JP2000262995A - エアロゾル洗浄装置、及び、これを用いた多段階洗浄方法 - Google Patents
エアロゾル洗浄装置、及び、これを用いた多段階洗浄方法Info
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- JP2000262995A JP2000262995A JP11071505A JP7150599A JP2000262995A JP 2000262995 A JP2000262995 A JP 2000262995A JP 11071505 A JP11071505 A JP 11071505A JP 7150599 A JP7150599 A JP 7150599A JP 2000262995 A JP2000262995 A JP 2000262995A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一回の一連の洗浄動作で多段階洗浄を可能と
して、洗浄性能とスループットを向上する。 【解決手段】 エアロゾルノズル２０から吹き出したエ
アロゾル２４でウエハ１０の表面を洗浄する際に、一連
の洗浄動作中に洗浄パラメータの切り換えを可能とし
て、一連の洗浄動作で、洗浄パラメータの異なる複数の
種類の洗浄を組み合わせて多段階洗浄できるようにす
る。
して、洗浄性能とスループットを向上する。 【解決手段】 エアロゾルノズル２０から吹き出したエ
アロゾル２４でウエハ１０の表面を洗浄する際に、一連
の洗浄動作中に洗浄パラメータの切り換えを可能とし
て、一連の洗浄動作で、洗浄パラメータの異なる複数の
種類の洗浄を組み合わせて多段階洗浄できるようにす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エアロゾル洗浄装
置、及び、これを用いた多段階洗浄方法に係り、特に、
半導体用ウエハのような基板の表面を洗浄する際に用い
るのに好適な、一連の洗浄動作で、複数の種類の洗浄を
組み合わせて洗浄することが可能な、エアロゾル洗浄装
置、及び、これを用いた多段階洗浄方法に関する。
置、及び、これを用いた多段階洗浄方法に係り、特に、
半導体用ウエハのような基板の表面を洗浄する際に用い
るのに好適な、一連の洗浄動作で、複数の種類の洗浄を
組み合わせて洗浄することが可能な、エアロゾル洗浄装
置、及び、これを用いた多段階洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造工程における半導体用ウェハ
の表面上や、液晶（ＬＣＤ）あるいは太陽電池等の表面
上の微粒子（パーティクル）や汚れは、最終製品の歩留
りを大きく低下させるため、前記ウェハ等の表面洗浄が
極めて重要である。
の表面上や、液晶（ＬＣＤ）あるいは太陽電池等の表面
上の微粒子（パーティクル）や汚れは、最終製品の歩留
りを大きく低下させるため、前記ウェハ等の表面洗浄が
極めて重要である。
【０００３】従って従来から、種々の表面洗浄方法が提
案されており、半導体製造を例に採ると、超音波併用の
純水洗浄、純水中に薬液（例えばアンモニア過酸化水素
液や硫酸過酸化水素液）を加えた溶液中に被洗浄物を浸
漬し、洗浄する等の湿式洗浄方式が用いられている。
案されており、半導体製造を例に採ると、超音波併用の
純水洗浄、純水中に薬液（例えばアンモニア過酸化水素
液や硫酸過酸化水素液）を加えた溶液中に被洗浄物を浸
漬し、洗浄する等の湿式洗浄方式が用いられている。
【０００４】しかしながら、この種の湿式洗浄方式は、
各種設備の設置面積が大きく、廃液処理も必要であると
いう問題がある。
各種設備の設置面積が大きく、廃液処理も必要であると
いう問題がある。
【０００５】一方、液体を用いない乾式洗浄方式とし
て、ガスを加え化学反応を利用したドライクリーニング
があるが、パーティクル上の汚染物が除去できないとい
う問題がある。
て、ガスを加え化学反応を利用したドライクリーニング
があるが、パーティクル上の汚染物が除去できないとい
う問題がある。
【０００６】更に、ドライアイスや氷、アルゴン固体等
の微粒子を、被洗浄物表面に衝突させて、パーティクル
を除去することも考えられているが、氷を用いた場合に
は、被洗浄物の表面が損傷を受ける恐れがあり、ドライ
