JP2000263258A - 非金属材料基板の加工方法及びその装置 - Google Patents
非金属材料基板の加工方法及びその装置Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
- C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
-
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- C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 割断速度が速く、割断したエッジ部の丸め化
を促進できる非金属材料基板の加工方法及びその装置を
提供する。 【解決手段】 非金属材料基板１表面にフッ素を含んだ
不活性ガス８−１、８−２を吹き付けながらレーザビー
ム３−２を照射して亀裂５を発生させ、その亀裂５を進
展させていく際に、レーザビーム３−２の照射とフッ素
を含んだ不活性ガス８−１、８−２の吹き付けとによ
り、基板１の表面がプラズマ状態となり、亀裂５の進展
速度がより速くなり、かつ発生した亀裂５のエッジ面が
フッ素ガスでエッチングされて丸め化される。
を促進できる非金属材料基板の加工方法及びその装置を
提供する。 【解決手段】 非金属材料基板１表面にフッ素を含んだ
不活性ガス８−１、８−２を吹き付けながらレーザビー
ム３−２を照射して亀裂５を発生させ、その亀裂５を進
展させていく際に、レーザビーム３−２の照射とフッ素
を含んだ不活性ガス８−１、８−２の吹き付けとによ
り、基板１の表面がプラズマ状態となり、亀裂５の進展
速度がより速くなり、かつ発生した亀裂５のエッジ面が
フッ素ガスでエッチングされて丸め化される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非金属材料基板の
加工方法及びその装置に関する。
加工方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板等の非金属材料基板を切断加
工する方法として種々の方法が知られている。切断加工
方法の中にレーザ照射による切断加工方法がある。
工する方法として種々の方法が知られている。切断加工
方法の中にレーザ照射による切断加工方法がある。
【０００３】図９は従来の非金属材料基板の加工方法を
示す概念図である。
示す概念図である。
【０００４】この加工方法は、平行ビームで伝搬してき
たレーザビーム（例えばＣＯ2 レーザビーム）３−１を
集光レンズ４で集光して加工用ガラス基板１上にレーザ
ビーム３−２として照射し、光エネルギーを利用して加
工用ガラス基板１上に熱応力による亀裂５を発生させる
と共に、加工用ガラス基板１を矢印２方向に所望速度で
移動させ、亀裂５を進展させることにより、加工用ガラ
ス基板１を分断する、いわゆる割断方法である。この割
断を利用して加工用ガラス基板１を分断すると、図１０
に示すように、分断されたガラス基板１−１及びガラス
基板１−２の割断面は、略垂直な端面となる。なお、図
１０は図９に示した加工方法で切断されたガラス基板の
断面図である。
たレーザビーム（例えばＣＯ2 レーザビーム）３−１を
集光レンズ４で集光して加工用ガラス基板１上にレーザ
ビーム３−２として照射し、光エネルギーを利用して加
工用ガラス基板１上に熱応力による亀裂５を発生させる
と共に、加工用ガラス基板１を矢印２方向に所望速度で
移動させ、亀裂５を進展させることにより、加工用ガラ
ス基板１を分断する、いわゆる割断方法である。この割
断を利用して加工用ガラス基板１を分断すると、図１０
に示すように、分断されたガラス基板１−１及びガラス
基板１−２の割断面は、略垂直な端面となる。なお、図
１０は図９に示した加工方法で切断されたガラス基板の
断面図である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ガラス基板の加工方法には以下のような問題がある。
ガラス基板の加工方法には以下のような問題がある。
【０００６】(1) 割断面６ａ、６ｂは垂直な端面のた
め、割断エッジ部７−１、７−２、７−３、７−４が他
の部材（図示せず）に接触すると、割断エッジ部７−１
〜７−４から亀裂５が発生し、その亀裂５が進展して加
工用ガラス基板１にクラックが生じやすい。
め、割断エッジ部７−１、７−２、７−３、７−４が他
の部材（図示せず）に接触すると、割断エッジ部７−１
〜７−４から亀裂５が発生し、その亀裂５が進展して加
工用ガラス基板１にクラックが生じやすい。
【０００７】(2) (1) で述べた接触により、割断エッジ
部７−１〜７−４からガラス片のチッピングが生じやす
い。
部７−１〜７−４からガラス片のチッピングが生じやす
い。
【０００８】(3) (1),(2) を解決するためには割断エッ
ジ部７−１〜７−４を砥石や研磨材を用いて丸め加工を
施さなければならないが、丸め加工には水処理が必要で
ある。しかし、切断されたガラス基板１−１、１−２が
水に漬かるため、乾燥工程を設けなければならないが、
経費がかかるためコスト高になる。また、ガラス基板１
（１−１、１−２）が水に濡れると電気的特性や光学的
特性に影響を及ぼす。
ジ部７−１〜７−４を砥石や研磨材を用いて丸め加工を
施さなければならないが、丸め加工には水処理が必要で
ある。しかし、切断されたガラス基板１−１、１−２が
水に漬かるため、乾燥工程を設けなければならないが、
経費がかかるためコスト高になる。また、ガラス基板１
（１−１、１−２）が水に濡れると電気的特性や光学的
特性に影響を及ぼす。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、割断速度が速く、割断したエッジ部の丸め化を促進
できる非金属材料基板の加工方法及びその装置を提供す
ることにある。
し、割断速度が速く、割断したエッジ部の丸め化を促進
できる非金属材料基板の加工方法及びその装置を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の非金属材料基板の加工方法は、非金属材料基
板を所望速度で移動させ、その非金属材料基板の表面に
レーザビームを照射し、レーザビームの熱エネルギーを
利用して非金属材料基板に熱応力による亀裂を発生さ
せ、亀裂を進展させることにより非金属材料基板を割断
する非金属材料基板の加工方法において、レーザビーム
の照射された非金属材料基板表面に、フッ素を含んだ不
