JP2000265272A - タングステン層の形成方法及びタングステン層の積層構造 - Google Patents
タングステン層の形成方法及びタングステン層の積層構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 核結晶膜成膜後のインキュベーションタイム
をなくして全体の見かけ上の成膜速度を高めると共に、
膜厚の面間均一性（再現性）を高めることができめるタ
ングステン層の形成方法を提供する。 【解決手段】 フッ化タングステンガスよりなる原料ガ
スとこの原料ガスを還元する還元ガスとを含む処理ガス
を供給しつつ、被処理体Ｗの表面にタングステン層を形
成する方法において、前記被処理体の表面にタングステ
ンの核結晶膜２を形成する核結晶膜形成工程と、前記核
結晶膜上に主タングステン膜４を形成する主タングステ
ン膜形成工程と、前記核結晶膜形成工程と前記主タング
ステン膜形成工程との間に、前記主タングステン膜形成
工程に比べて前記還元ガスに対する前記原料ガスの流量
比を小さくした状態で中間タングステン膜６を形成する
中間タングステン膜形成工程を備える。これにより、核
結晶膜成膜後のインキュベーションタイムをなくして全
体の見かけ上の成膜速度を高めると共に、膜厚の面間均
一性（再現性）を高める。
をなくして全体の見かけ上の成膜速度を高めると共に、
膜厚の面間均一性（再現性）を高めることができめるタ
ングステン層の形成方法を提供する。 【解決手段】 フッ化タングステンガスよりなる原料ガ
スとこの原料ガスを還元する還元ガスとを含む処理ガス
を供給しつつ、被処理体Ｗの表面にタングステン層を形
成する方法において、前記被処理体の表面にタングステ
ンの核結晶膜２を形成する核結晶膜形成工程と、前記核
結晶膜上に主タングステン膜４を形成する主タングステ
ン膜形成工程と、前記核結晶膜形成工程と前記主タング
ステン膜形成工程との間に、前記主タングステン膜形成
工程に比べて前記還元ガスに対する前記原料ガスの流量
比を小さくした状態で中間タングステン膜６を形成する
中間タングステン膜形成工程を備える。これにより、核
結晶膜成膜後のインキュベーションタイムをなくして全
体の見かけ上の成膜速度を高めると共に、膜厚の面間均
一性（再現性）を高める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理体の表面に形成されるタングステン層の形成方法
及びタングステン層の積層構造に関する。
被処理体の表面に形成されるタングステン層の形成方法
及びタングステン層の積層構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路の製造工程にお
いては、被処理体である半導体ウエハ表面に配線パター
ンを形成するために或いは配線間等の凹部を埋め込むた
めにＷ（タングステン）、ＷＳｉ（タングステンシリサ
イド）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナイトライ
ド）、ＴｉＳｉ（チタンシリサイド）等の金属或いは金
属化合物を堆積させて薄膜を形成することが行なわれて
いる。
いては、被処理体である半導体ウエハ表面に配線パター
ンを形成するために或いは配線間等の凹部を埋め込むた
めにＷ（タングステン）、ＷＳｉ（タングステンシリサ
イド）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナイトライ
ド）、ＴｉＳｉ（チタンシリサイド）等の金属或いは金
属化合物を堆積させて薄膜を形成することが行なわれて
いる。
【０００３】この種の金属薄膜の形成方法には、３つの
方式、例えばＨ2 （水素）還元法、ＳｉＨ4 （シラン）
還元法、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ジクロルシラン）還元法など
が知られており、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 還元法は配線パターン
を形成するために例えば還元ガスとしてジクロルシラン
を用いて６００℃程度の高温下にてＷやＷＳｉ（タング
ステンシリサイド）膜を形成する方法であり、ＳｉＨ4
還元法は、同じく配線パターンを形成するために、例え
ば還元ガスとしてシランを用いて先程よりも低い４５０
℃程度の低温下にてＷやＷＳｉ膜を形成する方法であ
る。
方式、例えばＨ2 （水素）還元法、ＳｉＨ4 （シラン）
還元法、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ジクロルシラン）還元法など
が知られており、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 還元法は配線パターン
を形成するために例えば還元ガスとしてジクロルシラン
を用いて６００℃程度の高温下にてＷやＷＳｉ（タング
ステンシリサイド）膜を形成する方法であり、ＳｉＨ4
還元法は、同じく配線パターンを形成するために、例え
ば還元ガスとしてシランを用いて先程よりも低い４５０
℃程度の低温下にてＷやＷＳｉ膜を形成する方法であ
る。
【０００４】また、Ｈ2 還元法は、配線間の凹部のよう
なウエハ表面上の穴埋めのために、例えば還元ガスとし
て水素を用いて４００〜４５０℃程度の温度下でＷ膜を
堆積させる方法である。上記の場合、いずれも例えばＷ
Ｆ6（六フッ化タングステン）が使用される。例えば配
線用、埋め込み用或いはこれらの双方のためにタングス
テン層を形成する場合を例にとって説明する。まず、初
めからＣＶＤにより膜形成を行なうとすると膜付きが悪
くて膜付きが生じないインキュベーションタイムが長く
なる傾向にあるので、これを防止するために、最初は原
料ガスであるＷＦ6 ガスと還元ガス、例えばシランや水
素ガス等を少量ずつ流してウエハ表面に結晶種となるタ
ングステンの核結晶膜を成長させる。この核結晶膜の成
長工程を所定の時間、例えば数１０秒行なったならば、
上記原料ガスや還元ガス等を多量に流して上記核結晶膜
を種として主たるタングステン膜を高い成膜速度で成長
させて全体として所望の厚さのタングステン層を得てい
る。
なウエハ表面上の穴埋めのために、例えば還元ガスとし
て水素を用いて４００〜４５０℃程度の温度下でＷ膜を
堆積させる方法である。上記の場合、いずれも例えばＷ
Ｆ6（六フッ化タングステン）が使用される。例えば配
線用、埋め込み用或いはこれらの双方のためにタングス
テン層を形成する場合を例にとって説明する。まず、初
めからＣＶＤにより膜形成を行なうとすると膜付きが悪
くて膜付きが生じないインキュベーションタイムが長く
なる傾向にあるので、これを防止するために、最初は原
料ガスであるＷＦ6 ガスと還元ガス、例えばシランや水
素ガス等を少量ずつ流してウエハ表面に結晶種となるタ
ングステンの核結晶膜を成長させる。この核結晶膜の成
長工程を所定の時間、例えば数１０秒行なったならば、
上記原料ガスや還元ガス等を多量に流して上記核結晶膜
を種として主たるタングステン膜を高い成膜速度で成長
させて全体として所望の厚さのタングステン層を得てい
る。
【０００５】図１０はこの時のタングステン層の断面構
造を模式的に示しており、半導体ウエハＷの表面にタン
グステンの核結晶膜２と主タングステン膜４が順次積層
された状態となっている。また、図１１は上記成膜工程
における時間と膜厚との関係を示したグラフであり、前
処理後に、核結晶膜形成工程が行なわれるが、この核結
晶膜形成工程に入っても、しばらくは膜が付着しないイ
ンキュベーションタイムＴ１が存在し、また、核結晶膜
形成工程から、主タングステン膜形成工程に入った時も
しばらくは膜が付着しないインキュベーションタイムＴ
２が存在する。そして、主タングステン膜形成工程にお
いて、多量に膜付けが行われる。
造を模式的に示しており、半導体ウエハＷの表面にタン
グステンの核結晶膜２と主タングステン膜４が順次積層
された状態となっている。また、図１１は上記成膜工程
における時間と膜厚との関係を示したグラフであり、前
処理後に、核結晶膜形成工程が行なわれるが、この核結
晶膜形成工程に入っても、しばらくは膜が付着しないイ
ンキュベーションタイムＴ１が存在し、また、核結晶膜
形成工程から、主タングステン膜形成工程に入った時も
しばらくは膜が付着しないインキュベーションタイムＴ
２が存在する。そして、主タングステン膜形成工程にお
いて、多量に膜付けが行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、堆積すべき
膜厚のコントロールは、一般的にはガス流量と時間とを
管理することによって行なわれるが、上記した各インキ
ュベーションタイムＴ１、Ｔ２の長さは半導体ウエハの
表面の影響、例えばタングステン膜を成膜する時にはそ
の下地となるＴｉＮ膜等の下地膜の膜質によって著しく
影響されてしまい、人為的にコントロールすることが困
難である。従って、例えば核結晶膜２の目的とする厚さ
を５００Åに設定しても、一方のインキュベーションタ
イムＴ１が変動して実際には、図１１中において一点鎖
線で示すように、膜厚が６００Åになったり、４００Å
になったり変動してしまう。また、他方のインキュベー
ションタイムＴ２も変動するので、主タングステン膜の
実質的な膜付け時間も変動する。このように、核結晶膜
２の厚さや主タングステン膜の実質的な膜付け時間が変
動しても、最終的に必要とされるタングステン層の厚さ
