JP2000269092A - エッチング性に優れた電解コンデンサー電極用アルミニウム箔地およびその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低純度のアルミニウム原料を使用した場合で
も安定して高い（１００）面率を確保でき、エッチング
処理により高レベルの静電容量を与えると共に、低コス
ト化の要求も満たす電解コンデンサー電極用アルミニウ
ム箔地を提供すること。 【解決手段】 アルミニウム純度９９．９％以上のアル
ミニウム鋳塊に均熱、熱間圧延および冷間圧延を施すこ
とによって製造される電解コンデンサー電極用アルミニ
ウム箔地であって、結晶方位密度で、Ｓ方位／Ｂｒａｓ
ｓ方位の相対強度比が１．２以上であり、最終の電極用
アルミニウム箔としたときに高い（１００）面率を示
し、エッチング処理により高い静電容量を得ることので
きる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔地とその製法
を開示する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電解コンデンサー
電極用アルミニウム箔、特に、中高圧用の電極材として
用いられる高性能のアルミニウム箔を得るための箔地と
その製法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】中高圧電極コンデンサ用の電極材として
一般に用いられるアルミニウム箔には、その実効面積を
拡大して単位面積あたりの静電容量を増大するため、通
常、電気化学的もしくは化学的エッチング処理が施され
る。但し、アルミニウム箔を単にエッチング処理するだ
けでは十分な静電容量が得られないので、アルミニウム
箔上面の結晶方位で（１００）面（立方体方位、Ｃｕｂ
ｅ方位とも呼ぶ）を多く有する集合組織とすることによ
って、箔のエッチング特性を向上させている。この様な
高い（１００）面率を得るため、種々の方法が実施され
ている。

【０００３】電解コンデンサー電極用アルミニウム箔の
一般的な製法としては、ＤＣ鋳造したアルミニウム合金
鋳魂を均質化処理した後、熱間粗圧延、熱間仕上げ圧
延、冷間圧延、中間焼鈍を順次行ない、更には低冷延率
またはスキンパスを行なってから、５００℃程度以上で
高温焼鈍する方法が採用されている（特公昭５４−１１
２４２号、同６０−５９９８２号、同６０−６３３５９
号など）。

【０００４】さらに最近では、熱延条件を工夫したり
（特開平７−２１１５９１号など）、中間焼鈍から最終
焼鈍までの間で箔表層部を除去する方法（特開平１０−
８１９４５号など）が試みられている。また特開平１０
−３３０８７３号では、冷延アルミニウム箔地として
０．２〜０．５ｍｍでの結晶方位を制御（[１１１]＜２
１１＞／[１２３]＜６３４＞の相対強度比が１．２以
上）する方法も提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】近年、電解コンデンサ
ーの小型化および高静電容量化の要求が高まってくるに
つれて、アルミニウム箔に対する要求品質はますます厳
しくなっており、より高レベルの（１００）面率（９９
％レベル）が求められると共に、コイル内での均質性の
向上も要求されている。

【０００６】ところが前述した従来の方法では、前記
（１００）面率（立方体方位粒占有率）の製造条件にバ
ラツキがあることや、コイル内に部分的に存在する非立
方体方位粒のスジ状分布によって、部分的に低静電容量
領域が生じるのを避けることは難しい。

【０００７】一方で、純度の高い（９９．９９％以上）
アルミニウム箔ほど、（１００）面率が高くなることは
一般に知られているが、アルミニウム純度が高くなるほ
どスラブコストは高くなるので、昨今のコストダウンの
要求に対応するには、それほど純度の高いアルミニウム
でなくとも安定して高い（１００）面率を確保できる様
にすることが求められる。

【０００８】本発明はこの様な技術背景に鑑みてなされ
たものであり、高い立方体方位を有し、エッチング処理
後の状態で高レベルの静電容量を達成しつつ、低コスト
化の要求も満たす電解コンデンサー電極用アルミニウム
箔を得ることのできる箔地を提供しようとするものであ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決すること
のできた本発明に係る第一の電解コンデンサー用アルミ
ニウム箔地とは、アルミニウム純度９９．９％以上のア
ルミニウム鋳塊に均熱、熱間圧延および冷間圧延を施す
ことによって製造される電解コンデンサー用アルミニウ
ム箔地であって、結晶方位密度で、Ｓ方位／Ｂｒａｓｓ
方位の相対強度比が１．２以上であるところに要旨があ
り、また本発明に係る第二の電解コンデンサー用アルミ
ニウム箔地とは、アルミニウム純度９９．９％以上のア
ルミニウム鋳塊に均熱および熱間圧延を施すことによっ
て製造される電解コンデンサー用アルミニウム箔地であ
って、熱間圧延終了後、板表面をマクロエッチングした
後、実体顕微鏡によって観察されるスジの最大サイズ
が、圧延方向に直交する方向で５ｍｍ以下であり、且つ
圧延方向に５０ｍｍ以下あるところに要旨が存在する。

