JP2000265273A - 有機金属化学蒸着用の銅薄膜形成用溶液原料及びこれから作られた銅薄膜 - Google Patents
有機金属化学蒸着用の銅薄膜形成用溶液原料及びこれから作られた銅薄膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い成膜速度が得られ、基板上で効率よく分
解して揮発性が高く、下地膜との密着性に優れる。 【解決手段】 銅+1(アリルトリメチルシラン)(ヘキサ
フルオロアセチルアセトン)のような一価の銅金属を含
む有機金属銅化合物に、β−ジケトンの水和物、トリフ
ルオロアセトン、トリフルオロアセトンの水和物、ヘキ
サフルオロアセトン、ヘキサフルオロアセトンの水和
物、β−ジケトンのヒドロキシ化合物、β−ジケトンの
ヒドロキシ化合物の水和物及びペンチンの水和物からな
る群より選ばれた１種又は２種以上の第１化合物を添加
して構成される。また上記一価の銅金属を含む有機金属
銅化合物に、アルキルシラン、アルキルシランの水和
物、アルコキシシラン、アルコキシシランの水和物のよ
うな第２化合物、及び／又はアセチレン、アルケンの各
誘導体の第３化合物を添加して構成される。
解して揮発性が高く、下地膜との密着性に優れる。 【解決手段】 銅+1(アリルトリメチルシラン)(ヘキサ
フルオロアセチルアセトン)のような一価の銅金属を含
む有機金属銅化合物に、β−ジケトンの水和物、トリフ
ルオロアセトン、トリフルオロアセトンの水和物、ヘキ
サフルオロアセトン、ヘキサフルオロアセトンの水和
物、β−ジケトンのヒドロキシ化合物、β−ジケトンの
ヒドロキシ化合物の水和物及びペンチンの水和物からな
る群より選ばれた１種又は２種以上の第１化合物を添加
して構成される。また上記一価の銅金属を含む有機金属
銅化合物に、アルキルシラン、アルキルシランの水和
物、アルコキシシラン、アルコキシシランの水和物のよ
うな第２化合物、及び／又はアセチレン、アルケンの各
誘導体の第３化合物を添加して構成される。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の配線
に用いられる銅（Ｃｕ）薄膜を有機金属化学蒸着（Meta
l Organic Chemical Vapor Deposition、以下、ＭＯＣ
ＶＤという。）法により作製するための銅薄膜形成用溶
液原料及びこれから作られた銅薄膜に関するものであ
る。
に用いられる銅（Ｃｕ）薄膜を有機金属化学蒸着（Meta
l Organic Chemical Vapor Deposition、以下、ＭＯＣ
ＶＤという。）法により作製するための銅薄膜形成用溶
液原料及びこれから作られた銅薄膜に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＭＯＣＶＤ法に用いられる有機銅化合物
として、厳格な化学的、構造的かつ電気的広範な必要条
件の組合せを充足させる選択蒸着能力のある室温で液体
の錯体銅+1ｔｍｖｓ・ｈｆａｃ（ｔｍｖｓはトリメチル
ビニルシランの略語で、ｈｆａｃはヘキサフルオロアセ
チルアセトン陰イオンの略語である）が良く知られてい
る（特開平５−２０２４７６）。しかしこの化合物は極
めて安定性に欠け、室温で容易に分解し、金属銅の析出
と副生成物の銅+2（ｈｆａｃ）2に変化し劣化が著し
い。そのため、この有機銅化合物は成膜時に安定して供
給することが難しく、成膜の再現性に劣る。上記問題点
を解決するために、上記有機銅化合物よりも安定した気
化速度を得られるとともに優れた揮発性と熱安定性を示
す室温で液体の銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃ（ａｔｍｓはア
リルトリメチルシランの略語である）が開示されている
（特開平７−２５２２６６、特開平１０−１３５１５
４）。
として、厳格な化学的、構造的かつ電気的広範な必要条
件の組合せを充足させる選択蒸着能力のある室温で液体
の錯体銅+1ｔｍｖｓ・ｈｆａｃ（ｔｍｖｓはトリメチル
ビニルシランの略語で、ｈｆａｃはヘキサフルオロアセ
チルアセトン陰イオンの略語である）が良く知られてい
る（特開平５−２０２４７６）。しかしこの化合物は極
めて安定性に欠け、室温で容易に分解し、金属銅の析出
と副生成物の銅+2（ｈｆａｃ）2に変化し劣化が著し
い。そのため、この有機銅化合物は成膜時に安定して供
給することが難しく、成膜の再現性に劣る。上記問題点
を解決するために、上記有機銅化合物よりも安定した気
化速度を得られるとともに優れた揮発性と熱安定性を示
す室温で液体の銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃ（ａｔｍｓはア
リルトリメチルシランの略語である）が開示されている
（特開平７−２５２２６６、特開平１０−１３５１５
４）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、銅+1ｔｍｖｓ
・ｈｆａｃは勿論のこと、銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃであ
っても、これらの一価の銅金属を含む有機金属銅化合物
を単体で含む原料では、スパッタリング法に代表される
物理蒸着法に比べて成膜速度が遅く、下地膜との密着性
に劣る欠点があった。本発明の目的は、より高い成膜速
度が得られ、基板上で効率よく分解して揮発性が高く、
下地膜との密着性に優れた有機金属化学蒸着用の銅薄膜
形成用溶液原料を提供することにある。本発明の別の目
的は、下地膜と堅牢に密着する高純度の銅薄膜を提供す
ることにある。
・ｈｆａｃは勿論のこと、銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃであ
っても、これらの一価の銅金属を含む有機金属銅化合物
を単体で含む原料では、スパッタリング法に代表される
物理蒸着法に比べて成膜速度が遅く、下地膜との密着性
に劣る欠点があった。本発明の目的は、より高い成膜速
度が得られ、基板上で効率よく分解して揮発性が高く、
下地膜との密着性に優れた有機金属化学蒸着用の銅薄膜
形成用溶液原料を提供することにある。本発明の別の目
的は、下地膜と堅牢に密着する高純度の銅薄膜を提供す
ることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
一価の銅金属を含む有機金属銅化合物に、β−ジケトン
の水和物、トリフルオロアセトン、トリフルオロアセト
ンの水和物、ヘキサフルオロアセトン、ヘキサフルオロ
アセトンの水和物、β−ジケトンのヒドロキシ化合物、
β−ジケトンのヒドロキシ化合物の水和物及びペンチン
の水和物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の第
１化合物を添加してなる有機金属化学蒸着用の銅薄膜形
成用溶液原料である。請求項２に係る発明は、一価の銅
金属を含む有機金属銅化合物に、ジメチルシクロオクタ
ジエン、アルキルシラン、アルキルシランの水和物、ア
ルコキシシラン及びアルコキシシランの水和物からなる
群より選ばれた１種又は２種以上の第２化合物、又はア
セチレンの誘導化合物又はアルケンの誘導化合物のいず
れか又は双方からなる第３化合物を添加してなる有機金
属化学蒸着用の銅薄膜形成用溶液原料である。
一価の銅金属を含む有機金属銅化合物に、β−ジケトン
の水和物、トリフルオロアセトン、トリフルオロアセト
ンの水和物、ヘキサフルオロアセトン、ヘキサフルオロ
アセトンの水和物、β−ジケトンのヒドロキシ化合物、
β−ジケトンのヒドロキシ化合物の水和物及びペンチン
の水和物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の第
１化合物を添加してなる有機金属化学蒸着用の銅薄膜形
成用溶液原料である。請求項２に係る発明は、一価の銅
金属を含む有機金属銅化合物に、ジメチルシクロオクタ
ジエン、アルキルシラン、アルキルシランの水和物、ア
ルコキシシラン及びアルコキシシランの水和物からなる
群より選ばれた１種又は２種以上の第２化合物、又はア
セチレンの誘導化合物又はアルケンの誘導化合物のいず
れか又は双方からなる第３化合物を添加してなる有機金
属化学蒸着用の銅薄膜形成用溶液原料である。
【０００５】請求項３に係る発明は、一価の銅金属を含
む有機金属銅化合物に、上記第２化合物及び上記第３化
合物を添加してなる有機金属化学蒸着用の銅薄膜形成用
溶液原料である。請求項７に係る発明は、第１化合物に
加えて、一価の銅金属を含む有機金属銅化合物に更に上
記第２化合物又は第３化合物を添加してなる銅薄膜形成
用溶液原料である。請求項８に係る発明は、第１化合物
に加えて、一価の銅金属を含む有機金属銅化合物に更に
上記第２化合物及び第３化合物を添加してなる銅薄膜形
成用溶液原料である。一価の銅金属を含む有機金属銅化
合物に上記第１化合物、第２化合物若しくは第３化合物
のいずれか、又は第１化合物と第２化合物、第１化合物
と第３化合物若しくは第２化合物と第３化合物の二者、
或いは第１化合物と第２化合物と第３化合物の三者を添
加すると、単体の上記有機金属銅化合物と比べて、下地
に対してより核発生密度が向上し、銅成長が起こり易
く、銅薄膜の成長速度が増大する。
む有機金属銅化合物に、上記第２化合物及び上記第３化
合物を添加してなる有機金属化学蒸着用の銅薄膜形成用
溶液原料である。請求項７に係る発明は、第１化合物に
加えて、一価の銅金属を含む有機金属銅化合物に更に上
記第２化合物又は第３化合物を添加してなる銅薄膜形成
用溶液原料である。請求項８に係る発明は、第１化合物
に加えて、一価の銅金属を含む有機金属銅化合物に更に
上記第２化合物及び第３化合物を添加してなる銅薄膜形
成用溶液原料である。一価の銅金属を含む有機金属銅化
合物に上記第１化合物、第２化合物若しくは第３化合物
のいずれか、又は第１化合物と第２化合物、第１化合物
と第３化合物若しくは第２化合物と第３化合物の二者、
或いは第１化合物と第２化合物と第３化合物の三者を添
加すると、単体の上記有機金属銅化合物と比べて、下地
に対してより核発生密度が向上し、銅成長が起こり易
く、銅薄膜の成長速度が増大する。
【０００６】なお、本明細書では次の化合物を下記の略
語で示す。 ヘキサフルオロアセチルアセトン； Ｈｈｆａｃ ヘキサフルオロアセチルアセトン水和物； Ｈｈｆａｃ
・２Ｈ2Ｏ トリフルオロアセチルアセトン； Ｈｔｆａｃ トリフルオロアセチルアセトン水和物； Ｈｔｆａｃ・
２Ｈ2Ｏ アセチルアセトン； Ｈａｃａｃ アセチルアセトン水和物； Ｈａｃａｃ・２Ｈ2Ｏ トリフルオロアセトン； ｔｆａｃ トリフルオロアセトン水和物； ｔｆａｃ・Ｈ2Ｏ ヘキサフルオロアセトン； ｈｆａ ヘキサフルオロアセトン水和物； ｈｆａ・Ｈ2Ｏ ペンチン； ｐｅｎｔ １−ペンチン； １−ｐｅｎｔ ２−ペンチン； ２−ｐｅｎｔ ペンチン水和物； ｐｅｎｔ・Ｈ2Ｏ ペンテン； ｐｅｎｔｅｎ アリルトリメチルシラン； ａｔｍｓ トリメチルビニルシラン； ｔｍｖｓ ジメチルシクロオクタジエン； ｄｍｃｏｄ トリメトキシビニルシラン； ｔｍｏｖｓ トリエトキシビニルシラン； ｔｅｏｖｓ アリルトリメトキシシラン； ａｔｍｏｓ アリルトリエトキシシラン； ａｔｅｏｓ ヒドロキシアリルトリメチルシラン； ｈｙｏａｔｍｓ ヒドロキシビニルトリメチルシラン； ｈｙｏｖｔｍｓ ヒドロキシヘキサフルオロアセチルアセトン； ｈｆａ