は例えば８０００Å程度であって、この量は上記した核
結晶膜２の変動量、例えば１００Åと比較して遥かに大
きく、また、インキュベーションタイムＴ２の変動も僅
かなので、タングステン層の全膜厚に対する影響の割合
は非常に小さくなり、従って、ウエハ間における膜厚の
差がそれ程大きくないので、問題が生ずることはなかっ
た。
膜厚のコントロールは、一般的にはガス流量と時間とを
管理することによって行なわれるが、上記した各インキ
ュベーションタイムＴ１、Ｔ２の長さは半導体ウエハの
表面の影響、例えばタングステン膜を成膜する時にはそ
の下地となるＴｉＮ膜等の下地膜の膜質によって著しく
影響されてしまい、人為的にコントロールすることが困
難である。従って、例えば核結晶膜２の目的とする厚さ
を５００Åに設定しても、一方のインキュベーションタ
イムＴ１が変動して実際には、図１１中において一点鎖
線で示すように、膜厚が６００Åになったり、４００Å
になったり変動してしまう。また、他方のインキュベー
ションタイムＴ２も変動するので、主タングステン膜の
実質的な膜付け時間も変動する。このように、核結晶膜
２の厚さや主タングステン膜の実質的な膜付け時間が変
動しても、最終的に必要とされるタングステン層の厚さ
は例えば８０００Å程度であって、この量は上記した核
結晶膜２の変動量、例えば１００Åと比較して遥かに大
きく、また、インキュベーションタイムＴ２の変動も僅
かなので、タングステン層の全膜厚に対する影響の割合
は非常に小さくなり、従って、ウエハ間における膜厚の
差がそれ程大きくないので、問題が生ずることはなかっ
た。
【０００７】しかしながら、最近にあっては半導体集積
回路の多層化が推進されており、これにともなって各種
の積層膜が薄膜化されてきている。例えば上述したよう
なタングステン層の場合には、従来は目標膜厚が８００
０Å程度であったものが、最近の薄膜化の要請により目
標膜厚が１０００Å程度まで小さくなって１／８程度に
なってきた。このような状況下において、従来の方法と
同様な成膜方法を採用すると、図１２に示すように、目
標とする全膜厚が１０００Åのタングステン層を形成す
る場合には、前述したようにインキュベーションタイム
Ｔ１、Ｔ２が不安定となって核結晶膜成長工程における
核結晶膜の厚さに例えば４００〜６００Å程度の範囲に
亘って変動が生じ、この変動分がそのまま主タングステ
ン膜成膜工程においても反映してしまう。また、インキ
ュベーションタイムＴ２も変動するので、この結果、タ
ングステン層の目標とする膜厚（１０００Å）に対して
例えば±１０％（１００Å）以上の大きな変動が生じて
しまって、ウエハ間の膜厚が大きく異なってしまって、
膜厚を均一化することが困難であるという問題があっ
た。また、各インキュベーションタイムＴ１、Ｔ２に阻
害されてしまい、スループットもこれ以上、上げること
が困難であった。
回路の多層化が推進されており、これにともなって各種
の積層膜が薄膜化されてきている。例えば上述したよう
なタングステン層の場合には、従来は目標膜厚が８００
０Å程度であったものが、最近の薄膜化の要請により目
標膜厚が１０００Å程度まで小さくなって１／８程度に
なってきた。このような状況下において、従来の方法と
同様な成膜方法を採用すると、図１２に示すように、目
標とする全膜厚が１０００Åのタングステン層を形成す
る場合には、前述したようにインキュベーションタイム
Ｔ１、Ｔ２が不安定となって核結晶膜成長工程における
核結晶膜の厚さに例えば４００〜６００Å程度の範囲に
亘って変動が生じ、この変動分がそのまま主タングステ
ン膜成膜工程においても反映してしまう。また、インキ
ュベーションタイムＴ２も変動するので、この結果、タ
ングステン層の目標とする膜厚（１０００Å）に対して
例えば±１０％（１００Å）以上の大きな変動が生じて
しまって、ウエハ間の膜厚が大きく異なってしまって、
膜厚を均一化することが困難であるという問題があっ
た。また、各インキュベーションタイムＴ１、Ｔ２に阻
害されてしまい、スループットもこれ以上、上げること
が困難であった。
【０００８】この場合、核結晶膜成膜工程の時間を短く
することも考えられるが、この工程を過度に短くすると
核結晶膜の成長が不十分となって後工程である主タング
ステン膜成膜工程において膜成長が十分できなくなる恐
れもある。本発明は、以上のような問題点に着目し、こ
れを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の
目的は、中間タングステン膜形成工程を介在させること
により、核結晶膜成膜後のインキュベーションタイムを
なくして全体の見かけ上の成膜速度を高めると共に、膜
厚の面間均一性及び各被処理体間での膜厚の均一性（再
現性）を高めることができめるタングステン層の形成方
法及びタングステン層の積層構造を提供することにあ
る。
することも考えられるが、この工程を過度に短くすると
核結晶膜の成長が不十分となって後工程である主タング
ステン膜成膜工程において膜成長が十分できなくなる恐
れもある。本発明は、以上のような問題点に着目し、こ
れを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の
目的は、中間タングステン膜形成工程を介在させること
により、核結晶膜成膜後のインキュベーションタイムを
なくして全体の見かけ上の成膜速度を高めると共に、膜
厚の面間均一性及び各被処理体間での膜厚の均一性（再
現性）を高めることができめるタングステン層の形成方
法及びタングステン層の積層構造を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、タングステ
ン膜の成膜について鋭意研究した結果、核結晶膜の形成
工程の直後に、主タングステン膜形成工程よりも処理ガ
ス中のフッ素（Ｆ）ガス濃度を小さくした中間タングス
テン膜形成工程を介在させることにより、核結晶膜形成
工程の直後に発生していたインキュベーションタイムが
なくなって全体としての成膜速度を大幅に向上させるこ
とができる、という知見を得ることにより、本発明に至
ったものである。
ン膜の成膜について鋭意研究した結果、核結晶膜の形成
工程の直後に、主タングステン膜形成工程よりも処理ガ
ス中のフッ素（Ｆ）ガス濃度を小さくした中間タングス
テン膜形成工程を介在させることにより、核結晶膜形成
工程の直後に発生していたインキュベーションタイムが
なくなって全体としての成膜速度を大幅に向上させるこ
とができる、という知見を得ることにより、本発明に至
ったものである。
【００１０】請求項１に規定する発明は、フッ化タング
ステンガスよりなる原料ガスとこの原料ガスを還元する
還元ガスとを含む処理ガスを供給しつつ、被処理体の表
面にタングステン層を形成する方法において、前記被処
理体の表面にタングステンの核結晶膜を形成する核結晶
膜形成工程と、前記核結晶膜上に主タングステン膜を形
成する主タングステン膜形成工程と、前記核結晶膜形成
工程と前記主タングステン膜形成工程との間に、前記主
タングステン膜形成工程に比べて前記還元ガスに対する
前記原料ガスの流量比を小さくした状態で中間タングス
テン膜を形成する中間タングステン膜形成工程を備える
ようにしたことを特徴とするタングステン層の形成方法
を行なうようにしたものである。
ステンガスよりなる原料ガスとこの原料ガスを還元する
還元ガスとを含む処理ガスを供給しつつ、被処理体の表
面にタングステン層を形成する方法において、前記被処
理体の表面にタングステンの核結晶膜を形成する核結晶
膜形成工程と、前記核結晶膜上に主タングステン膜を形
成する主タングステン膜形成工程と、前記核結晶膜形成
工程と前記主タングステン膜形成工程との間に、前記主
タングステン膜形成工程に比べて前記還元ガスに対する
前記原料ガスの流量比を小さくした状態で中間タングス
テン膜を形成する中間タングステン膜形成工程を備える
ようにしたことを特徴とするタングステン層の形成方法
を行なうようにしたものである。
【００１１】これにより、従来、核結晶膜形成工程の直
後に発生していたインキュベーションタイムがなくなっ
て中間タングステン膜形成工程に置き換えられることに
なる。この中間タングステン膜形成工程では、還元ガス
に対する原料ガスの流量比を、主タングステン膜形成工
程の場合よりも小さくしているので、還元作用の阻害要
因となるフッ素ガス濃度（量）が相対的に減少して、原
料ガスの還元が促進され、この結果、核結晶膜形成工程
の直後に発生していたインキュベーションタイムを生ず
ることなくタングステン膜が堆積されることになる。従
って、全体としての見かけ上の成膜速度（平均成膜速
度）が大きくなってスループットを向上できるのみなら
ず、成膜の再現性が向上して被処理体間の膜厚の均一性
及び膜厚の面内均一性をそれぞれ向上させることが可能
となる。
後に発生していたインキュベーションタイムがなくなっ
て中間タングステン膜形成工程に置き換えられることに
なる。この中間タングステン膜形成工程では、還元ガス
に対する原料ガスの流量比を、主タングステン膜形成工
程の場合よりも小さくしているので、還元作用の阻害要
因となるフッ素ガス濃度（量）が相対的に減少して、原
料ガスの還元が促進され、この結果、核結晶膜形成工程
の直後に発生していたインキュベーションタイムを生ず
ることなくタングステン膜が堆積されることになる。従
って、全体としての見かけ上の成膜速度（平均成膜速
