JP2000268405A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2000268405A JP2000268405A JP11070370A JP7037099A JP2000268405A JP 2000268405 A JP2000268405 A JP 2000268405A JP 11070370 A JP11070370 A JP 11070370A JP 7037099 A JP7037099 A JP 7037099A JP 2000268405 A JP2000268405 A JP 2000268405A
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- Japan
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- optical recording
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- medium
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ヘッドクラッシュが起きにくく、さらに光
学的特性が損なわれることのない潤滑層を有する近接場
光記録用媒体を提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも光記録層及び潤滑下
地層を形成した光記録媒体において、潤滑下地層の表面
に潤滑層として、分子端に−ＣＨ2ＯＨまたは−ＣＯＯ
Ｈを有するパーフルオロポリエーテル誘導体からなる層
を０．３〜４．０ｎｍ形成した光記録媒体。
学的特性が損なわれることのない潤滑層を有する近接場
光記録用媒体を提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも光記録層及び潤滑下
地層を形成した光記録媒体において、潤滑下地層の表面
に潤滑層として、分子端に−ＣＨ2ＯＨまたは−ＣＯＯ
Ｈを有するパーフルオロポリエーテル誘導体からなる層
を０．３〜４．０ｎｍ形成した光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は書き換えが可能な光
記録媒体、特に、レーザービームによって記録層に光学
的変化を生じさせ、情報の記録、再生および消去を行う
光磁気記録媒体、あるいは相変化記録媒体に関する。
記録媒体、特に、レーザービームによって記録層に光学
的変化を生じさせ、情報の記録、再生および消去を行う
光磁気記録媒体、あるいは相変化記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体は大容量・高密度記録が可能
な可搬型記録媒体であり、近年のマルチメディア化に伴
うコンピュータの大容量保存ファイルとして動画等を記
録する書き換え型メディアとして需要が急増しつつあ
る。
な可搬型記録媒体であり、近年のマルチメディア化に伴
うコンピュータの大容量保存ファイルとして動画等を記
録する書き換え型メディアとして需要が急増しつつあ
る。
【０００３】従来の書き換え型光記録媒体は一般にプラ
スチック等の円盤状の基板に記録層を含む多層膜を形成
し、プラスチック基板側からレーザーを照射して記録、
再生、消去を行っていた。
スチック等の円盤状の基板に記録層を含む多層膜を形成
し、プラスチック基板側からレーザーを照射して記録、
再生、消去を行っていた。
【０００４】これに対して、光学ヘッドを記録膜に近づ
けて記録再生する、いわゆる、近接場光記録が高密度化
の手段として注目されている（アプライド フィジクス
レター（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．），ｖｏ
ｌ．６８，ｐ．１４１（１９９６））。
けて記録再生する、いわゆる、近接場光記録が高密度化
の手段として注目されている（アプライド フィジクス
レター（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．），ｖｏ
ｌ．６８，ｐ．１４１（１９９６））。
【０００５】この記録方法ではＳｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒ
ｓｉｏｎ ｌｅｎｓ（以下ＳＩＬと略す）ヘッドを使用
しレーザービームスポットサイズを縮小することによ
り、従来光源のレーザー波長（λ）によって決まる記録
限界（〜λ／２ＮＡ：ＮＡは対物レンズの開口数）より
短いマークでの再生が可能であり、超高記録密度の記録