活性ガスを吹き付けるものである。
に本発明の非金属材料基板の加工方法は、非金属材料基
板を所望速度で移動させ、その非金属材料基板の表面に
レーザビームを照射し、レーザビームの熱エネルギーを
利用して非金属材料基板に熱応力による亀裂を発生さ
せ、亀裂を進展させることにより非金属材料基板を割断
する非金属材料基板の加工方法において、レーザビーム
の照射された非金属材料基板表面に、フッ素を含んだ不
活性ガスを吹き付けるものである。
【００１１】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工方法は、非金属材料基板を移動させる代わりにレー
ザビームを移動させてもよい。
加工方法は、非金属材料基板を移動させる代わりにレー
ザビームを移動させてもよい。
【００１２】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工方法は、割断された非金属材料基板のエッジ部に、
再度レーザビームを照射しながらフッ素を含んだ不活性
ガスを吹き付けるのが好ましい。
加工方法は、割断された非金属材料基板のエッジ部に、
再度レーザビームを照射しながらフッ素を含んだ不活性
ガスを吹き付けるのが好ましい。
【００１３】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工方法は、フッ素を含んだ不活性ガスとして、Ｃ
Ｆ4 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ2 Ｆ6 、ＸｅＦ2 等を少なくとも１
種類含んだＨｅガスあるいはＡｒガスを用いるのが好ま
しい。
加工方法は、フッ素を含んだ不活性ガスとして、Ｃ
Ｆ4 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ2 Ｆ6 、ＸｅＦ2 等を少なくとも１
種類含んだＨｅガスあるいはＡｒガスを用いるのが好ま
しい。
【００１４】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工方法は、レーザビームとして、ＣＯ2 、ＣＯ、エキ
シマ等のレーザビームを用いるのが好ましい。
加工方法は、レーザビームとして、ＣＯ2 、ＣＯ、エキ
シマ等のレーザビームを用いるのが好ましい。
【００１５】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工方法は、非金属材料基板表面に照射されるレーザビ
ーム形状として、略円形、略楕円形あるいは所望幅と所
望長さとを有する線形のいずれかとするのが好ましい。
加工方法は、非金属材料基板表面に照射されるレーザビ
ーム形状として、略円形、略楕円形あるいは所望幅と所
望長さとを有する線形のいずれかとするのが好ましい。
【００１６】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工方法は、非金属材料基板を溝付きワークテーブル上
に固定し、レーザビームを非金属材料基板に照射すると
共に、その照射位置が溝付きワークテーブルの溝の上に
なるようにするのが好ましい。
加工方法は、非金属材料基板を溝付きワークテーブル上
に固定し、レーザビームを非金属材料基板に照射すると
共に、その照射位置が溝付きワークテーブルの溝の上に
なるようにするのが好ましい。
【００１７】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工方法は、非金属材料基板のレーザビームの照射面の
直後を急冷することにより、急加熱と、急冷とを行うの
が好ましい。
加工方法は、非金属材料基板のレーザビームの照射面の
直後を急冷することにより、急加熱と、急冷とを行うの
が好ましい。
【００１８】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工方法は、加工は強制排気機構付きボックス内で行う
のが好ましい。
加工方法は、加工は強制排気機構付きボックス内で行う
のが好ましい。
【００１９】本発明の非金属材料基板の加工装置は、非
金属材料基板を固定して所望速度で少なくとも１軸方向
に移動させることが可能な移動ステージと、非金属材料
基板の表面にレーザビームを照射するレーザ発振装置と
を備えた非金属材料基板の加工装置において、非金属材
料基板表面にフッ素を含んだ不活性ガスを吹き付ける吹
き付け装置を有するものである。
金属材料基板を固定して所望速度で少なくとも１軸方向
に移動させることが可能な移動ステージと、非金属材料
基板の表面にレーザビームを照射するレーザ発振装置と
を備えた非金属材料基板の加工装置において、非金属材
料基板表面にフッ素を含んだ不活性ガスを吹き付ける吹
き付け装置を有するものである。
【００２０】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工装置は、レーザビームを移動させるレーザビーム移
動機構を有するのが好ましい。
加工装置は、レーザビームを移動させるレーザビーム移
動機構を有するのが好ましい。
【００２１】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工装置は、不活性ガスでフッ素ガスを搬送させる搬送
機構を有するのが好ましい。
加工装置は、不活性ガスでフッ素ガスを搬送させる搬送
機構を有するのが好ましい。
【００２２】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工装置は、レーザ発振装置として、ＣＯ2 、ＣＯ、エ
キシマ等のレーザ発振装置を用いるのが好ましい。
加工装置は、レーザ発振装置として、ＣＯ2 、ＣＯ、エ
キシマ等のレーザ発振装置を用いるのが好ましい。
【００２３】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工装置は、レーザ発振装置からのレーザビームを略円
形、略楕円形あるいは所望幅と長さとを有する線形のい
ずれかに変形できる変形機構を有するのが好ましい。
加工装置は、レーザ発振装置からのレーザビームを略円
形、略楕円形あるいは所望幅と長さとを有する線形のい
ずれかに変形できる変形機構を有するのが好ましい。
【００２４】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工装置は、移動ステージ上の非金属材料基板を固定す
るワークテーブルを有し、そのワークテーブル上に溝が