ｃＨ ヒドロキシヘキサフルオロアセチルアセトン水和物；
ｈｆａｃＨ・Ｈ2Ｏ ヒドロキシトリフルオロアセチルアセトン； ｔｆａｃ
Ｈ ヒドロキシトリフルオロアセチルアセトン水和物； ｔ
ｆａｃＨ・Ｈ2Ｏ ヒドロキシアセチルアセトン； ａｃａｃＨ ヒドロキシアセチルアセトン水和物； ａｃａｃＨ・Ｈ
2Ｏ アリルベンゼン； ＡｒＢ ２−メチル−１−ブテン； ２ＭＢ ２−メチル−２−ブテン； ２Ｍ２Ｂ メチルスチレン； ＭｅＳｔ １−テトラデセン； ＴＥＴＤ １−ヘキセン； Ｈｅｘ ２−ヘキセン； ２Ｈｅｘ ３−ヘキセン； ３Ｈｅｘ １−ヘキシン； Ｈｅｘｙｎ ３，３−ジメチル−１−ブチン； ＤＭＢｙｎ ３，３−ジメチル−１−ブテン； ＤＭＢ ２，４，４−トリメチル−１−ペンテン； ＴＭＰｅ ２，４，４−トリメチル−２−ペンテン； ＴＭ２Ｐｅ ２，３−ジメチル−１−ブテン； ２，３−ＤＭＢ ２，３−ジメチル−２−ブテン； ２，３−ＤＭ２Ｂ ２，３，３−トリメチル−１−ブテン； ＴＭＢ ２，３，４−トリメチル−２−ペンテン； ＴＭ２Ｐ ２−メチル−１−ペンテン； ２ＭＰ ２−メチル−２−ペンテン； ２Ｍ２Ｐ ２−メチル−１−ヘキセン； ２ＭＨｅｘ ２−メチル−１−ヘキセン−３−イン； ２ＭｈｙＨｅ
ｎ３ｙｎｅ ３−メチル−１−ペンテン； ３ＭＰ ３−メチル−２−ペンテン； ３Ｍ２Ｐ ４−メチル−１−ペンテン； ４ＭＰ ４−メチル−２−ペンテン； ４Ｍ２Ｐ
語で示す。 ヘキサフルオロアセチルアセトン； Ｈｈｆａｃ ヘキサフルオロアセチルアセトン水和物； Ｈｈｆａｃ
・２Ｈ2Ｏ トリフルオロアセチルアセトン； Ｈｔｆａｃ トリフルオロアセチルアセトン水和物； Ｈｔｆａｃ・
２Ｈ2Ｏ アセチルアセトン； Ｈａｃａｃ アセチルアセトン水和物； Ｈａｃａｃ・２Ｈ2Ｏ トリフルオロアセトン； ｔｆａｃ トリフルオロアセトン水和物； ｔｆａｃ・Ｈ2Ｏ ヘキサフルオロアセトン； ｈｆａ ヘキサフルオロアセトン水和物； ｈｆａ・Ｈ2Ｏ ペンチン； ｐｅｎｔ １−ペンチン； １−ｐｅｎｔ ２−ペンチン； ２−ｐｅｎｔ ペンチン水和物； ｐｅｎｔ・Ｈ2Ｏ ペンテン； ｐｅｎｔｅｎ アリルトリメチルシラン； ａｔｍｓ トリメチルビニルシラン； ｔｍｖｓ ジメチルシクロオクタジエン； ｄｍｃｏｄ トリメトキシビニルシラン； ｔｍｏｖｓ トリエトキシビニルシラン； ｔｅｏｖｓ アリルトリメトキシシラン； ａｔｍｏｓ アリルトリエトキシシラン； ａｔｅｏｓ ヒドロキシアリルトリメチルシラン； ｈｙｏａｔｍｓ ヒドロキシビニルトリメチルシラン； ｈｙｏｖｔｍｓ ヒドロキシヘキサフルオロアセチルアセトン； ｈｆａ
ｃＨ ヒドロキシヘキサフルオロアセチルアセトン水和物；
ｈｆａｃＨ・Ｈ2Ｏ ヒドロキシトリフルオロアセチルアセトン； ｔｆａｃ
Ｈ ヒドロキシトリフルオロアセチルアセトン水和物； ｔ
ｆａｃＨ・Ｈ2Ｏ ヒドロキシアセチルアセトン； ａｃａｃＨ ヒドロキシアセチルアセトン水和物； ａｃａｃＨ・Ｈ
2Ｏ アリルベンゼン； ＡｒＢ ２−メチル−１−ブテン； ２ＭＢ ２−メチル−２−ブテン； ２Ｍ２Ｂ メチルスチレン； ＭｅＳｔ １−テトラデセン； ＴＥＴＤ １−ヘキセン； Ｈｅｘ ２−ヘキセン； ２Ｈｅｘ ３−ヘキセン； ３Ｈｅｘ １−ヘキシン； Ｈｅｘｙｎ ３，３−ジメチル−１−ブチン； ＤＭＢｙｎ ３，３−ジメチル−１−ブテン； ＤＭＢ ２，４，４−トリメチル−１−ペンテン； ＴＭＰｅ ２，４，４−トリメチル−２−ペンテン； ＴＭ２Ｐｅ ２，３−ジメチル−１−ブテン； ２，３−ＤＭＢ ２，３−ジメチル−２−ブテン； ２，３−ＤＭ２Ｂ ２，３，３−トリメチル−１−ブテン； ＴＭＢ ２，３，４−トリメチル−２−ペンテン； ＴＭ２Ｐ ２−メチル−１−ペンテン； ２ＭＰ ２−メチル−２−ペンテン； ２Ｍ２Ｐ ２−メチル−１−ヘキセン； ２ＭＨｅｘ ２−メチル−１−ヘキセン−３−イン； ２ＭｈｙＨｅ
ｎ３ｙｎｅ ３−メチル−１−ペンテン； ３ＭＰ ３−メチル−２−ペンテン； ３Ｍ２Ｐ ４−メチル−１−ペンテン； ４ＭＰ ４−メチル−２−ペンテン； ４Ｍ２Ｐ
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の有機金属化学蒸着用の銅
薄膜形成用溶液原料は、一価の銅金属を含む有機金属銅
化合物単体でなく、一価の銅金属を含む有機金属銅化合
物に第１化合物、第２化合物若しくは第３化合物のいず
れか、或いは第１化合物と第２化合物、第１化合物と第
３化合物若しくは第２化合物と第３化合物の二者、或い
は第１化合物と第２化合物と第３化合物の三者を添加し
て構成される。この第１化合物は、β−ジケトンの水和
物、ｔｆａｃ、ｔｆａｃの水和物、ｈｆａ、ｈｆａの水
和物、β−ジケトンのヒドロキシ化合物、β−ジケトン
のヒドロキシ化合物の水和物及びｐｅｎｔの水和物から
なる群より選ばれた１種又は２種以上の化合物である。
また第２化合物は、ジメチルシクロオクタジエン、アル
キルシラン、アルキルシランの水和物、アルコキシシラ
ン及びアルコキシシランの水和物からなる群より選ばれ
た１種又は２種以上の化合物である。更に第３化合物
は、アセチレンの誘導化合物又はアルケンの誘導化合物
のいずれか又は双方からなる化合物である。
薄膜形成用溶液原料は、一価の銅金属を含む有機金属銅
化合物単体でなく、一価の銅金属を含む有機金属銅化合
物に第１化合物、第２化合物若しくは第３化合物のいず
れか、或いは第１化合物と第２化合物、第１化合物と第
３化合物若しくは第２化合物と第３化合物の二者、或い
は第１化合物と第２化合物と第３化合物の三者を添加し
て構成される。この第１化合物は、β−ジケトンの水和
物、ｔｆａｃ、ｔｆａｃの水和物、ｈｆａ、ｈｆａの水
和物、β−ジケトンのヒドロキシ化合物、β−ジケトン
のヒドロキシ化合物の水和物及びｐｅｎｔの水和物から
なる群より選ばれた１種又は２種以上の化合物である。
また第２化合物は、ジメチルシクロオクタジエン、アル
キルシラン、アルキルシランの水和物、アルコキシシラ
ン及びアルコキシシランの水和物からなる群より選ばれ
た１種又は２種以上の化合物である。更に第３化合物
は、アセチレンの誘導化合物又はアルケンの誘導化合物
のいずれか又は双方からなる化合物である。
【０００８】一価の銅金属を含む有機金属銅化合物とし
ては、銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃ、銅+1ｔｍｖｓ・ｈｆａ
ｃなどが例示される。第１化合物中のβ−ジケトンとし
ては、Ｈｈｆａｃ、Ｈｔｆａｃ、Ｈａｃａｃなどが例示
される。本発明の第１化合物の添加量は一価の銅金属を
含む有機金属銅化合物１００重量％に対して０．０１〜
５．０重量％であることが好ましい。０．０１重量％未
満では第１化合物を添加した効果が現れず、銅薄膜の成
長速度は向上しない。また５．０重量％を超えると、銅
薄膜中の不純物濃度が高くなり、薄膜の品質を劣化し易
くなり、銅薄膜の成長速度もそれ程向上しない。
ては、銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃ、銅+1ｔｍｖｓ・ｈｆａ
ｃなどが例示される。第１化合物中のβ−ジケトンとし
ては、Ｈｈｆａｃ、Ｈｔｆａｃ、Ｈａｃａｃなどが例示
される。本発明の第１化合物の添加量は一価の銅金属を
含む有機金属銅化合物１００重量％に対して０．０１〜
５．０重量％であることが好ましい。０．０１重量％未
満では第１化合物を添加した効果が現れず、銅薄膜の成
長速度は向上しない。また５．０重量％を超えると、銅
薄膜中の不純物濃度が高くなり、薄膜の品質を劣化し易
くなり、銅薄膜の成長速度もそれ程向上しない。
【０００９】また一価の銅金属を含む有機金属銅化合物
に対する第２化合物又は第３化合物の添加量は一価の銅
金属を含む有機金属銅化合物１００重量％に対してそれ
ぞれ０．０１〜１０．０重量％であることが好ましい。
０．０１重量％未満では第２化合物又は第３化合物を添
加した効果が現れず、銅薄膜の成長速度はより向上しな
い。また１０．０重量％を超えると、銅薄膜中の不純物
濃度が高くなり、薄膜の品質を劣化し易くなり、銅薄膜
の成長速度もそれ程向上しない。一価の銅金属を含む有
機金属銅化合物に第１化合物に加えて、第２化合物又は
第３化合物のいずれか又は双方を更に添加すると、或い
は一価の銅金属を含む有機金属銅化合物に第２化合物と
第３化合物を更に添加すると、下地に対して更により一
層核発生密度が向上する。第２化合物のアルキルシラン
としては、ｔｍｖｓ、ａｔｍｓなどが例示される。また
アルコキシシランとしては、ｔｍｏｖｓ、ｔｅｏｖｓ、
ａｔｍｏｓ、ａｔｅｏｓなどが例示される。第３化合物
のアセチレンの誘導化合物としては、ｐｅｎｔ、Ｈｅｘ
ｙｎ、ＤＭＢｙｎ、２ＭｈｙＨｅｎ３ｙｎｅなどが例示
される。またアルケンの誘導化合物としては、ＡｒＢ、
２ＭＢ、２Ｍ２Ｂ、ＭｅＳｔ、ＴＥＴＤ、Ｈｅｘ、２Ｈ
ｅｘ、３Ｈｅｘ、Ｈｅｘｙｎ、ＤＭＢｙｎ、ＤＭＢ、ｐ
ｅｎｔｅｎ、ＴＭＰｅ、ＴＭ２Ｐｅ、２，３−ＤＭＢ、
２，３−ＤＭ２Ｂ、ＴＭＢ、ＴＭ２Ｐ、２ＭＰ、２Ｍ２
Ｐ、２ＭＨｅｘ、３ＭＰ、３Ｍ２Ｐ、４ＭＰ、４Ｍ２Ｐ
などが例示される。
に対する第２化合物又は第３化合物の添加量は一価の銅
金属を含む有機金属銅化合物１００重量％に対してそれ
ぞれ０．０１〜１０．０重量％であることが好ましい。
０．０１重量％未満では第２化合物又は第３化合物を添
加した効果が現れず、銅薄膜の成長速度はより向上しな
い。また１０．０重量％を超えると、銅薄膜中の不純物
濃度が高くなり、薄膜の品質を劣化し易くなり、銅薄膜
の成長速度もそれ程向上しない。一価の銅金属を含む有
機金属銅化合物に第１化合物に加えて、第２化合物又は
第３化合物のいずれか又は双方を更に添加すると、或い
は一価の銅金属を含む有機金属銅化合物に第２化合物と
第３化合物を更に添加すると、下地に対して更により一
層核発生密度が向上する。第２化合物のアルキルシラン
としては、ｔｍｖｓ、ａｔｍｓなどが例示される。また
アルコキシシランとしては、ｔｍｏｖｓ、ｔｅｏｖｓ、
ａｔｍｏｓ、ａｔｅｏｓなどが例示される。第３化合物
のアセチレンの誘導化合物としては、ｐｅｎｔ、Ｈｅｘ
ｙｎ、ＤＭＢｙｎ、２ＭｈｙＨｅｎ３ｙｎｅなどが例示
される。またアルケンの誘導化合物としては、ＡｒＢ、
２ＭＢ、２Ｍ２Ｂ、ＭｅＳｔ、ＴＥＴＤ、Ｈｅｘ、２Ｈ
ｅｘ、３Ｈｅｘ、Ｈｅｘｙｎ、ＤＭＢｙｎ、ＤＭＢ、ｐ
ｅｎｔｅｎ、ＴＭＰｅ、ＴＭ２Ｐｅ、２，３−ＤＭＢ、
２，３−ＤＭ２Ｂ、ＴＭＢ、ＴＭ２Ｐ、２ＭＰ、２Ｍ２
Ｐ、２ＭＨｅｘ、３ＭＰ、３Ｍ２Ｐ、４ＭＰ、４Ｍ２Ｐ
などが例示される。
【００１０】また一価の銅金属を含む有機金属銅化合物
に第１化合物、第２化合物若しくは第３化合物のいずれ
かに加えて、或いは第１化合物と第２化合物、第１化合
物と第３化合物若しくは第２化合物と第３化合物の二
者、或いは第１化合物と第２化合物と第３化合物の三者
に加えて、更にｈｙｏａｔｍｓ又はｈｙｏｖｔｍｓのい
ずれか又は双方を添加することが好ましい。このヒドロ
キシシラン化合物を添加することにより、下地に対して
更により一層核発生密度が向上する。このヒドロキシシ
ラン化合物の添加量は一価の銅金属を含む有機金属銅化
