JP2000266524A - 3次元形状測定機およびその測定方法 - Google Patents
3次元形状測定機およびその測定方法Info
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- JP2000266524A JP2000266524A JP7125499A JP7125499A JP2000266524A JP 2000266524 A JP2000266524 A JP 2000266524A JP 7125499 A JP7125499 A JP 7125499A JP 7125499 A JP7125499 A JP 7125499A JP 2000266524 A JP2000266524 A JP 2000266524A
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Abstract
で測定することが可能な3次元形状測定機および3次元
形状測定方法を提供する。 【解決手段】 3次元形状測定機の座標軸をR−θ−Z
系とし、被測定物1をθステージ7に載置し、光プロー
ブ2をRステージ3およびZステージ4上に配設し、光
プローブ位置検出手段としてのレーザ測長器9(9a〜
9h)はすべてを同一のR−Z面内に配置して、被測定
物1の形状を前記R−Z面内における2次元上で形状測
定を行なうようにする。レーザ測長器9に使用されるR
およびZ基準ミラー5,6はその幅を小さくでき、製作
が容易になるとともにその平面度を向上させることがで
き、また、レーザ測長器9による測定誤差も2次元上に
ついてのみ考慮すれば良く測定誤差を減少させることが
できる。
Description
どの物体表面形状を高精度に測定する3次元形状測定機
およびその測定方法に関するものである。
精度に測定する方法として、3次元形状測定機の利用が
広く知られている。一般に3次元形状測定機は接触型も
しくは非接触型のプローブを被測定物に近づけ、両者が
ほぼ一定の距離もしくは一定の力関係になるようプロー
ブ位置を制御させた上で被測定物上をスキャンさせて形
状測定を行なうものである。
11024号公報や特開平04−299206号公報等
に記載された形状測定機が知られており、従来の形状測
定機の一例としては、例えば図9に図示するような構成
を備えている。同図において、101は図示しない支持
台に固定された被測定物、103はXステージであり、
その上にZステージ104が搭載され、Zステージ10
4上に変位計102が配置されている。すなわち、変位
計102はX−Z軸方向への移動が可能となっている。
また、Zステージ104上にはZ軸用レーザ測長器10
9cおよびX軸用レーザ測長器109gが配置されてお
り、位置固定のZ基準ミラー105およびX基準ミラー
106とそれぞれのレーザ測長器109c,109g間
の距離を検出して、変位計102のZ軸座標位置および
X軸座標位置を測定している。ここではXステージ10
3およびZステージ104の移動時に発生するピッチン
グ成分やヨーイング成分の影響によるアッベ誤差を排除
するように、それぞれのレーザ測長器の測長光路の中心
軸が、変位計102の測定点を通り、それぞれのステー
ジの移動軸と平行になるように取り付けられている。被
測定物101に変位計104を近づけ、両者間の距離が
0.5μm以内になるようサーボをかけた状態でのXお
よびZ軸座標位置を測定する。これによりX軸座標位置
X1 でのZ軸座標位置Z1 が求められたことになる。次
に、Xステージ103を動かして変位計102をX軸方
向に移動させ、同様にX2 ,Z2 を測定する。このよう
に変位計102を被測定物101に沿って動かすことに
よりX断面形状が求められる。
10に図示するように構成されたものがある。同図にお
いて、203はXステージであり、その上にYステージ
208、さらにその上にZステージ204が搭載されて
おり、X−Y−Z軸に対してそれぞれ垂直な平面、すな
わち、YZ面、XZ面、XY面上にそれぞれX基準ミラ
ー206、Y基準ミラー207、Z基準ミラー205が