形成されているのが好ましい。
加工装置は、移動ステージ上の非金属材料基板を固定す
るワークテーブルを有し、そのワークテーブル上に溝が
形成されているのが好ましい。
【００２５】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工装置は、非金属材料基板表面を急冷するための急冷
装置を有するのが好ましい。
加工装置は、非金属材料基板表面を急冷するための急冷
装置を有するのが好ましい。
【００２６】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工装置は、非金属材料基板あるいはレーザビームを所
望方向に往復移動させる往復機構を有してもよい。
加工装置は、非金属材料基板あるいはレーザビームを所
望方向に往復移動させる往復機構を有してもよい。
【００２７】上記構成に加え本発明の非金属材料基板の
加工装置は、非金属材料基板の加工部には強制排気機構
付きボックスが設けられているのが好ましい。
加工装置は、非金属材料基板の加工部には強制排気機構
付きボックスが設けられているのが好ましい。
【００２８】本発明の加工方法によれば、基板表面にフ
ッ素を含んだ不活性ガス（ＨｅガスやＡｒガス等）を吹
き付けながらレーザビームを照射して亀裂を発生させ、
その亀裂を進展させていく際に、レーザビーム照射とフ
ッ素を含んだ不活性ガスの吹き付けとにより、基板表面
がプラズマ状態となり、亀裂の進展速度がより速くな
り、かつ発生した亀裂のエッジ面がフッ素ガスでエッチ
ングされて丸め加工される。
ッ素を含んだ不活性ガス（ＨｅガスやＡｒガス等）を吹
き付けながらレーザビームを照射して亀裂を発生させ、
その亀裂を進展させていく際に、レーザビーム照射とフ
ッ素を含んだ不活性ガスの吹き付けとにより、基板表面
がプラズマ状態となり、亀裂の進展速度がより速くな
り、かつ発生した亀裂のエッジ面がフッ素ガスでエッチ
ングされて丸め加工される。
【００２９】特に非金属材料基板として、ガラス基板を
用いた場合にはフッ素を含んだ不活性ガスの吹き付けは
エッジ部のエッチングを強力に促進させることができ
る。
用いた場合にはフッ素を含んだ不活性ガスの吹き付けは
エッジ部のエッチングを強力に促進させることができ
る。
【００３０】また、不活性ガスでフッ素ガスを搬送させ
ることにより、エッチングが促進される。
ることにより、エッチングが促進される。
【００３１】本発明の加工方法によれば、ステージを移
動させる代わりにレーザビームを移動させることにより
割断することにより、加工装置を小形化することができ
る。
動させる代わりにレーザビームを移動させることにより
割断することにより、加工装置を小形化することができ
る。
【００３２】さらに、本発明の加工方法によれば、非金
属材料基板の割断エッジ面をより高速で丸め化すること
が可能なフッ素系ガス（ＣＦ4 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ2 Ｆ6 、
ＸｅＦ2 等）の中から基板の材料に応じて選択すること
ができる。しかもこれらのフッ素系ガスはレーザビーム
照射で局部的に高温（５００〜８００℃）に加熱された
基板表面に吹き付けられて反応するので、その基板表面
のエッチングと亀裂の進展とが促進され、他の基板表面
には悪影響を及ぼさない。また、フッ素系ガスの吹き付
けプロセスはクリーンドライプロセスであるのでＨＦが
発生しにくい。
属材料基板の割断エッジ面をより高速で丸め化すること
が可能なフッ素系ガス（ＣＦ4 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ2 Ｆ6 、
ＸｅＦ2 等）の中から基板の材料に応じて選択すること
ができる。しかもこれらのフッ素系ガスはレーザビーム
照射で局部的に高温（５００〜８００℃）に加熱された
基板表面に吹き付けられて反応するので、その基板表面
のエッチングと亀裂の進展とが促進され、他の基板表面
には悪影響を及ぼさない。また、フッ素系ガスの吹き付
けプロセスはクリーンドライプロセスであるのでＨＦが
発生しにくい。
【００３３】本発明の加工方法によれば、非金属材料基
板（ガラス、セラミックス、サファイア、ＬｉＮｂ
Ｏ3 、ＬｉＴａＯ5 、絶縁膜付きＳｉ等）にレーザビー
ムがよく吸収されるＣＯ2 、ＣＯ、エキシマ等のレーザ
ビームを用いるので、高速で割断を行うことができる。
板（ガラス、セラミックス、サファイア、ＬｉＮｂ
Ｏ3 、ＬｉＴａＯ5 、絶縁膜付きＳｉ等）にレーザビー
ムがよく吸収されるＣＯ2 、ＣＯ、エキシマ等のレーザ
ビームを用いるので、高速で割断を行うことができる。
【００３４】本発明の加工方法によれば、基板表面に照
射するレーザビーム形状として、略円形、略楕円形ある
いは線形のいずれかを選択することができるので、種々
の非金属材料基板を割断することができる。
射するレーザビーム形状として、略円形、略楕円形ある
いは線形のいずれかを選択することができるので、種々
の非金属材料基板を割断することができる。
【００３５】本発明の加工方法によれば、非金属材料基
板を溝付きワークテーブル上に固定し、レーザビームを
その溝の上の基板表面に照射するので、割断した基板の
表面と裏面のエッジ部にフッ素を含んだ不活性ガスが吹
き付けられ、両エッジ部を丸め化することができる。
板を溝付きワークテーブル上に固定し、レーザビームを
その溝の上の基板表面に照射するので、割断した基板の
表面と裏面のエッジ部にフッ素を含んだ不活性ガスが吹
き付けられ、両エッジ部を丸め化することができる。
【００３６】本発明の加工方法によれば、レーザビーム
の照射されている基板表面の直後を急冷することによ
り、非常に高い温度差が基板に与えられるので、割断速
度の向上と、割断寸法精度の向上を図ることができる。
の照射されている基板表面の直後を急冷することによ
り、非常に高い温度差が基板に与えられるので、割断速
度の向上と、割断寸法精度の向上を図ることができる。
【００３７】本発明の加工方法によれば、フッ素を含ん
だガスを吹き付けながらレーザビーム照射で割断した
後、再度割断した基板エッジ部にフッ素を含んだガスを
吹き付けながらレーザビームを照射することにより、基
板エッジ部をより丸め化することができる。
だガスを吹き付けながらレーザビーム照射で割断した
後、再度割断した基板エッジ部にフッ素を含んだガスを
吹き付けながらレーザビームを照射することにより、基
板エッジ部をより丸め化することができる。
【００３８】本発明の加工方法によれば、非金属材料基