合物１００重量％に対して０．０１〜５．０重量％であ
ることが好ましい。０．０１重量％未満ではヒドロキシ
シラン化合物を添加した効果が現れず、銅薄膜の成長速
度はより向上しない。また５．０重量％を超えると、銅
薄膜中の不純物濃度が高くなり、薄膜の品質を劣化し易
くなり、銅薄膜の成長速度もそれ程向上しない。
に第１化合物、第２化合物若しくは第３化合物のいずれ
かに加えて、或いは第１化合物と第２化合物、第１化合
物と第３化合物若しくは第２化合物と第３化合物の二
者、或いは第１化合物と第２化合物と第３化合物の三者
に加えて、更にｈｙｏａｔｍｓ又はｈｙｏｖｔｍｓのい
ずれか又は双方を添加することが好ましい。このヒドロ
キシシラン化合物を添加することにより、下地に対して
更により一層核発生密度が向上する。このヒドロキシシ
ラン化合物の添加量は一価の銅金属を含む有機金属銅化
合物１００重量％に対して０．０１〜５．０重量％であ
ることが好ましい。０．０１重量％未満ではヒドロキシ
シラン化合物を添加した効果が現れず、銅薄膜の成長速
度はより向上しない。また５．０重量％を超えると、銅
薄膜中の不純物濃度が高くなり、薄膜の品質を劣化し易
くなり、銅薄膜の成長速度もそれ程向上しない。
【００１１】請求項１ないし１５いずれかに係る発明の
銅薄膜形成用溶液原料により形成された銅薄膜は、下地
膜と堅牢に密着し、高純度である特長を有する。この銅
薄膜は、例えばシリコン基板表面のＳｉＯ2膜上にスパ
ッタリング法又はＭＯＣＶＤ法により形成されたＴｉＮ
膜又はＴａＮ膜上にＭＯＣＶＤ法により形成される。
銅薄膜形成用溶液原料により形成された銅薄膜は、下地
膜と堅牢に密着し、高純度である特長を有する。この銅
薄膜は、例えばシリコン基板表面のＳｉＯ2膜上にスパ
ッタリング法又はＭＯＣＶＤ法により形成されたＴｉＮ
膜又はＴａＮ膜上にＭＯＣＶＤ法により形成される。
【００１２】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに説明す
る。 ＜実施例１＞一価の銅金属を含む有機金属銅化合物とし
ての銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに表１に示す第１化合物を
添加した銅薄膜形成用溶液原料を用いて、ＭＯＣＶＤ法
により銅薄膜を成膜した。基板として、基板表面のＳｉ
Ｏ2膜（厚さ５０００Å）上にスパッタリング法により
ＴｉＮ膜（厚さ５０ｎｍ）を形成したシリコン基板を用
い、基板温度を１８０℃とした。気化温度を５０℃、圧
力を２ｔｏｒｒにそれぞれ設定した。キャリアガスとし
てＡｒガスを用い、その流量を１００ｃｃｍとした。銅
薄膜形成用溶液原料を０．２ｃｃ／分の割合で５分〜１
５分間供給し、その膜厚を膜の断面ＳＥＭ像から測定し
た。表１に上記時間内における最高の膜厚を単位時間当
りに換算して示す。
る。 ＜実施例１＞一価の銅金属を含む有機金属銅化合物とし
ての銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに表１に示す第１化合物を
添加した銅薄膜形成用溶液原料を用いて、ＭＯＣＶＤ法
により銅薄膜を成膜した。基板として、基板表面のＳｉ
Ｏ2膜（厚さ５０００Å）上にスパッタリング法により
ＴｉＮ膜（厚さ５０ｎｍ）を形成したシリコン基板を用
い、基板温度を１８０℃とした。気化温度を５０℃、圧
力を２ｔｏｒｒにそれぞれ設定した。キャリアガスとし
てＡｒガスを用い、その流量を１００ｃｃｍとした。銅
薄膜形成用溶液原料を０．２ｃｃ／分の割合で５分〜１
５分間供給し、その膜厚を膜の断面ＳＥＭ像から測定し
た。表１に上記時間内における最高の膜厚を単位時間当
りに換算して示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】＜実施例２＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに表
２に示す第２化合物を添加した銅薄膜形成用溶液原料を
用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄
膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と同様
に供給し、その膜厚を同様に測定した。表２に原料供給
時間内における最高の膜厚を単位時間当りに換算して示
す。
２に示す第２化合物を添加した銅薄膜形成用溶液原料を
用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄
膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と同様
に供給し、その膜厚を同様に測定した。表２に原料供給
時間内における最高の膜厚を単位時間当りに換算して示
す。
【００１５】
【表２】
【００１６】＜実施例３＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに表
３に示す第１化合物又は第２化合物を添加し、更に第２
化合物のａｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液
原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法によ
り銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１
と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表３に原
料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時間
当りに換算して示す。
３に示す第１化合物又は第２化合物を添加し、更に第２
化合物のａｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液
原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法によ
り銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１
と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表３に原
料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時間
当りに換算して示す。
【００１７】
【表３】
【００１８】＜実施例４＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに表
４に示す第１化合物又は第２化合物を添加し、更に第２
化合物のｔｍｖｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液
原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法によ
り銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１
と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表４に原
料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時間
当りに換算して示す。
４に示す第１化合物又は第２化合物を添加し、更に第２
化合物のｔｍｖｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液
原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法によ
り銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１
と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表４に原
料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時間
当りに換算して示す。
【００１９】
【表４】
【００２０】＜実施例５＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに表
５に示す第１、第２又は第３化合物を添加し、更に第２
化合物のａｔｅｏｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表５に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
５に示す第１、第２又は第３化合物を添加し、更に第２
化合物のａｔｅｏｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表５に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
【００２１】
【表５】
【００２２】＜実施例６＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに表
６に示す第１、第２又は第３化合物を添加し、更に第２
化合物のａｔｍｏｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表６に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
６に示す第１、第２又は第３化合物を添加し、更に第２
化合物のａｔｍｏｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表６に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
【００２３】
【表６】
【００２４】＜実施例７＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに表
７に示す第１化合物又は第２化合物を添加し、更に第２
化合物のｔｍｏｖｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表７に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
７に示す第１化合物又は第２化合物を添加し、更に第２
化合物のｔｍｏｖｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表７に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
【００２５】
【表７】
【００２６】＜実施例８＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに表
８に示す第１化合物又は第２化合物を添加し、更に第２
化合物のｔｅｏｖｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表８に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
８に示す第１化合物又は第２化合物を添加し、更に第２
