JP2000269194A

JP2000269194A - ガス処理装置

Info

Publication number: JP2000269194A
Application number: JP11071928A
Authority: JP
Inventors: Toshio Goto; 俊夫後藤; Masaru Hori; 勝堀; Akifumi Ito; 昌文伊藤; Nobuo Ishii; 信雄石井; Satoshi Kawakami; 聡川上
Original assignee: Nagoya University NUC; Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Nagoya University NUC; Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1999-03-17
Filing date: 1999-03-17
Publication date: 2000-09-29
Anticipated expiration: 2019-03-17
Also published as: JP4258789B2; US6501082B1

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマを用いて例えば半導体ウエハに対し
て成膜やエッチングなどの処理を行うにあたり、良好な
処理を行うこと。【解決手段】半導体ウエハに対してガス処理を行うた
めの真空容器に、電子付加型質量分析装置を接続する。
この質量分析装置において、真空容器内のガスを取り込
み、そのガス中の粒子に電子を付加し、粒子例えば特定
のラジカルがイオン化された負イオンの計数値を測定す
る。このとき電子エネルギーを変化させると計数値が変
わり、その計数値のピーク値に基づいてラジカル密度が
推定される。この推定結果に基づきマイクロ波パワー、
圧力、流量といったプロセス条件を細かくコントロール
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハに対してプラズマ処理を行うためのガス処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程には、被処理
基板である半導体ウエハ（以下ウエハという）に対して
プラズマを用いて処理を行う工程がある。これはウエハ
載置台を備えた真空容器内に処理ガスを導入し、例えば
電磁エネルギーを処理ガスに供給することでプラズマを
発生させて行われ、例えば成膜やエッチングといった処
理が挙げられる。プラズマを発生させる手法としては、
マイクロ波と磁界の相互作用である電磁サイクロトロン
共鳴を利用するＥＣＲ方式、ドーム状の容器に巻かれた
コイルから電界及び磁界を処理ガスに与えるＩＣＰ方式
及び一対の平板を対向させてその間に高周波電力を印加
する平行平板方式などがある。

【０００３】このようなプラズマ処理において、プラズ
マ中に発生する粒子例えばラジカルは種類により、堆積
やエッチングといった異なる作用を有するため、ウエハ
上への処理にはラジカルが重要な役割を果たしていると
考えられている。このためプラズマ発生時におけるラジ
カル密度を推定する方法、及びこれにより得られた値に
よりマイクロ波の出力を制御する方法などが発表されて
いる。ラジカル密度を推定する方法としては例えばレー
ザ光をプラズマに照射し、分子がその光を吸収して蛍光
を発することを利用して、蛍光を計測したその計測値に
基づいてラジカル密度を推定するレーザ誘起蛍光法（Ｌ
ＩＦ法）や赤外半導体レーザ光のスペクトル変化を検出
して真空容器内のラジカル密度を測定する方法などがあ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし上述のＬＩＦ法
は蛍光する分子を計測する手法であるため、光らない種
類のラジカルの密度が推定できず、更に分子数の大きな
高次ラジカルの測定は不可能なため、正確なプロセス制
御ができないという課題がある。また、赤外半導体レー
ザ光のスペクトル変化からラジカル密度を測定する方法
においても、低次のラジカルについてはラジカルに起因
するスペクトルが既知のため計測が可能であるが、分子
数の大きな高次ラジカルの測定は不可能であった。

【０００５】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は例えばラジカルなどの種類と密度
を推定し、良好な処理例えば被処理基板間でばらつきの
少ない処理を行うことのできる装置を提供することにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、真空容器内に
処理ガスを供給して被処理基板に対して所定の処理を施
すガス処理装置において、真空容器内から採取したガス
に対して電子を放出し、処理ガス中の粒子に当該電子を
付着させる電子付加手段と、この電子付加手段により、
電子が付着された粒子の負イオンの種類を判別する質量
分析手段と、この質量分析手段により判別された負イオ
ンの数の計数値に基づいて、判別された負イオンに対応
する処理ガス中の粒子の密度を推定する密度推定手段
と、この密度推定手段で推定された粒子の密度の推定結
果に基づき、処理ガスの状態に影響を与えるプロセス条
件をコントロールする制御部と、を有することを特徴と
する。ここでプロセス条件は、処理ガスに与えるエネル
ギーの大きさ、真空容器内の圧力または処理ガスの流量
の少なくとも一つである。また質量分析手段は真空容器
内を移動可能なガス採取口を備えた構成とすることが好
ましい。