配置されている。Zステージ204上には被測定物20
1とZステージ204上の特定点の距離Z1 を検出する
プローブ202、Zステージ204上の特定点と位置固
定のZ基準ミラー205の距離Z2 を検出する測定手段
209c、Zステージ204上の特定点と位置固定のX
基準ミラー206の距離Xを検出する測定手段209
g、Zステージ204上の特定点と位置固定のY基準ミ
ラー207の距離Yを検出する測定手段209i(な
お、測定手段209iは図10には影となるために図示
されていない。)が配置されている。したがって、Zス
テージ204上に配置したプローブ202はX−Y−Z
軸方向への移動が可能であり、また、その時の3次元座
標は、(X,Y,Z1 とZ2 とから算出したZ)とする
ことができる。このように、プローブ202を被測定物
201の全面に走査させ、その時の3次元座標を検出す
ることで、被測定物の3次元形状を測定できることにな
る。
するような形状測定機では、被測定物のX−Z断面形状
についてアッベ誤差を考慮した構成となっており、高精
度測定が期待できるけれども、被測定物あるいは光プロ
ーブをY軸方向に移動させる手段が備えられていないた
め、被測定物の3次元形状の測定ができないという問題
点がある。
では、次のような問題点があげられる。すなわち、X−
Y−Z軸に対してそれぞれ垂直なYZ面、XZ面、XY
面上に基準ミラーを各々配置しているが、これらの基準
ミラーは通常2次元上にλ/10〜λ/20程度の平面
度をもつ基準面が必要となるため、製作方法や製作日
数、コスト面などの影響により、大型なものを製作する
ことは困難であった。したがって、被測定物の測定範囲
が制約を受けることになる。さらに、プローブはXもし
くはY断面上を移動させることにより、例えば軸対象レ
ンズ等はX−Z面もしくはY−Z面において、X方向も
しくはY方向の変化に対してZ方向の変化が大きい測定
物は、プローブの移動速度が上げられず、測定時間が長
くなってしまう。また、図9に図示する形状測定機にお
いて、Yステージを付設し変位計をX−Y−Z軸方向に
移動可能にするとしても、同様の問題点がある。
の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであって、
被測定物の3次元形状を高精度にかつ短時間で測定する
ことが可能な3次元形状測定機および3次元形状測定方
法を提供することを目的とするものである。
め、本発明の3次元形状測定機は、被測定物の形状に沿
って走査するプローブを用いて被測定物の3次元形状を
測定する3次元形状測定機において、被測定物を支持し
かつ該被測定物に垂直方向となるZ軸方向に対しての回
転成分となるθ軸方向に移動可能に設けられたθステー
ジと、該θステージ上の前記被測定物に対して水平方向
となるR軸方向に移動可能に設けられたRステージと、
被測定物に対して垂直方向となるZ軸方向に移動可能に
設けられたZステージを備え、前記プローブは前記Rス
テージおよび前記Zステージ上に配設され、前記Rステ
ージ、前記θステージおよび前記Zステージの各々に設
けられた位置検出手段は全て同一のR−Z面上に配置さ
れていることを特徴とする。
記Rステージおよび前記Zステージ上に4台のレーザ測
長器が配置され、該レーザ測長器は、前記Rステージお
よび前記Zステージ上に配設された前記プローブが自由
に移動可能なR−Z面内のR軸方向およびZ軸方向にそ
れぞれ2台ずつ配置されており、前記プローブは、前記
被測定物との距離が常に一定となるようにZ軸方向に移
動しながら前記被測定物の形状に沿って走査しうるよう
に構成され、前記プローブにより前記被測定物の全面を
走査する際に前記プローブの3次元座標位置のR,θ,
Zを同時に検出し、該3次元座標位置におけるRは、Z
軸に対して平行でかつR軸上を通る位置に配置されたR
基準ミラーとZ軸方向に並べて配置された2台のレーザ
測長器とから算出され、前記3次元座標位置におけるZ
は、R軸に対して平行でかつZ軸上を通る位置に配置さ
れたZ基準ミラーとR軸方向に並べて配置された2台の
レーザ測長器とから算出され、そして、前記3次元座標