【００１０】また本発明にかかる第一の製法は、上記第
一の電解コンデンサー電極用アルミニウム箔地を効率よ
く製造する方法を規定するもので、アルミニウム純度９
９．９％以上のアルミニウム鋳塊に、均熱、熱間粗圧
延、熱間仕上げ圧延および冷間圧延を施すことによって
電解コンデンサー用アルミニウム箔地を製造するに当た
り、熱間粗圧延終了後の平均結晶粒径を２０００μｍ以
下とする他、熱延仕上げ圧延時の圧下率を８０％以上、
最終圧延速度を５０ｍ／ｍ以上、熱延終了温度を２９０
℃以下にそれぞれ制御すると共に、その後、冷延率８５
％以上で冷間圧延を行うところに特徴を有している。

【００１１】また本発明にかかる第二の製法は、前記第
二の電解コンデンサー電極用アルミニウム箔地を効率よ
く製造することのできる方法を規定するもので、アルミ
ニウム純度９９．９％以上のアルミニウム鋳塊に、均
熱、熱間粗圧延および熱間仕上げ圧延を施すことによっ
て電解コンデンサー用アルミニウム箔地を製造するに当
たり、熱間粗圧延終了後の平均結晶粒径を２０００μｍ
以下とする他、熱延仕上げ圧延時の圧下率を８０％以
上、最終圧延速度を５０ｍ／ｍ以上、熱延終了温度を２
９０℃以下にそれぞれ制御するところに要旨を有してい
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明者らは前述した様な課題の
解決を期して鋭意研究を重ねた結果、冷延アルミニウム
板（箔地）では、Ｓ方位（[１２３]＜６３４＞方位）へ
の集積が強くて、Ｂ方位（[０１１]＜２１１＞方位）の
集積が弱いほど、最終箔での（１００）面率が向上する
ことを見出した。

【００１３】前述した特開平１０−３３０８７３号公報
には、厚さ０．２〜０．５ｍｍの冷延アルミニウム箔地
において、Ｂ方位（[０１１]＜２１１＞）／Ｓ方位
（[１２３]＜６３４＞）の相対強度比は１．２以上が好
ましいと記載されており、Ｂ方位の発達によって（１０
０）面率の増大を図り、ひいてはエッチング処理後の静
電容量を高める方法が開示されている。しかしながら本
発明らが種々研究を重ねたところでは、むしろＳ方位を
発達させた箔地の方が、その後箔圧延→中間焼鈍→冷間
圧延→最終焼鈍を行なうことによって得られる電極用ア
ルミニウム箔として高い（１００）面率が得られること
を見出し、上記本発明に想到したものである。以下その
作用について詳述する。

【００１４】まず、アルミニウム合金が有している結晶
面および集合組織について説明する。通常のアルミニウ
ム合金は、主としてＣｕｂｅ方位、Ｇｏｓｓ方位、Ｂｒ
ａｓｓ方位（以下、Ｂ方位という）、Ｃｏｐｐｅｒ方位
（以下，Ｃｕ方位という）、Ｓ方位と呼ばれる集合組織
を有しており、それら集合組織に応じた結晶面が存在す
る。

【００１５】ここで Ｃｕｂｅ方位 [００１]＜１００＞ Ｇｏｓｓ方位 [０１１]＜１００＞ Ｂｒａｓｓ方位（Ｂ方位） [０１１]＜２１１＞ Ｃｏｐｐｅｒ方位（Ｃｕ方位） [１１２]＜１１１＞ （若しくはＤ方位[4 4 11]＜11 11 8＞） Ｓ方位 [１２３]＜６３４＞ であり、本発明では、基本的にこれら各結晶面から±１
５°以内の方位のずれは同一の結晶面に属するものと考
える。

