくてはならないが、電源６の電圧がＶＤＤ＝２．
５Ｖの場合に、負荷容量１６の電圧が１０Ｖに達した後
の電荷保持期間においても、フラッシメモリのワード線
の回路の使用により補充が必要な電荷量が少ないのにも
かかわらず、大きな５ＶＤＤ＝１２．５Ｖの電圧を供給
しなくてはならず、負荷容量１６の電圧に脈動（リップ
ル）が生じてしまった。
数に制御する技術概念がないので、全段の充電回路１〜
４から出力された５ＶＤＤの電圧を昇圧回路５の出力と
して負荷容量１６に供給していた。例えば、フラッシュ
メモリのワード線などによって、そのメモリに書き込み
および消去したい場合は、負荷容量１６の電圧を１０Ｖ
にしなくてはならないが、電源６の電圧がＶＤＤ＝２．
５Ｖの場合に、負荷容量１６の電圧が１０Ｖに達した後
の電荷保持期間においても、フラッシメモリのワード線
の回路の使用により補充が必要な電荷量が少ないのにも
かかわらず、大きな５ＶＤＤ＝１２．５Ｖの電圧を供給
しなくてはならず、負荷容量１６の電圧に脈動（リップ
ル）が生じてしまった。
【００１８】図４はこの発明の実施の形態１による昇圧
回路を備えた半導体集積回路装置の電荷保持期間におけ
る放電状態を示す回路図であり、この実施の形態１で
は、負荷容量１６の電圧が１０Ｖに達した後の電荷保持
期間において、スイッチ制御回路２２による制御によ
り、スイッチ７と、充電回路２〜４のスイッチ９と、ス
イッチ１１をオフ、充電回路１のスイッチ９と、スイッ
チ１２〜１５をオンにして、４ＶＤＤ＝１０Ｖの電圧を
負荷容量１６に供給する。したがって、負荷容量１６の
電圧の脈動を緩和することができる。また、４ＶＤＤ＝
１０Ｖの電圧を供給するので、電荷保持期間の電圧が必
要以上に高くなることなく、電圧検出回路２１の分圧抵
抗２３，２４を介する漏洩による電荷量も大きくなるこ
となく、電流の損失も緩和することができる。図５は負
荷容量の昇圧期間および電荷保持期間の電圧特性を示す
特性図であり、図に示すように、負荷容量１６の電圧は
徐々に上昇し、所定の電圧に達したらほぼ一定の電圧に
なる。
回路を備えた半導体集積回路装置の電荷保持期間におけ
る放電状態を示す回路図であり、この実施の形態１で
は、負荷容量１６の電圧が１０Ｖに達した後の電荷保持
期間において、スイッチ制御回路２２による制御によ
り、スイッチ７と、充電回路２〜４のスイッチ９と、ス
イッチ１１をオフ、充電回路１のスイッチ９と、スイッ
チ１２〜１５をオンにして、４ＶＤＤ＝１０Ｖの電圧を
負荷容量１６に供給する。したがって、負荷容量１６の
電圧の脈動を緩和することができる。また、４ＶＤＤ＝
１０Ｖの電圧を供給するので、電荷保持期間の電圧が必
要以上に高くなることなく、電圧検出回路２１の分圧抵
抗２３，２４を介する漏洩による電荷量も大きくなるこ
となく、電流の損失も緩和することができる。図５は負
荷容量の昇圧期間および電荷保持期間の電圧特性を示す
特性図であり、図に示すように、負荷容量１６の電圧は
徐々に上昇し、所定の電圧に達したらほぼ一定の電圧に
なる。
【００１９】尚、この実施の形態１では、負荷容量１６
の所定の電圧を１０Ｖ、電源６の電圧を２．５Ｖ、電荷
保持期間における充電回路１〜４の所定段数を４段にし
て、、電荷保持期間に４ＶＤＤ＝１０Ｖの電圧を供給し
たが、所定の電圧、電源６の電圧は、どのような電圧で
あっても良く、電荷保持期間における充電回路１〜４の
所定段数は、電源６の電圧を所定段数加えて所定の電圧
以上になり、かつ最小の所定段数となる条件を満たすも
のであれば良い。
の所定の電圧を１０Ｖ、電源６の電圧を２．５Ｖ、電荷
保持期間における充電回路１〜４の所定段数を４段にし
て、、電荷保持期間に４ＶＤＤ＝１０Ｖの電圧を供給し
たが、所定の電圧、電源６の電圧は、どのような電圧で
あっても良く、電荷保持期間における充電回路１〜４の
所定段数は、電源６の電圧を所定段数加えて所定の電圧
以上になり、かつ最小の所定段数となる条件を満たすも
のであれば良い。
【００２０】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、負荷容量１６の昇圧期間には、各充電回路１〜４に
充電された電荷を放電させて負荷容量１６に供給し、電
圧検出回路２１により所定の電圧が検出された負荷容量
１６の電荷保持期間には、電源６の電圧を所定段数加え
て所定の電圧以上になり、かつ最小の所定段数の充電回
路の容量８に充電された電荷を負荷容量１６に供給する
ようにスイッチ７，９，１１〜１５を制御するスイッチ
制御回路２２を備えるように構成したので、負荷容量１
６の電荷保持期間における負荷容量１６の電圧の脈動を
緩和することができると共に、電圧検出回路２１の分圧
抵抗２３，２４を介する漏洩による電流の損失も緩和す
ることができる効果が得られる。
ば、負荷容量１６の昇圧期間には、各充電回路１〜４に
充電された電荷を放電させて負荷容量１６に供給し、電
圧検出回路２１により所定の電圧が検出された負荷容量
１６の電荷保持期間には、電源６の電圧を所定段数加え
て所定の電圧以上になり、かつ最小の所定段数の充電回
路の容量８に充電された電荷を負荷容量１６に供給する
ようにスイッチ７，９，１１〜１５を制御するスイッチ
制御回路２２を備えるように構成したので、負荷容量１
６の電荷保持期間における負荷容量１６の電圧の脈動を
緩和することができると共に、電圧検出回路２１の分圧
抵抗２３，２４を介する漏洩による電流の損失も緩和す
ることができる効果が得られる。
【００２１】実施の形態２．図６はこの発明の実施の形
態２による昇圧回路を備えた半導体集積回路装置を示す
回路図であり、図において、３１は一定周期のパルスを
発生する発振回路、３２はスイッチ制御回路であり、負
荷容量１６の昇圧期間には、発振回路３１から発生され
たパルスに同期してスイッチ７，９，１１〜１５を制御
して、各充電回路１〜４に充電された電荷を放電させて
負荷容量１６に供給し、負荷容量１６の電圧が所定の電
圧に達したと予想される所定回数のスイッチ７，９，１
１〜１５の切り換え後には、負荷容量１６の電荷保持期