【０００７】この発明において、上述の電子を付着させ
る処理ガス中の粒子は、例えばラジカル、分子または原
子であり、この粒子の密度は電子付加手段から放出され
る電子エネルギーの大きさを変えて、この電子エネルギ
ーの大きさと、前記粒子の計数値との関係を求め、この
結果に基づいて推定することができる。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明に係るガス処理装置の実施
の形態として、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）を利
用し被処理基板に成膜処理を行うプラズマ成膜装置を例
にとって説明する。この実施の形態は、真空容器内のガ
スを採取し、そのガスに電子を付加してガス中の粒子例
えばラジカルを負イオンの形態に変え、特定のラジカル
に対応する負イオンの量を質量分析装置により分析し
て、その結果に基づいてラジカルの密度を推定し、その
推定値に応じてプラズマ中のラジカルに影響を与える各
種プロセス条件を制御するものである。

【０００９】ここで図１は本実施の形態に係るガス処理
装置を表す全体図、図２はこのガス処理装置に用いられ
る電子付着型質量分析装置の概観を示す側面図である。

【００１０】先ず図１のプラズマ成膜装置について説明
をすると、これは図示されるように例えばアルミニウム
等により形成された真空容器１を有しており、この真空
容器１は上方に位置してプラズマを発生させる円筒状の
第１の真空室１１と、この下方に連通するように連結さ
れた円筒状の第２の真空室１２とからなる。なおこの真
空容器１は接地されてゼロ電位になっている。

【００１１】この真空容器１の上端は、開口されてこの
部分にマイクロ波を透過する部材例えば石英等の材料で
形成された透過窓１３が気密に設けられており、真空容
器１内の真空状態を維持するようになっている。この透
過窓１３の外側には、例えば２．４５ＧＨｚ、１．５ｋ
ｗのプラズマ発生用高周波供給手段としてのマイクロ波
電源部１４に接続された導波管１５が設けられており、
マイクロ波電源部１４により発生したマイクロ波を例え
ばＴＥモードにより導波管１５で案内して、またはＴＥ
モードにより案内されたマイクロ波を導波管１５でＴＭ
モードに変換して透過窓１３から第１の真空室１１内へ
導入し得るようになっている。

【００１２】第１の真空室１１を区画する側壁には例え
ばその周方向に沿って均等に配置したガスノズル１６が
設けられると共にこのノズル１６には、図示しないガス
源、例えばＡｒガス源が接続されており、第１の真空室
１１内の上部にＡｒガスをムラなく均等に供給し得るよ
うになっている。

【００１３】前記第２の真空室１２内には、前記第１の
真空室１１と対向するように、ウエハＷとほぼ同じサイ
ズのウエハ載置台１７が例えばアルミナを素材とする図
示しない絶縁体を介して支持部１８に支持されている。
載置台１７内には電極が埋設され、この電極にはイオン
引き込み用のバイアス電圧を印加するように高周波電源
部１９が接続されている。

【００１４】一方、図１に示すように前記第２の真空室
１２の上部、即ち第１の真空室１１と連通している部分
にはリング状の成膜ガス供給部２０が設けられている。
この成膜ガス供給部２０は図示しないガス供給管から送
られる成膜ガス、例えばＣ2Ｆ4及びＣ2Ｈ4ガスを第２の
真空室１２内に噴き出すように構成されている。なお前
記Ａｒガス及びこの成膜ガスは、処理ガスに相当する。
また、真空室１２の側壁部にはウエハを当該真空室１２
内に搬入するためのゲートバルブ２１が設けられると共
に、他方側には後述する電子付着型質量分析装置３が気
密に接続されている。底部には例えば真空室１２の中心
軸に対称な２個所の位置に各々排気管２２が接続されて
いる。