位置におけるθは、前記θステージを構成する回転機構
のロータ部のラジアル方向に配置されたスケールおよび
前記θステージ外部に固定されたスケール検出器とから
算出され、前記プローブの3次元座標のR,θ,Zを基
にして前記被測定物の形状測定を行なうことが好まし
い。
記θステージはエアーベアリングによって構成され、該
エアーベアリングのロータ部にはラジアル方向およびス
ラスト方向にθ基準ミラーを一体化して取り付けられて
いることが好ましい。
被測定物の形状に沿って走査するプローブを用いて被測
定物の3次元形状を測定する測定方法において、前記プ
ローブを前記被測定物の水平方向となるR軸方向へ、前
記被測定物を前記被測定物の垂直方向となるZ軸方向に
対しての回転成分となるθ軸方向へ、同時にあるいは各
々単独で移動させ、該移動時に前記プローブを前記被測
定物との距離が常に一定となるように移動させながら前
記被測定物の形状に沿って全面を走査し、前記プローブ
の3次元座標位置のR,θ,Zを同時に検出し、検出さ
れた前記3次元座標のR,θ,Zを基に前記被測定物の
3次元形状を測定することを特徴とする。
前記プローブの3次元座標におけるR座標の算出に際し
て、同一のR−Z面内において異なる2か所の位置P
1,P2においてそれぞれ検出されるR座標R1,R2
と、前記両位置P1,P2の中間および前記プローブ先
端と前記被測定物との交点におけるZ方向成分の距離D
1と、前記両位置P1,P2の間のZ方向成分の距離D
2とからアッベ誤差を考慮したR座標値Rを算出し、そ
して、前記プローブの3次元座標位置におけるZ座標の
算出に際して、同一のR−Z面内において異なる2か所
の位置P3,P4においてそれぞれ検出されるZ座標Z
1,Z2と、前記両位置P3,P4の中間および前記プ
ローブ先端と前記被測定物との交点におけるR方向成分
の距離D3と、前記両位置P3,P4の間のR方向成分
の距離D4とからアッベ誤差を考慮したZ座標値Zを算
出することが好ましい。
前記被測定物をθ軸方向に回転させる際に発生するスラ
スト方向の面ぶれ量およびラジアル方向の軸ぶれ量を検
出し、前記プローブの3次元座標位置におけるZ座標値
には前記面ぶれ量を補正値として考慮し、前記プローブ
の3次元座標位置におけるR座標値には前記軸ぶれ量を
補正値として考慮することが好ましい。
前記被測定物が軸対象形状である場合、前記被測定物の
軸と前記θ軸方向の回転軸となるZ軸とをほぼ一致させ
るように合わせ込みを行なった後に形状測定を実施する
ことが好ましい。
て、被測定物に対して平行に移動するRステージ、被測
定物の垂直方向に移動するZステージ、Z方向を回転軸
とするすなわち被測定物の垂直方向を回転軸とするθス
テージとから構成し、被測定物をθステージに載置し、
光プローブをRステージおよびZステージ上に設け、光
プローブ位置検出手段はすべてを同一のR−Z面内に配
置し、被測定物の形状をR−Z面内における2次元上で
形状測定を行なうことにより、光プローブ位置検出手段
となるレーザ測長器に使用されるR基準ミラーおよびZ
基準ミラーは、ほぼ1次元上(一直線上)の範囲のみ使
用されることになるので、基準ミラーの幅を小さくで
き、このため製作が容易になるとともに基準ミラーの平
面度の向上が期待できる。
R−Z面内の2次元上についてのみ考慮すればよく、ス
テージのピッチング成分誤差は測長補正するものの、ヨ
ーイングおよびローリング成分は影響度がかなり小さく
なるので補正項目を少なくでき、測定誤差を減少させる
ことができる。また、被測定物の形状が軸対象の場合、
被測定物の軸とθステージの回転軸をほぼ一致させて被
測定物を回転させると、被測定物の同一半径上の形状は
ほぼ一定となるので、プローブ等の測定位置検出手段の
走査スピードを早くでき、測定時間の短縮を図ることが
できる。
の3次元形状を高精度にかつ短時間で測定することが可
能となる。
いて説明する。
を概略的に示す斜視図であり、図2は、本発明の3次元
形状測定機の要部の概略的な側面図であり、図3は、本
発明の3次元測定機におけるR−Z面上の光プローブお
よびレーザ測長器の配置関係を示す配置構成図である。