【００１６】本発明では、上記結晶方位分布密度のバラ
ンス（存在割合）が重要であり、本発明が意図する冷延
アルミニウム箔地の集合組織は、殆どがＢ方位、Ｃｕ方
位およびＳ方位によって構成されている。

【００１７】本発明では、前述の如く集合組織の方位分
布密度（Orientation Density）を規定するが、この方
位分布密度の測定には、通常のＸ線回折法を採用し、
（１００）、（１１０）［＝（２２０）とも言う］、
（１１１）［＝（２２２）とも言う］の完全極点図（Po
le Figure）を測定し、それから結晶方位分布関数（Or
ientation Distribution Function：ＯＤＦ）を求
め、各方位の強度ピーク値の合計に対する各方位の強度
ピークの割合を計算することによって求められる［例え
ば、長島晋一著「集合組織」（丸善株式会社刊）１９８
４、Ｐ８−４４、金属学会セミナー「集合組織」（日本
金属学会偏）１９８１、Ｐ３−７など参照］。

【００１８】また他の集合組織については、ＴＥＭによ
る電子線回折法、或いはＳＥＭ（Scanning Electron
Microscope）−ＥＣＰ（Electron Channeling Patter
n）法、或いはＳＥＭ−ＥＢＳＰ［Electron Back Sca
ttering(Scattered) Pattern、若しくはＥＢＳＤ（Dif
fraction）とも言う］）などを用いて測定したデータを
基に、結晶方位分布関数を用いて方位密度を求めること
ができるが、その測定は局所的であり、結晶方位は板厚
方向に変化しているので、任意に何点かをとって平均値
を求めことが必要となる。

【００１９】なお上記結晶方位分布関数とは、結晶方位
分布（集合組織）を３次元的に表示するもので、結晶方
位を表わすのに必要なパラメータとして３個のオイラー
角（Euler Angle）を使用し、これらを直交座標軸とす
る３次元空間において、空間内の点の関数として極点密
度を表示するものである。

【００２０】本発明では、上記方法によって求められる
結晶方位におけるＳ方位を発達させることによって、最
終的に得られる電極材用アルミニウム箔として高い（１
００）面率を与える箔地を提供するものである。

【００２１】電解コンデンサー用アルミニウム箔を製造
するに当たっては、通常の方法に従って、アルミニウム
純度９９．９％以上の鋳塊に、均熱、熱間粗圧延、熱間
仕上げ圧延を施し、あるいは更に冷間圧延を施して箔地
を得た後、これを更に箔圧延→中間焼鈍→最終冷延→最
終焼鈍することによって最終アルミニウム箔とされる
が、上記中間焼鈍後の状態でＣｕｂｅ方位核を高頻度か
つ高密度で生成させれば、最終焼鈍後の（１００）面率
を高め得ることが確認された。ちなみに、中間焼鈍後の
Ｃｕｂｅ方位核の生成が低頻度であるときは、その後の
最終焼鈍の初期段階で、中間焼鈍後のＣｕｂｅ方位核の
分布が粗な領域から非（１００）面方位が生成して粗大
粒を形成し、これが（１００）面率への集積度の低下を
引き起こすのである。そして、該中間焼鈍時のＣｕｂｅ
核の生成頻度を高めるには、冷延アルミニウム箔地とし
ての集合組織でＳ方位を発達させておくことが効果的で
あることを見出した。

【００２２】すなわちＣｕｂｅ核の生成頻度は冷延集合
組織に依存しており、冷延アルミニウム箔地のＳ方位か
らＣｕｂｅ方位が多く生成するのに対し、Ｂ方位からは
中間焼鈍工程でのＣｕｂｅ核の生成頻度が低く、該Ｂ方
位の発達はアルミニウム箔地としての（１００）面率の
増大を却って阻害するのである。これらのことは、ＥＢ
ＳＰ観察によって確認できる。

【００２３】そして本発明では、上記Ｓ方位の発達によ
る（１００）面率増大の効果が有効に発揮される好適範
囲を明確にすべく更に追求した結果、アルミニウム箔地
としてＸ線回折による結晶方位分布密度でＳ方位／Ｂ方
位の相対強度比を１．２以上、より好ましくは１．３以
上とし、あるいはその前の仕上げ圧延終了段階の箔地と
して、表面をマクロエッチングした後、実体顕微鏡によ
って観察されるスジの最大サイズを、圧延方向に直交す
る方向で５ｍｍ以下で、且つ圧延方向に５０ｍｍ以下と
することにより、本発明の前記課題が達成されることを
つきとめたのである。