度）が大きくなってスループットを向上できるのみなら
ず、成膜の再現性が向上して被処理体間の膜厚の均一性
及び膜厚の面内均一性をそれぞれ向上させることが可能
となる。
【００１２】請求項２に規定するように、前記中間タン
グステン膜形成工程における前記処理ガス中のフッ素原
子の濃度は、前記主タングステン膜形成工程における前
記処理ガス中のフッ素濃度よりも低く設定されている。
また、請求項３に規定するように、前記核結晶膜形成工
程と前記主タングステン膜形成工程とはそれぞれ数１０
秒間程度行なうに対して、前記中間タングステン膜形成
工程は１０秒間程度行なうことになる。
グステン膜形成工程における前記処理ガス中のフッ素原
子の濃度は、前記主タングステン膜形成工程における前
記処理ガス中のフッ素濃度よりも低く設定されている。
また、請求項３に規定するように、前記核結晶膜形成工
程と前記主タングステン膜形成工程とはそれぞれ数１０
秒間程度行なうに対して、前記中間タングステン膜形成
工程は１０秒間程度行なうことになる。
【００１３】更に、請求項４に規定するように、前記原
料ガスは、ＷＦ6 ガスである。また、請求項５に規定す
るように、前記還元ガスはＨ2 ガスであり、前記中間タ
ングステン膜形成工程におけるＨ2 ガスに対するＷＦ6
ガスの流量比は０．０４以下である。これにより、中間
タングステン膜形成工程において、処理ガスの供給に応
じて成膜反応が進行することのない供給律速状態を維持
して、温度や圧力等の処理条件による膜厚変動の少ない
中間タングステン膜の形成を行なうことができる。ま
た、請求項６は本発明方法で形成されるタングステン層
の積層構造を規定したものであり、被処理体の表面に、
フッ化タングステンガスより成る原料ガスとこの原料ガ
スを還元する還元ガスとを含む処理ガスを供給しつつ形
成されるタングステン層の積層構造において、前記被処
理体の表面に形成されたタングステンの核結晶膜と、こ
の核結晶膜上に形成された主タングステン膜と、前記核
結晶膜と前記主タングステン膜との間に、前記主タング
ステン膜の形成時に比べて前記還元ガスに対する前記原
料ガスの流量比を小さくした状態で形成された中間タン
グステン膜とを備えるように構成した。
料ガスは、ＷＦ6 ガスである。また、請求項５に規定す
るように、前記還元ガスはＨ2 ガスであり、前記中間タ
ングステン膜形成工程におけるＨ2 ガスに対するＷＦ6
ガスの流量比は０．０４以下である。これにより、中間
タングステン膜形成工程において、処理ガスの供給に応
じて成膜反応が進行することのない供給律速状態を維持
して、温度や圧力等の処理条件による膜厚変動の少ない
中間タングステン膜の形成を行なうことができる。ま
た、請求項６は本発明方法で形成されるタングステン層
の積層構造を規定したものであり、被処理体の表面に、
フッ化タングステンガスより成る原料ガスとこの原料ガ
スを還元する還元ガスとを含む処理ガスを供給しつつ形
成されるタングステン層の積層構造において、前記被処
理体の表面に形成されたタングステンの核結晶膜と、こ
の核結晶膜上に形成された主タングステン膜と、前記核
結晶膜と前記主タングステン膜との間に、前記主タング
ステン膜の形成時に比べて前記還元ガスに対する前記原
料ガスの流量比を小さくした状態で形成された中間タン
グステン膜とを備えるように構成した。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るタングステ
ン層の形成方法及びタングステン層の積層構造の一実施
例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明に係る
タングステン層の形成方法を実施するための成膜処理装
置を示す断面構成図である。まず、本発明方法を説明す
るに先立って、本発明方法を実施するための成膜処理装
置について説明する。この成膜処理装置１４には、例え
ばアルミニウム等により円筒状或いは箱状に成形された
処理容器１６を有しており、この処理容器１６内には、
処理容器底部より起立させた円筒状のリフレクタ１８上
に、例えば断面Ｌ字状の保持部材２０を介して被処理体
としての半導体ウエハＷを載置するための載置台２２が
設けられている。このリフレクタ１８及び保持部材２０
は、熱線透過性の材料、例えば石英により構成されてお
り、また、載置台２２は、厚さ１ｍｍ程度の例えばカー
ボン素材、ＡｌＮなどのアルミ化合物等により構成され
ている。
ン層の形成方法及びタングステン層の積層構造の一実施
例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明に係る
タングステン層の形成方法を実施するための成膜処理装
置を示す断面構成図である。まず、本発明方法を説明す
るに先立って、本発明方法を実施するための成膜処理装
置について説明する。この成膜処理装置１４には、例え
ばアルミニウム等により円筒状或いは箱状に成形された
処理容器１６を有しており、この処理容器１６内には、
処理容器底部より起立させた円筒状のリフレクタ１８上
に、例えば断面Ｌ字状の保持部材２０を介して被処理体
としての半導体ウエハＷを載置するための載置台２２が
設けられている。このリフレクタ１８及び保持部材２０
は、熱線透過性の材料、例えば石英により構成されてお
り、また、載置台２２は、厚さ１ｍｍ程度の例えばカー
ボン素材、ＡｌＮなどのアルミ化合物等により構成され
ている。
【００１５】この載置台２２の下方には、複数本、例え
ば３本のリフタピン２４が支持部材２６に対して上方へ
起立させて設けられており、この支持部材２６を処理容
器底部に貫通して設けられた押し上げ棒２８により上下
動させることにより、上記リフタピン２４を載置台２２
に貫通させて設けたリフタピン穴３０に挿通させてウエ
ハＷを持ち上げ得るようになっている。上記押し上げ棒
２８の下端は、処理容器１６において内部の気密状態を
保持するために伸縮可能なベローズ３２を介してアクチ
ュエータ３４に接続されている。上記載置台２２の周縁
部には、ウエハＷの周縁部を保持してこれを載置台２２
側へ固定するために、例えばウエハの輪郭形状に沿った
略リング状のセラミック製クランプリング３８が設けら
れている。このクランプリング３８は、上記保持部材２
０を遊嵌状態で貫通した支持棒４０を介して上記支持部
材２６に連結されており、リフタピン２４と一体的に昇
降するようになっている。ここで保持部材２０と支持部
材２６との間の支持棒４０にはコイルバネ４２が介設さ
れており、クランプリング３８等の降下を助け、且つウ
エハのクランプを確実ならしめている。これらのリフタ
ピン２４、支持部材２６及び保持部材２０も石英等の熱
線透過部材により構成されている。
ば３本のリフタピン２４が支持部材２６に対して上方へ
起立させて設けられており、この支持部材２６を処理容
器底部に貫通して設けられた押し上げ棒２８により上下
動させることにより、上記リフタピン２４を載置台２２
に貫通させて設けたリフタピン穴３０に挿通させてウエ
ハＷを持ち上げ得るようになっている。上記押し上げ棒
２８の下端は、処理容器１６において内部の気密状態を
保持するために伸縮可能なベローズ３２を介してアクチ
ュエータ３４に接続されている。上記載置台２２の周縁
部には、ウエハＷの周縁部を保持してこれを載置台２２
側へ固定するために、例えばウエハの輪郭形状に沿った
略リング状のセラミック製クランプリング３８が設けら
れている。このクランプリング３８は、上記保持部材２
０を遊嵌状態で貫通した支持棒４０を介して上記支持部
材２６に連結されており、リフタピン２４と一体的に昇
降するようになっている。ここで保持部材２０と支持部
材２６との間の支持棒４０にはコイルバネ４２が介設さ
れており、クランプリング３８等の降下を助け、且つウ
エハのクランプを確実ならしめている。これらのリフタ
ピン２４、支持部材２６及び保持部材２０も石英等の熱
線透過部材により構成されている。
【００１６】また、載置台２２の直下の処理容器底部に
は、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓４４が気密に
設けられており、この下方には、透過窓４４を囲むよう
に箱状の加熱室４６が設けられている。この加熱室４６
内には加熱部として複数個の加熱ランプ４８が反射鏡も
兼ねる回転台５０に取り付けられており、この回転台５
０は、回転軸を介して加熱室４６の底部に設けた回転モ
ータ５４により回転される。従って、この加熱ランプ４
８より放出された熱線は、透過窓４４を透過して載置台
２２の下面を照射してこれを加熱し得るようになってい
る。尚、加熱手段として加熱ランプ４８に替えて、抵抗
加熱ヒータを設けるようにしてもよい。
は、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓４４が気密に
設けられており、この下方には、透過窓４４を囲むよう
に箱状の加熱室４６が設けられている。この加熱室４６
内には加熱部として複数個の加熱ランプ４８が反射鏡も
兼ねる回転台５０に取り付けられており、この回転台５
０は、回転軸を介して加熱室４６の底部に設けた回転モ
ータ５４により回転される。従って、この加熱ランプ４
８より放出された熱線は、透過窓４４を透過して載置台
２２の下面を照射してこれを加熱し得るようになってい
る。尚、加熱手段として加熱ランプ４８に替えて、抵抗
加熱ヒータを設けるようにしてもよい。
【００１７】また、載置台２２の外周側には、多数の整