7に載置される軸対象の非球面レンズ等の被測定物であ
り、2は被測定物1の形状に沿って走査するプローブで
あり、本実施例ではレンズ等に傷を付けない非接触の光
プローブとしているが、接触式のプローブを用いること
も可能である。3は被測定物1に対して平行に移動する
Rステージ、4は被測定物1の垂直方向に移動するZス
テージである。したがって、Rステージ3およびZステ
ージ4上に配設される光プローブ2は、R−Z方向に移
動可能な構成である。5はR軸に対して平行でかつZ軸
上を通る位置に配置したZ基準ミラー、6はZ軸に対し
て平行でかつR軸上を通る位置に配置したR基準ミラー
である。7はθステージとなるエアーベアリング部であ
って、被測定物1をθ軸方向に回転させる手段であり、
固定側のハウジング部7Aと回転側のロータ部7Bとか
ら構成される。ロータ部7B上にはθ基準ミラー12
a,12b(図3および図4も参照)が配置される。9
は位置検出手段となるレーザ測長器であり、9a,9b
はZステージ4上でZ方向に離間して配置されるR測定
用のレーザ測長器、9c,9dはZステージ4上でR方
向に離間して配置されるZ測定用のレーザ測長器、9
e,9f,9g,9hはR−Zステージ3,4外に配置
されるθ測定用のレーザ測長器である。10は後述する
スケール11(図3および図4参照)のスケール検出部
(ロータリエンコーダ)で、θステージ7の角度検出手
段である。29はRステージ3およびZステージ4を搭
載する架台である。
ーブとその位置検出手段となるレーザ測長器の配置関係
を示す配置構成図を図示し、RD1はレーザ測長器9a
とR基準ミラー6間の距離を示し、RD2はレーザ測長
器9bとR基準ミラー6間の距離を示し、Rステージ3
の移動量および移動時に発生する測定誤差補正に使用す
る。ZD1はレーザ測長器9cとZ基準ミラー5間の距
離を示し、ZD2はレーザ測長器9dとZ基準ミラー5
間の距離を示し、Zステージ4の移動量および移動時に
発生する測定誤差補正に使用する。θD1,θD2はθ
ステージ7のスラスト面に設けてあるθ基準ミラー12
aとZ基準ミラー5間の距離を示し、θステージ7のス
ラスト方向のぶれ量(面ぶれ)の検出に使用し、また、
θD3,θD4はθステージ7のラジアル面に設けてあ
るθ基準ミラー12bとR基準ミラー6a間の距離を示
し、θステージ7のラジアル方向のぶれ量(軸ぶれ)の
検出に使用する。このように、本発明においては、光プ
ローブ2および光プローブ位置検出手段となるレーザ測
長器9は全てR−Z面の同一平面上に配置している。
9a,9bの中間と光プローブ2のキャッツアイポイン
ト間のZ方向成分の距離、D2はレーザ測長器9a,9
b間のZ方向成分の距離、D3はレーザ測長器9c,9
dの中間と光プローブ2の中心線までのR方向成分の距
離、D4はレーザ測長器9c,9d間のR方向成分の距
離、D5はレーザ測長器9e,9f間のR方向成分の距
離を示す。
グ部の拡大図であり、θステージ7は、固定側のハウジ
ング部7Aと回転側のロータ部7Bとから構成され、そ
のロータ部7Bの表面の一部には、精密加工後にアルミ
蒸着と研磨によりθ基準ミラーを作製し、スラスト方向
のθ基準ミラーを12a、ラジアル方向のθ基準ミラー
を12bとする。また、ラジアル方向にはスケール11
が貼り付けられており、スケール検出部10を用いてθ
ステージ7の角度を検出することができる。
し、同図において、13は偏光方向が互いに直交する2
つの光波を作り出すレーザ光源であり、レーザ光源13
から出射した光束は、ビームエキスパンダ14で光束を
拡大された後、偏光ビームスプリッタ15aで反射光波
と透過光波に分けられる。反射光波はλ/4板16aを
通ることで直線偏光から円偏光へ変わり、集光レンズ2
0aを介して被測定物1へ入射する。ここでは集光レン
ズにより光束が焦点に絞られた状態(キャッツアイポイ
ント)で被測定物1に入射し、測定光波となって反射さ
せている。この測定光波は、照射した光束のエリアにお
ける、被測定物1のZ方向の面情報を持つことになる。
反射した測定光波は元の光路を戻り、再び通るλ/4板