【００１５】前記第１の真空室１１を区画する側壁の外
周には、これに近接させて磁場形成手段として例えばリ
ング状の主電磁コイル２３が配置されると共に、第２の
真空室１２の下方側室外には真空室１２に近接してリン
グ状の補助電磁コイル２４が配置されている。

【００１６】次に電子付着型質量分析装置３について図
３を参照しながら述べる。この質量分析装置３の装置本
体３０は筒状体であり、真空容器１側から順に導入管３
１、イオン通路部３２、及びイオン検出部３３から構成
される。導入管３１は、一端側に設けられる採取口３４
が真空容器１側壁に形成される孔部３５を介して真空容
器１内を向くように配置されており、ニューメタルまた
はパーマロイで作られている。

【００１７】導入管３１の径方向側周面を囲むように例
えば金属ベローズ体３６が設けられ、このベローズ体３
６の両端は、導入管３１基端部周囲と孔部３５周囲とに
夫々気密に取り付けられている。ベローズ体３６はエア
シリンダー等の駆動部３７と接続されており、駆動部３
７はレール３８上をガイドされる。従って駆動部３７の
移動に伴いベローズ体３６が伸縮し、導入管３３の真空
室１内への進退が可能となる。

【００１８】導入管３１内には、採取口３４側から順
に、第１のフォーカスリング４０、第２のフォーカスリ
ング４１、ラジカルへ電子を付加するための電子付加手
段の一部をなすフィラメント４２及びイオン引き込み用
の電極４３が配置されている。フィラメント４２は電圧
を可変できる直流電源４４と接続されている。

【００１９】イオン通路部３２内には、棒状の電極４５
が周方向に４本配置され、相対する電極４５を一対とし
た四重極として構成される。イオン検出部３３にはイオ
ン通路部３２側から順に第３のフォーカスリング４６、
及び負イオンによる電流値を検出する検出器４７が設け
られている。なお装置本体３０内は、真空ポンプ４８に
より所定の真空度まで真空排気されている。

【００２０】前記検出器４７で検出された検出値（電流
値）は種類判別部４７ａに送られ、この種類判別部４７
ａにて負イオンの質量数と負イオンの数の計数値（相対
強度）との関係を求め、つまり質量スペクトルを求め、
この質量スペクトルに基づいて負イオンの種類を判別す
る。この判別は、負イオンの計数値のピークが出ている
質量数を求め、この質量数に基づいて、例えば予め作成
した質量数と負イオンの種類との対応をとったデータに
基づいて行われる。

【００２１】また前記検出値は、密度推定手段４９に送
られ、密度推定手段４９は、直流電源４４の電圧を可変
させたときの、フィラメント４２から放出された電子の
エネルギーの値と前記計数値との対応関係を把握して、
計数値のピークを求め、このピーク値に基づいてプラズ
マ中の特定のラジカルの密度を推定する機能を有してい
る。この密度推定手段４９で推定された推定結果は制御
部５に送られる。

【００２２】ここで図４は、前記密度推定手段４９で得
られた推定結果に基づいて、プラズマ中の特定の粒子こ
の例ではラジカルの密度に影響を与えるプロセス条件を
制御する制御系を示す構成図である。図４では制御部５
から各部へ信号線が出ている図として表されているが、
この点は後述するとして、この実施の形態では制御部５
の制御信号が、マイクロ波電源部１４の出力電力を変調
するパルス発生部５１のみを制御する例であるものとし
て説明を進めていく。

【００２３】次に本実施の形態の作用を述べる。先ず電
磁コイル１４，１５により作られる磁界とマイクロ波と
により電子サイクロトロン共鳴を起こし、ノズル１６か
ら供給されるＡｒガスがプラズマ化されると共に、ガス
供給部２０から供給される例えばＣ4Ｆ8ガス及びＣ2Ｈ4
ガスを夫々プラズマ化する。

【００２４】一方、成膜処理中に採取口３４を例えばウ
エハＷの中央上方位置まで進出させる電子付着型質量分
析装置３の装置本体３０内は、真空容器１内よりも高真
空に維持されているのでプラズマの一部が採取口３４内
へ引き込まれ、第１のフォーカスリング４０、第２のフ
ォーカスリング４１を介して装置本体３０内へ取り込ま
れる。そしてプラズマ中に含まれるラジカル等の粒子に
フィラメント４２から放出される電子が付加されてイオ
ン化され、例えばＣ4Ｆ7ラジカルはＣ4Ｆ7-の負イオン
となる。