板の割断加工を強制排気機構付きボックス内で行うよう
にしているので、大気中の水分やゴミが基板に付着する
ことがなくなる。またフッ素を含んだ不活性ガスが外部
に漏れることもなく安全な作業を行うことができる。
板の割断加工を強制排気機構付きボックス内で行うよう
にしているので、大気中の水分やゴミが基板に付着する
ことがなくなる。またフッ素を含んだ不活性ガスが外部
に漏れることもなく安全な作業を行うことができる。
【００３９】本発明の加工装置によれば、非金属材料基
板の割断と、その割断したエッジ部の丸め化を行うこと
ができる。
板の割断と、その割断したエッジ部の丸め化を行うこと
ができる。
【００４０】本発明の加工装置によれば、より低価格、
小型の装置を提供することができる。
小型の装置を提供することができる。
【００４１】本発明の加工装置によれば、非金属材料基
板の種類によってレーザ発振装置の種類を選択すること
ができ、広範な非金属材料基板の加工装置として使用で
きる。
板の種類によってレーザ発振装置の種類を選択すること
ができ、広範な非金属材料基板の加工装置として使用で
きる。
【００４２】本発明の加工装置によれば、レーザビーム
形状の変形機構を用いることにより、種々の非金属材料
基板に対して、直線割断、曲線割断、高速割断、高寸法
精度割断等を行うことができる。
形状の変形機構を用いることにより、種々の非金属材料
基板に対して、直線割断、曲線割断、高速割断、高寸法
精度割断等を行うことができる。
【００４３】本発明の加工装置によれば、非金属材料基
板の割断した表及び裏のエッジ部の丸め化を行うことが
できる。
板の割断した表及び裏のエッジ部の丸め化を行うことが
できる。
【００４４】本発明の加工装置によれば、より高速、高
寸法精度で非金属材料基板の割断を行うことができる。
寸法精度で非金属材料基板の割断を行うことができる。
【００４５】本発明の加工装置によれば、割断工程と、
丸め化工程と、さらなる丸め化工程を有する装置を提供
することができる。
丸め化工程と、さらなる丸め化工程を有する装置を提供
することができる。
【００４６】本発明の加工装置によれば、ドライクリー
ンな加工工程と、より安全な加工工程とを有する装置を
提供することができる。
ンな加工工程と、より安全な加工工程とを有する装置を
提供することができる。
【００４７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００４８】図１は本発明の非金属材料基板の加工方法
の一実施の形態を示す概念図である。
の一実施の形態を示す概念図である。
【００４９】この方法は非金属材料基板（以下「基板」
という。）１を矢印２方向に所望速度で移動させている
状態で、基板１の一方の端（図では左端）からＣＯ2 レ
ーザビーム３−２を照射しつつ、矢印８−１、８−２方
向にＣＦ4 を含んだＨｅガス（以下「８−１、８−２で
表す」）を吹き付けて、一方の端から他方の端（図では
右端）まで徐々に亀裂５を発生、進展させて割断させる
方法である。
という。）１を矢印２方向に所望速度で移動させている
状態で、基板１の一方の端（図では左端）からＣＯ2 レ
ーザビーム３−２を照射しつつ、矢印８−１、８−２方
向にＣＦ4 を含んだＨｅガス（以下「８−１、８−２で
表す」）を吹き付けて、一方の端から他方の端（図では
右端）まで徐々に亀裂５を発生、進展させて割断させる
方法である。
【００５０】ＣＯ2 レーザビームは平行ビーム３−１を
集光レンズ４を通すことによって集光させたレーザビー
ム３−２を用いる。このレーザビーム３−２は連続発振
あるいはパルス発振したもののいずれを用いてもよい。
ＣＦ4 を含んだＨｅガス８−１、８−２はレーザビーム
３−２の伝搬方向に沿って吹き付ける。このガス圧は
０．５ｋｇ／ｃｍ2 から数ｋｇ／ｃｍ2 の範囲が好まし
い。割断エッジ部の丸め化を促進させるにはガス圧は高
い方が好ましい。基板１としては石英系ガラス、多成分
系ガラス（ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、無
アルカリガラス等）、セラミックス、サファイア、Ｌｉ
ＮｂＯ5 等を用いることができる。
集光レンズ４を通すことによって集光させたレーザビー
ム３−２を用いる。このレーザビーム３−２は連続発振
あるいはパルス発振したもののいずれを用いてもよい。
ＣＦ4 を含んだＨｅガス８−１、８−２はレーザビーム
３−２の伝搬方向に沿って吹き付ける。このガス圧は
０．５ｋｇ／ｃｍ2 から数ｋｇ／ｃｍ2 の範囲が好まし
い。割断エッジ部の丸め化を促進させるにはガス圧は高
い方が好ましい。基板１としては石英系ガラス、多成分
系ガラス（ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、無
アルカリガラス等）、セラミックス、サファイア、Ｌｉ
ＮｂＯ5 等を用いることができる。
【００５１】特に割断エッジ部の丸め化を必要とする多
成分系ガラス、セラミックス基板はこの加工方法に好適
である。
成分系ガラス、セラミックス基板はこの加工方法に好適
である。
【００５２】次に図１に示した加工方法を詳しく説明す
る。
る。
【００５３】基板１には無アルカリガラス基板（サイ
ズ：厚さ１．１ｍｍ、長さ５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ）
を用い、この基板１を２０ｍｍ／ｓｅｃで移動させ、Ｃ
Ｏ2 レーザビーム（連続発振出力８０Ｗ、ビームスポッ
ト径１．５ｍｍの略円形）３−２を照射し、かつ、ＣＦ
4 を５００ｃｃ／ｍｉｎをＨｅガスで搬送させ、直径２
ｍｍのノズルから矢印８−１、８−２方向に２ｋｇ／ｃ
ｍ2 の圧力で噴射させて基板１に亀裂５を発生させるこ
とができ、その亀裂５を進展させて基板１を二つに分
断、割断を行うことができた。割断した基板１のエッジ
部は手で触れても手に傷がつかない程度に丸め化されて
いた。
ズ：厚さ１．１ｍｍ、長さ５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ）
を用い、この基板１を２０ｍｍ／ｓｅｃで移動させ、Ｃ
Ｏ2 レーザビーム（連続発振出力８０Ｗ、ビームスポッ
ト径１．５ｍｍの略円形）３−２を照射し、かつ、ＣＦ
4 を５００ｃｃ／ｍｉｎをＨｅガスで搬送させ、直径２
ｍｍのノズルから矢印８−１、８−２方向に２ｋｇ／ｃ
ｍ2 の圧力で噴射させて基板１に亀裂５を発生させるこ
とができ、その亀裂５を進展させて基板１を二つに分