【００２４】即ち本発明における第一の構成では、冷延
後の通常１００〜５００μｍ程度の厚さのアルミニウム
箔地として、結晶方位密度でＳ方位／Ｂ方位の相対強度
を１．２以上とし、それによりその後の中間焼鈍工程で
生成するＣｕｂｅ核の生成頻度を高めて（１００）面率
を増大させ、ひいてはエッチング特性を高めることによ
り深くて均一なエッチングピットの形成を可能とし、静
電容量の高い電解コンデンサー電極材を与えるアルミニ
ウム箔地を得ることに成功したものである。

【００２５】次に、上記特性を備えた電解コンデンサー
電極用アルミニウム箔地を確実且つ効率的に製造するこ
とのできる方法について説明する。

【００２６】上記電解コンデンサー電極用アルミニウム
箔地を製造するに当たっては、アルミニウム純度９９．
９％以上の鋳塊に、均熱、熱間粗圧延および熱間仕上げ
圧延を施し、あるいは更に冷間圧延を施す方法が採用さ
れる。

【００２７】ここで使用される原料アルミニウムとして
は、従来のように９９．９９％レベル以上といった高純
度までは要求されないが、少なくとも９９．９％以上、
より好ましくは９９．９５％以上のものを使用すること
が必要であり、９９．９％未満では、最終箔をエッチン
グする際に不純物の存在によってピット形成の均一性が
阻害され、本発明で意図する様な深くて均一なピット形
成が困難となり、静電容量の高いアルミニウム箔が得ら
れなくなる。

【００２８】原料となるアルミニウム鋳塊の製造には通
常のＤＣ鋳造法を採用すればよく、鋳造後は均質化処理
してから熱間圧延に付される。均質化処理は、面削後に
熱間圧延前の加熱をかねて行ってもよいし、熱間圧延の
ための加熱前に均質化処理として別に行ってもよい。な
お予め均質化処理を行い、その後で面削し再加熱してか
ら熱間圧延を行う手順を採用すると、熱延前の鋳塊表面
の酸化皮膜が少なくなって表面品質の向上に効果的であ
る。

【００２９】熱間圧延は、熱間粗圧延と熱間仕上げ圧延
に分けられるが、これらはそれぞれ異なった圧延機を用
いて行う。これは、粗圧延から仕上げ圧延の工程で結晶
粒径と熱延集合組織をコントロールするためであり、そ
のための好ましい条件は次の通りである。

【００３０】熱間圧延条件：本発明者らが確認したとこ
ろによると、冷延後のＳ方位の発達には、熱延板として
の集合組織においてＢ方位が発達していること効果的で
あり、熱延板の状態でＢ方位の発達した集合組織を得る
には、粗圧延終了後の平均粒径を２０００μｍ以下、よ
り好ましくは１５００μｍ以下に抑えると共に、熱延仕
上げ圧延時の圧下率を８０％以上、より好ましくは８１
％以上、仕上げ圧延の最終圧延速度を５０ｍ／ｍｉｎ以
上、より好ましくは６０ｍ／ｍｉｎ以上とし、且つ仕上
げ圧延終了温度を２９０℃以下に抑えることが好ましい
ことを見出した。熱延終了板は約３〜１０ｍｍである
が、上記好適条件の範囲内で熱間圧延を行なうと、熱延
板中の結晶方位の方位密度で、Ｃｕ方位やＳ方位よりも
Ｂ方位が主に発達した熱延板を得ることができる。ここ
で、熱延仕上げ圧延時の圧下率や圧延速度を適正に制御
することは、熱延加工組織におけるＢ方位の発達を促
し、ひいては冷延アルミニウム箔地としてＳ方位の発達
に寄与する。

【００３１】この時、熱延終了温度が２９０℃を超える
場合は、実操業時のコイル熱で再結晶が生じ、組織バラ
ツキを生じる原因になるので好ましくない。組織バラツ
キを抑えるうえでより好ましい熱延終了温度は２８０℃
以下である。