再生が実現できる。
ｓｉｏｎ ｌｅｎｓ（以下ＳＩＬと略す）ヘッドを使用
しレーザービームスポットサイズを縮小することによ
り、従来光源のレーザー波長（λ）によって決まる記録
限界（〜λ／２ＮＡ：ＮＡは対物レンズの開口数）より
短いマークでの再生が可能であり、超高記録密度の記録
再生が実現できる。
【０００６】近接場光記録では上述のように超高記録密
度が可能であるが、光学ヘッドを記録媒体に近づける必
要がある（〜１００ｎｍ）。このため浮上式のスライダ
ーヘッドを利用することが提案されている。
度が可能であるが、光学ヘッドを記録媒体に近づける必
要がある（〜１００ｎｍ）。このため浮上式のスライダ
ーヘッドを利用することが提案されている。
【０００７】同様にスライダーヘッドを使用しているハ
ードディスクでは、スライダーヘッドの浮上性確保のた
め、媒体表面に潤滑層を設けている場合が多い。
ードディスクでは、スライダーヘッドの浮上性確保のた
め、媒体表面に潤滑層を設けている場合が多い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】近接場光記録では上述
のように超高記録密度が可能であるが、光学ヘッドを媒
体に近づける必要がある。この場合、浮上式のスライダ
ーヘッドが媒体に衝突する、いわゆる、ヘッドクラッシ
ュが起きやすいという問題がある。
のように超高記録密度が可能であるが、光学ヘッドを媒
体に近づける必要がある。この場合、浮上式のスライダ
ーヘッドが媒体に衝突する、いわゆる、ヘッドクラッシ
ュが起きやすいという問題がある。
【０００９】また、近接場光記録ではハードディスクと
は異なり、レーザービームの照射を伴って記録、再生、
消去を行うため、レーザーにより記録媒体の温度が上昇
したとしても、安定した光学特性やその他の物性を示す
表面潤滑層が必要である。
は異なり、レーザービームの照射を伴って記録、再生、
消去を行うため、レーザーにより記録媒体の温度が上昇
したとしても、安定した光学特性やその他の物性を示す
表面潤滑層が必要である。
【００１０】本発明の目的は、ヘッドクラッシュが起き
にくく、さらに光学的特性等が損なわれることのない潤
滑層を有する近接場光記録用媒体を提供することであ
る。
にくく、さらに光学的特性等が損なわれることのない潤
滑層を有する近接場光記録用媒体を提供することであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は上述のような
現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。
現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。
【００１２】すなわち、本発明は基板上に少なくとも光
記録層及び潤滑下地層を形成した光記録媒体において、
潤滑下地層の表面に潤滑層として、分子端に−ＣＨ2Ｏ
Ｈまたは−ＣＯＯＨを有するパーフルオロポリエーテル
からなる層を０．３ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の膜厚で形
成したことを特徴とする光記録媒体に関する。
記録層及び潤滑下地層を形成した光記録媒体において、
潤滑下地層の表面に潤滑層として、分子端に−ＣＨ2Ｏ
Ｈまたは−ＣＯＯＨを有するパーフルオロポリエーテル
からなる層を０．３ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の膜厚で形
成したことを特徴とする光記録媒体に関する。
【００１３】本発明の光記録媒体の光記録層はＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅ
Ｃｏ等の光磁気記録膜、あるいはＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ等の相変化記録膜など偏光面、反射率、光の
位相などの変化で記録が可能な膜で構成される。
Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅ
Ｃｏ等の光磁気記録膜、あるいはＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ等の相変化記録膜など偏光面、反射率、光の
位相などの変化で記録が可能な膜で構成される。
【００１４】本発明の光記録媒体の潤滑層は、パーフル
オロポリエーテル誘導体で構成される。パーフルオロポ
リエーテルの主鎖構造は直鎖構造でも側鎖構造でも構わ