化合物のｔｅｏｖｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表８に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
【００２７】
【表８】
【００２８】＜実施例９＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに表
９に示す第１化合物又は第２化合物を添加し、更にｈｙ
ｏａｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液原料を
用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄
膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と同様
に供給し、その膜厚を同様に測定した。表９に原料供給
した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時間当りに
換算して示す。
９に示す第１化合物又は第２化合物を添加し、更にｈｙ
ｏａｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液原料を
用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄
膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と同様
に供給し、その膜厚を同様に測定した。表９に原料供給
した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時間当りに
換算して示す。
【００２９】
【表９】
【００３０】＜実施例１０＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表１０に示す第１化合物を添加し、更にｈｙｏｖｔｍｓ
を２重量％添加した銅薄膜形成用溶液原料を用いて、実
施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄膜を成膜し
た。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と同様に供給し、
その膜厚を同様に測定した。表１０に原料供給した５〜
１５分間における最高の膜厚を単位時間当りに換算して
示す。
表１０に示す第１化合物を添加し、更にｈｙｏｖｔｍｓ
を２重量％添加した銅薄膜形成用溶液原料を用いて、実
施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄膜を成膜し
た。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と同様に供給し、
その膜厚を同様に測定した。表１０に原料供給した５〜
１５分間における最高の膜厚を単位時間当りに換算して
示す。
【００３１】
【表１０】
【００３２】＜実施例１１＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表１１に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のｄ
ｍｃｏｄを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液原料を用
いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄膜
を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と同様に
供給し、その膜厚を同様に測定した。表１１に原料供給
した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時間当りに
換算して示す。
表１１に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のｄ
ｍｃｏｄを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液原料を用
いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄膜
を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と同様に
供給し、その膜厚を同様に測定した。表１１に原料供給
した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時間当りに
換算して示す。
【００３３】
【表１１】
【００３４】＜実施例１２＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表１２に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のａ
ｔｍｓ・Ｈ2Ｏを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液原
料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により
銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と
同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１２に原
料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時間
当りに換算して示す。
表１２に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のａ
ｔｍｓ・Ｈ2Ｏを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液原
料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により
銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と
同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１２に原
料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時間
当りに換算して示す。
【００３５】
【表１２】
【００３６】＜実施例１３＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表１３に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のｔ
ｍｖｓ・Ｈ2Ｏを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液原
料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により
銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と
同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１３に原
料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時間
当りに換算して示す。
表１３に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のｔ
ｍｖｓ・Ｈ2Ｏを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液原
料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により
銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と
同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１３に原
料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時間
当りに換算して示す。
【００３７】
【表１３】
【００３８】＜実施例１４＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表１４に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のａ
ｔｅｏｓ・Ｈ2Ｏを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液
原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法によ
り銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１
と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１４に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
表１４に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のａ
ｔｅｏｓ・Ｈ2Ｏを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液
原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法によ
り銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１
と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１４に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
【００３９】
【表１４】
【００４０】＜実施例１５＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表１５に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のａ
ｔｍｏｓ・Ｈ2Ｏを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液
原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法によ
り銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１
と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１５に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
表１５に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のａ