間であると自己判断して、負荷容量１６の予想される電
圧の低下に応じて任意に設定された所定段数の充電回路
の容量８に充電された電荷を負荷容量１６に供給するよ
うにスイッチ７，９，１１〜１５を制御するものであ
る。その他の構成は、実施の形態１と同一であるのでそ
の重複する説明を省略する。
態２による昇圧回路を備えた半導体集積回路装置を示す
回路図であり、図において、３１は一定周期のパルスを
発生する発振回路、３２はスイッチ制御回路であり、負
荷容量１６の昇圧期間には、発振回路３１から発生され
たパルスに同期してスイッチ７，９，１１〜１５を制御
して、各充電回路１〜４に充電された電荷を放電させて
負荷容量１６に供給し、負荷容量１６の電圧が所定の電
圧に達したと予想される所定回数のスイッチ７，９，１
１〜１５の切り換え後には、負荷容量１６の電荷保持期
間であると自己判断して、負荷容量１６の予想される電
圧の低下に応じて任意に設定された所定段数の充電回路
の容量８に充電された電荷を負荷容量１６に供給するよ
うにスイッチ７，９，１１〜１５を制御するものであ
る。その他の構成は、実施の形態１と同一であるのでそ
の重複する説明を省略する。
【００２２】次に動作について説明する。実施の形態１
では、負荷容量１６の電圧を電圧検出回路２１により検
出して、その検出された電圧に応じて、スイッチ制御回
路２２が負荷容量１６の昇圧期間と電荷保持期間とのそ
れぞれのスイッチ７，９，１１〜１５を制御を行った
が、この実施の形態２では、電圧検出回路２１の代わり
に発振回路３１を設け、その発振回路３１から発生され
たパルスに同期してスイッチ制御回路３２がスイッチ
７，９，１１〜１５を制御する。負荷容量１６の昇圧期
間は、電源６の電圧、容量８、および負荷容量１６に基
づいて、各充電回路１〜４に充電された電荷を何回、負
荷容量１６に供給すれば、その負荷容量１６の電圧が所
定の電圧になるか計算または試験などで予想することが
できる。その予想される回数分、スイッチ制御回路３２
が発振回路３１から発生されたパルスに同期してスイッ
チ７，９，１１〜１５を制御して、各充電回路１〜４に
充電された電荷を負荷容量１６に供給して、負荷容量１
６の電圧を所定の電圧に昇圧する。
では、負荷容量１６の電圧を電圧検出回路２１により検
出して、その検出された電圧に応じて、スイッチ制御回
路２２が負荷容量１６の昇圧期間と電荷保持期間とのそ
れぞれのスイッチ７，９，１１〜１５を制御を行った
が、この実施の形態２では、電圧検出回路２１の代わり
に発振回路３１を設け、その発振回路３１から発生され
たパルスに同期してスイッチ制御回路３２がスイッチ
７，９，１１〜１５を制御する。負荷容量１６の昇圧期
間は、電源６の電圧、容量８、および負荷容量１６に基
づいて、各充電回路１〜４に充電された電荷を何回、負
荷容量１６に供給すれば、その負荷容量１６の電圧が所
定の電圧になるか計算または試験などで予想することが
できる。その予想される回数分、スイッチ制御回路３２
が発振回路３１から発生されたパルスに同期してスイッ
チ７，９，１１〜１５を制御して、各充電回路１〜４に
充電された電荷を負荷容量１６に供給して、負荷容量１
６の電圧を所定の電圧に昇圧する。
【００２３】負荷容量１６の電荷保持期間は、電圧検出
回路２１が設けられていないのでその電圧検出回路２１
による電流の漏洩がないもののフラッシメモリのワード
線の回路の使用により電流が消費され、負荷容量１６の
電圧が低下する。そこで、この負荷容量１６の電荷保持
期間においても、電源６の電圧を所定段数加えて負荷容
量１６の所定の電圧以上になり、かつ最小の所定段数と
なる条件を満たす充電回路１〜４の段数で、どれだけの
期間ごとに電荷を負荷容量１６に供給すれば、負荷容量
１６の電圧が所定の電圧以上に保持することができるか
を計算または試験などで予想しておき、スイッチ制御回
路３２が発振回路３１から発生されるパルスに同期し
て、その予想される期間に相当する周期に応じてその所
定段数の充電回路の容量８に充電された電荷を負荷容量
１６に供給するようにスイッチ７，９，１１〜１５を制
御する。
回路２１が設けられていないのでその電圧検出回路２１
による電流の漏洩がないもののフラッシメモリのワード
線の回路の使用により電流が消費され、負荷容量１６の
電圧が低下する。そこで、この負荷容量１６の電荷保持
期間においても、電源６の電圧を所定段数加えて負荷容
量１６の所定の電圧以上になり、かつ最小の所定段数と
なる条件を満たす充電回路１〜４の段数で、どれだけの
期間ごとに電荷を負荷容量１６に供給すれば、負荷容量
１６の電圧が所定の電圧以上に保持することができるか
を計算または試験などで予想しておき、スイッチ制御回
路３２が発振回路３１から発生されるパルスに同期し
て、その予想される期間に相当する周期に応じてその所
定段数の充電回路の容量８に充電された電荷を負荷容量
１６に供給するようにスイッチ７，９，１１〜１５を制
御する。
【００２４】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、負荷容量１６の昇圧期間には、発振回路３１から発
生されたパルスに同期して予想される回数分、スイッチ
７，９，１１〜１５を制御して、各充電回路１〜４に充
電された電荷を放電させて負荷容量１６に供給し、負荷
容量１６の電荷保持期間には、電源６の電圧を所定段数
加えて負荷容量１６の所定の電圧以上になり、かつ最小
の所定段数となる条件を満たす充電回路１〜４の段数
で、発振回路３１から発生されるパルスに同期して、予
想される期間に相当する周期に応じてその所定段数の充
電回路の容量８に充電された電荷を負荷容量１６に供給
するようにスイッチ７，９，１１〜１５を制御するスイ
ッチ制御回路３２を備えるように構成したので、負荷容
量１６の電荷保持期間における負荷容量１６の電圧の脈
動を緩和することができると共に、電圧検出回路２１が
設けられていないので、その電圧検出回路２１の漏洩に
よる電流の損失も防ぐことができる効果が得られる。