【００２５】既述のように２対４本の双曲柱ロッドから
なる電極４５(四重極：quadrupole)には、各々図示され
ない電源部より正及び負の直流電圧Ｕ(ボルト)と高周波
電圧Ｖ´(ボルト)〔周波数ｆ(ＭＨｚ)〕を重畳したもの
を加えておく。ここで、Ｕ／Ｖ´を一定に保ちながらＶ
´を連続的に変化させれば各質量に対応するイオンを検
出器４７で検出できる。前記種類判別部４７ａでは、既
述のように検出器４７からの検出信号に基づいて質量ス
ペクトルを作成し、この質量スペクトルにおいてピーク
値が得られる質量数のうち、例えば予め定めた質量数の
範囲に含まれる質量数を選別する。そして選別された質
量数の負イオン毎に、それら負イオンが加速されるよう
にＵ、Ｖ´の値を設定し、フィラメント電圧を変えるこ
とにより、フィラメント４２から放出される電子エネル
ギーを変化させ、この電子エネルギーの値とイオンの個
数の計数値とを対応付けたデータを取得する。図５はこ
のデータの一例を表す図であり、圧力によってピーク値
が変わっている様子が伺える。

【００２６】本発明者はこの負イオンの計数値のピーク
値と目的とするラジカルの密度とが対応していることを
把握しており、この実施の形態では上述の負イオン(例
えばＣ4Ｆ7-)の個数のピーク値がこれぐらいの値であれ
ばマイクロ波のパワーをこれくらい大きく(或いは小さ
く)すればよいといったことを予め把握しておき、ピー
ク値を自動制御回路に入力してここから制御信号をパル
ス発生部５１に与えてプラズマの状態を制御する。この
場合はいわばラジカル密度の相対値を把握してラジカル
密度をコントロールしていることになる。

【００２７】ここで図７、図８は処理ガスとしてＣ4Ｆ8
を用い、負イオン化したラジカルＣ3Ｆ7-及びＣ4Ｆ9-に
ついての前記ピーク値がマイクロ波の大きさによって変
化する例を示した図であり、夫々圧力２０Ｔｏｒｒにお
いてマイクロ波を５００Ｗ(実線)及び６００Ｗ(点線)で
計測したものである。

【００２８】なおピーク値と特定ラジカル例えばＣ4Ｆ7
ラジカル密度とのデータを予め作成しておき、検出した
ピーク値をこのデータに適応してそのピーク値に対応す
るラジカルの密度を推定し、その推定値に応じた制御信
号を例えばパルス発生部５１に与えてもよい。

【００２９】このようにして推定したラジカル密度はプ
ラズマの電子温度を制御することにより目的とする値に
コントロールすることが可能である。プラズマの電子温
度は、マイクロ波電源部１４から出力されるマイクロ波
をパルス変調することで調節することが可能であり、そ
の調整の仕方は、そのエネルギーが大きくなるとラジカ
ル密度が大きくなる種類のラジカルの場合と逆にラジカ
ル密度が小さくなる種類のラジカルの場合とで異なる。
例えば前者の場合にはマイクロ波があるデューティ比の
パルスでパルス変調されているとすると、例えばあるラ
ジカルの密度が予め設定した値よりも大きくなるとマイ
クロ波出力のデューティ比を大きくして、ガスに供給さ
れるマイクロ波のエネルギーを大きくし、ラジカル密度
が小さくなるようにコントロールされる。また、マイク
ロ波のエネルギー(パワー)を制御するにあたっては、デ
ューティ比をコントロールする変わりに、マイクロ波電
源部１４の出力電力値をコントロールしてもよいし、こ
れらを組み合わせてもよい。

【００３０】このような実施の形態によれば、真空容器
１内のプラズマ中の例えばＣ4Ｆ7ラジカルの密度を推定
でき、これに基づいてマイクロ波電源部１４のパワーを
制御しているのでラジカル密度を適切な値にすることが
でき、従ってウエハＷ間でばらつきの少ない例えば膜厚
や膜質が安定した処理を行うことができる。そしてガス
採取口からガスを採取し、このガスに電子を付与してイ
オン化した負イオンをカウントしているので、真空容器
に設けた窓の汚れによる精度の低下といった問題もな
い。

