JP2000264732A - 圧電セラミックス - Google Patents
圧電セラミックスInfo
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- JP2000264732A JP2000264732A JP11076952A JP7695299A JP2000264732A JP 2000264732 A JP2000264732 A JP 2000264732A JP 11076952 A JP11076952 A JP 11076952A JP 7695299 A JP7695299 A JP 7695299A JP 2000264732 A JP2000264732 A JP 2000264732A
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- piezoelectric
- piezoelectric ceramic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 鉛を含まず、優れた圧電特性、特に、大きな
機械的品質係数（Ｑ m）を有する圧電セラミックスを提
供する。 【解決手段】 Ｓｒ、Ｂａ、ＢｉおよびＮｂを含有する
ビスマス層状化合物であり、ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9型結晶
を含み、原子比Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）が ０＜Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）≦０．２ である圧電セラミックス。
機械的品質係数（Ｑ m）を有する圧電セラミックスを提
供する。 【解決手段】 Ｓｒ、Ｂａ、ＢｉおよびＮｂを含有する
ビスマス層状化合物であり、ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9型結晶
を含み、原子比Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）が ０＜Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）≦０．２ である圧電セラミックス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レゾネータ、高温
用圧力センサ等の分野に幅広く応用可能な圧電セラミッ
クスに関する。
用圧力センサ等の分野に幅広く応用可能な圧電セラミッ
クスに関する。
【０００２】
【従来の技術】圧電体は、外部から応力を受けることに
よって電気分極が変化する圧電効果と、電界を印加する
ことにより歪みを発生する逆圧電効果とを有する材料で
ある。圧電体は、センサ、レゾネータ、アクチュエータ
などに応用されている。
よって電気分極が変化する圧電効果と、電界を印加する
ことにより歪みを発生する逆圧電効果とを有する材料で
ある。圧電体は、センサ、レゾネータ、アクチュエータ
などに応用されている。
【０００３】現在実用化されている圧電材料の大部分
は、正方晶系または菱面体晶系のＰＺＴ（ＰｂＺｒＯ3
−ＰｂＴｉＯ3固溶体）系や、正方晶系のＰＴ（ＰｂＴ
ｉＯ3）系などのペロブスカイト構造を有する強誘電体
が一般的である。そして、これらに様々な副成分を添加
することにより、様々な要求特性への対応がはかられて
いる。例えば、直流的な使い方で大きな変位量が求めら
れる位置調整用のアクチュエータなどには、機械的品質
係数（Ｑm）が小さいかわりに圧電定数（ｄ33）が大き
いものが、また、超音波モータに用いられる超音波発生
素子のような交流的な使い方をする用途には、圧電定数
（ｄ33）が小さいかわりに機械的品質係数（Ｑm）が大
きいものが利用されている。
は、正方晶系または菱面体晶系のＰＺＴ（ＰｂＺｒＯ3
−ＰｂＴｉＯ3固溶体）系や、正方晶系のＰＴ（ＰｂＴ
ｉＯ3）系などのペロブスカイト構造を有する強誘電体
が一般的である。そして、これらに様々な副成分を添加
することにより、様々な要求特性への対応がはかられて
いる。例えば、直流的な使い方で大きな変位量が求めら
れる位置調整用のアクチュエータなどには、機械的品質
係数（Ｑm）が小さいかわりに圧電定数（ｄ33）が大き
いものが、また、超音波モータに用いられる超音波発生
素子のような交流的な使い方をする用途には、圧電定数
（ｄ33）が小さいかわりに機械的品質係数（Ｑm）が大
きいものが利用されている。
【０００４】しかし、ＰＺＴ系やＰＴ系の圧電材料は、
低温でも揮発性の極めて高い酸化鉛（ＰｂＯ）を多量
（６０〜７０重量％程度）に含んでいるため、生態学的
な見地および公害防止の面からも好ましくない。具体的