アイスを用いた場合には、特に鉄鋼や石油精製の廃ガス
を原料とする市販品では、ドライアイス自体が汚れてい
るため、不純物汚染の問題がある。
の微粒子を、被洗浄物表面に衝突させて、パーティクル
を除去することも考えられているが、氷を用いた場合に
は、被洗浄物の表面が損傷を受ける恐れがあり、ドライ
アイスを用いた場合には、特に鉄鋼や石油精製の廃ガス
を原料とする市販品では、ドライアイス自体が汚れてい
るため、不純物汚染の問題がある。
【０００７】これらに対して、特開平６−２５２１１４
や特開平６−２９５８９５に記載された、アルゴン固体
の微粒子を含むエアロゾル（アルゴンエアロゾルと称す
る）を減圧零囲気中で衝突させて表面洗浄を行う方法に
よれば、上記のような問題は存在しない。
や特開平６−２９５８９５に記載された、アルゴン固体
の微粒子を含むエアロゾル（アルゴンエアロゾルと称す
る）を減圧零囲気中で衝突させて表面洗浄を行う方法に
よれば、上記のような問題は存在しない。
【０００８】このアルゴンエアロゾルを用いたウェハ洗
浄装置の一例の全体構成の管路図を図１に、同じく平面
図を図２に示す。
浄装置の一例の全体構成の管路図を図１に、同じく平面
図を図２に示す。
【０００９】この例において、マスフローコントローラ
３０、３２によりその流量を制御されたアルゴンガスと
窒素ガスは、フィルタ３４を通過した後、例えばヘリウ
ム（Ｈｅ）クライオ冷凍機３６を用いた熱交換器３８内
で冷却されてから、エアロゾルノズル２０に開けられた
多数の微細なノズル孔２２より、エアロゾル２４となっ
て、真空ポンプ４０で真空引きされている、ウェハ洗浄
用の洗浄室４２内に噴出する。
３０、３２によりその流量を制御されたアルゴンガスと
窒素ガスは、フィルタ３４を通過した後、例えばヘリウ
ム（Ｈｅ）クライオ冷凍機３６を用いた熱交換器３８内
で冷却されてから、エアロゾルノズル２０に開けられた
多数の微細なノズル孔２２より、エアロゾル２４となっ
て、真空ポンプ４０で真空引きされている、ウェハ洗浄
用の洗浄室４２内に噴出する。
【００１０】ウェハ１０は、ウェハスキャン機構４４に
よりＸ軸方向及びＹ軸方向にスキャンされるプロセスハ
ンド（ＸＹスキャンステージとも称する）４６上に載っ
ており、ウェハ全面が洗浄可能となっている。
よりＸ軸方向及びＹ軸方向にスキャンされるプロセスハ
ンド（ＸＹスキャンステージとも称する）４６上に載っ
ており、ウェハ全面が洗浄可能となっている。
【００１１】洗浄力を向上させるために加速ノズル５６
を設置することが考えられており、マスフローコントロ
ーラ５２及びフィルタ５４を介して該加速ノズル５６に
供給され、そのノズル孔から吹き出す窒素ガス（加速ガ
ス５８と称する）が、前記エアロゾルノズル２０から噴
出されたエアロゾル２４を加速する。
を設置することが考えられており、マスフローコントロ
ーラ５２及びフィルタ５４を介して該加速ノズル５６に
供給され、そのノズル孔から吹き出す窒素ガス（加速ガ
ス５８と称する）が、前記エアロゾルノズル２０から噴
出されたエアロゾル２４を加速する。
【００１２】又、パーティクルのウェハ面への再付着防
止の目的で、洗浄室４２の一端（図２の左端）から、マ
スフローコントローラ６２及びフィルタ６４を介して流
入される窒素ガスをパージガス６６として、洗浄室４２
内に供給することも考えられている。
止の目的で、洗浄室４２の一端（図２の左端）から、マ
スフローコントローラ６２及びフィルタ６４を介して流
入される窒素ガスをパージガス６６として、洗浄室４２
内に供給することも考えられている。
【００１３】図２に示す如く、カセット交換用に２つ設
けられた、装置外部からカセット７２に収容されたウェ
ハ１０を搬入するための、真空状態に排気されるカセッ
ト室７０内のウェハ１０は、ウェハ１０をハンドリング
するロボット室（搬送室とも称する）８０内に配設され
た真空内搬送ロボット（真空ロボットと称する）８２の
ロボットアーム８４の先端に取付けられたロボットハン
ド８６により、ゲートバルブ７４、７６を通過して、洗
浄室４２へのウェハ１０の受け渡しをするバッファ室９
０内の前記プロセスハンド４６上に移送される。
けられた、装置外部からカセット７２に収容されたウェ
ハ１０を搬入するための、真空状態に排気されるカセッ