断、割断を行うことができた。割断した基板１のエッジ
部は手で触れても手に傷がつかない程度に丸め化されて
いた。
【００５４】なお、ＣＦ4 を含んだＨｅガスの効果を確
認するためにＣＦ4 を流さないで割断を行った結果、割
断速度は約８％遅くなることが分かった。また、割断エ
ッジ部は明らかに垂直エッジとなっており、フッ素ガス
の導入効果が有効であることが確認できた。
認するためにＣＦ4 を流さないで割断を行った結果、割
断速度は約８％遅くなることが分かった。また、割断エ
ッジ部は明らかに垂直エッジとなっており、フッ素ガス
の導入効果が有効であることが確認できた。
【００５５】図２は本発明の非金属材料基板の加工方法
の他の実施の形態を示す概念図である。
の他の実施の形態を示す概念図である。
【００５６】この加工方法は、図１に示した加工方法で
割断した基板１−１と基板１−２との間に隙間ｇをもた
せ、この隙間ｇに再びＣＦ4 を含んだＨｅガスを矢印８
−１、８−２方向に吹き付けながらＣＯ2 レーザビーム
３−２を照射して割断した基板１−１、１−２のエッジ
部９−１、９−２、９−３、９−４を丸め化する方法で
ある。
割断した基板１−１と基板１−２との間に隙間ｇをもた
せ、この隙間ｇに再びＣＦ4 を含んだＨｅガスを矢印８
−１、８−２方向に吹き付けながらＣＯ2 レーザビーム
３−２を照射して割断した基板１−１、１−２のエッジ
部９−１、９−２、９−３、９−４を丸め化する方法で
ある。
【００５７】なお、基板１−１と基板１−２とは所望速
度で移動させながら割断加工を行う。
度で移動させながら割断加工を行う。
【００５８】図３は図２に示した方法で丸め加工を行っ
た後の割断エッジ部の概略図である。
た後の割断エッジ部の概略図である。
【００５９】基板１の表面及び裏面のエッジ部９−１〜
９−４を丸め化することができた。なお、図２におい
て、ＣＯ2 レーザビーム３−２の焦点は基板１−１（１
−２）の厚さの略真中の部分に集光させるようにしてお
くのが好ましい。
９−４を丸め化することができた。なお、図２におい
て、ＣＯ2 レーザビーム３−２の焦点は基板１−１（１
−２）の厚さの略真中の部分に集光させるようにしてお
くのが好ましい。
【００６０】図４は本発明の非金属材料基板の加工方法
を適用した加工装置の概念図である。
を適用した加工装置の概念図である。
【００６１】この加工装置は、基板１を固定して所望速
度で少なくとも１軸方向に移動させることが可能な移動
ステージ１６と、基板１の表面にレーザビーム３−２を
照射するレーザ発振器１０とを備えた加工装置であっ
て、基板１表面にフッ素を含んだ不活性ガスを吹き付け
る吹き付け装置を有することを特徴とする。
度で少なくとも１軸方向に移動させることが可能な移動
ステージ１６と、基板１の表面にレーザビーム３−２を
照射するレーザ発振器１０とを備えた加工装置であっ
て、基板１表面にフッ素を含んだ不活性ガスを吹き付け
る吹き付け装置を有することを特徴とする。
【００６２】基板１は溝付きワークテーブル１４の上に
真空吸着により固定されている。ワークテーブル１４は
ＸＹＺθ移動ステージ１６によって、Ｘ軸方向、Ｙ軸方
向、Ｚ軸方向及びθ軸方向（ＸＹ平面におけるＸ軸を基
準とする回転角度）にモータ駆動（図示せず）により移
動されるようになっている。ＣＯ2 レーザ発振器１０か
ら出射した平行ビーム３はフード１２内に全反射ミラー
１１−１、１１−２によって反射されながら矢印３−
０、３−１方向に伝搬し、集光レンズ４に案内される。
この集光レンズ４によってレーザビームは矢印３−２の
ように集光され、基板１上に照射される。
真空吸着により固定されている。ワークテーブル１４は
ＸＹＺθ移動ステージ１６によって、Ｘ軸方向、Ｙ軸方
向、Ｚ軸方向及びθ軸方向（ＸＹ平面におけるＸ軸を基
準とする回転角度）にモータ駆動（図示せず）により移
動されるようになっている。ＣＯ2 レーザ発振器１０か
ら出射した平行ビーム３はフード１２内に全反射ミラー
１１−１、１１−２によって反射されながら矢印３−
０、３−１方向に伝搬し、集光レンズ４に案内される。
この集光レンズ４によってレーザビームは矢印３−２の
ように集光され、基板１上に照射される。
【００６３】ここで、レーザビームの照射位置はワーク
テーブル１４の溝１５−１、１５−２の真上の基板１の
表面上に設定される。レーザビーム３−２の外周からは
ＣＦ4 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ2 Ｆ6 、ＸｅＦ2 等のフッ素系ガ
スを少なくとも１種類含んだ不活性ガスがノズル１３を
通って矢印８−１、８−２方向に吹き付けられる。フッ
素系ガスを含んだ不活性ガスは基板１に発生した亀裂の
わずかな隙間を通って溝１５−１内に入り込み、基板１
の裏面の割断エッジ部をエッチングする。
テーブル１４の溝１５−１、１５−２の真上の基板１の
表面上に設定される。レーザビーム３−２の外周からは
ＣＦ4 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ2 Ｆ6 、ＸｅＦ2 等のフッ素系ガ
スを少なくとも１種類含んだ不活性ガスがノズル１３を
通って矢印８−１、８−２方向に吹き付けられる。フッ
素系ガスを含んだ不活性ガスは基板１に発生した亀裂の
わずかな隙間を通って溝１５−１内に入り込み、基板１
の裏面の割断エッジ部をエッチングする。
【００６４】なお、ワークテーブル１４はＸ軸方向、Ｙ
軸方向、Ｚ軸方向及びθ軸方向のいずれの方向にも基板
１を正方向及び逆方向に移動させることができる。すな
わち、ワークテーブル１４は基板１を往復運動させるこ
とができるようになっている。
軸方向、Ｚ軸方向及びθ軸方向のいずれの方向にも基板
１を正方向及び逆方向に移動させることができる。すな
わち、ワークテーブル１４は基板１を往復運動させるこ
とができるようになっている。
【００６５】図４において、全反射ミラー１１−１と、
全反射ミラー１１−２との間の距離を自由に変化させる
ことができるようなフード機構（例えばジャバラ構造、
ズーム構造等）を設けることにより、ワークテーブル１
４を移動させる代わりにレーザビーム３−２を移動させ
て基板１を割断することができる。この結果、ＸＹＺθ
移動ステージ１６を簡単な構造にすることができ、低価
格な装置を実現することができる。また、ＣＯ2 レーザ
発振器１０の代わりに、ＣＯレーザ発振器やエキシマレ
ーザ発振器等を用いてもよい。
全反射ミラー１１−２との間の距離を自由に変化させる