には、これら鉛系圧電材料をセラミックスや単結晶とし
て製造する際には、焼成、溶融等の熱処理が不可避であ
り、工業レベルで考えた場合、揮発性成分である酸化鉛
の大気中への揮発、拡散量は極めて多量となる。また、
製造段階で放出される酸化鉛は回収可能であるが、工業
製品として市場に出された圧電材料に含有される酸化鉛
は、現状ではその殆どが回収不能であり、これらが広く
環境中に放出された場合、公害の原因となることは避け
られない。
低温でも揮発性の極めて高い酸化鉛（ＰｂＯ）を多量
（６０〜７０重量％程度）に含んでいるため、生態学的
な見地および公害防止の面からも好ましくない。具体的
には、これら鉛系圧電材料をセラミックスや単結晶とし
て製造する際には、焼成、溶融等の熱処理が不可避であ
り、工業レベルで考えた場合、揮発性成分である酸化鉛
の大気中への揮発、拡散量は極めて多量となる。また、
製造段階で放出される酸化鉛は回収可能であるが、工業
製品として市場に出された圧電材料に含有される酸化鉛
は、現状ではその殆どが回収不能であり、これらが広く
環境中に放出された場合、公害の原因となることは避け
られない。
【０００５】鉛を全く含有しない圧電材料としては、例
えば、正方晶系に属するペロブスカイト構造のＢａＴｉ
Ｏ3がよく知られているが、これはキュリー点が１２０
℃と低いため、実用的ではない。
えば、正方晶系に属するペロブスカイト構造のＢａＴｉ
Ｏ3がよく知られているが、これはキュリー点が１２０
℃と低いため、実用的ではない。
【０００６】圧電材料としてはビスマス層状化合物も知
られている。しかし、鉛を全く含有しないビスマス層状
化合物は、レゾネータに適用する場合に重要となるＱm
が小さいという問題がある。Ｑmが小さくなってしまう
のは、抗電界が大きく十分な分極ができないためと考え
られる。
られている。しかし、鉛を全く含有しないビスマス層状
化合物は、レゾネータに適用する場合に重要となるＱm
が小さいという問題がある。Ｑmが小さくなってしまう
のは、抗電界が大きく十分な分極ができないためと考え
られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、鉛を
含まず、優れた圧電特性、特に、大きな機械的品質係数
（Ｑm）を有する圧電セラミックスを提供することであ
る。
含まず、優れた圧電特性、特に、大きな機械的品質係数
（Ｑm）を有する圧電セラミックスを提供することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記（１）
の本発明により達成される。 （１） Ｓｒ、Ｂａ、ＢｉおよびＮｂを含有するビスマ
ス層状化合物であり、ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9型結晶を含
み、原子比Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）が ０＜Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）≦０．２ である圧電セラミックス。
の本発明により達成される。 （１） Ｓｒ、Ｂａ、ＢｉおよびＮｂを含有するビスマ
ス層状化合物であり、ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9型結晶を含
み、原子比Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）が ０＜Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）≦０．２ である圧電セラミックス。
【０００９】なお、昭和５１年３月に電子材料工業会か
ら発行された「圧電セラミック材料の動向調査報告書」
第１７ページの表４には、ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9およびＢ
ａＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9が記載されている。しかし、これらを
複合添加することは記載されていない。
ら発行された「圧電セラミック材料の動向調査報告書」
第１７ページの表４には、ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9およびＢ
ａＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9が記載されている。しかし、これらを
複合添加することは記載されていない。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の圧電セラミックスは、Ｓ
ｒ、Ｂａ、ＢｉおよびＮｂを含有する複合酸化物であ