ｔｍｏｓ・Ｈ2Ｏを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液
原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法によ
り銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１
と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１５に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
【００４１】
【表１５】
【００４２】＜実施例１６＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表１６に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のｔ
ｍｏｖｓ・Ｈ2Ｏを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液
原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法によ
り銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１
と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１６に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
表１６に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のｔ
ｍｏｖｓ・Ｈ2Ｏを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液
原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法によ
り銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１
と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１６に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
【００４３】
【表１６】
【００４４】＜実施例１７＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表１７に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のｔ
ｅｏｖｓ・Ｈ2Ｏを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液
原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法によ
り銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１
と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１７に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
表１７に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のｔ
ｅｏｖｓ・Ｈ2Ｏを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液
原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法によ
り銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１
と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１７に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
【００４５】
【表１７】
【００４６】＜実施例１８＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表１８に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のｄ
ｍｃｏｄ・Ｈ2Ｏを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液
原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法によ
り銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１
と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１８に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
表１８に示す第１化合物を添加し、更に第２化合物のｄ
ｍｃｏｄ・Ｈ2Ｏを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液
原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法によ
り銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１
と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１８に
原料供給した５〜１５分間における最高の膜厚を単位時
間当りに換算して示す。
【００４７】
【表１８】
【００４８】＜実施例１９＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表１９に示す第３化合物を添加した銅薄膜形成用溶液原
料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により
銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と
同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１９に原
料供給時間内における最高の膜厚を単位時間当りに換算
して示す。
表１９に示す第３化合物を添加した銅薄膜形成用溶液原
料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により
銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と
同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表１９に原
料供給時間内における最高の膜厚を単位時間当りに換算
して示す。
【００４９】
【表１９】
【００５０】＜実施例２０＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表２０及び表２１に示す第２又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のａｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形
成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶ
Ｄ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を
実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。
表２０及び表２１に原料供給時間内における最高の膜厚
を単位時間当りに換算して示す。
表２０及び表２１に示す第２又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のａｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形
成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶ
Ｄ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を
実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。
表２０及び表２１に原料供給時間内における最高の膜厚
を単位時間当りに換算して示す。
【００５１】
【表２０】
【００５２】
【表２１】
【００５３】＜実施例２１＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表２２及び表２３に示す第２又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のｔｍｖｓを２重量％添加した銅薄膜形
成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶ
Ｄ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を
実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。
表２２及び表２３に原料供給時間内における最高の膜厚
を単位時間当りに換算して示す。
表２２及び表２３に示す第２又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のｔｍｖｓを２重量％添加した銅薄膜形
成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶ
Ｄ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を
実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。
表２２及び表２３に原料供給時間内における最高の膜厚
を単位時間当りに換算して示す。
【００５４】
【表２２】
【００５５】
【表２３】
【００５６】＜実施例２２＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表２４及び表２５に示す第２又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のｔｅｏｖｓを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表２４及び表２５に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
表２４及び表２５に示す第２又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のｔｅｏｖｓを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表２４及び表２５に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