ないが、潤滑特性から特に直鎖構造が望ましい。誘導体
構造としては分子の両端、または片端にアルコール性水
酸基（−ＣＨ2ＯＨ）またはカルボキシル基（−ＣＯＯ
Ｈ）の官能基が導入されているものが挙げられる。
オロポリエーテル誘導体で構成される。パーフルオロポ
リエーテルの主鎖構造は直鎖構造でも側鎖構造でも構わ
ないが、潤滑特性から特に直鎖構造が望ましい。誘導体
構造としては分子の両端、または片端にアルコール性水
酸基（−ＣＨ2ＯＨ）またはカルボキシル基（−ＣＯＯ
Ｈ）の官能基が導入されているものが挙げられる。
【００１５】これらの官能基は主鎖に直接結合していて
もよく、また、置換されていてもよいアルキル基等を介
して主鎖に結合していてもよいが、パーフルオロポリエ
ーテル主鎖に直接結合しているものが好ましい。
もよく、また、置換されていてもよいアルキル基等を介
して主鎖に結合していてもよいが、パーフルオロポリエ
ーテル主鎖に直接結合しているものが好ましい。
【００１６】官能基は分子の両端、または片端のいずれ
かに導入されていれば良いが、潤滑下地層への吸着力が
より高いことから、特に両端にあることが望ましい。
かに導入されていれば良いが、潤滑下地層への吸着力が
より高いことから、特に両端にあることが望ましい。
【００１７】パーフルオロポリエーテル誘導体の重量平
均分子量は１０００以上１００００以下が好ましく、特
に２０００以上１００００以下、更には３０００以上１
００００以下が好ましい。重量平均分子量が１０００未
満では流動性が高すぎ、媒体表面での分布が不均一とな
りやすい。重量平均分子量が１００００を越えると流動
性が低すぎ、十分な潤滑特性が得られにくい。また、低
分子量のものは高分子量のものに比べ、熱分解による重
量減少がより低温度から起こるため、高分子量のものの
ほうが長期的な安定性に優れている。
均分子量は１０００以上１００００以下が好ましく、特
に２０００以上１００００以下、更には３０００以上１
００００以下が好ましい。重量平均分子量が１０００未
満では流動性が高すぎ、媒体表面での分布が不均一とな
りやすい。重量平均分子量が１００００を越えると流動
性が低すぎ、十分な潤滑特性が得られにくい。また、低
分子量のものは高分子量のものに比べ、熱分解による重
量減少がより低温度から起こるため、高分子量のものの
ほうが長期的な安定性に優れている。
【００１８】このような潤滑層を形成する材料として
は、例えば、アウジモント製、商品名「フォンブリンＺ
ＤＯＬ」および「フォンブリンＺ ＤＩＡＣ」や、ダ
イキン社製、商品名「デムナムＳＡ」および「デムナム
ＳＨ」等を例示することができる。「フォンブリンＺ
ＤＯＬ」は、両末端に−ＣＨ2ＯＨ基を有し、主鎖とし
て、
は、例えば、アウジモント製、商品名「フォンブリンＺ
ＤＯＬ」および「フォンブリンＺ ＤＩＡＣ」や、ダ
イキン社製、商品名「デムナムＳＡ」および「デムナム
ＳＨ」等を例示することができる。「フォンブリンＺ
ＤＯＬ」は、両末端に−ＣＨ2ＯＨ基を有し、主鎖とし
て、
【００１９】
【化１】
【００２０】を有する化合物であり、「フォンブリンＺ
ＤＩＡＣ」は、両末端に−ＣＯＯＨ基を有し、主鎖と
して、
ＤＩＡＣ」は、両末端に−ＣＯＯＨ基を有し、主鎖と
して、
【００２１】
【化２】
【００２２】を有する化合物である。
【００２３】また、「デムナムＳＡ」は、片末端に−Ｃ
Ｈ2ＯＨ基を有し、一方、「デムナムＳＨ」は、片末端
に−ＣＯＯＨ基を有し、両化合物とも主鎖として、
Ｈ2ＯＨ基を有し、一方、「デムナムＳＨ」は、片末端
に−ＣＯＯＨ基を有し、両化合物とも主鎖として、
【００２４】
【化３】
【００２５】を有する化合物である。シーク動作時に媒
体とＳＩＬヘッドとが接触した場合、ＳＩＬヘッド側に
潤滑剤が付着・移行する場合がある。ＳＩＬヘッドに付
着した潤滑剤はレーザービ−ムから発生する熱等により
分解することがある。本発明で規定するパーフルオロポ
リエーテル誘導体の場合、分解残査は発生しないが、分
子端の構造が本発明で規定する以外の官能基である場
合、分解残査が残存し、それがレンズ上に付着した場合
には、レンズの透過率が低下し光学的特性が悪化するお
それがある。
体とＳＩＬヘッドとが接触した場合、ＳＩＬヘッド側に
潤滑剤が付着・移行する場合がある。ＳＩＬヘッドに付
着した潤滑剤はレーザービ−ムから発生する熱等により
分解することがある。本発明で規定するパーフルオロポ
リエーテル誘導体の場合、分解残査は発生しないが、分
子端の構造が本発明で規定する以外の官能基である場
合、分解残査が残存し、それがレンズ上に付着した場合
には、レンズの透過率が低下し光学的特性が悪化するお
それがある。