る。本発明の圧電セラミックス中において、原子比Ｂａ
／（Ｓｒ＋Ｂａ）は、 ０＜Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）≦０．２ である。Ｂａが含まれないと、Ｑmを大きくすることが
できなくなる。一方、Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）が大きすぎ
てもＱmが低くなってしまう。Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）の
好ましい範囲は、 ０＜Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）＜０．２ であり、より好ましい範囲は ０．０４≦Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）≦０．１５ である。
ｒ、Ｂａ、ＢｉおよびＮｂを含有する複合酸化物であ
る。本発明の圧電セラミックス中において、原子比Ｂａ
／（Ｓｒ＋Ｂａ）は、 ０＜Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）≦０．２ である。Ｂａが含まれないと、Ｑmを大きくすることが
できなくなる。一方、Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）が大きすぎ
てもＱmが低くなってしまう。Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）の
好ましい範囲は、 ０＜Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）＜０．２ であり、より好ましい範囲は ０．０４≦Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）≦０．１５ である。
【００１１】本発明の圧電セラミックスは、ビスマス層
状化合物であるＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9型結晶を含み、実質
的にこの結晶から構成されていることが好ましいが、完
全に均質でなくても、例えば異相を含んでいてもよい。
この圧電セラミックス中において、ＢａはＳｒＢｉ2Ｎ
ｂ2Ｏ9型結晶のＳｒサイトを主に置換していると考えら
れるが、一部が他のサイトを置換していてもよく、ま
た、一部が結晶粒界に存在していてもよい。
状化合物であるＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9型結晶を含み、実質
的にこの結晶から構成されていることが好ましいが、完
全に均質でなくても、例えば異相を含んでいてもよい。
この圧電セラミックス中において、ＢａはＳｒＢｉ2Ｎ
ｂ2Ｏ9型結晶のＳｒサイトを主に置換していると考えら
れるが、一部が他のサイトを置換していてもよく、ま
た、一部が結晶粒界に存在していてもよい。
【００１２】本発明の圧電セラミックスの全体組成は、
一般に（Ｓｒ1-xＢａx）Ｂｉ2Ｎｂ2Ｏ9とすればよい
が、これから偏倚していてもよい。例えば、Ｎｂに対す
るＳｒ＋Ｂａの比率や、Ｎｂに対するＢｉの比率が、化
学量論組成から±５％程度ずれていてもよい。また、酸
素量も、金属元素の価数や酸素欠陥などに応じて変化し
得る。
一般に（Ｓｒ1-xＢａx）Ｂｉ2Ｎｂ2Ｏ9とすればよい
が、これから偏倚していてもよい。例えば、Ｎｂに対す
るＳｒ＋Ｂａの比率や、Ｎｂに対するＢｉの比率が、化
学量論組成から±５％程度ずれていてもよい。また、酸
素量も、金属元素の価数や酸素欠陥などに応じて変化し
得る。
【００１３】また、本発明の圧電セラミックスには、不
純物ないし微量添加物として例えばＰｂなどの他の元素
が含有されていてもよいが、これらの合計含有量は、Ｐ
ｂＯなどの酸化物に換算して全体の０．５重量％以下で
あることが好ましい。これらの元素の含有量が多すぎる
と、本発明の効果を損なうことがある。なお、本発明の
圧電セラミックスにはＰｂが含まれないことが最も好ま
しいが、上記程度の含有量であれば実質的に問題はな
い。
純物ないし微量添加物として例えばＰｂなどの他の元素
が含有されていてもよいが、これらの合計含有量は、Ｐ
ｂＯなどの酸化物に換算して全体の０．５重量％以下で
あることが好ましい。これらの元素の含有量が多すぎる
と、本発明の効果を損なうことがある。なお、本発明の
圧電セラミックスにはＰｂが含まれないことが最も好ま
しいが、上記程度の含有量であれば実質的に問題はな
い。
【００１４】本発明の圧電セラミックスの結晶粒は、紡
錘状ないし針状である。その平均結晶粒径は特に限定さ
れないが、長軸方向において、好ましくは１〜１０μ
m、より好ましくは３〜５μmである。結晶粒径が大きす