【００５７】
【表２４】
【００５８】
【表２５】
【００５９】＜実施例２３＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表２６及び表２７に示す第２又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のｔｍｏｖｓを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表２６及び表２７に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
表２６及び表２７に示す第２又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のｔｍｏｖｓを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表２６及び表２７に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
【００６０】
【表２６】
【００６１】
【表２７】
【００６２】＜実施例２４＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表２８及び表２９に示す第２又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のａｔｍｏｓを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表２８及び表２９に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
表２８及び表２９に示す第２又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のａｔｍｏｓを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表２８及び表２９に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
【００６３】
【表２８】
【００６４】
【表２９】
【００６５】＜実施例２５＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表３０及び表３１に示す第１又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のａｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形
成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶ
Ｄ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を
実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。
表３０及び表３１に原料供給時間内における最高の膜厚
を単位時間当りに換算して示す。
表３０及び表３１に示す第１又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のａｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形
成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶ
Ｄ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を
実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。
表３０及び表３１に原料供給時間内における最高の膜厚
を単位時間当りに換算して示す。
【００６６】
【表３０】
【００６７】
【表３１】
【００６８】＜実施例２６＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表３２及び表３３に示す第１又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のｔｍｖｓを２重量％添加した銅薄膜形
成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶ
Ｄ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を
実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。
表３２及び表３３に原料供給時間内における最高の膜厚
を単位時間当りに換算して示す。
表３２及び表３３に示す第１又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のｔｍｖｓを２重量％添加した銅薄膜形
成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶ
Ｄ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を
実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。
表３２及び表３３に原料供給時間内における最高の膜厚
を単位時間当りに換算して示す。
【００６９】
【表３２】
【００７０】
【表３３】
【００７１】＜実施例２７＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表３４及び表３５に示す第１又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のａｔｅｏｓを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表３４及び表３５に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
表３４及び表３５に示す第１又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のａｔｅｏｓを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表３４及び表３５に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
【００７２】
【表３４】
【００７３】
【表３５】
【００７４】＜実施例２８＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表３６及び表３７に示す第１又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のｔｅｏｖｓを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表３６及び表３７に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
表３６及び表３７に示す第１又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のｔｅｏｖｓを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表３６及び表３７に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
【００７５】
【表３６】
【００７６】
【表３７】
【００７７】＜実施例２９＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表３８及び表３９に示す第１又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のａｔｍｏｓを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表３８及び表３９に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
表３８及び表３９に示す第１又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のａｔｍｏｓを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表３８及び表３９に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
【００７８】
【表３８】
【００７９】
【表３９】
【００８０】＜実施例３０＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表４０及び表４１に示す第１又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のｔｍｏｖｓを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表４０及び表４１に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
表４０及び表４１に示す第１又は第３化合物を添加し、
更に第２化合物のｔｍｏｖｓを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表４０及び表４１に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
【００８１】
【表４０】
【００８２】
【表４１】
【００８３】＜実施例３１＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表４２及び表４３に示す第１又は第３化合物を添加し、
更にｈｙｏａｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表４２
及び表４３に原料供給時間内における最高の膜厚を単位
時間当りに換算して示す。
表４２及び表４３に示す第１又は第３化合物を添加し、
更にｈｙｏａｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表４２
及び表４３に原料供給時間内における最高の膜厚を単位
時間当りに換算して示す。
【００８４】
【表４２】
【００８５】
【表４３】
【００８６】＜実施例３２＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表４４及び表４５に示す第１又は第３化合物を添加し、
更にｈｙｏｖｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表４４
及び表４５に原料供給時間内における最高の膜厚を単位
時間当りに換算して示す。
表４４及び表４５に示す第１又は第３化合物を添加し、
更にｈｙｏｖｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表４４
及び表４５に原料供給時間内における最高の膜厚を単位
時間当りに換算して示す。
【００８７】
【表４４】