【００２６】本発明の潤滑層の膜厚は０．３ｎｍ以上
４．０ｎｍ以下が好ましく、０．５ｎｍ以上３．０ｎｍ
以下が更に好ましい。０．３ｎｍ未満では膜厚が薄す
ぎ、十分な潤滑特性が得られず、スライダーヘッドによ
り潤滑下地層に傷が入りやすくなる。４．０ｎｍを越え
ると、スライダーヘッドがディスクにはりつきクラッシ
ュしやすくなる。
４．０ｎｍ以下が好ましく、０．５ｎｍ以上３．０ｎｍ
以下が更に好ましい。０．３ｎｍ未満では膜厚が薄す
ぎ、十分な潤滑特性が得られず、スライダーヘッドによ
り潤滑下地層に傷が入りやすくなる。４．０ｎｍを越え
ると、スライダーヘッドがディスクにはりつきクラッシ
ュしやすくなる。
【００２７】本発明の潤滑層の下地層はダイヤモンド状
カーボンまたはＳｉＯ2にを例示することができる。ダ
イヤモンド状カーボン層およびＳｉＯ2層はスパッタ
法、イオンビームスパッタ法、プラズマＣＶＤ法等によ
り成膜することができる。
カーボンまたはＳｉＯ2にを例示することができる。ダ
イヤモンド状カーボン層およびＳｉＯ2層はスパッタ
法、イオンビームスパッタ法、プラズマＣＶＤ法等によ
り成膜することができる。
【００２８】図１に本発明の光記録媒体の一実施態様の
部分断面図を示す。基板１１上に反射層１２、光磁気記
録膜からなる記録層１３、誘電体層１４、潤滑下地層１
５、潤滑層１６が積層されている。
部分断面図を示す。基板１１上に反射層１２、光磁気記
録膜からなる記録層１３、誘電体層１４、潤滑下地層１
５、潤滑層１６が積層されている。
【００２９】基板１１としては機械特性など媒体基板と
しての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガラ
ス、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、
エンジニアリングプラスチック等を用いることができ
る。この基板１１上に反射層１２をＡｌ、Ａｌ合金、Ａ
ｕ、Ａｇなどの金属材料を使用し、スパッタ法または真
空蒸着法等で形成する。この反射層１２上に記録層１３
をＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｎ
ｄＤｙＦｅＣｏ等の光磁気記録膜材料を使用し、スパッ
タ法または真空蒸着法等で形成する。この記録層１３上
に誘電体層１４をＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2等の材料を使用し、スパッタ法または真空蒸着
法等で形成する。この誘電体層１４の上に潤滑下地層１
５としてダイヤモンド状カーボン層またはＳｉＯ2層を
スパッタ法等で形成する。さらにこの潤滑下地層１５の
上に潤滑層１６をディップ引き上げ法等で形成する。
しての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガラ
ス、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、
エンジニアリングプラスチック等を用いることができ
る。この基板１１上に反射層１２をＡｌ、Ａｌ合金、Ａ
ｕ、Ａｇなどの金属材料を使用し、スパッタ法または真
空蒸着法等で形成する。この反射層１２上に記録層１３
をＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｎ
ｄＤｙＦｅＣｏ等の光磁気記録膜材料を使用し、スパッ
タ法または真空蒸着法等で形成する。この記録層１３上
に誘電体層１４をＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2等の材料を使用し、スパッタ法または真空蒸着
法等で形成する。この誘電体層１４の上に潤滑下地層１
５としてダイヤモンド状カーボン層またはＳｉＯ2層を
スパッタ法等で形成する。さらにこの潤滑下地層１５の
上に潤滑層１６をディップ引き上げ法等で形成する。
【００３０】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
【００３１】実施例１ 図１に示すような構造の近接場光磁気記録媒体を製造し
た。即ち、トラックピッチ０．４５μｍの案内溝の付い
たポリカーボネート製の直径１３０ｍｍのディスク状の
基板１１上にＤＣスパッタ法でＡｌ0.97Ｃｒ0.03からな
る膜厚５０ｎｍの反射層１２、その上にＤＣスパッタ法
でＴｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80からなる膜厚２０ｎｍの光
磁気記録層１３、その上に反応性ＲＦスパッタ法でＳｉ