ぎる場合、焼結密度が低くなっており、高いＱmが得ら
れない。一方、結晶粒径が小さすぎる場合、焼結が不十
分であり、同様に焼結密度が低くなっている。
錘状ないし針状である。その平均結晶粒径は特に限定さ
れないが、長軸方向において、好ましくは１〜１０μ
m、より好ましくは３〜５μmである。結晶粒径が大きす
ぎる場合、焼結密度が低くなっており、高いＱmが得ら
れない。一方、結晶粒径が小さすぎる場合、焼結が不十
分であり、同様に焼結密度が低くなっている。
【００１５】本発明の圧電セラミックスのキュリー点
は、少なくとも３００℃以上であり、実用上、十分に高
い。また、本発明では、Ｂａの置換率を適切な値とする
ことにより、Ｑmを４．５MHz付近において少なくとも１
０００以上にでき、２０００以上とすることも容易であ
る。
は、少なくとも３００℃以上であり、実用上、十分に高
い。また、本発明では、Ｂａの置換率を適切な値とする
ことにより、Ｑmを４．５MHz付近において少なくとも１
０００以上にでき、２０００以上とすることも容易であ
る。
【００１６】本発明の圧電セラミックスは、レゾネー
タ、高温用センサ等に好適である。使用モードは特に限
定されず、例えば厚み縦振動や厚みすべり振動等のいず
れのモードも利用可能である。
タ、高温用センサ等に好適である。使用モードは特に限
定されず、例えば厚み縦振動や厚みすべり振動等のいず
れのモードも利用可能である。
【００１７】次に、本発明の圧電セラミックスを製造す
る方法の一例を説明する。
る方法の一例を説明する。
【００１８】まず、出発原料として、酸化物、または、
焼成により酸化物に変わりうる化合物、例えば、炭酸
塩、水酸化物、シュウ酸塩、硝酸塩等、具体的にはＳｒ
ＣＯ3、ＢａＣＯ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5等の粉末を用意
し、これらをボールミル等により湿式混合する。
焼成により酸化物に変わりうる化合物、例えば、炭酸
塩、水酸化物、シュウ酸塩、硝酸塩等、具体的にはＳｒ
ＣＯ3、ＢａＣＯ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5等の粉末を用意
し、これらをボールミル等により湿式混合する。
【００１９】次いで、８００〜１０００℃程度で１〜３
時間程度仮焼し、得られた仮焼物をスラリー化し、ボー
ルミル等を用いて湿式粉砕する。
時間程度仮焼し、得られた仮焼物をスラリー化し、ボー
ルミル等を用いて湿式粉砕する。
【００２０】湿式粉砕後、仮焼物の粉末を乾燥し、乾燥
物に水を少量（４〜８重量％程度）添加し、１〜４t／c
m2程度の圧力でプレス成形して、成形体を得る。この
際、ポリビニルアルコール等のバインダを添加してもよ
い。
物に水を少量（４〜８重量％程度）添加し、１〜４t／c
m2程度の圧力でプレス成形して、成形体を得る。この
際、ポリビニルアルコール等のバインダを添加してもよ
い。
【００２１】次いで、成形体を焼成し、圧電セラミック
スを得る。焼成温度は、好ましくは１１００〜１３００
℃の範囲から選択し、焼成時間は、好ましくは１〜５時
間程度とする。焼成は大気中で行ってもよく、大気中よ
りも酸素分圧の低い雰囲気や高い雰囲気、あるいは純酸
素雰囲気中で行ってもよい。
スを得る。焼成温度は、好ましくは１１００〜１３００
℃の範囲から選択し、焼成時間は、好ましくは１〜５時
間程度とする。焼成は大気中で行ってもよく、大気中よ
りも酸素分圧の低い雰囲気や高い雰囲気、あるいは純酸
素雰囲気中で行ってもよい。
【００２２】
【実施例】以下の手順で、表１に示す圧電セラミックス
サンプルを作製した。
サンプルを作製した。
【００２３】出発原料として、ＳｒＣＯ3、ＢａＣＯ3、
Ｂｉ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5の粉末を、最終組成が（Ｓｒ1-xＢ
ａx）Ｂｉ2Ｎｂ2Ｏ9となるように配合し、純水中でジル
コニアボールを利用したボールミルにより１０時間湿式
混合した。各サンプルにおけるｘの値を表１に示す。
Ｂｉ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5の粉末を、最終組成が（Ｓｒ1-xＢ
ａx）Ｂｉ2Ｎｂ2Ｏ9となるように配合し、純水中でジル
コニアボールを利用したボールミルにより１０時間湿式
混合した。各サンプルにおけるｘの値を表１に示す。
【００２４】次いで、混合物を十分に乾燥し、プレス成
形した後、８００〜９００℃で２時間仮焼した。得られ
た仮焼物をボールミルで粉砕した後、乾燥し、バインダ
（ポリビニルアルコール）を加えて造粒した。得られた
造粒粉を一軸プレス成形機を用いて２０００〜３０００
kgf/cm2の荷重を加え、平面寸法２０mm×２０mm、厚さ