ば、負荷容量１６の昇圧期間には、発振回路３１から発
生されたパルスに同期して予想される回数分、スイッチ
７，９，１１〜１５を制御して、各充電回路１〜４に充
電された電荷を放電させて負荷容量１６に供給し、負荷
容量１６の電荷保持期間には、電源６の電圧を所定段数
加えて負荷容量１６の所定の電圧以上になり、かつ最小
の所定段数となる条件を満たす充電回路１〜４の段数
で、発振回路３１から発生されるパルスに同期して、予
想される期間に相当する周期に応じてその所定段数の充
電回路の容量８に充電された電荷を負荷容量１６に供給
するようにスイッチ７，９，１１〜１５を制御するスイ
ッチ制御回路３２を備えるように構成したので、負荷容
量１６の電荷保持期間における負荷容量１６の電圧の脈
動を緩和することができると共に、電圧検出回路２１が
設けられていないので、その電圧検出回路２１の漏洩に
よる電流の損失も防ぐことができる効果が得られる。
【００２５】実施の形態３．図７はこの発明の実施の形
態３による昇圧回路を備えた半導体集積回路装置を示す
回路図であり、図において、４１は負荷容量１６の昇圧
期間には、発振回路３１から発生されるパルスに同期し
て、負荷容量１６の昇圧したい任意の所定電圧に応じて
設定された所定段数の充電回路１〜４の容量８に充電さ
れた電荷を放電させてその負荷容量１６に供給して負荷
容量１６をその所定電圧に昇圧するようにスイッチ７，
９，１１〜１５を複数回の切り換え制御するスイッチ制
御回路である。その他の構成は、実施の形態２と同一で
あるのでその重複する説明を省略する。
態３による昇圧回路を備えた半導体集積回路装置を示す
回路図であり、図において、４１は負荷容量１６の昇圧
期間には、発振回路３１から発生されるパルスに同期し
て、負荷容量１６の昇圧したい任意の所定電圧に応じて
設定された所定段数の充電回路１〜４の容量８に充電さ
れた電荷を放電させてその負荷容量１６に供給して負荷
容量１６をその所定電圧に昇圧するようにスイッチ７，
９，１１〜１５を複数回の切り換え制御するスイッチ制
御回路である。その他の構成は、実施の形態２と同一で
あるのでその重複する説明を省略する。
【００２６】次に動作について説明する。フラッシュメ
モリのワード線などによって、そのフラッシュメモリに
書き込みおよび消去したい場合、そのワード線を１０Ｖ
の電圧にし、また、そのメモリから読み出したい場合、
そのワード線を５Ｖの電圧にする場合がある。図８はこ
の発明の実施の形態３による昇圧回路を備えた半導体集
積回路装置の昇圧期間における放電状態（４ＶＤＤ）を
示す回路図であり、負荷容量１６の昇圧期間において、
ワード線を１０Ｖの電圧にしたい場合、すなわち、負荷
容量１６を１０Ｖの電圧にしたい場合は、スイッチ制御
回路４１による制御により、スイッチ７と、充電回路２
〜４のスイッチ９と、スイッチ１１をオフ、充電回路１
のスイッチ９と、スイッチ１２〜１５をオンにして、Ｖ
ＤＤ＝２．５Ｖならば、４ＶＤＤ＝１０Ｖの電圧を負荷
容量１６に供給する。図９はこの発明の実施の形態３に
よる昇圧回路を備えた半導体集積回路装置の昇圧期間に
おける放電状態（２ＶＤＤ）を示す回路図であり、ワー
ド線を５Ｖの電圧にしたい場合、すなわち、負荷容量１
６を５Ｖの電圧にしたい場合は、スイッチ制御回路４１
による制御により、スイッチ７と、充電回路１，２，４
のスイッチ９と、スイッチ１１〜１３をオフ、充電回路
３のスイッチ９と、スイッチ１４，１５をオンにして、
ＶＤＤ＝２．５Ｖならば、２ＶＤＤ＝５Ｖの電圧を負荷
容量１６に供給する。スイッチ制御回路４１は、いずれ
の場合も発振回路３１から発生されたパルスに同期して
スイッチ７，９，１１〜１５を複数回の切り換え制御す
れば、負荷容量１６は所定の１０Ｖまたは５Ｖの電圧に
なる。図１０はこの発明の実施の形態３による負荷容量
の昇圧期間の電圧特性を示す特性図であり、図に示すよ
うに、実施の形態３の構成では、充電回路１〜４の段数
に応じて負荷容量１６の所定の電圧を設定することがで
きる。
モリのワード線などによって、そのフラッシュメモリに
書き込みおよび消去したい場合、そのワード線を１０Ｖ
の電圧にし、また、そのメモリから読み出したい場合、
そのワード線を５Ｖの電圧にする場合がある。図８はこ
の発明の実施の形態３による昇圧回路を備えた半導体集
積回路装置の昇圧期間における放電状態（４ＶＤＤ）を
示す回路図であり、負荷容量１６の昇圧期間において、
ワード線を１０Ｖの電圧にしたい場合、すなわち、負荷
容量１６を１０Ｖの電圧にしたい場合は、スイッチ制御
回路４１による制御により、スイッチ７と、充電回路２
〜４のスイッチ９と、スイッチ１１をオフ、充電回路１
のスイッチ９と、スイッチ１２〜１５をオンにして、Ｖ
ＤＤ＝２．５Ｖならば、４ＶＤＤ＝１０Ｖの電圧を負荷
容量１６に供給する。図９はこの発明の実施の形態３に
よる昇圧回路を備えた半導体集積回路装置の昇圧期間に
おける放電状態（２ＶＤＤ）を示す回路図であり、ワー
ド線を５Ｖの電圧にしたい場合、すなわち、負荷容量１
６を５Ｖの電圧にしたい場合は、スイッチ制御回路４１
による制御により、スイッチ７と、充電回路１，２，４
のスイッチ９と、スイッチ１１〜１３をオフ、充電回路
３のスイッチ９と、スイッチ１４，１５をオンにして、
ＶＤＤ＝２．５Ｖならば、２ＶＤＤ＝５Ｖの電圧を負荷
容量１６に供給する。スイッチ制御回路４１は、いずれ
の場合も発振回路３１から発生されたパルスに同期して
スイッチ７，９，１１〜１５を複数回の切り換え制御す
れば、負荷容量１６は所定の１０Ｖまたは５Ｖの電圧に
なる。図１０はこの発明の実施の形態３による負荷容量
の昇圧期間の電圧特性を示す特性図であり、図に示すよ
うに、実施の形態３の構成では、充電回路１〜４の段数
に応じて負荷容量１６の所定の電圧を設定することがで
きる。
【００２７】尚、図９において、スイッチ制御回路４１
は、放電されない充電回路１，２の容量８には、電荷の
無駄な損失を防ぐために充電状態において充電されない
ように、それら充電回路１，２のスイッチ７，９を制御
することは言うまでもない。尚、この実施の形態３で