【００８８】
【表４５】
【００８９】＜実施例３３＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表４６及び表４７に示す第１又は第３化合物を添加し、
更に第３化合物の２ＭｈｙＨｅｎ３ｙｎｅを２重量％添
加した銅薄膜形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ
条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形
成用溶液原料を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同
様に測定した。表４６及び表４７に原料供給時間内にお
ける最高の膜厚を単位時間当りに換算して示す。
表４６及び表４７に示す第１又は第３化合物を添加し、
更に第３化合物の２ＭｈｙＨｅｎ３ｙｎｅを２重量％添
加した銅薄膜形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ
条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形
成用溶液原料を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同
様に測定した。表４６及び表４７に原料供給時間内にお
ける最高の膜厚を単位時間当りに換算して示す。
【００９０】
【表４６】
【００９１】
【表４７】
【００９２】＜実施例３４＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表４８及び表４９に示す第２又は第３化合物を添加し、
更にｈｙｏａｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表４８
及び表４９に原料供給時間内における最高の膜厚を単位
時間当りに換算して示す。
表４８及び表４９に示す第２又は第３化合物を添加し、
更にｈｙｏａｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表４８
及び表４９に原料供給時間内における最高の膜厚を単位
時間当りに換算して示す。
【００９３】
【表４８】
【００９４】
【表４９】
【００９５】＜実施例３５＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表５０及び表５１に示す第２又は第３化合物を添加し、
更にｈｙｏｖｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表５０
及び表５１に原料供給時間内における最高の膜厚を単位
時間当りに換算して示す。
表５０及び表５１に示す第２又は第３化合物を添加し、
更にｈｙｏｖｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表５０
及び表５１に原料供給時間内における最高の膜厚を単位
時間当りに換算して示す。
【００９６】
【表５０】
【００９７】
【表５１】
【００９８】＜実施例３６＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表５２及び表５３に示す第２又は第３化合物を添加し、
更に第３化合物の２ＭｈｙＨｅｎ３ｙｎｅを２重量％添
加した銅薄膜形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ
条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形
成用溶液原料を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同
様に測定した。表５２及び表５３に原料供給時間内にお
ける最高の膜厚を単位時間当りに換算して示す。
表５２及び表５３に示す第２又は第３化合物を添加し、
更に第３化合物の２ＭｈｙＨｅｎ３ｙｎｅを２重量％添
加した銅薄膜形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ
条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形
成用溶液原料を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同
様に測定した。表５２及び表５３に原料供給時間内にお
ける最高の膜厚を単位時間当りに換算して示す。
【００９９】
【表５２】
【０１００】
【表５３】
【０１０１】＜実施例３７＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表５４に示す第３化合物を添加し、更に第１化合物のＨ
ｈｆａｃ・２Ｈ2Ｏ又はＨｈａｃ・２Ｈ2Ｏを２重量％添
加した銅薄膜形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ
条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形
成用溶液原料を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同
様に測定した。表５４に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
表５４に示す第３化合物を添加し、更に第１化合物のＨ
ｈｆａｃ・２Ｈ2Ｏ又はＨｈａｃ・２Ｈ2Ｏを２重量％添
加した銅薄膜形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ
条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形
成用溶液原料を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同
様に測定した。表５４に原料供給時間内における最高の
膜厚を単位時間当りに換算して示す。
【０１０２】
【表５４】
【０１０３】＜実施例３８＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表５５に示す第３化合物を添加し、更にｈｙｏｖｔｍｓ
又はｈｙｏａｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表５５
に原料供給時間内における最高の膜厚を単位時間当りに
換算して示す。
表５５に示す第３化合物を添加し、更にｈｙｏｖｔｍｓ
又はｈｙｏａｔｍｓを２重量％添加した銅薄膜形成用溶
液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法に
より銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例
１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表５５
に原料供給時間内における最高の膜厚を単位時間当りに
換算して示す。
【０１０４】
【表５５】
【０１０５】＜実施例３９＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表５６に示す第３化合物を添加し、更に第３化合物の１
−ｐｅｎｔ又は２−ｐｅｎｔを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表５６に原料供給時間内における最高の膜厚を単位
時間当りに換算して示す。
表５６に示す第３化合物を添加し、更に第３化合物の１
−ｐｅｎｔ又は２−ｐｅｎｔを２重量％添加した銅薄膜
形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣ
ＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料
を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定し
た。表５６に原料供給時間内における最高の膜厚を単位
時間当りに換算して示す。
【０１０６】
【表５６】
【０１０７】＜実施例４０＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに
表５７に示す第３化合物を添加し、更に第３化合物のｐ
ｅｎｔｅｎを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液原料を
用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄
膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と同様
に供給し、その膜厚を同様に測定した。表５７に原料供
給時間内における最高の膜厚を単位時間当りに換算して
示す。
表５７に示す第３化合物を添加し、更に第３化合物のｐ
ｅｎｔｅｎを２重量％添加した銅薄膜形成用溶液原料を
用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ法により銅薄
膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実施例１と同様
に供給し、その膜厚を同様に測定した。表５７に原料供
給時間内における最高の膜厚を単位時間当りに換算して
示す。
【０１０８】
【表５７】
【０１０９】＜比較例１＞銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃ単体
の銅薄膜形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件
でＭＯＣＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用
溶液原料を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に
測定した。表５８に１分間、５分間、１０分間及び１５
分間におけるそれぞれ膜厚を単位時間当りに換算して示
す。 ＜比較例２＞銅+1ｔｍｖｓ・ｈｆａｃ単体の銅薄膜形成
用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ
法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実
施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表
５８に１分間、５分間、１０分間及び１５分間における
それぞれ膜厚を単位時間当りに換算して示す。
の銅薄膜形成用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件
でＭＯＣＶＤ法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用
溶液原料を実施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に
測定した。表５８に１分間、５分間、１０分間及び１５
分間におけるそれぞれ膜厚を単位時間当りに換算して示
す。 ＜比較例２＞銅+1ｔｍｖｓ・ｈｆａｃ単体の銅薄膜形成