約２０mmの柱状に成形した。得られた成形体に熱処理を
施してバインダを揮発させた後、１１００〜１３００℃
で２〜４時間焼成した。得られた焼結体を切断し、さら
に厚さ約０．３mmとなるまで研磨して薄板状とした。そ
の後、両面の全面に銀電極を塗布し、焼き付けた。次い
で、１５０〜２５０℃のシリコーンオイルバス中で７〜
１０MV/mの電界を１〜３０分間印加して分極処理を施
し、特性測定用サンプルとした。
形した後、８００〜９００℃で２時間仮焼した。得られ
た仮焼物をボールミルで粉砕した後、乾燥し、バインダ
（ポリビニルアルコール）を加えて造粒した。得られた
造粒粉を一軸プレス成形機を用いて２０００〜３０００
kgf/cm2の荷重を加え、平面寸法２０mm×２０mm、厚さ
約２０mmの柱状に成形した。得られた成形体に熱処理を
施してバインダを揮発させた後、１１００〜１３００℃
で２〜４時間焼成した。得られた焼結体を切断し、さら
に厚さ約０．３mmとなるまで研磨して薄板状とした。そ
の後、両面の全面に銀電極を塗布し、焼き付けた。次い
で、１５０〜２５０℃のシリコーンオイルバス中で７〜
１０MV/mの電界を１〜３０分間印加して分極処理を施
し、特性測定用サンプルとした。
【００２５】各サンプルについて、ヒューレットパッカ
ード社製ＬＣＲメータＨＰ４３９４Ａと電気炉を用いて
キュリー点の測定を行った。また、ラディアントテクノ
ロジー社製ＲＴ−６０００ＨＶＳを用いてＤ−Ｅヒステ
リシスを測定し、２５０℃における抗電界を求めた。ま
た、ヒューレットパッカード社製インピーダンスアナラ
イザＨＰ４１９４Ａによる測定を行い、共振反共振法を
利用して厚み縦方向電気機械結合係数（ｋt）および機
械的品質係数（Ｑm）を求めた。なお、ｋtおよびＱ
mは、下記式により算出した。
ード社製ＬＣＲメータＨＰ４３９４Ａと電気炉を用いて
キュリー点の測定を行った。また、ラディアントテクノ
ロジー社製ＲＴ−６０００ＨＶＳを用いてＤ−Ｅヒステ
リシスを測定し、２５０℃における抗電界を求めた。ま
た、ヒューレットパッカード社製インピーダンスアナラ
イザＨＰ４１９４Ａによる測定を行い、共振反共振法を
利用して厚み縦方向電気機械結合係数（ｋt）および機
械的品質係数（Ｑm）を求めた。なお、ｋtおよびＱ
mは、下記式により算出した。
【００２６】
【数１】
【００２７】
【表１】
【００２８】表１から、ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9において、
Ｓｒの一部を所定量のＢａで置換することにより、Ｑm
が向上することがわかる。なお、Ｂａを添加するとキュ
リー点は低下するが、それでも３００℃以上と十分に高
い値が得られている。
Ｓｒの一部を所定量のＢａで置換することにより、Ｑm
が向上することがわかる。なお、Ｂａを添加するとキュ
リー点は低下するが、それでも３００℃以上と十分に高
い値が得られている。
【００２９】サンプルNo.５の周波数−位相角曲線およ
び周波数−インピーダンス曲線を、図１に示す。同図か
ら、このサンプルではスプリアスが発生しないことがわ
かる。なお、他のサンプルにおいても、サンプルNo.５
と同様に、共振周波数は４．５MHz付近であった。
び周波数−インピーダンス曲線を、図１に示す。同図か
ら、このサンプルではスプリアスが発生しないことがわ
かる。なお、他のサンプルにおいても、サンプルNo.５
と同様に、共振周波数は４．５MHz付近であった。
【００３０】サンプルNo.１（比較例）およびサンプルN
o.５について、断面の走査型電子顕微鏡写真を図２およ
び図３にそれぞれ示す。これらの図から、Ｌａ添加によ
り空孔が減少し、焼結体が緻密化していることがわか
る。なお、これらの写真において空孔は、白い斑点の中
央に存在している。これらのサンプルについての、拡大
率のより高い走査型電子顕微鏡写真から、結晶粒が紡錘
状ないし針状であることが確認できた。
o.５について、断面の走査型電子顕微鏡写真を図２およ
び図３にそれぞれ示す。これらの図から、Ｌａ添加によ
り空孔が減少し、焼結体が緻密化していることがわか
る。なお、これらの写真において空孔は、白い斑点の中
央に存在している。これらのサンプルについての、拡大
率のより高い走査型電子顕微鏡写真から、結晶粒が紡錘
状ないし針状であることが確認できた。
【００３１】図４に、（Ｓｒ1-xＢａx）Ｂｉ2Ｎｂ2Ｏ9
においてｘを変化させたときの粉末Ｘ線回折の解析結果
を示す。同図には、ピーク同定結果も示してある。図４
から、ＳｒをＢａで置換しても、ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9型
結晶の単一相である焼結体が得られることがわかる。
においてｘを変化させたときの粉末Ｘ線回折の解析結果
を示す。同図には、ピーク同定結果も示してある。図４