ことができるようなフード機構（例えばジャバラ構造、
ズーム構造等）を設けることにより、ワークテーブル１
４を移動させる代わりにレーザビーム３−２を移動させ
て基板１を割断することができる。この結果、ＸＹＺθ
移動ステージ１６を簡単な構造にすることができ、低価
格な装置を実現することができる。また、ＣＯ2 レーザ
発振器１０の代わりに、ＣＯレーザ発振器やエキシマレ
ーザ発振器等を用いてもよい。
【００６６】図５は本発明の非金属材料基板の加工方法
の他の実施の形態を示す概念図である。図５（ａ）は非
金属材料基板が固定されたワークテーブルの正面図であ
り、図５（ｂ）は非金属材料基板が固定されたワークテ
ーブルの側面図である。
の他の実施の形態を示す概念図である。図５（ａ）は非
金属材料基板が固定されたワークテーブルの正面図であ
り、図５（ｂ）は非金属材料基板が固定されたワークテ
ーブルの側面図である。
【００６７】図５（ａ）、（ｂ）に示すように矢印２−
１方向に所望速度で移動するワークテーブル１４上に固
定された基板１上にＣＯ2 レーザビームを照射しつつフ
ッ素ガスを含んだ不活性ガスを吹き付けて割断と丸め化
とを同時に進行させる。なお、この工程においてＣＯ2
レーザビーム３−２の形状が略円形か略楕円形の場合に
は、デフォーカス状態で基板１上に照射される。また、
ＣＯ2 レーザビーム３−２の形状が幅Ｗ、長さＬの略線
形の場合には集光レンズ４と基板１との間にＺｎＳｅの
円柱か円管を挿入し、集光レンズ４と円柱（あるいは円
管）の距離か円柱（あるいは円管）と基板１との間の距
離等を調節することにより、幅Ｗ、長さＬを制御する。
１方向に所望速度で移動するワークテーブル１４上に固
定された基板１上にＣＯ2 レーザビームを照射しつつフ
ッ素ガスを含んだ不活性ガスを吹き付けて割断と丸め化
とを同時に進行させる。なお、この工程においてＣＯ2
レーザビーム３−２の形状が略円形か略楕円形の場合に
は、デフォーカス状態で基板１上に照射される。また、
ＣＯ2 レーザビーム３−２の形状が幅Ｗ、長さＬの略線
形の場合には集光レンズ４と基板１との間にＺｎＳｅの
円柱か円管を挿入し、集光レンズ４と円柱（あるいは円
管）の距離か円柱（あるいは円管）と基板１との間の距
離等を調節することにより、幅Ｗ、長さＬを制御する。
【００６８】同図５（ａ）、（ｂ）に示すように二つに
割断された基板１−１、１−２は図６（ａ）、（ｂ）に
示すように割断エッジ部の丸め化が行われる。
割断された基板１−１、１−２は図６（ａ）、（ｂ）に
示すように割断エッジ部の丸め化が行われる。
【００６９】図６は本発明の非金属材料基板の加工方法
の他の実施の形態を示す概念図である。図６（ａ）は非
金属材料基板が固定されたワークテーブルの正面図であ
り、図６（ｂ）は非金属材料基板が固定されたワークテ
ーブルの側面図である。
の他の実施の形態を示す概念図である。図６（ａ）は非
金属材料基板が固定されたワークテーブルの正面図であ
り、図６（ｂ）は非金属材料基板が固定されたワークテ
ーブルの側面図である。
【００７０】すなわち、この加工方法は、ワークテーブ
ル１４上の割断された基板１−１、１−２の間にわずか
な隙間をもたせて固定し、ワークテーブル１４を矢印２
−２方向に所望速度で移動させつつＣＯ2 レーザビーム
３−２の照射とフッ素を含んだ不活性ガスを吹き付ける
方法である。
ル１４上の割断された基板１−１、１−２の間にわずか
な隙間をもたせて固定し、ワークテーブル１４を矢印２
−２方向に所望速度で移動させつつＣＯ2 レーザビーム
３−２の照射とフッ素を含んだ不活性ガスを吹き付ける
方法である。
【００７１】ここで、図５（ａ）、（ｂ）に示したレー
ザビームにはＣＯ2 レーザビームを用い、図６（ａ）、
（ｂ）に示したレーザビームにはＣＯ2 レーザビーム以
外にエキシマレーザビームを用いてもよい。
ザビームにはＣＯ2 レーザビームを用い、図６（ａ）、
（ｂ）に示したレーザビームにはＣＯ2 レーザビーム以
外にエキシマレーザビームを用いてもよい。
【００７２】図７は本発明の非金属材料基板の加工方法
の他の実施の形態を示す概念図である。図７（ａ）は非
金属材料基板が固定されたワークテーブルの正面図であ
り、図７（ｂ）は非金属材料基板が固定されたワークテ
ーブルの側面図である。
の他の実施の形態を示す概念図である。図７（ａ）は非
金属材料基板が固定されたワークテーブルの正面図であ
り、図７（ｂ）は非金属材料基板が固定されたワークテ
ーブルの側面図である。
【００７３】図７（ａ）、（ｂ）は図５（ａ）、（ｂ）
に示した加工方法に他の工程を付加したものである。す
なわち、図７（ａ）、（ｂ）において、基板１上を移動
するＣＯ2 レーザビーム３−２の照射面の直後に急冷剤
を矢印１７方向に吹き付けて急加熱、急冷却することに
よって、より高速に割断を促進させるようにしたもので
ある。急冷剤としては、例えばオゾン層を破壊しないフ
ロンガス（ハイドロフフロロカーボン、商品名ＨＦＣ１
３４ａ、ハイドロクロロアルカン、商品名ＨＦＡ１３４
ｄ、瞬間凍結剤の商品名マイナス９６、フリーズイット
２０００等）を用いることができる。
に示した加工方法に他の工程を付加したものである。す
なわち、図７（ａ）、（ｂ）において、基板１上を移動
するＣＯ2 レーザビーム３−２の照射面の直後に急冷剤
を矢印１７方向に吹き付けて急加熱、急冷却することに
よって、より高速に割断を促進させるようにしたもので
ある。急冷剤としては、例えばオゾン層を破壊しないフ
ロンガス（ハイドロフフロロカーボン、商品名ＨＦＣ１
３４ａ、ハイドロクロロアルカン、商品名ＨＦＡ１３４
ｄ、瞬間凍結剤の商品名マイナス９６、フリーズイット
２０００等）を用いることができる。
【００７４】図７（ａ）、（ｂ）に示す二つに割断され
た基板１−１、１−２は図８（ａ）、（ｂ）に示すよう
に割断エッジ部の丸め化が行われる。
た基板１−１、１−２は図８（ａ）、（ｂ）に示すよう
に割断エッジ部の丸め化が行われる。
【００７５】なお、図８は本発明の非金属材料基板の加
工方法の他の実施の形態を示す概念図である。図８
（ａ）は非金属材料基板が固定されたワークテーブルの
正面図であり、図８（ｂ）は非金属材料基板が固定され
たワークテーブルの側面図である。
工方法の他の実施の形態を示す概念図である。図８
（ａ）は非金属材料基板が固定されたワークテーブルの
正面図であり、図８（ｂ）は非金属材料基板が固定され
たワークテーブルの側面図である。
【００７６】本発明は上記実施の形態に限定されない。
まず図４において、加工部（破線１８で囲んだ部分）を