ト室７０内のウェハ１０は、ウェハ１０をハンドリング
するロボット室（搬送室とも称する）８０内に配設され
た真空内搬送ロボット（真空ロボットと称する）８２の
ロボットアーム８４の先端に取付けられたロボットハン
ド８６により、ゲートバルブ７４、７６を通過して、洗
浄室４２へのウェハ１０の受け渡しをするバッファ室９
０内の前記プロセスハンド４６上に移送される。
【００１４】ウェハスキャン機構４４により駆動される
プロセスハンド４６に載って運ばれるウェハ１０は、エ
アロゾルノズル２０の下で、Ｙ軸方向及びＸ軸方向にス
キャンされる。
プロセスハンド４６に載って運ばれるウェハ１０は、エ
アロゾルノズル２０の下で、Ｙ軸方向及びＸ軸方向にス
キャンされる。
【００１５】このようにして表面全面が洗浄されたウェ
ハ１０は、バッファ室９０に搬入された経路を逆に辿っ
て、カセット室７０に戻される。
ハ１０は、バッファ室９０に搬入された経路を逆に辿っ
て、カセット室７０に戻される。
【００１６】このようなアルゴンウェハ洗浄装置におけ
る洗浄能力は、洗浄力（不純物除去率）と不純物の再付
着数により評価される。この洗浄能力を決定する洗浄パ
ラメータには、図３に示す如く、アルゴンガス流量、窒
素ガス流量、パージガス流量、加速ガス流量、ノズル温
度、スキャン方法（図４に示すようなＹ軸洗浄、又は、
図５に示すようなＸ軸洗浄）等があり、プロセスレシピ
で設定を行う。又、教示（パラメータ設定タブ）の洗浄
レシピの洗浄回数（例えば図４に示したＹ軸洗浄では、
Ｘ軸方向１往復で行きと帰りの２回、図５に示したＸ軸
洗浄では、空送りした後、Ｙ軸方向に戻りながら１回）
の設定を行う。
る洗浄能力は、洗浄力（不純物除去率）と不純物の再付
着数により評価される。この洗浄能力を決定する洗浄パ
ラメータには、図３に示す如く、アルゴンガス流量、窒
素ガス流量、パージガス流量、加速ガス流量、ノズル温
度、スキャン方法（図４に示すようなＹ軸洗浄、又は、
図５に示すようなＸ軸洗浄）等があり、プロセスレシピ
で設定を行う。又、教示（パラメータ設定タブ）の洗浄
レシピの洗浄回数（例えば図４に示したＹ軸洗浄では、
Ｘ軸方向１往復で行きと帰りの２回、図５に示したＸ軸
洗浄では、空送りした後、Ｙ軸方向に戻りながら１回）
の設定を行う。
【００１７】図３において、クライオ周波数は、アルゴ
ンガスの流量に合わせて設定される、Ｈｅクライオ冷凍
機３６の冷凍能力を左右する周波数、ＡＰＣ開度は、洗
浄室４２内の圧力を設定するためのパラメータである。
ンガスの流量に合わせて設定される、Ｈｅクライオ冷凍
機３６の冷凍能力を左右する周波数、ＡＰＣ開度は、洗
浄室４２内の圧力を設定するためのパラメータである。
【００１８】次いで、レシピで設定した洗浄パラメータ
に従ってエアロゾル２４を生成し、洗浄を行う。
に従ってエアロゾル２４を生成し、洗浄を行う。
【００１９】通常、アルゴンウェハ洗浄装置では、加速
ガス５８を用いた加速洗浄（洗浄力は強いが、再付着が
多い）で、付着力の強いパーティクルを除去し、付着力
の弱いパーティクルや加速洗浄で再付着したパーティク
ルを、少量の加速ガスを用いた通常洗浄（洗浄能力は弱
いが、再付着は少ない）で除去する。このため、１枚の
ウェハにつき、加速洗浄と通常洗浄の２種類の洗浄をす
ることになる。
ガス５８を用いた加速洗浄（洗浄力は強いが、再付着が
多い）で、付着力の強いパーティクルを除去し、付着力
の弱いパーティクルや加速洗浄で再付着したパーティク
ルを、少量の加速ガスを用いた通常洗浄（洗浄能力は弱
いが、再付着は少ない）で除去する。このため、１枚の
ウェハにつき、加速洗浄と通常洗浄の２種類の洗浄をす
ることになる。
【００２０】０．２μｍのアルミナスラリにより不純物
を付着したウエハを、加速ガスとパージガスの流量を変
えて洗浄した時の洗浄室圧力と不純物除去率の関係の例
を図６に示す。
を付着したウエハを、加速ガスとパージガスの流量を変
えて洗浄した時の洗浄室圧力と不純物除去率の関係の例
を図６に示す。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来は、
２種類の洗浄を行うためには、一連のパラメータ設定と
洗浄動作を２回に分けて行わなければならず、スループ
ットに問題があった。