から、ＳｒをＢａで置換しても、ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9型
結晶の単一相である焼結体が得られることがわかる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、鉛を含まず、優れた圧
電特性、特に、大きな機械的品質係数（Ｑm）を有する
圧電セラミックスが実現する。
電特性、特に、大きな機械的品質係数（Ｑm）を有する
圧電セラミックスが実現する。
【図１】本発明の圧電セラミックスにおける周波数−位
相角曲線および周波数−インピーダンス曲線を示すグラ
フである。
相角曲線および周波数−インピーダンス曲線を示すグラ
フである。
【図２】粒子構造を示す図面代用写真であって、比較サ
ンプル断面の走査型電子顕微鏡写真である。
ンプル断面の走査型電子顕微鏡写真である。
【図３】粒子構造を示す図面代用写真であって、本発明
サンプル断面の走査型電子顕微鏡写真である。
サンプル断面の走査型電子顕微鏡写真である。
【図４】（Ｓｒ1-xＢａx）Ｂｉ2Ｎｂ2Ｏ9においてｘを
変化させたときの粉末Ｘ線回折の解析結果を示すチャー
トである。
変化させたときの粉末Ｘ線回折の解析結果を示すチャー
トである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮部 和夫 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 4G030 AA09 AA10 AA20 AA43 BA10 CA01 CA07
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｓｒ、Ｂａ、ＢｉおよびＮｂを含有する
ビスマス層状化合物であり、ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9型結晶
を含み、原子比Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）が ０＜Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ）≦０．２ である圧電セラミックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11076952A JP2000264732A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 圧電セラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11076952A JP2000264732A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 圧電セラミックス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000264732A true JP2000264732A (ja) | 2000-09-26 |
Family
ID=13620125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11076952A Pending JP2000264732A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 圧電セラミックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000264732A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100709162B1 (ko) * | 2003-03-14 | 2007-04-19 | 샤프 가부시키가이샤 | 조광 소자 및 그것을 이용한 표시 소자 |
| JP2007261847A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Asahi Glass Co Ltd | ニオブ酸ビスマス系微粒子の製造方法 |
| JP2013137842A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Ube Material Industries Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP11076952A patent/JP2000264732A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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