強制排気装置付きボックスで覆い、強制排気を行いなが
ら加工を行うようにするとドライクリーンで、かつ安全
性の高い加工を実現することができる。
まず図４において、加工部（破線１８で囲んだ部分）を
強制排気装置付きボックスで覆い、強制排気を行いなが
ら加工を行うようにするとドライクリーンで、かつ安全
性の高い加工を実現することができる。
【００７７】ここで、フッ素ガスを搬送するガスとして
は、Ｈｅの方が丸め化を促進させる上で最もよいが、Ａ
ｒガスを用いてもよい。また、ＣＦ4 にＨ2 を混合させ
たＨｅガスを用いてもよい。さらにＣＦ4 、Ｃ3 Ｆ8 、
Ｃ2 Ｆ6 、ＸｅＦ2 以外のエッチング用フッ素ガスを用
いることも可能である。
は、Ｈｅの方が丸め化を促進させる上で最もよいが、Ａ
ｒガスを用いてもよい。また、ＣＦ4 にＨ2 を混合させ
たＨｅガスを用いてもよい。さらにＣＦ4 、Ｃ3 Ｆ8 、
Ｃ2 Ｆ6 、ＸｅＦ2 以外のエッチング用フッ素ガスを用
いることも可能である。
【００７８】以上において本発明によれば、 (1) フッ素ガスを含んだＨｅあるいはＡｒ等の不活性ガ
スを吹き付けながらレーザビーム照射によって、より割
断速度を速くすることができると共に、割断したエッジ
部の丸め加工も合わせて行うことができる。
スを吹き付けながらレーザビーム照射によって、より割
断速度を速くすることができると共に、割断したエッジ
部の丸め加工も合わせて行うことができる。
【００７９】(2) 割断エッジ部に再度フッ素ガスを含ん
だ不活性ガスを吹き付けながらレーザビームを照射する
ことにより、エッジ部をさらに丸め化を促進させること
ができる。
だ不活性ガスを吹き付けながらレーザビームを照射する
ことにより、エッジ部をさらに丸め化を促進させること
ができる。
【００８０】(3) 非金属材料基板の種類や加工形状によ
って、ＣＯ2 、ＣＯ、エキシマ等のレーザビームを使い
分けることができ、レーザビーム形状を略円形、略楕円
形、略線形等に使い分けることができる。
って、ＣＯ2 、ＣＯ、エキシマ等のレーザビームを使い
分けることができ、レーザビーム形状を略円形、略楕円
形、略線形等に使い分けることができる。
【００８１】(4) 非金属材料基板を固定するワークテー
ブルに溝付きのものを用い、その溝の真上の基板上にレ
ーザビーム照射とフッ素を含んだ不活性ガスを吹き付け
ることにより、基板表面及び裏面の割断エッジ部の丸め
化を行うことができる。
ブルに溝付きのものを用い、その溝の真上の基板上にレ
ーザビーム照射とフッ素を含んだ不活性ガスを吹き付け
ることにより、基板表面及び裏面の割断エッジ部の丸め
化を行うことができる。
【００８２】(5) レーザビーム照射とフッ素系ガス吹き
付け以外に、基板上のレーザビーム照射部の直後を急冷
することにより、割断速度の向上と割断寸法精度の向上
を図ることができる。
付け以外に、基板上のレーザビーム照射部の直後を急冷
することにより、割断速度の向上と割断寸法精度の向上
を図ることができる。
【００８３】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００８４】割断速度が速く、割断したエッジ部の丸め
化を促進できる非金属材料基板の加工方法及びその装置
の提供を実現することができる。
化を促進できる非金属材料基板の加工方法及びその装置
の提供を実現することができる。
【図１】本発明の非金属材料基板の加工方法の一実施の
形態を示す概念図である。
形態を示す概念図である。
【図２】本発明の非金属材料基板の加工方法の他の実施
の形態を示す概念図である。
の形態を示す概念図である。
【図３】図２に示した方法で丸め加工を行った後の割断
エッジ部の概略図である。
エッジ部の概略図である。
【図４】本発明の非金属材料基板の加工方法を適用した
加工装置の概念図である。
加工装置の概念図である。
【図５】本発明の非金属材料基板の加工方法の他の実施
の形態を示す概念図である。
の形態を示す概念図である。
【図６】本発明の非金属材料基板の加工方法の他の実施
の形態を示す概念図である。
の形態を示す概念図である。
【図７】本発明の非金属材料基板の加工方法の他の実施
の形態を示す概念図である。
の形態を示す概念図である。
【図８】本発明の非金属材料基板の加工方法の他の実施
の形態を示す概念図である。
の形態を示す概念図である。
【図９】従来の非金属材料基板の加工方法を示す概念図
である。
である。
【図１０】図９に示した加工方法で切断されたガラス基
板の断面図である。
板の断面図である。
１ 基板（非金属材料基板） ３−２ レーザビーム ５ 亀裂 ８−１、８−２ 不活性ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２３Ｋ 26/10 Ｂ２３Ｋ 26/10 26/12 26/12 26/14 26/14 Ｚ 26/16 26/16 31/00 31/00 Ｃ０３Ｂ 33/09 Ｃ０３Ｂ 33/09 Ｃ０３Ｃ 15/02 Ｃ０３Ｃ 15/02
Claims (18)
- 【請求項１】 非金属材料基板を所望速度で移動させ、
その非金属材料基板の表面にレーザビームを照射し、該
レーザビームの熱エネルギーを利用して上記非金属材料
基板に熱応力による亀裂を発生させ、該亀裂を進展させ
ることにより上記非金属材料基板を割断する非金属材料
基板の加工方法において、上記レーザビームの照射され
た非金属材料基板表面に、フッ素を含んだ不活性ガスを
吹き付けることを特徴とする非金属材料基板の加工方
法。 - 【請求項２】 上記非金属材料基板を移動させる代わり
に上記レーザビームを移動させる請求項１に記載の非金
属材料基板の加工方法。 - 【請求項３】 割断された非金属材料基板のエッジ部
に、再度レーザビームを照射しながらフッ素を含んだ不
活性ガスを吹き付ける請求項１または２に記載の非金属
材料基板の加工方法。 - 【請求項４】 上記フッ素を含んだ不活性ガスとして、
ＣＦ4 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ2 Ｆ6 、ＸｅＦ2 等を少なくとも
１種類含んだＨｅガスあるいはＡｒガスを用いる請求項
１から３のいずれかに記載の非金属材料基板の加工方
法。 - 【請求項５】 上記レーザビームとして、ＣＯ2 、Ｃ
Ｏ、エキシマ等のレーザビームを用いる請求項１から４
のいずれかに記載の非金属材料基板の加工方法。 - 【請求項６】 上記非金属材料基板表面に照射されるレ
ーザビーム形状として、略円形、略楕円形あるいは所望