２種類の洗浄を行うためには、一連のパラメータ設定と
洗浄動作を２回に分けて行わなければならず、スループ
ットに問題があった。
【００２２】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、一連の洗浄動作で、洗浄パラメータ
が異なる複数の種類の洗浄を組み合わせて多段階洗浄で
きるようにすることを課題とする。
くなされたもので、一連の洗浄動作で、洗浄パラメータ
が異なる複数の種類の洗浄を組み合わせて多段階洗浄で
きるようにすることを課題とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明は、エアロゾルノ
ズルから吹き出したエアロゾルで被洗浄物の表面を洗浄
するエアロゾル洗浄装置において、一連の洗浄動作中に
洗浄パラメータの切り換えを可能とすることにより、前
記課題を解決したものである。
ズルから吹き出したエアロゾルで被洗浄物の表面を洗浄
するエアロゾル洗浄装置において、一連の洗浄動作中に
洗浄パラメータの切り換えを可能とすることにより、前
記課題を解決したものである。
【００２４】又、該エアロゾル洗浄装置を用いて、一連
の洗浄動作で、洗浄パラメータが異なる複数の種類の洗
浄を組み合わせて多段階洗浄するようにしたものであ
る。
の洗浄動作で、洗浄パラメータが異なる複数の種類の洗
浄を組み合わせて多段階洗浄するようにしたものであ
る。
【００２５】又、前記複数の種類の洗浄が、加速洗浄と
通常洗浄を含むようにしたものである。
通常洗浄を含むようにしたものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施形態を詳細に説明する。
施形態を詳細に説明する。
【００２７】本実施形態においては、一連の洗浄動作中
に洗浄パラメータの切り換えを行うため、図７に示す如
く、洗浄パラメータに洗浄切換回数を追加し、切換え後
の洗浄パラメータとして、パージガス流量２、加速ガス
流量２を追加する。
に洗浄パラメータの切り換えを行うため、図７に示す如
く、洗浄パラメータに洗浄切換回数を追加し、切換え後
の洗浄パラメータとして、パージガス流量２、加速ガス
流量２を追加する。
【００２８】洗浄に際しては、これらの追加した洗浄パ
ラメータをレシピで設定する。すると、洗浄回数が洗浄
切換回数に到達した後、洗浄パラメータのパージガス流
量１がパージガス流量２へ変更され、加速ガス流量１が
加速ガス流量２へ変更される。従って、１回の一連の洗
浄動作で、加速洗浄と通常洗浄の組合せ洗浄が可能とな
る。
ラメータをレシピで設定する。すると、洗浄回数が洗浄
切換回数に到達した後、洗浄パラメータのパージガス流
量１がパージガス流量２へ変更され、加速ガス流量１が
加速ガス流量２へ変更される。従って、１回の一連の洗
浄動作で、加速洗浄と通常洗浄の組合せ洗浄が可能とな
る。
【００２９】前記洗浄パラメータは、例えば、次のよう
に設定することができる。
に設定することができる。
【００３０】 アルゴンガス流量： ６０［ｌ／ｍ］ 窒素ガス流量 ： ６［ｌ／ｍ］ パージガス流量１： ３０［ｌ／ｍ］ パージガス流量２：１５０［ｌ／ｍ］ 加速ガス流量１ ：１００［ｌ／ｍ］ 加速ガス流量２ ： ３０［ｌ／ｍ］ ノズル温度 ： ９２［Ｋ］ 洗浄切換回数 ： １［回］
【００３１】又、教示のパラメータ設定で、洗浄レシピ
を次のように設定する。
を次のように設定する。
【００３２】Ｙ洗浄＿洗浄回数： ２［回］
【００３３】ここで、加速洗浄時のパージガス流量１が
通常洗浄時のパージガス流量２に比べて非常に小さく設
定されているのは、洗浄室４２内の圧力が上がらないよ
うにして、洗浄力を強めるためである。
通常洗浄時のパージガス流量２に比べて非常に小さく設
定されているのは、洗浄室４２内の圧力が上がらないよ
うにして、洗浄力を強めるためである。
【００３４】このようなレシピ設定に従って、アルゴン
ガス流量と窒素ガス流量を制御してエアロゾルを作成
し、Ｙ洗浄＿洗浄回数：１回目では、パージガス流量
１、加速ガス流量１を用いて加速洗浄を行い、Ｙ洗浄＿
洗浄回数：２回目では、パージガス流量２、加速ガス流
量２に切り換えて通常洗浄を行う。
ガス流量と窒素ガス流量を制御してエアロゾルを作成
し、Ｙ洗浄＿洗浄回数：１回目では、パージガス流量