流孔６０を有するリング状の整流板６２が、上下方向に
環状に成形された支持コラム６４により支持させて設け
られている。整流板６２の内周側には、クランプリング
３８の外周部と接触してこの下方にガスが流れないよう
にするリング状の石英製アタッチメント６６が設けられ
る。整流板６２の下方の底部には排気口６８が設けら
れ、この排気口６８には図示しない真空ポンプに接続さ
れた排気路７０が接続されており、処理容器１６内を所
定の真空度に維持し得るようになっている。また、処理
容器１６の側壁には、ウエハを搬出入する際に開閉され
るゲートバルブ７２が設けられる。
流孔６０を有するリング状の整流板６２が、上下方向に
環状に成形された支持コラム６４により支持させて設け
られている。整流板６２の内周側には、クランプリング
３８の外周部と接触してこの下方にガスが流れないよう
にするリング状の石英製アタッチメント６６が設けられ
る。整流板６２の下方の底部には排気口６８が設けら
れ、この排気口６８には図示しない真空ポンプに接続さ
れた排気路７０が接続されており、処理容器１６内を所
定の真空度に維持し得るようになっている。また、処理
容器１６の側壁には、ウエハを搬出入する際に開閉され
るゲートバルブ７２が設けられる。
【００１８】一方、上記載置台２２と対向する処理容器
天井部には、処理ガス等を処理容器１６内へ導入するた
めのシャワーヘッド部７４が設けられている。具体的に
は、このシャワーヘッド部７４は、例えばアルミニウム
等により円形箱状に成形されたヘッド本体７６を有し、
この天井部にはガス導入口７８が設けられている。この
ガス導入口７８には、ガス通路を介して処理に必要なガ
ス、例えばＷＦ6、Ａｒ、ＳｉＨ4、Ｈ2 、Ｎ2 等のガス
源が流量制御可能に接続されている。ヘッド本体７６の
下部７９には、ヘッド本体７６内へ供給されたガスを処
理空間Ｓへ放出するための多数のガス噴射孔８０が面内
の略全体に配置されており、ウエハ表面に亘ってガスを
放出するようになっている。また、ヘッド本体７６内に
は、多数のガス分散孔８２を有する拡散板８４が配設さ
れており、ウエハ面に、より均等にガスを供給するよう
になっている。
天井部には、処理ガス等を処理容器１６内へ導入するた
めのシャワーヘッド部７４が設けられている。具体的に
は、このシャワーヘッド部７４は、例えばアルミニウム
等により円形箱状に成形されたヘッド本体７６を有し、
この天井部にはガス導入口７８が設けられている。この
ガス導入口７８には、ガス通路を介して処理に必要なガ
ス、例えばＷＦ6、Ａｒ、ＳｉＨ4、Ｈ2 、Ｎ2 等のガス
源が流量制御可能に接続されている。ヘッド本体７６の
下部７９には、ヘッド本体７６内へ供給されたガスを処
理空間Ｓへ放出するための多数のガス噴射孔８０が面内
の略全体に配置されており、ウエハ表面に亘ってガスを
放出するようになっている。また、ヘッド本体７６内に
は、多数のガス分散孔８２を有する拡散板８４が配設さ
れており、ウエハ面に、より均等にガスを供給するよう
になっている。
【００１９】次に、以上のように構成された装置を用い
て行なわれる本発明方法及びタングステン層の積層構造
について説明する。図２は本発明のタングステン層の積
層構造を示す部分拡大断面図、図３は本発明方法を説明
するためのタイムチャートと膜厚との関係を示すグラフ
である。尚、図３中には従来方法の場合の成膜状況を一
点鎖線で併せて示している。図２に示すように被処理体
である、例えばシリコン（Ｓｉ）単結晶の半導体ウエハ
Ｗの表面には、後述する本発明方法によりタングステン
の核結晶膜２、本発明の特徴とする中間タングステン膜
６及び主タングステン膜４が順次積層させた構造となっ
ており、全体としてタングステン層を形成している。こ
の核結晶膜２の下層には、例えばＴｉＮなどの図示しな
い下地膜がバリア層として形成されている。このタング
ステン層の形成は、一般的には配線膜を形成するため或
いはコンタクトホールやビアホールを埋め込むため、ま
たはこれらを同時に行なうために行なわれる。また、上
記３つの膜２、６、４の成膜工程は同一の成膜処理装置
内で略連続的に行なわれる。
て行なわれる本発明方法及びタングステン層の積層構造
について説明する。図２は本発明のタングステン層の積
層構造を示す部分拡大断面図、図３は本発明方法を説明
するためのタイムチャートと膜厚との関係を示すグラフ
である。尚、図３中には従来方法の場合の成膜状況を一
点鎖線で併せて示している。図２に示すように被処理体
である、例えばシリコン（Ｓｉ）単結晶の半導体ウエハ
Ｗの表面には、後述する本発明方法によりタングステン
の核結晶膜２、本発明の特徴とする中間タングステン膜
６及び主タングステン膜４が順次積層させた構造となっ
ており、全体としてタングステン層を形成している。こ
の核結晶膜２の下層には、例えばＴｉＮなどの図示しな
い下地膜がバリア層として形成されている。このタング
ステン層の形成は、一般的には配線膜を形成するため或
いはコンタクトホールやビアホールを埋め込むため、ま
たはこれらを同時に行なうために行なわれる。また、上
記３つの膜２、６、４の成膜工程は同一の成膜処理装置
内で略連続的に行なわれる。
【００２０】次に、成膜方法について説明する。まず、
処理容器１６の側壁に設けたゲートバルブ７２を開いて
搬送アームにより処理容器１６内にウエハＷを搬入し、
リフタピン２４を押し上げることによりウエハＷをリフ
タピン２４側に受け渡す。そして、リフタピン２４を、
押し上げ棒２８を下げることによって降下させ、ウエハ
Ｗを載置台２２上に載置すると共に更に押し上げ棒２８
を下げることによってウエハＷの周縁部をクランプリン
グ３８で押圧してこれを固定する。
処理容器１６の側壁に設けたゲートバルブ７２を開いて
搬送アームにより処理容器１６内にウエハＷを搬入し、
リフタピン２４を押し上げることによりウエハＷをリフ
タピン２４側に受け渡す。そして、リフタピン２４を、
押し上げ棒２８を下げることによって降下させ、ウエハ
Ｗを載置台２２上に載置すると共に更に押し上げ棒２８
を下げることによってウエハＷの周縁部をクランプリン
グ３８で押圧してこれを固定する。
【００２１】次に、図示しない処理ガス源から処理ガス
としてＷＦ6 （原料ガス），ＳｉＨ4，Ｈ2 （還元ガ
ス），Ａｒ，Ｎ2 （希釈ガス）等を選択的に、或いは全
て含む処理ガスをシャワーヘッド部７４へ所定量ずつ供
給して混合し、これをヘッド本体７６の下面のガス噴射
孔８０から処理容器１６内へ略均等に供給する。これと
同時に、排気口６８から内部雰囲気を吸引排気すること
により処理容器１６内を所定の真空度に設定し、且つ載
置台２２の下方に位置する加熱ランプ４８を回転させな
が駆動し、熱エネルギを放射する。放射された熱線は、
透過窓４４を透過した後、載置台２２の裏面を照射して
これを加熱する。この載置台２２は、前述のように１ｍ
ｍ程度と非常に薄いことから迅速に加熱され、従って、
この上に載置してあるウエハＷを迅速に所定の温度まで
加熱することができる。供給された処理ガスは所定の化
学反応を生じ、成膜条件に応じて例えばタングステンの
核結晶膜２、中間タングステン膜６、或いは主タングス
テン膜４がウエハ表面に堆積し、形成されることにな
る。
としてＷＦ6 （原料ガス），ＳｉＨ4，Ｈ2 （還元ガ
ス），Ａｒ，Ｎ2 （希釈ガス）等を選択的に、或いは全
て含む処理ガスをシャワーヘッド部７４へ所定量ずつ供
給して混合し、これをヘッド本体７６の下面のガス噴射
孔８０から処理容器１６内へ略均等に供給する。これと
同時に、排気口６８から内部雰囲気を吸引排気すること
により処理容器１６内を所定の真空度に設定し、且つ載
置台２２の下方に位置する加熱ランプ４８を回転させな
が駆動し、熱エネルギを放射する。放射された熱線は、
透過窓４４を透過した後、載置台２２の裏面を照射して
これを加熱する。この載置台２２は、前述のように１ｍ
ｍ程度と非常に薄いことから迅速に加熱され、従って、
この上に載置してあるウエハＷを迅速に所定の温度まで
加熱することができる。供給された処理ガスは所定の化
学反応を生じ、成膜条件に応じて例えばタングステンの
核結晶膜２、中間タングステン膜６、或いは主タングス
テン膜４がウエハ表面に堆積し、形成されることにな
る。
【００２２】上記成膜処理の具体的な成膜方法は、核結
晶膜形成工程と、中間タングステン膜形成工程と、主タ
ングステン膜形成工程を順次、略連続的に行なう。上記
核結晶膜形成工程は、フッ化タングステンガスよりなる
原料ガス（ＷＦ6 ）を供給しつつ被処理体の表面にタン
グステンの核結晶膜２を形成する工程であり、上記主タ
ングステン膜形成工程は、上記核結晶膜２上に主タング
ステン膜４を形成する工程である。そして、上記中間タ
ングステン膜形成工程は、上記核結晶膜形成工程と上記
主タングステン膜形成工程との間において、主タングス
テン膜形成工程に比べてＨ2 （還元ガス）に対するＷＦ
6 （原料ガス）の流量比を小さくした状態で、中間タン
グステン膜６を形成する工程である。ここで表１に８イ
ンチウエハを用いた時の上記各工程における成膜条件の
一例を示す。
晶膜形成工程と、中間タングステン膜形成工程と、主タ
ングステン膜形成工程を順次、略連続的に行なう。上記
核結晶膜形成工程は、フッ化タングステンガスよりなる
原料ガス（ＷＦ6 ）を供給しつつ被処理体の表面にタン
グステンの核結晶膜２を形成する工程であり、上記主タ
ングステン膜形成工程は、上記核結晶膜２上に主タング
ステン膜４を形成する工程である。そして、上記中間タ