は、負荷容量１６の昇圧期間においてのみ示したが、負
荷容量１６の電荷保持期間については、他の実施の形態
との組み合わせを用いることができる。すなわち、実施
の形態１に示したように、電圧検出回路２１により負荷
容量１６の電圧が所定の電圧以下であることが検出され
た場合に、必要最小限の段数の充電回路の容量８に充電
された電荷を負荷容量１６に供給するようにスイッチ
７，９，１１〜１５を制御したり、実施の形態２に示し
たように、負荷容量１６の予想される期間に応じて必要
最小限の段数の充電回路の容量８に充電された電荷を負
荷容量１６に供給するようにスイッチ７，９，１１〜１
５を制御するようにしても良い。また、この実施の形態
３では、発振回路３１とスイッチ制御回路４１との構成
により、負荷容量１６の電圧を５Ｖと１０Ｖとにした
が、実施の形態１に示したように、電圧検出回路２１と
スイッチ制御回路４１との構成により、負荷容量１６の
電圧の５Ｖおよび１０Ｖを電圧検出回路２１により検出
し、スイッチ制御回路４１では、その電圧検出回路２１
による検出に応じて、昇圧期間から電荷保持期間に移行
して、負荷容量１６の電圧を５Ｖと１０Ｖとに保持する
ようにしても良い。
は、放電されない充電回路１，２の容量８には、電荷の
無駄な損失を防ぐために充電状態において充電されない
ように、それら充電回路１，２のスイッチ７，９を制御
することは言うまでもない。尚、この実施の形態３で
は、負荷容量１６の昇圧期間においてのみ示したが、負
荷容量１６の電荷保持期間については、他の実施の形態
との組み合わせを用いることができる。すなわち、実施
の形態１に示したように、電圧検出回路２１により負荷
容量１６の電圧が所定の電圧以下であることが検出され
た場合に、必要最小限の段数の充電回路の容量８に充電
された電荷を負荷容量１６に供給するようにスイッチ
７，９，１１〜１５を制御したり、実施の形態２に示し
たように、負荷容量１６の予想される期間に応じて必要
最小限の段数の充電回路の容量８に充電された電荷を負
荷容量１６に供給するようにスイッチ７，９，１１〜１
５を制御するようにしても良い。また、この実施の形態
３では、発振回路３１とスイッチ制御回路４１との構成
により、負荷容量１６の電圧を５Ｖと１０Ｖとにした
が、実施の形態１に示したように、電圧検出回路２１と
スイッチ制御回路４１との構成により、負荷容量１６の
電圧の５Ｖおよび１０Ｖを電圧検出回路２１により検出
し、スイッチ制御回路４１では、その電圧検出回路２１
による検出に応じて、昇圧期間から電荷保持期間に移行
して、負荷容量１６の電圧を５Ｖと１０Ｖとに保持する
ようにしても良い。
【００２８】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、負荷容量１６の昇圧期間には、負荷容量１６の昇圧
したい任意の所定電圧に応じて設定された所定段数の充
電回路１〜４の容量８に充電された電荷を放電させてそ
の負荷容量１６に供給して負荷容量１６をその所定電圧
に昇圧するようにスイッチ７，９，１１〜１５を複数回
の切り換え制御するスイッチ制御回路４１を備えるよう
に構成したので、充電回路１〜４の所定段数を任意に設
定することにより、任意の所定電圧を負荷容量１６に供
給することができ、負荷容量１６を任意の電圧に昇圧す
ることができる効果が得られる。
ば、負荷容量１６の昇圧期間には、負荷容量１６の昇圧
したい任意の所定電圧に応じて設定された所定段数の充
電回路１〜４の容量８に充電された電荷を放電させてそ
の負荷容量１６に供給して負荷容量１６をその所定電圧
に昇圧するようにスイッチ７，９，１１〜１５を複数回
の切り換え制御するスイッチ制御回路４１を備えるよう
に構成したので、充電回路１〜４の所定段数を任意に設
定することにより、任意の所定電圧を負荷容量１６に供
給することができ、負荷容量１６を任意の電圧に昇圧す
ることができる効果が得られる。
【００２９】実施の形態４．この実施の形態４は、実施
の形態３について示した図７〜図９を利用して説明す
る。図７において、この実施の形態４におけるスイッチ
制御回路４１は、負荷容量１６の昇圧期間には、電源６
の電圧に応じて設定された所定段数の充電回路１〜４の
容量８に充電された電荷を放電させてその負荷容量１６
に供給して負荷容量１６をその電源６の電圧に大きさに
かかわらず所定回のスイッチ７，９，１１〜１５の切り
換え制御により所定の電圧に昇圧するようにするもので
ある。その他の構成は、実施の形態３と同一であるので
その重複する説明を省略する。
の形態３について示した図７〜図９を利用して説明す
る。図７において、この実施の形態４におけるスイッチ
制御回路４１は、負荷容量１６の昇圧期間には、電源６
の電圧に応じて設定された所定段数の充電回路１〜４の
容量８に充電された電荷を放電させてその負荷容量１６
に供給して負荷容量１６をその電源６の電圧に大きさに
かかわらず所定回のスイッチ７，９，１１〜１５の切り
換え制御により所定の電圧に昇圧するようにするもので
ある。その他の構成は、実施の形態３と同一であるので
その重複する説明を省略する。
【００３０】次に動作について説明する。半導体集積回
路装置が搭載される装置によって、電源６の電圧が異な
る場合がある。例えば、装置によっては、１．８Ｖ〜
５．８Ｖの間で電源６の電圧が異なる。そこで、例え
ば、電源６の電圧が２．５Ｖの場合は、図８に示したよ
うに、負荷容量１６の昇圧期間において、ワード線を１
０Ｖの電圧にしたい場合、すなわち、負荷容量１６を１
０Ｖの電圧にしたい場合は、スイッチ制御回路４１によ
る制御により、スイッチ７と、充電回路２〜４のスイッ
チ９と、スイッチ１１をオフ、充電回路１のスイッチ９
と、スイッチ１２〜１５をオンにして、ＶＤＤ＝２．５
Ｖならば、４ＶＤＤ＝１０Ｖの電圧を負荷容量１６に供
給する。また、例えば、電源６の電圧が５Ｖの場合は、
図９に示したように、ワード線を１０Ｖの電圧にしたい
場合、すなわち、負荷容量１６を１０Ｖの電圧にしたい
場合は、スイッチ制御回路４１による制御により、スイ