１、加速ガス流量１を用いて加速洗浄を行い、Ｙ洗浄＿
洗浄回数：２回目では、パージガス流量２、加速ガス流
量２に切り換えて通常洗浄を行う。
【００３５】なお、前記説明では、まず加速洗浄を行
い、次いで通常洗浄を行うようにされていたが、洗浄の
種類や順序、組合せは、これに限定されず、例えば、ウ
ェハ種類、工程等を洗浄対象に合わせて、揉み洗いに相
当する強い洗浄と濯ぎ洗いに相当する弱い洗浄を組合せ
て行うことができる。洗浄の種類や切換回数も前記実施
形態に限定されず、２回以上切り換えて３種類以上の洗
浄を行ったり、あるいは、２種類の洗浄を繰り返して行
うこともできる。
い、次いで通常洗浄を行うようにされていたが、洗浄の
種類や順序、組合せは、これに限定されず、例えば、ウ
ェハ種類、工程等を洗浄対象に合わせて、揉み洗いに相
当する強い洗浄と濯ぎ洗いに相当する弱い洗浄を組合せ
て行うことができる。洗浄の種類や切換回数も前記実施
形態に限定されず、２回以上切り換えて３種類以上の洗
浄を行ったり、あるいは、２種類の洗浄を繰り返して行
うこともできる。
【００３６】又、前記実施形態においては、本発明が、
半導体用ウェハの洗浄に適用されていたが、本発明の適
用対象はこれに限定されず、半導体用マスク、フラット
パネル用基板、磁気ディスク基板、フライイングヘッド
用基板等の他の被洗浄物の洗浄にも同様に適用できるこ
とは明らかである。
半導体用ウェハの洗浄に適用されていたが、本発明の適
用対象はこれに限定されず、半導体用マスク、フラット
パネル用基板、磁気ディスク基板、フライイングヘッド
用基板等の他の被洗浄物の洗浄にも同様に適用できるこ
とは明らかである。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、１回の一連の洗浄動作
で、洗浄パラメータが異なる複数の種類の洗浄を組合せ
て多段階洗浄することが可能となるので、１回の一連の
洗浄動作における洗浄性能が向上する。又、従来は同じ
洗浄性能を出すためにパラメータ設定及び洗浄動作を複
数回行わなければならなかったのが、１回で可能となる
ため、スループットが向上する。
で、洗浄パラメータが異なる複数の種類の洗浄を組合せ
て多段階洗浄することが可能となるので、１回の一連の
洗浄動作における洗浄性能が向上する。又、従来は同じ
洗浄性能を出すためにパラメータ設定及び洗浄動作を複
数回行わなければならなかったのが、１回で可能となる
ため、スループットが向上する。
【図１】本発明が適用される、エアロゾルによるウエハ
洗浄装置の一例の全体構成を示す管路図
洗浄装置の一例の全体構成を示す管路図
【図２】同じく平面図
【図３】従来の洗浄パラメータの一例を示す表
【図４】洗浄方法の一つであるＹ軸洗浄時のスキャン状
態を示す平面図
態を示す平面図
【図５】同じくＸ軸洗浄時のスキャン状態を示す平面図
【図６】加速ガス及びパージガス流量をパラメータとし
た時の、洗浄室圧力と不純物除去率の関係の例を示す線
図
た時の、洗浄室圧力と不純物除去率の関係の例を示す線
図
【図７】本発明の実施形態における洗浄パラメータの一
例を示す表
例を示す表
１０…ウェハ（被洗浄物） ２２…エアロゾルノズル ２４…エアロゾル ３６…冷凍機 ３０、３２、５２、６２…マスフローコントローラ ４０…真空ポンプ ４２…洗浄室 ４４…ウェハスキャン機構 ４６…プロセスハンド ５６…加速ノズル ５８…加速ガス ６６…パージガス
Claims (3)
- 【請求項１】エアロゾルノズルから吹き出したエアロゾ
ルで被洗浄物の表面を洗浄するエアロゾル洗浄装置にお
いて、 一連の洗浄動作中に洗浄パラメータの切り換えを可能と
したことを特徴とするエアロゾル洗浄装置。 - 【請求項２】請求項１に記載のエアロゾル洗浄装置を用
いて、一連の洗浄動作で、洗浄パラメータが異なる複数
の種類の洗浄を組み合わせて洗浄することを特徴とする
エアロゾル洗浄装置の多段階洗浄方法。 - 【請求項３】請求項２において、前記複数の種類の洗浄
が、加速洗浄と通常洗浄を含むことを特徴とするエアロ