【００３２】粗圧延終了後の平均結晶粒径は、熱延終了
後の結晶粒径の微細化と熱延集合組織のＢ方位発達の双
方にとって重要であり、２０００μｍ以下、より好まし
くは１５００μｍ以下に抑えることが必要となる。尚、
粗圧延終了後の平均粒径は、均熱処理時の温度、粗圧延
時の温度、圧下率、圧延速度などによって容易に制御す
ることができ、また該結晶粒径は、圧延方向に対して直
角方向（圧延直交方向）のラインインターセプト法によ
って、板厚方向の任意の何点かの平均値として求める。

【００３３】熱間仕上げ圧延を終えた状態でアルミニウ
ム箔地とするときの品質は、表面を王水でエッチングし
た後、実体顕微鏡像を画像処理することによって知るこ
とのできるスジの大小によって評価することができ、圧
延方向に対して直交する方向（圧延直交方向）の最大幅
が５ｍｍ以下で且つ圧延方向で最大長さが５０ｍｍ以下
であるものは、該スジの幅の制御（微細化）によって、
最終的に得られる電極用アルミニウム箔としての（１０
０）面率のバラツキを低減せしめ得ることが分かった。

【００３４】すなわち、最終的に得られる電極用アルミ
ニウム箔として（１００）面率が低下する原因の１つ
に、非（１００）面方位粒の圧延方向に生じるスジの存
在があり、このスジを可及的に小さく抑えれば、冷延集
合組織を均一に発達せしめ得ることが確認された。ここ
で、熱延箔地に生じるスジの一例は図１，２に示す通り
である。図１は、後記実施例のＮｏ.１，２で得た熱延
板の表面を王水でエッチングした後の実態顕微鏡写真像
とこれを画像処理した後の像を示し、いずれも個々のス
ジが微細で均一に分布している。これに対し図２は、後
記実施例のＮｏ．５，６（比較例）で得た熱延板表面を
同様に王水でエッチング処理した後の実態顕微鏡写真像
とこれを画像処理した後の像を示しており、いずれも個
々のスジが相対的に大きく且つ圧延方向に局部的に偏っ
て生成していることが分かる。

【００３５】そして、該熱間仕上げ圧延を終えた状態
で、圧延方向に対して直交する方向（圧延直交方向）の
スジの最大幅が５ｍｍ以下で且つ圧延方向のスジの最大
長さが５０ｍｍ以下であるものは、高性能の電解コンデ
ンサー電極用アルミニウム箔を与えるアルミニウム箔地
として好適なものとなる。

【００３６】また本発明では上記熱間仕上げ圧延後に更
に冷間加工を施した状態で箔地として提供することも可
能であり、この場合の冷間圧延工程では、前述の如く冷
延率を８５％以上、より好ましくは９０％以上に設定す
ることが望ましく、こうした冷延率を採用することによ
って、冷延板の厚さ方向のひずみ分布が均一で特性バラ
ツキが少なく、しかもＳ方位／Ｂ方位の相対強度比が
１．２以上で、その後の箔圧延→中間焼鈍→冷間圧延→
最終焼鈍によって優れた特性を備えた電極用アルミニウ
ム箔を与える箔地を得ることができる。

【００３７】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限
を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範
囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、そ
れらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。

【００３８】実施例 （製造方法）表１に示す組成のアルミニウム合金を使用
し、通常のＤＣ鋳造によって厚さ４００ｍｍ、幅１００
０ｍｍの鋳魂を鋳造した。その後、均質化処理（５４０
℃×８ｈ）してから面削し、次いで熱間圧延に供するた
め加熱又は炉冷した後、表２に示す様に熱間粗圧延およ
び仕上圧延の条件を変化させて箔地を製造した。

【００３９】各箔地は、その後、板厚０．４ｍｍまで冷
間圧延してから更に厚さ０．１２ｍｍまで箔圧延し、次
いで２３０℃×１０時間の中間焼鈍を施してから、約１
５％の冷延を行なって厚さ１００μｍの箔とし、５５０
℃×７時間の最終焼鈍を行なって最終アルミニウム箔と
した。

【００４０】粗圧延終了後板の平均結晶粒径：表層部、
表面から１／４の深さ部および板厚方向中心部の３個所
からサンプルを採取し、各サンプルについて０．１ｍｍ
ほど機械研磨した後、王水によりマクロエッチングして
から各表面の実体顕微鏡観察を行ない、あるいは電解エ
ッチング後光学顕微鏡による偏光観察を行なう。得られ
た各像について、ランダムに選択した複数箇所における
圧延直交方向の結晶粒径を測定し、その平均値を平均結
晶粒径とした。結晶粒径は、粗圧延温度および圧下率に
よって種々に変化させた。