幅と所望長さとを有する線形のいずれかとする請求項１
から５のいずれかに記載の非金属材料基板の加工方法。 - 【請求項７】 上記非金属材料基板を溝付きワークテー
ブル上に固定し、上記レーザビームを上記非金属材料基
板に照射すると共に、その照射位置が上記溝付きワーク
テーブルの溝の上になるようにする請求項１から６のい
ずれかに記載の非金属材料基板の加工方法。 - 【請求項８】 上記非金属材料基板の上記レーザビーム
の照射面の直後を急冷することにより、急加熱と、急冷
とを行う請求項１から７のいずれかに記載の非金属材料
基板の加工方法。 - 【請求項９】 上記加工は強制排気機構付きボックス内
で行う請求項１から８のいずれかに記載の非金属材料基
板の加工方法。 - 【請求項１０】 非金属材料基板を固定して所望速度で
少なくとも１軸方向に移動させることが可能な移動ステ
ージと、上記非金属材料基板の表面にレーザビームを照
射するレーザ発振装置とを備えた非金属材料基板の加工
装置において、上記非金属材料基板表面にフッ素を含ん
だ不活性ガスを吹き付ける吹き付け装置を有することを
特徴とする非金属材料基板の加工装置。 - 【請求項１１】 上記レーザビームを移動させるレーザ
ビーム移動機構を有する請求項１０に記載の非金属材料
基板の加工装置。 - 【請求項１２】 不活性ガスで上記フッ素ガスを搬送さ
せる搬送機構を有する請求項１０または１１に記載の非
金属材料基板の加工装置。 - 【請求項１３】 上記レーザ発振装置として、ＣＯ2 、
ＣＯ、エキシマ等のレーザ発振装置を用いた請求項１０
から１２のいずれかに記載の非金属材料基板の加工装
置。 - 【請求項１４】 上記レーザ発振装置からのレーザビー
ムを略円形、略楕円形あるいは所望幅と長さとを有する
線形のいずれかに変形できる変形機構を有する請求項１
０から１３のいずれかに記載の非金属材料基板の加工装
置。 - 【請求項１５】 上記移動ステージ上の非金属材料基板
を固定するワークテーブルを有し、そのワークテーブル
上に溝が形成されている請求項１０から１４のいずれか
に記載の非金属材料基板の加工装置。 - 【請求項１６】 上記非金属材料基板表面を急冷するた
めの急冷装置を有する請求項１０から１５のいずれかに
記載の非金属材料基板の加工装置。 - 【請求項１７】 上記非金属材料基板あるいはレーザビ
ームを所望方向に往復移動させる往復機構を有する請求
項１０から１６のいずれかに記載の非金属材料基板の加
工装置。 - 【請求項１８】 上記非金属材料基板の加工部には強制
排気機構付きボックスが設けられている請求項１０から
１７のいずれかに記載の非金属材料基板の加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11068306A JP2000263258A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 非金属材料基板の加工方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11068306A JP2000263258A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 非金属材料基板の加工方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000263258A true JP2000263258A (ja) | 2000-09-26 |
Family
ID=13369992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11068306A Pending JP2000263258A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 非金属材料基板の加工方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000263258A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006176403A (ja) * | 2000-12-15 | 2006-07-06 | Lzh Laserzentrum Hannover Ev | 切断ゾーンを開始する方法 |
| JP2011517427A (ja) * | 2008-03-18 | 2011-06-09 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 多層半導体ウエハの処理 |
| JP2013079177A (ja) * | 2011-10-05 | 2013-05-02 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラスフィルム及びガラスロール |
| JP2017507034A (ja) * | 2014-01-30 | 2017-03-16 | アップル インコーポレイテッド | 複数のガス媒質を使用してサファイアをレーザー切断するためのシステム及び方法 |
| CN110523558A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-03 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种涂布机构 |
-
1999
- 1999-03-15 JP JP11068306A patent/JP2000263258A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2011517427A (ja) * | 2008-03-18 | 2011-06-09 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 多層半導体ウエハの処理 |
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| CN110523558A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-03 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种涂布机构 |
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