16aで往きと比べて90°回転した直線偏光となっ
て、偏光ビームスプリッタ15aで今度は透過すること
になる。もう一方の透過光波は、λ/4板16bを通っ
て直線偏光から円偏光へ変わって参照平面ミラー17に
入射し、参照光波となって反射する。反射した参照光波
は、再び通るλ/4板16bで往きと比べて90°回転
した直線偏光となり、偏光ビームスプリッタ15aで今
度は反射することになる。偏光ビームスプリッタ15a
で測定光波と参照光波が重なり合い、45°方位の偏光
板18を通ることで干渉光波となる。この干渉光波はビ
ームスプリッタ15bで2分割され、そのまま透過した
干渉光波はラインセンサ19で検出されることになる。
ラインセンサ19は通常数十〜数千チャンネル数を持つ
が、ここでは高周波数対応の数十チャンネルのものを使
用する。また、複数のラインセンサのチャンネルから1
チャンネルを選び出して測定信号とする際の選択条件
は、測定点上での被測定物の設計形状から傾斜角を算出
し、被測定物に対して法線方向すなわち正反射する光束
の光線追跡により、その光束がラインセンサ上のどのチ
ャンネルに取り込まれるかあらかじめ算出して記憶して
おき、測定位置によって使用するチャンネルをマルチプ
レクサによって選択することになる。また、ビームスプ
リッタ15bで反射した干渉光波は集光レンズ20bを
介してフォトディテクタ21で取り込み、参照信号とな
る。
り、光プローブ2からの光束がキャッツアイポイントで
被測定物1に入射するようにZステージ4を移動させ
る。その状態における干渉光波から検出した測定信号お
よび参照信号は、位相計30に入力されてその位相差を
算出し、コンピュータ31に記憶するとサーボロックが
開始状態となる。次に、Rステージ3やθステージ7を
同時にもしくは単独で移動させ、そのとき得られる位相
差と記憶させている位相差を比較し、Zサーボコントロ
ーラ32では常にその偏差がゼロとなるようにZステー
ジ4を移動させる(サーボロック状態)。これにより被
測定物1と光プローブ2間の距離を常に一定に保つこと
が可能となる。
の構成を示し、図7の(a)はレーザ測長器9a,9
b,9c,9dの構成図であり、レーザ測長器と1つの
基準ミラー間の距離を測定する。図7の(b)はレーザ
測長器9e,9f,9g,9hの構成図であり、2つの
基準ミラー間の距離を測定する。ここではともに、測定
したい光路を2往復させるダブルパス方式としているた
め、レーザ測長器の測定分解能は2倍となる。図7の
(a)において、13は偏光方向が互いに直交する2つ
の光波を作り出すレーザ光源である。レーザ光源13か
ら出射した光束は、偏光ビームスプリッタ15cで反射
光波と透過光波に分けられる。透過光波はコーナーキュ
ーブ22aで2度反射して参照光波となり、再び偏光ビ
ームスプリッタ15cを透過することになる。一方の反
射光波は、λ/4板16cを通ることで直線偏光から円
偏光へ変わり、基準ミラー5,6(例えばZ基準ミラー
5等)で反射して測定光波となる。測定光波は元の光路
を戻り、再び通るλ/4板16cで往きと比べて90°
回転した直線偏光となって、偏光ビームスプリッタ15
cで今度は透過し、コーナーキューブ22bで2度反射
して再び偏光ビームスプリッタ15cおよびλ/4板1
6cを通り、基準ミラー5,6に戻ってくる。再度反射
した測定光波は、λ/4板16cで往きと比べて90°
回転した直線偏光となって、偏光ビームスプリッタ15
cで反射することになる。ここで測定光波と参照光波が
重なり、偏光板18を通過すると干渉光波となり、測長
器レシーバ28で検出される。測定光波と参照光波の位
相差の変動は、干渉光波の縞のカウントとして測長器で
観測される。参照光波の光路長は常に一定となっている
ため、ここでは干渉光波の縞のカウントから測定光波の
光路長の変動、すなわちここでは各基準ミラーからの各
ステージ移動量の2往復分が検出できる。同様に2つの
基準ミラー間の距離を測定するレーザ測長器を図7の
(b)で説明する。同図において、レーザ光源13から
出射した直交する2つの光波は、偏光ビームスプリッタ