ッチ７と、充電回路１，２，４のスイッチ９と、スイッ
チ１１〜１３をオフ、充電回路３のスイッチ９と、スイ
ッチ１４，１５をオンにして、ＶＤＤ＝５Ｖならば、２
ＶＤＤ＝１０Ｖの電圧を負荷容量１６に供給する。スイ
ッチ制御回路４１は、いずれの場合も発振回路３１から
発生されたパルスに同期してスイッチ７，９，１１〜１
５を同一の複数回の切り換え制御すれば、負荷容量１６
は所定の１０Ｖの電圧になる。図１１はこの発明の実施
の形態４による負荷容量の昇圧期間の電圧特性を示す特
性図であり、図に示すように、実施の形態４の構成で
は、電源６の電圧に応じて充電回路１〜４の段数を設定
すれば、電源６の電圧にかかわらず同一の切り換え回数
で負荷容量１６を所定の電圧にすることができる。尚、
図１１の２Ｖ５段の５段とは、スイッチ１１〜１５をオ
ンにした時である。
路装置が搭載される装置によって、電源６の電圧が異な
る場合がある。例えば、装置によっては、１．８Ｖ〜
５．８Ｖの間で電源６の電圧が異なる。そこで、例え
ば、電源６の電圧が２．５Ｖの場合は、図８に示したよ
うに、負荷容量１６の昇圧期間において、ワード線を１
０Ｖの電圧にしたい場合、すなわち、負荷容量１６を１
０Ｖの電圧にしたい場合は、スイッチ制御回路４１によ
る制御により、スイッチ７と、充電回路２〜４のスイッ
チ９と、スイッチ１１をオフ、充電回路１のスイッチ９
と、スイッチ１２〜１５をオンにして、ＶＤＤ＝２．５
Ｖならば、４ＶＤＤ＝１０Ｖの電圧を負荷容量１６に供
給する。また、例えば、電源６の電圧が５Ｖの場合は、
図９に示したように、ワード線を１０Ｖの電圧にしたい
場合、すなわち、負荷容量１６を１０Ｖの電圧にしたい
場合は、スイッチ制御回路４１による制御により、スイ
ッチ７と、充電回路１，２，４のスイッチ９と、スイッ
チ１１〜１３をオフ、充電回路３のスイッチ９と、スイ
ッチ１４，１５をオンにして、ＶＤＤ＝５Ｖならば、２
ＶＤＤ＝１０Ｖの電圧を負荷容量１６に供給する。スイ
ッチ制御回路４１は、いずれの場合も発振回路３１から
発生されたパルスに同期してスイッチ７，９，１１〜１
５を同一の複数回の切り換え制御すれば、負荷容量１６
は所定の１０Ｖの電圧になる。図１１はこの発明の実施
の形態４による負荷容量の昇圧期間の電圧特性を示す特
性図であり、図に示すように、実施の形態４の構成で
は、電源６の電圧に応じて充電回路１〜４の段数を設定
すれば、電源６の電圧にかかわらず同一の切り換え回数
で負荷容量１６を所定の電圧にすることができる。尚、
図１１の２Ｖ５段の５段とは、スイッチ１１〜１５をオ
ンにした時である。
【００３１】尚、この実施の形態４では、負荷容量１６
の昇圧期間においてのみ示したが、負荷容量１６の電荷
保持期間については、実施の形態３に示したように、他
の実施の形態との組み合わせを用いることができる。
の昇圧期間においてのみ示したが、負荷容量１６の電荷
保持期間については、実施の形態３に示したように、他
の実施の形態との組み合わせを用いることができる。
【００３２】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、負荷容量１６の昇圧期間には、電源６の電圧に応じ
て設定された所定段数の充電回路１〜４の容量８に充電
された電荷を放電させてその負荷容量１６に供給して負
荷容量１６をその電源６の電圧に大きさにかかわらず同
一の切り換え回数でスイッチ７，９，１１〜１５を複数
回の切り換え制御により所定の電圧に昇圧するスイッチ
制御回路４１を備えるように構成したので、電源６の電
圧に応じて充電回路１〜４の段数を設定すれば、電源６
の電圧にかかわらず一定の切り換え回数で負荷容量１６
を所定の電圧にすることができる。したがって、電圧検
出回路２１がなく、発振回路３１により発生されたパル
スにより予想される所定回の切り換えに応じて負荷容量
１６を所定の電圧にする構成において、電源６の電圧の
大きさが異なる様々な装置にこの半導体集積回路装置を
適用する場合であっても、電源６の電圧の大きさにかか
わらず一定の切り換え回数で負荷容量１６を所定の電圧
にすることができるので、電源６の電圧の大きさに応じ
て充電回路１〜４の段数さえ設定すれば、容易に適用す
ることができる効果が得られる。
ば、負荷容量１６の昇圧期間には、電源６の電圧に応じ
て設定された所定段数の充電回路１〜４の容量８に充電
された電荷を放電させてその負荷容量１６に供給して負
荷容量１６をその電源６の電圧に大きさにかかわらず同
一の切り換え回数でスイッチ７，９，１１〜１５を複数
回の切り換え制御により所定の電圧に昇圧するスイッチ
制御回路４１を備えるように構成したので、電源６の電
圧に応じて充電回路１〜４の段数を設定すれば、電源６
の電圧にかかわらず一定の切り換え回数で負荷容量１６
を所定の電圧にすることができる。したがって、電圧検
出回路２１がなく、発振回路３１により発生されたパル
スにより予想される所定回の切り換えに応じて負荷容量
１６を所定の電圧にする構成において、電源６の電圧の
大きさが異なる様々な装置にこの半導体集積回路装置を
適用する場合であっても、電源６の電圧の大きさにかか
わらず一定の切り換え回数で負荷容量１６を所定の電圧
にすることができるので、電源６の電圧の大きさに応じ
て充電回路１〜４の段数さえ設定すれば、容易に適用す
ることができる効果が得られる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、電圧
検出回路により所定の電圧が検出された負荷容量の電荷
保持期間には、負荷容量の電荷保持に必要最小限に設定
された所定段数の充電回路の容量に充電された電荷を負
荷容量に供給するように第１および第２の充電用スイッ
チと第１および第２の放電用スイッチを制御するスイッ
チ制御回路を備えるように構成したので、負荷容量の電
荷保持期間における負荷容量の電圧の脈動を緩和するこ
とができると共に、電圧検出回路を介する漏洩による電
流の損失も緩和することができる効果が得られる。
検出回路により所定の電圧が検出された負荷容量の電荷