ングステン膜形成工程は、上記核結晶膜形成工程と上記
主タングステン膜形成工程との間において、主タングス
テン膜形成工程に比べてＨ2 （還元ガス）に対するＷＦ
6 （原料ガス）の流量比を小さくした状態で、中間タン
グステン膜６を形成する工程である。ここで表１に８イ
ンチウエハを用いた時の上記各工程における成膜条件の
一例を示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】ここでは、核結晶膜２と中間タングステン
膜６とを併せて５００Å成膜し、主タングステン膜６を
更に５００Å成膜し、全体で１０００Åのタングステン
層を形成することを目標として、ガス量及び成膜時間を
設定している。また、参考のために、表２に従来の成膜
方法の成膜条件を示す。
膜６とを併せて５００Å成膜し、主タングステン膜６を
更に５００Å成膜し、全体で１０００Åのタングステン
層を形成することを目標として、ガス量及び成膜時間を
設定している。また、参考のために、表２に従来の成膜
方法の成膜条件を示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】図３に示すように、成膜を開始する前に、
半導体ウエハＷに対して所定の時間、例えば数１０秒の
間前処理を施す。この前処理は、水素、窒素、アルゴン
等と共に少量のシランを流してシリコンの核結晶を形成
するものであり、これにより、後続して形成されるタン
グステンの核結晶の成長を助けるようになっている。こ
の前処理が終了したならば、まず、核結晶膜形成工程に
進む。ここでは、シラン及びＷＦ6 ガスをアルゴン、Ｈ
2 、Ｎ2 と共に供給してＷＦ6 ガスを還元し、タングス
テンの核結晶膜２（図２参照）を成膜させる。ここで
は、ＷＦ6 ガスの流量を非常に少ない１５ｓｃｃｍに設
定して、温度、圧力も核結晶が成長し易い条件に設定し
ている。この核結晶成長工程では、膜付けが生じない不
定期間となるインキュベーションタイムＴ１を経た後
に、核結晶膜２が付着堆積し始める。この点は、従来方
法においても同じである。
半導体ウエハＷに対して所定の時間、例えば数１０秒の
間前処理を施す。この前処理は、水素、窒素、アルゴン
等と共に少量のシランを流してシリコンの核結晶を形成
するものであり、これにより、後続して形成されるタン
グステンの核結晶の成長を助けるようになっている。こ
の前処理が終了したならば、まず、核結晶膜形成工程に
進む。ここでは、シラン及びＷＦ6 ガスをアルゴン、Ｈ
2 、Ｎ2 と共に供給してＷＦ6 ガスを還元し、タングス
テンの核結晶膜２（図２参照）を成膜させる。ここで
は、ＷＦ6 ガスの流量を非常に少ない１５ｓｃｃｍに設
定して、温度、圧力も核結晶が成長し易い条件に設定し
ている。この核結晶成長工程では、膜付けが生じない不
定期間となるインキュベーションタイムＴ１を経た後
に、核結晶膜２が付着堆積し始める。この点は、従来方
法においても同じである。
【００２７】このように一定の時間、ここでは２５秒間
（従来方法の場合は４５秒間）の核結晶膜形成工程を行
なったならば、一定のパージ操作等を行なった後に中間
タングステン膜形成工程へ移行する。ここでは、温度も
４２０℃までやや低下させて、圧力は１０６６６Ｐａま
で大幅に増加させる。すなわち、シランの供給量を停止
すると共に、ＷＦ6 ガスの供給量を増加する。更に、ア
ルゴンガス及び還元ガスである水素ガスの供給量を大幅
に増加する一方、窒素ガスの供給量は減少させる。ここ
で核結晶膜形成工程よりはＷＦ6 ガスの供給量を増加し
たとは言え、このＷＦ6 ガスの流量及びＨ2 ガスに対す
る流量比は、後続する主タングステン膜形成工程におけ
るＷＦ6 ガスのそれらよりも小さく設定されている。す
なわち、従来方法では核結晶膜形成工程後に、一気に多
量のＷＦ6 ガスを流して主タングステン膜形成工程へ移
行したが、本発明方法ではＷＦ6 ガスの供給量をある程
度抑制して中間タングステン膜形成工程へ移行してい
る。このように、ＷＦ6 ガスの供給量（濃度）を抑制す
ることにより、成膜の阻害要因であるフッ素濃度を抑制
している。尚、フッ素原子が成膜の阻害要因となる点に
ついては後述する。
（従来方法の場合は４５秒間）の核結晶膜形成工程を行
なったならば、一定のパージ操作等を行なった後に中間
タングステン膜形成工程へ移行する。ここでは、温度も
４２０℃までやや低下させて、圧力は１０６６６Ｐａま
で大幅に増加させる。すなわち、シランの供給量を停止
すると共に、ＷＦ6 ガスの供給量を増加する。更に、ア
ルゴンガス及び還元ガスである水素ガスの供給量を大幅
に増加する一方、窒素ガスの供給量は減少させる。ここ
で核結晶膜形成工程よりはＷＦ6 ガスの供給量を増加し
たとは言え、このＷＦ6 ガスの流量及びＨ2 ガスに対す
る流量比は、後続する主タングステン膜形成工程におけ
るＷＦ6 ガスのそれらよりも小さく設定されている。す
なわち、従来方法では核結晶膜形成工程後に、一気に多
量のＷＦ6 ガスを流して主タングステン膜形成工程へ移
行したが、本発明方法ではＷＦ6 ガスの供給量をある程
度抑制して中間タングステン膜形成工程へ移行してい
る。このように、ＷＦ6 ガスの供給量（濃度）を抑制す
ることにより、成膜の阻害要因であるフッ素濃度を抑制
している。尚、フッ素原子が成膜の阻害要因となる点に
ついては後述する。
【００２８】しかも、ここで還元作用を示す水素ガスを
多量（１８００ｓｃｃｍ）に供給しているので、フッ素
濃度の低下と水素ガスの増加の相乗作用でＷＦ6 ガスの
還元が促進され、この結果、従来発生していたインキュ
ベーションタイムＴ２が発生することなく、直ちに中間
タングステン膜６（図２参照）が付着形成されて行くこ
とになる。この時の成膜速度は、上記核結晶膜２の成膜
速度よりも高い。この中間タングステン膜形成工程は、
主タングステン膜４の成膜時におけるインキュベーショ
ンタイムを発生させ難くすれば良いため、主タングステ
ン膜４の成膜前のウエハ最表面のフッ素濃度が低ければ
良い、という理由から非常に短い時間、例えば８秒程度
でよい。
多量（１８００ｓｃｃｍ）に供給しているので、フッ素
濃度の低下と水素ガスの増加の相乗作用でＷＦ6 ガスの
還元が促進され、この結果、従来発生していたインキュ
ベーションタイムＴ２が発生することなく、直ちに中間
タングステン膜６（図２参照）が付着形成されて行くこ
とになる。この時の成膜速度は、上記核結晶膜２の成膜
速度よりも高い。この中間タングステン膜形成工程は、
主タングステン膜４の成膜時におけるインキュベーショ
ンタイムを発生させ難くすれば良いため、主タングステ
ン膜４の成膜前のウエハ最表面のフッ素濃度が低ければ
良い、という理由から非常に短い時間、例えば８秒程度
でよい。
【００２９】このようにして、中間タングステン膜形成
工程が終了したならば、主タングステン膜形成工程へ移
行する。ここでは、原料ガスであるＷＦ6 ガスの流量を
大幅（核結晶膜形成工程の３倍弱程度）に増大すると共
に、還元ガスである水素ガスを、核結晶膜形成工程の例
えば半分程度に減少させる。圧力及び温度条件は、中間
タングステン膜形成工程と同じである。これにより、中
間タングステン膜６の付着形成から中断することなく主
タングステン膜４が時間的に連続的に付着形成されるこ
とになる。この主タングステン膜４の成膜時間は、従来
方法と同じ１９秒程度である。上述の場合、Ｈ2 ガスに
対するＷＦ6 ガスの流量比は、中間タングステン膜形成
工程においては３０／１８００＝０．０１７であり、主
タングステン膜形成工程においては８０／７５０＝０．
１０７であり、後者の方が約６倍も大きくなっている。
尚、上記した成膜条件は単に一例を示したに過ぎず、各
工程における成膜条件は実験の結果、以下の様な範囲に
してもよい。核結晶膜形成工程では、ＷＦ6 を３〜４０
ｓｃｃｍ、Ａｒを５０〜５００ｓｃｃｍ、Ｎ2 を３００
〜１０００ｓｃｃｍ、Ｈ2 を５０〜８００ｓｃｃｍ、Ｓ
ｉＨ4 を１〜５ｓｃｃｍ、圧力を０．５〜１０Ｔｏｒ
ｒ、温度を３００〜５５０℃、成膜時間を５〜６０秒、
中間タングステン膜形成工程では、ＷＦ6 を２０〜８０
ｓｃｃｍ、Ａｒを２００〜２０００ｓｃｃｍ、Ｎ2 を５
０〜５００ｓｃｃｍ、Ｈ2 を５００〜２０００ｓｃｃ
ｍ、ＳｉＨ4 をゼロ、圧力を２０〜１００Ｔｏｒｒ、温
度を３００〜５５０℃とする。主タングステン膜形成工
程では、特に限定されないが、例えばＷＦ6 を８０ｓｃ
ｃｍ、Ａｒを９００ｓｃｃｍ、Ｎ2 を１００ｓｃｃｍ、
Ｈ2 を７５０ｓｃｃｍ、ＳｉＨ4 をゼロ、圧力を８０Ｔ
ｏｒｒ、温度を４２０℃とする。
工程が終了したならば、主タングステン膜形成工程へ移
行する。ここでは、原料ガスであるＷＦ6 ガスの流量を
大幅（核結晶膜形成工程の３倍弱程度）に増大すると共
に、還元ガスである水素ガスを、核結晶膜形成工程の例
えば半分程度に減少させる。圧力及び温度条件は、中間
タングステン膜形成工程と同じである。これにより、中
間タングステン膜６の付着形成から中断することなく主
タングステン膜４が時間的に連続的に付着形成されるこ
とになる。この主タングステン膜４の成膜時間は、従来
方法と同じ１９秒程度である。上述の場合、Ｈ2 ガスに
対するＷＦ6 ガスの流量比は、中間タングステン膜形成
工程においては３０／１８００＝０．０１７であり、主
タングステン膜形成工程においては８０／７５０＝０．
１０７であり、後者の方が約６倍も大きくなっている。
尚、上記した成膜条件は単に一例を示したに過ぎず、各