【００４１】熱延板（箔地）のスジの測定：熱延板（箔
地）表面のスジサイズ：熱延仕上げ板の任意位置から１
００ｍｍ×２００ｍｍのサンプルを採取し、表面を王水
でマクロエッチングしてから実体顕微鏡観察により得た
像を基に、光沢部または非光沢部のスジについて画像解
析し、得られた最大スジの圧延方向サイズと圧延直交方
向サイズを測定した。結果の一例を図１，２に示す。図
１は、Ｎｏ.１，２で得た熱延板（箔地）の王水エッチ
ング処理後の実態顕微鏡写真像とこれを画像処理した後
の像、図２は、Ｎｏ．５，６（比較例）で得た熱延板の
王水エッチング処理後の実態顕微鏡写真像とこれを画像
処理した後の像を示す。

【００４２】冷延板の結晶方位分布関数の測定：熱間仕
上げ圧延の後、更に表２に示す条件で冷間圧延して得た
冷延板（箔地）について、結晶方位分布関数を測定し
た。

【００４３】結晶方位分布密度：集合組織の結晶方位分
布密度はＸ線回折法により測定し、得られた３次元分布
関数から各方位の結晶方位密度を求めた。結果を図３に
示す。

【００４４】上記で得た各箔地について箔圧延（０．１
１６ｍｍ）→中間焼鈍（２３０℃×１０時間）→冷延
（約１５％）→最終焼鈍（５５０℃×７時間）を行なっ
てアルミニウム箔とし、その特性を下記の方法で評価し
た。

【００４５】（１００）面率：得られた各アルミニウム
箔の立方体方位面積率を測定した。（１００）面占有率
（立方体方位面積率）は、通常の方法に従って塩酸：硝
酸：フッ酸＝５０：４７：３（容量比）の混酸溶液でエ
ッチングして結晶粒を現出させ、１００ｍｍ×ｌ００ｍ
ｍの視野に占める立方体方位の割合を画像解析装置によ
り測定した。

【００４６】相対静電容量：各アルミニウム箔に直流エ
ッチングを施す。エッチングは８２℃、１ｍｏｌ／リッ
トルの塩酸（ＨＣｌ）と３ｍｏｌ／リットルの硫酸（Ｈ
₂ＳＯ₄）の混合液中で、電流密度０．３３Ａ／ｃｍ²の
直流を１２０秒間通電することによって行なった。その
後、８０℃の５％棚酸水溶液中で３５０Ｖの化成処理を
施してからＬＣＲメーターで静電容量を測定した。その
結果を、比較例Ｎｏ．８のものを１００％とした場合の
相対静電容量で評価した。

【００４７】静電容量のコイル内バラツキ評価：各コイ
ルの幅方向端縁から５０ｍｍ内側の位置と中央部の２個
所について、コイル長手方向（オフゲージ部は除く）He
ad,Middle,Tail部からサンプルを採取し、夫々について
静電容量のバラツキを以下の式で評価した。 バラツキ（％）＝（（最大値−最小値）／平均値）×１
００

【００４８】

【表１】

【００４９】

【表２】

【００５０】

【表３】

【００５１】上記表１〜３より、次の様に考察すること
ができる。

【００５２】Ｎｏ．１〜４，８，１０は、本発明の規定
要件を充足する実施例であり、いずれも高い（１００）
面率を有しており、エッチング処理後の相対静電容量も
高い値を示している。

【００５３】これらに対し、Ｎｏ．５は粗圧延終了後の
平均結晶粒径が粗大に過ぎる比較例、Ｎｏ．６は仕上げ
圧延の総圧下率が不足すると共に最終圧延速度が低す
ぎ、Ｎｏ．７は仕上げ熱延終了温度が高すぎるいずれも
比較例であり、（１００）面率がいずれも低く満足な静
電容量が得られない。

【００５４】さらにＮｏ．９，１１は、異なる成分系の
アルミニウム鋳塊を用いた例であるが、いずれも最終圧
延速度が低すぎると共に仕上げ圧延終了温度が高すぎ、
更には仕上げ冷延時の冷延率が不足する比較例であり、
総体静電容量が低いばかりでなくそのバラツキも大き
く、本発明の目的にそぐわない。