Ｎからなる膜厚３０ｎｍの誘電体層１４、更にその上に
反応性ＲＦスパッタ法でダイヤモンド状カーボンからな
る膜厚２０ｎｍの潤滑下地層１５を形成した。
た。即ち、トラックピッチ０．４５μｍの案内溝の付い
たポリカーボネート製の直径１３０ｍｍのディスク状の
基板１１上にＤＣスパッタ法でＡｌ0.97Ｃｒ0.03からな
る膜厚５０ｎｍの反射層１２、その上にＤＣスパッタ法
でＴｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80からなる膜厚２０ｎｍの光
磁気記録層１３、その上に反応性ＲＦスパッタ法でＳｉ
Ｎからなる膜厚３０ｎｍの誘電体層１４、更にその上に
反応性ＲＦスパッタ法でダイヤモンド状カーボンからな
る膜厚２０ｎｍの潤滑下地層１５を形成した。
【００３２】その後、媒体をパーフルオロポリエーテル
系溶媒（アウジモント社製、商品名「ガルデンＳＶ−７
０」）に溶解させた、重量平均分子量が４０００である
分子端両端に−ＣＨ2ＯＨを有するパーフルオロポリエ
ーテル（アウジモント社製、商品名「フォンブリンＺＤ
ＯＬ４０００」）の溶液に浸漬した後、媒体を引き上げ
ることにより潤滑層１６を形成し、光磁気記録媒体を製
造した。
系溶媒（アウジモント社製、商品名「ガルデンＳＶ−７
０」）に溶解させた、重量平均分子量が４０００である
分子端両端に−ＣＨ2ＯＨを有するパーフルオロポリエ
ーテル（アウジモント社製、商品名「フォンブリンＺＤ
ＯＬ４０００」）の溶液に浸漬した後、媒体を引き上げ
ることにより潤滑層１６を形成し、光磁気記録媒体を製
造した。
【００３３】この際、溶液濃度を変化させることによ
り、潤滑層の膜厚を０．２、０．５、１．０、２．０、
３．０、４．０、５．０ｎｍと変化させた。なお、潤滑
層の膜厚はＥＳＣＡにより測定した。
り、潤滑層の膜厚を０．２、０．５、１．０、２．０、
３．０、４．０、５．０ｎｍと変化させた。なお、潤滑
層の膜厚はＥＳＣＡにより測定した。
【００３４】以上のようにして得られた光磁気記録媒体
をグライドテスターにセットして、線速度７．５ｍ／ｓ
で回転させながら、ピエゾ素子のついたグライドヘッド
（グライドライト社製：７０％スライダー、０．０１
２”×６．０ｇｒ）を半径３０〜６０ｍｍの範囲でシー
クさせ、グライド特性について評価した。このグライド
ヘッドの浮上量は線速７．５ｍ／ｓにおいて０．０５μ
ｍである。グライドヘッドをシークさせた際にピエゾ素
子に誘起される電圧をオシロスコープにより観察し、電
圧値が８００ｍＶを越える場合をヘッドと媒体の接触と
判断し、その回数を記録した。
をグライドテスターにセットして、線速度７．５ｍ／ｓ
で回転させながら、ピエゾ素子のついたグライドヘッド
（グライドライト社製：７０％スライダー、０．０１
２”×６．０ｇｒ）を半径３０〜６０ｍｍの範囲でシー
クさせ、グライド特性について評価した。このグライド
ヘッドの浮上量は線速７．５ｍ／ｓにおいて０．０５μ
ｍである。グライドヘッドをシークさせた際にピエゾ素
子に誘起される電圧をオシロスコープにより観察し、電
圧値が８００ｍＶを越える場合をヘッドと媒体の接触と
判断し、その回数を記録した。
【００３５】測定をそれぞれ１０枚ずつ行った結果、潤
滑層膜厚が０．５、１．０、２．０、３．０、４．０ｎ
ｍの光磁気記録媒体は、接触回数はいずれも３回以内
で、接触回数０の媒体の割合は５０％以上と良好であっ
た。潤滑層膜厚が０．２ｎｍの光磁気記録媒体では接触
回数が平均５回程度であった。潤滑層膜厚が５．０ｎｍ
の光磁気記録媒体では、接触回数が１０回を越えるもの
が４０％の割合で発生した。
滑層膜厚が０．５、１．０、２．０、３．０、４．０ｎ
ｍの光磁気記録媒体は、接触回数はいずれも３回以内
で、接触回数０の媒体の割合は５０％以上と良好であっ
た。潤滑層膜厚が０．２ｎｍの光磁気記録媒体では接触
回数が平均５回程度であった。潤滑層膜厚が５．０ｎｍ
の光磁気記録媒体では、接触回数が１０回を越えるもの
が４０％の割合で発生した。
【００３６】次に、潤滑層膜厚２．０ｎｍの光磁気記録
媒体をレーザー波長が６８０ｎｍで実効的なＮＡが１．
２のＳＩＬヘッドの光学系の記録再生評価機にセットし
て、記録再生特性について評価した。媒体を７．０ｍ／
ｓの線速度で回転させ、出力を対物レンズの手前で６．
０ｍＷになるよう調整したレーザーを照射しながら、周
波数７．０ＭＨｚで±１５０ Ｏｅの大きさに変調した
磁界をＳＩＬヘッドのコイルから加えることで媒体に記
録を行い、次に出力を対物レンズの手前で１．０ｍＷに
なるよう調整したレーザーを照射しながら再生した。
媒体をレーザー波長が６８０ｎｍで実効的なＮＡが１．