ゾル洗浄装置の多段階洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11071505A JP2000262995A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | エアロゾル洗浄装置、及び、これを用いた多段階洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11071505A JP2000262995A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | エアロゾル洗浄装置、及び、これを用いた多段階洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000262995A true JP2000262995A (ja) | 2000-09-26 |
Family
ID=13462621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11071505A Pending JP2000262995A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | エアロゾル洗浄装置、及び、これを用いた多段階洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000262995A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002263597A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-17 | Seiko Corp | 生産プラントの配管システム洗浄装置、洗浄方法、及びプログラム |
| WO2010033144A1 (en) * | 2008-09-17 | 2010-03-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for surface treatment of semiconductor substrates using sequential chemical applications |
| JP2023115474A (ja) * | 2022-02-08 | 2023-08-21 | 株式会社豊田自動織機 | 異物除去装置 |
-
1999
- 1999-03-17 JP JP11071505A patent/JP2000262995A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002263597A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-17 | Seiko Corp | 生産プラントの配管システム洗浄装置、洗浄方法、及びプログラム |
| WO2010033144A1 (en) * | 2008-09-17 | 2010-03-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for surface treatment of semiconductor substrates using sequential chemical applications |
| CN102160150A (zh) * | 2008-09-17 | 2011-08-17 | 朗姆研究公司 | 使用顺序化工品施加对半导体衬底进行表面处理的方法和装置 |
| KR101291346B1 (ko) | 2008-09-17 | 2013-07-30 | 램 리써치 코포레이션 | 순차적 화학물 공급을 이용한 반도체 기판 표면 처리 방법 및 장치 |
| CN102160150B (zh) * | 2008-09-17 | 2014-08-20 | 朗姆研究公司 | 使用顺序化工品施加对半导体衬底进行表面处理的方法和装置 |
| JP2023115474A (ja) * | 2022-02-08 | 2023-08-21 | 株式会社豊田自動織機 | 異物除去装置 |
| JP7824780B2 (ja) | 2022-02-08 | 2026-03-05 | 株式会社豊田自動織機 | 異物除去装置 |
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