15cで反射光波と透過光波に分けられる。透過光波は
コーナーキューブ22aで2度反射して参照光波とな
り、再び偏光ビームスプリッタ15cを透過することに
なる。一方の反射光波は、λ/4板16cを通ることで
直線偏光から円偏光へ変わり、基準ミラー5,6(例え
ばZ基準ミラー5等)で反射して測定光波となる。測定
光波は元の光路を戻り、再び通るλ/4板16cで往き
と比べて90°回転した直線偏光となって、偏光ビーム
スプリッタ15cで今度は透過し、λ/4板16dを通
って、基準ミラー12a,12b(例えばθ基準ミラー
12a等)で反射し元の光路を戻る。再びλ/4板16
cに入射した測定光波は、往きと比べて90°回転した
直線偏光となって、偏光ビームスプリッタ15cで今度
は反射してコーナーキューブ22aに入射する。測定光
波はコーナーキューブ22aで2度反射して再び偏光ビ
ームスプリッタ15cに入射し、ここで反射する。この
後、測定光波はλ/4板16dを通って再び基準ミラー
12a,12b(例えばθ基準ミラー12a等)で反射
し、λ/4板16dおよび偏光ビームスプリッタ15c
およびλ/4板16cを透過して、再度基準ミラー5,
6(例えばZ基準ミラー5等)に入射し、反射する。基
準ミラーで反射した測定光波は、再度λ/4板16cを
通過することで往きと比べて90°回転した直線偏光と
なって、偏光ビームスプリッタ15cで今度は反射す
る。ここで測定光波と参照光波が重なり、偏光板18を
通過すると干渉光波となり、測長器レシーバ28で検出
される。測定光波と参照光波の位相差の変動は、干渉光
波の縞のカウントとして測長器で観測される。参照光波
の光路長は常に一定となっているため、ここでは干渉光
波の縞のカウントから測定光波の光路長の変動、すなわ
ちここでは2つの基準ミラー間の距離の変動量の2往復
分が検出できる。
測定機による具体的な測定方法について説明する。
の軸をθステージ7の回転軸とほぼ一致するようにθス
テージ7上にセッティングされる。これにより、被測定
物側でのθ軸回転および光プローブ側でのR−Z軸走査
を組み合わせることで、光プローブ2を被測定物1の形
状に合わせて全面に走査できることになる。光プローブ
2をθ軸の回転中心に移動させ、その後にZステージ4
を下げて被測定物1に近づけていき、光プローブ2の光
束が作り出すキャッツアイポイントが被測定物1に入射
する状態でサーボロックを開始する。このときのレーザ
測長器9a〜9hおよびロータリエンコーダ10の出力
値を取り込み、それぞれRD1o ,RD2o ,ZD1o
,ZD2o ,θD1o ,θD2o ,θD3o ,θD4o
,REoとしてコンピュータに記憶させておく。次に、
サーボロック状態のまま、Rステージ3およびθステー
ジ7を単独でもしくは同時に移動させ、測定したい点
(i=1〜n、i:取込順)でレーザ測長器9a〜9h
およびロータリエンコーダ10の出力値を同時に取り込
み、それぞれRD1i ,RD2i ,ZD1i ,ZD2i
,θD1i ,θD2i ,θD3i ,θD4i ,REi
として記憶させておく。同様にして被測定物1の全面に
光プローブ2を走査させてn組のデータを取り込み、例
えば次に示すような演算処理を行なう。
3次元座標を高精度に算出することができる。したがっ
て、n組の3次元座標データを用いて、高精度な被測定
物の3次元形状が表現できることになる。
−θ断面上で見た3パターンのデータ取込み例を図示す
る。なお、図8における軸については、一般によく使わ
れているX−Y座標系に変換して示している。本発明で
は、Rステージおよびθステージを同時に動かしながら
データを等間隔で取り込めば、図8の(a)に示すよう
な渦巻きデータとして検出することができ、また、Rス
テージもしくはθステージを単独で動かしながらデータ
を等間隔で取り込めば、図8の(b)に示すような同心
円データとして検出することができる。また、一般に3
次元測定機等でよく用いられる格子データ(図8の
(c))は、Rステージおよびθステージの移動量を格
子状に合わせるか、もしくは渦巻きデータや同心円デー
タを座標変換や補間を用いて変換するといった方法によ