２のＳＩＬヘッドの光学系の記録再生評価機にセットし
て、記録再生特性について評価した。媒体を７．０ｍ／
ｓの線速度で回転させ、出力を対物レンズの手前で６．
０ｍＷになるよう調整したレーザーを照射しながら、周
波数７．０ＭＨｚで±１５０ Ｏｅの大きさに変調した
磁界をＳＩＬヘッドのコイルから加えることで媒体に記
録を行い、次に出力を対物レンズの手前で１．０ｍＷに
なるよう調整したレーザーを照射しながら再生した。
【００３７】ＣＮＲは４３ｄＢであり、同一トラックに
て同様の記録再生を１０回繰り返した場合でもＣＮＲの
変化は認められなかった。
て同様の記録再生を１０回繰り返した場合でもＣＮＲの
変化は認められなかった。
【００３８】実施例２ 実施例１と同様の方法で潤滑下地層までを積層し、その
後、媒体をパーフルオロポリエーテル系溶媒（アウジモ
ント社製、商品名「ガルデンＳＶ−７０」）に溶解させ
た、重量平均分子量が２０００である分子端両端に−Ｃ
ＯＯＨを有するパーフルオロポリエーテル（アウジモン
ト社製、商品名「フォンブリンＺＤＩＡＣ」）の溶液に
浸漬しその後、媒体を引き上げることにより膜厚２．０
ｎｍの潤滑層を形成し、光磁気記録媒体を製造した。
後、媒体をパーフルオロポリエーテル系溶媒（アウジモ
ント社製、商品名「ガルデンＳＶ−７０」）に溶解させ
た、重量平均分子量が２０００である分子端両端に−Ｃ
ＯＯＨを有するパーフルオロポリエーテル（アウジモン
ト社製、商品名「フォンブリンＺＤＩＡＣ」）の溶液に
浸漬しその後、媒体を引き上げることにより膜厚２．０
ｎｍの潤滑層を形成し、光磁気記録媒体を製造した。
【００３９】以上のようにして得られた光磁気記録媒体
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。測定を１０枚行った結果、接触回数はいずれも３
回以内で、接触回数０の媒体の割合は５０％と良好であ
った。
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。測定を１０枚行った結果、接触回数はいずれも３
回以内で、接触回数０の媒体の割合は５０％と良好であ
った。
【００４０】次にこの媒体について、実施例１と同様の
方法で記録再生特性について評価した。ＣＮＲは４３ｄ
Ｂであり、同一トラックにて同様の記録再生を１０回繰
り返した場合でもＣＮＲの変化は認められなかった。
方法で記録再生特性について評価した。ＣＮＲは４３ｄ
Ｂであり、同一トラックにて同様の記録再生を１０回繰
り返した場合でもＣＮＲの変化は認められなかった。
【００４１】実施例３ 実施例１と同様の方法で潤滑下地層までを積層し、その
後、媒体をパーフルオロポリエーテル系溶媒（アウジモ
ント社製、商品名「ガルデンＳＶ−７０」）に溶解させ
た、重量平均分子量が３６００である分子端片端に−Ｃ
Ｈ2ＯＨを有するパーフルオロポリエーテル（ダイキン
社製、商品名「デムナムＳＡ」）の溶液から媒体を引き
上げることにより膜厚２．０ｎｍの潤滑層を形成し、光
磁気記録媒体を製造した。
後、媒体をパーフルオロポリエーテル系溶媒（アウジモ
ント社製、商品名「ガルデンＳＶ−７０」）に溶解させ
た、重量平均分子量が３６００である分子端片端に−Ｃ
Ｈ2ＯＨを有するパーフルオロポリエーテル（ダイキン
社製、商品名「デムナムＳＡ」）の溶液から媒体を引き
上げることにより膜厚２．０ｎｍの潤滑層を形成し、光
磁気記録媒体を製造した。
【００４２】以上のようにして得られた光磁気記録媒体
について、実施例１と同様の方法でグライド特性につい
て評価した。測定を１０枚行った結果、接触回数はいず
れも５回以内で、接触回数０の媒体の割合は２０％であ
った。
について、実施例１と同様の方法でグライド特性につい
て評価した。測定を１０枚行った結果、接触回数はいず
れも５回以内で、接触回数０の媒体の割合は２０％であ
った。
【００４３】次に、実施例１と同様の方法で記録再生特
性について評価した。ＣＮＲは４３ｄＢであり、同一ト
ラックにて同様の記録再生を１０回繰り返した場合でも
ＣＮＲの変化は認められなかった。
性について評価した。ＣＮＲは４３ｄＢであり、同一ト
ラックにて同様の記録再生を１０回繰り返した場合でも
ＣＮＲの変化は認められなかった。
【００４４】比較例１ 実施例１と同様の方法で潤滑下地層までを積層し、その
後、潤滑層を形成することなく光磁気記録媒体を製造し
た。
後、潤滑層を形成することなく光磁気記録媒体を製造し
た。
【００４５】以上のようにして得られた光磁気記録媒体
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。シーク開始時にヘッドが媒体と激しく接触し異音