【００３１】なお上述の実施の形態では製品ウエハＷの
処理中にラジカル密度を求めるようにしているが、所定
枚数のウエハ処理を行った後、テストウエハを用いて処
理を行い、その処理中にラジカル密度を測定し、その値
に基づいて後続の製品ウエハＷの処理時に例えばマイク
ロ波のデューティ比等のプロセス条件を設定してもよ
い。

【００３２】また、プロセス条件を制御するにあたって
は、マイクロ波のパワーに限らず図４に併せて示すよう
に主電磁コイル２３、補助電磁コイル２４の電流量を夫
々制御する電流制御部５２、５３を制御して磁界の強さ
及び磁場形状を変えるようにしてもよいし、あるいは処
理ガスの流量や混合比を調整するように、ガスノズル１
６、ガス供給部２０と夫々接続されるガス流量調整部５
４、５５を制御してもよく、または真空容器１内の圧力
を調整するように排気管２２の途中に設けられた圧力調
整部５６の例えばバタフライ弁の開閉を制御するように
してもよい。そしてまた高周波電源部１９についても、
バイアスの電力値を制御してもよいし、パルス発生部５
７でパルス変調する場合には前記制御信号によりパルス
発生部５７を介してデューティ比を制御するようにして
もよく、この場合には特にウエハＷ上の薄膜のエッチン
グを行う場合に有効である。更にこれらのプロセス条件
の制御を組み合わせてもよい。プロセス条件の調整の仕
方は、予めプロセス条件を調整してラジカル密度を変
え、こうしたデータに基づいてプログラムを組んでおけ
ばよい。

【００３３】図９は処理ガスであるＣ4Ｆ8の流量を変え
ることで負イオン化したラジカルのピーク値が変化する
様子を表す図であり、ここではラジカルにＣ3Ｆ7、Ｃ4
Ｆ9を例にとって計測している。この図によればＣ4Ｆ8
の流量が増えるにつれてイオンのピーク値は右下がりを
示しており、従って処理ガス流量に応じてラジカル密度
が変化することがわかる。

【００３４】以上において密度推定手段４９におけるラ
ジカル密度の推定は、電子付加型質量分析装置３におい
て目的とするラジカル例えばＣ4Ｆ7を負イオン化してＣ
4Ｆ7-とし、そのイオンカウントのデータから行う例を
挙げてきたが、ラジカル種によっては例えばＣＦ4ラジ
カルのように電子付加によりＦ-イオンが解離するもの
もあり、このような場合には解離した負イオン例えばＦ
-イオンの計数値に基づきＣＦ4のラジカル密度の推定が
行われ、この場合も本実施の形態の範囲に含まれる。ま
たラジカル種としてはＣＦ4に限られるものではない
し、特定の粒子としてはラジカルに限らず分子、原子な
どであってもよい。なお図６は上記のＦ-イオンの計数
値の変化を示した特性図である。

【００３５】なお、本実施の形態ではウエハ上方のラジ
カル濃度分布を推定する方法を用いることも可能であ
り、これは例えば電子付加型質量分析装置３の駆動部３
８によりベローズ３６を伸縮させ、これにより採取口３
４の採取口の位置を変えてウエハの径方向に沿った複数
箇所の負イオンのカウンタ値を求めることにより得られ
る。なお本発明では前記採取口３４にノズルを気密に挿
入し、かつこのノズルにおける前記採取口３４よりも外
側の部位と前記孔部３５の周囲との間にベローズを介在
させ、装置本体３０は固定しておいてノズルを進退させ
てもよい。

【００３６】以上において本発明は、ＥＣＲ以外のヘリ
コン波タイプのもの、平行平板タイプのもの、ＩＣＰ
(誘導結合プラズマ)タイプのものなどにも用いることが
でき、更に成膜やエッチング以外のプラズマ処理例えば
レジストの灰化処理(アッシング)などにも適用すること
ができる。またプラズマ処理以外にも処理ガスを用いて
基板を処理する他の装置例えば熱ＣＶＤ装置などに対し
ても適用することができる。