保持期間には、負荷容量の電荷保持に必要最小限に設定
された所定段数の充電回路の容量に充電された電荷を負
荷容量に供給するように第１および第２の充電用スイッ
チと第１および第２の放電用スイッチを制御するスイッ
チ制御回路を備えるように構成したので、負荷容量の電
荷保持期間における負荷容量の電圧の脈動を緩和するこ
とができると共に、電圧検出回路を介する漏洩による電
流の損失も緩和することができる効果が得られる。
【００３４】この発明によれば、負荷容量の電荷保持期
間には、発振回路から発生されたパルスに同期して負荷
容量の電荷保持に必要最小限に設定された所定段数の充
電回路の容量に充電された電荷を負荷容量に供給するよ
うに第１および第２の充電用スイッチと第１および第２
の放電用スイッチを制御するスイッチ制御回路を備える
ように構成したので、負荷容量の電荷保持期間における
負荷容量の電圧の脈動を緩和することができると共に、
電圧検出回路が設けられていないので、その電圧検出回
路の漏洩による電流の損失も防ぐことができる効果が得
られる。
間には、発振回路から発生されたパルスに同期して負荷
容量の電荷保持に必要最小限に設定された所定段数の充
電回路の容量に充電された電荷を負荷容量に供給するよ
うに第１および第２の充電用スイッチと第１および第２
の放電用スイッチを制御するスイッチ制御回路を備える
ように構成したので、負荷容量の電荷保持期間における
負荷容量の電圧の脈動を緩和することができると共に、
電圧検出回路が設けられていないので、その電圧検出回
路の漏洩による電流の損失も防ぐことができる効果が得
られる。
【００３５】この発明によれば、負荷容量の昇圧期間に
は、負荷容量の昇圧したい任意の複数値の所定電圧に応
じて設定された複数種類の所定段数の充電回路の容量に
充電された電荷を放電させて負荷容量に供給して負荷容
量を複数値の所定電圧に昇圧するように第１および第２
の充電用スイッチと第１および第２の放電用スイッチを
複数回の切り換え制御するスイッチ制御回路を備えるよ
うに構成したので、充電回路の所定段数を任意に設定す
ることにより、任意の所定電圧を負荷容量に供給するこ
とができ、負荷容量を任意の電圧に昇圧することができ
る効果が得られる。
は、負荷容量の昇圧したい任意の複数値の所定電圧に応
じて設定された複数種類の所定段数の充電回路の容量に
充電された電荷を放電させて負荷容量に供給して負荷容
量を複数値の所定電圧に昇圧するように第１および第２
の充電用スイッチと第１および第２の放電用スイッチを
複数回の切り換え制御するスイッチ制御回路を備えるよ
うに構成したので、充電回路の所定段数を任意に設定す
ることにより、任意の所定電圧を負荷容量に供給するこ
とができ、負荷容量を任意の電圧に昇圧することができ
る効果が得られる。
【００３６】この発明によれば、負荷容量の昇圧期間に
は、電源の電圧に応じて設定された所定段数の充電回路
の容量に充電された電荷を放電させて負荷容量に供給し
て負荷容量を電源の電圧に大きさにかかわらず所定回の
第１および第２の充電用スイッチと第１および第２の放
電用スイッチの切り換えによって所定電圧に昇圧するよ
うに制御するスイッチ制御回路を備えるように構成した
ので、電圧検出回路がなく、発振回路により発生された
パルスにより予想される所定回の切り換えに応じて負荷
容量を所定の電圧にする構成において、電源の電圧の大
きさが異なる様々な装置にこの半導体集積回路装置を適
用する場合であっても、電源の電圧の大きさにかかわら
ず一定の切り換え回数で負荷容量を所定の電圧にするこ
とができるので、電源の電圧の大きさに応じて充電回路
の段数さえ設定すれば、容易に適用することができる効
果が得られる。
は、電源の電圧に応じて設定された所定段数の充電回路
の容量に充電された電荷を放電させて負荷容量に供給し
て負荷容量を電源の電圧に大きさにかかわらず所定回の
第１および第２の充電用スイッチと第１および第２の放
電用スイッチの切り換えによって所定電圧に昇圧するよ
うに制御するスイッチ制御回路を備えるように構成した
ので、電圧検出回路がなく、発振回路により発生された
パルスにより予想される所定回の切り換えに応じて負荷
容量を所定の電圧にする構成において、電源の電圧の大
きさが異なる様々な装置にこの半導体集積回路装置を適
用する場合であっても、電源の電圧の大きさにかかわら
ず一定の切り換え回数で負荷容量を所定の電圧にするこ
とができるので、電源の電圧の大きさに応じて充電回路
の段数さえ設定すれば、容易に適用することができる効
果が得られる。
【図１】 この発明の実施の形態１による昇圧回路を備
えた半導体集積回路装置を示す回路図である。
えた半導体集積回路装置を示す回路図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による昇圧回路を備
えた半導体集積回路装置の昇圧期間における充電状態を
示す回路図である。
えた半導体集積回路装置の昇圧期間における充電状態を
示す回路図である。
【図３】 この発明の実施の形態１による昇圧回路を備
えた半導体集積回路装置の昇圧期間における放電状態を
示す回路図である。
えた半導体集積回路装置の昇圧期間における放電状態を
示す回路図である。
【図４】 この発明の実施の形態１による昇圧回路を備
えた半導体集積回路装置の電荷保持期間における放電状
態を示す回路図である。
えた半導体集積回路装置の電荷保持期間における放電状
態を示す回路図である。
【図５】 負荷容量の昇圧期間および電荷保持期間の電
圧特性を示す特性図である。
圧特性を示す特性図である。
【図６】 この発明の実施の形態２による昇圧回路を備
えた半導体集積回路装置を示す回路図である。
えた半導体集積回路装置を示す回路図である。
【図７】 この発明の実施の形態３による昇圧回路を備
えた半導体集積回路装置を示す回路図である。
えた半導体集積回路装置を示す回路図である。
【図８】 この発明の実施の形態３による昇圧回路を備
えた半導体集積回路装置の昇圧期間における放電状態
（４ＶＤＤ）を示す回路図である。