が発生したため、全面について評価することはできなか
った。
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。シーク開始時にヘッドが媒体と激しく接触し異音
が発生したため、全面について評価することはできなか
った。
【００４６】比較例２ 実施例１と同様の方法で誘電体層までを積層し、潤滑下
地層を形成せず、その後、媒体をパーフルオロポリエー
テル系溶媒（アウジモント社製、商品名「ガルデンＳＶ
−７０」）を使用した、重量平均分子量が２４００であ
る分子端両端にピペロニル基を有するパーフルオロポリ
エーテル（アウジモント社製、商品名「フォンブリンＡ
Ｍ２００１」）の溶液に浸漬した後、媒体を引き上げる
ことにより膜厚２．０ｎｍの潤滑層を形成し、光磁気記
録媒体を製造した。
地層を形成せず、その後、媒体をパーフルオロポリエー
テル系溶媒（アウジモント社製、商品名「ガルデンＳＶ
−７０」）を使用した、重量平均分子量が２４００であ
る分子端両端にピペロニル基を有するパーフルオロポリ
エーテル（アウジモント社製、商品名「フォンブリンＡ
Ｍ２００１」）の溶液に浸漬した後、媒体を引き上げる
ことにより膜厚２．０ｎｍの潤滑層を形成し、光磁気記
録媒体を製造した。
【００４７】以上のようにして得られた光磁気記録媒体
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。シーク時に異音が発生し、シーク後のディスク表
面には全面に薄い傷が発生していた。
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。シーク時に異音が発生し、シーク後のディスク表
面には全面に薄い傷が発生していた。
【００４８】
【発明の効果】本発明により近接場光記録に適したヘッ
ドクラッシュが起きにくく、レーザービーム等によって
も光学的特性が損なわれることのない潤滑層を有する近
接場光記録用媒体が得られる。
ドクラッシュが起きにくく、レーザービーム等によって
も光学的特性が損なわれることのない潤滑層を有する近
接場光記録用媒体が得られる。
【図１】 本発明の光記録媒体の一例の部分断面を示す
図である。
図である。
１１：基板 １２：反射層 １３：光記録層 １４：誘電体層 １５：潤滑下地層 １６：潤滑層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも光記録層及び潤滑下
地層を形成した光記録媒体において、潤滑下地層の表面
に潤滑層として、分子端に−ＣＨ2ＯＨまたは−ＣＯＯ
Ｈを有するパーフルオロポリエーテルからなる層を０．
３ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の膜厚で形成したことを特徴
とする光記録媒体。 - 【請求項２】 潤滑下地層がダイヤモンド状カーボン層
またはＳｉＯ2層であることを特徴とする請求項１に記
載の光記録媒体。 - 【請求項３】 パーフルオロポリエーテル誘導体の重量
平均分子量が１０００以上１００００以下であることを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の光記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11070370A JP2000268405A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11070370A JP2000268405A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000268405A true JP2000268405A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13429497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11070370A Pending JP2000268405A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000268405A (ja) |
-
1999
- 1999-03-16 JP JP11070370A patent/JP2000268405A/ja active Pending
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