工程における成膜条件は実験の結果、以下の様な範囲に
してもよい。核結晶膜形成工程では、ＷＦ6 を３〜４０
ｓｃｃｍ、Ａｒを５０〜５００ｓｃｃｍ、Ｎ2 を３００
〜１０００ｓｃｃｍ、Ｈ2 を５０〜８００ｓｃｃｍ、Ｓ
ｉＨ4 を１〜５ｓｃｃｍ、圧力を０．５〜１０Ｔｏｒ
ｒ、温度を３００〜５５０℃、成膜時間を５〜６０秒、
中間タングステン膜形成工程では、ＷＦ6 を２０〜８０
ｓｃｃｍ、Ａｒを２００〜２０００ｓｃｃｍ、Ｎ2 を５
０〜５００ｓｃｃｍ、Ｈ2 を５００〜２０００ｓｃｃ
ｍ、ＳｉＨ4 をゼロ、圧力を２０〜１００Ｔｏｒｒ、温
度を３００〜５５０℃とする。主タングステン膜形成工
程では、特に限定されないが、例えばＷＦ6 を８０ｓｃ
ｃｍ、Ａｒを９００ｓｃｃｍ、Ｎ2 を１００ｓｃｃｍ、
Ｈ2 を７５０ｓｃｃｍ、ＳｉＨ4 をゼロ、圧力を８０Ｔ
ｏｒｒ、温度を４２０℃とする。
【００３０】上述した成膜処理の結果、図３に示すよう
に従来方法の場合は全体で６４秒（＝４５＋１９）の処
理時間でタングステン層の全体の膜厚は５３０Å程度で
しかなかったが、本発明方法の場合には、全体で５２秒
（＝２５＋８＋１９））の処理時間でタングステン層の
全体の膜厚は１０２０Å程度であり、目標とする膜厚に
非常に近かった。このように、主タングステン膜形成工
程の直前に、処理ガス中におけるＷＦ6の流量比を相対
的に減少させてフッ素濃度の相対的に小さな中間タング
ステン膜形成工程を行なうようにしたので、従来発生し
ていた核結晶膜形成工程後の時間的に不安定なインキュ
ベーションタイムＴ２が発生せずにこれをなくすことが
でき、従って、全体としての見かけ上の成膜速度（平均
成膜速度）を上げることができるので、短時間で所望の
膜厚のタングステン膜を成膜することが可能となる。こ
こで見かけ上の成膜速度とは、核結晶膜形成工程の開始
から主タングステン膜形成工程の終了までの平均成膜速
度（＝膜厚／成膜時間）をいう。
に従来方法の場合は全体で６４秒（＝４５＋１９）の処
理時間でタングステン層の全体の膜厚は５３０Å程度で
しかなかったが、本発明方法の場合には、全体で５２秒
（＝２５＋８＋１９））の処理時間でタングステン層の
全体の膜厚は１０２０Å程度であり、目標とする膜厚に
非常に近かった。このように、主タングステン膜形成工
程の直前に、処理ガス中におけるＷＦ6の流量比を相対
的に減少させてフッ素濃度の相対的に小さな中間タング
ステン膜形成工程を行なうようにしたので、従来発生し
ていた核結晶膜形成工程後の時間的に不安定なインキュ
ベーションタイムＴ２が発生せずにこれをなくすことが
でき、従って、全体としての見かけ上の成膜速度（平均
成膜速度）を上げることができるので、短時間で所望の
膜厚のタングステン膜を成膜することが可能となる。こ
こで見かけ上の成膜速度とは、核結晶膜形成工程の開始
から主タングステン膜形成工程の終了までの平均成膜速
度（＝膜厚／成膜時間）をいう。
【００３１】また、時間的に不安定なインキュベーショ
ンタイムＴ２をなくすことができることから、膜厚が１
０００Å程度の薄膜であるにもかかわらず、全体として
のタングステン層の膜厚を精度良くコントロールするこ
とが可能となる。ここで、ガス中のフッ素濃度がタング
ステン膜の成膜に影響を与える点について説明する。図
４はＷＦ6 ガスの流量を変えた時のタングステン膜中に
おけるフッ素濃度を示すグラフであり、曲線ＡはＷＦ6
及びＨ4 がそれぞれ８０ｓｃｃｍ、７５０ｓｃｃｍの成
膜条件の場合のＦ濃度のプロフィールを示し、曲線Ｂは
ＷＦ6 及びＨ4 がそれぞれ２０ｓｃｃｍ、１９００ｓｃ
ｃｍの成膜条件の場合のＦ濃度のプロフィールを示す。
このグラフから明らかなように、Ｈ2 に対するＷＦ6 の
流量比の大きい曲線Ａの方が、タングステン層（Ｗ層）
におけるＦ濃度が大きくなっている。すなわち、本発明
方法は基本的にＨ2 ガスでＷＦ6 ガスを還元（ＨＦとし
て取り除かれる）する成膜方法であるから、Ｈ2 に対す
るＷＦ6 の流量比が大きくなると、処理ガス中のフッ素
濃度が相対的に高くなって、タングステン膜の成膜が阻
害されるということが推測できる。
ンタイムＴ２をなくすことができることから、膜厚が１
０００Å程度の薄膜であるにもかかわらず、全体として
のタングステン層の膜厚を精度良くコントロールするこ
とが可能となる。ここで、ガス中のフッ素濃度がタング
ステン膜の成膜に影響を与える点について説明する。図
４はＷＦ6 ガスの流量を変えた時のタングステン膜中に
おけるフッ素濃度を示すグラフであり、曲線ＡはＷＦ6
及びＨ4 がそれぞれ８０ｓｃｃｍ、７５０ｓｃｃｍの成
膜条件の場合のＦ濃度のプロフィールを示し、曲線Ｂは
ＷＦ6 及びＨ4 がそれぞれ２０ｓｃｃｍ、１９００ｓｃ
ｃｍの成膜条件の場合のＦ濃度のプロフィールを示す。
このグラフから明らかなように、Ｈ2 に対するＷＦ6 の
流量比の大きい曲線Ａの方が、タングステン層（Ｗ層）
におけるＦ濃度が大きくなっている。すなわち、本発明
方法は基本的にＨ2 ガスでＷＦ6 ガスを還元（ＨＦとし
て取り除かれる）する成膜方法であるから、Ｈ2 に対す
るＷＦ6 の流量比が大きくなると、処理ガス中のフッ素
濃度が相対的に高くなって、タングステン膜の成膜が阻
害されるということが推測できる。
【００３２】実際、先の表１中の成膜条件による中間タ
ングステン膜６中のＦ濃度を測定した結果、検出器では
測定できない程の低いレベルであった。これに対して、
先の表２中の従来の成膜条件で成膜した時の核結晶膜に
接する部分の主タングステン膜のＦ濃度は２．０６〜
４．９１×１０19（ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 ）であった。上
記表１に示す実施例の場合には、中間タングステン膜形
成工程から主タングステン膜形成工程へ移行する際に、
ＷＦ6 ガスの流量を略２．７倍（＝８０／３０）増加
し、Ｈ2 ガスに対するＷＦ6 ガスの流量比を約６．３倍
（＝１０．７／１．７）増加しているが、これは一例で
あり、中間タングステン膜６中のＦ濃度を検出器にて検
出できない程度まで小さくできるならば、これらの数値
に限定されない。そこで、次にＨ2 ガスに対するＷＦ6
ガスの流量比の好ましい範囲について説明する。まず図
５には、中間タングステン膜形成工程における、Ｈ2 に
対するＷＦ6 ガスの流量比（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）と、フッ素
濃度及びＣ／Ｖ値との関係を調べた実験結果が示されて
いる（具体的数値は表３に示す通りである）。
ングステン膜６中のＦ濃度を測定した結果、検出器では
測定できない程の低いレベルであった。これに対して、
先の表２中の従来の成膜条件で成膜した時の核結晶膜に
接する部分の主タングステン膜のＦ濃度は２．０６〜
４．９１×１０19（ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 ）であった。上
記表１に示す実施例の場合には、中間タングステン膜形
成工程から主タングステン膜形成工程へ移行する際に、
ＷＦ6 ガスの流量を略２．７倍（＝８０／３０）増加
し、Ｈ2 ガスに対するＷＦ6 ガスの流量比を約６．３倍
（＝１０．７／１．７）増加しているが、これは一例で
あり、中間タングステン膜６中のＦ濃度を検出器にて検
出できない程度まで小さくできるならば、これらの数値
に限定されない。そこで、次にＨ2 ガスに対するＷＦ6
ガスの流量比の好ましい範囲について説明する。まず図
５には、中間タングステン膜形成工程における、Ｈ2 に
対するＷＦ6 ガスの流量比（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）と、フッ素
濃度及びＣ／Ｖ値との関係を調べた実験結果が示されて
いる（具体的数値は表３に示す通りである）。
【００３３】
【表３】
【００３４】この場合、図６に示すウエハ上の凹部（ア
スペクト比３）に形成されたタングステン層に関して、
表面部分の膜厚Ａに対する凹部底面の膜厚Ｂの割合（Ｂ
／Ａ）をＣ／Ｖ値（％）とした。尚、ＷＦ6 とＨ2 の流
量以外の処理条件は表１に示したのと同様である。この
図５及び表３に示す結果によれば、流量比（ＷＦ6 ／Ｈ
2 ）が０．０２７以下の範囲では、フッ素濃度が１．０
（原子％）に保たれ、Ｃ／Ｖ値が１００％に保たれてい
る。これに対して、流量比（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）が０．０２
７を越える範囲では、流量比（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）の増加に
伴って、フッ素濃度が２．０（原子％）まで増大し、Ｃ
／Ｖ値が４０％まで低下している。次に図７には、同様
の処理条件で、中間タングステン膜形成工程における流
量比（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）と成膜速度との関係を調べた実験
結果が示されている（具体的数値は表４に示す通りであ
る）。
スペクト比３）に形成されたタングステン層に関して、
表面部分の膜厚Ａに対する凹部底面の膜厚Ｂの割合（Ｂ
／Ａ）をＣ／Ｖ値（％）とした。尚、ＷＦ6 とＨ2 の流
量以外の処理条件は表１に示したのと同様である。この
図５及び表３に示す結果によれば、流量比（ＷＦ6 ／Ｈ
2 ）が０．０２７以下の範囲では、フッ素濃度が１．０