【００５５】なお図３は、上記実験で得たＮｏ．１，
２，６について、厚さ０．４ｍｍの冷延板の結晶方位分
布と方位密度の関係を示したグラフであり、Ｎｏ．６の
比較例では、Ｓ方位の増大が認められないのに対し、Ｎ
ｏ．１，２の実施例では明らかに高いＳ方位密度が得ら
れている。

【００５６】

【発明の効果】本発明は以上の様に構成されており、冷
延後の結晶方位でＳ方位／Ｂ方位の相対強度比を１．２
以上とし、あるいは冷延前の熱間仕上げ圧延後の状態に
おけるスジのサイズを特定することにより、その後の箔
圧延→中間焼鈍→冷延→最終焼鈍を得ることによって得
られる電極用アルミニウム箔高い（１００）面率を得る
ことができ、それに伴って、エッチング処理により安定
して高い静電容量を得ることのできる電解コンデンサー
電極用アルミニウム箔地を提供し得ることになった。ま
た本発明の製法によれば、安定して優れた性能の電解コ
ンデンサー電極用アルミニウム箔を与える箔地を、従来
法に比べて低コストで確実に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】熱間仕上げ圧延を終えた本発明に係る電極用ア
ルミニウム箔地の表面性状（スジの状態）を示す実態顕
微鏡写真とその画像処理像である。

【図２】熱間仕上げ圧延を終えた比較例の電極用アルミ
ニウム箔地の表面性状（スジの状態）を示す実態顕微鏡
写真とその画像処理像である。

【図３】実験で得たアルミニウム箔地の結晶方位分布と
方位密度の関係を示したグラフである。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２２Ｆ 1/04 Ｃ２２Ｆ 1/04 Ｋ (72)発明者 関 勇一 神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会 社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 杉崎 康昭 神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会 社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルミニウム純度９９．９％以上のアル
   ミニウム鋳塊に均熱、熱間圧延および冷間圧延を施すこ
   とによって製造される電解コンデンサー用アルミニウム
   箔地であって、結晶方位密度で、Ｓ方位／Ｂｒａｓｓ方
   位の相対強度比が１．２以上であることを特徴とする電
   解コンデンサ電極用アルミニウム箔地。
2. 【請求項２】 アルミニウム純度９９．９％以上のアル
   ミニウム鋳塊に均熱および熱間圧延を施すことによって
   製造される電解コンデンサー用アルミニウム箔地であっ
   て、熱間圧延終了後、表面をマクロエッチングした後、
   実体顕微鏡によって観察されるスジの最大サイズが、圧
   延方向に直交する方向で５ｍｍ以下であり、且つ圧延方
   向に５０ｍｍ以下であることを特徴とする電解コンデン
   サ電極用アルミニウム箔地。
3. 【請求項３】 アルミニウム純度９９．９％以上のアル
   ミニウム鋳塊に、均熱、熱間粗圧延、熱間仕上げ圧延お
   よび冷間圧延を施すことによって電解コンデンサー用ア
   ルミニウム箔地を製造するに当たり、熱間粗圧延終了後
   の平均結晶粒径を２０００μｍ以下とする他、熱延仕上
   げ圧延時の圧下率を８０％以上、最終圧延速度を５０ｍ
   ／ｍ以上、熱延終了温度を２９０℃以下にそれぞれ制御
   すると共に、その後、冷延率８５％以上で冷間圧延する
   ことを特徴とするエッチング特性に優れた電解コンデン
   サー電極用アルミニウム箔地の製法。
4. 【請求項４】 アルミニウム純度９９．９％以上のアル
   ミニウム鋳塊に、均熱、熱間粗圧延および熱間仕上げ圧
   延を施すことによって電解コンデンサー用アルミニウム
   箔地を製造するに当たり、熱間粗圧延終了後の平均結晶
   粒径を２０００μｍ以下とする他、熱延仕上げ圧延時の
   圧下率を８０％以上、最終圧延速度を５０ｍ／ｍ以上、
   熱延終了温度を２９０℃以下にそれぞれ制御することを
   特徴とするエッチング特性に優れた電解コンデンサー電
   極用アルミニウム箔地の製法。