り本発明でも対応可能である。
合、渦巻きデータによってデータ検出を行なうと、θス
テージや微小なRステージ移動に対して、サーボロック
状態によって移動する光プローブのZ方向移動量はきわ
めて小さくなるため、高速な光プローブ走査が可能とな
る。また、同心円データによってデータ検出を行なう場
合は、Rステージ移動後にその状態を保持しておき、そ
の後θステージを単独で動かしながらデータを等間隔で
取り込むようにすれば、同様にθステージ移動に対して
サーボロック状態によって移動する光プローブのZ方向
移動量はきわめて小さくなるため、高速な光プローブ走
査が可能となる。
および3次元測定方法において、被測定物をθステージ
に載置し、光プローブをRステージおよびZステージ上
に設け、光プローブ位置検出手段はすべてをR−Z面内
に配置し、被測定物の形状をR−Z面内における2次元
上で形状測定を行なうことにより、光プローブ位置検出
手段となるレーザ測長器に使用されるR基準ミラーおよ
びZ基準ミラーは、ほぼ1次元上(一直線上)の範囲の
み使用されることになるので、基準ミラーの幅を小さく
できる。このため製作が容易になるとともに基準ミラー
の平面度の向上が期待できる。そして、位置検出手段に
おける測定誤差はR−Z面内の2次元上についてのみ考
慮すればよい。すなわち、ステージのピッチング成分誤
差は測長補正するものの、ヨーイングおよびローリング
成分は影響度がかなり小さくなるので補正項目を少なく
でき、測定誤差を減少させることができる。また、被測
定物の形状が軸対象の場合、被測定物の軸とθステージ
の回転軸をほぼ一致させて被測定物を回転させると、被
測定物の同一半径上の形状はほぼ一定となるので、プロ
ーブ等の測定位置検出手段の走査スピードを早くでき、
測定時間の短縮を図ることができる。
3次元測定機において、被測定物をθステージに載置
し、プローブをRステージおよびZステージ上に設け、
プローブ位置検出手段はすべてをR−Z面内に配置し、
被測定物の形状をR−Z面内における2次元上で形状測
定を行なうことにより、以下のような作用効果を得るこ
とができる。
測長器に使用されるR基準ミラーおよびZ基準ミラー
は、ほぼ1次元上(一直線上)の範囲のみ使用されるこ
とになるので、基準ミラーの幅を小さくできる。このた
め製作が容易になるとともに基準ミラーの平面度の向上
が期待できる。
Z面内の2次元上についてのみ考慮すればよい。すなわ
ち、ステージのピッチング成分誤差は測長補正するもの
の、ヨーイングおよびローリング成分は影響度がかなり
小さくなるので補正項目を少なくでき、測定誤差を減少
させることができる。
定物の軸とθステージの回転軸をほぼ一致させて被測定
物を回転させると、被測定物の同一半径上の形状はほぼ
一定となるので、プローブ等の測定位置検出手段の走査
スピードを早くでき、測定時間の短縮がはかれる。
3次元測定方法によれば、被測定物の3次元形状を高精
度にかつ短時間で測定することが可能となる。
す要部概略図である。
面図である。
プローブおよびレーザ測長器の配置関係を示す配置構成
図である。
部を拡大して示す構成図である。
成図である。
成を示す構成図である。
構成を示し、(a)はレーザ測長器と1つの基準ミラー
間の距離を測定する際に使用するものであり、(b)は
2つの基準ミラー間の距離を測定する際に使用するもの
である。
を示し、(a)は渦巻きデータ、(b)は同心円デー
タ、(c)は格子データである。
る。
である。
Claims (7)
- 【請求項1】 被測定物の形状に沿って走査するプロー
ブを用いて被測定物の3次元形状を測定する3次元形状
測定機において、 被測定物を支持しかつ該被測定物に垂直方向となるZ軸
方向に対しての回転成分となるθ軸方向に移動可能に設
けられたθステージと、該θステージ上の前記被測定物
に対して水平方向となるR軸方向に移動可能に設けられ
たRステージと、被測定物に対して垂直方向となるZ軸
方向に移動可能に設けられたZステージを備え、前記プ
ローブは前記Rステージおよび前記Zステージ上に配設
され、前記Rステージ、前記θステージおよび前記Zス