えた半導体集積回路装置の昇圧期間における放電状態
（４ＶＤＤ）を示す回路図である。
【図９】 この発明の実施の形態３による昇圧回路を備
えた半導体集積回路装置の昇圧期間における放電状態
（２ＶＤＤ）を示す回路図である。
えた半導体集積回路装置の昇圧期間における放電状態
（２ＶＤＤ）を示す回路図である。
【図１０】 この発明の実施の形態３による負荷容量の
昇圧期間の電圧特性を示す特性図である。
昇圧期間の電圧特性を示す特性図である。
【図１１】 この発明の実施の形態４による負荷容量の
昇圧期間の電圧特性を示す特性図である。
昇圧期間の電圧特性を示す特性図である。
【図１２】 従来の昇圧回路を備えた半導体集積回路装
置を示す回路図である。
置を示す回路図である。
【図１３】 従来の昇圧回路を備えた半導体集積回路装
置の昇圧期間における充電状態を示す回路図である。
置の昇圧期間における充電状態を示す回路図である。
【図１４】 従来の昇圧回路を備えた半導体集積回路装
置の昇圧期間における放電状態を示す回路図である。
置の昇圧期間における放電状態を示す回路図である。
【図１５】 従来の負荷容量の昇圧期間および電荷保持
期間の電圧特性を示す特性図である。
期間の電圧特性を示す特性図である。
１〜４ 充電回路、５ 昇圧回路、６ 電源、７ スイ
ッチ（第１の充電用スイッチ）、８ 容量、９ スイッ
チ（第２の充電用スイッチ）、１０ グランド、１２〜
１４ スイッチ（第１の放電用スイッチ）、１５ スイ
ッチ（第２の放電用スイッチ）、１６ 負荷容量、２１
電圧検出回路、２２，３２，４１ スイッチ制御回
路、３１ 発振回路。
ッチ（第１の充電用スイッチ）、８ 容量、９ スイッ
チ（第２の充電用スイッチ）、１０ グランド、１２〜
１４ スイッチ（第１の放電用スイッチ）、１５ スイ
ッチ（第２の放電用スイッチ）、１６ 負荷容量、２１
電圧検出回路、２２，３２，４１ スイッチ制御回
路、３１ 発振回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 元治 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 中本 幸夫 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 谷 国雄 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 伊庭 智久 東京都千代田区大手町二丁目６番２号 三 菱電機エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 渡久地 豊 兵庫県伊丹市中央３丁目１番17号 三菱電 機システムエル・エス・アイ・デザイン株 式会社内 (72)発明者 坂庭 徹哉 兵庫県伊丹市中央３丁目１番17号 三菱電 機システムエル・エス・アイ・デザイン株 式会社内 Ｆターム(参考） 5B025 AD10 AE06 5F038 BG02 BG03 BG05 BG08 EZ20 5H730 AA00 BB02 BB57 FD01
Claims (4)
- 【請求項１】 電源に接続された第１の充電用スイッチ
に容量の陽極が接続されると共に、グランドに接続され
た第２の充電用スイッチにその容量の陰極が接続された
複数の充電回路と、上記複数の充電回路がそれぞれ第１
の放電用スイッチを介して直列に複数段接続されると共
に、その最終段の充電回路が第２の放電用スイッチを介
して負荷容量に接続された昇圧回路と、上記負荷容量の
電圧を検出する電圧検出回路と、上記負荷容量の昇圧期
間には、上記第１および第２の充電用スイッチと上記第
１および第２の放電用スイッチの複数回の切り換えに応
じて上記複数の充電回路の上記各容量に充電された電荷
を放電させて上記負荷容量に供給してその負荷容量を昇
圧し、上記電圧検出回路により所定の電圧が検出された
その負荷容量の電荷保持期間には、その負荷容量の電荷
保持に必要最小限に設定された所定段数の充電回路の容
量に充電された電荷をその負荷容量へ供給するようにそ
れら第１および第２の充電用スイッチとそれら第１およ
び第２の放電用スイッチを制御するスイッチ制御回路と
を備えた半導体集積回路装置。 - 【請求項２】 電源に接続された第１の充電用スイッチ
に容量の陽極が接続されると共に、グランドに接続され
た第２の充電用スイッチにその容量の陰極が接続された
複数の充電回路と、上記複数の充電回路がそれぞれ第１
の放電用スイッチを介して直列に複数段接続されると共
に、その最終段の充電回路が第２の放電用スイッチを介
して負荷容量に接続された昇圧回路と、一定周期のパル
スを発生する発振回路と、上記負荷容量の昇圧期間に
は、上記発振回路から発生されたパルスに同期して上記
第１および第２の充電用スイッチと上記第１および第２
の放電用スイッチの予想される所定回の切り換えに応じ
て上記複数の充電回路の上記各容量に充電された電荷を
放電させて上記負荷容量に供給してその負荷容量を所定
の電圧まで昇圧し、その所定の電圧まで昇圧された後の
その負荷容量の電荷保持期間には、その発振回路から発
生されたパルスに同期してその負荷容量の電荷保持に必
要最小限に設定された所定段数の充電回路の容量に充電
された電荷をその負荷容量へ供給するようにそれら第１
および第２の充電用スイッチとそれら第１および第２の
放電用スイッチを制御するスイッチ制御回路とを備えた
半導体集積回路装置。 - 【請求項３】 電源に接続された第１の充電用スイッチ
に容量の陽極が接続されると共に、グランドに接続され
た第２の充電用スイッチにその容量の陰極が接続された
複数の充電回路と、上記複数の充電回路がそれぞれ第１
の放電用スイッチを介して直列に複数段接続されると共
に、その最終段の充電回路が第２の放電用スイッチを介
して負荷容量に接続された昇圧回路と、上記負荷容量の
昇圧期間には、その負荷容量の昇圧したい任意の複数値
の所定電圧に応じて設定された複数種類の所定段数の上
記充電回路の上記容量に充電された電荷を放電させてそ