【００３７】

【発明の効果】本発明の処理装置によれば、真空容器内
の粒子例えばラジカルの密度を推定することができ、そ
の推定結果に基づいてプラズマの状態を左右する各因子
(プロセス条件)を制御することができるので、良好な処
理が行える。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の処理装置に係る実施の形態を示す縦断
面図である。

【図２】本発明における処理装置に用いられる電子付着
型質量分析装置の周辺を示す縦断側面図である。

【図３】本発明における処理装置に用いられる電子付着
型質量分析装置の縦断面及び関連ブロックを示す構成図
である。

【図４】本発明に係る実施の形態を示すブロック図であ
る。

【図５】電子付着型質量分析装置における電子エネルギ
ーの値とイオンの個数の計数値とを対応付けたデータの
一例である。

【図６】電子付着型質量分析装置における電子エネルギ
ーの値とイオンの個数の計数値とを対応付けたデータの
一例である。

【図７】電子付着型質量分析装置における電子エネルギ
ーの値とイオンの個数の計数値とを対応付けたデータの
一例である。

【図８】電子付着型質量分析装置における電子エネルギ
ーの値とイオンの個数の計数値とを対応付けたデータの
一例である。

【図９】処理ガスの流量変化とイオンの個数の計数値と
を対応付けたデータの一例である。

【符号の説明】１真空容器３電子付着型質量分析装置５主制御部１４マイクロ波電源部１６ノズル１７載置台１９高周波電源部２０ガス供給部２２排気管２３主電磁コイル２４補助電磁コイル３０装置本体３１導入管３２イオン通路部３３イオン検出部３４採取口３５孔部３６ベローズ体３７駆動部３８レール４０，４１，４６フォーカスリング４２フィラメント４３電極４４直流電源４５電極４７検出器４７ａ種類判別部４８真空ポンプ４９密度推定手段５１，５７パルス発生部５２，５３電流制御部５４，５５流量調整部５６圧力調整部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者伊藤昌文愛知県名古屋市天白区梅が丘三丁目1802番地ニューコーポ植田ＩＩ305号 (72)発明者石井信雄東京都港区赤坂五丁目３番６号東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者川上聡神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号東京エレクトロン東北株式会社相模事業所内Ｆターム(参考） 5F004 BA14 BB12 BB13 BB14 BC03 BD01 BD04 CA02 CA03 CA06 CA08 CB01 CB04 5F045 AA08 AA10 EH11 EH13 EH17 EH19 GB04 GB07 GB08 GB15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空容器内に処理ガスを供給して被処理
基板に対して所定の処理を施すガス処理装置において、真空容器内から採取したガスに対して電子を放出し、処
理ガス中の粒子に当該電子を付着させる電子付加手段
と、この電子付加手段により、電子が付着された粒子の負イ
オンの種類を判別する質量分析手段と、この質量分析手段により判別された負イオンの数の計数
値に基づいて、判別された負イオンに対応する処理ガス
中の粒子の密度を推定する密度推定手段と、この密度推定手段で推定された粒子の密度の推定結果に
基づき、処理ガスの状態に影響を与えるプロセス条件を
コントロールする制御部と、を有することを特徴とする
ガス処理装置。
【請求項２】密度推定手段は、電子付加手段から放出
される電子エネルギーの大きさを変えて、前記粒子の負
イオンの計数値の変化を求め、この計数値のピーク値に
対応するデータを推定結果とすることを特徴とする請求
項１記載のガス処理装置。
【請求項３】質量分析手段は、真空容器内を移動可能
なガス採取口を備えていることを特徴とする請求項１ま
たは２記載のガス処理装置。
【請求項４】プロセス条件は、処理ガスに与えるエネ
ルギーの大きさ、真空容器内の圧力または処理ガスの流
量の少なくとも一つであることを特徴とする請求項１な
いし３にいずれか記載のガス処理装置。
【請求項５】電子を付着させる処理ガス中の粒子は、
ラジカル、分子または原子であることを特徴とする請求
項１ないし４にいずれか記載のガス処理装置。