テージの各々に設けられた位置検出手段は全て同一のR
−Z面上に配置されていることを特徴とする3次元形状
測定機。 - 【請求項2】 前記Rステージおよび前記Zステージ上
に4台のレーザ測長器が配置され、該レーザ測長器は、
前記Rステージおよび前記Zステージ上に配設された前
記プローブが自由に移動可能なR−Z面内のR軸方向お
よびZ軸方向にそれぞれ2台ずつ配置されており、前記
プローブは、前記被測定物との距離が常に一定となるよ
うにZ軸方向に移動しながら前記被測定物の形状に沿っ
て走査しうるように構成され、前記プローブにより前記
被測定物の全面を走査する際に前記プローブの3次元座
標位置のR,θ,Zを同時に検出し、該3次元座標位置
におけるRは、Z軸に対して平行でかつR軸上を通る位
置に配置されたR基準ミラーとZ軸方向に並べて配置さ
れた2台のレーザ測長器とから算出され、前記3次元座
標位置におけるZは、R軸に対して平行でかつZ軸上を
通る位置に配置されたZ基準ミラーとR軸方向に並べて
配置された2台のレーザ測長器とから算出され、そし
て、前記3次元座標位置におけるθは、前記θステージ
を構成する回転機構のロータ部のラジアル方向に配置さ
れたスケールおよび前記θステージ外部に固定されたス
ケール検出器とから算出され、前記プローブの3次元座
標のR,θ,Zを基にして前記被測定物の形状測定を行
なうことを特徴とする請求項1記載の3次元形状測定
機。 - 【請求項3】 前記θステージはエアーベアリングによ
って構成され、該エアーベアリングのロータ部にはラジ
アル方向およびスラスト方向にθ基準ミラーを一体化し
て取り付けられていることを特徴とする請求項1または
2記載の3次元形状測定機。 - 【請求項4】 被測定物の形状に沿って走査するプロー
ブを用いて被測定物の3次元形状を測定する測定方法に
おいて、 前記プローブを前記被測定物の水平方向となるR軸方向
へ、前記被測定物を前記被測定物の垂直方向となるZ軸
方向に対しての回転成分となるθ軸方向へ、同時にある
いは各々単独で移動させ、該移動時に前記プローブを前
記被測定物との距離が常に一定となるように移動させな
がら前記被測定物の形状に沿って全面を走査し、前記プ
ローブの3次元座標位置のR,θ,Zを同時に検出し、
検出された前記3次元座標のR,θ,Zを基に前記被測
定物の3次元形状を測定することを特徴とする3次元形
状測定方法。 - 【請求項5】 前記プローブの3次元座標におけるR座
標の算出に際して、同一のR−Z面内において異なる2
か所の位置P1,P2においてそれぞれ検出されるR座
標R1,R2と、前記両位置P1,P2の中間および前
記プローブ先端と前記被測定物との交点におけるZ方向
成分の距離D1と、前記両位置P1,P2の間のZ方向
成分の距離D2とからアッベ誤差を考慮したR座標値R
を算出し、そして、前記プローブの3次元座標位置にお
けるZ座標の算出に際して、同一のR−Z面内において
異なる2か所の位置P3,P4においてそれぞれ検出さ
れるZ座標Z1,Z2と、前記両位置P3,P4の中間
および前記プローブ先端と前記被測定物との交点におけ
るR方向成分の距離D3と、前記両位置P3,P4の間
のR方向成分の距離D4とからアッベ誤差を考慮したZ
座標値Zを算出することを特徴とする請求項4記載の3
次元形状測定方法。 - 【請求項6】 前記被測定物をθ軸方向に回転させる際
に発生するスラスト方向の面ぶれ量およびラジアル方向
の軸ぶれ量を検出し、前記プローブの3次元座標位置に
おけるZ座標値には前記面ぶれ量を補正値として考慮
し、前記プローブの3次元座標位置におけるR座標値に
は前記軸ぶれ量を補正値として考慮することを特徴とす
る請求項4または5記載の3次元形状測定方法。 - 【請求項7】 前記被測定物が軸対象形状である場合、
前記被測定物の軸と前記θ軸方向の回転軸となるZ軸と
をほぼ一致させるように合わせ込みを行なった後に形状
測定を実施することを特徴とする請求項4ないし6のい
ずれか1項に記載の3次元形状測定方法。
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