（原子％）に保たれ、Ｃ／Ｖ値が１００％に保たれてい
る。これに対して、流量比（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）が０．０２
７を越える範囲では、流量比（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）の増加に
伴って、フッ素濃度が２．０（原子％）まで増大し、Ｃ
／Ｖ値が４０％まで低下している。次に図７には、同様
の処理条件で、中間タングステン膜形成工程における流
量比（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）と成膜速度との関係を調べた実験
結果が示されている（具体的数値は表４に示す通りであ
る）。
【００３５】
【表４】
【００３６】この図７及び表４に示す結果によれば、流
量比（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）が０．０２７以下の範囲では、成
膜速度が２３００〜２４５０（Å／分）の範囲にある。
このような低流量比領域では、処理ガスの供給に応じて
成膜反応が進行することのない［供給律速状態］を形成
しているものと考えられる。これに対して、流量比（Ｗ
Ｆ6 ／Ｈ2 ）が０．０５３以上の範囲では、成膜速度が
３６００〜３８５０（Å／分）の範囲にある。このよう
な高流量比の領域では、処理ガスの供給に応じて成膜反
応が進行する［反応律速状態］を形成しているものと考
えられる。そして、これらの［供給律速状態］と［反応
律速状態］との境界は、流量比（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）で０．
０４付近に存すると考えられる。また、この流量比を
０．００５よりも小さく設定すると、成膜速度が極端に
低下するので現実的ではない。ここで、図８には、処理
温度と成膜速度との関係を調べた実験結果が、反応律速
の場合と供給律速の場合とで比較して示されている。こ
の図８に示す結果によれば、反応律速状態（流量比０．
１０７〜０．０５３）の場合は、処理温度が高くなるほ
ど成膜速度が大きくなっているが、供給律速状態（流量
比０．０１０５〜０．０２７）の場合は、処理温度によ
る成膜速度の変化はほとんど見られない。次に、図９に
は、処理圧力と成膜速度との関係を調べた実験結果が、
反応律速の場合と供給律速の場合とで比較して示されて
いる（具体的数値は表５に示す通りである）。
量比（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）が０．０２７以下の範囲では、成
膜速度が２３００〜２４５０（Å／分）の範囲にある。
このような低流量比領域では、処理ガスの供給に応じて
成膜反応が進行することのない［供給律速状態］を形成
しているものと考えられる。これに対して、流量比（Ｗ
Ｆ6 ／Ｈ2 ）が０．０５３以上の範囲では、成膜速度が
３６００〜３８５０（Å／分）の範囲にある。このよう
な高流量比の領域では、処理ガスの供給に応じて成膜反
応が進行する［反応律速状態］を形成しているものと考
えられる。そして、これらの［供給律速状態］と［反応
律速状態］との境界は、流量比（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）で０．
０４付近に存すると考えられる。また、この流量比を
０．００５よりも小さく設定すると、成膜速度が極端に
低下するので現実的ではない。ここで、図８には、処理
温度と成膜速度との関係を調べた実験結果が、反応律速
の場合と供給律速の場合とで比較して示されている。こ
の図８に示す結果によれば、反応律速状態（流量比０．
１０７〜０．０５３）の場合は、処理温度が高くなるほ
ど成膜速度が大きくなっているが、供給律速状態（流量
比０．０１０５〜０．０２７）の場合は、処理温度によ
る成膜速度の変化はほとんど見られない。次に、図９に
は、処理圧力と成膜速度との関係を調べた実験結果が、
反応律速の場合と供給律速の場合とで比較して示されて
いる（具体的数値は表５に示す通りである）。
【００３７】
【表５】
【００３８】この図９及び表５に示す結果によれば、反
応律速状態（流量比０．１０７）の場合は、処理圧力が
高くなるほど成膜速度が大きくなっているが、供給律速
状態（流量比０．０１０５）の場合は、処理圧力による
成膜速度の増加は極めて小さい。上記図９及び表５に示
す成膜条件の実験結果より膜厚を測定したところ、反応
律速条件下にてタングステン層の全厚さを１０００Å
（＝核結晶膜４００Å＋主タングステン膜６００Å）に
設定した場合には全体で約５３０Å程度しかタングステ
ン層が堆積されなかったが、これに対して、供給律速条
件下にてタングステン層の全厚さを１０００Å（＝核結
晶膜２００Å＋中間タングステン膜２００Å＋主タング
ステン膜６００Å）に設定した場合は全体で約１０２０
Å程度のタングステン層が堆積されて、良好な結果を示
すことが判明した。以上のことから、中間タングステン
膜形成工程におけるＨ2 ガスに対するＷＦ6 ガスの流量
比は０．０４以下であることが好ましい。これにより、
中間タングステン膜形成工程において、上記［供給律速
状態］を維持して、温度や圧力等の処理条件による膜厚
変動の少ない中間タングステン膜の形成を行なうことが
できる。尚、本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではない。例えば、原料ガスとしては、上述したＷＦ
6 ガスに限定されず、他のフッ化タングステンガスを用
いることもできる。また、還元ガスとしては、上述した
Ｈ2 ガスに限定されず、原料ガスとしてのフッ化タング
ステンガスを還元できるものであれば、他の還元ガスを
用いることもできる。更に、被処理体は半導体ウエハに
限定されず、ＬＣＤ基板やガラス基板等を被処理体とす
ることもできる。
応律速状態（流量比０．１０７）の場合は、処理圧力が
高くなるほど成膜速度が大きくなっているが、供給律速
状態（流量比０．０１０５）の場合は、処理圧力による
成膜速度の増加は極めて小さい。上記図９及び表５に示
す成膜条件の実験結果より膜厚を測定したところ、反応
律速条件下にてタングステン層の全厚さを１０００Å
（＝核結晶膜４００Å＋主タングステン膜６００Å）に
設定した場合には全体で約５３０Å程度しかタングステ
ン層が堆積されなかったが、これに対して、供給律速条
件下にてタングステン層の全厚さを１０００Å（＝核結
晶膜２００Å＋中間タングステン膜２００Å＋主タング
ステン膜６００Å）に設定した場合は全体で約１０２０
Å程度のタングステン層が堆積されて、良好な結果を示
すことが判明した。以上のことから、中間タングステン
膜形成工程におけるＨ2 ガスに対するＷＦ6 ガスの流量
比は０．０４以下であることが好ましい。これにより、
中間タングステン膜形成工程において、上記［供給律速
状態］を維持して、温度や圧力等の処理条件による膜厚
変動の少ない中間タングステン膜の形成を行なうことが
できる。尚、本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではない。例えば、原料ガスとしては、上述したＷＦ
6 ガスに限定されず、他のフッ化タングステンガスを用
いることもできる。また、還元ガスとしては、上述した
Ｈ2 ガスに限定されず、原料ガスとしてのフッ化タング
ステンガスを還元できるものであれば、他の還元ガスを
用いることもできる。更に、被処理体は半導体ウエハに
限定されず、ＬＣＤ基板やガラス基板等を被処理体とす
ることもできる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のタングス
テン層の形成方法及びタングステン層の積層構造にれ
ば、次のように優れた作用効果を発揮することができ
る。タングステンの核結晶膜の形成後であって、主タン
グステン膜の形成直前に、この主タングステン膜の形成
工程に比べて、還元ガスに対する原料ガスの流量比を小
さくした状態で中間タングステン膜を形成するようにし
たので、従来において主タングステンの成膜工程の前半
で生じていたインキュベーションタイムをなくすことが
でき、その結果、全体的に見かけ上の成膜速度（平均成
膜速度）を向上させることができ、スループットも向上
させることができる。また、時間的に不安定なインキュ
ベーションタイムをなくすことができるので、膜厚の管
理が行ない易くなり、従って、成膜の再現性を高めて被
処理体間における膜厚の均一性を向上させることができ
る。
テン層の形成方法及びタングステン層の積層構造にれ
ば、次のように優れた作用効果を発揮することができ
る。タングステンの核結晶膜の形成後であって、主タン
グステン膜の形成直前に、この主タングステン膜の形成
工程に比べて、還元ガスに対する原料ガスの流量比を小
さくした状態で中間タングステン膜を形成するようにし
たので、従来において主タングステンの成膜工程の前半
で生じていたインキュベーションタイムをなくすことが
でき、その結果、全体的に見かけ上の成膜速度（平均成
膜速度）を向上させることができ、スループットも向上
させることができる。また、時間的に不安定なインキュ
ベーションタイムをなくすことができるので、膜厚の管
理が行ない易くなり、従って、成膜の再現性を高めて被
処理体間における膜厚の均一性を向上させることができ
る。
【図１】本発明に係るタングステン層の形成方法を実施