用溶液原料を用いて、実施例１と同じ条件でＭＯＣＶＤ
法により銅薄膜を成膜した。銅薄膜形成用溶液原料を実
施例１と同様に供給し、その膜厚を同様に測定した。表
５８に１分間、５分間、１０分間及び１５分間における
それぞれ膜厚を単位時間当りに換算して示す。
【０１１０】
【表５８】
【０１１１】＜比較評価＞１分間当りの膜厚が、比較例
１が最高で１５０ｎｍであり、比較例２が最高で１０ｎ
ｍであるのに対して、実施例１〜実施例４０では３００
〜６００ｎｍ程度となり、本発明の実施例が極めて優れ
ていることが判った。特に銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに第
１化合物及び第２化合物を添加した実施例３〜実施例１
８の膜厚、同じく第２化合物及び第３化合物を添加した
実施例２０〜実施例２４、実施例３４〜実施例３６の膜
厚、同じく第１化合物及び第３化合物を添加した実施例
２５〜実施例３３の膜厚は、いずれも他の実施例よりも
大きく、成膜速度が比較例に対してより優れていること
が判った。
１が最高で１５０ｎｍであり、比較例２が最高で１０ｎ
ｍであるのに対して、実施例１〜実施例４０では３００
〜６００ｎｍ程度となり、本発明の実施例が極めて優れ
ていることが判った。特に銅+1ａｔｍｓ・ｈｆａｃに第
１化合物及び第２化合物を添加した実施例３〜実施例１
８の膜厚、同じく第２化合物及び第３化合物を添加した
実施例２０〜実施例２４、実施例３４〜実施例３６の膜
厚、同じく第１化合物及び第３化合物を添加した実施例
２５〜実施例３３の膜厚は、いずれも他の実施例よりも
大きく、成膜速度が比較例に対してより優れていること
が判った。
【０１１２】
【発明の効果】以上述べたように、ＭＯＣＶＤ法により
銅薄膜を作製する際に、一価の銅金属を含む有機金属銅
化合物単体を銅薄膜形成用溶液原料とするときと比べ
て、本発明によれば、一価の銅金属を含む有機金属銅化
合物に第１化合物、第２化合物若しくは第３化合物のい
ずれか、或いは第１化合物と第２化合物、第１化合物と
第３化合物若しくは第２化合物と第３化合物の二者、或
いは第１化合物と第２化合物と第３化合物の三者を添加
するので、高い成膜速度で基板上に金属銅を析出するこ
とができ、しかも下地膜との密着性に優れる。また本発
明の溶液原料により形成された銅薄膜は下地膜と堅牢に
密着し、高純度である特長を有する。
銅薄膜を作製する際に、一価の銅金属を含む有機金属銅
化合物単体を銅薄膜形成用溶液原料とするときと比べ
て、本発明によれば、一価の銅金属を含む有機金属銅化
合物に第１化合物、第２化合物若しくは第３化合物のい
ずれか、或いは第１化合物と第２化合物、第１化合物と
第３化合物若しくは第２化合物と第３化合物の二者、或
いは第１化合物と第２化合物と第３化合物の三者を添加
するので、高い成膜速度で基板上に金属銅を析出するこ
とができ、しかも下地膜との密着性に優れる。また本発
明の溶液原料により形成された銅薄膜は下地膜と堅牢に
密着し、高純度である特長を有する。
フロントページの続き (72)発明者 小木 勝実 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA09 AA11 AA16 BA01 CA04 HA04 JA06 LA15 4M104 BB04 DD45 HH08 HH20
Claims (16)
- 【請求項１】 一価の銅金属を含む有機金属銅化合物
に、β−ジケトンの水和物、トリフルオロアセトン、ト
リフルオロアセトンの水和物、ヘキサフルオロアセト
ン、ヘキサフルオロアセトンの水和物、β−ジケトンの
ヒドロキシ化合物、β−ジケトンのヒドロキシ化合物の
水和物及びペンチンの水和物からなる群より選ばれた１
種又は２種以上の第１化合物を添加してなる有機金属化
学蒸着用の銅薄膜形成用溶液原料。 - 【請求項２】 一価の銅金属を含む有機金属銅化合物
に、ジメチルシクロオクタジエン、アルキルシラン、ア
ルキルシランの水和物、アルコキシシラン及びアルコキ
シシランの水和物からなる群より選ばれた１種又は２種
以上の第２化合物、又はアセチレンの誘導化合物又はア
ルケンの誘導化合物のいずれか又は双方からなる第３化
合物を添加してなる有機金属化学蒸着用の銅薄膜形成用
溶液原料。 - 【請求項３】 一価の銅金属を含む有機金属銅化合物
に、アルキルシラン、アルキルシランの水和物、アルコ
キシシラン及びアルコキシシランの水和物からなる群よ
り選ばれた１種又は２種以上の第２化合物、及びアセチ
レンの誘導化合物又はアルケンの誘導化合物のいずれか
又は双方からなる第３化合物を添加してなる有機金属化
学蒸着用の銅薄膜形成用溶液原料。 - 【請求項４】 一価の銅金属を含む有機金属銅化合物が
銅+1(アリルトリメチルシラン)(ヘキサフルオロアセチ
ルアセトン)又は銅+1(トリメチルビニルシラン)(ヘキサ
フルオロアセチルアセトン)である請求項１ないし３い
ずれか記載の銅薄膜形成用溶液原料。 - 【請求項５】 β−ジケトンがヘキサフルオロアセチル
アセトン、トリフルオロアセチルアセトン及びアセチル
アセトンからなる群より選ばれた１種又は２種以上の化
合物である請求項１記載の銅薄膜形成用溶液原料。 - 【請求項６】 一価の銅金属を含む有機金属銅化合物１
００重量％に対する第１化合物の添加量が０．０１〜
５．０重量％である請求項１記載の銅薄膜形成用溶液原
料。 - 【請求項７】 第１化合物に加えて、一価の銅金属を含
む有機金属銅化合物に更にアルキルシラン、アルキルシ
ランの水和物、アルコキシシラン及びアルコキシシラン
の水和物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の第
２化合物、又はアセチレンの誘導化合物又はアルケンの
誘導化合物のいずれか又は双方からなる第３化合物を添
加してなる請求項１記載の銅薄膜形成用溶液原料。 - 【請求項８】 第１化合物に加えて、一価の銅金属を含
む有機金属銅化合物に更にアルキルシラン、アルキルシ
ランの水和物、アルコキシシラン及びアルコキシシラン
の水和物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の第
２化合物、及びアセチレンの誘導化合物又はアルケンの
誘導化合物のいずれか又は双方からなる第３化合物を添
加してなる請求項１記載の銅薄膜形成用溶液原料。 - 【請求項９】 一価の銅金属を含む有機金属銅化合物１
００重量％に対する第２化合物又は第３化合物の添加量
がそれぞれ０．０１〜１０．０重量％である請求項２、
３、７又は８記載の銅薄膜形成用溶液原料。 - 【請求項１０】 アルキルシランがトリメチルビニルシ
ラン又はアリルトリメチルシランのいずれか又は双方で
ある請求項２、３、７又は８記載の銅薄膜形成用溶液原
料。 - 【請求項１１】 アルコキシシランがトリメトキシビニ
ルシラン、トリエトキシビニルシラン、アリルトリメト
キシシラン及びアリルトリエトキシシランからなる群よ
り選ばれた１種又は２種以上の化合物である請求項２、
３、７又は８記載の銅薄膜形成用溶液原料。 - 【請求項１２】 アセチレンの誘導化合物がペンチン、
１−ヘキシン、３，３−ジメチル−１−ブチン及び２−
メチル−１−ヘキセン−３−インからなる群より選ばれ
た１種又は２種以上の化合物である請求項２、３、７又
は８記載の銅薄膜形成用溶液原料。 - 【請求項１３】 アルケンの誘導化合物がアリルベンゼ
ン、２−メチル−１−ブテン、２−メチル−２ブテン、
メチルスチレン、１−テトラデセン、１−ヘキセン、２
−ヘキセン、３−ヘキセン、３，３−ジメチル−１−ブ
テン、ペンテン、２，４，４−トリメチル−１−ペンテ
ン、２，４，４−トリメチル−２−ペンテン、２，３−
ジメチル−１−ブテン、２，３−ジメチル−２−ブテ
ン、２，３，３−トリメチル−１−ブテン、２，３，４
−トリメチル−２−ペンテン、２−メチル−１−ペンテ
ン、２−メチル−２−ペンテン、２−メチル−１−ヘキ
セン、３−メチル−１−ペンテン、３−メチル−２−ペ
ンテン、４−メチル−１−ペンテン及び４−メチル−２
−ペンテンからなる群より選ばれた１種又は２種以上の
化合物である請求項２、３、７又は８記載の銅薄膜形成
用溶液原料。 - 【請求項１４】 第１化合物、第２化合物若しくは第３
化合物のいずれか、又は第１化合物と第２化合物、第１
化合物と第３化合物若しくは第２化合物と第３化合物の
二者、或いは第１化合物と第２化合物と第３化合物の三
者に加えて、一価の銅金属を含む有機金属銅化合物に更
にヒドロキシアリルトリメチルシラン及びヒドロキシビ
ニルトリメチルシランからなる群より選ばれた１種又は
２種以上の化合物を添加してなる請求項１、２、３又は
７記載の銅薄膜形成用溶液原料。 - 【請求項１５】 一価の銅金属を含む有機金属銅化合物
１００重量％に対するヒドロキシシラン化合物の添加量
が０．０１〜５．０重量％である請求項１４記載の銅薄
膜形成用溶液原料。 - 【請求項１６】 請求項１ないし１５いずれか記載の銅
薄膜形成用溶液原料により形成された銅薄膜。
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|---|---|---|---|
| JP01474099A JP3480488B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-22 | 有機金属化学蒸着用の銅薄膜形成用溶液原料 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-6236 | 1999-01-13 | ||
| JP623699 | 1999-01-13 | ||
| JP01474099A JP3480488B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-22 | 有機金属化学蒸着用の銅薄膜形成用溶液原料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000265273A true JP2000265273A (ja) | 2000-09-26 |
| JP3480488B2 JP3480488B2 (ja) | 2003-12-22 |
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ID=26340323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01474099A Expired - Fee Related JP3480488B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-22 | 有機金属化学蒸着用の銅薄膜形成用溶液原料 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-01-22 JP JP01474099A patent/JP3480488B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP3480488B2 (ja) | 2003-12-22 |
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