の負荷容量へ供給してその負荷容量をそれら複数値の所
定電圧に昇圧するように上記第１および第２の充電用ス
イッチと上記第１および第２の放電用スイッチを複数回
の切り換え制御するスイッチ制御回路とを備えた半導体
集積回路装置。 - 【請求項４】 負荷容量の昇圧期間には、電源の電圧に
応じて設定された所定段数の充電回路の容量に充電され
た電荷を放電させてその負荷容量に供給してその負荷容
量をその電源の電圧の大きさにかかわらず所定回の第１
および第２の充電用スイッチと第１および第２の放電用
スイッチの切り換えによって所定電圧に昇圧するように
制御するスイッチ制御回路を備えたことを特徴とする請
求項２記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6229999A JP2000262044A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6229999A JP2000262044A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000262044A true JP2000262044A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13196115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6229999A Pending JP2000262044A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000262044A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002061930A1 (en) * | 2001-02-01 | 2002-08-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Programmable charge pump device |
| KR100615837B1 (ko) * | 1999-03-11 | 2006-08-25 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 승압 회로, 승압 방법 및 전자기기 |
| JP2009076884A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-04-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| KR100906879B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2009-07-08 | 소니 가부시끼 가이샤 | 전원 발생 회로를 탑재한 표시 장치 및 휴대 단말 장치 |
| KR100933255B1 (ko) | 2007-01-31 | 2009-12-22 | 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 전하 손실 수복 방법 및 반도체 기억 장치 |
| CN103474018A (zh) * | 2013-08-19 | 2013-12-25 | 矽创电子股份有限公司 | 一种显示装置的电源电路 |
-
1999
- 1999-03-09 JP JP6229999A patent/JP2000262044A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100615837B1 (ko) * | 1999-03-11 | 2006-08-25 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 승압 회로, 승압 방법 및 전자기기 |
| WO2002061930A1 (en) * | 2001-02-01 | 2002-08-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Programmable charge pump device |
| KR100906879B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2009-07-08 | 소니 가부시끼 가이샤 | 전원 발생 회로를 탑재한 표시 장치 및 휴대 단말 장치 |
| KR100933255B1 (ko) | 2007-01-31 | 2009-12-22 | 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 전하 손실 수복 방법 및 반도체 기억 장치 |
| JP2009076884A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-04-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013254967A (ja) * | 2007-08-30 | 2013-12-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| CN103474018A (zh) * | 2013-08-19 | 2013-12-25 | 矽创电子股份有限公司 | 一种显示装置的电源电路 |
| CN103474018B (zh) * | 2013-08-19 | 2016-09-07 | 矽创电子股份有限公司 | 一种显示装置的电源电路 |
| US10380965B2 (en) | 2013-08-19 | 2019-08-13 | Sitronix Technology Corp. | Power circuit of displaying device |
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