するための成膜処理装置を示す断面構成図である。
するための成膜処理装置を示す断面構成図である。
【図２】本発明のタングステン層の積層構造を示す部分
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図３】本発明方法を説明するためのタイムチャートと
膜厚との関係を示すグラフである。
膜厚との関係を示すグラフである。
【図４】ＷＦ6 ガスの流量を変えた時のタングステン膜
中におけるフッ素濃度を示すグラフであり、
中におけるフッ素濃度を示すグラフであり、
【図５】中間タングステン膜形成工程における、Ｈ2 に
対するＷＦ6 ガスの流量比（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）と、フッ素
濃度及びＣ／Ｖ値との関係を調べた実験結果を示す図で
ある。
対するＷＦ6 ガスの流量比（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）と、フッ素
濃度及びＣ／Ｖ値との関係を調べた実験結果を示す図で
ある。
【図６】ウエハ上の凹部と表面部分に堆積したタングス
テン膜の膜厚を示す模式図である。
テン膜の膜厚を示す模式図である。
【図７】中間タングステン膜形成工程における流量比
（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）と成膜速度との関係を調べた実験結果
を示す図である。
（ＷＦ6 ／Ｈ2 ）と成膜速度との関係を調べた実験結果
を示す図である。
【図８】処理温度と成膜速度との関係を調べた実験結果
を、反応律速の場合と供給律速の場合とで比較して示す
図である。
を、反応律速の場合と供給律速の場合とで比較して示す
図である。
【図９】処理圧力と成膜速度との関係を調べた実験結果
を、反応律速の場合と供給律速の場合とで比較して示す
図である。
を、反応律速の場合と供給律速の場合とで比較して示す
図である。
【図１０】半導体ウエハ上の従来のタングステン層の断
面構造を示す図である。
面構造を示す図である。
【図１１】成膜工程における時間と膜厚との関係を示し
たグラフである。
たグラフである。
【図１２】目標の膜厚が小さい時のインキュベーション
タイムの影響を説明するための図である。
タイムの影響を説明するための図である。
２ タングステンの核結晶膜 ４ 主タングステン膜 ６ 中間タングステン膜 １４ 成膜処理装置 １６ 処理容器 ２２ 載置台 ４４ 透過窓 ４８ 加熱ランプ ７４ シャワーヘッド部 Ｔ１，Ｔ２ インキュベーションタイム Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA04 AA17 AA18 BA20 BB12 CA04 CA12 FA10 HA01 HA13 JA06 LA15 4M104 BB18 DD45 DD49 HH20
Claims (6)
- 【請求項１】 フッ化タングステンガスよりなる原料ガ
スとこの原料ガスを還元する還元ガスとを含む処理ガス
を供給しつつ、被処理体の表面にタングステン層を形成
する方法において、 前記被処理体の表面にタングステンの核結晶膜を形成す
る核結晶膜形成工程と、前記核結晶膜上に主タングステ
ン膜を形成する主タングステン膜形成工程と、前記核結
晶膜形成工程と前記主タングステン膜形成工程との間
に、前記主タングステン膜形成工程に比べて前記還元ガ
スに対する前記原料ガスの流量比を小さくした状態で中
間タングステン膜を形成する中間タングステン膜形成工
程を備えるようにしたことを特徴とするタングステン層
の形成方法。 - 【請求項２】 前記中間タングステン膜形成工程におけ
る前記処理ガス中のフッ素原子の濃度は、前記主タング
ステン膜形成工程における前記処理ガス中のフッ素濃度
よりも低く設定されていることを特徴とする請求項１記
載のタングステン層の形成方法。 - 【請求項３】 前記核結晶膜形成工程と前記主タングス
テン膜形成工程とはそれぞれ数１０秒間程度行なうに対
して、前記中間タングステン膜形成工程は１０秒間程度
行なうことを特徴とする請求項１または２記載のタング
ステン層の形成方法。 - 【請求項４】 前記原料ガスは、ＷＦ6 ガスであること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のタング
ステン層の形成方法。 - 【請求項５】 前記還元ガスはＨ2 ガスであり、前記中
間タングステン膜形成工程におけるＨ2 ガスに対するＷ
Ｆ6 ガスの流量比は０．０４以下であることを特徴とす
る請求項４記載のタングステン層の形成方法。 - 【請求項６】 被処理体の表面に、フッ化タングステン
ガスより成る原料ガスとこの原料ガスを還元する還元ガ
スとを含む処理ガスを供給しつつ形成されるタングステ
ン層の積層構造において、前記被処理体の表面に形成さ
れたタングステンの核結晶膜と、この核結晶膜上に形成
された主タングステン膜と、前記核結晶膜と前記主タン
グステン膜との間に、前記主タングステン膜の形成時に
比べて前記還元ガスに対する前記原料ガスの流量比を小
さくした状態で形成された中間タングステン膜とを備え
たことを特徴とするタングステン層の積層構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000002913A JP2000265272A (ja) | 1999-01-13 | 2000-01-11 | タングステン層の形成方法及びタングステン層の積層構造 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-6506 | 1999-01-13 | ||
| JP650699 | 1999-01-13 | ||
| JP2000002913A JP2000265272A (ja) | 1999-01-13 | 2000-01-11 | タングステン層の形成方法及びタングステン層の積層構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000265272A true JP2000265272A (ja) | 2000-09-26 |
| JP2000265272A5 JP2000265272A5 (ja) | 2007-03-01 |
Family
ID=11640328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000002913A Pending JP2000265272A (ja) | 1999-01-13 | 2000-01-11 | タングステン層の形成方法及びタングステン層の積層構造 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6387445B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000265272A (ja) |
| KR (1) | KR100509225B1 (ja) |
| TW (1) | TW451305B (ja) |
| WO (1) | WO2000042232A1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002129328A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-09 | Applied Materials Inc | 気相堆積方法及び装置 |
| JP2002146531A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-22 | Applied Materials Inc | 気相堆積方法及び装置 |
| JP2003193233A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-07-09 | Tokyo Electron Ltd | タングステン膜の形成方法 |
| JP2004273764A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Tokyo Electron Ltd | タングステン膜の形成方法 |
| JP2006249580A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-09-21 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜の積層構造、その形成方法、成膜装置及び記憶媒体 |
| US8100147B2 (en) | 1999-06-15 | 2012-01-24 | Tokyo Electron Limited | Particle-measuring system and particle-measuring method |
| JP2013122068A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-20 | Ulvac Japan Ltd | タングステン化合物膜の形成方法、及び半導体装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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